JPS58123650A - ストロボ走査電子顕微鏡装置 - Google Patents
ストロボ走査電子顕微鏡装置Info
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- JPS58123650A JPS58123650A JP57005677A JP567782A JPS58123650A JP S58123650 A JPS58123650 A JP S58123650A JP 57005677 A JP57005677 A JP 57005677A JP 567782 A JP567782 A JP 567782A JP S58123650 A JPS58123650 A JP S58123650A
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- circuit
- detector
- electron microscope
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/26—Electron or ion microscopes; Electron or ion diffraction tubes
- H01J37/266—Measurement of magnetic- or electric fields in the object; Lorentzmicroscopy
- H01J37/268—Measurement of magnetic- or electric fields in the object; Lorentzmicroscopy with scanning beams
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- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Analytical Chemistry (AREA)
- Tests Of Electronic Circuits (AREA)
- Testing Or Measuring Of Semiconductors Or The Like (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
発明の技術分野
この発明はストロボ走査電子顕微鏡装置に関する。
発明の技術的背景
走査電子顕微鏡［ＳＥＭ （Ｓｃａｎｎｉｎｇ Ｅｌｅ
ｃｔｒｏｎＭｉｃｒｏ謹ｏｏｐ＠） ］は、一般に試料
表面に電子ビームを照射し、試料表面の電位変化に対応
するレスポンスをＣＲＴに表示することによって試料表
面の顕微鏡像を得るようにしている。
ｃｔｒｏｎＭｉｃｒｏ謹ｏｏｐ＠） ］は、一般に試料
表面に電子ビームを照射し、試料表面の電位変化に対応
するレスポンスをＣＲＴに表示することによって試料表
面の顕微鏡像を得るようにしている。
このＳｇＭを使って、ＬＳＩ（大規模集積回路）の内部
動作の観劇を行なうことができる。これは表面に電位分
布を持ったＬＳＩをＩＭの２次市子像で観察し、負電位
の部分と正電位の部分とのコントラストの差を利用し、
ＬＳＩ内部電位の分布を観察するもので、Ｔ、ＳＩの動
作解析あるいは不良解析の有効な手段となっている。
動作の観劇を行なうことができる。これは表面に電位分
布を持ったＬＳＩをＩＭの２次市子像で観察し、負電位
の部分と正電位の部分とのコントラストの差を利用し、
ＬＳＩ内部電位の分布を観察するもので、Ｔ、ＳＩの動
作解析あるいは不良解析の有効な手段となっている。
また、ＩＣ−４’ＬＳＩ素子の内部を伝搬する電気信号
のような同期現象では、電位変化は毎日規則正しく繰り
返して起る。従って、ある特定の位相だけにパルス電子
ビームを繰り返し照射すると、出力信号はこの位相での
電位に対応したものとなる。そこで、試料表面上の希望
する点にビームを止めておき、試料励振とノヤルス電子
ビームとの位相差を電気的に変化させ、ＣＲＴの横軸に
この移相量を、絣軸に２次電子毎号量をそれぞれ入力す
ることによって、ＣＲＴの画面上に希望点での電圧波形
會表示するようにしたストロボＳ［ＣＭが開発されてい
る。
のような同期現象では、電位変化は毎日規則正しく繰り
返して起る。従って、ある特定の位相だけにパルス電子
ビームを繰り返し照射すると、出力信号はこの位相での
電位に対応したものとなる。そこで、試料表面上の希望
する点にビームを止めておき、試料励振とノヤルス電子
ビームとの位相差を電気的に変化させ、ＣＲＴの横軸に
この移相量を、絣軸に２次電子毎号量をそれぞれ入力す
ることによって、ＣＲＴの画面上に希望点での電圧波形
會表示するようにしたストロボＳ［ＣＭが開発されてい
る。
また、試料観測には大別して次の２つの観測モードがあ
る。すなわち、試料上に機械的プローブを立て、オシロ
スロープでそのプローブ接触点での電圧波形を観、測す
る考え万と類似する波形モードと、ビームを試料面上に
走査し、その２次電子毎号彊をＣＲＴに表示して各位相
点での試料面上の電位コントラスト像を観測する像モー
ドである。このようなＳＫＭによる波形観測を機能的に
行なうために、通常ストロボＳＥＭにコンピュータを結
合して処理が行なわれる。このようなデータ処理装置ｌ
ｌ結合した従来のストロｙ３？ｓＥＭ装置を第１図に示
す。このシステムにおいては、図示しないパルス電子ビ
ーム照射部を有するストロｙＷ ＩＭ本体１で試料から
得られた２次電子毎号は、光電子増倍管を用いた２次電
子検出器２によって検出され、アナログ信号として出力
される。この検出器２からのアナログ信号出力は、Ｓ／
Ｎ比改善のために設けられた受動ＲＣ積分回路３にて積
分された後、アナログ・デジタル（Ａ／Ｄ）変換器４で
デジタル信号に変換される。このデジタル信号はコンピ
ュータ処理系５に取り込まれ、ここで所定のデータ処理
が実行される。このコンピュータ処理系５によって、上
記・♀ルスｔｉ１１子ビーム照射部による電子ビーム照
射と試料励振との同期をとるためＳＥＭコントローラ６
を制御する。このＳＥＭコントロー２６ｄスキャンコン
トローラ７を制御し、電子ビームによる所定の試料観測
点を走査させる。
る。すなわち、試料上に機械的プローブを立て、オシロ
スロープでそのプローブ接触点での電圧波形を観、測す
る考え万と類似する波形モードと、ビームを試料面上に
走査し、その２次電子毎号彊をＣＲＴに表示して各位相
点での試料面上の電位コントラスト像を観測する像モー
ドである。このようなＳＫＭによる波形観測を機能的に
行なうために、通常ストロボＳＥＭにコンピュータを結
合して処理が行なわれる。このようなデータ処理装置ｌ
ｌ結合した従来のストロｙ３？ｓＥＭ装置を第１図に示
す。このシステムにおいては、図示しないパルス電子ビ
ーム照射部を有するストロｙＷ ＩＭ本体１で試料から
得られた２次電子毎号は、光電子増倍管を用いた２次電
子検出器２によって検出され、アナログ信号として出力
される。この検出器２からのアナログ信号出力は、Ｓ／
Ｎ比改善のために設けられた受動ＲＣ積分回路３にて積
分された後、アナログ・デジタル（Ａ／Ｄ）変換器４で
デジタル信号に変換される。このデジタル信号はコンピ
ュータ処理系５に取り込まれ、ここで所定のデータ処理
が実行される。このコンピュータ処理系５によって、上
記・♀ルスｔｉ１１子ビーム照射部による電子ビーム照
射と試料励振との同期をとるためＳＥＭコントローラ６
を制御する。このＳＥＭコントロー２６ｄスキャンコン
トローラ７を制御し、電子ビームによる所定の試料観測
点を走査させる。
このスキャンコントローラ７からの信号と２次電子検出
器２からの信号とが画像表示器（ＣＲＴ ）８に送出さ
れるので、ＣＲＴ Ｂ上には試料の映像が観測されるこ
とになる。
器２からの信号とが画像表示器（ＣＲＴ ）８に送出さ
れるので、ＣＲＴ Ｂ上には試料の映像が観測されるこ
とになる。
第２図は上記従来のメトロがＳＥＭ装置における受動Ｒ
Ｃ槓分回路３の具体的寿構成を示す回路図であり、前記
２次電子検出器２からのアナログ信号出力は抵抗９を介
してコンデンサ１０の一端に結合され、このコンデンサ
１０における端子電圧が積分出力としてアナログ・ディ
ジタル変換器４に与えられる。
Ｃ槓分回路３の具体的寿構成を示す回路図であり、前記
２次電子検出器２からのアナログ信号出力は抵抗９を介
してコンデンサ１０の一端に結合され、このコンデンサ
１０における端子電圧が積分出力としてアナログ・ディ
ジタル変換器４に与えられる。
上記装置ｋにおいては、８７Ｎ比をさらに改善するため
に、同一位相のデータをＮ刈取ｐ込み、コンピュータ処
理系５でソフトウェアによシ平均化処理を行なっている
。このような装置の動作原理を説明すると、凍ず最初の
位相点で信号を８回サンプルし、このサンプル出力を加
算してから次の位相点へ移動し、同じ操作を繰り返して
いく。この時、ビームが観測点に留まってい５− る時間ｔは次式で表わされる。
に、同一位相のデータをＮ刈取ｐ込み、コンピュータ処
理系５でソフトウェアによシ平均化処理を行なっている
。このような装置の動作原理を説明すると、凍ず最初の
位相点で信号を８回サンプルし、このサンプル出力を加
算してから次の位相点へ移動し、同じ操作を繰り返して
いく。この時、ビームが観測点に留まってい５− る時間ｔは次式で表わされる。
ｔ＝ｔｐ＋［（ｔム＋ｔａ）Ｎ＋ｔｘ：ＩＭ −（
１）ここで、ｔはビームが観測点に留まっている時間。
１）ここで、ｔはビームが観測点に留まっている時間。
ｔｐはビームが移動した場合のビームが安定する時間。
ｔムはサンプリング回数トを開くための演算に要する時
間。
間。
ｔｓはサンプリング？−）時間。
Ｎはある位相点での信号のサンプリング回数。
ｔｘＦｉ位相を移動させるのに要する時間。
Ｍは位相刻み数。
である。
第３図はコンピータ処理系５でソフト、ウェア処理をし
ない場合（Ｎ＝１）のタイムチャートを示す。電源を投
入すると、ストロ？ＩＭ １ではその内部に設置された
試料、例えばＭＯ８型ＬＳＩに第３図に示す試料内勤作
信号が印加される。この時、第３図に示すビームｉＪ？
ルスが位相刻み数Ｍが設定値になるまで特定な周期で（
試６− 科内部動作の周期とけ必ずしも一致しない）繰り返し、
試料に照射される。これら試利内信号とビーム・ぞルス
に対応した試料からの２次電子信号を２次’＊、子検出
器２が検出して第３図に示すようなアナログ出力信号を
送出する。この検出器２の出力信号は積分回路３に入力
され、ここで積分された後、第３図に示すような積分出
力となる。この積分器３の出力けＡ ／ Ｄ変換器４で
デジタル信号に変換される。この時、コンビーータ処理
系５から第３図に示すようがサンプリングダート信号が
Ａ／Ｄ変排器４に加えられるので、このサンプリングダ
ート信号がノ１イレペルに゛なっているサンプリングダ
ート信号ｔ８の間だけ、Ａ／Ｄｉ換器４からｎ個のデジ
タルデータがコンビーータ処理系５に取り入れられ、こ
こでその平均値がＮ＝１の信号として処理される。
ない場合（Ｎ＝１）のタイムチャートを示す。電源を投
入すると、ストロ？ＩＭ １ではその内部に設置された
試料、例えばＭＯ８型ＬＳＩに第３図に示す試料内勤作
信号が印加される。この時、第３図に示すビームｉＪ？
ルスが位相刻み数Ｍが設定値になるまで特定な周期で（
試６− 科内部動作の周期とけ必ずしも一致しない）繰り返し、
試料に照射される。これら試利内信号とビーム・ぞルス
に対応した試料からの２次電子信号を２次’＊、子検出
器２が検出して第３図に示すようなアナログ出力信号を
送出する。この検出器２の出力信号は積分回路３に入力
され、ここで積分された後、第３図に示すような積分出
力となる。この積分器３の出力けＡ ／ Ｄ変換器４で
デジタル信号に変換される。この時、コンビーータ処理
系５から第３図に示すようがサンプリングダート信号が
Ａ／Ｄ変排器４に加えられるので、このサンプリングダ
ート信号がノ１イレペルに゛なっているサンプリングダ
ート信号ｔ８の間だけ、Ａ／Ｄｉ換器４からｎ個のデジ
タルデータがコンビーータ処理系５に取り入れられ、こ
こでその平均値がＮ＝１の信号として処理される。
背景技術の問題点
前記（１）式から判るようにソフト処理する場合は、さ
らに第３図の場合のＮ倍の時間ビームが照射されること
に々る。この様に積分回路３を用いた積分方式での信号
のサンプリングは、Ｓ／Ｎ比の改善には有効であるが測
定時間がかかり、試料面に対してビーム照射時間が長く
なる。
らに第３図の場合のＮ倍の時間ビームが照射されること
に々る。この様に積分回路３を用いた積分方式での信号
のサンプリングは、Ｓ／Ｎ比の改善には有効であるが測
定時間がかかり、試料面に対してビーム照射時間が長く
なる。
−万、電子ビームの照射効果による素子への悪影響は通
常、照射線量すなわち単位面積当シの照射電流と照射時
間の積に依存し、特に前述した波形モードでの観測は点
照射となり、照射条件は像モードの面照射に比べてさら
に悪く々る。
常、照射線量すなわち単位面積当シの照射電流と照射時
間の積に依存し、特に前述した波形モードでの観測は点
照射となり、照射条件は像モードの面照射に比べてさら
に悪く々る。
甘た、試料がバイポーラ素子の場合にはビームとの相互
作用はそれほど問題とはならないが、ＭＯ８素子の場合
には上記装置によるビーム照射のため臨界電圧ｖＴ■、
その他に変化を引起こし、正確な試料表面の電位変化を
測定することが難しかった。
作用はそれほど問題とはならないが、ＭＯ８素子の場合
には上記装置によるビーム照射のため臨界電圧ｖＴ■、
その他に変化を引起こし、正確な試料表面の電位変化を
測定することが難しかった。
さらに、受動ＲＣＣ仕分回路の致命的な欠点は、試料励
振の繰り返し一号のインターバルによって積分値が影響
を受けることである。このことは、励振周波数をある範
囲内で自由に選べる試料、たとえばメモリ回路を観測す
る場合にはさほど問題にはなら力いが、マイクロプロセ
ツサ（ＣＰＵ ）などのランダムロジックを観測する場
合は問題となる。特に、ＣＰＵはどの命令を実行するに
しても実行前には必らず、その命令の解読ルーチン（フ
ェッチサイクル）を実行しなくては々らない。たとえば
、基本クロック周波数が８ ＭＨｚで動作するＣＰＵの
アダー回路を観測したい時、加算命令は４ステート後（
１ステート１２５μ８）に実行されるため、観測者にと
っては５００μＢごとにアダー回路が観測されることに
なる。一般に、ステート数はＣＰＵの種類及び命令の種
類によっても異なるが、最大１８ステート数くらいあり
、ステート数の多い命令を実行した場合などは積分回路
３の積分値の直流成分が減少し、２次電子検出器２の出
力のＳｌＮ比が低下したり、あるいはコンピュータ処理
系５にデータの読込みが不可能にもなシかねない等の不
都合が発生する。
振の繰り返し一号のインターバルによって積分値が影響
を受けることである。このことは、励振周波数をある範
囲内で自由に選べる試料、たとえばメモリ回路を観測す
る場合にはさほど問題にはなら力いが、マイクロプロセ
ツサ（ＣＰＵ ）などのランダムロジックを観測する場
合は問題となる。特に、ＣＰＵはどの命令を実行するに
しても実行前には必らず、その命令の解読ルーチン（フ
ェッチサイクル）を実行しなくては々らない。たとえば
、基本クロック周波数が８ ＭＨｚで動作するＣＰＵの
アダー回路を観測したい時、加算命令は４ステート後（
１ステート１２５μ８）に実行されるため、観測者にと
っては５００μＢごとにアダー回路が観測されることに
なる。一般に、ステート数はＣＰＵの種類及び命令の種
類によっても異なるが、最大１８ステート数くらいあり
、ステート数の多い命令を実行した場合などは積分回路
３の積分値の直流成分が減少し、２次電子検出器２の出
力のＳｌＮ比が低下したり、あるいはコンピュータ処理
系５にデータの読込みが不可能にもなシかねない等の不
都合が発生する。
発明の目的
したがって、この発明の目的に、２次電子の９−
検出を試料励振の繰シ返し信号のインターバルに影響さ
れることなしに行なうことができ、試料表面への電子ビ
ーム照射時間を最小にすることによってビームによる影
響をうけやすく素子への悪影響が極めて少ガいストロボ
走査電子顕微鏡装置を提供することにある。
れることなしに行なうことができ、試料表面への電子ビ
ーム照射時間を最小にすることによってビームによる影
響をうけやすく素子への悪影響が極めて少ガいストロボ
走査電子顕微鏡装置を提供することにある。
発明の概要
この発明によるスｉ・口が走査重子顕微鏡装置は、２次
電子検出器とこの検出器出力を積分する受動型積分回路
との間にダイオードを順方向に挿入することＫよって、
試料励振の繰り返しイ＝号のインターバルにおける放電
を阻止して短時間で所定の積分出力が得られるようにし
たものである。したがって、試料表面への電子ビーム照
射時間を最小にすることができ、ビームによる影響をう
けやすい素子への悪影響は極めて少なくなる。１だ観、
測点が移動する場合にはＭＯＳ ＦＥＴを介して受動型
積分回路がリセットされる。
電子検出器とこの検出器出力を積分する受動型積分回路
との間にダイオードを順方向に挿入することＫよって、
試料励振の繰り返しイ＝号のインターバルにおける放電
を阻止して短時間で所定の積分出力が得られるようにし
たものである。したがって、試料表面への電子ビーム照
射時間を最小にすることができ、ビームによる影響をう
けやすい素子への悪影響は極めて少なくなる。１だ観、
測点が移動する場合にはＭＯＳ ＦＥＴを介して受動型
積分回路がリセットされる。
発明の実施例
１０−
以下図面を参照してこの発明の詳細な説明する。第４図
はこの発明ｒ（よるストロ？走査電子顕微鏡装置の構成
図であり、第１図と同−鋤所は同一符号を付して説明す
る。第４図に示すように、コンピュータ処理系５によっ
テＳＥＭ ：１ントローラ６が制御され、さらにこのＳ
ＥＥＭコントローラ６によってストロ＆ＳＥＭ本体１お
よびスキャンコントローラ７が駆動される。
はこの発明ｒ（よるストロ？走査電子顕微鏡装置の構成
図であり、第１図と同−鋤所は同一符号を付して説明す
る。第４図に示すように、コンピュータ処理系５によっ
テＳＥＭ ：１ントローラ６が制御され、さらにこのＳ
ＥＥＭコントローラ６によってストロ＆ＳＥＭ本体１お
よびスキャンコントローラ７が駆動される。
ストロがＩＭ本体１の２次電子検出器２がらのアナログ
出力は、図示極性のダイオード１１を介して受動ＲＣＣ
仕分回路３内抵抗９の一端に供給される。この抵抗９の
他端は、−万端が基準電位点（アース電位点）に結合さ
れた受動ＲＣＣ仕分回路３内コンデンサ１θの他端に結
合され、このコンデンサ１０の端子電圧はアナログ・デ
イノタル変換器４に寿えられる。また、受動ＲＣ積分回
路３の出力端すなわち上記コンデンサ１θの一方端と基
準電位点”との間にはＭＯＳ−ＦＥＴ Ｉ ２のソース
・ドｌ／イン間が挿入され、このＭＯ８ＦＥ’ｐ １２
のｒ−トには前記コンピュータ処理系５から出力される
リセット信号が供給される。
出力は、図示極性のダイオード１１を介して受動ＲＣＣ
仕分回路３内抵抗９の一端に供給される。この抵抗９の
他端は、−万端が基準電位点（アース電位点）に結合さ
れた受動ＲＣＣ仕分回路３内コンデンサ１θの他端に結
合され、このコンデンサ１０の端子電圧はアナログ・デ
イノタル変換器４に寿えられる。また、受動ＲＣ積分回
路３の出力端すなわち上記コンデンサ１θの一方端と基
準電位点”との間にはＭＯＳ−ＦＥＴ Ｉ ２のソース
・ドｌ／イン間が挿入され、このＭＯ８ＦＥ’ｐ １２
のｒ−トには前記コンピュータ処理系５から出力される
リセット信号が供給される。
このような構成でなる装置では、２次電子検出器２から
のアナログ出力を、ダイオード１１を介して受動ＲＣＣ
仕分回路で積分しているために、積分回路３で一度積分
された信号は２次電子検出器２側に再び放電されること
なしに保持される。したがって、２次電子の検出は試料
励振の繰９返し信号のインターバル圧影響されることな
しに行なうことができ、従来よりも短時間で所定のイ★
分出力が得られる。この結果、試料表面への電子ビーム
照射時間を最小にすることができ、これによってビーム
による影響をうけやすい素子への悪影響を極めて少なく
することができる。
のアナログ出力を、ダイオード１１を介して受動ＲＣＣ
仕分回路で積分しているために、積分回路３で一度積分
された信号は２次電子検出器２側に再び放電されること
なしに保持される。したがって、２次電子の検出は試料
励振の繰９返し信号のインターバル圧影響されることな
しに行なうことができ、従来よりも短時間で所定のイ★
分出力が得られる。この結果、試料表面への電子ビーム
照射時間を最小にすることができ、これによってビーム
による影響をうけやすい素子への悪影響を極めて少なく
することができる。
一方、１つの位相点から次の位相点にビームが移動する
場合には、コンピュータ処理系５から予めリセット信号
を出力される。そして上記リセット信号が前１ｉ−：
Ｍｏ５Ｆ’ｇＴ” １２のダートに入力することによ＃
）ＭＯＳＦＥＴ １２がオンし、コンデンサ１０に蓄え
られていた電荷がこのＭＯ８ＦＥＥＴ １２を介して放
電されて受動ＲＣ積分回路３がリセットされる。リセッ
ト後、積分回路３は再びダイオード１ノを介して供給さ
れる２次電子検出器２からのアナログ出力を積分するこ
とになる。
場合には、コンピュータ処理系５から予めリセット信号
を出力される。そして上記リセット信号が前１ｉ−：
Ｍｏ５Ｆ’ｇＴ” １２のダートに入力することによ＃
）ＭＯＳＦＥＴ １２がオンし、コンデンサ１０に蓄え
られていた電荷がこのＭＯ８ＦＥＥＴ １２を介して放
電されて受動ＲＣ積分回路３がリセットされる。リセッ
ト後、積分回路３は再びダイオード１ノを介して供給さ
れる２次電子検出器２からのアナログ出力を積分するこ
とになる。
ところで、前記第２図に示すような受動ＲＣ撹分回路３
を持つ従来のストロキｓＥＭ装置では、２次電子検出器
２の出力レベルによってコンデンサ１０の充放電が行な
われるために、２次電子検出器２の出力に含まれるノイ
ズは積分回路３で相殺され、ＳＺＮ比に関してはすぐれ
ている。
を持つ従来のストロキｓＥＭ装置では、２次電子検出器
２の出力レベルによってコンデンサ１０の充放電が行な
われるために、２次電子検出器２の出力に含まれるノイ
ズは積分回路３で相殺され、ＳＺＮ比に関してはすぐれ
ている。
ところが上記実施例装置では、積分回路３けノイズも一
緒に積分してしまうことになるが、２次電享検出器２か
らの信号に含まれるノイズの量は信号量に関係なく一定
綾であることから、コンピュータ処理系５においてソフ
ト処理で除くことができ、したがってノイズに関しては
あまシ問題とならない。
緒に積分してしまうことになるが、２次電享検出器２か
らの信号に含まれるノイズの量は信号量に関係なく一定
綾であることから、コンピュータ処理系５においてソフ
ト処理で除くことができ、したがってノイズに関しては
あまシ問題とならない。
また、前記ダイオード１ノとしては、正しい信号レベル
を得るために順方向′電位ｖｙが極力低いほうが打着し
く、たとえばＶ、が０．２〜０．３ｖ１３− 程度のシ璽ツキ−ダイオード等が使用可能である。さら
にダイオード１１として、リーク電流が少ない等、逆方
向特性も優れている必要がある。これと同様に、ＭＯＳ
ＦＥＴ １２も特性の優れたものを使用する必要がある
。すなわち、オフ時には、コンデンサ１０が保持してい
る信号レベルのリークをできるだけ防ぐために高いイン
ピーダンス特性を示し、オン時にはリセットをすみやか
に行なうためにオン抵抗の低い特性のものが必要である
。
を得るために順方向′電位ｖｙが極力低いほうが打着し
く、たとえばＶ、が０．２〜０．３ｖ１３− 程度のシ璽ツキ−ダイオード等が使用可能である。さら
にダイオード１１として、リーク電流が少ない等、逆方
向特性も優れている必要がある。これと同様に、ＭＯＳ
ＦＥＴ １２も特性の優れたものを使用する必要がある
。すなわち、オフ時には、コンデンサ１０が保持してい
る信号レベルのリークをできるだけ防ぐために高いイン
ピーダンス特性を示し、オン時にはリセットをすみやか
に行なうためにオン抵抗の低い特性のものが必要である
。
前記第２図に示す従来装置の積分回路３内の抵抗９およ
びコンデンサ１０の値は、試料励振の繰り返し信号のイ
ンターバルに応じた所定の時定数が得られるように設定
されるが、上記実施例装置における積分回路３では前記
したように繰り返し信号のインターバルに一切影響され
ない。したがって、抵抗９の値は電流制限用として適当
な値に設定され、２次電子検出器２からの信号レベルに
もよるがたとえば１０００程度に設定される。そしてま
た、上記のような理１４− 由から特に１１１′流を制限する必要がない場合、抵抗
９に省略してもかまわない。−万、コンデンサ１０の値
はこのコンデンサ１０の端子からのリーク状態によって
決するが、極端に小さな値に設定するとノイズに対して
弱くなるので、適当に大きな値、たとえば２０００ Ｐ
［ｉ’〜１００００ＰＦ程度に設定される。
びコンデンサ１０の値は、試料励振の繰り返し信号のイ
ンターバルに応じた所定の時定数が得られるように設定
されるが、上記実施例装置における積分回路３では前記
したように繰り返し信号のインターバルに一切影響され
ない。したがって、抵抗９の値は電流制限用として適当
な値に設定され、２次電子検出器２からの信号レベルに
もよるがたとえば１０００程度に設定される。そしてま
た、上記のような理１４− 由から特に１１１′流を制限する必要がない場合、抵抗
９に省略してもかまわない。−万、コンデンサ１０の値
はこのコンデンサ１０の端子からのリーク状態によって
決するが、極端に小さな値に設定するとノイズに対して
弱くなるので、適当に大きな値、たとえば２０００ Ｐ
［ｉ’〜１００００ＰＦ程度に設定される。
なお、この発明は上記実施例に限定されるものではなく
、たとえば前記２次電子検出器２とダイオード１１との
間にローフ９スフイルタを介在させることによって、積
分回路３にノイズが供給されることを防止するようにし
てもよい。
、たとえば前記２次電子検出器２とダイオード１１との
間にローフ９スフイルタを介在させることによって、積
分回路３にノイズが供給されることを防止するようにし
てもよい。
また上記実施例では積分回路３をリセットするためにＭ
ＯＳＦＥＴ １２ ｋ用いたが、これはオフ時の抵抗が
十分に高くかつオン抵抗が十分に低いスイッチ菓子であ
れば他にアナログスイッチやＶＭＯＳスイッチを用いる
こともできる。
ＯＳＦＥＴ １２ ｋ用いたが、これはオフ時の抵抗が
十分に高くかつオン抵抗が十分に低いスイッチ菓子であ
れば他にアナログスイッチやＶＭＯＳスイッチを用いる
こともできる。
発明の効果
このようにこの発明によれば、２次電子の検出全試料励
損の繰り返し１ｇ号のインターバルに影響されることな
しに行なうことができ、試料表面への電子ビーム照射時
間を最小にすることによってビームによる影響をうけや
すい素子への悪影譬が極めて少ないストロ？走査電子顕
微儒装置を提供することができる。
損の繰り返し１ｇ号のインターバルに影響されることな
しに行なうことができ、試料表面への電子ビーム照射時
間を最小にすることによってビームによる影響をうけや
すい素子への悪影譬が極めて少ないストロ？走査電子顕
微儒装置を提供することができる。
第１図は従来のストロｙＩ？−ｉＭ査電子顕微鏡装置の
構成図、第２図はその一部の回路図、第３図は上記従来
装置の動作ｆ説明するためのタイムチャート、第４図は
この発明の実施例の構成図である。 １・・・ストロボＳＩＤＭ本体、２・・・２次電子検出
器、３・・・受動ＲＣ積分回路、４・・・アナログ・デ
ィジタル変換器、５・・・コンピュータ処理系、６・・
・ＳＥＭコントローラ、７・・・スキャンコントローラ
、８・・・画像表示器（ＣＲＴ ）、９・・・抵抗、１
０・・・コンデンサ、１１・・・ダイ≠−ド、１２・・
・ＭＯＳＦＥＴ 。
構成図、第２図はその一部の回路図、第３図は上記従来
装置の動作ｆ説明するためのタイムチャート、第４図は
この発明の実施例の構成図である。 １・・・ストロボＳＩＤＭ本体、２・・・２次電子検出
器、３・・・受動ＲＣ積分回路、４・・・アナログ・デ
ィジタル変換器、５・・・コンピュータ処理系、６・・
・ＳＥＭコントローラ、７・・・スキャンコントローラ
、８・・・画像表示器（ＣＲＴ ）、９・・・抵抗、１
０・・・コンデンサ、１１・・・ダイ≠−ド、１２・・
・ＭＯＳＦＥＴ 。
Claims (2)
- （１）試料表面にパルス電子ビームを照射するビーム照
射部を有する走査電子顕微鏡本体と、前記ビーム照射部
の電子ビーム照射と試別励振との同期をとる走査電子顕
微鏡制御部と、前記電子ビーム照射された試料から放出
される２次電子を検出する２次電子検出器と、この検出
器出力を積分する受動型積分回路と、前記２次電、子検
出器と上記受動型積分回路との間に挿入されるダイオー
ド素子と、前記積分回路の出力をアナログ・ディジタル
変換して得られるデータを取り込んで所定の処理を行な
うことに１より前記走査電子顕微鏡制御部を制御するコ
ンピュータ処理系と、前記２次電子検出器の出力を映像
表示する表示手段と、前記受動型積分回路をリセットす
る手段とを具備したことを特徴とするストロボ走査電子
顕微鏡装置。 - （２）前記２次電子検出器と前記ダイオード素子ト（７
） 間にローパスフィルタを介在させた特許請求の範囲
第１項に記賊のストロン２走査電子顕微鏡装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57005677A JPS58123650A (ja) | 1982-01-18 | 1982-01-18 | ストロボ走査電子顕微鏡装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57005677A JPS58123650A (ja) | 1982-01-18 | 1982-01-18 | ストロボ走査電子顕微鏡装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS58123650A true JPS58123650A (ja) | 1983-07-22 |
Family
ID=11617722
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP57005677A Pending JPS58123650A (ja) | 1982-01-18 | 1982-01-18 | ストロボ走査電子顕微鏡装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS58123650A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS60138933A (ja) * | 1983-12-27 | 1985-07-23 | Toshiba Corp | 電気信号のサンプリング方法 |
| JPH01500548A (ja) * | 1986-06-06 | 1989-02-23 | サンタ・バーバラ・リサーチ・センター | フォトダイオードの電子ビーム試験 |
-
1982
- 1982-01-18 JP JP57005677A patent/JPS58123650A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS60138933A (ja) * | 1983-12-27 | 1985-07-23 | Toshiba Corp | 電気信号のサンプリング方法 |
| JPH01500548A (ja) * | 1986-06-06 | 1989-02-23 | サンタ・バーバラ・リサーチ・センター | フォトダイオードの電子ビーム試験 |
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