JPS58143668A - フアクシミリ受信メモリ - Google Patents

フアクシミリ受信メモリ

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JPS58143668A
JPS58143668A JP2669982A JP2669982A JPS58143668A JP S58143668 A JPS58143668 A JP S58143668A JP 2669982 A JP2669982 A JP 2669982A JP 2669982 A JP2669982 A JP 2669982A JP S58143668 A JPS58143668 A JP S58143668A
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JP
Japan
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memory
receiving
facsimile
mask
wafer
Prior art date
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Pending
Application number
JP2669982A
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English (en)
Inventor
Tsunehisa Sukai
須貝 恒久
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Ricoh Co Ltd
Original Assignee
Ricoh Co Ltd
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Publication date
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Publication of JPS58143668A publication Critical patent/JPS58143668A/ja
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    • HELECTRICITY
    • H04ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
    • H04NPICTORIAL COMMUNICATION, e.g. TELEVISION
    • H04N1/00Scanning, transmission or reproduction of documents or the like, e.g. facsimile transmission; Details thereof
    • H04N1/024Details of scanning heads ; Means for illuminating the original
    • H04N1/032Details of scanning heads ; Means for illuminating the original for picture information reproduction
    • H04N1/036Details of scanning heads ; Means for illuminating the original for picture information reproduction for optical reproduction

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  • Multimedia (AREA)
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 本発明は、ファクシミリ受信用メモリに係り、の膜材料
の部分に第2の膜材料を前記第1の材料を照射するのに
用いたマスクあるいはその逆パターンのマスクを用いて
形成する多層化法をステ。
プ・アンド拳しピート方式を用いることによってファク
シミリ受信パターンの画素信号を記録するメモリデバイ
スに適用し、このメモリの内容を感熱記録することによ
って送信原稿を受信側に復元することを可能としたもの
である。なお、本出願人は、先に、放射線あるいは粒子
線を照射したレジスト剤によって工、チングすることに
よって溶解した第1の膜材料の部分に第2の膜材料を前
記第1の材料を照射するのに用いたマスクあるいはその
逆パターンのマスクを用いて多層化する方法及びその応
用lこついて種々提案したが、本発明は、上記多層化法
をファクシミリ受信デバイスに応用したものである。
テレビジョン技術においては画像を収録するために損傷
装置が用いられ、CODやBBDデバイスを用いて固体
化されて平面上に並んだ512×512個の画素を扱う
ことを可能としている。また、各画素に対応して光に応
答するデバイスを集積回路技術によって平面上に形成し
、これらデバイスを集積回路技術によって平面上に形成
し、これらデバイスをXYアドレス走査して読出す方法
が研究されているが、これらの技術はファクシミリにも
利用できるものである。
而して、従来の光に応答するデバイスは、半導体中に発
生するキャリアを集める電極が光の入射する方向に垂直
に配置される形になっており、キャリアをより効果的に
集めるために構造を工夫する場合、電極が光をさえ切る
こと\なる。また、画素をファクシミリにおける受信画
素に対応させたメモリデバイスに記録して受信用紙に感
熱記録などを行う場合等においては、画素が微細になり
過ぎて無駄となる。
本発明は、上述のごとき従来技術の欠点を解消するため
になされたもので、特に、エツチングすることによ2て
溶解した第1の膜材料の部分に第2の膜材料を前記第1
の材料を照射するのに用いたマスクあるいはその方式を
用いることによってファクシミリ受信パターンの画素信
号を記録するメモリデバイスに適用し、このメモリの内
容を感することを可能としたものである。
光によって電気を発生あるいは逆に電気によって光を発
生する面を作るには光学材料をエツチング技術によって
加工する。エツチングを行うにはレジスト画像を作るた
めにマスクと呼ばれる原板が必要である。マスクは写真
乾板のような働きをするもので加工目的物の10倍〜1
00倍の描き易い大きさに拡大して描いた原図から写真
を得る方法で縮小製作する。先づ、加工を行うウェハの
表面に均一な厚さにレジスト剤を塗布し、硬化させる処
理を行ったあとマスクを通して光、電子線、あるいは一
般に粒子線の照射を行う。レジスト剤は粒子線の照射に
よって特定の化学溶剤に対する溶解度が変化する材料で
ある。先づ、公知の電子ビーム描画法などによって特定
の加工デバイスのパターンに対応した窓のあるマスクを
作る。次に、粒子線ビーム転写法においてこのマスクの
窓を通り抜けた粒子線によって照射されたレジスト剤の
部分を変質する。ポジ形の現像を行う場合は変質した部
分だけが溶は去りウェハ上にレジスト剤の膜パターンを
作る。次に、ウェハを溶解する化学溶剤を用いレジスト
剤の膜の付着してないウェハの部分を取り去り目的とす
るデバイスの平面的微細構造の一部を形成する。即ち、
エツチングを行う。レジスト剤はその后取り去られる。
多層化を行うために必要な条件は上述の第1のウェハの
エツチングによって取り去られた部分をうめる形で第2
の材料を形成する処理が可能であることである。
今、エツチングの完了した第1のウェハの上に別の材料
を成長させて上記の第2のウェハを形成したとすると、
この第2ウエハの面には、第1のウェハが取り去られた
部分にくぼみが生ずる。・しかし、このくぼみ以外の第
2ウエハの部分が取り去られることとなるから支障がな
い。取り去られるまでの処理は次のように行う。第2ウ
エハ上に再びレジスト剤を塗布する。このとき第1ウエ
ハの取り去られた第2ウエハの部分に塗布されたレジス
ト剤がたまることとなる。ここで、第1のウェハに加工
するときに用いたマスクを通して第2のウェハ上のレジ
スト剤を照射する現像工程を行う。このときくぼみにた
まったレジスト剤を照射することとなるので照射時間を
多少長くする必要がある。ここでネガ形の現像を行う。
即ち、照射されず変質していない部分をエツチングし、
レジスト剤を除去する。このとき第1のウェハに用いた
マスクの逆のパターンを用い、ポジ形の現像工程を用い
る方がくぼみにたまったレジスト剤を照射する必要がな
くなるので有利である。第3のウェハを第2、第1のウ
ェハの上ζこ成長させることから第1、第2のウェハに
適用した工程をくり返すことによって第1の材料に第2
の材料をうめ込んだ構造を微細な寸法で作ることができ
る。第2の材料を導通路とすることもできる。しかし、
導通路は金属であるから、特に、この部分については上
述のマスクと同じパターンをもつ電子ビーム用マスクl
こよって電子ビームを照射しこれによって金属の蒸着を
行うことによって構成できる。
本発明は、光によって電気を発生、あるいは逆に電気に
よって光を発生する面を作る必要があり、このためには
加工デバイスのくり返し構造をウェハ上に作る必要があ
り、また、面が多少の厚さをもつ必要があることから面
を乗せる工作台の高さを微細調整する必要がある。
第1図は、ウェハ上lこマスクに画かれたパターンを転
写する方法の一例を説明するための図で、1は電子銃で
あり、これから出た電子をコンデンサレンズ系2で平行
ビームにしたあと3なるマスクを照射する。この電子の
照射は電子銃の下の静電的なブランキング板4によって
0N−OFFされる。マスク3は自己保持形の金属フォ
イルマスクであり、構成されるべき電子デバイスに従っ
て作られた窓がおいており、これらを通過した電子は投
影レンズ5.6によってウェハ7の面上lこ像を結ぶ。
この場合、コイル8により位置合せ、絞り、および調整
が行われる。1回に露光できるフィールドは311×3
B程度であり、ウェハをのせた9で示されるXYステー
ジをステップ状に移動しくり返してウェハ全面に露光す
る。このくり返し、操作によって処理できる面積は10
0 gmX 100間程度であると云われている。通常
、集積回路においては、上記のくり返し操作によって構
成された構造ごとに分割して使用するものであるが、本
発明は、このような分割を行わす上記のくり返し構成が
光によって電気を発生しあるいは電気によって光を発生
する面を構成するものであって、上記のマスクのパター
ンはこのくり返し操作によってできるデバイスが相互に
所定の連結が可能でなければならない。このような構成
法においては、通常の集積回路を量産する場合の歩止り
率では作られる面が不良である場合が多くなるため、加
工デバイスの精細度を下げることの可能な場合に用いら
れる。
本発明においては、第1図において以前の加工過程によ
って作られたウェハ7の上に新しいウェハを重ね、これ
に対して上記の方法によって加工することを可能とする
ものである。このため、第1図においてIOなる資料台
の高さを11に示す油圧機構によって微細調整すること
を可能とし複数の層からなる構造を作る。先づ、第1図
の3なるマスクを作る電子ビーム描画装置においては電
子顕微鏡から発展した電子ビームを小さい点にしぼる技
術をもとに発展させた方法を用いており、第1図の7番
こ示す資料上に粒子ビームをしぼる方法も同様の方法に
よって行われる。多層化によって資料台の上の膜材料が
厚くなった場合は、上述の方法によってビームを小さい
点にしぼるために資料台の各点の高さを平等に変える必
要があり、次のような方法を用いる。すなわち、第1図
の資料台10は12に示す油の上にある。また、10な
る資料台は9で示されるXYステージに設けられた円筒
状の穴に入った形になっており、それぞれ密に接触して
いて相互に滑って上下の運動が可能となっている。資料
台10とXYステージ9によって作られた空間に油12
が満たされると油12は資料台10とXYステージ9の
接触面に浸とつするが、油12はその粘性によって外に
あふれることがなく、11なる油圧装置から加えられる
油圧の増減にともなって資料台1θを上下動させること
ができる。
第≦図は、上述のようにして形成された光起電力を発生
あるいは光を発生するデバイスの見堆り図を示すもので
、図中の■とのなる面で区切られたPなる領域はP形半
導体、■と0なる面で区切られたnなる領域はn形半導
体である。■なる面はPn接合面でOなる方向から照射
される光の光子によって励起された電流キャリアがpn
接合で低下したポテンシャル障壁を越え拡散することに
よって電流を得る。■なる面がある程度の大きさをもつ
ためにはすでに述へた多層処理をくり返す必要がある。
即ち、第2図のデバイスの周辺はこのデバイスとは異な
る材料によってうめられており、第2図のデバイスは平
面上にくり返し配置される。これらの異なる材料の立体
的な配置のくり返し構造は上述の工、チ′ング法とステ
ップ−アント・リピート法によって構成される。この場
合、第2図のP形、n形半導体からなる部分については
、各くり返しにおいて半導体材料を気相成長させ、先づ
、その上に酸化膜の気相成長を行い、n形領斌とする部
分にレジスト膜を塗布し粒子線照射を行い、照射されな
い酸化膜をエツチングしn形の不純物拡散を行う。残っ
た酸化膜を溶解して、再び、全面に酸化膜の気相成長を
行いP影領域とする一部分に対し同様の処理を行ってP
形拡散を行う。なお、第2図において@は光が照射され
る方向で、この光によって発生する起電力はPn接合面
のに垂直に交る直線θ■の6の方向を占る。一方りの方
向からの光の照射を行う代りに■の方向に電流を通すこ
とによってのなる接合面においてのなる方向へと光を発
光し放射する。このような起電力を取出すためのおよび
発光のための電流を加えるための電極となる金属は◎お
よび0なる面に接するように成長させる。
本発明は、上述のごとき発光デバイスを形成する方法を
用いてファクシミリ受信用メモリを構成するようにした
もので、この場合、上記の発光デバイスにおいて電流キ
ャリアが消滅する場合に可視光を発生する代りに熱輻射
線が発生するような材料を用いる。このようなデバイス
を熱輻射デバイスと呼ぶこと\する。次に、この熱輻射
デバイスと熱輻射デバイスごとに形成するメモリデバイ
スについて述べる。先づ、熱輻射デバイスとなる部分の
両端を占める電極となる構造の上に絶縁物の気相成長を
行い粒子線による上述の如きポジ形のエツチングを行う
ことによって下層の熱輻射デバイス両端の電極用導体を
露出する。次に、上記絶縁物をエツチングするときに用
いたマスクを用い、上記霧出導体に電子ビームによって
金属蒸着を行い導体を成長させ、絶縁物のエツチングさ
れた部分をうめる。次に、熱輻射デバイスに接続される
メモリデバイスを作るために、これまで加工した構造物
の上部にシリコンの気相成長を行い、上記絶縁物をエツ
チングするときに用いたマスクを用いてシリコン部分の
エツチングと導体部分への電子ビームによる金属蒸着を
行うことによって集積回路デバイスを形成するに必要な
厚さのシリコン部分を形成する。なお、熱輻射デバイス
の電極につながる導体と上記集積回路との接続を行う導
体とは上記のマスクとは異なるパターンのマスクを作っ
て金属蒸着を行うことによって接続する。
第3図は、上述のごとき方法によって構成したファクシ
ミリ受信用メモリの構成を示す図で、図中、Aは熱輻射
デバイスであってBなる矢印の方向へ熱輻射を行い、C
なる感熱形の受信用紙に投射し受信画像を作る。Dは熱
輻射デバイスの電極につながる金属導体、Eは公知の不
純物を拡散する方法で構成されるメモリデバイスで、メ
モリ内容である論理値は受信ファクシミリ信号から入力
される。、DはAなる熱輻射デバイスとEなるメモリデ
バイスの出力側を接続する導体でこの導体とEなるシリ
コン部分およびFなる絶縁物を構成する方法は各層同一
マスクあるいはその逆のパターンをもつマスクを用いる
ネガ形あるいはポジ形のエツチングおよび電子ビーム蒸
着による方法で形成することによって構成する。このよ
うなメモリデバイスごとの構成を行う方法はこれらを単
位構成として一定の平面内でくり返えされ、ファクシミ
リ受信4号を構成している画像の一つの副走査線上の画
素値の系列を記録できるように各メモリデバイスを接続
することによって一つのシフトレジスタが構成されるよ
うにエツチング加工を行う。
以上の説明から明らかなように、本発明によれば、ファ
クシミリ受信において従来性われて来た可動部分による
主走査、および副走査を固定式にすることが可能であり
、環式のファクシミリなどファクシミリ端末の融通性あ
る構成を可能とする。
なお、以上に本発明をファクシミリの受信用メモリに適
用した例について説明したが、本発明による平面は、例
えば、テレビ受像機のブラウン管による画面に代って用
いることも可能であることは容易に理解できよう。
【図面の簡単な説明】
第1図は、ウェハ上にマスクに画かれたパターンを転写
する方法の一例を説明するための概略構成図、第2図は
、本発明tこ使用される発光受光デバイスの一例を説明
するための図、第3図は、本発明によるファクシミリ受
信用メモリの一例を示す構成図である。 1・・・電子銃、2・・・コンデンサレンズ系、3・・
・マスり、4・・・ブランキング板、5.6・・・投影
レンズ、7・・・ウェハ、8・・・コイル、9・・・X
Yステージ、l。 ・・・資料台、11・・・油圧機構、12・・・油、A
・・・熱輻射デバイス、B・・・熱輻射方向、C・・・
受信用紙、D・・・導体、E・・・シリコン部、F・・
・絶縁部。

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. 図形パターンを画いたマスクを通して放射線或いは電子
    線を照射したレジスト剤によって工、チングすることに
    よって溶解した第1の膜材料の部つマスクを用いて第2
    の膜材料を形成してpn接合面を構成し、該pn接合面
    と直角方向に電流を流すようにし、この電流を供給する
    メモリデバイスを前記pn接合デバイス毎けた単位構成
    I平面上に繰り返し設けたことを特徴とするファクシミ
    リ受信メモリ。
JP2669982A 1982-02-20 1982-02-20 フアクシミリ受信メモリ Pending JPS58143668A (ja)

Priority Applications (1)

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JP2669982A JPS58143668A (ja) 1982-02-20 1982-02-20 フアクシミリ受信メモリ

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JP2669982A JPS58143668A (ja) 1982-02-20 1982-02-20 フアクシミリ受信メモリ

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JPS58143668A true JPS58143668A (ja) 1983-08-26

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ID=12200629

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JP2669982A Pending JPS58143668A (ja) 1982-02-20 1982-02-20 フアクシミリ受信メモリ

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