JPS58141506A - Chip type thermistor - Google Patents

Chip type thermistor

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JPS58141506A
JPS58141506A JP2495282A JP2495282A JPS58141506A JP S58141506 A JPS58141506 A JP S58141506A JP 2495282 A JP2495282 A JP 2495282A JP 2495282 A JP2495282 A JP 2495282A JP S58141506 A JPS58141506 A JP S58141506A
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JP
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thermistor
lead wire
type
thick film
thermistor element
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永田 康
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Shibaura Electronics Co Ltd
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
(57) [Summary] This bulletin contains application data before electronic filing, so abstract data is not recorded.

Description

【発明の詳細な説明】 発明の技術分野 本発明は、プリント基板等に直接搭載することができる
チップ型サーミスタに関するものである。
DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION Technical Field of the Invention The present invention relates to a chip-type thermistor that can be directly mounted on a printed circuit board or the like.

(1) 従来技術と問題点 ハイブリッド集積回路等に於いては、チップ型コンデン
サが用いられているが、各種の回路の温度補償を行なう
為のサーミスタについてもチップ型のサーミスタが採用
されている。例えば第1図に示すように、サーミスタ素
体lの両側面に厚膜電極2が形成され、この厚膜電極2
とプリント基板3上の配線4とが半田5等により接続さ
れるものであり、このようなチップ型のサーミスタの上
面図は第2図に示すものとなる。
(1) Prior Art and Problems Chip-type capacitors are used in hybrid integrated circuits, and chip-type thermistors are also used for thermistors for temperature compensation in various circuits. For example, as shown in FIG. 1, thick film electrodes 2 are formed on both sides of a thermistor element l, and
and wiring 4 on the printed circuit board 3 are connected by solder 5 or the like, and a top view of such a chip-type thermistor is shown in FIG.

このような従来のチップ型サーミスタは、サーミスタ素
体板を所定の厚さとなるようにラッピングし、ダイヤモ
ンドカッタ等により所定の寸法に切断し、AgPd等の
導電材料の厚膜電極を、ディップやスクリ・−ン印刷等
により形成するものである。
Such conventional chip-type thermistors are produced by wrapping a thermistor body plate to a predetermined thickness, cutting it to a predetermined size using a diamond cutter, etc., and attaching a thick film electrode made of a conductive material such as AgPd by dipping or scraping.・It is formed by printing or the like.

従って製造面からみると、リード線の接続等を要しない
ことから、製作が容易で廉価なものとなる。
Therefore, from a manufacturing point of view, it is easy to manufacture and inexpensive because there is no need to connect lead wires or the like.

しかし、使用面及び特性面からみると、次のような欠点
を有するものとなる。
However, from the viewpoint of use and characteristics, it has the following drawbacks.

即ちチップ型す− ミスタの形状は、プリント基板上の
配線の間隔等により規定されるものであるが、サーミス
タの抵抗値は、サーミスタ素体の比抵抗と断面積及び電
極間の長さにより定まるものであるから、所望の抵抗値
を有するサーミスタを製作するのは実際上容易ではない
。又半田は厚膜電極中のAgを吸収するように作用する
ので、配線に接続する為の半田内に厚膜電極中のA、g
が拡散り、、厚膜電極の抵抗及びサーミスタ素体との間
の抵抗が増大する。それによってサーミスタとしての抵
抗が変化することになる。又サーミスタ素体は金属酸化
物の焼結体であるから、組立時の作業温度と雰囲気との
影響を受け、雰囲気の種類によっては加熱により酸素原
子量の変動が生じてサーミスタの抵抗値が変化する。更
に経時変化が比較的大きいことである。これは組立後に
エージングを施すことにより経時変化を少なくすること
ができるものであるが、プリント基板に搭載した後は、
他の電子部品に及ぼす影響からエージングを行なうこと
は不可能で、実際上経時変化を少なくすることができな
かった。
In other words, the shape of a chip-type mistor is determined by the spacing between the wiring on the printed circuit board, etc., but the resistance value of the thermistor is determined by the specific resistance and cross-sectional area of the thermistor body, and the length between the electrodes. Therefore, it is actually not easy to manufacture a thermistor with a desired resistance value. In addition, since solder acts to absorb Ag in the thick film electrode, the A, G in the thick film electrode can be absorbed into the solder for connecting to the wiring.
diffuses, increasing the resistance of the thick film electrode and the resistance between it and the thermistor body. This changes the resistance of the thermistor. In addition, since the thermistor element is a sintered body of metal oxide, it is affected by the working temperature and atmosphere during assembly, and depending on the type of atmosphere, the amount of oxygen atoms may change due to heating, resulting in a change in the resistance value of the thermistor. . Furthermore, the change over time is relatively large. This can be reduced over time by aging after assembly, but after being mounted on a printed circuit board,
It is impossible to carry out aging due to the effect it has on other electronic components, and in practice it has not been possible to reduce changes over time.

la ) 発明の目的 本発明は、前述の如き従来の欠点を除去し、製作が容易
で安定な特性が得られるチップ型サーミスタを提供する
ことを目的とするものである。以下実施例について詳細
に説明する。
la) Object of the Invention It is an object of the present invention to provide a chip-type thermistor that is easy to manufacture and provides stable characteristics by eliminating the conventional drawbacks as described above. Examples will be described in detail below.

発明の実施例 第3図〜第6図は本発明に於いて使用し得るサーミスタ
素子の一例を示すもので、1a〜1dはサーミスタ素体
、28〜2dはリード線、3c、3dは電極である。第
3図及び第4図に示すサーミスタ素子は、リード線2a
、2bにサーミスタ素体ta、 tbの原材料を泥化し
たものを付着して粒状とし、乾燥後に焼成したものであ
り、ビード型と称されるものである。又リー・−ド線の
4田形状に応じて第3図は片切り型、第4図は両切り型
と称されるものである。
Embodiment of the Invention Figures 3 to 6 show examples of thermistor elements that can be used in the present invention, 1a to 1d are thermistor bodies, 28 to 2d are lead wires, and 3c and 3d are electrodes. be. The thermistor element shown in FIGS. 3 and 4 has a lead wire 2a
, 2b, the raw materials for the thermistor bodies ta, tb are slurried and made into granules, which are dried and fired, and are called bead type. Also, depending on the shape of the lead wire, the one shown in FIG. 3 is called a single-cut type, and the one shown in FIG. 4 is called a double-cut type.

又第5図及び第6図に示すサーミスタ素子はベレット型
と称されるもので、各図(a)は側面図、(b)は上面
図である。このようなベレット型サーミスタ素子は、焼
結したサーミスタ素材をラッピングして比抵抗に基づい
て定められる所望の厚さとし、両面に導電性ペースト等
を塗布して焼成し、サーミスタ素子として要求される抵
抗値となるような寸法に、ダイヤモンドカッタ等により
切断し、リード線2CI2dを電極3c、3dに熔接又
は導電性ペーストの塗布、焼付けによシ接続したもので
ある。
The thermistor elements shown in FIGS. 5 and 6 are of a so-called bullet type, and each figure (a) is a side view and (b) is a top view. Such a bullet-type thermistor element is produced by wrapping a sintered thermistor material to a desired thickness determined based on specific resistance, applying conductive paste etc. to both sides, and firing it to achieve the resistance required for the thermistor element. The lead wires 2CI2d are cut to a size with a diamond cutter or the like, and the lead wires 2CI2d are connected to the electrodes 3c and 3d by welding or applying a conductive paste and baking.

又リード線の接続形状に応じて第5図は片付は型、第6
図は両肘は型と称されている。
In addition, depending on the connection shape of the lead wire, Figure 5 shows the type for cleaning, and the type for cleaning in Figure 6.
In the figure, both elbows are called kata.

第7図は本発明の一実施例を示し、同図(alは断面図
、(b)は底面図、(C)は側面図であり、@5図に示
すような片付はベレット型のサーミスタ素子を用いた場
合についてのものである。第7図に於いて、11はサー
ミスタ素体、12はリード線、13は電填材である。サ
ーミスタ素体11の両側面の電極にリード線12が熔接
や導電性ペーストの焼付は等により接続され、セラミッ
クケース14は両側面に厚膜電極15が形成され、底部
にはリード線12を挿通する孔と、この孔の周辺と厚膜
電極15とを接続す(4) る電極パターン16が形成されている。このセラミック
ケース14内にサーミスタ素体11を収容してガラス充
填材18でサーミスタ素体11を封止し、リード線12
と電極パターン16とを導電性ペースト17の焼付けに
よ)接続する。
Figure 7 shows an embodiment of the present invention, in which (al is a sectional view, (b) is a bottom view, and (C) is a side view. This is for the case where a thermistor element is used. In Fig. 7, 11 is the thermistor element, 12 is the lead wire, and 13 is the electrical filling material. Lead wires are connected to the electrodes on both sides of the thermistor element 11. 12 are connected by welding, baking conductive paste, etc., and the ceramic case 14 has thick film electrodes 15 formed on both sides, a hole through which the lead wire 12 is inserted at the bottom, and a hole around this hole and the thick film electrode. The thermistor element 11 is housed in the ceramic case 14, the thermistor element 11 is sealed with a glass filler 18, and the lead wire 12 is connected to the lead wire 12.
and the electrode pattern 16 (by baking a conductive paste 17).

サーミスタ素体11.リード線、セラミックケース14
.ガラス充填材18.導電性ベース) 16・等はそれ
ぞれ熱膨張係数がほぼ等しい材料により構成するもので
あり、更に、セラミックケース14はガラス充填材18
の熔融作業温度以下では結晶変態を有しない材料で構成
するものである。
Thermistor element 11. Lead wire, ceramic case 14
.. Glass filler18. The conductive bases 16 and 16 are made of materials having approximately the same coefficient of thermal expansion, and the ceramic case 14 is made of a glass filler 18.
It is made of a material that does not undergo crystal transformation below the melting temperature.

前述の構成のチップ型サーミスタの製造工程は、先ず第
5図について説明したように、サーミスタ素体11の電
極13にリード線12を接続し、セラミックケース14
の両側面及び底部に厚膜電極15及び電極パターン16
を形成しておいて、リード線12をセラミックケース1
4の底部の孔に挿通し、導電性ペースト17でリード線
12と電極パターン16とを接着する。この導電性ペー
スト17はAg、Au、Pd等の金属粉末ト、リード#
ルやセラミックケース14と熱膨脹係数がほぼ等しいガ
ラス粉末と、室温で適当な粘度を有すると共に乾燥によ
り接着作用を有する有機物と、シンナー等の希釈剤とを
混合したもので、塗布後に乾燥することにより、リード
線12を電極パターン16に接着し、高温加熱により有
機物が蒸発して金属粉末同志をガラス粉末の熔融によ多
結合し、リード線12と電極パターン16との接続を行
なうものである。
In the manufacturing process of the chip-type thermistor having the above-described configuration, first, as explained with reference to FIG. 5, the lead wire 12 is connected to the electrode 13 of the thermistor body 11,
thick film electrodes 15 and electrode patterns 16 on both sides and bottom of the
is formed, and the lead wire 12 is connected to the ceramic case 1.
4, and bond the lead wire 12 and the electrode pattern 16 with conductive paste 17. This conductive paste 17 is made of metal powder such as Ag, Au, Pd, lead #
It is a mixture of glass powder that has a coefficient of thermal expansion almost equal to that of the ceramic case 14, an organic substance that has an appropriate viscosity at room temperature and has an adhesive effect when dried, and a diluent such as thinner. The lead wire 12 is bonded to the electrode pattern 16, and the organic matter is evaporated by high temperature heating, and the metal powders are bonded together by melting the glass powder, thereby connecting the lead wire 12 and the electrode pattern 16.

前述の高温加熱は、ガラス充填材18の熔融充填時の加
熱を利用するものであり、セラミックケース14内にサ
ーミスタ素体11を収容し、リード線12を電極パター
ン16に導電性ペース17により接着した後、ガラス充
填材の粉末をセラミックケース14内に充填し、電気炉
等により加熱して熔融させる。
The above-mentioned high-temperature heating utilizes the heating during melt filling of the glass filler 18, and the thermistor body 11 is housed in the ceramic case 14, and the lead wire 12 is bonded to the electrode pattern 16 with a conductive paste 17. After that, the glass filler powder is filled into the ceramic case 14 and heated and melted using an electric furnace or the like.

その加熱により導電性ペースト17の焼付けが行なわれ
る。
The conductive paste 17 is baked by the heating.

サーミスタ素体11がセラミックケース14内にガラス
充填材18で封止された後、エージングが施され、抵抗
値の測定選別後、リード線12の突出長さが必要最小限
となるように切断される。
After the thermistor body 11 is sealed in a ceramic case 14 with a glass filler 18, it is aged, and after resistance value measurement and selection, the lead wire 12 is cut so that the protruding length thereof is the minimum required length. Ru.

前述のチップ型サーミスタは、第3図に示すような片切
りビード型のサーミスタ素子を用いることもできる。
As the chip-type thermistor described above, a single-cut bead-type thermistor element as shown in FIG. 3 can also be used.

第8図は本発明の他の実施例を示し、第4図に示すよう
な両切りビード型のサーミスタ素子又は第6図に示すよ
うな両肘はペレット型のサーミスタ素子を用いる場合に
ついてのものであり、同図(a)は概略縦断面図、(b
)は横断図、(C)はセラミックケースの側面図である
。第8図に於いて、21はサーミスタ素体、22はリー
ド線、23は電極、24はセラミックケース、25は厚
膜電極、26はリード線挿入用の溝、27は導電性ペー
スト、28はガラス充填材である。前述の実施例との相
違は、サーミスタ素体に接続したリード線の導出形状に
応じて、セラミックケース24の側面に溝26を形成し
、上方よりサーミスタ素体をセラミックケース24内に
収容し得るようにした点であり、溝26にリード@22
を挿入して導電性ペースト27により接着し、ガラス充
填材列の熔融時の加熱によシ導電性ベース)27を焼付
けて、厚膜電極25とリード線22との接続を(7) 行なわせるものである。
FIG. 8 shows another embodiment of the present invention, in which a double bead-type thermistor element as shown in FIG. 4 or a pellet-type thermistor element as shown in FIG. 6 is used. (a) is a schematic longitudinal sectional view, (b)
) is a cross-sectional view, and (C) is a side view of the ceramic case. In FIG. 8, 21 is the thermistor body, 22 is a lead wire, 23 is an electrode, 24 is a ceramic case, 25 is a thick film electrode, 26 is a groove for inserting a lead wire, 27 is a conductive paste, and 28 is a It is a glass filling material. The difference from the above embodiment is that a groove 26 is formed in the side surface of the ceramic case 24 depending on the shape of the lead wire connected to the thermistor body, so that the thermistor body can be housed in the ceramic case 24 from above. This is the point where the lead @22 is placed in the groove 26.
The thick film electrode 25 and the lead wire 22 are connected (7) by inserting and adhering them with a conductive paste 27, and baking the conductive base 27 by heating when the glass filler row is melted. It is something.

発明の詳細 な説明したように、本発明によれば、サーミスタ素体は
セラミックケース内に収容されてガラス充填材により封
止されているので、任意の雰囲気中で加熱しても、エー
ジング温度以下であれば、測温特性に影響を及ばずこと
はなく、又厚膜電極とプリント基板の配線とを半田で接
続した場合、厚膜電極中のAgの滲出が生じたとしても
、サーミスタとしての抵抗値の変化は全く起きないこと
になる。そしてチップ型の電気部品と同様にプリント基
板上に搭載することができ、その組立時に於ける種々の
条件による特性への影響を受けないものとなる。又経時
変化についても極めて僅かであり、例えば温度補償素子
として長時間安定に動作させることができる。この経時
変化は300 Cに於いて0.5 % 710,000
時間以下とすることができた。
As described in detail, according to the present invention, the thermistor body is housed in a ceramic case and sealed with a glass filler, so even if heated in any atmosphere, the temperature will not exceed the aging temperature. If so, the temperature measurement characteristics will not be affected, and even if the thick film electrode and the wiring of the printed circuit board are connected by solder, even if Ag oozes out from the thick film electrode, it will not work as a thermistor. There will be no change in resistance value at all. It can be mounted on a printed circuit board in the same way as chip-type electrical components, and its characteristics are not affected by various conditions during assembly. Further, the change over time is extremely small, and it can be operated stably for a long time as a temperature compensating element, for example. This change over time is 0.5% at 300 C.
I was able to do it in less than an hour.

又200Cと25 Cとのオイルバス間を0.5秒の移
動時間で交互に浸漬して熱衝撃を与えたところ、熱膨張
係数がそれぞれほぼ等しいものであるから、(8) クラックを生じることもなく、その繰返しの100ザイ
クルに対して特性の変化は0.s %以下であった。従
って高安定度を要求される回路等に温度補償素子として
組込むことが可能となる。
Furthermore, when thermal shock was applied by alternately immersing the material in 200C and 25C oil baths for a transfer time of 0.5 seconds, the coefficients of thermal expansion were almost the same, so (8) cracks were not generated. There was no change in characteristics for 100 cycles of repetition. It was less than s%. Therefore, it can be incorporated as a temperature compensating element into circuits that require high stability.

【図面の簡単な説明】[Brief explanation of the drawing]

第1図および第2図は従来のチップ型サーミスタの説明
用の断面図及び−上面図、第3図乃至第6図は本発明の
実施例に於いて使用し得るサーミスタ素子の一例を示L
 、第3図及び第4図は断面図第5図(a)及び第6図
(alは側面図、第5図(b)及び第6図(b)は上面
図、第7図及び第8図は本発明のそれぞれ異なる実施例
を示し、第7図(a)及び第8図(a)は縦断面図、第
7図(blは底面図、第7図(C)は側面図、第8図(
blは横断面図、第8図(C)はセラミックケースの側
面図である。 1a−1d 、 11 、21はサーミスタ素体、 2
a 〜2d 112 、22はリード線、3c、3d、
13+23は電極、14.24はセラミックケース、1
5.25は厚膜電極、16は電極パターン、17 、2
7は導電性ペースト、18 、28はガラス充填材であ
る。 第5図 第6図 (a) 第7図 第8図
FIGS. 1 and 2 are sectional views and top views for explaining a conventional chip-type thermistor, and FIGS. 3 to 6 show an example of the thermistor element that can be used in an embodiment of the present invention.
, Figures 3 and 4 are cross-sectional views, Figures 5 (a) and 6 (al are side views, Figures 5 (b) and 6 (b) are top views, Figures 7 and 8 are The figures show different embodiments of the present invention, and FIGS. 7(a) and 8(a) are longitudinal sectional views, FIG. 7(bl is a bottom view, FIG. 7(C) is a side view, Figure 8 (
bl is a cross-sectional view, and FIG. 8(C) is a side view of the ceramic case. 1a-1d, 11, 21 are thermistor bodies, 2
a to 2d 112 , 22 is a lead wire, 3c, 3d,
13+23 is the electrode, 14.24 is the ceramic case, 1
5.25 is a thick film electrode, 16 is an electrode pattern, 17, 2
7 is a conductive paste, and 18 and 28 are glass fillers. Figure 5 Figure 6 (a) Figure 7 Figure 8

Claims (1)

【特許請求の範囲】[Claims] 熱膨張係数がほぼ等しいリード線を有するサーミスタ素
体、チップ型の外形形状を有し、外側面に厚膜電極を形
成し、前記サーミスタ素体を収容する凹部と該凹部から
前記リード線を導出する孔とを形成し、且つ前記サーミ
スタ素体と熱膨張係数がほぼ等しいセラミックケース、
該セラミックケースの前記孔に前記リード線を挿通し−
C前記四部に前記サーミスタ素体を収容し、該サーミス
タ素体を封止するガラス充填材とを有し、前記リード線
を前記厚膜電極に接続したことを特徴とするチップ型サ
ーミスタ。
A thermistor element body having lead wires having substantially equal coefficients of thermal expansion, having a chip-shaped external shape, having a thick film electrode formed on the outer surface, a recess for accommodating the thermistor element body, and leading out the lead wire from the recess. a ceramic case having a thermal expansion coefficient substantially equal to that of the thermistor body;
Insert the lead wire into the hole of the ceramic case.
C. A chip-type thermistor, characterized in that the four parts contain the thermistor element, a glass filler seals the thermistor element, and the lead wire is connected to the thick film electrode.
JP2495282A 1982-02-18 1982-02-18 Chip type thermistor Granted JPS58141506A (en)

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