JPS5812321A - 半導体基板の製造方法 - Google Patents

半導体基板の製造方法

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JPS5812321A
JPS5812321A JP56111390A JP11139081A JPS5812321A JP S5812321 A JPS5812321 A JP S5812321A JP 56111390 A JP56111390 A JP 56111390A JP 11139081 A JP11139081 A JP 11139081A JP S5812321 A JPS5812321 A JP S5812321A
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JP
Japan
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film
substrate
laser
approx
energy
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JP56111390A
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Kunio Nakamura
中村　邦雄
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NEC Corp
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NEC Corp
Nippon Electric Co Ltd
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Publication date
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 本発明は半導体基板の製造方法に係り、特にレーザ光を
用いた半導体基板の形成方法に関するものである。
最近、半導体基板上に形成された絶縁膜の上にシリコン
族を被着し、レーザ光を照射することによってシリコン
族の結晶粒径を肥大化し、素子部作用の基板として用い
る方法が開発されている。
この方法では、従来のシリコン−オン−サファイア基板
（以下、ＳＯＳ基板と称す）と比較して、基板を安価で
製造することができ、しかも、製造した基板の易動度も
ＳＯ８基板よりも高いものが得られている。しかしなが
ら、上記の方法によって製造した基板上に絶縁ゲート型
電界効果トランジスタを形成した場合、ソース、ドレイ
ン間に過剰の漏洩電流が流れるという現象が生ずること
があった。この原因は、シリコン膜と下地の絶縁膜との
界面に存在する界面単位のために、シリコン膜下面に電
流の通路（チャネル）が形成されるためであることが判
った。
本発明は、上記欠点を除去し、漏洩電流の少ないシリコ
ン基板を絶縁膜上に形成する方法を提供するものである
。
本発明の特徴は、あらかじめ、絶縁膜表面に導電性不純
物イオンを注入した後、シリコン族を被着し、レーずで
照射することによってシリコン膜下面に不純物を拡散せ
しめ界面付近でのチャネルの発生を防止し漏洩電流Ｏ少
ないｉｊｉ仮を得ようとするものである。
次に図面を参照して本発明の詳細な説明する。
第１図に於て、シリコン基板ｌ上には醸化膜２が形成さ
れている。次に、ポ田ンイオン３を醸化膜２０表面に注
入する。注入エネルギは５０　ｋ＠Ｖ。
注入量は１０１３乃至１Ｇ”／ｌノ程度である。次に、
第２図に示す様にシリコン裏４を被着する。シリコン＄
４には１０１ｓ乃至１０１６々−程度のｐ型不純物がド
ープされている。被着の方法は、通常の８ｉＨ４ガスを
用いた気相成長法で行い、不純物ガスとしてはＢＣｊ、
ガスを用いれば良い。或いは被着後、イオン注入で不純
物を導入しても良い。また、膜厚は０．５乃至１μｍ程
度が適当である。
次に、レーザ光５を照射する。レーザ光としては、Ｎ４
ｉＹＡＧ　レーザによるパルス波を用いた場合には照射
エネルギは２乃至３Ｊ／−程度が適当であり、アルゴン
イオンレーザによる連続波を用いた場合にはｌＯ乃至１
０Ｗ／−程度が良い０かくして、シリコンＷ７＆４の粒
径は肥大化する。
また、イオン注入によってＳｉＯ，中に導入されたボ田
ンはレーザ光照射によってシリコン基板下面に拡散して
ゆき、チャネルの発生を防止する。したがって、高易動
度、低漏洩電流の基板が得られる。
【図面の簡単な説明】
第１ｍ及び１１２図は本発明の一実施例を説明するため
の基板や断面図である。 なお図において、ｌ・・・半導体基板、２・・・絶縁膜
、３・・・イオンビーム、４・・・シリコン編、５・・
・レーザ光、である。

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. 半導体基板上に形成された絶縁膜の表面に導電性不純物
    イオンを注入する工程と、前記絶縁膜上に、前記導電性
    不純物と同一の導電性不純物をドープしたシリコン膜を
    被着する工程と、レーザ光を照射して、前記シリコン腰
    下面に前記絶縁膜中より゛、前記導電性不純物を拡散せ
    しめると同時に前記シリコン膜の結晶粒径を肥大化する
    工程とを含むことを特徴とする半導体基板の製造方法。
JP56111390A 1981-07-16 1981-07-16 半導体基板の製造方法 Pending JPS5812321A (ja)

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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5225367A (en) * 1989-08-17 1993-07-06 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Method for manufacturing an electronic device

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5225367A (en) * 1989-08-17 1993-07-06 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Method for manufacturing an electronic device

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