JPS58146517A - １−ブテンの製造法 - Google Patents
１−ブテンの製造法Info
- Publication number
- JPS58146517A JPS58146517A JP57028455A JP2845582A JPS58146517A JP S58146517 A JPS58146517 A JP S58146517A JP 57028455 A JP57028455 A JP 57028455A JP 2845582 A JP2845582 A JP 2845582A JP S58146517 A JPS58146517 A JP S58146517A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- butene
- compound
- ethylene
- catalyst
- aralkyl
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
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-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02P—CLIMATE CHANGE MITIGATION TECHNOLOGIES IN THE PRODUCTION OR PROCESSING OF GOODS
- Y02P20/00—Technologies relating to chemical industry
- Y02P20/50—Improvements relating to the production of bulk chemicals
- Y02P20/52—Improvements relating to the production of bulk chemicals using catalysts, e.g. selective catalysts
Landscapes
- Catalysts (AREA)
- Organic Low-Molecular-Weight Compounds And Preparation Thereof (AREA)
- Low-Molecular Organic Synthesis Reactions Using Catalysts (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明はエチレンを接触的に三量化して１−ブテンを製
造する方法に関するものである。
造する方法に関するものである。
１−ブテンはＬ−ＬＤＰＥ、ポリブテン樹脂等の原料と
して有用である。
して有用である。
１−ブテンを合成する方法としては、各種の触媒を用い
、エチレンを接触的に反応させる方法が提供されてお抄
、ニッケル化合物を用いる方法（Ｏｒｇａｎｏｍｅｔ、
Ｃｈｅｍ＋ Ｓｙｎ、、 １ （１９７０／１９７
１ ）７７〜８６〕、コバルト化合物を用いる方法〔工
化誌７０（７）１２０２（１９６７））、有機アルミニ
ウム化合物を用いる方法（ＵＳＰ ４，２４５，１３１
）、ジルコニウム化合物を用いる方法（ＷＰ８０００−
２２４）等が知られている。これらの方法には生成ブテ
ン中の１−ブテンの割合が少い、触媒活性が低い、高分
子量のオレフィンの合成には向くがブテン等の低分子オ
レフィンを製造するにはアルミニウムに対して化学量論
的にしか生成せず不経済である２または触媒が極めて高
価で工業的には適さない等の欠点があった。
、エチレンを接触的に反応させる方法が提供されてお抄
、ニッケル化合物を用いる方法（Ｏｒｇａｎｏｍｅｔ、
Ｃｈｅｍ＋ Ｓｙｎ、、 １ （１９７０／１９７
１ ）７７〜８６〕、コバルト化合物を用いる方法〔工
化誌７０（７）１２０２（１９６７））、有機アルミニ
ウム化合物を用いる方法（ＵＳＰ ４，２４５，１３１
）、ジルコニウム化合物を用いる方法（ＷＰ８０００−
２２４）等が知られている。これらの方法には生成ブテ
ン中の１−ブテンの割合が少い、触媒活性が低い、高分
子量のオレフィンの合成には向くがブテン等の低分子オ
レフィンを製造するにはアルミニウムに対して化学量論
的にしか生成せず不経済である２または触媒が極めて高
価で工業的には適さない等の欠点があった。
これに対し、１−ブテンを高収率に製する方法としてチ
タン化合物を用いる方法、例えば、アルコキシチタン化
合物と有機アルミニウム化合物及び水素の組合せからな
る触媒を用いる方法（ｌ！ｆ！ｆ公昭３９−１２６０２
号公報）、アルコキシチタン化合物と有機アルミニウム
化合物及びホスフィンｔｉはホスファイト化合物を触媒
として用いる方法（特公、昭４９−２０８４号公報）が
提案されている０しかしながら、２−ブテンの副生等に
よ抄仕込みエチレン罠対する１−ブテンの選択率がそれ
ぞれ８０％および８５％以下でちゃ、対触媒収率はそれ
ぞれ１３．Ｏｖ ／ ｒ−Ｔｉ ／ Ｈｒおよび２５８
０ｔ ／ ｆ−’ｒｉ ／ Ｈｒ以下に過ぎない。
タン化合物を用いる方法、例えば、アルコキシチタン化
合物と有機アルミニウム化合物及び水素の組合せからな
る触媒を用いる方法（ｌ！ｆ！ｆ公昭３９−１２６０２
号公報）、アルコキシチタン化合物と有機アルミニウム
化合物及びホスフィンｔｉはホスファイト化合物を触媒
として用いる方法（特公、昭４９−２０８４号公報）が
提案されている０しかしながら、２−ブテンの副生等に
よ抄仕込みエチレン罠対する１−ブテンの選択率がそれ
ぞれ８０％および８５％以下でちゃ、対触媒収率はそれ
ぞれ１３．Ｏｖ ／ ｒ−Ｔｉ ／ Ｈｒおよび２５８
０ｔ ／ ｆ−’ｒｉ ／ Ｈｒ以下に過ぎない。
本発明者等はエチレンの接触的二量化反応の触媒につい
て探究した結果、特定のチタン化合物と特定の有機アル
ミニウム化合物との組合せ触媒が、２−ブテンの副生を
抑え、仕込みエチレンに対する１−ブテンの選択率を飛
躍的に高め、また触媒活性をも非常に高めることを見い
出し、本発明を完成するに至った。
て探究した結果、特定のチタン化合物と特定の有機アル
ミニウム化合物との組合せ触媒が、２−ブテンの副生を
抑え、仕込みエチレンに対する１−ブテンの選択率を飛
躍的に高め、また触媒活性をも非常に高めることを見い
出し、本発明を完成するに至った。
本発明はその組合せ触媒の一成分であるチタン化合物に
その特徴を有するものであり、これによ炒従来の問題点
を解決したもので、エチレンを接触的に二量化してｌ−
ブテンを製造する際罠下記（ａ）および（ｂ）よりなる
触媒を用いることを特徴とするｌ−ブテンの製造方法で
ある◎ （ａ）下記の一般式で表わされるチタン化合物Ｔｉ （
ＯＲ” ）ｎ（Ｏ８ｉＲ２３）ｉ−ｎ（Ｒ’、Ｒ２は炭
素数１〜１２のアルキル、アリール、アラールキルまた
はシクロアルキル基であり、ｎは０〜３の整数である。
その特徴を有するものであり、これによ炒従来の問題点
を解決したもので、エチレンを接触的に二量化してｌ−
ブテンを製造する際罠下記（ａ）および（ｂ）よりなる
触媒を用いることを特徴とするｌ−ブテンの製造方法で
ある◎ （ａ）下記の一般式で表わされるチタン化合物Ｔｉ （
ＯＲ” ）ｎ（Ｏ８ｉＲ２３）ｉ−ｎ（Ｒ’、Ｒ２は炭
素数１〜１２のアルキル、アリール、アラールキルまた
はシクロアルキル基であり、ｎは０〜３の整数である。
）（ｂ）下記の一般式で表わされる有機アルミニウム化
合物 ｔＲｚＸ （Ｒは炭素数１〜１２のアルキル、アリール、アラール
キルあるいはシクロアルキル基であり、ＸはＲ１水素ま
たは炭素数ｌ〜１２のアルコキシ基である。） キル基としてはメチル、エチル、プロピル、五−プロピ
ル、ブチル、ｌ−ブチル、ｔ−ブチル、ヘキシル、２−
エチルヘキシル、オクチル、テシル、ドデシル基等が挙
げられる。アリール基としては、フェニル、ａ−す７チ
ル、β−ナフチル、ビフェニル基等が挙げられる。アラ
ールキル基としては、ベンジル、フェネチル、ｒ−フェ
ニルプロピル基等が挙げられる。シクロアルキル基とし
ては、シクロヘキシル、４−メチルシクロヘキシル基等
が挙げられる。
合物 ｔＲｚＸ （Ｒは炭素数１〜１２のアルキル、アリール、アラール
キルあるいはシクロアルキル基であり、ＸはＲ１水素ま
たは炭素数ｌ〜１２のアルコキシ基である。） キル基としてはメチル、エチル、プロピル、五−プロピ
ル、ブチル、ｌ−ブチル、ｔ−ブチル、ヘキシル、２−
エチルヘキシル、オクチル、テシル、ドデシル基等が挙
げられる。アリール基としては、フェニル、ａ−す７チ
ル、β−ナフチル、ビフェニル基等が挙げられる。アラ
ールキル基としては、ベンジル、フェネチル、ｒ−フェ
ニルプロピル基等が挙げられる。シクロアルキル基とし
ては、シクロヘキシル、４−メチルシクロヘキシル基等
が挙げられる。
−−ｎが０のときの具体例としては、テトラキストリメ
チルシロキシチタン、テトラキストリエチルシロキシチ
タン、テトラキストリブチルシロキシチタン、テトラキ
ストリオクチルシロキシチタン、テトラキストリドデシ
ルシロキシチタン、テトラ纜ストリフェニルシロキシチ
タン、テトラキストリベンジルシロキシチタン、テトラ
キストリシクロへキシルシロキシチタン等が挙ケラれる
。
チルシロキシチタン、テトラキストリエチルシロキシチ
タン、テトラキストリブチルシロキシチタン、テトラキ
ストリオクチルシロキシチタン、テトラキストリドデシ
ルシロキシチタン、テトラ纜ストリフェニルシロキシチ
タン、テトラキストリベンジルシロキシチタン、テトラ
キストリシクロへキシルシロキシチタン等が挙ケラれる
。
ｎが１のときの具体例としてはメトキシトリストリメチ
ルシロキシチタン、エトキシトリストリメチルシロキシ
チタン、ブトキシトリストリメチルシロキシチタン、２
−エチルヘキソキシトリストリメチルシロキシチタン、
フェノキシトリストリメチルシロキシチタン、ベンジル
オキシトリストリメチルシロキシチタン、シクロヘキノ
キシトリストリメチルシロキシチタン、メトキシトリス
トリエチルシロキシチタン、メトキシトリストリブチル
シロキシチタン、メトキシトリストリオクチルシロキシ
チタン、メトキシトリストリフェニルシロキシチタン、
メトキシトリストリベンジルシロキシチタン、メトキシ
トリストリシクロへキシルシロキシチタン、エトキシト
リストリエチルシロキシチタン、ブトキシトリストリエ
チルシロキシチタン、２−エチルヘキソキシトリストリ
フェニルシロキシチタン等が挙げられる。
ルシロキシチタン、エトキシトリストリメチルシロキシ
チタン、ブトキシトリストリメチルシロキシチタン、２
−エチルヘキソキシトリストリメチルシロキシチタン、
フェノキシトリストリメチルシロキシチタン、ベンジル
オキシトリストリメチルシロキシチタン、シクロヘキノ
キシトリストリメチルシロキシチタン、メトキシトリス
トリエチルシロキシチタン、メトキシトリストリブチル
シロキシチタン、メトキシトリストリオクチルシロキシ
チタン、メトキシトリストリフェニルシロキシチタン、
メトキシトリストリベンジルシロキシチタン、メトキシ
トリストリシクロへキシルシロキシチタン、エトキシト
リストリエチルシロキシチタン、ブトキシトリストリエ
チルシロキシチタン、２−エチルヘキソキシトリストリ
フェニルシロキシチタン等が挙げられる。
ｎが２のときの具体例としては、ジメトキシビストリメ
チルシロキシチタン、ジェトキシビストリメチルシロキ
シチタン、ジブトキシビストリメチルシロキシチタン、
ジ（２−エチルヘキソキシ）ビストリメチルシロキクチ
タン、ジ（２−ドデシルオキシ）ビストリメチルシロキ
シチタン、ジェトキシビストリエチルシロキシチタン、
ジブトキシビストリエチルシロキシチタン、ジフェノキ
シシピストリメチルシロキシチタン、ジブトキシビスト
リフェニルシロキシチタン、ジブトキシビストリシクロ
へキシルシロキシチタン等が挙げられるＯ ｎが３のときの具体例としては、トリメトキシトリメチ
ルシロキシチタン、トリエトキシトリメチルシロキシチ
タン、トリプトキシトリメチルシロキシチタン、トリ（
２−エチルヘキソキシ）トリメチルシロキシチタン、ト
□リゾシルオキシトリメチルシロキシチタン、トリフエ
ノキシトリメチルシロキシチタン、トリベンジルオキシ
トリメチルシロキシチタン、トリシクロヘキソキシトリ
ノチルシロキシチタン、トリブトキシトリエチルシロキ
シチタン、トリ（２−エチルヘキソキシ）トリブチルシ
ーキシチタン、トリプトキシトリフェニルシロキシチタ
ン等が挙げられる。
チルシロキシチタン、ジェトキシビストリメチルシロキ
シチタン、ジブトキシビストリメチルシロキシチタン、
ジ（２−エチルヘキソキシ）ビストリメチルシロキクチ
タン、ジ（２−ドデシルオキシ）ビストリメチルシロキ
シチタン、ジェトキシビストリエチルシロキシチタン、
ジブトキシビストリエチルシロキシチタン、ジフェノキ
シシピストリメチルシロキシチタン、ジブトキシビスト
リフェニルシロキシチタン、ジブトキシビストリシクロ
へキシルシロキシチタン等が挙げられるＯ ｎが３のときの具体例としては、トリメトキシトリメチ
ルシロキシチタン、トリエトキシトリメチルシロキシチ
タン、トリプトキシトリメチルシロキシチタン、トリ（
２−エチルヘキソキシ）トリメチルシロキシチタン、ト
□リゾシルオキシトリメチルシロキシチタン、トリフエ
ノキシトリメチルシロキシチタン、トリベンジルオキシ
トリメチルシロキシチタン、トリシクロヘキソキシトリ
ノチルシロキシチタン、トリブトキシトリエチルシロキ
シチタン、トリ（２−エチルヘキソキシ）トリブチルシ
ーキシチタン、トリプトキシトリフェニルシロキシチタ
ン等が挙げられる。
（１）有機アルミニウム化合物
本発明において、用いられる有機アルミニウム化合物の
Ｒで衆わされるアルキル、アリール、アラールキルまた
はシクロアルキル基は（１）のチタン化合物の場合と同
様である。
Ｒで衆わされるアルキル、アリール、アラールキルまた
はシクロアルキル基は（１）のチタン化合物の場合と同
様である。
具体的化合物としては、例えばトリメチルアルミニウム
、トリエチルアルミニウム、トリプロピルアル２ニウム
、）！７−ｉ−７’チルアルミニウム、ジ−ミーブチル
アルミニウムヒドリド、トリヘキシルアルミニウム、ト
リオクチルアルミニウム、）リフェニルアルミニウム、
トリベンジルアルミニウム、トリシクロヘキシルアルミ
ニウム、ジエチルエトキシアルミニウム、ジブチルフェ
ノキシアルミニウム等が挙げられる。
、トリエチルアルミニウム、トリプロピルアル２ニウム
、）！７−ｉ−７’チルアルミニウム、ジ−ミーブチル
アルミニウムヒドリド、トリヘキシルアルミニウム、ト
リオクチルアルミニウム、）リフェニルアルミニウム、
トリベンジルアルミニウム、トリシクロヘキシルアルミ
ニウム、ジエチルエトキシアルミニウム、ジブチルフェ
ノキシアルミニウム等が挙げられる。
また本発明の触媒であるチタン化合物と有機アルミニウ
ム化合物の紅合せにリン、窒素またはイオウを含有する
配位性化合物を加えると更に１−ブテン生成の選択率が
向上する傾向がある。
ム化合物の紅合せにリン、窒素またはイオウを含有する
配位性化合物を加えると更に１−ブテン生成の選択率が
向上する傾向がある。
リン化合物の例としては、トリエチルホスフィン、トリ
ブチルホスフィン、トリオクチルホスフィン、トリフェ
ニルホスフィン、トリシフ四へキシルホスフィン、ビス
（１，２−ジフェニルホスフィノ）エタン、トリブチル
ホスファイト、トリフェニルホスファイト、トリブチル
ホスフェート、トリフェニルホスフェート等が挙げられ
る・窒素化合物の例としては、トリエチルアミン、トリ
ブチルアミン、トリオクチルアミン、ピリジン、トルイ
ジン、−アニリン、ジピリジル、エチレンジアミン等が
挙けられる。
ブチルホスフィン、トリオクチルホスフィン、トリフェ
ニルホスフィン、トリシフ四へキシルホスフィン、ビス
（１，２−ジフェニルホスフィノ）エタン、トリブチル
ホスファイト、トリフェニルホスファイト、トリブチル
ホスフェート、トリフェニルホスフェート等が挙げられ
る・窒素化合物の例としては、トリエチルアミン、トリ
ブチルアミン、トリオクチルアミン、ピリジン、トルイ
ジン、−アニリン、ジピリジル、エチレンジアミン等が
挙けられる。
イオウ化合物の例としては、ジメチルスルホキシド、ジ
ブチルスルホキシド、ジフェニルスルホキシド、スルホ
ラン、スルホレン等が挙げられる。
ブチルスルホキシド、ジフェニルスルホキシド、スルホ
ラン、スルホレン等が挙げられる。
本発明の方法は溶媒の存在下あるいは１−ブテンを存在
させた場合は実質的には無溶媒下に、チタン化合物と有
機アルミニウムとからなる触媒に、エチレンを接触させ
ることによって達成される。
させた場合は実質的には無溶媒下に、チタン化合物と有
機アルミニウムとからなる触媒に、エチレンを接触させ
ることによって達成される。
本発明において用いられる溶媒は、例えばペンタン、ヘ
キサン、オクタン、シフ日ヘキサン等の脂肪族、脂環族
炭化水素、ベンゼン、トルエン、キシレン等の芳香族炭
化水素、またジクロルメタン、ジクロルエタン、トリク
ロルエタン、クロルベンゼン、ブロムベンゼン等のハロ
ゲン化戻化水素等である。
キサン、オクタン、シフ日ヘキサン等の脂肪族、脂環族
炭化水素、ベンゼン、トルエン、キシレン等の芳香族炭
化水素、またジクロルメタン、ジクロルエタン、トリク
ロルエタン、クロルベンゼン、ブロムベンゼン等のハロ
ゲン化戻化水素等である。
反応温度は０〜１５０℃、好ましくは室温から８０℃の
範囲で行われる。
範囲で行われる。
また、本発明の方法は常圧でも行えるが、エチレンの加
圧下ｌ、 ｓ ｏ ＯＫｆ／ａ／ＩＧ、特に３〜５゜Ｋ
ｆ／ｃｄＧで行うのが望ましい。
圧下ｌ、 ｓ ｏ ＯＫｆ／ａ／ＩＧ、特に３〜５゜Ｋ
ｆ／ｃｄＧで行うのが望ましい。
触媒の使用量はチタン化合物がエチレン１モルに対して
０．００００１−０．１ モル、好ましくはｏ、ｏｏｏ
ｏｓ〜０．０１モルであり有機アルミニウム化合物は、
チタン化合物１モルに対して０．１〜５０モル、好まし
くは１〜２０モルである。
０．００００１−０．１ モル、好ましくはｏ、ｏｏｏ
ｏｓ〜０．０１モルであり有機アルミニウム化合物は、
チタン化合物１モルに対して０．１〜５０モル、好まし
くは１〜２０モルである。
また配位性化合物を添加する場合はチタン化合物１モル
に対して０．０１モル〜１０モル、好マシくは０．０５
〜５モル用いる。
に対して０．０１モル〜１０モル、好マシくは０．０５
〜５モル用いる。
このようＫして得られたｌ−ブテンを含有する反応生成
液中の触媒をメタノール等で分解した後、ＪＪ７圧蒸留
等により精製すると目的の１−ブテンを効率よく得るこ
とができる。また、１−ブテンより高い沸点の溶媒を用
いた場合は１−ブテンのみを蒸留により反応系から堆り
出すことが可能になるので、触媒を連続的に使用するこ
ともできる。
液中の触媒をメタノール等で分解した後、ＪＪ７圧蒸留
等により精製すると目的の１−ブテンを効率よく得るこ
とができる。また、１−ブテンより高い沸点の溶媒を用
いた場合は１−ブテンのみを蒸留により反応系から堆り
出すことが可能になるので、触媒を連続的に使用するこ
ともできる。
次に本発明を実施例を用いて詳細に説明する。
実施例１
窒素ガス置換した電磁銹導攪拌器及び抜き出しノズル付
オートクレーブ（内容積５０（１／）に、窒素ガス気流
下で、ジブトキシビストリメチルシロキシチタン（Ｔｉ
（ＯＢｕ）ｚ（Ｏ８ｉＭｅｓ）ｚ） ０．５ ｏｍｍｏ
ｔ。
オートクレーブ（内容積５０（１／）に、窒素ガス気流
下で、ジブトキシビストリメチルシロキシチタン（Ｔｉ
（ＯＢｕ）ｚ（Ｏ８ｉＭｅｓ）ｚ） ０．５ ｏｍｍｏ
ｔ。
脱水脱気したトルエン１５０−を入れ、次いでトリフェ
ニルホスフィン１．５ ｍｍｏｔ （（Ｌ３９３ ｔ
）、トリエチルアルミニウム２．２１ ｍｍｏｔ （０
，２５２ｆ ）のｌ１ｉＫ加えて密閉した。５０℃まで
昇温し、エチレンで９ Ｋｆ／ｃｄＧに加圧した＠１時
間反応させた後、オートクレーブを室温まで冷却し、ド
ライアイスメタノールで冷却したボンベを抜き出しノズ
ルに接続し内容物のうち液体部分を回収した。内−害物
の気体部分は窒素ガスそオートクレーブ内をパージしな
がらポリ弗化ビニル樹脂製袋で回収した。液体部分及び
勿体部分各々の重量、容量を測定後、ガスクロマトグラ
フィーにより、デセンまでの定會分析を行った。デセン
以上の高沸点生成物の量は、デセン以下のオリゴマーを
蒸発させた残分により把握し、ブテンからデセンまでの
生成量をこれに加えて全生成量を求めた。
ニルホスフィン１．５ ｍｍｏｔ （（Ｌ３９３ ｔ
）、トリエチルアルミニウム２．２１ ｍｍｏｔ （０
，２５２ｆ ）のｌ１ｉＫ加えて密閉した。５０℃まで
昇温し、エチレンで９ Ｋｆ／ｃｄＧに加圧した＠１時
間反応させた後、オートクレーブを室温まで冷却し、ド
ライアイスメタノールで冷却したボンベを抜き出しノズ
ルに接続し内容物のうち液体部分を回収した。内−害物
の気体部分は窒素ガスそオートクレーブ内をパージしな
がらポリ弗化ビニル樹脂製袋で回収した。液体部分及び
勿体部分各々の重量、容量を測定後、ガスクロマトグラ
フィーにより、デセンまでの定會分析を行った。デセン
以上の高沸点生成物の量は、デセン以下のオリゴマーを
蒸発させた残分により把握し、ブテンからデセンまでの
生成量をこれに加えて全生成量を求めた。
その結果、１−ブテンは７５．８ ｆ （３，１６０ｆ
／ ｆ−Ｔｉ ／ Ｈｒ ）得られ、ブテン中の１−ブ
テンの割合は１００％でめった。全生成物量は８１．９
Ｆであったので１−ブテンの選択率は９２．５％とな
った。
／ ｆ−Ｔｉ ／ Ｈｒ ）得られ、ブテン中の１−ブ
テンの割合は１００％でめった。全生成物量は８１．９
Ｆであったので１−ブテンの選択率は９２．５％とな
った。
実施例２〜９
以外は実施例１と母機に反応を行った。その結果を第１
表に示した。
表に示した。
比較例１〜２
行いその結果を第１表に示した。
（以下余白）
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 エチレンを接触的に反応させて１−ブテンを製造する際
に、下記のｒａ）および（ｂ）よりｉる触媒を用いるこ
とを特徴とする１−ブテンの製造法。 （ａ）下記の一般式で表わされるチタン化合物Ｔｉ（Ｏ
Ｒ’）ｎ（Ｏ８ｉＲ’５）４−ｎ（Ｒ”、Ｒ１は炭素数
１〜１２のアルキル、アリール、アラールキルまたはシ
クロアルキル基であり、ｎはθ〜３の整数である。）（
ｂ１下記の一般式で表わされる有機アルミニウム化合物 １ＲｚＸ （Ｒは炭素数１〜１２のアルキル、了り−ル、アラール
キルｔ＋はシクロアルキル基であり、ＸはＲ１水素また
は炭素数１〜１２のアルコキシ基である。）
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57028455A JPS58146517A (ja) | 1982-02-24 | 1982-02-24 | １−ブテンの製造法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57028455A JPS58146517A (ja) | 1982-02-24 | 1982-02-24 | １−ブテンの製造法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS58146517A true JPS58146517A (ja) | 1983-09-01 |
| JPH024209B2 JPH024209B2 (ja) | 1990-01-26 |
Family
ID=12249134
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP57028455A Granted JPS58146517A (ja) | 1982-02-24 | 1982-02-24 | １−ブテンの製造法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS58146517A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| GB2399817A (en) * | 2003-03-20 | 2004-09-29 | Epichem Ltd | Precursors for deposition of group IVB metal silicate thin films |
| JP2016026868A (ja) * | 2014-07-04 | 2016-02-18 | イエフペ エネルジ ヌヴェルＩｆｐ Ｅｎｅｒｇｉｅｓ Ｎｏｕｖｅｌｌｅｓ | 触媒組成物およびエチレンの１−ブテンへの選択的ダイマー化方法 |
| JP2016215202A (ja) * | 2010-05-18 | 2016-12-22 | イエフペ エネルジ ヌヴェルＩｆｐ Ｅｎｅｒｇｉｅｓ Ｎｏｕｖｅｌｌｅｓ | チタンをベースとする錯体と、ヘテロ原子によって官能基化されたアルコキシリガンドとを含む組成物を用いる、エチレンのブタ−１−エンへの二量体化のための方法 |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS52113903A (en) * | 1976-02-23 | 1977-09-24 | Gurozunensukii Fuiriaru Okutei | Method of dimerization of alphaaolefin |
-
1982
- 1982-02-24 JP JP57028455A patent/JPS58146517A/ja active Granted
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS52113903A (en) * | 1976-02-23 | 1977-09-24 | Gurozunensukii Fuiriaru Okutei | Method of dimerization of alphaaolefin |
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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| GB2399817A (en) * | 2003-03-20 | 2004-09-29 | Epichem Ltd | Precursors for deposition of group IVB metal silicate thin films |
| JP2016215202A (ja) * | 2010-05-18 | 2016-12-22 | イエフペ エネルジ ヌヴェルＩｆｐ Ｅｎｅｒｇｉｅｓ Ｎｏｕｖｅｌｌｅｓ | チタンをベースとする錯体と、ヘテロ原子によって官能基化されたアルコキシリガンドとを含む組成物を用いる、エチレンのブタ−１−エンへの二量体化のための方法 |
| JP2016026868A (ja) * | 2014-07-04 | 2016-02-18 | イエフペ エネルジ ヌヴェルＩｆｐ Ｅｎｅｒｇｉｅｓ Ｎｏｕｖｅｌｌｅｓ | 触媒組成物およびエチレンの１−ブテンへの選択的ダイマー化方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH024209B2 (ja) | 1990-01-26 |
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