JPS58147945A - 電子銃の使用方法 - Google Patents
電子銃の使用方法Info
- Publication number
- JPS58147945A JPS58147945A JP2960682A JP2960682A JPS58147945A JP S58147945 A JPS58147945 A JP S58147945A JP 2960682 A JP2960682 A JP 2960682A JP 2960682 A JP2960682 A JP 2960682A JP S58147945 A JPS58147945 A JP S58147945A
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- JP
- Japan
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- cathode
- temperature
- electron gun
- resistance
- aging
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- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/02—Details
- H01J37/04—Arrangements of electrodes and associated parts for generating or controlling the discharge, e.g. electron-optical arrangement, ion-optical arrangement
- H01J37/06—Electron sources; Electron guns
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の技術分野〕
本発明は、硼化物カソードを用いた電子銃の１更用方法
に関する。
に関する。
近年、電子ビーム描画技術の発展に伴い各種の電子銃が
開発はれているが、これらの代表的なものとしてカソー
ドを硼化物、特にランタン・ヘキサ・プライト（ＬａＢ
６）で形成した電子銃が注目されている。ＬａＢ６カソ
ードを用いた電子銃は萬輝度を得ることができるが、Ｌ
ａＢ６が高温で他の物質と反応し易いため、その加熱に
は特別な工夫が要求される。そこで、通常層状グラファ
イトに゛直接通電して加熱する方法が採用されている。
開発はれているが、これらの代表的なものとしてカソー
ドを硼化物、特にランタン・ヘキサ・プライト（ＬａＢ
６）で形成した電子銃が注目されている。ＬａＢ６カソ
ードを用いた電子銃は萬輝度を得ることができるが、Ｌ
ａＢ６が高温で他の物質と反応し易いため、その加熱に
は特別な工夫が要求される。そこで、通常層状グラファ
イトに゛直接通電して加熱する方法が採用されている。
ところで、電子ビーム描画装置に用いられる電子銃では
、装置稼動率を上げるためにカソードの長寿命化が要求
される。これは、カンードを新しいものと交換する場合
、交換後電子銃室を高真空にするまで２〜３時間を要し
、さらにカソード点火後電子銃が熱的に安定する１で約
２日もかかり、この期間は上記装置を稼動することがで
きないためである。
、装置稼動率を上げるためにカソードの長寿命化が要求
される。これは、カンードを新しいものと交換する場合
、交換後電子銃室を高真空にするまで２〜３時間を要し
、さらにカソード点火後電子銃が熱的に安定する１で約
２日もかかり、この期間は上記装置を稼動することがで
きないためである。
ＬａＢ６カソードの寿命を左右する因子には柚々あるが
、その中でもカソード温度が最も重要なものである。そ
の理由は次の（１）〜（３）に示す通電である。
、その中でもカソード温度が最も重要なものである。そ
の理由は次の（１）〜（３）に示す通電である。
（１） カソードの蒸発によシカソードの形状および
カソード・ウェネルト間距離が変わり、エミッション特
性が変化する。このエミッション特性変化はカソード温
度に対し指数函数的に早くなる。
カソード・ウェネルト間距離が変わり、エミッション特
性が変化する。このエミッション特性変化はカソード温
度に対し指数函数的に早くなる。
（２） 蒸発物がウェネルト内面に付着し、カソード
・ウェネルト間でマイクロ放電が生じる。
・ウェネルト間でマイクロ放電が生じる。
このトラブルの発生頻度はカソード温度が高いと飛躍的
に増加する。
に増加する。
（３）加熱材料である層状グラファイトとＬａ１３６と
の反応は、高温で進み、それにつれて電子放射が不安定
となる。
の反応は、高温で進み、それにつれて電子放射が不安定
となる。
このようにカソード温度を必要以上に高くすると、トラ
ブルが発生し寿命が短くなる。
ブルが発生し寿命が短くなる。
一方、レノストパターンの線幅制御や電子ビーム描画装
置の高速化等にあっては、電子銃の輝度が高い方が有利
である。輝度は、一般にカソード温度が上昇する程高く
なる１このため、できるだけ高温でカソード・を動作さ
せたψと云う要望がある。このように高輝度を得るため
の条件と長寿命化をはかるだめの条件とは相反する関係
にある。したがって、電子銃のカソード温度は、必要な
輝度が得られる範囲でできるだけ低くしなけれはならな
い。つ１９、長寿命で高輝度の特性を得るには、カソー
ド温度全最適な温度領域に保持する必要がある。
置の高速化等にあっては、電子銃の輝度が高い方が有利
である。輝度は、一般にカソード温度が上昇する程高く
なる１このため、できるだけ高温でカソード・を動作さ
せたψと云う要望がある。このように高輝度を得るため
の条件と長寿命化をはかるだめの条件とは相反する関係
にある。したがって、電子銃のカソード温度は、必要な
輝度が得られる範囲でできるだけ低くしなけれはならな
い。つ１９、長寿命で高輝度の特性を得るには、カソー
ド温度全最適な温度領域に保持する必要がある。
ところで、電子ビーム描画装置等では、電子銃が金属製
の真空容器内に取り伺けられておバカソード温度を外部
から測温することはできない。そこで従来は、電子銃の
放射性性からカソードの使用温度条件全求めていた。し
かしながら、この方法では使用温度設定に熟練を必要と
し、特性の異なる電子銃に対しては設定温度を誤まる等
の欠点がある。また、層状グラファイトの抵抗が経時的
に変化し、これに起因して設定温度が変化する等の欠点
がある。以上の理由で、従来のカソード寿命は１００〜
２０００時間の範囲にばらつき、さらにＬａ８６カソー
ドを最適温度で使用していくことは困難であった。
の真空容器内に取り伺けられておバカソード温度を外部
から測温することはできない。そこで従来は、電子銃の
放射性性からカソードの使用温度条件全求めていた。し
かしながら、この方法では使用温度設定に熟練を必要と
し、特性の異なる電子銃に対しては設定温度を誤まる等
の欠点がある。また、層状グラファイトの抵抗が経時的
に変化し、これに起因して設定温度が変化する等の欠点
がある。以上の理由で、従来のカソード寿命は１００〜
２０００時間の範囲にばらつき、さらにＬａ８６カソー
ドを最適温度で使用していくことは困難であった。
本発明の目的は、硼化物カソードを常に最適温度条件で
使用することができ、電子銃の高輝度化および長寿命化
をはかり得る電子銃の使用方法を提供することにある。
使用することができ、電子銃の高輝度化および長寿命化
をはかり得る電子銃の使用方法を提供することにある。
本発明の骨子は、硼化物カソードを用いた電子銃を使用
する前に、予めエージング処理して層状グラファイトの
抵抗の経時変化をなくすことにある。エージング処理し
たのちは１輪状グラファイトへの通′亀電流とカソード
温度との間に一定の関係が成立する。したがって、層状
グラ５− ファイトへの通電電流を設定することで、カソード温度
を制御することができる。なお、本発明者等の実験によ
れば、上記エーシング処理時の温度を１５５０ （Ｃ）
以下とした場合層状グラファイトの抵抗が安定するまで
に長時間を要し実用的でなかった。さらに、上記温度を
１６５０〔℃〕以上とした場合、硼化物カソードと層状
グラファイトとの反応が短時間で生じ、カソードの劣化
を招き好ましくなかった。
する前に、予めエージング処理して層状グラファイトの
抵抗の経時変化をなくすことにある。エージング処理し
たのちは１輪状グラファイトへの通′亀電流とカソード
温度との間に一定の関係が成立する。したがって、層状
グラ５− ファイトへの通電電流を設定することで、カソード温度
を制御することができる。なお、本発明者等の実験によ
れば、上記エーシング処理時の温度を１５５０ （Ｃ）
以下とした場合層状グラファイトの抵抗が安定するまで
に長時間を要し実用的でなかった。さらに、上記温度を
１６５０〔℃〕以上とした場合、硼化物カソードと層状
グラファイトとの反応が短時間で生じ、カソードの劣化
を招き好ましくなかった。
本発明はこのような点に増目し、硼化物カソードを用い
た電子銃を使用するに際し、予めカソードを１５５０〜
１６５０ 〔Ｃ〕の温度でエーシング処理したのち、カ
ソードの温度が最適温度となるよう層状グラファイトの
通電電流を可変制御するようにした方法である。
た電子銃を使用するに際し、予めカソードを１５５０〜
１６５０ 〔Ｃ〕の温度でエーシング処理したのち、カ
ソードの温度が最適温度となるよう層状グラファイトの
通電電流を可変制御するようにした方法である。
本発明によれば、予めエージング処理を施すことにより
層状グラファイトの抵抗の経時変化を無視できるほど小
さくすのことができる。その結果、カソード温度を長時
間最適温度に保持６− することができ、電子銃の高輝度化および長寿命化をは
かり得る。このだめ、電子ビーム描画装置の稼動率向上
をはかシ得る等の効果を奏する。
層状グラファイトの抵抗の経時変化を無視できるほど小
さくすのことができる。その結果、カソード温度を長時
間最適温度に保持６− することができ、電子銃の高輝度化および長寿命化をは
かり得る。このだめ、電子ビーム描画装置の稼動率向上
をはかシ得る等の効果を奏する。
＠１図は本発明の一実施例に係わる電子銃およびその駆
動系を示す概略構成図である。図中１はＬａ８６カソー
Ｆ”−，２は層状グラファイト、３はウェネルト電極、
４はアノードであり、これらから電子銃が構成されてい
る。層状グラファイト２は直流電源５、ＤＣ／ＡＣコン
・ぐ−夕６、絶縁トランス７およびＡＣ／ＤＣコンバー
タ８からなる高圧回路により通電されるものとなってい
る。
動系を示す概略構成図である。図中１はＬａ８６カソー
Ｆ”−，２は層状グラファイト、３はウェネルト電極、
４はアノードであり、これらから電子銃が構成されてい
る。層状グラファイト２は直流電源５、ＤＣ／ＡＣコン
・ぐ−夕６、絶縁トランス７およびＡＣ／ＤＣコンバー
タ８からなる高圧回路により通電されるものとなってい
る。
なお、図中９は上記高圧回路の１次側を流れる電流の大
きさを検出する電流計、１０は・ぐイアス抵抗、１１は
直流電源（２０ＫＶ程度）を示している。
きさを検出する電流計、１０は・ぐイアス抵抗、１１は
直流電源（２０ＫＶ程度）を示している。
さて、ＬａＢ６カソード１は層状グラファイト２に挾み
込まれて取り付けられている。Ｌａ８６ 自身は殆ん
ど金属的でその抵抗が低いので、カソード１は層状グラ
ファイト２の抵抗によるジュール熱にて昇温はれる。し
たがって、カソード１の温度を一定に保つには層状グラ
ファイト２の抵抗および通電電流を一定にしなければな
らない。しかし、通電電流は定電流源を用いることによ
り一定にできるが、層状グラファイト２の抵抗が経時的
に変化するため、通電電流を一定にしておいてもカソー
ド１の温度は経時的に変化する。第２図はカソード温度
の経時変化を示す特性図である。曲線Ｐは初期設定温度
を１５５０ （℃）とした場合であり、温ｊ建が安定し
一定値になるまで約１００時間を要した。なお、１５５
０ ［Ｃ］以下の温度では一定値になるまでさらに長時
間を要する。また、曲線Ｑは初期設定温度を１６００
［’Ｃ］とした場合であシ、この場合には１時間で一定
値に落ち着いた。カソード温度の経時変化の理由は、蒸
発したＬａＢ６が層状グラファイト２に付着し、それが
層状グラファイト２内に図中矢印方向へ拡散し、結果と
して層状グラファイト２の抵抗が低くなるためである。
込まれて取り付けられている。Ｌａ８６ 自身は殆ん
ど金属的でその抵抗が低いので、カソード１は層状グラ
ファイト２の抵抗によるジュール熱にて昇温はれる。し
たがって、カソード１の温度を一定に保つには層状グラ
ファイト２の抵抗および通電電流を一定にしなければな
らない。しかし、通電電流は定電流源を用いることによ
り一定にできるが、層状グラファイト２の抵抗が経時的
に変化するため、通電電流を一定にしておいてもカソー
ド１の温度は経時的に変化する。第２図はカソード温度
の経時変化を示す特性図である。曲線Ｐは初期設定温度
を１５５０ （℃）とした場合であり、温ｊ建が安定し
一定値になるまで約１００時間を要した。なお、１５５
０ ［Ｃ］以下の温度では一定値になるまでさらに長時
間を要する。また、曲線Ｑは初期設定温度を１６００
［’Ｃ］とした場合であシ、この場合には１時間で一定
値に落ち着いた。カソード温度の経時変化の理由は、蒸
発したＬａＢ６が層状グラファイト２に付着し、それが
層状グラファイト２内に図中矢印方向へ拡散し、結果と
して層状グラファイト２の抵抗が低くなるためである。
したがって、電子銃を実際に使用する前に予めエージン
グ処理しておくことにより、層状グラファイト２の抵抗
の経時変化を極めて小さくできる。ここで、エージング
処理時の温度を１６５０ ［０１以上とした場合、Ｌａ
Ｂ６とグラファイトとの間で反応が短時間に進み、カソ
ード１の劣化を招き好ましくない。また、エージング処
理時の温度を１５５０ ［℃］以下とした場合、１００
時間以上もの処理時間が必要となり現実的でない。した
がって、現実的な時間内でエージングを行う温度は１５
５０〜１６５０ 〔０：］が適当でおる。
グ処理しておくことにより、層状グラファイト２の抵抗
の経時変化を極めて小さくできる。ここで、エージング
処理時の温度を１６５０ ［０１以上とした場合、Ｌａ
Ｂ６とグラファイトとの間で反応が短時間に進み、カソ
ード１の劣化を招き好ましくない。また、エージング処
理時の温度を１５５０ ［℃］以下とした場合、１００
時間以上もの処理時間が必要となり現実的でない。した
がって、現実的な時間内でエージングを行う温度は１５
５０〜１６５０ 〔０：］が適当でおる。
そこで本実施例では、電子銃を実際に使用する前に、予
め１６００ （Ｃ）で１時間のニージンク処理ヲ行った
。このエーシング処理後は層状グラファイト２の抵抗の
経時変化は殆んど無視できるほど小さくなる。したがっ
て、層状グラファイト２への通電電流を適当な値に保つ
ことによシ、カソード１の温度を最適温度に、かつ長時
間安定に保持できることになる。
め１６００ （Ｃ）で１時間のニージンク処理ヲ行った
。このエーシング処理後は層状グラファイト２の抵抗の
経時変化は殆んど無視できるほど小さくなる。したがっ
て、層状グラファイト２への通電電流を適当な値に保つ
ことによシ、カソード１の温度を最適温度に、かつ長時
間安定に保持できることになる。
９−
次に、電子ビーム描画装置に取シ付けた電子銃のＬａＢ
６カソードを最適温度に設定する方法を説明する。前記
第１図において高圧回路の内部抵抗はカソード抵抗（層
状グラファイト２の抵抗）に比して無視できない大きさ
となるので、１次電流と２次電流との比は２次側の負荷
抵抗でおるカソード抵抗によって変化する。カソード抵
抗はカソードによって変わシ一定でない。
６カソードを最適温度に設定する方法を説明する。前記
第１図において高圧回路の内部抵抗はカソード抵抗（層
状グラファイト２の抵抗）に比して無視できない大きさ
となるので、１次電流と２次電流との比は２次側の負荷
抵抗でおるカソード抵抗によって変化する。カソード抵
抗はカソードによって変わシ一定でない。
したがって、まず始めに実際の装置にて高圧回路の２次
側にカソード抵抗値付近の独々の抵抗と電流計とを入れ
、１次側電流Ｉとこのときの２次側消費電力Ｗとの関係
を測定し、この測定結果を第３図（、）に示す。次に、
別の真空装置にて実際のカソード温度Ｔと消費電力と、
このときのカソード抵抗とを測定し、その測定結果（ｆ
：第３図（ｂ）に示す。ＬａＢ（、カソードの場合抵抗
加熱体にグラファイトを用いているので、第３図（ｂ）
に示すように温度上昇と共にカソード抵抗は減少する。
側にカソード抵抗値付近の独々の抵抗と電流計とを入れ
、１次側電流Ｉとこのときの２次側消費電力Ｗとの関係
を測定し、この測定結果を第３図（、）に示す。次に、
別の真空装置にて実際のカソード温度Ｔと消費電力と、
このときのカソード抵抗とを測定し、その測定結果（ｆ
：第３図（ｂ）に示す。ＬａＢ（、カソードの場合抵抗
加熱体にグラファイトを用いているので、第３図（ｂ）
に示すように温度上昇と共にカソード抵抗は減少する。
ぞして、第３図（、） （ｂ）から１次側電流Ｉとカソ
ード温度Ｔとの関係は以下のようにし−１，０− テ求メラレる。捻ず、第３図（、）のカソード抵抗ＲＩ
＋ Ｒ２＋ Ｒ３＋ Ｒ４におけるカソード温度Ｔ
とカソード電力Ｗと全同図（ｂ）より求め各々をＴＩ
＋ Ｔ２ ＋ Ｔｓ ｌＴ４およびＷｌ 、ｗ２
。
ード温度Ｔとの関係は以下のようにし−１，０− テ求メラレる。捻ず、第３図（、）のカソード抵抗ＲＩ
＋ Ｒ２＋ Ｒ３＋ Ｒ４におけるカソード温度Ｔ
とカソード電力Ｗと全同図（ｂ）より求め各々をＴＩ
＋ Ｔ２ ＋ Ｔｓ ｌＴ４およびＷｌ 、ｗ２
。
Ｒ３、Ｒ４とする。次に、第３図（−）によりＲ１゜Ｒ
２、Ｒ３、Ｒ４の各々の曲線のＷｌ 、ｗ２ 。
２、Ｒ３、Ｒ４の各々の曲線のＷｌ 、ｗ２ 。
Ｒ３、Ｒ４における１次電流をｆ１＋Ｉ２＋Ｉ３ 、Ｉ
、とすれば、１次電流ＩＩ 、’２＋Ｉ３ 、Ｉ、に
おけるカソード温度は各々Ｔ１ 。
、とすれば、１次電流ＩＩ 、’２＋Ｉ３ 、Ｉ、に
おけるカソード温度は各々Ｔ１ 。
Ｔ２ ＋ Ｔ３ ＋ Ｔ４となる。この関係をグラ
フにすると、第４図に示す如く１次″１Ｅ流に対しての
カソード温度の関係が得られ、１次電流の測定からカソ
ード温度を知ることができる。したがって、１次′直流
を適当な値に設定することにより、カソード温度を最適
温度に制御することができる。なお、ＬａＢ６カソード
１の使用温度を１５７０ 〔℃〕以上とするとトラブル
が発生し易く、１４７０〔℃〕以下では必要な輝度が得
られない。したがって、上記の方法でＬ ａ ３６カソ
ード１の使用温度を１４７０〜１５７ Ｑ ［’Ｃ］に
保持１１− すればよい。
フにすると、第４図に示す如く１次″１Ｅ流に対しての
カソード温度の関係が得られ、１次電流の測定からカソ
ード温度を知ることができる。したがって、１次′直流
を適当な値に設定することにより、カソード温度を最適
温度に制御することができる。なお、ＬａＢ６カソード
１の使用温度を１５７０ 〔℃〕以上とするとトラブル
が発生し易く、１４７０〔℃〕以下では必要な輝度が得
られない。したがって、上記の方法でＬ ａ ３６カソ
ード１の使用温度を１４７０〜１５７ Ｑ ［’Ｃ］に
保持１１− すればよい。
かくして本実施例によれば、層状グラファイト２の抵抗
の経時変化を無視できるほど小さくでき、かつカソード
温度を最適温度に設定し、その温度を長時間維持できる
ようになった。その結果、輝度Ｉ Ｘ １０６［Ａ７’
ｃｍ２ｓｒ ） （加速１−ＪＥ２０ＫＶ）−ｒｉ命１
０００〜４０００時間を達成することができた。
の経時変化を無視できるほど小さくでき、かつカソード
温度を最適温度に設定し、その温度を長時間維持できる
ようになった。その結果、輝度Ｉ Ｘ １０６［Ａ７’
ｃｍ２ｓｒ ） （加速１−ＪＥ２０ＫＶ）−ｒｉ命１
０００〜４０００時間を達成することができた。
なお、本発明は上述した実施例に限定されるものではな
く、その要旨を逸脱しない範囲で、榎々変形して実施す
ることができる。例えば、前記カソードはＬａＢ６に限
るものではなく、ＹＢ６゜ＥｕＢ６． ＨｆＢ６等の６
硼化物であればよい。また、カソード温度検出を前記高
圧回路の１次電流に基づいて行う必要はなく、例えば・
母イロメータを用いてカソード温度の検出を行うように
してもよい。
く、その要旨を逸脱しない範囲で、榎々変形して実施す
ることができる。例えば、前記カソードはＬａＢ６に限
るものではなく、ＹＢ６゜ＥｕＢ６． ＨｆＢ６等の６
硼化物であればよい。また、カソード温度検出を前記高
圧回路の１次電流に基づいて行う必要はなく、例えば・
母イロメータを用いてカソード温度の検出を行うように
してもよい。
第１図は本発明の一実施例に係わる電子銃およびその駆
動回路を示す概略構成図、第２図乃１２− 主線４図はそれぞれ上記実施例の作用を説明するだめの
もので第２図はカソード温度の経時変化を示す特性図、
第３図（、）は１次側電流と２次側電力と、の関係を示
す特性図、第３図伽）はカソード温度とカソード電力お
よびカソード抵抗の関係を示す特性図、第４図は１次側
電流とカソード温度との関係を示す特性図である。 １・・・Ｌａ８６カソード、２・・・層状グラファイト
、３・・・ウニネル電極、４・・・アノード、５・・・
直流電源、６・・・１）Ｃ／ＡＣｍｌンハ−ｐ 、７・
・・絶縁トランス、８・・・ＡＣ／ＤＣコンノぐ一タ、
９・・・’［ｆｉｔｔ、７ ｏ・・・バイアス抵抗、１
）・・・直流電源。 出願人代理人 弁理士 鈴 江 武 彦１３− 第２図 第４図 １項側で〕ん
動回路を示す概略構成図、第２図乃１２− 主線４図はそれぞれ上記実施例の作用を説明するだめの
もので第２図はカソード温度の経時変化を示す特性図、
第３図（、）は１次側電流と２次側電力と、の関係を示
す特性図、第３図伽）はカソード温度とカソード電力お
よびカソード抵抗の関係を示す特性図、第４図は１次側
電流とカソード温度との関係を示す特性図である。 １・・・Ｌａ８６カソード、２・・・層状グラファイト
、３・・・ウニネル電極、４・・・アノード、５・・・
直流電源、６・・・１）Ｃ／ＡＣｍｌンハ−ｐ 、７・
・・絶縁トランス、８・・・ＡＣ／ＤＣコンノぐ一タ、
９・・・’［ｆｉｔｔ、７ ｏ・・・バイアス抵抗、１
）・・・直流電源。 出願人代理人 弁理士 鈴 江 武 彦１３− 第２図 第４図 １項側で〕ん
Claims (3)
- （１）硼化物カソード、ウェネルト電極、アノードおよ
び通電されて上記カソードを加熱する層状グラファイト
からなる熱電子放射型の電子銃を使用するに際し、予め
前記カソードに１５５０〜１６５０ ［Ｃ］の温度でエ
ージング処理を施したのち、前記カソードの温度を検出
し、該検出温度が最適温度となるよう前記層状グラファ
イトの通電電流を可変制御することを特徴とする電子銃
の使用方法。 - （２） 前記温度検出手段は、絶縁トランスを介して
前記層状グラファイトに通電する高圧回路の１次側電流
と、使用温度における層状グラファイトの抵抗値とに基
づいて、前記カソードの温度を間接的に求めるものであ
る特許請求の範囲第１項記載の電子銃の使用方法。 - （３） 前記カッニドとして、ランタン・ヘキサ・プ
ライトを用いたことを特徴とする特許請求の範囲第１項
記載の電子銃の使用方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2960682A JPS58147945A (ja) | 1982-02-25 | 1982-02-25 | 電子銃の使用方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2960682A JPS58147945A (ja) | 1982-02-25 | 1982-02-25 | 電子銃の使用方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS58147945A true JPS58147945A (ja) | 1983-09-02 |
| JPH0419663B2 JPH0419663B2 (ja) | 1992-03-31 |
Family
ID=12280719
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2960682A Granted JPS58147945A (ja) | 1982-02-25 | 1982-02-25 | 電子銃の使用方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS58147945A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2010192808A (ja) * | 2009-02-20 | 2010-09-02 | Nuflare Technology Inc | 電子ビーム描画装置、その電子ビーム描画装置の電子銃のカソード加熱用の電力制御装置及び電力制御方法 |
Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5475647U (ja) * | 1977-11-07 | 1979-05-29 | ||
| JPS5519782A (en) * | 1978-07-31 | 1980-02-12 | Toshiba Corp | Electron gun |
| JPS5562639A (en) * | 1978-11-01 | 1980-05-12 | Denki Kagaku Kogyo Kk | Thermionic cathode device |
| JPS55114959U (ja) * | 1979-02-07 | 1980-08-13 |
-
1982
- 1982-02-25 JP JP2960682A patent/JPS58147945A/ja active Granted
Patent Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5475647U (ja) * | 1977-11-07 | 1979-05-29 | ||
| JPS5519782A (en) * | 1978-07-31 | 1980-02-12 | Toshiba Corp | Electron gun |
| JPS5562639A (en) * | 1978-11-01 | 1980-05-12 | Denki Kagaku Kogyo Kk | Thermionic cathode device |
| JPS55114959U (ja) * | 1979-02-07 | 1980-08-13 |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2010192808A (ja) * | 2009-02-20 | 2010-09-02 | Nuflare Technology Inc | 電子ビーム描画装置、その電子ビーム描画装置の電子銃のカソード加熱用の電力制御装置及び電力制御方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0419663B2 (ja) | 1992-03-31 |
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