JPS58125822A - 非晶質半導体薄膜の製造装置 - Google Patents
非晶質半導体薄膜の製造装置Info
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- JPS58125822A JPS58125822A JP57008704A JP870482A JPS58125822A JP S58125822 A JPS58125822 A JP S58125822A JP 57008704 A JP57008704 A JP 57008704A JP 870482 A JP870482 A JP 870482A JP S58125822 A JPS58125822 A JP S58125822A
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- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
- C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
- C23C16/52—Controlling or regulating the coating process
-
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- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の技術分野〕
本発明は、非晶質半導体薄膜の製造条件を最適化で自る
グッズマ分光制御による半導体薄膜の製造装置に関する
。
グッズマ分光制御による半導体薄膜の製造装置に関する
。
〔発明の技術的背景およびその問題点Ｕ従来、非晶質半
導体薄膜をグ關−腫電分解を用いて形成する場合、グロ
ー放電中の装置・々ツメータであるガス圧力、印加高周
波（翼？）・ｆワー、１ス流量、基板温度、電極間距離
等を檀々に変化させてそれぞれの条件での薄ｍ特性を評
価することにより、個々の装置における最適な薄膜製造
条件が求められて１１九、これは、＃−〇最適１製造秦
件が個々の装置に対して大きな装置依存性を有している
という問題を克服で龜なかつえ理由によっている。従っ
て従来は、非晶質半導体薄膜の電気的および光電的特性
を最適化するために多層間と労力を必要とした。
導体薄膜をグ關−腫電分解を用いて形成する場合、グロ
ー放電中の装置・々ツメータであるガス圧力、印加高周
波（翼？）・ｆワー、１ス流量、基板温度、電極間距離
等を檀々に変化させてそれぞれの条件での薄ｍ特性を評
価することにより、個々の装置における最適な薄膜製造
条件が求められて１１九、これは、＃−〇最適１製造秦
件が個々の装置に対して大きな装置依存性を有している
という問題を克服で龜なかつえ理由によっている。従っ
て従来は、非晶質半導体薄膜の電気的および光電的特性
を最適化するために多層間と労力を必要とした。
以上の欠点を克服し、迅速に＊ＩＩｌ製造条件と薄膜特
性との対応を得るために、最近グツズ分光光繊の利用が
提案されてい石１例えば、８１とＨを含むガスを用いて
非晶質重を形成するに歯って、製造条件を変化させ九場
合のプラズマ発光種Ｏ発光強度（Ｈ）（６５６！ｌ１ｌ
）及び（８１Ｈ〕（４１４ｎｍ）の強直変化と薄膜特性
との対応性に関する研穴が幾つか行われてきた。しかし
ながら、各ｉｓＯ上１５７’ツズマ発党種の発光強度変
化と藩−特性変化との対応性に関する従来の実験結果が
統一的な結論に達しているとは言い得ない。
性との対応を得るために、最近グツズ分光光繊の利用が
提案されてい石１例えば、８１とＨを含むガスを用いて
非晶質重を形成するに歯って、製造条件を変化させ九場
合のプラズマ発光種Ｏ発光強度（Ｈ）（６５６！ｌ１ｌ
）及び（８１Ｈ〕（４１４ｎｍ）の強直変化と薄膜特性
との対応性に関する研穴が幾つか行われてきた。しかし
ながら、各ｉｓＯ上１５７’ツズマ発党種の発光強度変
化と藩−特性変化との対応性に関する従来の実験結果が
統一的な結論に達しているとは言い得ない。
〔発明の目的コ
本発明は、グロー放電分解による非晶質半導体薄膜の薄
膜特性変化とプラズマ発光種の発光頻度変化との対応性
を明確化して、プラズマ分光制御による薄膜製造条件の
最適化を可能とした非晶質半導体薄膜の製造装置を提供
することを目的とする。
膜特性変化とプラズマ発光種の発光頻度変化との対応性
を明確化して、プラズマ分光制御による薄膜製造条件の
最適化を可能とした非晶質半導体薄膜の製造装置を提供
することを目的とする。
Ｅ発明の概要Ｊ
本発明の非晶質半導体薄膜製造装置でのプラズマ分光制
御の原理は次のとおシである。ＳｉとＨを含むガスを用
いて非晶質Ｓ！を製造する場合を例にとって説明する。
御の原理は次のとおシである。ＳｉとＨを含むガスを用
いて非晶質Ｓ！を製造する場合を例にとって説明する。
まず、薄膜製造条件のうち印加Ｒ）’ ｉ９ワーまたは
ガス圧力を一定量ずつ変化させて、プラズマ発光種Ｓｉ
ＨとＨの発光強度の初期値［ＳｉＨ］、（Ｈ）を求める
。ＲＦ ｉＪ？ワーを一定量ずつ変化させて上記０区値
のＲＦ−４’ワー依存性を求める場合、具体例として、
ＲＦ−グローの初期値をＩＷに設定し友後、ＢＪｒ１４
ワーをＩＷずつ変化させる度に上記のに値を求める方式
を採用し、ｋ値のＩＷから１００Ｗオでのｆｇｌｆ ノ
！ワー依存性を求め丸。また同様にガス圧力を一定量ず
つ変化させてＫｔのガス圧力依存性を求める場合、具体
例としてガス圧力の初期値を０．０５ Ｔｏｒｒ Ｋ＆
定した後、ｉｆｘガス圧力、 ０５ Ｔｏｒｒずつ変化
させる度に上記のに値を求め、０．０５ Ｔｏｒｒから
３ Ｔｏｒｒ ｔでのガス圧力依存性を求めた。−例と
して、ｊス圧力＝０．ＩＴｏｒｒ。
ガス圧力を一定量ずつ変化させて、プラズマ発光種Ｓｉ
ＨとＨの発光強度の初期値［ＳｉＨ］、（Ｈ）を求める
。ＲＦ ｉＪ？ワーを一定量ずつ変化させて上記０区値
のＲＦ−４’ワー依存性を求める場合、具体例として、
ＲＦ−グローの初期値をＩＷに設定し友後、ＢＪｒ１４
ワーをＩＷずつ変化させる度に上記のに値を求める方式
を採用し、ｋ値のＩＷから１００Ｗオでのｆｇｌｆ ノ
！ワー依存性を求め丸。また同様にガス圧力を一定量ず
つ変化させてＫｔのガス圧力依存性を求める場合、具体
例としてガス圧力の初期値を０．０５ Ｔｏｒｒ Ｋ＆
定した後、ｉｆｘガス圧力、 ０５ Ｔｏｒｒずつ変化
させる度に上記のに値を求め、０．０５ Ｔｏｒｒから
３ Ｔｏｒｒ ｔでのガス圧力依存性を求めた。−例と
して、ｊス圧力＝０．ＩＴｏｒｒ。
水素希釈ｌＯ−の８１１（４、ｆ ＪＩＬ量＝７２ｓｃ
ｃ舅、基板温度＝３００℃、電極間距離＝３５−として
グ四−徴電させた場合のに値のＲＦパワー依存性を嬉１
図に示す、このに値と得られた非晶質Ｓ１の薄膜特性と
の対応性はＴ１に示す通りになることが貞験的に判明し
た。
ｃ舅、基板温度＝３００℃、電極間距離＝３５−として
グ四−徴電させた場合のに値のＲＦパワー依存性を嬉１
図に示す、このに値と得られた非晶質Ｓ１の薄膜特性と
の対応性はＴ１に示す通りになることが貞験的に判明し
た。
（１） ＰＨｓ、 ｌ１２Ｈ６などのドーピングガス
を混合せずに、各種ガスで希釈され九８１Ｈ４ガスある
い紘１ Ｇ Ｇ ％ ｇｉｎ４ガスをグロー放電させて
製造した１層の光伝導度は、上記のに値に最大値を与え
る薄膜製造条件（ＲＦ ）臂ワーあるいはガス圧力）を
用ｉてｇ造した場合に、最大となる。
を混合せずに、各種ガスで希釈され九８１Ｈ４ガスある
い紘１ Ｇ Ｇ ％ ｇｉｎ４ガスをグロー放電させて
製造した１層の光伝導度は、上記のに値に最大値を与え
る薄膜製造条件（ＲＦ ）臂ワーあるいはガス圧力）を
用ｉてｇ造した場合に、最大となる。
（２） ＰＨｓ ｓ Ｂ２Ｋｂなどのドーピングガス
を混合し、各種ガスで希釈された８１Ｈ４がスあろい唸
ｉ ｏ ｏ ｓ ８１１４ガスをグロー放電させて製造
したドーピング層（Ｐ層、１層）の光伝導度及びドーピ
ング効率（すなわち暗伝導１ｔ）は、上記のに値に最大
値を与える薄膜製造条件（ＩＩＩＦ ）＃ワーあるい祉
ガス圧力）を用いて製造した場合に、漱大となる。
を混合し、各種ガスで希釈された８１Ｈ４がスあろい唸
ｉ ｏ ｏ ｓ ８１１４ガスをグロー放電させて製造
したドーピング層（Ｐ層、１層）の光伝導度及びドーピ
ング効率（すなわち暗伝導１ｔ）は、上記のに値に最大
値を与える薄膜製造条件（ＩＩＩＦ ）＃ワーあるい祉
ガス圧力）を用いて製造した場合に、漱大となる。
以上の解析結果によれば、他の薄膜製造条件を一定とし
友場合のＲＦＩ譬ワーあるいはガス圧力の最適条件を求
めることかで鳶、頁に他の薄膜製造条件を撞々に変えて
に値のＲｐ ／ｌグローるいはガス圧力依存性を調べる
ことによ）、個々の装置において員遺し得る最も優れ友
薄膜の製造条件を完全に、かつ短時間で求めることがで
きる。
友場合のＲＦＩ譬ワーあるいはガス圧力の最適条件を求
めることかで鳶、頁に他の薄膜製造条件を撞々に変えて
に値のＲｐ ／ｌグローるいはガス圧力依存性を調べる
ことによ）、個々の装置において員遺し得る最も優れ友
薄膜の製造条件を完全に、かつ短時間で求めることがで
きる。
そこで本発ｖ４０俟置は、上記知見に基づ暑、グロー放
電分解時に発生する発光スペクトルを検出する分光器を
儂え、この分光器の出力によ）、特定の発光種の発光＊
度を予め設定し九値に保つように膜形成装置のガス圧力
またはＲＦ・臂ワーの少くとも一方をフィードバック制
御す形成装置１１はチャンバ１２内に平行に配置され九
ＲＦ ［極１３と基板電極１４を有し、所定のガスを導
入してＲＦ電源１６からＲＦ電力を供給してグロー放電
によシ基板１５上に半導体膜を形成するものである。１
１は排気系に設けられた圧力調整パルプである。チャン
バ１２内におけるグラスマ発光を石英窓１１を通して分
光器１＃によって分光し、フォトセンサダイオードアレ
イ２０で（８ｉＨ） 、（Ｈ）の各プラズマ発光種の発
光強度を感知し、それらの発光強度をあらかじめ指定し
た一定のイ鉦に保つように、演鼻装置２１でフィードバ
ックをかけて、ＲＦ電＃１６のピーク電圧制御及び圧力
ｌｉｅ贅パルノ１１の開閉によるガス圧制御を自動的に
行うようになっている。ここであらかじめ指定し九（８
１Ｈ）、（Ｈ）の各！ラズマ発光種の発光強度というの
は、前述のグラズマ分光法を用いて求め九最適薄膜製造
条件下における各グッズマ発光種の発光強度である。
電分解時に発生する発光スペクトルを検出する分光器を
儂え、この分光器の出力によ）、特定の発光種の発光＊
度を予め設定し九値に保つように膜形成装置のガス圧力
またはＲＦ・臂ワーの少くとも一方をフィードバック制
御す形成装置１１はチャンバ１２内に平行に配置され九
ＲＦ ［極１３と基板電極１４を有し、所定のガスを導
入してＲＦ電源１６からＲＦ電力を供給してグロー放電
によシ基板１５上に半導体膜を形成するものである。１
１は排気系に設けられた圧力調整パルプである。チャン
バ１２内におけるグラスマ発光を石英窓１１を通して分
光器１＃によって分光し、フォトセンサダイオードアレ
イ２０で（８ｉＨ） 、（Ｈ）の各プラズマ発光種の発
光強度を感知し、それらの発光強度をあらかじめ指定し
た一定のイ鉦に保つように、演鼻装置２１でフィードバ
ックをかけて、ＲＦ電＃１６のピーク電圧制御及び圧力
ｌｉｅ贅パルノ１１の開閉によるガス圧制御を自動的に
行うようになっている。ここであらかじめ指定し九（８
１Ｈ）、（Ｈ）の各！ラズマ発光種の発光強度というの
は、前述のグラズマ分光法を用いて求め九最適薄膜製造
条件下における各グッズマ発光種の発光強度である。
この半導体製造装置を用いれば、１層の場合最大の光体
導度を有し、ドーピング層の場合、最大のドーピング効
率及び光体導度を有する薄膜を常に再現性よく製造する
ことが可能である。
導度を有し、ドーピング層の場合、最大のドーピング効
率及び光体導度を有する薄膜を常に再現性よく製造する
ことが可能である。
以下に上記の製造装置を用いて非晶質ｓ１薄膜を製造し
た具体的な実験例をいくつか示す。下記はいずれも基板
温度＝３００Ｃ、メインがスとして水素希釈１０４８ｉ
Ｈ４流量−７２１００Ｍ 。
た具体的な実験例をいくつか示す。下記はいずれも基板
温度＝３００Ｃ、メインがスとして水素希釈１０４８ｉ
Ｈ４流量−７２１００Ｍ 。
ドーピングガスとして水素希釈２５００ ｐｐｍＰＨ５
あるいは２５００ ｐｐｍ ８２Ｈ４流量−３０ｍｃｃ
ｍ。
あるいは２５００ ｐｐｍ ８２Ｈ４流量−３０ｍｃｃ
ｍ。
電極間距離＝３５■に固定した場合の例である。
（実験５例１）
ガス圧力＝ １．０ Ｔｏｒｒとして目−製造条件下で
グロー放電を行い、Ｋ値のＲＦ ／？クワ−存性を検討
し九ととるＢＦ’切−＝５Ｗにおいてに１は最大値Ｏ］
ｔ−示し友、この条件下において上記の半導体劇造ａｍ
にモニターされたｌツズマ発光種の発光強度（８１Ｈ）
、（Ｈ）を利用して、これらを一定に保りように設定し
、フィートノ９ツタをかけながら薄膜【製造した。結果
的に、波長−６３２８１、入射フォトン数−１，Ｉ Ｘ
１０ ／ ３” ・ｍｅｔ ノ”／ｌｔＩ［射した
と暑、光体導度−２，ｋｉ Ｘ Ｉ Ｏ−’Ｑ−’ｃｓ
−’を有する１層ｔ−製造することができた。普た確ｌ
ｉＯ意味で、実際にガス圧力＝ １．０Ｔｏｒｒとして
種々Ｋ ＲＦ ／４ワーを変えて１９を製造したが、鼠
Ｆ）昔ワー−５Ｗのときの薄膜が最大の光体導度を示し
ていることがわかっ九。縞３図に上に２製造′秦件下で
の光体導度σ、とに値Ｃ） ＲＦパワー依依存 性を示す。
グロー放電を行い、Ｋ値のＲＦ ／？クワ−存性を検討
し九ととるＢＦ’切−＝５Ｗにおいてに１は最大値Ｏ］
ｔ−示し友、この条件下において上記の半導体劇造ａｍ
にモニターされたｌツズマ発光種の発光強度（８１Ｈ）
、（Ｈ）を利用して、これらを一定に保りように設定し
、フィートノ９ツタをかけながら薄膜【製造した。結果
的に、波長−６３２８１、入射フォトン数−１，Ｉ Ｘ
１０ ／ ３” ・ｍｅｔ ノ”／ｌｔＩ［射した
と暑、光体導度−２，ｋｉ Ｘ Ｉ Ｏ−’Ｑ−’ｃｓ
−’を有する１層ｔ−製造することができた。普た確ｌ
ｉＯ意味で、実際にガス圧力＝ １．０Ｔｏｒｒとして
種々Ｋ ＲＦ ／４ワーを変えて１９を製造したが、鼠
Ｆ）昔ワー−５Ｗのときの薄膜が最大の光体導度を示し
ていることがわかっ九。縞３図に上に２製造′秦件下で
の光体導度σ、とに値Ｃ） ＲＦパワー依依存 性を示す。
、騒
（５１ＩＪＩＩ例２）
ガス圧力＝ ０．Ｉ Ｔｏｒｒとして１層製造条件下で
グロー放電を行い、Ｋ値のＵパワー依存性【検討し良と
ころ、 ＲＦパワー＝３０Ｗにおいてに値は最大値０．
４【示した。その製造牽伸下でのグッズマ発光種の発光
強度（ＳＩＨ）、（Ｈ）を一定に保つようにフィートノ
童ツクをかけながら上記の半導体製造装置を用いて薄膜
を製造し友。実験例１と同様Ｋ、その膜に波長−６３２
８１，入射フォトン数−１，ＩＸｌが’／ｍ” ｓ＠ｅ
の光を照射したとき、光体導度は６． ｚ ｘ １ｏ−
３０−’ａｍ”＆る値を示した。実際にガス圧＝０．
Ｉ ＴｏｒｒでＲＦノ譬クワ−変えて電層を製造する実
験仕い、それらの特性を調べたが、中は如、ＲＦノ譬ク
ワ−３０Ｗのときのｎ層膜が最大の光体導度を有してい
ることがわかった。また上記のＲＦ ／ｌワー＝３０Ｗ
で製造したｎ層膜は暗伝導度Ｆ、Ｔｅ！４．２Ｘ１０
Ω１を示し、実験にｆス圧ｗ Ｏ，Ｉ ＴｏｒｒでＲ
Ｆノダワーを変化させて、薄膜を製造し暗導度の１ｌｉ
Ｆ ／ｌワー依存性を調べる実験を行ったところ、確か
Ｋ ＲＦ−クワ−、＝３ ＧＷのと自に製造し九鳳層膜
が最大の暗伝導度すなわちドーピング効率を有している
ことがわかった。Ｋ４Ｈに上記製造条件下での暗伝導度
ｇ、とに値のＲＦ／９ワー依存性を示す。
グロー放電を行い、Ｋ値のＵパワー依存性【検討し良と
ころ、 ＲＦパワー＝３０Ｗにおいてに値は最大値０．
４【示した。その製造牽伸下でのグッズマ発光種の発光
強度（ＳＩＨ）、（Ｈ）を一定に保つようにフィートノ
童ツクをかけながら上記の半導体製造装置を用いて薄膜
を製造し友。実験例１と同様Ｋ、その膜に波長−６３２
８１，入射フォトン数−１，ＩＸｌが’／ｍ” ｓ＠ｅ
の光を照射したとき、光体導度は６． ｚ ｘ １ｏ−
３０−’ａｍ”＆る値を示した。実際にガス圧＝０．
Ｉ ＴｏｒｒでＲＦノ譬クワ−変えて電層を製造する実
験仕い、それらの特性を調べたが、中は如、ＲＦノ譬ク
ワ−３０Ｗのときのｎ層膜が最大の光体導度を有してい
ることがわかった。また上記のＲＦ ／ｌワー＝３０Ｗ
で製造したｎ層膜は暗伝導度Ｆ、Ｔｅ！４．２Ｘ１０
Ω１を示し、実験にｆス圧ｗ Ｏ，Ｉ ＴｏｒｒでＲ
Ｆノダワーを変化させて、薄膜を製造し暗導度の１ｌｉ
Ｆ ／ｌワー依存性を調べる実験を行ったところ、確か
Ｋ ＲＦ−クワ−、＝３ ＧＷのと自に製造し九鳳層膜
が最大の暗伝導度すなわちドーピング効率を有している
ことがわかった。Ｋ４Ｈに上記製造条件下での暗伝導度
ｇ、とに値のＲＦ／９ワー依存性を示す。
これらの実験例から容易に類推されるように、本発明は
ＲＦ ／譬ワーを一定とし、Ｋ値のガス圧力依存性を利
用する場合にも適用することができ、１九ドーピング膜
が２層編の場合にもその筒筐適用することができる。ｔ
ｉメインガスとして５ｔ２ａ４ｆスを用いてグロー放電
によプ非晶質８１を作る場合は勿論、同様の原塩で化合
物ガスのグロー放電分解によシ非晶質半導体薄膜を製造
する場合に本発明は有用である。
ＲＦ ／譬ワーを一定とし、Ｋ値のガス圧力依存性を利
用する場合にも適用することができ、１九ドーピング膜
が２層編の場合にもその筒筐適用することができる。ｔ
ｉメインガスとして５ｔ２ａ４ｆスを用いてグロー放電
によプ非晶質８１を作る場合は勿論、同様の原塩で化合
物ガスのグロー放電分解によシ非晶質半導体薄膜を製造
する場合に本発明は有用である。
第１図はグロー放電分解時の発光スペクトルのｉｌＦノ
母ワー依存性の一例を示す図、第２図は本発明の一実施
例の半導体薄膜装置の！ロック図、第３図は、実験例１
による非晶質Ｓｉの１層における光体導度ｑ のＲＦ
Ａワー依存性及びｆ、ｈとｈ Ｋ値との対応を示す図、＃Ｉ４図は実験例２による１層
における暗伝導ｔｉ ’ｉｃｙのＲＦ ｚ＃クワ−存性
及び！冨！とに値との対応を示す図である。 １１・・・膜形成装置、１２・・・チャンバ、１１・・
・ＲＦ電他、１４・・・基板電極、１５・・・基板、１
６・・・ＲＦ電源、１１・・・圧力調整パルプ、１８・
・・石英窓、１９・・・分光器、２０・・・７オトセン
サダイオードアレイ、２１・・・演算装置。 出願人代理人 弁理士 鈴 江 武 彦第１− １２１１ ６ １３１１ ０４ Ｉ４１１ １σ ＲＦ）Ｓ：ツー （Ｗ）
母ワー依存性の一例を示す図、第２図は本発明の一実施
例の半導体薄膜装置の！ロック図、第３図は、実験例１
による非晶質Ｓｉの１層における光体導度ｑ のＲＦ
Ａワー依存性及びｆ、ｈとｈ Ｋ値との対応を示す図、＃Ｉ４図は実験例２による１層
における暗伝導ｔｉ ’ｉｃｙのＲＦ ｚ＃クワ−存性
及び！冨！とに値との対応を示す図である。 １１・・・膜形成装置、１２・・・チャンバ、１１・・
・ＲＦ電他、１４・・・基板電極、１５・・・基板、１
６・・・ＲＦ電源、１１・・・圧力調整パルプ、１８・
・・石英窓、１９・・・分光器、２０・・・７オトセン
サダイオードアレイ、２１・・・演算装置。 出願人代理人 弁理士 鈴 江 武 彦第１− １２１１ ６ １３１１ ０４ Ｉ４１１ １σ ＲＦ）Ｓ：ツー （Ｗ）
Claims (1)
- 低圧ガスのグロー放電分解を用いて非晶質半導体薄膜を
形成する膜形成装置と、グロー款電分解時に発生する発
光スペタトルを検出する分光器と、この分光器の出力に
よシ特定の発光種の発光強度を予め設定し友値に保つよ
うに繭記ＷＸ影成装置のガス圧力まえは印加高周波・奢
ワーの少くとも一方をフィードバック制御する手段とを
備え九ことを特徴とする非晶質半導体薄膜の製造装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57008704A JPS58125822A (ja) | 1982-01-22 | 1982-01-22 | 非晶質半導体薄膜の製造装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57008704A JPS58125822A (ja) | 1982-01-22 | 1982-01-22 | 非晶質半導体薄膜の製造装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS58125822A true JPS58125822A (ja) | 1983-07-27 |
Family
ID=11700318
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP57008704A Pending JPS58125822A (ja) | 1982-01-22 | 1982-01-22 | 非晶質半導体薄膜の製造装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS58125822A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP1043762A1 (en) * | 1998-10-23 | 2000-10-11 | Nissin Electric Co., Ltd. | Polycrystalline silicon thin film forming method and thin film forming apparatus |
| US20130256266A1 (en) * | 2012-03-30 | 2013-10-03 | Andreas Fischer | Methods and apparatuses for effectively reducing gas residence time in a plasma processing chamber |
-
1982
- 1982-01-22 JP JP57008704A patent/JPS58125822A/ja active Pending
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP1043762A1 (en) * | 1998-10-23 | 2000-10-11 | Nissin Electric Co., Ltd. | Polycrystalline silicon thin film forming method and thin film forming apparatus |
| EP1043762A4 (en) * | 1998-10-23 | 2004-09-15 | Nissin Electric Co Ltd | PROCESS FOR FORMING THIN FILM OF POLYCRYSTALLINE SILICON AND APPARATUS FOR FORMING SAID THIN FILM |
| US20130256266A1 (en) * | 2012-03-30 | 2013-10-03 | Andreas Fischer | Methods and apparatuses for effectively reducing gas residence time in a plasma processing chamber |
| US9299541B2 (en) * | 2012-03-30 | 2016-03-29 | Lam Research Corporation | Methods and apparatuses for effectively reducing gas residence time in a plasma processing chamber |
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