JPS58153328A - イメ−ジセンサの受光感度不均一補正方式 - Google Patents

イメ−ジセンサの受光感度不均一補正方式

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JPS58153328A
JPS58153328A JP57035721A JP3572182A JPS58153328A JP S58153328 A JPS58153328 A JP S58153328A JP 57035721 A JP57035721 A JP 57035721A JP 3572182 A JP3572182 A JP 3572182A JP S58153328 A JPS58153328 A JP S58153328A
Authority
JP
Japan
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image sensor
pattern
signal
mask
sensitivity
Prior art date
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Pending
Application number
JP57035721A
Other languages
English (en)
Inventor
Mitsuzo Nakahata
仲畑 光蔵
Keiichi Okamoto
啓一 岡本
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Hitachi Ltd
Original Assignee
Hitachi Ltd
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Filing date
Publication date
Application filed by Hitachi Ltd filed Critical Hitachi Ltd
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Publication of JPS58153328A publication Critical patent/JPS58153328A/ja
Pending legal-status Critical Current

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    • GPHYSICS
    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F1/00Originals for photomechanical production of textured or patterned surfaces, e.g., masks, photo-masks, reticles; Mask blanks or pellicles therefor; Containers specially adapted therefor; Preparation thereof
    • G03F1/68Preparation processes not covered by groups G03F1/20 - G03F1/50
    • G03F1/82Auxiliary processes, e.g. cleaning or inspecting
    • G03F1/84Inspecting

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  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Investigating Materials By The Use Of Optical Means Adapted For Particular Applications (AREA)
  • Preparing Plates And Mask In Photomechanical Process (AREA)
  • Testing Or Measuring Of Semiconductors Or The Like (AREA)
  • Image Input (AREA)
  • Picture Signal Circuits (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 本発明は、イメージセンサの受光感度不均一補正方式、
特にフォトマスクパターン等の撮像、検出を行ない、得
られる映像信号を処理することによりパターンの認識、
処理を行なう装置において、光学レンズ系の特性や、イ
メージセンナ上の受光絵素間の特性の不均一によって生
じるイメージセンサの受光感度の不均一を補正する補正
方式に関する。
一般に、半導体IC,)ランジスタ等の製造に用いるフ
ォトマスク等のパターンの検査、計測システムにおいて
は、フォトマスク等のパターンをイメージセンサ上に光
学的に投影し、パターン検出用の該イメージセンサから
出力されるvhem号を量子化し、この量子化された映
像信号の処理を行なうことにより、フォトマスク等のパ
ターンの欠陥判定等を行な5方式が用いられている。
以下、このような従来技術によるフォトマスク等のパタ
ーンの認識、処理を行なう装置を図面について説明する
第1図は従来技術によるフォトマスク等のパタ−ンの認
識、処理を行なう装置の一例を示すブロック図、第2図
、第3図(A)及び(B)は第1図の動作を説明するた
めの波形図及びフォトマスク等のパターン図である。第
1図において、lはイメージセンナ、2は増幅器、3は
A/D変換器、4は映像信号処理部、5はクロック信号
発生器、6は対物レンズ、7はフォトマスク、8は集光
レンズ、9は照明用光源である。
第1図において、検査対象であるフォトマスク7は、集
光レンズ8を介した照明用光源9で照明され、骸フォト
マスク7上のパターンは、対物レンズ6を介してイメー
ジセンサ1上に投影される。
イメージセンサ1は、投影されたフォトマスク7上のパ
ターンの画像をイメージセンサ1の各絵素毎にその明暗
を電気信号に変換し、その映像出方信号をクーツク信号
発生器5からのり四ツク信号にしたがい、順次出力して
増幅器2に印加する。
増幅器2により所定のレベルまで増幅されたイメージセ
ンt1からの映像出力信号vo1は、 A/D変換器3
に印加され、クロック信号発生器5からのクロック信号
に基づいて、イメージセンサ1の各絵素毎にディジタル
信号■o、に変換され、映像信号処理部4に入力される
。映像信号処理部4は、このディジタル信号化されたイ
メージセンサ1の映像出力信号■。。を処理し、パター
ン幅の針側、パターンの欠陥の判定等を行なう。
なお、第1図に示す装置は、−次元のイメージセンサを
用いたもので、一度にフォトマスク7上の全パターンを
処理することはできないが、フォトマスク7を前後及び
左右に順次移動して、前述と同様な処理な繰返えすこと
により、フォトマスク7上の全パターンについての処理
を行なうことが可能である。
前述したような従来技術においては、集光レンズ8及び
照明用光源9によるフォトマスク7上の照明を完全に均
一にすることが困難であること、対物レンズ6がパター
ン像をイメージセンナ1上に投影する際、対物レンズ6
0周辺減光作用により、イメージセンサ1上の各受光絵
素における投影1隊の明るさを均一にすることが困難で
あること、イメージセンサ1上の各受光絵素間に4I性
の不均一があること、などの理由により、イメージセン
サ1の受光面全域すなわちイメージセンサ1上の全受光
絵素において均一な受光感度特性を得ることができない
という欠点があった。このため、例えば検査対象である
フォトマスク7のパターンが無い部分をイメージセンサ
1上に投影した場合、増幅器2により増幅されたイメー
ジセンサ1の映像出力信号v、1は、第2図に示すよう
な不均一なものとなる。
従って、第3図(A) K示すようなフォトマスク7上
の欠陥部0)を有するラインパターンをイメージセンサ
IK投影した場合、増幅器2により増幅されたイメージ
センサ1の映像出方信号V・、は、第3図(B) K示
すようなものとなり、欠陥検出信号部分(ロ)と、受光
絵素感度が低い部分の出力信号部分(へ)と、レンズ等
による光学系の影響で受光量が少ないイメージセンt1
の両端部分における出力信号部分の出力信号V、ムのレ
ベルがほぼ同一レベルとなるような場合が生じる。この
ため、第1図に示す従来装置は、これらの信号部分を明
確に区別することが困難であり、特に微小欠陥を検出す
ることが困難であるという欠点があった。
本発明の目的は、前述した従来技術の欠点を除去し、イ
メージセンサ上の各受光絵素の受光感度を自動的に補正
し、均一な感度特性でフォトマスク上のパターンの検出
を行なうことができるようにしたイメージセンサの受光
感度不均一補正方式を提供するKある。
この目的を達成するため、本発明は、パターンの検出を
実行する前に、予じめ検査対象となるフォトマスク上の
パターンの無い部分を照明し、イメージセンサの受光面
全域に透過照明光を照射し、このときに得られるイメー
ジセンサの各受光絵素毎の映像出力信号の量子化値を感
度補正値としてメモリに記憶しておき、その後、イメー
ジセンサによるフォトマスク上のパターンの検出時には
、前述の量子化値を用いてイメージセンサの各受光絵素
毎の映像出方信号の値をリアルタイムで補正するように
した点を特徴とする特 以下、本発明によるイメージセンナの受光感度不均一補
正方式の実施例を図面について説明する。
第4図は本発明によるイメージセンサの受光感度不均一
補正方式の一実施例を示すブロック図であって、10は
補正演算装置、 11は比較回路、丘は、)’モ!J、
13はアドレス発生器、14はシーケンスコア ) ”
−ル部テあり、#I1図に対応する部分ニハ同一符号を
つけて説明を一部省略する。
次に、この実施例の動作について説明する。
第4図において、A/D変換器3は、イメージセンサ1
の受光IIi!素毎のこの映像出方信号■oムを量子化
した4ビツトのディジタル信号Vow K変換して補正
演算装置10に人力する。補正演算装置10は、このデ
ィジタル化された映像出方信号v、■と、クロック発生
器5のり曹ツク信号によって制御されるアドレス発生4
113からのアドレス信号に基づいて読出される、メモ
リ化内に予め記憶されているイメージセンサ1の各受光
絵素毎の4ビツトの感度補正値v關と、予め設定した定
数Kを用い、” Ls / Vmmなる演算を各受光絵
素毎の映像出方信号■・0として映像信号処理部4に入
力する。
映像信号処理部4は、ジ−タンスコントロール部14で
制御され、第1図で説明した場合と同様に、この補正信
号Vacを処理し、パターン幅の針側、パターンの欠陥
の判定等の処理を実行する。また、フォトマスク7を前
後及び左右に順次移動して前述と同様な処理を繰返すこ
とにより、検査対象であるフォトマスク7上の全パター
ンについての処理を行ない得ることは、第1図に示した
従来技術の場合と同様である。
次に、メモリ12内に記憶されている感度補正櫨V□を
どのように設定するかkついて説明する。
前述したフォトマスク7上のパターンの検査動作に先立
って、イメージセンサ1は、検査対象であるフォトマス
ク7のパターンの無い部分が集光レンズ8、対物レンズ
6を介して照明用光源9により投影される。イメージセ
ンサ1は、その全面に受けるフォトマスク7の透過照明
光を各受光絵素毎に電気信号に変換して出方する。その
出方映像信号は、前述したフォトマスク7上のパターン
の検査の場合と同様にしてA/D変換器3により量子化
した4ビツトのディジタル信号に変換される。このディ
ジタル信号は、1024個の各受光絵素毎にメモリ化の
所定の領域に記憶される。従って、メモリ12は各4ビ
ツトの1024個のメモリ領域を有するものが必要であ
る。次に、フォトマスク7を前後又は左右に移動させ、
フォトマスク7F)パターンの無い別の部分について、
今度は一部メモリ12に格納された前述したディジタル
信号を読出しながら前述と同様にして、イメージセンサ
1の各受光絵素毎の映像出力信号なA/D変換器3によ
りディジタル信号に変換する。このディジタル信号とメ
モリ化より読出されたディジタル信号とは、イメージセ
ンサ1の同一の受光絵素に対応するものとなるように制
御されており、これらは比較回路11の入力端千人及び
Bにそれぞれ入力される。比較回路11は、これらのデ
ィジタル信号の大小を比較して、その値の大きい方のデ
ィジタル信号をメモリnの所定領域に畳込むようにメモ
リ12を制御する。この動作は、フォトマスク7のパタ
ーンが存在しない部分について複数回実行され、その結
果、メモリ12には、フォトマスク7のパターンの存在
しない部分にゴミや欠陥パターンが存在した場合でも、
それらの影響を除いた、イメージセンサ上で最大照度を
得たときの各受光絵素におけるディジタル信号が感度補
正値■工として舊己憶されることになる。
この結果、前述したフォトマスク7上のパターンの検査
動作時に、補正演算装置10がイメージセンサlの各転
累毎にK −V、。/V、、の演算を実行すると、該補
正mxi直10より出力される各受光組木毎のパターン
の補正映像信号VOCは、各受光組木で最大照度を得た
ときの各受光絵素の出力信号との比に予じめ定めた定数
Kを乗じた値として得られ、対物レンズ6、集光レンズ
8、照明用光源9等の光学的な影響や、イメージセンサ
1の各受光絵素間の感度の不均一が補正されたものとな
る。
□また、定数には、A/D変換器10が出力する4ビツ
トのディジタル信号と同一ビット数の7/L/スケ−ル
値(本夾施例の場合、16進の値F)K設定さレル。定
数Kをこりよ5に設定すると、パターンの検出動作時に
最大照度を得ればV、。/V工の値はlとなり、そのと
きの補正演算装置10より出カサレルハターンの補正映
像信号v、cは、フルスケール値のディジタル信号とな
って、同一ビット長で最大階調を得ることができる。
第5図は第4図の補正演算装置1oの一興体例を示すブ
ロック図である。
第5図において、補正演算装置は256 X 4ビツト
の不揮発性メモIJ P −ROMで構成され、8ビツ
トのアドレスにより指定される256のメモリ領域より
4ビツトのデータを読出し得るように構成されている。
この不揮発性メモIJP−kLOMを読出すための8ビ
ツトのアドレス2°〜27のうち、上位4ビツト24〜
27は、フォトマスク7上のパターン検出動作時に、A
/D変換器3より得られるイメージ七ン−t1の各受光
絵素毎のディジタル信号化されたパターンの補正映像信
号Vll11がアドレスA、として用いられ、また、下
位4ビツト2°〜2aは、メモリ12から続出された感
度補正値V工がアドレスALとして用いられる。このよ
うな8ビツトのアドレス2°〜27で指定される不揮発
性メモリP−,ROMのメモリ領域には、第6図に示す
ように、K−V、、/V□なる演算結果に相当する4ビ
ツトの補正された各受光絵素毎のパターンの補正映像信
号■。Cが格納されている。このように、不揮発性メモ
リP−ROMで構成された補正演算装置10は、入力さ
れるディジタル化されたパターンの映像出力信号■。つ
と感度補正値■1Mナアドレスとして不揮発性メモIJ
P−ROMを続出すだけで、演算結果を出力することが
できる。
以上のように、この実施例においては、フォトマスク7
のパターンの検出動作時に、第7図(A)に示すような
ラインパターンを検出すると、感度補正後のパターンの
補正映像信号として第7図(ハ)に示すような波形を出
力することができる。また、この実施例は、イメージセ
ンサからのパターンの映像出力信号の感度補正演算が、
単に不揮発性メモリ及び感度補正値が格納されているメ
モリの絖出し動作のみで実行できるので、補正演算時間
が短かく、パターンの映像出力信号の高速実時間補正を
行なうことができる。なお、前述の実施例では、イメー
ジセンサの映像出力信号を4ビツトでディジタル信号化
したが、4ビツト以上でディジタル化してもよいことは
いうまでもない。
以上説明したように、本発明によれば、予めメモリ内に
設定された、イメージセンサの各受光絵素毎の感度補正
値を用いることにより、照明光及びレンズ系の光学的影
替や、イメージセンサ上の各受光絵素間の特性の不均一
による、イメージセンナの感度不均一を、パターン検出
時に実時間で高速に補正することができ、これによりフ
ォトマスク上のパターンの微小欠陥のようにコントラス
トの低い部分をも明確に検出でき、また照明用光源の経
時的な輝度低下に対しても安定したパターンの検出を実
行することができるイメージセンサの受光感度補正方式
を提供することができる。
【図面の簡単な説明】
第1図は従来技術によるフォトマスク等のパターンの認
識、処理を行なう装置の一例を示すブロック図、第2図
は第1図のイメージセンサから得られる信号を示す波形
図、第3図(A)及び(B)はフォトマスクのパターン
図及び該フォトマスクによるイメージセンサから得られ
る信号を示す成形図、第4図は本発明によるイメージセ
ンサの受光6図は第5図の書込みデータの内容の一例を
示す図、第7図(A)及び(B)は第4図の動作を説明
するためのパターン図とその検出波形図である。 1・・・・・・イメージセンサ、2・・・・・・増幅器
、3・・・・・・A/D変換器、4・・・・・・吠鐵信
号処理部、5・・・・・・クロックイd号発生器、6・
・・・・・対物レンズ、7・・・・・・フォトマスク、
8・・・・・・集光レンズ、9・・・・・・照明用光源
、10・・・・・・補正演算装置、11・・・・・・比
較回路、12・・・・・・メモリ、13・・・・・・ア
ドレス発生器、14・・・・・・シーケンスコントロー
ル部。 第2図 第3図

Claims (1)

  1. 【特許請求の範囲】 フォトマスクパターンの認識、処理を行なうために、皺
    フォトマスクパターンを検出走査し【映像信号を得るよ
    5Kしたイメージセンナの受光感度不均一補正方式にお
    いて、該イメージセンナにより前記フォトマスクパター
    ンの明るい部分を検出走査し、各絵素毎の出力値を得て
    メモリに記憶し、前記イメージセンサにより前記フォト
    マスクパターンの全体を検出走査して得られる映像信号
    を各絵素毎に前記メモ9に記憶された前記最大の出力値
    を除数とし【演算補正することKより、前記フォトマス
    クパターンの全体を検出走査して得られる前記映像信号
    の前記イメージセンナの受光感度の不均一性にともなう
    振幅変動を除去することができるよ5Kt、、たことを
    特徴とするイメージセンナの受光感度不均一補正方式。
JP57035721A 1982-03-09 1982-03-09 イメ−ジセンサの受光感度不均一補正方式 Pending JPS58153328A (ja)

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Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5015097A (en) * 1988-10-07 1991-05-14 Hitachi, Ltd. Method for inspecting filled state of via-holes filled with fillers and apparatus for carrying out the method
US5861944A (en) * 1994-04-14 1999-01-19 Nikon Corporation Exposure apparatus
JP2012242325A (ja) * 2011-05-23 2012-12-10 Tdk Corp グリーンシートの膜厚測定装置
US8384903B2 (en) 1998-11-18 2013-02-26 Kla-Tencor Corporation Detection system for nanometer scale topographic measurements of reflective surfaces

Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS50126133A (ja) * 1974-03-23 1975-10-03
JPS5494836A (en) * 1978-01-12 1979-07-26 Oki Electric Ind Co Ltd Pattern input unit

Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS50126133A (ja) * 1974-03-23 1975-10-03
JPS5494836A (en) * 1978-01-12 1979-07-26 Oki Electric Ind Co Ltd Pattern input unit

Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5015097A (en) * 1988-10-07 1991-05-14 Hitachi, Ltd. Method for inspecting filled state of via-holes filled with fillers and apparatus for carrying out the method
US5861944A (en) * 1994-04-14 1999-01-19 Nikon Corporation Exposure apparatus
US8384903B2 (en) 1998-11-18 2013-02-26 Kla-Tencor Corporation Detection system for nanometer scale topographic measurements of reflective surfaces
JP2012242325A (ja) * 2011-05-23 2012-12-10 Tdk Corp グリーンシートの膜厚測定装置

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