JPS58125033A - プロジエクシヨンアライナ− - Google Patents
プロジエクシヨンアライナ−Info
- Publication number
- JPS58125033A JPS58125033A JP57007623A JP762382A JPS58125033A JP S58125033 A JPS58125033 A JP S58125033A JP 57007623 A JP57007623 A JP 57007623A JP 762382 A JP762382 A JP 762382A JP S58125033 A JPS58125033 A JP S58125033A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- aperture
- mirror
- diameter
- luminous flux
- projection aligner
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/70058—Mask illumination systems
- G03F7/702—Reflective illumination, i.e. reflective optical elements other than folding mirrors, e.g. extreme ultraviolet [EUV] illumination systems
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/70216—Mask projection systems
- G03F7/70233—Optical aspects of catoptric systems, i.e. comprising only reflective elements, e.g. extreme ultraviolet [EUV] projection systems
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
- Projection-Type Copiers In General (AREA)
- Light Sources And Details Of Projection-Printing Devices (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
不発明はプロジェクションアライナ−に関する。
半導体素子形成の一工程に、半導体薄板（ウェハ）の表
面に塗布したフォトレジストを所望ノくターンに感光さ
せる露光工程がある。この露光工程では一般にプロジェ
クションアライナ−が用いられている。プロジェクショ
ンアライナーは水銀ランプの光をアパチャーによって所
定の解像度に規定した後、マスクを透過させてウエノ・
面のフォトレジスト膜を感光させろ構造となっている。
面に塗布したフォトレジストを所望ノくターンに感光さ
せる露光工程がある。この露光工程では一般にプロジェ
クションアライナ−が用いられている。プロジェクショ
ンアライナーは水銀ランプの光をアパチャーによって所
定の解像度に規定した後、マスクを透過させてウエノ・
面のフォトレジスト膜を感光させろ構造となっている。
このアパチャーは第１図に示すように、不透明板１の中
央に円形の透光領域（アパチャー）２を有する構造とな
っていて、アパチャー２の直径りが小さくなるにつｎて
解像度が高くなるが、照射時間が長くなり生産性（スル
ープット）が低くなる。たとえば、アパチャーが呼称１
，５の場合［は量産上最小解像度はアルミ配線で６μｎ
Ｌ、スループット２に対して、アパチャ径がより小さな
呼称２．５の場合には量産上最小解像度は４μｍと高く
なるがスループットは１と小さい。
央に円形の透光領域（アパチャー）２を有する構造とな
っていて、アパチャー２の直径りが小さくなるにつｎて
解像度が高くなるが、照射時間が長くなり生産性（スル
ープット）が低くなる。たとえば、アパチャーが呼称１
，５の場合［は量産上最小解像度はアルミ配線で６μｎ
Ｌ、スループット２に対して、アパチャ径がより小さな
呼称２．５の場合には量産上最小解像度は４μｍと高く
なるがスループットは１と小さい。
そこで、従来はアパチャー径の小さいもσ）と、太きい
ものを２つ用意しておき、工程の難易度によってアパチ
ャーを使い分けて、高品質化、高生産性化を図っている
。
ものを２つ用意しておき、工程の難易度によってアパチ
ャーを使い分けて、高品質化、高生産性化を図っている
。
しかし、工程の難易度に対応させて、ぞの都度アパチャ
ーの交換を手作業で行なうことは、作業性が低くなる欠
点がある。
ーの交換を手作業で行なうことは、作業性が低くなる欠
点がある。
したがって、本発明の目的はアパチャー径を自由に調整
できる絞り構造として、パターンに即した感光を高能率
的に行なうことのできるプロジェクションアライナ−を
提供ｊろことにｅ）ル。
できる絞り構造として、パターンに即した感光を高能率
的に行なうことのできるプロジェクションアライナ−を
提供ｊろことにｅ）ル。
このような目的を達成するために本発明は、解像度を規
定するアパチャーを絞り構造として、アパチャーの口径
乞調整可能にしてなるものであって、以下、実施例によ
り本発明を説明する。
定するアパチャーを絞り構造として、アパチャーの口径
乞調整可能にしてなるものであって、以下、実施例によ
り本発明を説明する。
第２図は本発明の一実施例によるプロジェクションアラ
イナ−の光学系を示す概略図、笛３図（ａ）。
イナ−の光学系を示す概略図、笛３図（ａ）。
（ｂｌは同じくアパチャーの絞り構造を示す説明図であ
る。第２図に示すように、プロジェクションアライナ−
は、水銀ランプ３から発光する紫外光（光束）４をレン
ズ系５によって案内してフィルター６を通す。フィルタ
ー６では所望の波長領域の紫外光４が取り出され、この
紫外光４＆′ｉコールドミラー７で光路を変えかつ冷却
（マスク等の熱変形を防止する目的で行なう。）さｔて
スリット８を通過する。スリット８では均一な感光が行
なえるように高輝度領域の光のみを透過させる。スリッ
ト８を透過した光束４は板状ミラー９ＶＣよって下方に
向かい凹面鏡からなるミラーＩＯで反射して上方に向か
い、レンズ１１で平行光束となってマスク１２を通過す
る。マスク１２を通過した上方に向かう光束４は凹面鏡
１３．凸面鏡１４゜凹面鏡１５と順次反射され、マスク
１２かも凹面鏡１３に進む光束と平行な光束４となって
下方に向かい、ウェハ１６面に到達する。この結果、マ
スク１２に描かれたパターンに対応して、ウェハ１６面
のフォトレジスト（感光剤）が等倍の状態で感光する。
る。第２図に示すように、プロジェクションアライナ−
は、水銀ランプ３から発光する紫外光（光束）４をレン
ズ系５によって案内してフィルター６を通す。フィルタ
ー６では所望の波長領域の紫外光４が取り出され、この
紫外光４＆′ｉコールドミラー７で光路を変えかつ冷却
（マスク等の熱変形を防止する目的で行なう。）さｔて
スリット８を通過する。スリット８では均一な感光が行
なえるように高輝度領域の光のみを透過させる。スリッ
ト８を透過した光束４は板状ミラー９ＶＣよって下方に
向かい凹面鏡からなるミラーＩＯで反射して上方に向か
い、レンズ１１で平行光束となってマスク１２を通過す
る。マスク１２を通過した上方に向かう光束４は凹面鏡
１３．凸面鏡１４゜凹面鏡１５と順次反射され、マスク
１２かも凹面鏡１３に進む光束と平行な光束４となって
下方に向かい、ウェハ１６面に到達する。この結果、マ
スク１２に描かれたパターンに対応して、ウェハ１６面
のフォトレジスト（感光剤）が等倍の状態で感光する。
また、解像度を規定ｊ石アパチャー１７は前記凹面鏡か
らなるミラー１０の上部の光路途中に設けられ、絞り構
造となってい”’ｏ−ｒなわら、アパチャー１７は第３
図（ａｌ 、 （ｂｌ［示すように、たとえば、Ａ−Ｈ
で示す点を中心に回動するａ、ｈの絞り片で形作られて
いる。そして、詳細は示さないが、公知のカメラの各種
絞り構造と同様に、各支点Ａ−Ｈは同一円筒体からなる
絞り簡に固定され、絞り筒の正逆回動ＶＣよって、各絞
り片ａ、ｈが支点Ａ−Ｈを中心に同一針正逆回動し、各
絞り片ａ、ｈによって形成される・・ソチングで示すア
バチャー口径は変動する。同図（ａｌでは絞り筒を正転
させて最大アバチャー口径Ｄｍａｘとした例を、同図（
ｂ）は絞り筒を逆転させて最小アバチャー口径Ｄｍｉｎ
とした例を示￥。なお、実際には絞り片はさらに多数配
設されることから、アバチャー口径は略同となる。
らなるミラー１０の上部の光路途中に設けられ、絞り構
造となってい”’ｏ−ｒなわら、アパチャー１７は第３
図（ａｌ 、 （ｂｌ［示すように、たとえば、Ａ−Ｈ
で示す点を中心に回動するａ、ｈの絞り片で形作られて
いる。そして、詳細は示さないが、公知のカメラの各種
絞り構造と同様に、各支点Ａ−Ｈは同一円筒体からなる
絞り簡に固定され、絞り筒の正逆回動ＶＣよって、各絞
り片ａ、ｈが支点Ａ−Ｈを中心に同一針正逆回動し、各
絞り片ａ、ｈによって形成される・・ソチングで示すア
バチャー口径は変動する。同図（ａｌでは絞り筒を正転
させて最大アバチャー口径Ｄｍａｘとした例を、同図（
ｂ）は絞り筒を逆転させて最小アバチャー口径Ｄｍｉｎ
とした例を示￥。なお、実際には絞り片はさらに多数配
設されることから、アバチャー口径は略同となる。
このように７バチヤーを絞り構造としていることから、
アパチャー口径” Ｄｍａｘから■）ｍｌｎに至る領域
で自由に選択することができる。また、その操作も手動
わるいは自動によって絞り筒を正逆回動させるだけでよ
い。この結果、このプロジェクションアライナ−によｔ
ば、感光パターンが精緻となり、その線幅も細くなる場
合の露光工程では、アパチャー口径を小さくして解像度
を高くする。この場合には、露光時間は長くなり生産性
スループット）が小さくなる。しかし、感光パターン（
マスクパターン）が粗大である場合の露光工程では、ア
バチャー口径を大きくして解像度を低くして露光時間を
短縮し、生産性を高くすることができる。
アパチャー口径” Ｄｍａｘから■）ｍｌｎに至る領域
で自由に選択することができる。また、その操作も手動
わるいは自動によって絞り筒を正逆回動させるだけでよ
い。この結果、このプロジェクションアライナ−によｔ
ば、感光パターンが精緻となり、その線幅も細くなる場
合の露光工程では、アパチャー口径を小さくして解像度
を高くする。この場合には、露光時間は長くなり生産性
スループット）が小さくなる。しかし、感光パターン（
マスクパターン）が粗大である場合の露光工程では、ア
バチャー口径を大きくして解像度を低くして露光時間を
短縮し、生産性を高くすることができる。
、ｊ’）、１：５な実施例によれば、露光工程の難易度
に対応してアパチャー口径を自由に選択できることから
高品質の露光が行なえるとともに、生産性の向上も図ｎ
７）。また、この際のアノくチャー口径の調整は手動で
あっても、絞り筒の所定量の回動調整だけで済み、従来
のようなアパチャー板（不透明板）の交換作業に比較し
て簡単かつ短時間で行なえる。この結果、プロジェクシ
ョンアライナーの稼動率の向上も図れ、感光コストの低
減も図れることになる。また、絞り筒の制御を自動にす
れば効果は大となる。
に対応してアパチャー口径を自由に選択できることから
高品質の露光が行なえるとともに、生産性の向上も図ｎ
７）。また、この際のアノくチャー口径の調整は手動で
あっても、絞り筒の所定量の回動調整だけで済み、従来
のようなアパチャー板（不透明板）の交換作業に比較し
て簡単かつ短時間で行なえる。この結果、プロジェクシ
ョンアライナーの稼動率の向上も図れ、感光コストの低
減も図れることになる。また、絞り筒の制御を自動にす
れば効果は大となる。
なお、本発明は前記実施例に限定されるものではなく、
本発明の技術思想に基いてその変形が可能である。
本発明の技術思想に基いてその変形が可能である。
以上のように、本発明によればアバチャー口径を感光工
程の難易度に対応させて自由かつ迅速に調整できること
から、高い生産性を維持させた状態で高品質の感光を行
なうことができるため、歩留向上により、生産コストが
軽減できる。
程の難易度に対応させて自由かつ迅速に調整できること
から、高い生産性を維持させた状態で高品質の感光を行
なうことができるため、歩留向上により、生産コストが
軽減できる。
第１図は従来のアパチャーを示す平面図、第２図は本発
明の一実施例によるプロジェクションアライナ−の光学
系を示す概略図、第３図（ａｌ 、 （ｂｌは同じくア
パチャーの絞り構造を示す説明図である。 ２．１７・・・アパチャー、３・・・水銀ランプ、４・
・・光束、５・・・レンズ系、６・・・フィルター、７
・・・コールドミラー、８・・・スリット、９．１０・
・・ミラー、１１・・・レンズ、１２・・・マスク、１
３．１５・・・凹面鏡、１４・・・凸面鏡、Ａ−Ｈ・・
・支点、ａ−ｈ・・・絞り片。 第 ２ 図 第 １ ７第 ３
図
明の一実施例によるプロジェクションアライナ−の光学
系を示す概略図、第３図（ａｌ 、 （ｂｌは同じくア
パチャーの絞り構造を示す説明図である。 ２．１７・・・アパチャー、３・・・水銀ランプ、４・
・・光束、５・・・レンズ系、６・・・フィルター、７
・・・コールドミラー、８・・・スリット、９．１０・
・・ミラー、１１・・・レンズ、１２・・・マスク、１
３．１５・・・凹面鏡、１４・・・凸面鏡、Ａ−Ｈ・・
・支点、ａ−ｈ・・・絞り片。 第 ２ 図 第 １ ７第 ３
図
Claims (1)
- １、解像度を規定するアパチャーを絞り構造として、ア
パチャーの口径を調整可能にしたことを特徴とするプロ
ジェクションアライナ−０
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57007623A JPS58125033A (ja) | 1982-01-22 | 1982-01-22 | プロジエクシヨンアライナ− |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57007623A JPS58125033A (ja) | 1982-01-22 | 1982-01-22 | プロジエクシヨンアライナ− |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS58125033A true JPS58125033A (ja) | 1983-07-25 |
Family
ID=11670941
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP57007623A Pending JPS58125033A (ja) | 1982-01-22 | 1982-01-22 | プロジエクシヨンアライナ− |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS58125033A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS61112121A (ja) * | 1984-10-24 | 1986-05-30 | Ushio Inc | 露光装置 |
| WO2004046771A1 (en) * | 2002-11-21 | 2004-06-03 | Carl Zeiss Smt Ag | Projection lens with non- round diaphragm for microlithography |
-
1982
- 1982-01-22 JP JP57007623A patent/JPS58125033A/ja active Pending
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS61112121A (ja) * | 1984-10-24 | 1986-05-30 | Ushio Inc | 露光装置 |
| WO2004046771A1 (en) * | 2002-11-21 | 2004-06-03 | Carl Zeiss Smt Ag | Projection lens with non- round diaphragm for microlithography |
| US7221516B2 (en) | 2002-11-21 | 2007-05-22 | Carl Zeiss Smt Ag | Projection lens for a microlithographic projection exposure apparatus |
| CN100399063C (zh) * | 2002-11-21 | 2008-07-02 | 卡尔蔡司Smt股份有限公司 | 带非圆形光阑的微印刷用投影镜头 |
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