JPS5814242B2 - 高性能逆浸透用薄膜 - Google Patents

Description

【発明の詳細な説明】 本発明は液状混合物の成分を選択透過分離するための逆
浸透用薄膜に関するものである。

さらに詳細には、特定の合成、有機窒素結合、芳香族重
合体から製造した逆浸透膜をアルカリ土類金属類で処理
することにより得られる高性能逆浸透用薄膜に関する。

水と食塩水を半透膜を隔てて分けた時、水が半透膜を通
って食塩水側に流れ込むという浸透現象に対して、食塩
水側に浸透圧より高い圧力を加えると、逆に食塩水側の
水だけが膜を通って移動し、食塩水側が濃縮されるとい
う現象を逆浸透現象という。

一般に、この現象を利用した逆浸透法は海水を脱塩した
り、また廃水処理や食品の濃縮に応用できる。

この方法は各種の水溶液からの水の分離において、沸騰
水から蒸気、そして冷却された水といった相変化を伴な
わない分離法であることから、エネルギーコストが低い
し、常温操作ができるので、熱変成しやすい物質の分離
には特に優れている。

また、他の分離技術に比較して装置を小型化できるなど
の利点があり、将来性のある技術である。

この分野の最近の研究は主に、実用規模の塩水（Ｂｒａ
ｃｋｉｓｈ ｗａｔｅｒ）、および海水の逆浸透脱塩用
膜の開発に向けられており、逆浸透法の技術が他の脱塩
技術（イオン交換法、蒸発法、凍結法一…）などに比較
し分離技術として経済的に優位であることが実証されつ
つある。

この実際に使用されている選択透過膜の代表的なものと
しては酢酸セルロース膜がある。

しかしこの膜も耐加水分解性、耐微生物性、耐薬品性、
機械的性質、膜寿命などの点で多くの問題がある。

この酢酸セルローズ膜の欠点である耐加水分解性、耐微
生物性、機械的性質を改善した素材として芳香族ポリア
ミド、ポリアミドヒドラジド系（米国特許 ３５６７６３２号）がある。

しかし、この素材も逆浸透膜としての選択分離性（拒否
効率）で酢酸セルローズ膜並みにすると液の透過性（流
出速度）ではるかに劣っており実用上問題である。

そこで、これら酢酸セルローズ膜および芳香族ポリアミ
ド系の欠点を補なう素材として、特開昭４８−２２３５
８、４９−４２５７９、４９−４３８７９号に提案され
たものがある。

これらの発明の特長は、液状混合物のより透過しやすい
成分に対する高流速出速度およびより透過しにくい成分
に対する高拒否率の経済的に魅力のある至適バランスを
有する膜を製造することにある。

水流出速度と塩拒否のより経済的にバランスを具備した
逆浸透膜を得るために先行技術に用いられた技術の１つ
は、予め形成された膜を予想される使途の温度より高い
温度で暴露する熱処理方法（米国特許：第３４４６３５
９号）があり、別の先行技術としては、予め形成された
膜を、該膜の選択透過性をかえる物質の水溶液に暴露す
る方法（米国特許第３３７３０５６号、特開昭４８−７
４４７８号）等が知られている。

しかるにこれらの方法は、膜の製法によって得られる膜
本来の性能（塩拒否率と流出速度）をバランスをとるだ
けで、膜性能向上の手段となっていない。

さらに、これらの先行技術の次の問題点として、流出速
度の経時変化があげられる。

流出速度は、圧力、塩濃度、温度等によって支配される
のは当然であるが、さらに圧力による膜の圧縮による低
下も重要である。

この選択透過膜の流出速度はしばしば式 であらわされるタイプのｌｏｇｌｏｇの関係により経時
的に低下する。

ここでＸは特定の適用圧力下所定の日数後の水流出速度
ｍ３／ｍ２日で表わし、Ａは１日後計算されまたは観測
された水流出速度であり、ｍは水流出速度変化係数であ
る。

この係数ｍの値は通常負であるが、この値がＯに近いこ
とが長時間運転で経済的に有用であることになる。

本発明の目的の１つは、イオン性基含有重合体膜の性能
乞一段と飛躍させること、とくに流出速度を増大させる
ことにあり、熱処理等との組合せで、膜性能のバランス
（グレード化技術）をとることにある。

本発明の別の目的は、流出速雇を増大させ、かつ水流出
速度変化係数（ｍ値）を小さくし長時間にわたり経済的
に有用な膜を提供することにある。

これらおよびその他の目的は、以下に説明しおよび例示
する本発明により達成せられる。

即ち本発明は、一般式 〔式中、 （１）ａ＋ｂ＋ｃ＋ｄ＋ｅ＋ｆ＋ｇ＋ｈ＞０であり．、
ｂ、一…ｈ，ｉ≧０である。

（２）Ｒ１、Ｒ２は４価、Ｒ３、Ｒ５は３価、Ｒ４、Ｒ
６は２価の芳香族、脂環族または５員もしくは６員環か
らなる複素環基であり、主としてＲ１、Ｒ５、Ｒ６ぱア
ミン成分または酸ヒドラジド成分に依存する基であり、
Ｒ２、Ｒ３、Ｒ４は酸成分に依存する基である。

（３）Ｙはスルホン基である。

（４ノＸ１Ｘ２はアミド基またはヒドラジド基を示す〕
で表わされる実質的に線状の芳香族の合成有機窒素結合
重合体の膜をアルカリ土類金属類で処理することによっ
て実質的に架橋膜を作成し、該膜の溶質拒否効果と水流
出速度を改善するものである。

本発明において、上記の一般式で示される反復単位を有
するポリマはその製法が限定されるものではないことは
いうまでもないが、通常芳香族あるいは脂環式アミン成
分と芳香族あるいは脂環式酸成分の付加および縮合反応
により溶媒中で攪拌することによって極めて容易に製造
されるものである。

もしアミン成分としてジアミンを、酸成分としてジカル
ボン酸誘導体を用ぃるとポリアミドが形成され、アミン
成分にヒドラジド基を使用するとポリヒドラジドが形成
される、本発明が従来の芳香族および脂環式ポリアミド
、ポリアミドヒドラジドと比較し、特に異なる点は、一
般式（１）で示したように酸成分、アミン成分にＹ＝ （ＳＯ３Ｈ）Ｐ（Ｐ＝０〜２）なるイオン性基を含有し
た点にある。

この成分の導入が、本発明の特徴と結びつくものである
。

（１）重合体の骨格 一般弐（１）で示したなかでＲＸ，Ｒ２、Ｒ３、Ｒ４、
Ｒ５、Ｒ６はそれぞれすべて同一でもよ《またそれぞれ
異なっていてもよいが、用いたアミン成分、カルボン酸
成分の骨格に依存するものであ造のへテロ環である。

ここでＺ１は芳香族基同志を直接つなぐ炭素Ｒ′ 一炭素結合、−Ｃ−（Ｒ’、Ｒ“は水素又は低級Ｒ“ −Ｓ−、−ｃ−ＮＨ−、−ＣＯ一等の芳香族核同志をつ
なぎ得るものであればいずれでもよい。

また上記フエニル基、シクロヘキサン環に低級アルキル
、アルコキシアミノ、ヒドロキシ、モノあるいはジアル
キルアミノ、アミド、ハロゲン、トリアルキルアンモニ
ウム基等が置換されていてもよい。

５員環および６員環構造のへテロ環としては、イミダゾ
ール基、イミド基、オキサジアゾール基、オキサゾール
基、トリアゾール基、チアジアゾール基、チアゾール基
、ペンゾオキサゾール基、ペンゾチアゾール基、ペンゾ
オキサジノン基、キノキサリン基の単独または組合わさ
れた基をあげることができる。

一般式（１）で示したＹはスルホン基であり、少なくと
も１ヶ存在することが必要である。

上記（１）式のＲ１、Ｒ２、Ｒ３、Ｒ５のアミン成分、
酸成分の骨格のいずれの位置（重合体主鎖のアミド、ヒ
ドラジド基に対してオルト、メタ、パラの位置）にスル
ホン基が存在していてもよい。

本発明の特長からスルホン基がアルカリ土類金属と塩形
成し架橋膜を生成するため、メタ、パラの位置にスルホ
ン基があることが好ましいと考えられるが、実質的には
オルト位にスルホン？があっても本発明の効果は同一で
ある。

次に、スルホン基の濃度であるがこれは該重合体の化学
構造、物理構造と関係することはいうまでもないが、一
般にＰｅｎｄａｎｔ Ｉｏｎｉｃ Ｖａｌｕｅ（ＰＩ値
）を次のように定義し、ＰＩ値で規定できる。

１一重合体０反復単位中０イ４′性基０総数重合体の反
復単位の分子量 こＤＰＩ値で３．５Ｘ１０−４〜ｌ．４Ｘ］０−２の範
囲にあることが好ましく、より好ましくは７Ｘ１０−４
〜５Ｘ１０−”である。

十記（１）式で示したＸ１、Ｘ２はアミド、ヒドラジド
基を意味し、全て同種、あるいは両者の混合は自由であ
り、用いた酸、アミン成分によってそれぞれ規制される
。

本発明で好ましく用いられるアシン成分としてｍ−フエ
ニレンジアミン、ｐ−フエニレンジアミン、メチルーｍ
−フエニレンジアミン、ベンジジン、メチレンビスジア
ニリン、４・４′−シアミノビフエニルエーテル、３・
３′−ジクロルジフエニルメタン、ジアニシジン、３・
３′・４−トリアミノビフエニルエーテル、３・３′・
４・４′−テトラアミノビフエニルエーテル、３・３′
−シオキシベンジジン、■・８−ナノタレンジアミン、
ｍ−（ｐ）モノメチルフエニレンジアミン、３・３′−
モノメチルアミノー４・４′−ジアミノビフエニルエー
テノへ ４・Ｎ−Ｎ’−（４−アミノベンゾイルＬ−ｐ
（ｍ）−フエニレンジアミン２・２−ビス（４−アミノ
フエルベンスイミダゾール）、２・２′−ビス（４−ア
ミノフエニルベンズオキサゾール）、２・２′−ビス（
４−アミノフエニルベンゾチアゾール）等のヘテｏ環を
有するジアミン類、またスルホン基を有スるアミン類と
して、３−スルホキシーｍ−フエニレンジアミン、メチ
レンビススルフアミン酸、３・３′−ジスルホキシベン
ジジン類のスルファミン酸類などが好ましく用いられる
。

また、ｐ（ｍ）一キシリレンジアミン、■・４−シクロ
へキシルジアミン、ピペラジン誘導体などの脂環式ジア
ミン類なども好ましく用いられる。

またアミン成分の１つであるヒドラジド系化合物として
、テレフタルヒドラジド、イソフタルヒドラジド、ｐ−
アミノフエニルヒドラジド、ｍ−アミノノエニルヒドラ
ジドなどが好ましく用いられる。

酸成分のうちジカルボン酸誘導体の例としてはイソフタ
ル酸クロライド、メチルイソフタル酸クロライド、テレ
フタル酸クロライド、メチルテレフタル酸クロライド、
ビ安息香酸クロライド、２・６および１・５および１・
４ナフタレンジカルボン酸クロライド、ジレエニルメタ
ン−４・４′−ジカルボン酸クロライド、ジフエニルエ
ーテル−４・４′−ジカルボン酸クロライド、シフエニ
ルプロパン−４・４／−ｙカルボン酸クロライドなどが
ある。

また脂環式カルボン酸として、シクロヘキサンジカルボ
ン酸類なとも用いることができる。

スルホン酸基を有するカルボン酸誘導体の例として、２
−スルホキシイソフタル酸、２−スルホキシテレフタル
酸、３−スルホキシ−２・６−ナフタレンジカルボン酸
、２・４−ジスルホキシイソ（テレ）フタル酸などの酸
無水物などが好ましく用いられる。

また、１つのモノマ中に酸成分、アミン成分を同時にも
つ化合物を共重合成分として用いることは何らさしつか
えない。

このような化合物として、ｐ−（ｍ）一アミノ安息香酸
の酸塩化物、ｐ（ｍ）−アミノ安息酸ヒドラジド、４−
アミノー２−カルポキシフエニルスルホン酸無水物等が
ある。

（２）重合体の製造 本発明の膜に用いるのに適したポリアミド、ポリアミド
ヒドラジドは、上記アミン成分とカルボン酸成分を通常
の方法により縮合させることによって達成される。

本明細書に示される膜に有用な重合体はある混水性双極
非プロトン（アブロテイツク）溶媒に可溶であるのが好
ましく、したがって容易に膜にすることができる。

前記重合体の合成に際しては好ましくは、ジメチルアセ
トアミド、ジメチルスルホキシド、Ｎ−メチルピロリド
ン、ヘキサメチルホスホルアミドおよびその混合物から
なる群から選択された溶媒が用いられるが、生成重合体
の溶解度を増加させるために５重量パーセント以下の無
機塩類（例えば塩化リチウム）、および有機塩基類（ピ
リジン、トリエチルアミン、ヘキサメチレングアニジン
等）を加えることも可能であある。

尚、前記重合体は、前記（１）式の反復単位のみからな
るものでない場合もよく、他の成分が反復単位として共
重合（ランダム、ブロック等、その共重合体の仕方には
特に限定されない）されていてもよく、また、他の重合
体がブレンドされていてもよい。

（３）処理剤 本発明にしたがって膜の逆浸透分離性を改善するのに有
効な物質として前記したようにアルカリ土類金属（Ｂｅ
，Ｍｇ，Ｃａ，Ｓｒ，Ｂａ）の塩がある。

本発明で使用する重合体は上述のようにスルホン基を有
しているので、このスルホン基の２価の金属塩として重
合体主鎖間を架橋させることによって架橋膜とすること
ができる。

この重合体が架橋したかどうかは、次の４方法によって
確認できる。

（１）膜の溶解性 前記（１）式で示した構造の重合体は製膜後も実質的に
線状ポリマであるために前記した混水性双極非プロトン
（アブロテインク）溶媒に容易に溶解するのに対してア
ルカリ土類金属類で処理した膜は上記溶媒に不溶となる
。

（１１）赤外スペクトル法 スルホン酸ｃ−ＳＯ３Ｈ）基によるスルホニル（Ｓ＝０
）吸収は１３５０Ｃｍ−１（非対称伸縮振動吸収）、１
１７２ｃｍ−１（対称伸縮振動吸収）および９０７Ｃｍ
−１に強いピークとしてあらわれるが、スルホン酸が架
橋によってスルホニルイオン（−ＳＯ３−）基に変化ス
ることによって、１３５０Ｃｍ−１は消え、１２００ｃ
ｍ−１近辺にダブレツ吸収、 １０４０Ｃｍ−１にスルホニルイオンに基づく吸収が観
察されることで明白にスルホン基の金属塩が生成してい
ることが確認できる。

（１１１）ＳＥＭ法 Ｓｃａｎｎｉｎｇ Ｅｌｅｃｔｒｏｎ Ｍｉｃｒｏｓｃ
ｏｐｙ法（ＳＥＭ法ノによって膜の断面をみると用いた
アルカリ土類金属が膜内に残存し、しかもどのように分
布しているかを容易に確認できる。

（１ｖ）元素分析法 通常の方法によって元素分析を行い、膜内にアルカリ土
類金属が含まれていることが確認できる。

本発明の架橋膜は緻密層と多孔層との２層構造をとるが
、上記の確認法によって両層とも架橋していることがわ
かる。

したがって、膜性能の流出速度（透過量）および塩拒否
率に影響を与える緻密層の膜表面の構造変化（化学的に
は金属塩形成物理的には穴構造の変化等）によって、高
流出速度の膜が得られたものと考えられる。

又、多孔層は流出速度と前記した流出速度の経時変化（
ｍ値）に重要な影響を与える部分であるが、この部分が
架橋膜となったためにｍ値が大幅に改善されたと考えら
れる。

このｍ値の向上は、膜の耐圧性向上と不可分で全体とし
て膜の耐圧性向上に結びついている。

このような架橋膜生成のためのアルカリ土類金属として
は前記したものの各種の塩を用いることができる。

例えばハロゲン化物、酸化物、水酸化物、硝酸塩、亜硝
酸塩、硫酸塩、硫酸水素塩、唾硫酸塩、亜硫酸水素塩、
炭酸塩、炭酸水素塩、リン酸塩、リン酸水素塩、酢酸塩
、シュウ酸塩、ギ酸塩、安息香酸塩、エチレンジアミン
四酢酸塩、その他の有機カルボン酸塩、有機スルホン酸
塩、塩素酸塩、過塩素酸塩、シアン化物、チオシアン酸
塩、チオ硫酸塩、過マンガン酸塩、などがあげられ、ま
たこれらのアルカリ士類金属塩を含む複塩、たとえば塩
化アンモニウム複塩、塩化カリウム複塩、硫酸アンモニ
ウム複塩、リン酸アンモニウム複塩等も使用できる。

もとよりこれに限られるものではなく、水又は後述する
処理溶媒に溶解性が認められるあらゆる形の塩を使用す
ることが可能である。

これらアルカリ士類金属塩の例としては、塩化カルシウ
ム、塩化マグネシウム、塩化ストロンチウム、塩化バリ
ウム、臭化カルシウム、臭化マグネシウへ臭化ストロン
チウム、臭化バリウム、ヨウ化カルシウム、ヨウ化マグ
ネシウム、ヨウ化ストロンチウム、ヨウ化バリウム、水
酸化カルシウム、水酸化マグネシウム、水酸化バリウム
、水酸化ストロンチウム、硝酸カルシウム、硝酸マグネ
シウム、硝酸バリウム、硝酸ストロンチウム、炭酸水素
マグネシウム、炭酸水素カルシウム、炭酸マグネシウム
、炭酸水素バリウム、炭酸カルシウム、硫酸マグネシウ
ム、硫酸水素マグネシウム、亜硫酸カルシウム、亜硫酸
水素カルシウム、亜硫酸マグネシウム、亜硫酸水素マグ
ネシウム、酸化カルシウム、酸化マグネシウム、酸化バ
リウム、酸化ストロンチウム、亜硝酸マグネシウム、亜
硝酸バリウム、リン酸マグネシウム、リン酸水素マグネ
シウム、リン酸水素バリウム、リン酸二水素カルシウム
、酢酸カルシウム、酢酸マグネシウム、酢酸ストロンチ
ウム、酢酸バリウム、シュウ酸カルシウム、シュウ酸マ
グネシウム、シュウ酸バリウム、ギ酸カルシウム、ギ酸
マグネシウム、安息香酸カルシウム、安息香酸マクネシ
ウム、ベンゼンスルホン酸マクネシウム、ベンゼンスル
ホン酸バリウム、塩素酸カルシウム、塩素酸マグネシウ
ム、塩素酸バリウム、過塩素酸カルシウム、過塩素酸マ
グネシウム、過塩素酸ストロンチウム、過塩素酸バリウ
ム、シアン化バリウム、チオシアン酸カルシウム、チオ
シアン酸マグネシウム、チオシアン酸バリウム、チオ硫
酸カルシウム、チオ硫酸ハリウム、過マンガン酸カルシ
ウム、過マンガン酸バリウム、塩化アンモニウムマグネ
シウム、硫酸アンモニウムマグネシウムなどがあるが、
これらに限定されないことはいうまでもない。

（４）処理方法 実質的に線状の（１）式で示す有機縮合体の膜は、本明
細書に記載の処理剤を有効量吸収するまで接触せしめて
処理される。

かかる接触処理は、例えば（１）キャスト工程一（２）
蒸発工程一（３）凝固工程一（４）後処理工程の４工程
からなる製膜工程において、（３）の凝固工程、（４）
の後処理工程のいずれの工程でも行い得るし、両工程で
の処理を併用することもできる。

好ましい（３）の凝固工程での処理例としては、凝固浴
中に処理剤を適度の濃度で溶解させておく方法が挙げら
れる。

また、（４）の後処理工程での処理例としては、膜を処
理剤の水溶液又は実質的に該膜を溶解しない各種処理剤
溶液中に浸漬し次に選択透過分離装置に組入れる方法、
あるいは膜を装置に組入れた後、処理剤溶液を該装置に
通過させて膜面と接触させることにより膜を該溶液に暴
露する方法がある。

本発明の効果はスルホン酸基をアルカリ十類金属類の塩
とすることによりあらわれるので、前記重合体に含有さ
れるスルホン酸基の解離をおこすことが必要で、例えば
スルホン酸基のｐｋａ以上のｐＨが必要となる。

一般にはｐＨ一４．５以上であるが、好ましくはｐＨ＝
７．０以上である。

好ましい処理技術の例としては凝固工程で膜を処理剤溶
液に暴露する方法がある。

例えば芳香族ポリアミド酸膜の有効な処理法は蒸発工程
終了後の該膜をｐＨ＝８．６の０．５％の塩化マグネシ
ウム水溶液に３０℃で６０分凝固させることによって得
られる好ましい処理溶媒は水であるが他の溶媒例えば、
水性アセトンおよびアルコールまたは水との混合系など
も使用できる。

また、処理剤溶液を大過剰に用いない時は、スルホン酸
の中和によりｐＨの低下を生じるので、炭酸ナトリウム
、炭酸水素ナトリウム、酢酸ナトリウムなどの弱塩基を
緩衝剤として併用することが行なわれる。

該処理剤溶液のｐＨが高すぎる場合、該金属が水酸化物
となり実質的に不溶となり処理が困難となるので上限が
あるが、これは金属の種類によって異なり、実験的に容
易に決定できる。

また、スルホン基を一旦、ナトリウム、カリウム塩など
の容易に置換されうる他の金属塩としたのちに、処理溶
液と接触させることにより最終的にアルカリ土類金属塩
とすることも可能である。

本発明の実施にあたり膜と接触される処理剤溶液にはご
く少量の処理剤を含有せしめてお《ことでその目的が達
成され、わずかｏ．ｏｏｉ重量パーヒン｝（１０ｐｐｍ
）含有の溶液を使用することもできる。

一方、２０重量パーセントおよびそれ以上に至るより高
濃度の溶液も使用できる。

凝固浴工程で処理する場合０．０５重量％（５００ｐｐ
ｍ）〜１０重量％含有の溶液が好ましく、浸漬法におい
ては０．５重量％〜１０重量％含有溶液が好ましい。

また、逆浸透条件下に膜を溶液に暴露する方法では０．
００１（１０ｐｐｍ）〜０．０５重量％（５００ｐｐｍ
）含有の溶液が好ましい。

勿論処理溶液中に要求される処理剤の濃度は、例えば処
理剤、膜の物理的構造および、化学的組成、膜と処理溶
液の相対的使用量およびその処理から所望される塩拒否
率および流出速度の変化などの要因に依存することにな
る。

本発明は、所望により膜への塩通過を低下させるのに十
分な時間約５０℃ないし約９５℃の温度の水または水性
混合物中で前記架橋膜を加熱する工程をも包含する。

本発明の重合体選択透過膜は、多種形態、例えば多孔性
基体上の薄コーティング、テトロンやナイロンに代表さ
れる基材への直接製膜、多孔性基体により支持された肉
薄フイルム、薄壁状中空繊維など、任意の形態をとるこ
とができる。

前記多孔性基体は、内部膜または外部膜を支持する管平
板、のりまき状などあらゆる成形体に成形できる。

尚、本明細書に用いる選択透過なる用語は液状混合物の
１種またはそれ以上の成分を優先的に透過する一方向時
に１種又はそれ以上の他の成分の透過を制止し得る能力
という通常の意味を有する。

選択透過膜の流出速度は、特定の圧力下、所定の寸法の
膜を所定時間に透過する供給物の成分量で表現するのが
便利である。

したがって生成した膜の性能を示す脱塩性能の尺度とし
て、塩拒否率（Ｒｅｊ）と水流出速度（透過量）（Ｆｌ
ｕｘ）を用いる。

透過量とは、膜面積１ｍ′あたりの１日の透過量を示し
単位（ｍ３／ｍ２日）で示す。

脱塩性能テストの条件は特別の記載がない限り標準条件
として、操作圧３０ｋｇ／ｃｍ２、供給原液濃度１５０
０ｐｐｍ、食塩水ｐＨ＝７．０、２５℃で行なう。

以下実施例をあげて本発明を説明する。

実施例中の％は特に断わらなければ重量による。

実施例 １ メタフエニレンジアミン７５モル％、２・４−ジアミノ
ベンゼンスルホン酸２５モル％の混合物と６０モル％の
塩化インフタロイルと４０モル％の塩化テレフタロイル
の混合物のそれぞれ化学量論的に等量より塩酸受容体と
してプロピレンオキサイドを用い通常の方法に従って重
合体溶液を得た。

このポリアミドの対数粘度は１１０であった。重合体中
溶液に残存するプロピレンオキサイド及びプロピレンク
ロルヒドリンを減圧にして蒸発させた後、重合体１６％
、硝酸リチウム６．５％、Ｎ−メチルピロリドン７７．
５％よりなる重合体溶液を作成した。

この溶液をガラス板上に注いで得られたフイルムを１２
０℃において２０分間乾燥した後、０２５（重歇）％の
塩化マグネシウム、０．０２（重量）％の炭酸ナトリウ
ム、および０．１０（重量）％の炭酸水素ナトリウムの
２０℃の混合水溶液に浸漬凝固した。

この膜を硫酸でｐＨ＝１に調整した水中に１５時間浸漬
した後、食塩水３５０００ｐｐｍ，操作圧７０ｋｇ／ｃ
ｍ２で逆浸透性能を測定したところ、Ｆｌｔｘ＝０．１
８ｍ３／ｍ２日、Ｒｅｊ＝９８．８％、ｍ−−０．１３
であった。

一万、上記の製膜工程において塩化マグネシウム水溶液
のかわりに３０℃の蒸留水中で凝固させた膜を上記と同
様ｐＨ＝ １で処理した後、上記と同一条件で逆浸透性
能を側定したところＦｌｕｘ一０．１３ｍ３／ｍ２日、
Ｒｅｊ＝９８．８％、ｍ−−０．２７にすぎなかった。

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 １ 一般式 〔式中 （１）ａ＋ｂ＋ｃ＋ｄ十ｅ＋ｆ十ｇ＋ｈ＞ｏおよびａ，
   ｂ，ｃ，ｄ，ｅ，ｆ，ｇ，ｈ，ｉ≧０なる関係を満足す
   る。 （２）Ｒｔ、Ｒ２は４価、Ｒ３、Ｒ５は３価、Ｒ４、Ｒ
   ６は２価の芳香族、脂環族、または５員もしくは６員環
   からなる複素環基であり、主として、Ｒ１、Ｒ５、Ｒ６
   はアミン成分または酸ヒドラジド成分に依存する基であ
   り、Ｒ２、Ｒ３、Ｒ４は酸成分に依存する基である。 （３）Ｙはスルホン酸基を示す。 （４）Ｘ１、Ｘ２はアミド基またはヒドラジド基を示す
   。 〕で表わされる反復単位を有する実質的に線状のポリマ
   なアルカリ土類金属で架橋せしめてなる高性能逆浸透用
   薄膜。