JPS58142708A - 絶縁セラミック插入物を用いた積層バスバ−とその製造方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 本発明は、簿い電気伝導体（バスバー）に関するもので
あり、特に、伝導体の電気容鍛を増加させるだめに薄い
乎らな絶縁体陶器挿入物を絶縁体自身に組込んだ薄い伝
導体の製造法に関するものである。

上記の型の薄い伝導体は、交流・直流信号やその両用回
路を含む多種の回路の増幅器としてしばしば用いられて
おり、低い特性のインピダンスと高いキャパシタンスを
持っている。薄い層にした陶器コンデンサー分野の最近
の技術水阜は、薄い板にした伝導体に直接組入れるのに
適した極薄の金属層又は平らな陶藷絶縁体物の製造１１
丁能レベルに達している１、 イ列えは、アメリカ牛！、４’１３．７７８　、７　：
（５によると、複数の陶器層を挿入するだめに、莢状σ
〕絶縁物で包−４ｉ−１だ・対の金属伝導体の−・片の
各表面間を金属コーティングすることによって可能にす
る方法かｔ丁りされ、又、アメリカ特、）′ｌ　４　、
２３６．０４６と４，２６６．０９１（後背Ｃ゛１．１
１本！１ｔ、ｌ＋許出屑ｌ昭和５２年第２１１６８号に
相当する）によると、伝導体の両面間にサンドウィッチ
状に挾Ｉ才′する金属化された陶器ウェファ−やチップ
をｒ、’ｉ定するために電気伝導性粘着物の使用か示さ
Ｊ−＋ている。一方、アメリカ特許４　、２３６　、０
３８によると、１−記の目的に不伝導性粘着物の使用か
示されている。

本発明の最初のＩＩ的は、キャパシターチップとそれに
隣接した伝Ｊｑ体片間にどの」：うな粘着物をも使用し
ないて１．記のＪｌ；ＩＪの薄層化したバスバーを製造
する方法の供給にある。この１−１的にわいて、バーは
絶縁体の特別な層から生産される。該絶縁体は部分的に
矯１丁された合成樹脂塗装ぎわ、−・定間隔のあいた孔
に備えられる。薄い陶器キャパシター又ｄ、挿入物は、
前記の孔に配置きれ、集積物は陶器挿入物の囲りだけと
噛合うように合成樹脂の−・部がとけ流れ込み、絶縁物
と挿入物が固定されるように１５０Ｆ〜２５０Ｆで加熱
され部分的にＴｉｔ　ｉＥされる。その後、挿入物が固
定された絶縁物しＪｌ、伝導体間に配置され、バーを完
成する／ζめにプラスチック被覆物で薄層化される。

この方法で、挿入物の両面ｉＪ１、挿入物の金属化され
た而と伝導体の而との間に何んの粘着物をも介さずに伝
導体との隣接面において直接接続できる。

さて、図面を参照してみると、先ず、（４１ｋｌ・般に
絶縁ブランク又はラミネートを示している。該ラミネー
トは、一対の隔っだ側ウエフ（１１１Ｉｌｌを有し、又
、側ウエフ（４１Ｈ旬Ｖ」、平行に横に伸び／（絶縁体
片（４りによって連結されている。各絶縁体片（４４は
、以下に示す電気伝導体に組込１Ｊ′する。１：うに形
成されている。絶縁体片（ＩＡの各々ｉｔ　ｆ図の具体
例に於いては、７ミルｍｉｌの厚さである）それ白身に
複数の間隔のあいた縦に伸びた長方形の孔−を有してい
る。音孔−で固定される薄いキャパシターは、例えば、
［Ａｔ　Ｓｉ　Ｍａｇ　１２８：う１という商標でミネ
ソタ　ミニングアンドマニファクチャー　コーポレイシ
ョンがら売ら）１ているハリューム・チタナーテの化合
物のような絶縁体陶器物質からイ／［られ、以下に述べ
る／Ｊ’法で固定される。

図で示された具体例の各仲人物（様は、７〜１゜ミルの
厚さを白！７．少ｔｃ　くとも組）γに使用される前記
の絶縁Ｏｈ　Ｊ’、　（ｈ！Ｉより厚く形成されている
。

図面に於いてｉｌ、４＜さ１１ていないが、各挿入物（
１４）の両面Ｃ１、蒸発沈殿塗装ろ゛どによる金属の極
く薄い層のコーチインク當によって金属化されているか
理解されるへきである。

各フランク（州ｒａｔ、、切断や押抜形成で形成され、
その４４利Ｃ′１１、梁かいプラスチック絶縁物質（商
標名ＩＮＯＭＪ＝：Ｘｉ　　Ｅ、　Ｉ、Ｉ）ｕＰｎｎｔ
　ｄｃＮｃｍｏｕｒｓ　ａｎｄＣｏ、、　、Ｌ］ｃ、な
と）か使用される１、又、−そσ）物’Ｃ！ｆ　＆：１
ｉｉ１以って一部を合成樹脂塗装て矯＋ｌ（；７わてい
／でものである。この押出力ｆ成によって、フランク曲
に長方形の孔（４■を形成するたＧ−１てはなく、絹１
γ作業に利用される円状孔１ａｉｌを形成する。説明さ
れている具体例に於いて、音孔（４場は、縦幅（１士３
“ 約４、横幅は絶縁体Ｊ＝ｉ’　ｔ４Ｚの幅の約↓をそわ
それ有している。

押出形成作業、又は、切断作業後、各フランク（４［）
　ｉｄｌ、絶縁挿入物、又に１キヤパシター（４１）か
孔←３）に配Ｅｉされる準組１ｒ地点に送られる。挿入
物（４４）は、孔■にずつぼり嵌められるか、もし、嵌
らないときｄ−１孔□の処理が必要である。よって、孔
（４３１にウェファ−＋４４）を固定するために、少な
くとも孔（旬からウェファ−（４４）か、フランク（ａ
ｌｔ−／Ｊ）Ｔ１ｆ気伝導体の組）“１期間中に落下し
ないで人手で処理できるように、各フラウン（４０）は
、それ白身に組入′ｌ−られる挿入物（４４）と共に、
比１１つ的に低い温度処理を受ける。例えば１５０Ｆ〜
２５０７；”の範囲に維持された加熱ユニットに置かれ
たりする。

この処理は、挿入物（４１）の境界端と噛合うために溶
は流れるだめの未矯市塗装部分をフランク（４０）に作
り出す。このようにして連結したフラウン顛と挿入物（
１４）か固′／ｉ！される。挿入物（伺）と共に部分的
に矯正塗装された各準絹Ｖｌ物（４０）は、下記に述べ
る方法で最終的バーとして組立られるように手処理され
ることか可能になる。

挿入物（４４）を伴った準組立物（４０の低温処理（１
５０Ｆ〜２５０’Ｆ　）は、ブランク（４１１）の完全
合成樹脂塗装を伴わないことか注目される。それは屯に
、合成樹脂の・部か挿入物（・１１）と接触するように
？６ｊ　７１込むだけである。明らかに、準組Ａン物か
合成（１”！、１脂を囲む低温から引込められると、挿
入物（１・１）Ｃ１連合したフランクに冷えて固定され
る。取（（’　ｉＪられた挿入物（４４）と共にフラン
ク（囮をバスバーに集積するだめの「・続は、１１本の
特公昭５６−３０９２１号公報に記・ｌｉＱ　ａれてい
るとおりである。例えば、集積固定体（５０ｉ　（第２
図）と複数の金属フランク（１（θ（２０）　（３０１
を使用し、絶縁体の初めのフランク層（４０）は円状孔
（４１ｉ）にピンｔ５２）によって数句けられる。初め
のフランク層顛は、それ白身に孔（１；→や挿入物（４
４）を有していないことを除くとフランク（４（違の外
形に類似する。金属フラジｆｌ１１＋の側ウエフ（１１
）は−・番底び〕絶縁フランク層＋４（（，１にこの金
属ブランクかイ１′装置するようにビンＣｌ２）によ−
）て取ｆ−１げらｉ′＋る。挿入物（４１）を含む半製
品の準組立物３１１）の内の１つ目１挿入物（伺）か金
属フランク（１０）の側ウエフ（ＩＩ）間を伸びる１′
−右な伝導体／４’　（＋２１の中央に示される方法で
金１娼ブランク（１０）に取イ」けられる。

それ以後、第２図からもわかるように、金属フランク（
２０）は最初の絶縁フランク（州のトップに組合わされ
、それか「）２番に１の絶縁フランク（４Ｑで包址れる
。その後、金に一４フランク（、（０）は組Ｘ′／、物
］；に位置し、最終的外絶縁層（１（））で覆われる。

該絶縁フランク層ｆ４ｉｉｉＪ、底又ｄ、最初の絶縁フ
ランク層（４１ηと類似したものである。

１−記の組入′ｌ：段階か終ｒ後、前記の日本の特許公
報による手段で部分的に薄層化される。絶縁と伝導ブラ
ンクの側ウエフは外され、各伝導体の最終的薄層化が／
ｆ］４められる。この最終的薄層化段階幻、絶縁フラン
ク帰ｆ４＋［（４１１の合成樹脂塗装σ）矯１′：、を
も完ｒさせる。

第３図をみると、１．記の方法で薄層化さ、（Ｉ／へバ
スバーの−・部所面部分か示さねており、各バーの挿入
物（４４）　ｃｘ〕相対した金属化Ｉ　ＪＴ　／て８両
向か、金属伝導体（１２１ｉ塑、（３２（／’）隣接し
た向い合一）　ｌｔ−表面に、縦に−・定間隔を置いて
直接接触１７ているのか分る。例えば、中央伝導体Ｑり
かアース伝導体として使用されれば、以前σ）この型の
バスバーに比へて極端に高いキャパシタンスか隣接した
伝導体ｆ１２１　、　Ｃ（３と伝導体ｃ！りの間に得ら
Ｊ′する。川に、この例に於いて、このＭ、すσ）バス
バーかそれ自身に含塘れる陶器挿入物（旬の複数・＼の
粉砕比となる一点での屈曲に於いても、その高いキャパ
シタンスか実質的に変化しない。

第３図に示２　Ｆ＋だ具体例において、各伝導体（１カ
、（２り、Ｃ（２１ノ多神のタフ又ｉＪ、４ｉ子（Ｉ４
）、（２４）、Ｃ（４１）６測Ｊ）ショートを防ぐため
に、バーの縦に故意に段々ずらしているのかわかる。然
し乍ら、例えタフ（１４Ｉ　Ｃ＋、＋１が故意に縦にｒ
７）いに置かれたとしても、そして第１１図にあるよう
にＩＴ：、確に孔合せされたタブ（１イ）と（３４＋か
故意にｌｊ：いに接続されたとしても伝導体（２２１と
伝導体＋１２）　Ｃ（２）の間のバーのキャパシタンス
は第：３図に示しにバスバーよりも更に増大する。

第５図には、もう１つの型のバーか示されている。そこ
に示されている番号ｄ−１先の具体例で示され／ζ香号
と同様の意１床かもたノ１ている。

このバーに於いては、四番１］の金属伝導体ノ湯が４４
加されており、又、該伝導体（ハ）は、金属伝導体０渇
、（３２の一面で接触している金属化ｇ　ｆｉ　ｉこ表
面を持って複数の挿入物（個を含む絶縁体片旧によって
伝導体０２から区分されている。そして、この具体例に
於いて伝導体＋８２）　１ｑＪ−１少なくとも一方（ｄ
ｉｌから一定間隔のあいた突き出しているタフ（８４）
をイ１し、汁−）、該タブ（８４）は伝導体（１’３　
（／１タフ’　（２＋１と接続されている。タブＱ・１
）とタフ州）を連結ざゼるこの方法は、伝導体Ｏ２とＣ
１２１の相ノ１、関係にｔ、ｉいて整ｆｌｒｊされてお
り、連結された伝導体（２２と３カかアースの役割をす
るとき、連結された伝導体Ｃ２）姉に比較して各伝導体
（１２１（３３間のキャパシタンスは著しく増加する。

第３〜５図に示されたハスバーの説明に関連して、説明
［１的によって、各構成部利σ）大きさが拡大されてい
ることを説明しておく。

挿入物（４４）を含んだ絶縁体層を使用した出願者の新
しいバスバーに組込まれた配分されたキャパシタンスに
よって極端にコンパクトな信頼性の高いバスバーの生産
を可能にし、又、挿入物の両面と、伝導体との間に、い
かなる粘着物を用いる必要性も餠除している。又、絶縁
体層の陶器キャパシターや挿入物（４イ）の１１ｔや配
列の選択によって予定容ｔＫをイ１するバスバーの設計
をｎｌ’能にしている。史に、容１１　、、目１ｉにバ
ーの正確に孔あけされた飛び出した側タブ０４）、Ｃ？
４）、ｃ（４１等の接続によって必要１１つ希望の容置
に簡弔にバー製造期間中に変更することかできる。

（４ｆ）又は少なくとも蓄電要素を構成する１淘藷縁片 縁挿入物（４４）を含んだ絶縁体（４２１によって示さ
れた高置ｊ１４絶縁準組、′ｆ品ｒＪ、バスバーに組込
斗れることに気が（ＮＪかれる。例えば、第；う図でσ
属（ノヨ導体ｃ２２）がアースとして機能すると、挿入
物ｔ１４）　Ｇ。

片 含む隣接の絶縁体（４２は、隣接の伝導体＋１２と（：
３２に流わ５る電流で発生するいかなる′電子騒音をも
、１、−と過してし址う。この意味で、出願人の準組１
”ｌ物（４１又は（４２１は、ここに述べた方法で用い
られるとき文字どおりにコンデンサーとしての役割を果
す。つ捷り、コンデンサーの製造において使われる。

型組（７、晶（４υと連合された挿入物山）の重要性ｉ
１、具体例の方法によって引用され、又、この発明から
外れずに変更しつる。同様に、挿入物（４４）の外形の
変更は、説明された具体例に於いて使用された伝導体の
数と外形との変更によって＋ｉＪ能になる。例えば、第
５図で示された具体例は、金属伝導体Ｃ（２のタフ（３
４）に正しく孔を合せられ接続されたタフ（１４）によ
って製造される。それによって１つ置きの金属伝導体（
１２と金属伝導体Ｃ３２は、金属伝導体０７２１と金属
伝導体侶２とによって連絡され挾捷れる。又、該伝導体
（ハ）ｉ８邊は、それぞれのタブ２４１（ト）４）によ
って連絡される。このように、バーに於ける伝導体の数
によって希望の容量を得るために接続される金属伝導体
の接続方法は数種が存在する。

【図面の簡単な説明】

第１図は本発明に従って作られた型の薄層化のバスバー
に組込まれるように適応された絶縁物の特別な層の断片
図、第２図は本発明に従って作られたバスバーに組込ま
れるのに適応された第１図で示された型の特別な薄層化
の方法を示した集積固定体の断片１覆、第３図ｒｒＪ、
本発明の１つの具体例に従って薄層化された集積された
バスバーの側断面図、第４図は第；３図で示されたバス
バーの一部修正型の側断面図、第５図はこの型のハスバ
ーのもう１つの例の第４図にカ′（似しだ側断面図であ
る。 符号の説明 ０υｒ２υ（至）・金属ブランク、Ｏｌ）　　側ウェブ
、０３　Ｃ１７ＪＣ３３伝導体、　　　（１４１０４１
Ｃ’Ａ　・一端子又はタブ、＋４１　　絶縁ブランク（
ラミネート・型組立物）、顛・・・層（ブランク層）、
＋４１１　　佃ウェブ、（４り・・絶縁体片、　　　−
・孔、 （４４）・・挿入物（キャパシター・ウェファ＝）、（
４６１・・・円状孔、　　　　槌・・集積固定体、５ｚ
・・・ピン、　　　　　侶３・金属伝導体、紹）　タブ
又Ｕ、端子。 特許出願人　　工ルドレ　コーボネンツ　インコーポレ
ーションＦＩＧ　Ｉ ＦＩＧ　２ 手　続　補　正　　書　（自発） ＦＩＧ　　３ ＦＩＧ　４ ８　補正の内容 昭和５７年４月１４［１ １事件の表示 特願昭５７−０２５２２１号 ２、発明の名称 絶縁体陶器挿入物を用いて薄板にした 電気伝導体とその製造法 ３　補正をする者 事件との関係　特許出願人 名　称　　エルドレ　コーポネンツ　インコーポレーシ
ョン代表者　ジャック　エイ、エルドレ 国　籍　アメリカ合衆国 ４、代理人 ５、　補正命令の日付 ６、　補正により増加する発明の数 （１）　　明細書第７頁８行〜９行の０内の記載を「特
公昭５６　３０９２１号」と補正する。 以　　上

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 （１）　　高いキャパシタンスをイーする薄層パスバー
   の製造方法で、合成樹脂塗装Ｊ　ｉ’ｔだ層をイーする
   プラスチックの絶縁体物質を使用し、薄く柔らかくそわ
   白身に少ｔｒ　くとも１つ以［。の孔体 を有する絶縁片を有し、該孔にｒｌ、両表面を金属化し
   た薄いウェファ−状の絶縁体陶器挿入物か嵌められ、前
   記絶縁体片＆：′１１、−そ−［／’）一部分を前記挿
   入物の端と噛合うようにｐ、％市塗装びれ、該噛合によ
   って前記絶縁体片に関ｉ−で・般的に同一＜Ｉｇ而にあ
   る前記孔にｌ’ｌ’ｌ　ＭＬ挿大人物−・おｌＩ：いに
   絶糺さ一１ノる／こめに置き、プラスチック絶縁間）し
   フ物−１′Ｊ前記（！＜導体を薄層化１７．１’ｔｊｆ
   記挿入物の金属イＩ智Σ、１１／こ而でもって前記伝導
   体の向い合つ／（而かｌｌ′ｌ接接触する。；に方法３
   、（２）　　特許請求の範囲（１）で示さノ′１だノブ
   法で、一定片 間隔のｌ’ｌ＋に伸ひ／こ複数び）前記絶縁体を含み、
   ｉ”ｌｉｉ記絶縁体物′１°″ｆかＬ：ンｉ（７＋、備
   ざわるフランクを１ イＪし、該絶縁１１・Ｑｌ、、たフランクの２つの側方
   部分間に伸びぞ、１１自身に一定間隔のあいた複数び）
   孔をイーし、該音孔に（１１そｊｌぞｈ　＋ｆｉｊ記挿
   入物１ かＨ；ｔｉかわ、前記フランクは、目１ｊ記絶縁体に挿
   入物を固定するために部分的に矯汀−さ１１、該フラン
   クｉＪ、　ｒ？ｉｆ記の部分的に固定され／ζブランク
   と同様の外＋＋ｔをイ■する２つの金属フランク間に孔
   をＩＦシく合せて１面かれる０、っ」：））、２つの外
   絶縁被農物間に集積されたフランク４層状化し、該被覆
   物ｃ、Ｌ前記の部分的に矯＋ｌＸされたブランクと同様
   の外形をイ１し、前記フランクと被覆物の部分と孔合せ
   をすること／「＜前記絶縁体層を分離する該方法。 （３）薄層化されたバスバーで、少なくとも３つの乎ら
   な金属伝導体を有し、該各伝導体は伝導体白身の少／ｃ
   くとも一端から伸びだ複数の回路連結突出部を備え、複
   数の絶縁体層の最初の層は異った一対の前記伝導体を絶
   縁するためにその間にはさ捷れ、他の絶縁層は前記回路
   連結突出部の場所を除Ｃ・て前記伝導体の外面を薄層に
   覆い、陶諸挿入物はそれ白身が隣接している各伝導体の
   表面と直接白身の両面か接触するように前記絶縁層の最
   初の各層に組込寸れるもσ）で、最初の一対の前記伝導
   体の内の１つの少なくとも１つ息子の突出部と、１記の
   他の１つの伝導体の１つ以１−の突出部を接ｋ　３ぜる
   ツノ法で、それによってｈ２ρノの−・対の伝導体と３
   　ａ　＋−＋の伝導体間のキャパシタンスを増加させる
   バスバー。 （４）特許請求の範囲（３）で示されだ薄層化されたハ
   スバーで、絶縁体の前記のイ・１加された層に４つの薄
   層化された伝導体があり、絶縁体層の前記の最初の複数
   層によってお互いに分離され、前記の最初の一対の伝導
   体がバスバーに於いて残った伝導体に関して交ｔｊＨに
   配置されているバスバー。 （５）　　薄層化された電気バスバー・コンデンサーの
   製作に使用される絶縁体片で、薄く柔らかいプラスチッ
   クの層を有し、該層Ｑ゛［少なくとも１つの孔を備え、
   またそれ白身に部分的に矯正された合成樹脂塗装を有し
   、薄い陶ぼ：：ｒｙ）挿入物は前記孔と同し形状をし、
   それよりも僅かに小さいもので、前記挿入物を前記孔に
   固定する方法で実質的にプラスチックの［）１１記層と
   同一・平向にし、前記４１１７人物のＩ／Ｎりだけと噛
   合うように流れ込む前記合成樹脂塗装の部分を有する該
   方法を有するも、の。 （６）　　特許請求の範囲（５）で示された絶縁体片で
   、前記挿入物に１薄くウェファ−状ｒ〕層で、該層はバ
   リュウム・チタン化合物であり、その両面は金属化され
   ているもの。 （７）特ｊｉ’　Ｊｆ’ｆ求の範囲（６）で示された絶
   縁体片で、１）１１記挿入物は、それ白身が嵌められる
   プラスチックの前記層より僅かに飛び出すように、僅か
   に＋ｔｉｊ記層よりも厚くなっているもの。