JPS5813659Y2 - Abl回路 - Google Patents

Abl回路

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Publication number
JPS5813659Y2
JPS5813659Y2 JP1982021747U JP2174782U JPS5813659Y2 JP S5813659 Y2 JPS5813659 Y2 JP S5813659Y2 JP 1982021747 U JP1982021747 U JP 1982021747U JP 2174782 U JP2174782 U JP 2174782U JP S5813659 Y2 JPS5813659 Y2 JP S5813659Y2
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
level
transistor
collector
beam current
circuit
Prior art date
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Expired
Application number
JP1982021747U
Other languages
English (en)
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JPS57148970U (ja
Inventor
岡田登史
三浦秀規
Original Assignee
ソニー株式会社
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Filing date
Publication date
Application filed by ソニー株式会社 filed Critical ソニー株式会社
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Description

【考案の詳細な説明】 テレビ受像機において、輝度の高い画像を再生すると、
その高輝度部分で受像管のビームのスポットサイズが大
きくなり鮮鋭度が低下すると共に、その高輝度部分では
ビーム電流が大きくなり、これがカソードの有効電子放
出量を越えると受像管の寿命が短かくなり、あるいは過
大なアノード電流が流れると高圧整流素子の最大電流を
越えて、これを破損したりすることがある。
このためテレビ受像機にはビーム電流を制限するABL
回路(自動輝度制限回路)が設けられている。
ところが従来のABL回路は第1図Aに示すように輝度
信号Saに対応するビーム電流の平均値■Aが、その許
容値ILを越えたとき、これを検出して第1図Bに示す
ように輝度信号Saの直流レベルを例えば小さくして黒
方向にもっていき平均値■Aが許容値ILを越えないよ
うにしているので、このとき信号Sa中の黒及びこれに
近い明度を示すレベルの信号部分Skが黒レベル以下と
なってし筐い、この信号部分Skに対応する画像の部分
はすべて黒く再生され、黒のつぶれた画像となってし渣
う。
本考案はこのようなことのないABL回路を提供しよう
とするものである。
このため第2図に示す本考案の一例においては、ビーム
電流の平均値■いが許容値ILを越えた場合には、まず
その輝度信号Saの交流レベル(振巾)を小さくしてA
BLを行い、それでもビーム電流の平均値■いが許容値
■Lを越える場合には、その輝度信号Saの直流レベル
を変更してABLを行うようにしたものである。
即ち、第2図の例においては、輝度信号Saは入力端子
1を通じてエミッタフォロワのトランジスタ2に供給さ
れ、その出力は差動増巾器3を構成する一方のトランジ
スタ4のベースに供給すれる。
また差動増巾器3の他方のトランジスタ5のコレクタに
はレベル制御回路6が接続される。
この例では、レベル制御回路6は2対の差動増巾器7.
8によって構成されるもので、差動増巾器7のトランジ
スタ9,100エミツタはトランジスタ5のコレクタに
接続され、差動増巾器8のトランジスタ12.13のエ
ミッタは定電流用のトランジスタ14のコレクタ・エミ
ッタ間を通じて接地され、トランジスタ10.12のベ
ースが共通接続され、このベースには電源端子16より
固定バイアスが供給されると共に、トランジスタ9゜1
3のベースが共通接続され、このベースと端子16との
間にトランジスタ17が接続され、筐た、トランジスタ
9,12のコレクタには共通の負荷抵抗器18が接続さ
れると共に、このコレクタはエミッタフォロワのトラン
ジスタ19を通じて出力端子21に接続され、トランジ
スタ10.13のコレクタは共に端子16に接続される
さらにエミッタフォロワのトランジスタ22.23が設
けられ、トランジスタ22のエミッタよりトランジスタ
514にベースバイアスが供給されると共に、トランジ
スタ23のエミッタよりトランジスタ2にベースバイア
スが供給される。
また、フライバックトランス31の高圧コイルと直列に
抵抗器32が接続されて受像管(図示せず)のビーム電
流に比例した電圧、すなわち、ビーム電流が大きいほど
レベルの低下するABL信号sbとされ、この信号sb
は比較回路、この例では差動増巾器34.35に供給さ
れる。
この場合、差動増巾器34によって輝度信号Saの交流
レベルを変更してABLを行うための制御信号が形成さ
れ、また差動増巾器35によって輝度信号Saの直流レ
ベルを変更してABLを行うための制御信号が形成され
るもので、抵抗器32よりのABL信号sbは差動増巾
器34.35の各一方のトランジスタ36.37に供給
されると共に、差動増巾器34.35の各他方のトラン
ジスタ38.39には可変抵抗器41.42より所定の
バイアスが供給され、またトランジスタ38.39のコ
レクタより各制御信号が取り出される。
そしてトランジスタ38のコレクタからの制御信号はト
ランジスタ17のベースに供給され、トランジスタ39
のコレクタからの制御信号はエミッタフォロワのトラン
ジスタ43及びエミッタ接地のトランジスタ44を通じ
てトランジスタ22.23のベースに供給される。
なお、ダイオード45は直流レベル調整用のものである
このような構成によれば、輝度信号Saは端子1→トラ
ンジスタ2→差動増巾器3→差動増巾器7→トランジス
タ19→端子21のループを通じて導出される。
そしてこの場合、ビーム電流の平均値IAが許容値■L
を越えていなければ、ビーム電流は小さくAB L信号
sbのレベルは大きいので、トランジスタ38.39の
コレクタ電位は高くなっている。
そしてトランジスタ38のコレクタ電位が高いのでトラ
ンジスタ17のインピーダンスは小さく、従ってトラン
ジスタ9のベース電位は高いので、そのコレクタ電流は
大きくトランジスタ9の利得は大きい状態にある。
また同時にトランジスタ39のコレクタ電位が高いので
、トランジスタ44のコレクタ電位は低く、トランジス
タ22゜230ベ一ス電位も低く、従ってトランジスタ
22のエミッタ出力によってトランジスタ5.14のベ
ース電位も低い。
ただしこの場合、トランジスタ40ベースにはエミッタ
フォロワのトランジスタ2を通じてトランジスタ23の
エミッタ出力が供給されていてトランジスタ4と5とに
はトランジスタ22.23のベース電位が同相同レベル
で供給されているので、トランジスタ5のコレクタはト
ランジスタ50ベース電位にかかわらず所定値にある。
こうしてトランジスタ5,14のベース電位が低くても
、トランジスタ14のコレクタ電位のみが高くなってい
る。
そしてトランジスタ14のコレクタ電位が高いので、ト
ランジスタ12のコレクタ電流は小さく、従ってトラン
ジスタ9のコレクタ電位は高い状態にある。
即ち、ビーム電流の平均値IAが許容値ILを越えてい
ない場合には、トランジスタ9の利得は大きく、またそ
のコレクタ電位は高い状態にある。
従って、端子21にはトランジスタ9の利得及びそのコ
レクタ電位により決る交流レベル及び直流レベルの輝度
信号Saが得られる。
一方、第1図Aに示すようにビーム電流の平均値■Aが
許容値■Lを越えた場合には、ABL信号sbのレベル
が下がり、可変抵抗器41を設定しておくことにより、
トランジスタ38のコレクタ電位のみが下がりトランジ
スタ17のインピーダンスが大きくなってトランジスタ
90ベース電位が下がるので、そのコレクタ電流が減少
して利得は小さくなり、端子21に得られる輝度信号S
aは第1図Cに示すように交流レベルが小さくなりその
平均値■いは許容値IL以下におさえられる。
そしてこの場合、同時にトランジスタ130ベース電位
が下がりそのコレクタ電流が減少し、これによりトラン
ジスタ12のコレクタ電流が増加するのでトランジスタ
9のコレクタ電流の減少によりそのコレクタ電位の変化
が一定値に補償され、従ってこのとき端子21に得られ
る輝度信号Saの直流レベルは変化することはなく、上
述のように交流レベルのみが小さくなる。
こうして制御回路6において、輝度信号Saの交流レベ
ルが小さくされているにもかかわらず、端子1に供給さ
れている輝度信号Saの交流レベルまたは直流レベルが
大きくなったために第1図Cに点線で示すように端子2
1に得られるビーム電流の平均値■いが許容値ILを越
えるようになるとこのときABL信号sbのレベルはよ
り低下しているので、可変抵抗器42を設定しておくこ
とによりトランジスタ39のコレクタ電位も下がるよう
になる。
そしてトランジスタ39のコレクタ電位が下がると、ト
ランジスタ44のコレクタ電位が上がってトランジスタ
22のエミッタ電位も上がるので、トランジスタ14の
コレクタ電位は下がり(このときトランジスタ5のコレ
クタ電位は上述のように所定値の11である)トランジ
スタ12のコレクタ電流は大きくなり、従ってトランジ
スタ9のコレクタ電位は低くなるので、第1図りに示す
ように端子21に得られる輝度信号Saは交流レベルが
小さくされると同時に直流レベルも小さくされ、その平
均値■Aが許容値■L以下にむさえられる。
こうして本考案によれば、ビーム電流の平均値IAが許
容値■Lを越えていくと、それにつれてまず輝度信号S
aの交流レベルが小さくされ、次に交流レベルと同時に
直流レベルも小さくされるので、平均値IAは許容値I
L以下となり、従ってビームのスポットサイズの増大に
よる鮮鋭度の低下を生じることがなく、また過大なビー
ム電流により受像管の寿命を短かくしたりすることがな
いと同時に、高圧整流素子を破損することもない。
また輝度信号Saの交流レベルを小さくシ、次に交流レ
ベル及び直流レベルの両方を小さくしているので、従来
のように黒及びこれに近い明度を示すレベルの信号部分
Skが黒レベル以下となることがなく、従って再生画像
が黒くつぶれた画像となることがない。
なお、カラーテレビ受偉機においては、色信号の交流レ
ベル及び直流レベル(特に交流レベル)を輝度信号と同
様に変更するようにしてもよい。
【図面の簡単な説明】
第1図は本考案を説明するための波形図、第2図は本考
案の一例を示す接続図である。 1は輝度信号の入力端子、21は出力端子、6はレベル
制御回路、7.8.34.35は差動増巾器、31はフ
ライバックトランスである。

Claims (1)

    【実用新案登録請求の範囲】
  1. 受像管のビーム電流を検出する検出回路と、該検出回路
    の出力が並列的に供給される第1及び第2の比較回路と
    、該第1及び第2の比較回路の第1及び第2の基準値を
    各々独立にかつ第1の基準値に比して第2の基準値が犬
    となる如く設定する第1及び第2の基準値設定回路と、
    上記第1の比較回路の出力により映像信号の交流レベル
    が制御される交流レベル制御回路と、上記第2の比較回
    路の出力により上記映像信号の直流レベルが制御される
    直流レベル制御回路とよりなり、上記ビーム電流が許容
    値よりも大きくなった時は1ず上記映像信号の交流レベ
    ルを低下させ、該交流レベルの低下によっても上記ビー
    ム電流が上記許容値よりも大きい時には上記映像信号の
    交流レベルを低下させると共に上記映像信号の直流レベ
    ルを低下させることにより上記ビーム電流を制限するよ
    うにしたABL回路。
JP1982021747U 1982-02-18 1982-02-18 Abl回路 Expired JPS5813659Y2 (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP1982021747U JPS5813659Y2 (ja) 1982-02-18 1982-02-18 Abl回路

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP1982021747U JPS5813659Y2 (ja) 1982-02-18 1982-02-18 Abl回路

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JPS57148970U JPS57148970U (ja) 1982-09-18
JPS5813659Y2 true JPS5813659Y2 (ja) 1983-03-16

Family

ID=29819591

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Application Number Title Priority Date Filing Date
JP1982021747U Expired JPS5813659Y2 (ja) 1982-02-18 1982-02-18 Abl回路

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JP (1) JPS5813659Y2 (ja)

Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE2021037A1 (de) * 1970-04-24 1971-11-11 Philips Patentverwaltung Schaltungsanordnung zur Strahlstrombegrenzung

Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE2021037A1 (de) * 1970-04-24 1971-11-11 Philips Patentverwaltung Schaltungsanordnung zur Strahlstrombegrenzung

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Publication number Publication date
JPS57148970U (ja) 1982-09-18

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