JPS58147948A - 走査電子顕微鏡等の電子光学系 - Google Patents

走査電子顕微鏡等の電子光学系

Info

Publication number
JPS58147948A
JPS58147948A JP57030269A JP3026982A JPS58147948A JP S58147948 A JPS58147948 A JP S58147948A JP 57030269 A JP57030269 A JP 57030269A JP 3026982 A JP3026982 A JP 3026982A JP S58147948 A JPS58147948 A JP S58147948A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
objective lens
electron
deflector
lens
scanning
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
JP57030269A
Other languages
English (en)
Other versions
JPH0234144B2 (ja
Inventor
Eiji Watanabe
英二 渡辺
Teruo Someya
染谷 輝夫
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Jeol Ltd
Original Assignee
Jeol Ltd
Nihon Denshi KK
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Jeol Ltd, Nihon Denshi KK filed Critical Jeol Ltd
Priority to JP57030269A priority Critical patent/JPS58147948A/ja
Publication of JPS58147948A publication Critical patent/JPS58147948A/ja
Publication of JPH0234144B2 publication Critical patent/JPH0234144B2/ja
Granted legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01JELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J37/00Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
    • H01J37/26Electron or ion microscopes; Electron or ion diffraction tubes
    • H01J37/28Electron or ion microscopes; Electron or ion diffraction tubes with scanning beams

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Analytical Chemistry (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 本発明は人Qlj 3T7面試お1を(T怠の角tiL
より高分解能(゛観察可能にする走査電子顕微↓I′1
′!+7の電子)に学系に関りるものである。
一般に走査電子顕微鏡にcbいで、仔怠イ「角Hq i
>+らの試別(争を7IQ ”X−dる場合、試1’i
l全°内M試オ′11傾斜及び若しく(,1回転機構を
ち−)試別ステージを組み込ん(・いる1、この様な傾
斜ステージは試オ′11が小ざいどき(14何η問題が
41いが、コ1(導体ウニ1−ハヤ)IC用ンスクブレ
−1−舌を観察力る場合には秒々な問題を牛する。即ち
、第1に半導体ウェハ等は白径が100m以トあるので
、これを所望の高角度に傾斜Cするには機構があJ、り
にも大型化し、高1′E、空が要求される試オ′1室を
著しく人ぎくしな(Jれば2iら4’C< <Kる1、
第2に、その様42人型の傾斜装置を絹み込/υだとし
ても、観察試オ°11領域を固定した状態(・所望に傾
斜角を変えることはでさない。第3に高い(中斜角をI
M保づ−るには試別と対物レンズの距頗1、′)まりワ
ーキングテ゛イスタンスを艮く甘ざるを1qないので、
l!−1分解能走査像は観察できない。
1記の問題を解決し」;うとしで試料土で゛ 定角度を
もつC光軸か交叉する一つの電子光学カラl\を設(7
1、i式択的にいずれかのカラムを使用して試1′i1
面の胃つ/、r角lqの画像を得るJ、うにした装「9
もあろが、414造が大変複雑、大型化し、目つ極めて
mhllliに二!−iるという欠点の仙に、両力ラム
は垂直線シ利(5、llf丙’311/ T取付【〕ね
ばhらなイノテ、(In 231角が人さくイjる稈、
その支持が厄介にイfす、機械的粘庶の問題ハエら電子
光学系の性能低下は財(Jられない。史に充分に短いワ
ーキングデ(スタンスが得られず高分解能観察は行えな
いという欠点を右しCいる。
本発明は[記従来例のもつ欠点を満2に解決し得る電子
光学系を1是案することを口約どJるL)のて′、その
構成は一次葡電粒子線発牛源、誇介牛源からの荷電粒子
線を集束する集束レンズ、対物レンズ及び前記−次荷電
粒子線を試オ゛々11−で走査するための偏向手段を備
えた装置において、前記対物lノンズとして広角集束f
(1を有する大口径1ノンズを使用し、この対物レンズ
の上方(、ニー次荷電粒子線(の軌道変更用偏向器を設
置し、この偏向器及び前記集束レンズを用いて前記対物
レンズの所望11111外の微小領域に平行 次荷電粒
子線を入Q’l ?lる如くなし、該対物レンズにより
偏向・集束された一次荷雷粒子線を高傾斜角で試料土に
投射−りる11−査電了顕微鏡等の電子光学系に1ソ[
徴をもつものである。
以F図面に示し)こ実施例に基づき説明Jる。1第=3
− 11ノロ、+ 1+−発明の一実施例の構成概略図て゛
あり、10電了銃(゛ある。この電子銃を出た電子線は
集束1ノンズ2に人q・1シ、イの絞り3を通過した電
子線は集中さ5)、 Vi7行ビームFBとしく一取出
される。この!J−iJ41ノンズからの平行ビームは
対物1ノンズ4に入q・1し集束され−C試第115十
に微小スポットどして照身]εきれる1、この対物レン
ズとしては広角集束1!+を荀づる人[1径のレンズ゛
が使用され、平行電子ビームl” n L:1. ;二
の大[目¥対物レンズ磁場の任意軸外領1■戊に人Q4
さ[tられる。このため、対物レンズのL IJ tJ
l、121″Qの軌道変更用偏向器6a、61+がh′
かれ、平行1で−1,VFBを図の如く大ぎく偏向し、
光軸/1.二重(−j又(31略平行にして夕・j物し
ンズ4の軸外に入射できるようになしである。入射した
平行じ−lxは集束と同時に偏向され、試別5トに角0
てIQ ’J・I i’5れることになる。この角θは
人きくてきろI)がO? :J: L/ < 、例えば
45度を確保するには人[口¥対物レンズの穴径は1ノ
ーキングデイスタンスti)2 (M以1(5−づる必
要がある1、前記煽目f]1器6XiとC; II 1
.1夫//X、Y両方向に任意に偏向で゛さ、又両4− 省【よ関連して制御され、従って、平(1ビームFB(
31列対物ノンズ4のIl′I怠な位置に光軸7と平行
を保ったまま八〇・1ざけられ、結果として試別5に照
0−+される電子線の入用角θ及び方位角ψを11意に
設定Jることができる。この入用角θ及び方位角Φを保
ったまま試料土で電子線を2次カー1的に走査覆るため
に前記軌)iゆ炉用の偏向器6aと同一(f/ 阿に走
査用偏向コイル7が設置され、これに図示タトの水平、
垂直走査電源より2次元的走M信号が供給される。第2
図はイの走査の光学図を示すもので、中心ビームEB+
に対し、二点鎖線FB2゜点線EB3の如く人ail角
及び方(f/角を略保ったに+44走査される。
1記の如く、対物レンズ4の軸外に電子線番−人0−1
させても、各棟の収差の影響は非常に少く微小スポッ1
〜を試別1−に投口・1てきる3、即ち、平行ビー1、
、 E B IJ、人[]径外1物レンスの軸りロ1−
人q・1されるが、該人q・1領域は集束レンズ2のf
(+1さにJ、−)で制約されでおり、その大きざ(S
t’行ビームの面径)は数1 (t +nへ・数百μI
II稈庶の小さなりのである。)f1軸部5) 1)f
lrF IJil’lll外部分の電子線を全て集束す
る場合どX、j /、 P)、i記の如く、す11外の
極微小領域の、7ノをi+I’i過りる゛市r線は各種
収差の影響が殆んど44−いので゛、試)”l jて゛
のスボッ1〜の拡がりは生じ<7いので(iりる。従−
)C11丁愚方位、任意mmからの試1目1−!寮に゛
ハリ、高分解能が保証されることになる。
第、′3図はa)1図のゆ形であり、偏向]イル7に代
え0女・1物レンズ磁場内に静電偏向器E3を設(−)
た1)のC゛ある+15−の偏向器に走査4B zを供
給しl電i′粍jを図の如く試斜上′C走査する。勿論
、この(烏向器8を軌道変更用の補助偏向器どして使用
JることりC゛ぎる1、 第1図(JI更に他の変形で、2段の軌道変更用偏向器
(I il 、 6ITに代えて1段の偏向器6を用い
たもので゛ある。この場合、該偏向器6ど対物1ノンズ
1−而(偏向器8)との間隔を充分長くとれば電−r1
′−ノ、1B +、、i )liilど略平行どなり、
対物1ノンズにお(Jる嘔向角(すそれ程大きくイfら
ず、偏向にJ−と)収Xを小さく抑えることができる3
、尚、偏向器8 /、用い/I−い場合でもIril様
な結果は得られる。この場合、走査用偏向器は6に兼ね
さμるか、第1図のJ、らな偏向]イル7を用いれば良
い。
第5図は史に他の変形で、対物レンズ内に第6図1(、
−、lTX’J如さ較り板9を設(Jたちの(” dす
る。該絞り板に4J中心部に10aの絞り孔を有覆る外
、該絞り孔10aを中心にした胃なったilit径の円
周に沿って夫々複数個の絞り孔101〕並びに100を
設()である。この内、例えば絞り孔101)は傾斜角
θが30麿どイiす、又10cは15度どイfるように
設定しておく1.而して、第5図かられかイ> J、う
にこの絞り孔を通過した電子線の、7ノを集束、偏向t
! 1./めれば、所定の方位角、傾斜角をLノえるこ
とができる。
、二の様な絞り板を用いるとθ、ψが絞り板、ワーギン
グfイスタンスなどの幾何学的形状で定」:ね、偏向器
6a 、 611による偏向の粘度はあ31、り問題に
イiら27いという効果がある。この場合、絞り板9へ
の大川ビームのi−+:r ?’Yは各絞り孔1 (、
) a 。
10b 、 10cより人きくする必要がある1、尚、
この実施例に限り、走査用偏向器は絞り板[)の−[・
7− 側1t’、、 nす;C“1Cすることが必要である、
1)1訂ill シフ、:如く本発明で9.1人1]径
ス・1物レンズを102用し、その軸外の微小領域に平
行電子ビーム4人1’J=I L! Lめ、該ビームを
該対物1ノンズIJ: 、J、、り束中、偏向1.(試
+111−に投q・1−りるJ、うに、 ’/’K L
/てル)るのC゛、人形試オ′シを全く傾斜すること+
%: l−/に任ハ方に、l角、l+¥is;+ f/
1 (観察づイ1ことが可能であり、]]っltl’1
斜機構や複数の電子光学カラムを必要とせず、従つ(、
l/’i 3i:iは筒中で安価にイ「る、、:y、l
ll1l19トの微小領1或を用いており、目つワーギ
ングデ′イスタンスを充分(こ小さく ’(、+ c\
るので各秤取%I7)影響は少・(高分解能観察が可能
である。
尚 1記(,1本発明の例示(−あり、実際に(,1種
々の変形が可能(゛ある11例えば、各実施例にJjい
τ、偏向器は静電型であ・ICも電磁型であって・し全
く;イージグえ1.1い12文、帖通俯向用の偏向器と
走査用の偏向器を曲用でることも0■能である1、更に
、1記は一次粒子線どじて電子を用いたものであるか、
該粒子線どじてイAンを用いるもの(゛もJ’Uい、こ
のV;A合、第1図の実施例におい(、電子#fi 1
がイ8− Δン銚(こ晩史される。
【図面の簡単な説明】
第1図はΔ\発明の一実施例を示り(7’f +19(
110吋i図、第2図は第1図の一部作用を説明づる図
、第3図乃至第5図は人々第1図の変形を承り図、ゐ’
i F;図(ユ第5図の一部を示4−平向図である1、
1:電子銃、2:集束しンス、3:絞り、[−B:平行
しプ゛−ム、/I:対物レンズ、5:試II、(”ii
l。 61):偏向器、7:走査用偏向−1イル。 特R′1出M1人 [:1木電子株)(゛会ネ1 代表者 加勢 忠賄 第1図 ヱ ぐ史 り (4 =ユ            慎 区 第6図

Claims (1)

  1. 【特許請求の範囲】 1、 次6ス1電粒子線発生源、該発生源からの(1?
    i電も“t r線を集束する集束レンズ、対物レンズ及
    び前記 次611電粒子線を試別1−で走査するための
    偏向手段をDaftえIC装冒においで、前記対物レン
    ズ゛ど1)(広角集束f)1を右づる人11径1ノンズ
    を使用し、この対物レンズの子方に一次荷電粒子線の軌
    道変更11.1編向器を設置し、この偏向器及び前記集
    中1ノンズを用いて前記対物レンズの所望軸外の微小領
    域IU l’ ?−i−次前電粒子線を入*I−rる如
    くなし、該対物レンズにより偏向・集束された一次荷電
    粒子線4・高107斜f(1で試料トに投q・1するこ
    とを特徴どする走査電子顕微鏡等の電子光学系。 2 前記軌道変更用の偏向器は一段である特許請求の1
    +わ間第1項に記載の走査電子顕微鏡等の電子光学系。 3、前61シ勅道弯更用の偏向器III: =一段であ
    る特8′1請求の範囲第1項に記載の走査電子顕微鏡等
    の電子光学系。 4、前記軌道変更用偏向器どは別に走合陥向手段が設(
    Jられる特許請求の範囲第1項乃至第3項のいり“れか
    に記載の走査電子W1微3* ”+q (7)宙°了>
    1’; 7系1゜F> 、 rVf記走査用偏向手段は
    対物レンズ磁場内に絹み込:Jれ(いる特許′(請求の
    範囲第1 t(H又は第5 ]p記載の走査電子顕微鏡
    等の電子光学系。 (3前記対物レンズに所望IIIIll外部に相当ン1
    ζテンイ1″ll’%、1.1に微小開口を有する絞り
    板をWQ F4し、該微小間[−1を通過しlc−次荷
    電iM了線を集中・偏向して試料トに投射り−る特許請
    求の範囲第1項記載の走査電子顕微鋳着の電子光学系。
JP57030269A 1982-02-26 1982-02-26 走査電子顕微鏡等の電子光学系 Granted JPS58147948A (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP57030269A JPS58147948A (ja) 1982-02-26 1982-02-26 走査電子顕微鏡等の電子光学系

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP57030269A JPS58147948A (ja) 1982-02-26 1982-02-26 走査電子顕微鏡等の電子光学系

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JPS58147948A true JPS58147948A (ja) 1983-09-02
JPH0234144B2 JPH0234144B2 (ja) 1990-08-01

Family

ID=12298977

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP57030269A Granted JPS58147948A (ja) 1982-02-26 1982-02-26 走査電子顕微鏡等の電子光学系

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JPS58147948A (ja)

Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE3924605A1 (de) * 1988-07-25 1990-02-01 Hitachi Ltd Rasterelektronenmikroskop
EP1045425A2 (en) * 1999-04-15 2000-10-18 ICT Integrated Circuit Testing GmbH Charged particle beam column
EP1045426A3 (en) * 1999-04-15 2002-07-03 ICT Integrated Circuit Testing GmbH Deflection unit in a charged particle beam device
US6885001B2 (en) 2000-01-25 2005-04-26 Hitachi, Ltd. Scanning electron microscope

Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS52124873A (en) * 1976-04-13 1977-10-20 Rikagaku Kenkyusho Method of deflecting charged particle beam

Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS52124873A (en) * 1976-04-13 1977-10-20 Rikagaku Kenkyusho Method of deflecting charged particle beam

Cited By (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE3924605A1 (de) * 1988-07-25 1990-02-01 Hitachi Ltd Rasterelektronenmikroskop
GB2221567A (en) * 1988-07-25 1990-02-07 Hitachi Ltd Scanning electron microscope
GB2221567B (en) * 1988-07-25 1992-11-11 Hitachi Ltd Scanning electron microscope
EP1045425A2 (en) * 1999-04-15 2000-10-18 ICT Integrated Circuit Testing GmbH Charged particle beam column
EP1045426A3 (en) * 1999-04-15 2002-07-03 ICT Integrated Circuit Testing GmbH Deflection unit in a charged particle beam device
EP1045425A3 (en) * 1999-04-15 2003-03-05 ICT Integrated Circuit Testing GmbH Charged particle beam column with chromatic aberration compensation
US6614026B1 (en) 1999-04-15 2003-09-02 Applied Materials, Inc. Charged particle beam column
US6885001B2 (en) 2000-01-25 2005-04-26 Hitachi, Ltd. Scanning electron microscope
US7075078B2 (en) 2000-01-25 2006-07-11 Hitachi, Ltd. Scanning electron microscope

Also Published As

Publication number Publication date
JPH0234144B2 (ja) 1990-08-01

Similar Documents

Publication Publication Date Title
USRE49784E1 (en) Apparatus of plural charged-particle beams
EP0966752B1 (en) Correction device for correcting the lens defects in particle-optical apparatus
EP1703538B1 (en) Charged particle beam device for high spatial resolution and multiple perspective imaging
US6218664B1 (en) SEM provided with an electrostatic objective and an electrical scanning device
US3930181A (en) Lens and deflection unit arrangement for electron beam columns
JPS63146336A (ja) 粒子線測定装置のスペクトロメータ対物レンズ
WO2016182948A1 (en) Method and system for aberration correction in electron beam system
JPH11148905A (ja) 電子ビーム検査方法及びその装置
TWI483281B (zh) 用於反射電子之方法及裝置
KR20220146593A (ko) 다수의 개별 입자 빔들을 독립적으로 포커싱하기 위한 다중극 렌즈 시퀀스를 갖는 입자 빔 시스템, 그 사용 및 관련 방법
KR102325235B1 (ko) 전자 빔 시스템에서의 수차 정정을 위한 방법 및 시스템
JPS61101944A (ja) 荷電粒子ビ−ム用集束装置
JPS58147948A (ja) 走査電子顕微鏡等の電子光学系
EP1557867B1 (en) Focussing lens for charged particle beams
US7315029B2 (en) Electrostatic deflection system with low aberrations and vertical beam incidence
US4683366A (en) All electrostatic electron optical sub-system for variable electron beam spot shaping and method of operation
US4097745A (en) High resolution matrix lens electron optical system
US6664544B1 (en) Magnetic immersion lense with detection arrangement
JPS6133254B2 (ja)
JPH0955181A (ja) 走査電子顕微鏡
JPH09260238A (ja) 荷電粒子ビーム装置
JPS59171445A (ja) 立体走査型電子顕微鏡
JPS62186451A (ja) 走査電子顕微鏡
SU760236A1 (ru) Электроннооптическая система растрового электронного микроскопа 1
JPS59119666A (ja) イオンビ−ム照射装置