JPS5814333B2 - 直流給電回路 - Google Patents

直流給電回路

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JPS5814333B2
JPS5814333B2 JP53020552A JP2055278A JPS5814333B2 JP S5814333 B2 JPS5814333 B2 JP S5814333B2 JP 53020552 A JP53020552 A JP 53020552A JP 2055278 A JP2055278 A JP 2055278A JP S5814333 B2 JPS5814333 B2 JP S5814333B2
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JP
Japan
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semiconductor
power supply
circuit
breaker
current
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JP53020552A
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JPS54113038A (en
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鈴木敏夫
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Mitsubishi Electric Corp
Original Assignee
Mitsubishi Electric Corp
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Publication date
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Description

【発明の詳細な説明】 本発明は半導体開閉装置を有する複数組の直流饋電回路
で構成される半導体式直流給電回路に関するものである
半導体を用いた直流開閉装置には転流回路を有し電流を
シャ断出来るもの(以下半導体シャ断器と呼ぶ)と、転
流回路を持たないでサイリスクの電流が零になったとき
ゲート信号を停止してサイリスクをターンオフさせ阻止
状態にするもの(以下半導体断路器と呼ぶ)かあるが(
以下半導体シャ断器と半導体断路器を総称して半導体開
閉装置と呼ぶ)、いずれも負荷電流は一方向にしか流す
事が出来ない。
このため例えば電鉄用直流変電所などで車両の回生制動
電力を吸収する場合、あるいは延長饋電を行なう場合な
どにけ半導体シャ断器を逆並列に接続しなければならず
饋電回路数の多い変電所では饋電回路のコストが非常に
高いものとなった。
即ち第1図の従来の装置についてさらに詳しく説明する
と、1a,1b,1cは複数組の直流饋電回路で、半導
体断略器2a,2b,2cと、これらと逆方向に並列接
続された半導体シャ断器3a,3b,3cを有しており
共通の電源回路4に接続されている。
5はカ行電力を供給するためのサイリスク整流器、6は
回生電力を吸収するためのインバータで、夫々共通電源
回路4に接続する。
この様な構成において力行時は例えば饋電回路1aの半
導体断路器2aのサイリスタ7にゲート信号を送り導通
状態にしてサイリスク整流器5からの電流を、図示され
てない負荷に供給する。
一方この負荷電流をシャ断する場合はサイリスク整流器
5のゲートシャ断を行ない負荷電流を零にすると同時に
サイリスタ7へのゲート信号を停止して、サイリスタ7
を阻止状態にする事により半導体断路器を開放状態にす
る。
かくして2aはシャ断能力のないものでよい。
一方饋電回路1aの負荷が回生状態になると、半導体シ
ャ断器3aを導通せしめ、図示されてない負荷からの回
生電力は半導体シャ断器3aを経由して、インバータ6
へ送られる。
この時回生電流をシャ断するために饋回路の半導体開閉
装置はシャ断機能を有する半導体シャ断器3aを用いな
ければならない。
この様に従来の方式では回生電力吸収を行なう場合、各
饋電回路毎に転流回路を有する半導体シャ断器が必要と
なり饋電回路数の増加と共に設備が莫大なものとなった
本発明はかかる従来装置の問題点を解決するためのもの
で、各饋電回路に共通に逆方向半導体シャ断器を設ける
事により半導体シャ断器を設ける事により半導体シャ断
器数を大巾に低減し、小形でコストの安い直流給電回路
を可能にするものである。
以下第2図,第3図に示す実施例にもとづいて本発明の
詳細を説明する。
第2図に示す本発明の一実施例において、複数組の饋電
回路1a,1b,1cはそれぞれ半導体開閉装置8a,
8b,8cで構成する。
半導体開閉装置8a,8b,8cは半導体シャ断器であ
ってもよいし、あるいは半導体断略器であってもよい。
複数組の半導体開閉装置8a,8b,8cの一方は共通
の電源回路4に接続され、負荷電流が電源側から負荷に
流れる方向(以下順方向と呼ぶ:になる様に接続する。
半導体開閉装置8a,8bt8cの負荷側の点9a,9
b,9cはダイオード10a,10b,10cを介して
、点11で共通になる様に接続する。
ダイオード10aはアノード側か点9a,カソード側が
点11の側になる様に接続する。
以下ダイオード10b,10cについても同様である。
点11は、電流シャ断能力を有する半導体シャ断器12
を介して電源回略4に接続する。
13は電源用整流器、6は回生用インバータ装置で直流
側は共に共通電源回略4に接続されている。
次に第2図の実施例において8a,8b,8cが半導体
断略器,13がサイリスタ整流器で構成される場合につ
いて動作を説明する。
カ行時は、例えば饋電回略1aの半導体開閉装置8aの
サイリスク7にゲート信号を送り導通状態[こして、整
流器13からの電流を図示されてない負荷に供給する。
また同時に他の饋電回略16の負荷が回生状態になった
ときは、回生電流は点9b−ダイオード10b一半導体
シャ断器12一半導体開閉装置8a一饋電回路1aの負
荷の経路及び点9b一ダイオード10b一半導体シャ断
器12−インバータ6の経路で流れる。
この時饋電回略1aの順方向電流をシャ断ずるときは、
整流器13のゲートシャ断により整流器13の電流を零
とすると同時に、半導体シャ断器12により回生電流を
シャ断し饋電回路1aの電流を零にする。
と同時にサイリスタTへのゲート信号を停止してサイリ
スタ7を阻止状態にする事により半導体開閉装置8aを
開放状態にする。
逆方向に接続された半導体シャ断器12は、夫々ダイオ
ード10a,10b,10cを介して、各饋電回略1a
,1b,1cに対して共通に設けられているので、半導
体シャ断器12で回生電流をシャ断する事により、いず
れの饋電回略の電流もシャ断する事が出来る。
従って複数組の饋電回路に対して逆方向の半導体シャ断
器は1組でよい事になる。
また第1図の従来方式では、インバータ6の回生能力を
フルに活用するためには各饋電回路の逆方向半導体シャ
断器3a,3b,3cは夫々インバータ最大回生可能電
流IINVに等しい通電容量を持たせなければならず、
変電所全体としては逆方向半導体シャ断器総通電容量が
3IINVとなり不経済であったが、第2図の本発明に
よれば、半導体シャ断器12の通電容量をインバータ6
の最大回生可能電流■INVに等しくしておけばインバ
ータ6の回生能力をフルに活用出来る事になるので、変
電所全体としての逆方向半導体シャ断器総通電容量は第
1図の従来方式の1/3で済み、非常に経済的である。
本発明によると饋電回路数がN個あるとき第1図の如き
従来方式にくらべ、逆方向半導体シャ断器の所要総容量
は1/Nで適むので饋電回路数が増加すると本発明の効
果はますます増大する。
次に第2図の実施例において、延長饋電を行なう場合に
ついて説明する。
今例えば図示されてない隣接変電所からの電流を饋電回
路1bに送り込み、別の饋電回路1aより、図示されて
ない負荷回路に電流を送る場合、半導体シャ断器12と
半導体開閉装置8aを導通状態にし、半導体開閉装置8
bは非導通の状態にしておく。
かくする事により隣接変電所からの電流は饋電回略1b
から流入し点9−ダイオード10b一点11一半導体シ
ャ断器12一電源回路4一半導体開閉装置8aを経由し
て饋電回路1aより負荷回路へ送り出される。
また、この延長給電電流は、同様にして半導体シャ断器
12を介して同時に饋電回路1cからも送り出す事か出
来る。
従って、延長給電々流はすべて半導体シャ断器12によ
ってシャ断出来るので半導体開閉装置8a,8aは転流
回路を持たない半導体断路器で構成する事が出来る。
第3図は本発明の他の実施例で、回生用電源回路4′と
、カ行用電源回路4を電気的に分離した場合を示してお
り、他の符号は第2図の実施例と同一である。
第3図の実施例においては電源回路4と4′が分離され
ているので半導体シャ断器12のシャ断動作の際に、半
導体シャ断器12の図示されてない転流回路電流が不要
なバイパス回路を流れてシャ断能力を低下させる事を防
止するものである。
すなわち第2図の実施例では半導体シャ断器12の主サ
イリスクを消弧させるための転流電流が、例えば半導体
シャ断器12一半導体開閉装置8c−ダイオード10c
一点11一半導体シャ断器12の閉路を流れて、半導体
シャ断器12のシャ断能力を低下させるか、第3図の実
施例ではこれを防止出来る。
しかしいずれにしても第2図,第3図の実施例共本発明
の主旨とするところの、半導体シャ断器数の低減による
小形でコストの安い直流給電回路を可能にする事には変
りはない。
【図面の簡単な説明】
第1図は従来の直流給電回路を示す回路構成図、第2図
は本発明の一実施例を示す回路構成図、第3図は本発明
の他の実施例を示す回路構成図である。 図中1a,1b,1cは饋電回路、2a,2b,2cは
半導体開閉装置、3a,3b,3cは半導体シャ断器、
4,4′は電源回路、5はサイリスタ整流器、6は回生
用インバータ、7はサイリスタ、Ba,8b,8cは半
導体開閉装置、9a,9b,9cは回路位置を示す点、
10a,10b,10cはダイオード、11は回路位置
を示す点、12は半導体シャ断器、13は整流器である
。 尚図中同一符号は同一又は相当部分を示す。

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. 1 半導体開閉装置を有する複数組の饋電回路を、共通
    の第1の電源回路に接続して成る直流給電回路において
    、前記複数組の饋電回略の出力側をダイオードを介して
    共通に接続し、前記ダイオードを介して共通に接続した
    点と、前記第1の電源回路又は、回生装置を有する第2
    の電源回路の間を半導体シャ断器を介して接続し、かつ
    前記半導体シャ断器の電流方向は、前記饋電同路の半導
    体開閉装置の電流方向と逆方向になる様に接続して構成
    した事を特徴とする直流給電回路。
JP53020552A 1978-02-23 1978-02-23 直流給電回路 Expired JPS5814333B2 (ja)

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JPS54113038A JPS54113038A (en) 1979-09-04
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JPS63111450U (ja) * 1987-01-14 1988-07-18
JPH01168439U (ja) * 1989-01-04 1989-11-28
JPH0344668Y2 (ja) * 1985-01-08 1991-09-19

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