JPS58141563A - 半導体装置 - Google Patents
半導体装置Info
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- JPS58141563A JPS58141563A JP2268882A JP2268882A JPS58141563A JP S58141563 A JPS58141563 A JP S58141563A JP 2268882 A JP2268882 A JP 2268882A JP 2268882 A JP2268882 A JP 2268882A JP S58141563 A JPS58141563 A JP S58141563A
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Links
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- 239000011521 glass Substances 0.000 claims abstract description 11
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- 239000004744 fabric Substances 0.000 claims 1
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 claims 1
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L29/00—Semiconductor devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching and having potential barriers; Capacitors or resistors having potential barriers, e.g. a PN-junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/02—Semiconductor bodies ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/06—Semiconductor bodies ; Multistep manufacturing processes therefor characterised by their shape; characterised by the shapes, relative sizes, or dispositions of the semiconductor regions ; characterised by the concentration or distribution of impurities within semiconductor regions
- H01L29/0657—Semiconductor bodies ; Multistep manufacturing processes therefor characterised by their shape; characterised by the shapes, relative sizes, or dispositions of the semiconductor regions ; characterised by the concentration or distribution of impurities within semiconductor regions characterised by the shape of the body
- H01L29/0661—Semiconductor bodies ; Multistep manufacturing processes therefor characterised by their shape; characterised by the shapes, relative sizes, or dispositions of the semiconductor regions ; characterised by the concentration or distribution of impurities within semiconductor regions characterised by the shape of the body specially adapted for altering the breakdown voltage by removing semiconductor material at, or in the neighbourhood of, a reverse biased junction, e.g. by bevelling, moat etching, depletion etching
Landscapes
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
く先例の蚊術分釘〉
本発明はベベル構盾の大奄力用牛＃体表直に関する。
〈発明の技術的背型とその問題点ン
促米エリ１収のウェハにダイオード、トフンジスタ、サ
イリスタ（５ｃｉ−ｔ ）なとの素子を１１１１ＪＩ、
ベベル構遺で形成した人亀力用牛４Ｓ井表直かりる。
イリスタ（５ｃｉ−ｔ ）なとの素子を１１１１ＪＩ、
ベベル構遺で形成した人亀力用牛４Ｓ井表直かりる。
・同えはタイオードでは第１図にかす工うに不純吻孤淑
によっでＰ ＋ を輪’ｌ、Ｎ−ｊ饋２．Ｎ十ノ画３が
形成されたウェハ４にベベル溝５を開孔し、銀山した嵌
合面（ベベル＋ｍ）６に保禮涙Ｉを形成し、た横坑にな
っており、Ｐ→構盾とＮＪ＆１２との嵌合Ｊホベベル１
田６と角度（ベベル角）θをなしている、なお８はＳ
ｒ （Ｊ２１１＠である。
によっでＰ ＋ を輪’ｌ、Ｎ−ｊ饋２．Ｎ十ノ画３が
形成されたウェハ４にベベル溝５を開孔し、銀山した嵌
合面（ベベル＋ｍ）６に保禮涙Ｉを形成し、た横坑にな
っており、Ｐ→構盾とＮＪ＆１２との嵌合Ｊホベベル１
田６と角度（ベベル角）θをなしている、なお８はＳ
ｒ （Ｊ２１１＠である。
ところで上配保護腺７は従来ｉｔ’ｒ ｖ −ｉ ｉ
なとのシリコン糸側脂を僅イ１］シて形成されていたが
、近年装置の尚債租性の安水および組立てに使用してい
る七すフデン、タンクスフーンなどの尚１曲な厚板（ナ
イスクツの論１１Ｉ？Ｉ化なとがしカラス部材でル成さ
１１ていること（クラスベーション化）が何なゎれつつ
ある。とこりプＪ・ベベルｍ ５ ｒｉこれまでＡ７゜
０３、ＳｉＣ寺のψ１厚創を用いたサンドブラスト法な
とにより開孔されでおり、ベベル而らの癌にエツジ６ａ
、６ｂが立ってしまう。そのため抹１★膜１ヲＺＩＩＵ
−Ｂ２Ｏ３−Ｓ ｉ０２７ｉ ト（１）’ｊｈｌ、分
糸カラスケ木を電気体動法（グロー放屯伝り寺により構
盾」−て形成すると、エツジｂａ、６ｂのところで＋Ｂ
Ｌ／ｉ￥ｔＪｌｔプバ少なくなって保罎映Ｉが）ｉ好に
形成されず、１１圧など所期の符・曲が発揮されないこ
とがめった、〈発明の目的ン 本発明は露出させるベベル曲をカラス樹木か良好に做崩
される形状にし 正画なカラスＤＩＳ制抹峡腺を巾する
ようにした太′亀力用牛尋陣装［鉦を提供１−ることを
目的とする。
なとのシリコン糸側脂を僅イ１］シて形成されていたが
、近年装置の尚債租性の安水および組立てに使用してい
る七すフデン、タンクスフーンなどの尚１曲な厚板（ナ
イスクツの論１１Ｉ？Ｉ化なとがしカラス部材でル成さ
１１ていること（クラスベーション化）が何なゎれつつ
ある。とこりプＪ・ベベルｍ ５ ｒｉこれまでＡ７゜
０３、ＳｉＣ寺のψ１厚創を用いたサンドブラスト法な
とにより開孔されでおり、ベベル而らの癌にエツジ６ａ
、６ｂが立ってしまう。そのため抹１★膜１ヲＺＩＩＵ
−Ｂ２Ｏ３−Ｓ ｉ０２７ｉ ト（１）’ｊｈｌ、分
糸カラスケ木を電気体動法（グロー放屯伝り寺により構
盾」−て形成すると、エツジｂａ、６ｂのところで＋Ｂ
Ｌ／ｉ￥ｔＪｌｔプバ少なくなって保罎映Ｉが）ｉ好に
形成されず、１１圧など所期の符・曲が発揮されないこ
とがめった、〈発明の目的ン 本発明は露出させるベベル曲をカラス樹木か良好に做崩
される形状にし 正画なカラスＤＩＳ制抹峡腺を巾する
ようにした太′亀力用牛尋陣装［鉦を提供１−ることを
目的とする。
（発明の概俄ン
本発明はフウンドベベル法等によりベヘルイ再を形成し
てベベル而を球面状に蕗田させることを％偵とする。
てベベル而を球面状に蕗田させることを％偵とする。
く発明の実施列〉
本発明の人′屯刀用牛４体装置はνりえはタイオードを
？１にとってｄ発明すると、第２図に円くすように・
ｐ＋、曽９・ ｆ′Ｉ−増１０、 Ｎ＋ノー１１か形１
ｈｌｃされたウェハ１〕にベベル屑１３が開孔され゛Ｃ
球１川仏のベベルｍ１４が臓出されている。・そして該
ベヘル■１４およびウェハ１２の３ ｉ （Ｊ２）反１
５かＪし取されていない衣１’ｌｆｌ １ ｔｉをカラ
ス郡＠株ｉ★フ保’ｌ ／がｉっており、Ｐ＋ｒ＠ｓと
ｌＮ −’ Ｊ＠ １ （ｊ （’： （／Ｊ ｉｋ
８Ｊを抹諌し１．ｗ＋１１Ｑ寸圧を南するようになって
いる。
？１にとってｄ発明すると、第２図に円くすように・
ｐ＋、曽９・ ｆ′Ｉ−増１０、 Ｎ＋ノー１１か形１
ｈｌｃされたウェハ１〕にベベル屑１３が開孔され゛Ｃ
球１川仏のベベルｍ１４が臓出されている。・そして該
ベヘル■１４およびウェハ１２の３ ｉ （Ｊ２）反１
５かＪし取されていない衣１’ｌｆｌ １ ｔｉをカラ
ス郡＠株ｉ★フ保’ｌ ／がｉっており、Ｐ＋ｒ＠ｓと
ｌＮ −’ Ｊ＠ １ （ｊ （’： （／Ｊ ｉｋ
８Ｊを抹諌し１．ｗ＋１１Ｑ寸圧を南するようになって
いる。
３−
このように嵌合Ｊを廊出するベベル曲１４の形１入を球
面状にしてベベル…＋１４の端１４ａ、１４ｂにエツジ
が立たないようにしているので、屯気亦動法寺により板
氷されゐカラス樹木は１４ａ、１４ｂｐｃも］−＜値崩
できカラス部Ｉ保護腺１７を良好なものとすることがで
きる。
面状にしてベベル…＋１４の端１４ａ、１４ｂにエツジ
が立たないようにしているので、屯気亦動法寺により板
氷されゐカラス樹木は１４ａ、１４ｂｐｃも］−＜値崩
できカラス部Ｉ保護腺１７を良好なものとすることがで
きる。
仄に上り己タイオードの製法について述べると、１す体
数処理が何なわれ、ＣＶＩ）法および黙ば化法により５
１０２ ＩＳ １ ｋｌが形成されたウエノ・１Ｂ（第
３図（イ）ノに、ラウンドベベルゐ等によりベベル＠２
ｕを開孔し、てベベル出１２１を体間状に露出ず４）（
同図（、ｆｆｌ〕。仄いてルー、夕（体動法等によりＺ
＋１０−Ｂ１０．−５ｉ（Ｊ２などの多成分系カラス
樹木を５１０２１反１ｄをマスクとし１ベベル曲２１お
↓びウェハ１９の５ｉ（Ｊ２腺１８の勲い曲２］に退択
的Ｋｌ虐させ、その恢酸化性雰囲気中でカラス樹木のｈ
旧成に↓る１生業ｏＡ度（ｌｙｌ」えｔよ７００’Ｃ）
で焼結させて力、、１ ラス都刷保護腹２３を形成する（同図（ハ）フ。その佐
′屯帽を取１ｊれは１ソ、ｔＬ ／１１糸子のベヘル栴
遺太屯力用タイオードが１；１られる。
数処理が何なわれ、ＣＶＩ）法および黙ば化法により５
１０２ ＩＳ １ ｋｌが形成されたウエノ・１Ｂ（第
３図（イ）ノに、ラウンドベベルゐ等によりベベル＠２
ｕを開孔し、てベベル出１２１を体間状に露出ず４）（
同図（、ｆｆｌ〕。仄いてルー、夕（体動法等によりＺ
＋１０−Ｂ１０．−５ｉ（Ｊ２などの多成分系カラス
樹木を５１０２１反１ｄをマスクとし１ベベル曲２１お
↓びウェハ１９の５ｉ（Ｊ２腺１８の勲い曲２］に退択
的Ｋｌ虐させ、その恢酸化性雰囲気中でカラス樹木のｈ
旧成に↓る１生業ｏＡ度（ｌｙｌ」えｔよ７００’Ｃ）
で焼結させて力、、１ ラス都刷保護腹２３を形成する（同図（ハ）フ。その佐
′屯帽を取１ｊれは１ソ、ｔＬ ／１１糸子のベヘル栴
遺太屯力用タイオードが１；１られる。
４−
第４図は上記のようにして＃しれる本発明のタイオード
（第３図（ハ））と使米のダイオード（第１図）におけ
る谷部のガラス粉末の値方値ｔをベベル角０に対してプ
ロットしたものである。この図かりも判るように第３図
虻・）のものでｒＪベベル月θを増してもガラス粉末の
扱腐掘は図のＡ′、ｂｌ 、 ｅ／。
（第３図（ハ））と使米のダイオード（第１図）におけ
る谷部のガラス粉末の値方値ｔをベベル角０に対してプ
ロットしたものである。この図かりも判るように第３図
虻・）のものでｒＪベベル月θを増してもガラス粉末の
扱腐掘は図のＡ′、ｂｌ 、 ｅ／。
Ｄ′の谷部で一足しておりかつ多く、これを焼結して侍
られるガラス一部材保戯腺２３を勺する本発明のタイオ
ードは劇圧符憔等に優れたものとなる。
られるガラス一部材保戯腺２３を勺する本発明のタイオ
ードは劇圧符憔等に優れたものとなる。
以上の実施例ではダイオードを例に採って祝明したが、
本発明の半尋体装Ｗｖまこれに限られるものではなく、
１ウエハ１糸子の太屯刀用の半＃―装置に均しく適用で
きる、 〈発明の効果〉 本発明の牛導俸装置では、ベベル■を球面状にすること
によってガラス粉末の板層を良好にしガラスＳ＠保賎腺
を正常に形成しているので、１１１１（圧等糸子特性の
後れたものとなる。
本発明の半尋体装Ｗｖまこれに限られるものではなく、
１ウエハ１糸子の太屯刀用の半＃―装置に均しく適用で
きる、 〈発明の効果〉 本発明の牛導俸装置では、ベベル■を球面状にすること
によってガラス粉末の板層を良好にしガラスＳ＠保賎腺
を正常に形成しているので、１１１１（圧等糸子特性の
後れたものとなる。
４．１向の量率な直間
第１図は従来の太′−力用ダイオードの餌ｌ田凶、第２
図は本発明の大電力用ダイオードの閘面図、第３図（イ
）〜（ハ）は弔２図のダイオードの製造法をボす読明図
、第４図はベベル角θとカラス伺着ｉｔの関係を不すグ
ラフでおる。
図は本発明の大電力用ダイオードの閘面図、第３図（イ
）〜（ハ）は弔２図のダイオードの製造法をボす読明図
、第４図はベベル角θとカラス伺着ｉｔの関係を不すグ
ラフでおる。
１２、 １９ ・・・ ・・・ ウ エ ノ１９・・・
・・・・・・・・・・・Ｐ＋増１０・・・・・・・・・
・・・ｊＮ”−１１６１１・・・・・・・・・・・Ｎ十
ノ＠ １３．２０・・・・・・ベベル溝 １４．２１・・・・・・ベベル而 １６．２２・ ・ウェハ表面の露出向 １７．２３・・・・カラスし材保峡腺 Ｊ ・・・・・・・・・・・・接合 θ ・・・・・・・・・・・・ベベル角（７３１７）代
理人 升埋士 則 近 應 佑（はか１名）
・・・・・・・・・・・Ｐ＋増１０・・・・・・・・・
・・・ｊＮ”−１１６１１・・・・・・・・・・・Ｎ十
ノ＠ １３．２０・・・・・・ベベル溝 １４．２１・・・・・・ベベル而 １６．２２・ ・ウェハ表面の露出向 １７．２３・・・・カラスし材保峡腺 Ｊ ・・・・・・・・・・・・接合 θ ・・・・・・・・・・・・ベベル角（７３１７）代
理人 升埋士 則 近 應 佑（はか１名）
Claims (1)
- １個の素子が形成されたｌウェハにベベル萌゛を開孔し
てＰＮ接合を形成するＰＩ曽、Ｎ増を銀山し、該銀山し
たｉ’ １ｍ、ＮＪ曽の表面お上ひこれに枕〈クエハ衣
面の露出面にガラス都林林禮瞑を形成した半導体装置に
おいて、前Ｂ己銀山したＰ崩、ＩＮ増の次回は外に凸の
球Ｉ…形状になっていることを袴悼とする半導体装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2268882A JPS58141563A (ja) | 1982-02-17 | 1982-02-17 | 半導体装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2268882A JPS58141563A (ja) | 1982-02-17 | 1982-02-17 | 半導体装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS58141563A true JPS58141563A (ja) | 1983-08-22 |
Family
ID=12089806
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2268882A Pending JPS58141563A (ja) | 1982-02-17 | 1982-02-17 | 半導体装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS58141563A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0863553A1 (en) * | 1996-09-24 | 1998-09-09 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | Semiconductor device and production method thereof |
| DE10340004B4 (de) * | 2002-10-22 | 2009-07-16 | Avago Technologies General Ip (Singapore) Pte. Ltd. | Elektrophoreseprozesse für die selektive Aufbringung von Materialien auf ein Halbleiterbauelement |
-
1982
- 1982-02-17 JP JP2268882A patent/JPS58141563A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0863553A1 (en) * | 1996-09-24 | 1998-09-09 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | Semiconductor device and production method thereof |
| EP0863553A4 (en) * | 1996-09-24 | 1999-05-19 | Mitsubishi Electric Corp | SEMICONDUCTOR ARRANGEMENT AND PRODUCTION METHOD |
| DE10340004B4 (de) * | 2002-10-22 | 2009-07-16 | Avago Technologies General Ip (Singapore) Pte. Ltd. | Elektrophoreseprozesse für die selektive Aufbringung von Materialien auf ein Halbleiterbauelement |
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