JPS58122588A - 表示装置 - Google Patents
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- JPS58122588A JPS58122588A JP58000794A JP79483A JPS58122588A JP S58122588 A JPS58122588 A JP S58122588A JP 58000794 A JP58000794 A JP 58000794A JP 79483 A JP79483 A JP 79483A JP S58122588 A JPS58122588 A JP S58122588A
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- G02—OPTICS
- G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
- G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
- G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour
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- G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
- G02F1/1333—Constructional arrangements; Manufacturing methods
- G02F1/1343—Electrodes
- G02F1/134309—Electrodes characterised by their geometrical arrangement
- G02F1/134336—Matrix
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
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- G02F1/13731—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells characterised by the electro-optical or magneto-optical effect, e.g. field-induced phase transition, orientation effect, guest-host interaction or dynamic scattering based on a field-induced phase transition
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明は、表示装置に関するものである。この表示装置
は、２個の支持板と、これら支持板の対向表面上の細条
状電極の交差パターンによって形成される複数の画素と
、前記電極および前記支持数の露出表面上の対向層と、
前記支持板間のコレステリック液晶層とを具え、この液
晶層に電界を供給すると、液晶層は、一定の電界強度Ｅ
１より小さい電界強度でホーカル−コニック構造を有し
、一定の電界強度Ｅ２より大きい電界強度でホメオト０
ビックーネマチック構造を有し、ＦｌとＥｌ ・との
間の電界強度で前記構造の一方を有し、さらに、画素の
中央部にＥｌとＥｌどの間の電界強度が分布する場合に
、各画素の縁部において１２より大きい電界強度で約２
液晶をホメオトロピック−ネマチック構造に保持する第
１手段を具えている。
は、２個の支持板と、これら支持板の対向表面上の細条
状電極の交差パターンによって形成される複数の画素と
、前記電極および前記支持数の露出表面上の対向層と、
前記支持板間のコレステリック液晶層とを具え、この液
晶層に電界を供給すると、液晶層は、一定の電界強度Ｅ
１より小さい電界強度でホーカル−コニック構造を有し
、一定の電界強度Ｅ２より大きい電界強度でホメオト０
ビックーネマチック構造を有し、ＦｌとＥｌ ・との
間の電界強度で前記構造の一方を有し、さらに、画素の
中央部にＥｌとＥｌどの間の電界強度が分布する場合に
、各画素の縁部において１２より大きい電界強度で約２
液晶をホメオトロピック−ネマチック構造に保持する第
１手段を具えている。
ここに、コレステリック（ｃｈｏｌｅｓｔｅｒｉｃ ）
液晶とは、一定惨のコレステリック液晶が加えられ、混
合物がコレステリック構造を有するネマチック液晶を意
味するものと理解すべきである。
液晶とは、一定惨のコレステリック液晶が加えられ、混
合物がコレステリック構造を有するネマチック液晶を意
味するものと理解すべきである。
従来技術
このような表示装置は、米国特許第４２６４１４９号明
細書により知られており、文字数字または画像情報を表
示するのに用いることができる。
細書により知られており、文字数字または画像情報を表
示するのに用いることができる。
この既知の表示Ｒ１１では、コレステリック液晶が示す
双安定性効果が用いられている。この効果によれば、ら
旋の軸が支持板の表面に対して直交するほぼ透明のコレ
ステリックＭ４造が存在する。電界強度の一定の限界値
以上では、はぼ透明のコレステリック構造は、光散乱ホ
ーカル−コニック（ｆｏｃａｌ −ｃｏｎｉｃ ）構造
に変化する。この光散乱ボーカル−］ニック構造では、
ら旋の軸は支持板の表面に平行に延在する。電界強度が
増大すると、ら旋は解かれ、光散乱ホーカル−コニック
構造は、電界強度Ｅ２より大きい電界強度でホメオトロ
ピック−ネマチック（ｈｏｍｅｏｔｒｏｐｉｃ −ｎｅ
ｍａｔｉｃ ）構造に変化づる。、電界強度に対する転
移特性のヒステリシスの結果、透明ホメオトロピック−
ネマチック構造は、電界強度Ｆ２よりも小さい電界強度
Ｅ１で、光散乱ボーカル−コニック構造に戻る。
双安定性効果が用いられている。この効果によれば、ら
旋の軸が支持板の表面に対して直交するほぼ透明のコレ
ステリックＭ４造が存在する。電界強度の一定の限界値
以上では、はぼ透明のコレステリック構造は、光散乱ホ
ーカル−コニック（ｆｏｃａｌ −ｃｏｎｉｃ ）構造
に変化する。この光散乱ボーカル−］ニック構造では、
ら旋の軸は支持板の表面に平行に延在する。電界強度が
増大すると、ら旋は解かれ、光散乱ホーカル−コニック
構造は、電界強度Ｅ２より大きい電界強度でホメオトロ
ピック−ネマチック（ｈｏｍｅｏｔｒｏｐｉｃ −ｎｅ
ｍａｔｉｃ ）構造に変化づる。、電界強度に対する転
移特性のヒステリシスの結果、透明ホメオトロピック−
ネマチック構造は、電界強度Ｆ２よりも小さい電界強度
Ｅ１で、光散乱ボーカル−コニック構造に戻る。
このホーカル−コニック構造は、電界のない状態で、長
時間にわたって保持される。
時間にわたって保持される。
前記ヒステリシスの結果、液晶層は、Ｅ＋とＥｌとの間
の電界強度で、電界強度Ｅ２よりも大きな伯から始まる
か、あるいはＥｌよりも小さな値から始まるかによって
、透明ホメオトロピック−ネマチック構造にあるか、あ
るいは光散乱ホーカル−コニック構造のいずれかにある
。
の電界強度で、電界強度Ｅ２よりも大きな伯から始まる
か、あるいはＥｌよりも小さな値から始まるかによって
、透明ホメオトロピック−ネマチック構造にあるか、あ
るいは光散乱ホーカル−コニック構造のいずれかにある
。
前記米国特許間ｌ１ｌＩ書に述べられているマトリック
ス表示装置では、前記双安定性効果は次のように利用さ
れている。電極は、平行細条の形で支持板上に設けられ
ている。一方の支持板上の電極は、他方の支持板上の電
極と交差している。一方の支持板上の電極はマトリック
スのいわゆる行を構成し、他方の支持板上の電極はマト
リックスのいわゆる列を構成する。画素は、行電極と列
電極の交差点に設けられＣいる。マトリックスのすべて
の画素は、液晶層をＥｌより大きい電界強度とする電極
の充分高い電圧によって、透明ホメオトロピック−ネマ
チック構造にされる。次に、ＥｌとＥｌどの間の電界強
度を与える電圧をすべての画素に供給する。液晶層は、
しばらくの間透明ホメオトロピックーネマチック状態に
留まる特性を有している。行は連続的に駆動され、情報
は１行あたりの列に書込まれる。散乱状態に変化しなけ
ればならない画素に対しては、ホメオト口ビック−ネマ
チック構造がホーカル−コニック構造に変化ダるまで、
電圧は零にされる。占込み中の行の残りの画素は、ＥＨ
より大きいかまたはＥＨに等しい電界強度を与える電圧
に保たれ、したがって透明ホメＡト１〕ピック〜ネマチ
ックＩ ｆｆｉに留まっている。次に、液晶層に電界強
度ＥＨを与える電圧を、行のづべＣの画素に再び供給す
る。
ス表示装置では、前記双安定性効果は次のように利用さ
れている。電極は、平行細条の形で支持板上に設けられ
ている。一方の支持板上の電極は、他方の支持板上の電
極と交差している。一方の支持板上の電極はマトリック
スのいわゆる行を構成し、他方の支持板上の電極はマト
リックスのいわゆる列を構成する。画素は、行電極と列
電極の交差点に設けられＣいる。マトリックスのすべて
の画素は、液晶層をＥｌより大きい電界強度とする電極
の充分高い電圧によって、透明ホメオトロピック−ネマ
チック構造にされる。次に、ＥｌとＥｌどの間の電界強
度を与える電圧をすべての画素に供給する。液晶層は、
しばらくの間透明ホメオトロピックーネマチック状態に
留まる特性を有している。行は連続的に駆動され、情報
は１行あたりの列に書込まれる。散乱状態に変化しなけ
ればならない画素に対しては、ホメオト口ビック−ネマ
チック構造がホーカル−コニック構造に変化ダるまで、
電圧は零にされる。占込み中の行の残りの画素は、ＥＨ
より大きいかまたはＥＨに等しい電界強度を与える電圧
に保たれ、したがって透明ホメＡト１〕ピック〜ネマチ
ックＩ ｆｆｉに留まっている。次に、液晶層に電界強
度ＥＨを与える電圧を、行のづべＣの画素に再び供給す
る。
１本のラインの透明ホメオトロピック−ネマチック状態
が安定に保持される期間中に、他のラインを駆動するこ
とかできる。しかし、電界強度ＥＨでの透明小メオトロ
ビックーネマチツク構造の安定性は制限される。という
のは、１つの画素の周囲は小−ＩＪルー］ニック状態に
あるからである。
が安定に保持される期間中に、他のラインを駆動するこ
とかできる。しかし、電界強度ＥＨでの透明小メオトロ
ビックーネマチツク構造の安定性は制限される。という
のは、１つの画素の周囲は小−ＩＪルー］ニック状態に
あるからである。
実際には、ホーカル−コニック構造は、ホメオトロピッ
ク−ネマチック構造を有づる液晶部分に変化する特性を
有しＣおり、これは光散乱効果を防げる結果となる。ホ
ーカル−コニック構造のホメオトロピック−ネマチック
構造への変化を防止するＩこめには、Ｆｌとト２どの間
の電界強良が画素の中央部に分布する場合には、各画素
の縁部を電界強度をＥ２よりも大きく保つことが必要で
ある。
ク−ネマチック構造を有づる液晶部分に変化する特性を
有しＣおり、これは光散乱効果を防げる結果となる。ホ
ーカル−コニック構造のホメオトロピック−ネマチック
構造への変化を防止するＩこめには、Ｆｌとト２どの間
の電界強良が画素の中央部に分布する場合には、各画素
の縁部を電界強度をＥ２よりも大きく保つことが必要で
ある。
既知の装置では、これは次のようにして寅現される。す
なわち、溝によって分離された隆起部を、支持板の対向
表面上に設ける。一方の支持板の溝は、他りの支持板の
渦に対して直角に配列されている。これら溝内に細条状
電極を設けて、隆２部上に延在させ、隆起部上で細い細
条によって互いに分館する。
なわち、溝によって分離された隆起部を、支持板の対向
表面上に設ける。一方の支持板の溝は、他りの支持板の
渦に対して直角に配列されている。これら溝内に細条状
電極を設けて、隆２部上に延在させ、隆起部上で細い細
条によって互いに分館する。
しかし、画素の周辺からのホーカル−コニック構造変化
だけでなく、画素内から変化し始めるホーカル−コニッ
ク構造によって、Ｅ＋とＥ２との間の電界強度でホメス
１−ロビツクーネマチツク構造が妨げられることがわか
った。これは、電極に対する不均一性および損傷によっ
て、およびホーカル−コニック構造の形成に対する変化
核を形成するほこり粒子によって生じる。この現象は、
文献“］レステリツク液晶の電界誘起ネマチック構造に
おけるホーカル−］コニックドメインの核化（Ｎ ｕｃ
ｌｅａｔｉｏｎ ｏｆ Ｆｏｃａｌ −Ｃｏｎｉｃ
［） ｏｍａｉｎｓｉｎ ｔｈｅ Ｆｉｅｌｄ
−１ｎｄｕｃｅｄ Ｎ ｅｍａｔｉｃｒ ｅｘｔｕ
ｒｅ ｏｆ ａ Ｃｈｏｌｅｓｔｅｒｉｃ ｌ
−１ｑｕｉｄＣｒｙｓｔａｌ） ” 、 １本の応用物
理ジャーナル（Ｊ ａｐａｎｅｓｅ Ｊｏｕｒｎａｌ
ｏｆ Ａ ｐｐｌｉｅｄＰｈｙｓｉｃｓ） 、
Ｖｏ Ｉ １７． Ｎｏ 、 ２．１９７８年２月ブを
行の３９１−：３９４ページにより知られている。
だけでなく、画素内から変化し始めるホーカル−コニッ
ク構造によって、Ｅ＋とＥ２との間の電界強度でホメス
１−ロビツクーネマチツク構造が妨げられることがわか
った。これは、電極に対する不均一性および損傷によっ
て、およびホーカル−コニック構造の形成に対する変化
核を形成するほこり粒子によって生じる。この現象は、
文献“］レステリツク液晶の電界誘起ネマチック構造に
おけるホーカル−］コニックドメインの核化（Ｎ ｕｃ
ｌｅａｔｉｏｎ ｏｆ Ｆｏｃａｌ −Ｃｏｎｉｃ
［） ｏｍａｉｎｓｉｎ ｔｈｅ Ｆｉｅｌｄ
−１ｎｄｕｃｅｄ Ｎ ｅｍａｔｉｃｒ ｅｘｔｕ
ｒｅ ｏｆ ａ Ｃｈｏｌｅｓｔｅｒｉｃ ｌ
−１ｑｕｉｄＣｒｙｓｔａｌ） ” 、 １本の応用物
理ジャーナル（Ｊ ａｐａｎｅｓｅ Ｊｏｕｒｎａｌ
ｏｆ Ａ ｐｐｌｉｅｄＰｈｙｓｉｃｓ） 、
Ｖｏ Ｉ １７． Ｎｏ 、 ２．１９７８年２月ブを
行の３９１−：３９４ページにより知られている。
弁明の概要
したが・）て本発明の目的は、画素内でのボーカル−コ
ニック構造の形成により生じる妨害の影響をでさるだ【
Ｊ防」１する表示８ｉ置を提供することにある。この目
的のため、本発明は、胃顧に述べた種類の表示装置にお
いて、各画素を多数の副画素に分割しかつ画素の領域に
Ｅｌとヒ２どの間の電’＋’ｉ１強度が弁孔づる場合に
、Ｅ２より大きい電界強度で各副画素の縁部をホメオト
ロピック−ネマチック４＃Ｉ造に保持する第２手段を具
えることを特徴とするものである。各画素を、Ｅ２より
も大きい゛電界強度が分布する縁部によって取囲まれる
多数の小さな１１画素に分割することによって、表面不
拘−竹から勺しるホーカル−コニック構造への変化を、
１個または数個の副画素に制限することができる。その
結果、ホーカル−コニック構造は、画素全体に拡がらず
、したがって前記変化が鎮著になることはない。
ニック構造の形成により生じる妨害の影響をでさるだ【
Ｊ防」１する表示８ｉ置を提供することにある。この目
的のため、本発明は、胃顧に述べた種類の表示装置にお
いて、各画素を多数の副画素に分割しかつ画素の領域に
Ｅｌとヒ２どの間の電’＋’ｉ１強度が弁孔づる場合に
、Ｅ２より大きい電界強度で各副画素の縁部をホメオト
ロピック−ネマチック４＃Ｉ造に保持する第２手段を具
えることを特徴とするものである。各画素を、Ｅ２より
も大きい゛電界強度が分布する縁部によって取囲まれる
多数の小さな１１画素に分割することによって、表面不
拘−竹から勺しるホーカル−コニック構造への変化を、
１個または数個の副画素に制限することができる。その
結果、ホーカル−コニック構造は、画素全体に拡がらず
、したがって前記変化が鎮著になることはない。
本弁明表示装自の第１実施例では、前記第１手段を、前
記支持板上に設けられ且つ溝によって分離され、高さが
前記液晶層の厚さの半分にほぼ等しい第１１１Ｉ起部に
よって形成し、前記第２手段を、前記合溝に形成さμだ
多数の第２１１ｉ１起部によって形成し、前記電極を前
記溝に設け、前記電極を第２隆起部を経て第１隆起部上
に延在させ、第１隆起部りで細条によって互いに分離す
る。各画素は、第２隆起部によって多数の副画素に分割
される。
記支持板上に設けられ且つ溝によって分離され、高さが
前記液晶層の厚さの半分にほぼ等しい第１１１Ｉ起部に
よって形成し、前記第２手段を、前記合溝に形成さμだ
多数の第２１１ｉ１起部によって形成し、前記電極を前
記溝に設け、前記電極を第２隆起部を経て第１隆起部上
に延在させ、第１隆起部りで細条によって互いに分離す
る。各画素は、第２隆起部によって多数の副画素に分割
される。
副画素内の液晶がＥ＋とＥ２との間の電界強度で、ホメ
オトロピック−ネマチック構造またはホーカル−コニッ
ク構造にある場合には、第２隆起部の領域には次のよう
な高電界強度が分布する。すなわら、第２隆起部の領域
での液晶が、Ｅ２より大きい電界強度で安定なホメオト
ロピック−ネマチック状態にあるＪ：うな電界強度であ
る。
オトロピック−ネマチック構造またはホーカル−コニッ
ク構造にある場合には、第２隆起部の領域には次のよう
な高電界強度が分布する。すなわら、第２隆起部の領域
での液晶が、Ｅ２より大きい電界強度で安定なホメオト
ロピック−ネマチック状態にあるＪ：うな電界強度であ
る。
本発明の第２実施例では、第２隆起部の高さを、８Ｆ１
１隆起部の高さにほぼ等しくする。第２隆起部および第
１隆起部は、支持板に対する離間部材として機能する。
１隆起部の高さにほぼ等しくする。第２隆起部および第
１隆起部は、支持板に対する離間部材として機能する。
第１実施例および第２実施例では、電極および支持板の
露出表面りに設けた攻晶配向層を絶縁層として、支持板
の電極間の短絡を防」することかで・きる。絶縁配向層
の代りに、電気絶縁中間層上に配向層を設けることもで
きる。この中間層は、また、配向材料の粘着を改善する
のに役立つ。
露出表面りに設けた攻晶配向層を絶縁層として、支持板
の電極間の短絡を防」することかで・きる。絶縁配向層
の代りに、電気絶縁中間層上に配向層を設けることもで
きる。この中間層は、また、配向材料の粘着を改善する
のに役立つ。
本発明表示装ｄの第３実施例では、第１隆起部上の２個
の電極間の細条の領域に突起部を設ける。
の電極間の細条の領域に突起部を設ける。
支持板は、これら突起部と互いに停台プる。その結梁、
配向層はもはや電気絶縁層である必要はない。
配向層はもはや電気絶縁層である必要はない。
実施例の説明
以ト、本発明を図面に基いて詳細に説明する。
第１図ａは、コレステリック液晶の双安定性効果を用い
る表示装置の電界強度−転移特性を示す。
る表示装置の電界強度−転移特性を示す。
電極との界面′Ｃ″液晶分子の長軸は、電極表面に対し
て垂直に向く。このためには、電極表面に既知のように
表面処理を施す。最初、液晶は、透明プレーナーコニッ
ク構造を有している。この構造では、ら旋の軸は、第１
図ｂ（略図的に示すように、支持板の表面に対して垂直
である。
て垂直に向く。このためには、電極表面に既知のように
表面処理を施す。最初、液晶は、透明プレーナーコニッ
ク構造を有している。この構造では、ら旋の軸は、第１
図ｂ（略図的に示すように、支持板の表面に対して垂直
である。
ら旋のピッチは、ネマチック−コレステリック液晶混合
物の組成と用いるコレステリック液晶とに依存する。電
極間に電圧を供給すると、透明プレーナーコニック構造
は、用いられる液晶に依存する電界強度で、第１図Ｃに
示すように光散乱ホーカル−コニック構造に変化する。
物の組成と用いるコレステリック液晶とに依存する。電
極間に電圧を供給すると、透明プレーナーコニック構造
は、用いられる液晶に依存する電界強度で、第１図Ｃに
示すように光散乱ホーカル−コニック構造に変化する。
ら旋の軸は、支持板に平行な方向に回転する。電界強度
が一定の値の［２より大きく増大すると、ら旋は解かれ
て、透明ホメオトロピック−ネマチック構造が、第１図
ｄに示すように形成される。電界強度が減少すると、電
界強度Ｅｌ＜２２まで、ホメオトロピック−ネマチック
４＃！造が保たれる。これにより小さい電界強度では、
光散乱ホーカル−コニック構造が再び形成される。小−
カル−コニック構造は、電極間の電界強度が減少するま
で保持される。
が一定の値の［２より大きく増大すると、ら旋は解かれ
て、透明ホメオトロピック−ネマチック構造が、第１図
ｄに示すように形成される。電界強度が減少すると、電
界強度Ｅｌ＜２２まで、ホメオトロピック−ネマチック
４＃！造が保たれる。これにより小さい電界強度では、
光散乱ホーカル−コニック構造が再び形成される。小−
カル−コニック構造は、電極間の電界強度が減少するま
で保持される。
電界のない状態では、ホーカル−コニック構造は、アレ
ーナーコニツク構造にゆっくりと変化する。
ーナーコニツク構造にゆっくりと変化する。
しかし、これに要する時間は、マトリックス制御にｄｊ
いて通常の切換え時間に比へて大きいので、動作ントリ
ックス表示装置ではプレーナーコニック構造は発生しな
い。電界強度Ｅｌ＜ＥＨ＜Ｆ２ぐは、初めに電界強度が
Ｆ２より大きい場合には、液晶層は透明ボメオトロビッ
クーネマチック状態にあり、あるいは初めに電界強度が
１１より小さい場合には、液晶層は光散乱ホーカル−コ
ニック状態にある。
いて通常の切換え時間に比へて大きいので、動作ントリ
ックス表示装置ではプレーナーコニック構造は発生しな
い。電界強度Ｅｌ＜ＥＨ＜Ｆ２ぐは、初めに電界強度が
Ｆ２より大きい場合には、液晶層は透明ボメオトロビッ
クーネマチック状態にあり、あるいは初めに電界強度が
１１より小さい場合には、液晶層は光散乱ホーカル−コ
ニック状態にある。
上述した効果（よ、また、液晶分子が、電極に垂直では
なく平行に配向される場合にも生じる。しかし、ら旋の
軸が支持面の表面に対して垂直をなす透明］レステリツ
ク構造は、プレーナーコニック＃４造の代りに、グラン
ドージェーン（Ｇ ｒａｎｄ −ｊｅａｎ）構造と称さ
れる。
なく平行に配向される場合にも生じる。しかし、ら旋の
軸が支持面の表面に対して垂直をなす透明］レステリツ
ク構造は、プレーナーコニック＃４造の代りに、グラン
ドージェーン（Ｇ ｒａｎｄ −ｊｅａｎ）構造と称さ
れる。
第２図は、表示装置の第１実施例を示す。この表示装置
は、ガラス支持板１および２を具え、これらカラス支持
板間に］レステリツク液晶の層を設ける。支持板１およ
び２の対向表面は、３００μｍの最大幅を有し且つ１．
２０１１Ｅ＋の相互ピッチで設けられた第１隆起部３を
有している。２０μｍの最大幅を有する多数の第２隆起
部４を、２本の第１隆起部３間に１００！ｉｎ＋の相互
ピッチで設ける。第１隆起部３および第２隆起部４の高
さは、６μｍである。この例では、２本の第１Ｆｉ起部
３間に９本の第２隆起部４を順次設けるが、簡単にする
ため図には数本の第２隆起部しか示していない。
は、ガラス支持板１および２を具え、これらカラス支持
板間に］レステリツク液晶の層を設ける。支持板１およ
び２の対向表面は、３００μｍの最大幅を有し且つ１．
２０１１Ｅ＋の相互ピッチで設けられた第１隆起部３を
有している。２０μｍの最大幅を有する多数の第２隆起
部４を、２本の第１隆起部３間に１００！ｉｎ＋の相互
ピッチで設ける。第１隆起部３および第２隆起部４の高
さは、６μｍである。この例では、２本の第１Ｆｉ起部
３間に９本の第２隆起部４を順次設けるが、簡単にする
ため図には数本の第２隆起部しか示していない。
第１隆起部３および第２隆起部４は、ガラス板にまず初
めにニッケルー’ＲＭを設け、この層の上にホトラッカ
によって隆起部３および４を形成するためのマスクを既
知の方法で設けることによって形成する。次に、フッ化
アンモニウムおよびフッ化水素の溶液でエツチングを行
なう。第１および第２隆起部３および４間に存在する溝
の深さは、エツチングの期間およびエツチング液の濃度
によって制御する。このようなエツチングによって、ガ
ラス板に充分一様な深さの溝が得られる。約４〜１５μ
ｍの深さを有する溝を、エツチングによって得ることが
できる。第１隆起部３および第２隆起部４は、また、ガ
ラス板上へのシルクスクリーン印刷によって設けること
もできる。第１隆起部３および第２隆起部４は、また、
ホトラッカによって製造することもできる。この場合、
ホトラッカの層を、各支持機上に設【プで、マスクを経
て露光づる。露光されない部分は溶解し、残りの露光部
分が隆起部を形成する。第２隆起部４を経て第１隆起部
５３に延在する電極５を、ガラス板１および２ ｔ：［
Ｘシ【）る。
めにニッケルー’ＲＭを設け、この層の上にホトラッカ
によって隆起部３および４を形成するためのマスクを既
知の方法で設けることによって形成する。次に、フッ化
アンモニウムおよびフッ化水素の溶液でエツチングを行
なう。第１および第２隆起部３および４間に存在する溝
の深さは、エツチングの期間およびエツチング液の濃度
によって制御する。このようなエツチングによって、ガ
ラス板に充分一様な深さの溝が得られる。約４〜１５μ
ｍの深さを有する溝を、エツチングによって得ることが
できる。第１隆起部３および第２隆起部４は、また、ガ
ラス板上へのシルクスクリーン印刷によって設けること
もできる。第１隆起部３および第２隆起部４は、また、
ホトラッカによって製造することもできる。この場合、
ホトラッカの層を、各支持機上に設【プで、マスクを経
て露光づる。露光されない部分は溶解し、残りの露光部
分が隆起部を形成する。第２隆起部４を経て第１隆起部
５３に延在する電極５を、ガラス板１および２ ｔ：［
Ｘシ【）る。
電極５は、第１隆起部３上で１００μｍ幅の細条６によ
っＣＬＬいに分離されている。電極５は、まず初めに、
隆起部３および４が形成されたガラス軟１および２全体
を、約０．１μｍ厚さの酸化インジウムおよび／または
酸化錫の層によって被濁りることにより設ける。マスク
を設けた接、塩化第−７鉄と塩酸との溶液（ＦｅＣβａ
＋ｆ−１（、ｊりによって、電極パターンをエツチング
する。ガラス板１」−の電極５は、たとえば、画素のマ
トリックスの行を構成しガラス板２上の電１１５は、画
素のマトリックスの列を構成する。Ｓｉ ０２の絶縁層
７を、ガラス板１および２の全表面上に、０．５μｍの
厚さにスパッタする。支持板の表面で液晶のホメオトロ
ピック配向を得るためには、絶縁層７を、たとえば、ペ
ルフロロ−シランをへ４、サンに溶解した溶液で処理す
る。絶縁中間層上に配向層を設ける代りに、絶縁配向層
を直接設けることもできる。支持板１および２の第１お
よび第２隆起部３および４は、互いに交差点で接触し、
したがって支持部材を、表示装置の表面が互いに正しい
距離にあるように保つことができる。マトリックスの画
素は、支持板１ ａ＞よび２上の電極５の交差点に存在
する。各画素は、隆起部３上にある電極５の部分によっ
て形成される４つの縁部を有している。これら縁部の領
域では、液晶層の厚さは、画素における液晶層の最大厚
さの半分である。その結果、画素自体が、ＥｌとＦ２と
の間の電界強度ぐホメオトロピック−ネマチック構造に
あるかあるいはホーカル−コニック構造にあるならば、
画素の縁部は、Ｆ２より大きい電界強度で、小メ第１〜
ロビックーネマチック構造である。これにより、画素を
取囲む〕Ａ−カルーコニックｍ造がホメオトロピック−
ネマチック構造に変化することが妨げられる。
っＣＬＬいに分離されている。電極５は、まず初めに、
隆起部３および４が形成されたガラス軟１および２全体
を、約０．１μｍ厚さの酸化インジウムおよび／または
酸化錫の層によって被濁りることにより設ける。マスク
を設けた接、塩化第−７鉄と塩酸との溶液（ＦｅＣβａ
＋ｆ−１（、ｊりによって、電極パターンをエツチング
する。ガラス板１」−の電極５は、たとえば、画素のマ
トリックスの行を構成しガラス板２上の電１１５は、画
素のマトリックスの列を構成する。Ｓｉ ０２の絶縁層
７を、ガラス板１および２の全表面上に、０．５μｍの
厚さにスパッタする。支持板の表面で液晶のホメオトロ
ピック配向を得るためには、絶縁層７を、たとえば、ペ
ルフロロ−シランをへ４、サンに溶解した溶液で処理す
る。絶縁中間層上に配向層を設ける代りに、絶縁配向層
を直接設けることもできる。支持板１および２の第１お
よび第２隆起部３および４は、互いに交差点で接触し、
したがって支持部材を、表示装置の表面が互いに正しい
距離にあるように保つことができる。マトリックスの画
素は、支持板１ ａ＞よび２上の電極５の交差点に存在
する。各画素は、隆起部３上にある電極５の部分によっ
て形成される４つの縁部を有している。これら縁部の領
域では、液晶層の厚さは、画素における液晶層の最大厚
さの半分である。その結果、画素自体が、ＥｌとＦ２と
の間の電界強度ぐホメオトロピック−ネマチック構造に
あるかあるいはホーカル−コニック構造にあるならば、
画素の縁部は、Ｆ２より大きい電界強度で、小メ第１〜
ロビックーネマチック構造である。これにより、画素を
取囲む〕Ａ−カルーコニックｍ造がホメオトロピック−
ネマチック構造に変化することが妨げられる。
ｌ述した実施例の９本の隆起部４は、各画素を１００個
の副画素に分割する。副画素の縁部は、隆起部４によっ
て形成される。隆起部４の領域での歌品層の１ψさは、
副画素の中央部の領域におけるへさの半分ぐある。電極
表面の不均一性またはｖｌれによ・）で、副画素内にホ
ーカル−コニック構造が形成されるならば、この構造は
画素全体には拡がることができない。副画素の縁部に分
布する［２よりも大きい電界強度によって、ボーカル−
］ニック’ｄ４ ｉｋａを、１個の申−副画素に制限づ
ることがＣぎる。
の副画素に分割する。副画素の縁部は、隆起部４によっ
て形成される。隆起部４の領域での歌品層の１ψさは、
副画素の中央部の領域におけるへさの半分ぐある。電極
表面の不均一性またはｖｌれによ・）で、副画素内にホ
ーカル−コニック構造が形成されるならば、この構造は
画素全体には拡がることができない。副画素の縁部に分
布する［２よりも大きい電界強度によって、ボーカル−
］ニック’ｄ４ ｉｋａを、１個の申−副画素に制限づ
ることがＣぎる。
図示の実施例では、第２隆起部４は、第１隆起部３と同
じ高さを有している。しかし、副画素の縁部（・の電界
強度がＦ２よりも人きいならば、第２隆起部４は第１隆
起部３よりも低くすることもできる。
じ高さを有している。しかし、副画素の縁部（・の電界
強度がＦ２よりも人きいならば、第２隆起部４は第１隆
起部３よりも低くすることもできる。
次に、第２実施例を第３図に基いて説明する。
第３図は、表示装置の一部の断面図Ｃあり、第２図と同
じ要素には同じ番号を付して示す。支持部材１および２
は、また、第１隆起部３と第２隆起部４とを具え、これ
ら隆起部上に電極５を設ける。
じ要素には同じ番号を付して示す。支持部材１および２
は、また、第１隆起部３と第２隆起部４とを具え、これ
ら隆起部上に電極５を設ける。
しかし、４Ｃ１＋ａの副と２．５μ謡の高さを有する突
起部１０を、隆起部３上の電極５間の細条上に設（〕る
。第２隆起部４の高さは、３．５μ−である。隆起部の
その他の４払は、第２図の場合と同様である。支持部材
１および２のそれぞれに配向層を設ける。この層は、電
気的に絶縁する必要はない。というのは、支持部材１お
よび２が、突起部１０に対してｎいに係合しているから
である。
起部１０を、隆起部３上の電極５間の細条上に設（〕る
。第２隆起部４の高さは、３．５μ−である。隆起部の
その他の４払は、第２図の場合と同様である。支持部材
１および２のそれぞれに配向層を設ける。この層は、電
気的に絶縁する必要はない。というのは、支持部材１お
よび２が、突起部１０に対してｎいに係合しているから
である。
画素の縁部の領域および副画素の縁部の領域において、
液晶層の厚さは、副画素の中央部におけるよりも小さな
厚さを有している。これら縁部は、副画素の中央部がト
１とＦ２どの間の電界強度でホメオトロピック−ネマチ
ック構造にある翫ならば、ト２より大きい電界強度でホ
メオト口ビックネマチック構造にある。これにより、隣
接画素からの小−カル−コニック構造への変化は妨げら
れ、表面の不均一性に起因するホーノｊルーコニック＃
ｌ造の形成は、１個の単一副画素に制限される。
液晶層の厚さは、副画素の中央部におけるよりも小さな
厚さを有している。これら縁部は、副画素の中央部がト
１とＦ２どの間の電界強度でホメオトロピック−ネマチ
ック構造にある翫ならば、ト２より大きい電界強度でホ
メオト口ビックネマチック構造にある。これにより、隣
接画素からの小−カル−コニック構造への変化は妨げら
れ、表面の不均一性に起因するホーノｊルーコニック＃
ｌ造の形成は、１個の単一副画素に制限される。
第１図は、本発明を採用する表示装置の動作原理を示す
図、 第２図は、表示装置の第１実施例を示１切欠斜視図、 第ご３図は、第２実施例の表示装置の一部の断面図であ
る。 １．２・・・ガラス支持板 ３・・・第１隆起部４・・
・第２隆起部 ５・・・電極６・・・細条
７・・・絶縁層１０・・・突起部
図、 第２図は、表示装置の第１実施例を示１切欠斜視図、 第ご３図は、第２実施例の表示装置の一部の断面図であ
る。 １．２・・・ガラス支持板 ３・・・第１隆起部４・・
・第２隆起部 ５・・・電極６・・・細条
７・・・絶縁層１０・・・突起部
Claims (1)
- １．２個の支持板と、これら支持板の対向表面、ｌの細
条状電極の交差パターンによって形成される複数の画素
と、前記電極および前記支持板の霞出表面上の配向層と
、前記支持板間のコレステリック液晶層とを備え、この
液晶層に電界を供給すると、液晶層は、一定の電界強度
Ｆ１より小さい電界強度でホーカル−１１ニツク＃ｌ！
造を有し、一定の電界強度Ｅ２より大きい電界強度でホ
メオトロビックーネマブック構造を有し、ＥｌとＥｌど
の間の電界強度で前記構造の一方を有し、さらに、画素
の中央部にＥｌとＥｌとの間の電界強度が分布する場合
には、各画素の縁部においてＥｌより大きい電界強度で
前記液晶をホメオトロピック−ネマチック構造に保持す
る第１手段を具える表示装置において、各画素を多数の
副画素に分割しかつ画素の領域にＥｌとＥｌとの間の電
界強度が分布する場合にＥｌより大きい電界強度で各副
画素の縁部をホメオトロピック−ネマチック構造に保持
する第２手段を具えることを特徴とする表示装置。 ２、特許請求の範囲第１項に記載の表示装置において、
前記第１手段を、前記支持板上に設けられ且つ溝によっ
て分離され、高さが前記液晶層の厚さの４分にほぼ等し
い第１隆起部によって形成し、前記第２手段を、前記置
溝に形成された多数の第２隆起部によって形成し、前記
電極を前記溝に設け、前記電極を第２隆起部を経て第１
隆起部上に延在させ、第１隆起部上で細条によって互い
に分離したことを特徴とする表示装置。 ３、特許請求の範囲第２項に記載の表示装置において、
第２隆起部の高さを、第１隆起部の高さにほぼ等しくし
たことを特徴とする表示装置。 ４、特許請求の範囲第２項または第３項に記載の表示装
置において、第１隆起部上の２個の電極間の前記細条の
領域に、突起部を設番プたことを特徴とする表示装置。 ５、特許請求の範囲第１項、第２項、第３項また（よ第
４項に記載の表示装置において、前記電極ｄｊよび前記
支持板の露出表面上の前記配向−を、電気絶縁層とした
ことを特徴とする表示装置。 ６、特許請求の範囲第１項、第２項、第３項または第４
項に記載の表示装置において、前記配向層を、前記電極
および前記支持板の露出表面しに設けられた電気絶縁中
間層上に設けたことを特徴とする表示装置。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| NL8200069 | 1982-01-11 | ||
| NL8200069A NL8200069A (nl) | 1982-01-11 | 1982-01-11 | Weergeefinrichting met vloeibaar kristal. |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS58122588A true JPS58122588A (ja) | 1983-07-21 |
Family
ID=19839056
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP58000794A Pending JPS58122588A (ja) | 1982-01-11 | 1983-01-08 | 表示装置 |
Country Status (7)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US4536059A (ja) |
| EP (1) | EP0083822B1 (ja) |
| JP (1) | JPS58122588A (ja) |
| CA (1) | CA1189171A (ja) |
| DE (1) | DE3270517D1 (ja) |
| HK (1) | HK75886A (ja) |
| NL (1) | NL8200069A (ja) |
Families Citing this family (16)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4763995A (en) * | 1983-04-28 | 1988-08-16 | Canon Kabushiki Kaisha | Spacers with alignment effect and substrates having a weak alignment effect |
| GB8318863D0 (en) * | 1983-07-12 | 1983-08-10 | Secr Defence | Thermochromic liquid crystal displays |
| JPS60188925A (ja) * | 1984-03-09 | 1985-09-26 | Canon Inc | 光学変調素子の製造法 |
| DE3605516A1 (de) * | 1985-02-21 | 1986-09-04 | Canon K.K., Tokio/Tokyo | Optisches funktionselement sowie optische funktionsvorrichtung |
| US4796980A (en) * | 1986-04-02 | 1989-01-10 | Canon Kabushiki Kaisha | Ferroelectric liquid crystal optical modulation device with regions within pixels to initiate nucleation and inversion |
| JPS64930A (en) * | 1987-06-24 | 1989-01-05 | Alps Electric Co Ltd | Liquid crystal element |
| GB8726996D0 (en) * | 1987-11-18 | 1987-12-23 | Secr Defence | Multiplex addressing of ferro-electric liquid crystal displays |
| US5365356A (en) * | 1992-08-11 | 1994-11-15 | Minnesota Mining And Manufacturing Company | Method of fabricating an encapsulated liquid crystal display |
| US5942154A (en) * | 1996-10-28 | 1999-08-24 | Samsung Display Devices Co., Ltd. | Liquid crystal display device and manufacturing method thereof |
| US6519018B1 (en) * | 1998-11-03 | 2003-02-11 | International Business Machines Corporation | Vertically aligned liquid crystal displays and methods for their production |
| US6188457B1 (en) | 1999-04-26 | 2001-02-13 | Industrial Technology Research Institute | Multi-domain liquid crystal display having bump structures which uneven height overlaid by a vertically aligned orientation layer |
| US6747727B2 (en) * | 1999-04-26 | 2004-06-08 | Hong-Da Liu | Method for the manufacture of a liquid crystal display |
| KR100767473B1 (ko) * | 1999-05-31 | 2007-10-17 | 미쯔비시 가가꾸 가부시끼가이샤 | 간실질세포 증식인자 동결건조 제제 |
| JP3683172B2 (ja) * | 2000-11-09 | 2005-08-17 | シャープ株式会社 | 液晶表示素子 |
| TWI331688B (en) * | 2005-11-11 | 2010-10-11 | Ind Tech Res Inst | Reflective liquid crystal display assembly |
| CN106773253B (zh) * | 2016-12-29 | 2019-03-01 | 惠科股份有限公司 | 一种液晶显示面板和液晶显示装置 |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5535393A (en) * | 1978-08-30 | 1980-03-12 | Philips Nv | Display |
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US3902789A (en) * | 1971-10-02 | 1975-09-02 | Philips Corp | Device comprising a layer of liquid crystal |
| US3787110A (en) * | 1972-06-23 | 1974-01-22 | Bell Telephone Labor Inc | Liquid crystal devices |
| US3833287A (en) * | 1973-03-08 | 1974-09-03 | Bell Telephone Labor Inc | Guest-host liquid crystal device |
| US3861783A (en) * | 1973-06-28 | 1975-01-21 | Hughes Aircraft Co | Liquid crystal display featuring self-adjusting mosaic panel |
| DE2542235C3 (de) * | 1975-09-22 | 1978-07-27 | Siemens Ag, 1000 Berlin Und 8000 Muenchen | Flüssigkristall-Anzeige mit bistabiler cholesterinischer Flüssigkristall-Schicht |
| DE2601272A1 (de) * | 1976-01-15 | 1977-07-21 | Siemens Ag | Verfahren und vorrichtung zur darstellung von bildern mittels einer fluessigkristall-(fk-)anzeige |
| CH621200A5 (ja) * | 1978-03-22 | 1981-01-15 | Ebauches Sa |
-
1982
- 1982-01-11 NL NL8200069A patent/NL8200069A/nl not_active Application Discontinuation
- 1982-12-27 US US06/453,423 patent/US4536059A/en not_active Expired - Fee Related
- 1982-12-29 DE DE8282201670T patent/DE3270517D1/de not_active Expired
- 1982-12-29 EP EP82201670A patent/EP0083822B1/en not_active Expired
-
1983
- 1983-01-06 CA CA000419007A patent/CA1189171A/en not_active Expired
- 1983-01-08 JP JP58000794A patent/JPS58122588A/ja active Pending
-
1986
- 1986-10-09 HK HK758/86A patent/HK75886A/xx unknown
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5535393A (en) * | 1978-08-30 | 1980-03-12 | Philips Nv | Display |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| CA1189171A (en) | 1985-06-18 |
| EP0083822B1 (en) | 1986-04-09 |
| HK75886A (en) | 1986-10-17 |
| US4536059A (en) | 1985-08-20 |
| DE3270517D1 (en) | 1986-05-15 |
| EP0083822A1 (en) | 1983-07-20 |
| NL8200069A (nl) | 1983-08-01 |
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