JPS58155629A - ブラウン管及びその製造方法 - Google Patents

ブラウン管及びその製造方法

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JPS58155629A
JPS58155629A JP3721782A JP3721782A JPS58155629A JP S58155629 A JPS58155629 A JP S58155629A JP 3721782 A JP3721782 A JP 3721782A JP 3721782 A JP3721782 A JP 3721782A JP S58155629 A JPS58155629 A JP S58155629A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
conductive film
neck
ray tube
inner conductive
internal conductive
Prior art date
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Pending
Application number
JP3721782A
Other languages
English (en)
Inventor
Shigekazu Shibata
柴田 繁数
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Toshiba Corp
Original Assignee
Toshiba Corp
Tokyo Shibaura Electric Co Ltd
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Filing date
Publication date
Application filed by Toshiba Corp, Tokyo Shibaura Electric Co Ltd filed Critical Toshiba Corp
Priority to JP3721782A priority Critical patent/JPS58155629A/ja
Publication of JPS58155629A publication Critical patent/JPS58155629A/ja
Pending legal-status Critical Current

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Classifications

    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01JELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J29/00Details of cathode-ray tubes or of electron-beam tubes of the types covered by group H01J31/00
    • H01J29/86Vessels; Containers; Vacuum locks
    • H01J29/88Vessels; Containers; Vacuum locks provided with coatings on the walls thereof; Selection of materials for the coatings

Landscapes

  • Vessels, Lead-In Wires, Accessory Apparatuses For Cathode-Ray Tubes (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔発明の技術分野〕 本発明はブラウン管及びその製造方法に係り、特に醸子
ビームが直IItたは管内部品から反射された後内部導
電膜罠射突してもエミッション不良を起すことが惨めて
少ないブラウン管及びその製造方法に関するものである
〔発明の技術的背景とその問題点〕
従来のブラウン管例えばカラーブラウン管は第1図に刀
(すような構造を有している。
Mll チパネル(11,7アンネル(2)、ネック(
3)からなる外囲器内のパネル(1)内面には螢光体層
及びメタルバック層からなる螢光面(4)が被着される
と共にシャドウマスク(5)が螢光1ffi (4)に
所定間隔をもって対設され、77ンネル(2)からネッ
ク(3)にかけての内面には7アンネル(3)に設けら
れた陽極端子(6)に導接する内部導電膜(7)が被着
形成されている。またネック(3)内には電子銃(8)
が内装され、この電子M (13)のコンバーゼンスI
IE 4k(9)にはバルブスペーす一員が内部導電膜
(7)[41するように設けられていると共にゲツタサ
ボー)(lυを介してファンネルゲッタa4がファンネ
ル(2)内111に弾接するように設けられている。
この様なブラウン管において内部導電膜(7)は第1に
陽極端子(6)に印加されえ高電圧をパルプスペーサー
QO,コンバーゼンス電極(9)を介して電子銃(8)
の主電子レンズを形成する電極に印加される、第2に図
示しないコネクターを介してメタルバック層及びシャド
ウマスクへ高電圧を印加する、躯3にシャドウマスク(
5)などの管内部品から反射された電子を吸収する、な
どの役目を有している。
ところが電子銃(8)からビーム状に射出され良電子は
図示しない外囲器外に設けられ九偏向ヨークの位置や偏
向電によって直接ネック(3)の内部導電膜(力に射突
することがある。
この内部導電膜(7)は主として炭素と水硝子との混合
物や炭素・酸化鉄、水硝子の混合物を被着形成したもの
であ抄、またブラウン管の舞造工程中の排気工程におい
ては通常パルプを300〜400℃の炉内で加熱するが
ネック(3)は炉の開放部に近いため温度が上がII)
K<<通常パネル(1)K比較し100℃以上も低くな
っている。
その走めネック(3)近傍の内部導電膜のガス出しが充
分に行なえない。その結果、ブラウン管を完成したのち
、電子が射突すると、水、炭酸ガス、酸素などのガスが
管内に放出され、N極の電子放射特性に影響を与え、エ
イツションの低下をきたすことになるし、またゲッタサ
ポート(II)がネック(3)とファンネル(2)の間
の湾曲部の内部導電膜(7)に当接し、内部導電膜(7
)内の電位分布や電子銃に印加される電圧に異常をきた
すことになる。
この対策として、ネック(3)近傍の内部導電膜(力r
苔属膜にすることも考えられているが、金属膜にするこ
とによね、第1に電子が反射する、第2にバルブスペー
サー(Iとの接触性が悪くなり電子銃に対する高圧印加
が不安定に々るなどの間醜点があった。
〔発明の目的〕
本発明は前記問題点に艦みなされた一〇であ転特に電子
がネック近傍に射突してもエミツシ曹ンの低下が極めて
少ない内部導電膜を有するブラウン管及びその製造方法
を提供することを目的としている。
〔発明の概要〕
即ち、本発明はパネル、ファンネル、ネックからなる外
囲器のファンネルからネックにかけての内壁にファンネ
ルに設けられた陽極端子からの高電圧をネックに装着さ
れ九電子銃に印加するように被着形成され九内部導電膜
のネック近傍の電子銃から射出される電子が射突される
部位の抵抗値を他の部位に比較して低抵抗とし、この低
抵抗とする手段が従来の内部導電膜そのものの抵抗を下
げるか、従来の内部導電膜上に低抵抗膜を重層に被着形
成するか、または従来の内部導電膜を2層と[7てその
間に低抵抗膜を設けるかの構造と、内部溝・岨膜の抵抗
を下げる方法としては炭素とNiなとの金属粉末を混合
して被着するか、アル1=ウムなどの金属蒸着膜を使用
し、fにブラウン管の排気中または排気後、この抵抗値
の低い部位を高周波の誘導加熱や他の加熱方法により充
分にガス出しを行なうようにしている。
〔発明の実施例〕
次に本発明のブラウン管及びその製造方法の一実施例を
図に従って説明する。
即ちブラウン管例えば力2−ブラウン管は第2図にボす
ような構造含有している。
パネル(2υ、ファンネル■、ネック(至)からなる外
囲器内のパネル圓内面には螢光体層及びメタルバック層
からなる螢光画(財)が被着されると共に、シャドウマ
スク(ハ)が螢光m(財)K所定間隔をもって対設され
、ファンネルに)からネック@Kかけての内部にはファ
ンネル(2)に設けられた陽極端子(至)K導接する内
部導電膜面が被着形成されている。またネック−内に゛
は電子銃(至)が内装され、仁の電子銃(2)のコノバ
ー(ンス電極翰にはバルブスペーサー(至)が内部導電
膜(財)に導接するように設けられていると共にゲッタ
サポート<311を介して7アンネルゲツタ(至)が7
アンネル(2)内壁に弾接するように般社られている。
この様なブラウン管において内部導電膜(至)のネック
(至)近傍の部位(至)即ち電子銃−からの電子が直接
射突される部位は第3図に示すようにネック−上に炭素
とN1等金属粉末を混合して塗布しえ低抵抗層(財)と
なってお夛、ブラウン管の排気工1iにおいては第4図
に示すようにパルプを一〇にて加熱しながら排気する場
合バーナー143により加熱するようKなっている。
前述した低抵抗層(2)は他の部位の内部導電膜(至)
の抵抗値でおる3〜10KQcmよシ低く1Ω1以下に
することが可能となり、i九バーナー−により特に加熱
しているのでブラウン管完成後電子銃(2)からの電子
の射突を受けても、jスの放出がなくエミツション不貞
を起すことはないし、またゲラタナポート61が当接し
ても特に電子銃@Ii’C印加される電圧の変化もなく
、更にスポットノッキング工程時などでは内部導電被膜
(財)がある丸め放電電流の上昇などもなく、従来通)
の電極タリー二ング次に本発明の他の実施例を第5図及
び第6図により説明する。図中前の実施例と同一符号は
同一部分を示し、特に説明しない。
即ち本実施例ではネック儲近傍の部位−の内部導電膜を
従来と同様な3〜10KOamの内部導電膜(財)上に
炭素とNi等金属粉末を混合した低抵抗層(財)を塗布
し2層に形成したのち第6図に示すようにパルプを炉4
1υにて加熱しながら排気する場合ヒーター礒謙にて加
熱するようにしたことを特徴としている。
本実施例のようにすることによシ内部導電膜匈上に低抵
抗層−を形成するので工程が簡略化される利点が付加さ
れる。
次に本発明の良に他の実施例を第7図により説明する。
即ち本実施例では千ツタ@近傍の部位(至)の内部導電
膜(ロ)上にアル<ニウムなどの金属蒸着膜からなる低
抵抗l−鰯を設け、更にこの低抵抗層(2)上に通常の
内部導電a(ロ)を設け3層にしである。
この様な内部導電膜を有するブラウン管はその排気工程
でこの内部導電膜部分を図示しない高岡−波の誘導加熱
により加熱する。
前記実施例は代表例であ勢、この4kk種々の組合せや
構造が考えられることは勿論である。
〔発明の効果〕
上述のように本発明によれば、ネック付備の内部導電膜
の抵抗を低くシ、かつ排気工程の加熱中にこの部位を別
に加熱することによ妙、工電ツシ冒ンが少なく、またゲ
ラタナボートの当接による不具合もない品位の良好なブ
ラウン管を得る仁とが可能であり、その工業的価値は極
めて大である。
【図面の簡単な説明】
第1図は従来のブラウン管の一例を示す説明用断面図、
第2図乃至第4図は本発明のブラウン管とその製造方法
の一実施例を示す図であや、第2図は説明用断面図、第
3図社lit図のム部拡大断面図、第4図轄排気工11
にお社る加熱状態を示す説明図、第5図及び第6図は本
・発明の他の実施例を示す図であり、1層5図は要部拡
大断面図、第6図は排気工程における加熱状態を示す説
明図、第7図は本発明の更に他の実施例を示す要部拡大
断面図である。 1.21・・・ハネル   2,22・−・ファンネル
3.23・・・ネック    5,25・・・シャドウ
マスク6.26・・・陽極端子  7,27・・・内部
導電膜11.31・・・ゲツタサボー)  12,32
・・・7アンネルゲツタ34・・・低抵抗層   41
・・・炉42・・・バーナー    43・・・ヒータ
ー代理人 弁理士 井 上 −男 第3図     第4図 第5図     第6図

Claims (2)

    【特許請求の範囲】
  1. (1)パネル、ファンネル及びネックからなる外囲器の
    ファンネルからネックKかけての内壁に前記ファンネル
    に設けられた陽極端子に導接すゐように被着形成された
    内部導電膜のネック近傍の部位の抵抗値を他の部位に比
    較して低抵抗にし九ことを特徴とするブラウン管。
  2. (2)低抵抗にする手段が内部導電膜そのものの抵抗を
    低くするか内部導電膜上に低抵抗層を設は重層とするか
    、または2層の内部導電膜間に低抵抗層を挾み込むかの
    内いずれかkよってなされていることを特徴とするブラ
    ウン管。 器の7アンネルからネックにかけての内壁に前記(3)
    パネル、ファンネル及びネックからなる外囲ファンネル
    に設けられ九陽極端子に導接するように内部導電膜のネ
    ック近傍の部位の抵抗値を他の部位に比較して低抵抗と
    し、排気工程にお妙る前記外囲器の加熱時に前記ネック
    近傍の外壁をバーナー、ヒーター、高周波などにより加
    熱させることを特徴とするブラウン管の製造方法。
JP3721782A 1982-03-11 1982-03-11 ブラウン管及びその製造方法 Pending JPS58155629A (ja)

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