JPS58121796A - カ−ボハイドレ−トおよびホスフエ−ト含有液体媒質醗酵方法 - Google Patents

カ−ボハイドレ−トおよびホスフエ−ト含有液体媒質醗酵方法

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JPS58121796A
JPS58121796A JP57199838A JP19983882A JPS58121796A JP S58121796 A JPS58121796 A JP S58121796A JP 57199838 A JP57199838 A JP 57199838A JP 19983882 A JP19983882 A JP 19983882A JP S58121796 A JPS58121796 A JP S58121796A
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ヴオルフラム・アンデルシユ
フ−ベルト・バ−ル
ゲルハルト・ゴツトシヤルク
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 本発明は醗酵生成物を形成する能力を有する細菌により
、ブタノール、アセトンおよび/またはエタノールを得
るためにカーボハイドレートおよびホスフェート含有液
体媒質を醗酵させる方法に関する。
醗酵生成物を形成する能力を有する細菌によりブタノー
ル、アセトンおよび/またはエタノーヤを得べくカーボ
ハイPレートおよびホスフェート含有液体媒質を醗酵さ
せる方法は数十年来公知とされている。これに関連する
文献としては次の例が引用される。ドイツ特許612,
555゜629.679,635.572.、S59.
389゜683.198,700.495,824.9
32゜920.724,941.184および941.
185英国特許4845,15203,15204,3
19,079゜319、642および496,137゜
日本特許61.5797 米国特許1.315.585.1,510.526.1
.537.597゜1.538,516,1.545.
694,1.668,814゜1.822.139.1
,908,361.1.911.411゜1.913,
164. 1,992,921.2,050.219゜
2.089522,2,089,562,2,107,
262゜2.113.471.2,115,472.2
,123,078゜2.123,039.2,132.
!158.2.1 !19,108゜2.139.11
1.2,198,104.2.202.161゜2.2
<50.126,2,326,425,2,368,0
74゜2.369.680.2,37ス197,2.3
98,857゜2.433,232,2,439,79
1,2.481.263および2,945.786゜ さらにUS−パテント フォータリー(US−Pate
nt Quarterlv)t  12(1932a 
)47−57および15(1932b)がある。
本発明の目的に好適な細菌としては技術的に熟知された
ものが知られており、例えば前述の公報類から得ること
ができる。これらの中でと<K、クロストリジウムアセ
ドグチリカム(C1ostridiun+acetob
utylic国)、サツカログチルアセトニカム(sa
ccharobutylacetonicumχサツカ
ロアセトブチリカム(saccharoacetobu
tylicum) (例えばサツカロアセトブチリカム
−アルファーベータまたは一ガンマ)、サツカロパーグ
チルアセトニカム(saccharoperbutyl
acetonicum)、インバートアセト/チリカム
(invsrtoacetobutylicum)、プ
ロビルジチリカム(prot+ylbutylicum
)、マジソニ(maclisonii)、テトリウム(
tetrylium)およびサツカロプチルアセトニカ
ムーリクエファシエンス(8accharobutyl
acetonicum−1’iguefaciena 
)(例えばサツ力ロプチルアセトニカムリクエファシエ
ンスーアル°ファ、−ベータ、−ガンマまたは−デルタ
)のようなりロストリジウム網の種又は菌株があげられ
る。
さらに、例えば米国特許2107262から公知勇法が
001〜0.15重量嘔の濃度範囲で可溶性ミネラルホ
スフェートの存在において行なわれることが明らかkさ
れている(公報第1頁、左欄、第48〜50行)。添加
するホスフェートの量は予備テストで決定され、そして
醗酵する媒質を取入れた可溶性ミネラルホスフェートの
量に依存している(公報第1頁右欄、第18〜27行お
よび第37〜39行)。
しかしながら、公知技術に基いて得られる所望の醗酵生
成物であるゲタノール、アセトンおよびエタノールの収
量は未だ満足すべきものではなくまたもう一つの不満は
公知技術が連続的方法を包含していないことである。
本発明を証明する試験において、ホスフェート制限が適
用される場合に、連続醗酵が可能であることを見出した
。それ故、本発明の一つの態様は醗酵生成物を形成する
能力のある細菌に卓りブタノール、アセトンおよび/ま
たはエタノールを得るため虻、カーボハイドレートおよ
びホスフェート含有媒質を醗酵させる方法であって、媒
質中の溶解した無機ホスフェートまたは総ホスフェート
につき制限された条件の下で連続的に実施することを特
徴とする方法に関する。
現在、多くの糖含有媒質は、ホスフェートの制限に好適
な範囲を超えている、溶解した無機ホスフェートまたは
総ホスフェートの濃縮物である。
本方法において、かような媒質は、無機または総ホスフ
ェートの媒質の濃度をホスフェートの制限に好適な点ま
で低下させるようなホスフェートの沈澱を行なった後に
のみ使用される。
微生物を使用する連続的方法を実施することを熟知して
いれば、ホスフェート制限に好適な濃度範囲を容易に確
かめることができる。そうすることにより、次のガイド
ラインによることができる。
41、ホスフェート濃度がホスフェート制限に対して高
すぎる選択をする場合には、取入れたホスフェートは消
費されない。もしホスフェート濃度が低すぎる場合には
、光学密度が低下し且つ最悪の場合成長が阻止される。
ホスフェート制限に好適な無機または総ホスフェートの
濃度は1例えば1.0〜0.4ミリモル、好ましく11
0.75〜0.5ミリモルの範囲のものである。
本発明によれば所望の醗酵生成物であるシタノール、ア
セトンおよび/またはエタノールの形成はその後の第2
の処理工程に継続することができることもまた見出され
ている。第2の処理工程it第1の処理工程の如く連続
的に実施できるし、また別法としてバッチ式でもできる
処理条件に関するガイドラインは、第1工程(成長工程
)において、細菌の濃度が常に高(1水mK維持される
こと、その結果安定な状態に到達していることおよび基
質の一部が既にゲタノール、アセトンおよび/またはエ
タノールに変換されていることを保障するような流速の
選択がなされることである。もし高すぎる流速が選択さ
れれば。
一層多くの細胞が形成されるよりも排出されてしまうこ
とになる。逆に、流速が遅すぎる壜台Ki!細胞の成長
が一時阻止される。出来るだけ最少の時間で所望の醗酵
生成物を出来るだけ高収量で得ることが第2工程の目的
である。例えば次の特別な条件が適用される。
第1工程 流速0.04〜0.2OA、好ましくは006〜0.1
5 A  、 pH4,0〜5.0、好ましくは4.0
〜4.7、さらに好ましくは4.3〜4.5:温度30
〜40℃、好ましくは30〜37℃。
第2工程 PH3,0〜5.0、好ましくは4.0〜4.7、さら
に好ましくは4.3〜4.5:温度25〜39℃、好ま
しくは30〜66℃、さらに好ましくは62〜35℃。
本発明のもう一つの実施1様によれば、醗酵生成物を形
成する能力を有する細菌によりブタノール、アセトンお
よび/またはエタノールを得るためにカーボハイドレー
トおよびホスフェート含有液体媒質を醗酵させる)ξツ
チ方法が提供され、そしてこれは 1ff1  カーポハイドレート含有液体媒質が、tO
〜0.4ミリモル、好ましくは0.75〜0.5ミリモ
ルの範囲で媒質中の溶解した一部ホスフエートまたは総
ホスフェートの濃度で用いられ、 1に+  成長相の終了後、3.5〜5.0のPHが適
用されそして (ci  成長相の終了後、低下させた温度が適用され
ることを特命としている。
)ζツチ方法に適用できる条件KyaするガイFライン
は、成長相が、続く醗酵相の温度よりも幾分高い温度に
おいて実施されることである。醗酵相はホスフェートの
消費を開始する。バッチ方法において、pHは3.5、
好ましくは4.0よりも下げるべきでない。
この態様によれば、無機または総ホスフェートの濃度が
tO〜0.4ミリモル以上を示したことを多くのカーゼ
ハイドレート含有醗酵性媒質が示していることに再度注
目すべきである。かような媒質が本発明のバッチ方法に
おいて用いられる前にそれら媒質は無機または総ホスフ
ェートの濃度を1       1.0〜0.4ミリモ
ル、好ましくは0.75〜0,5々リモルの範囲に下げ
るためにホスフェート沈澱に付されている。
下記の4個の数字および6つの実施例は本発明の方法を
一層明確に説明している。実施例で使用された微生物、
クロストリジウム アセトプチリカムハクツチゲンのジ
ャーマンコレクション オプ ミクロオルガニズムに1
731の番号で寄託されている。
A)連続的単一工程法 実施例1 250−の培養槽(P、オクスとの共同で(、BFによ
りデザインされた)が用いられた。このものは窒素およ
び栄養物溶液を導入するためのパイプ、水酸化アルカリ
液投与システム、PHメーター、磁気攪拌器、加熱ジャ
ケットそしてガスおよび細胞懸濁液用のオーバーフロー
パイプを備えていた。
次の組成の水性媒質が用いられた。
醗酵媒質 全ての数値は17当りである。
1G(2P0.            0.190.
735ミリモル (NH4)、So、            2.0.
9FeS04x7H,01589 グルコース×Hρ          6011食塩溶
液            1〇−ビタミン溶1lI1
1− Na2S、0.            35qビタミ
ン溶液 全ての数値は10〇−当りである。
チアミンジクロリ)#        200■4−ア
ミノ安息香酸        200119D(+)−
ビオチン           10w9食塩溶液 全ての数値は11当りである。
Mg5o4x7H,0101 Mail               11Na、M
o04x2H201,9 CaO1,x2H,01N Mn804xH,Ot 5 j1 種々のpH値および0゜127A の一定流速0におい
て、ホスフェートの制@による生成愉濃度が調査された
。結果を第1図および第1表に示す。
第1図および第1表は、ホスフェートの制限により、p
Hの低下に伴ってブタノールおよびアセトンの安定状態
における濃度が増大し且つpH4,3と4.5との間で
最大限に達することを示している。このことから、生成
しているC、アセトブチリカム細胞はここで見出された
条件で溶媒を形成できることが明らかである。それ故に
、アセトン−ブタノール醗酵を連続的に行なうことがで
きる。
変換された相対的に低い量の基質または高い含量の残余
の糖に関しては溶媒醗酵を次の工程に継続できることが
見出された。
B)連続的第2工程方法 実施例2 2!の培養槽<0.91培養容積)が用いられた。
、:ttGt5jF)培養槽(3jJ1111容積:ブ
ラウンノξイオスタート)K連結されている。装置(パ
ドル1     ウィールによりここで攪拌する)及び
媒質は実施例1参照のこと。
工程1における培養条件 pH:  4.3 T : 37℃ D  :  0.125A” RPMニア5 工程2における培養条件 pH:  4.3 T :多様、第2図参照 D  :  0.0375A−” RPM:100 上述した条件下工程1および2における基質および生成
物濃度が第2表にまとめられている。第2図は温度に基
づ(工程2における溶媒生成物を示す。醗生成は試験し
た温度範囲では非有意にのみ変化したにすぎない。第2
表および第2図に示すデータは、ホスフェートの制限に
よって、高い基質変換を包含し且つ所望生成物の高収量
を与えるアセトン−シタノール醗酵を2工程方式で連続
的に行なうことができることを示し文いる。ここで選択
された流速は単なる模範例にすぎない。工1i1におい
て、Dをα04〜[L2OA  の範囲で変化させるこ
とができ、生成物濃度は流速の減少に伴って増加する。
工程2において、培養槽中の保持時間が高水皐の基質変
換を保障すべく充分長くなるように選択せねばならない
。C,アセトゾチリカムDSM1731に関して、次の
法則が見出された。すなわち第2工程における流速が遅
ければ遅いはと最適温度は低くなることである。
表2 連続方式の工程1及び2における基質および生成
物濃度 工1i1       工s2 T:37℃     T:33℃ ゲタノール     415ミリモル     142
 ミリモルア七トン      25.4ミリモル  
    84 ミリモルエタノール     5 ミリ
モル      13 ミリモルブチレート     
194ミリモル      115ミリモルアセテート
     12 ミリモル      15 ミリモ身
アセトン       0.8ミリモル       
2.3ミリモルグルコース   205  ミリモル 
     30.5ミリモル− Po 、            0.075ミリモル
       0.01電リモル各溶媒の基質消費  
 33%     90%69%     86憾 工程2(33℃、醗酵相)と比較して工程1(成長相)
Kおける一層高い温度(37℃)は利点があることを明
らかにした。すなわち一層早く成長すること、さらにブ
タノール濃度が、例えば30℃における濃度の2倍であ
ることを見出した。
もし好適な流速が選択されれば、より高い基質濃度を有
する媒質は均一に高い収量を与える溶媒に変換される。
連続的に第2工程を操作する必要はない。その代りに、
第1工糧の培養槽流出物を集め、例えば30℃、PH4
,3で培養しそして残余の糖が醗酵して溶媒になった後
(15〜2日の間)、収穫することが可能である。
C)ノζツチ方法 実施例3 制御されたアセトン−シタノール醗酵を含む連続培養に
おける前記の条件の下で、ホスフェート制限の原則がノ
ζツチ方法にもまた適用できることを見出した。
媒質および培養槽は実施例2の場合と同様和して選択さ
れた。工程1からの細胞は出発培養物として用いられた
。連続培養から得られた知識に基づいて、次の実験的操
作が採用された。成長相中の培養を37℃で実施した。
この時ホスフェートは未だ媒質中和存在している。次い
でKOHによる滴定が、成長を妨げていたpHの過度に
速い低下を防止した。醗酵相の初めにおいてCpH5以
下、媒質中和ホスフェートを検出できない)、温度を3
0℃に調整した。これらの条件下、/lバッチ培養中C
,アセトブチリカムDSM1751は第6図にプロット
した醗酵/臂ターンを示す。第3図カラ、ホスフェート
の消費およびpH5以下への減少の後、C,アセトブチ
リカムは、6鳴糖溶液を高い収量で溶媒へと醗酵させな
がら、IIから溶媒醗酵に変化する。第4図は、20倍
のホスフェート濃度によ゛る以外、その他の点では同一
条件の下でのノζツチ培養の醗酵パターンを示している
ここでは酸から溶媒醗酵への変換が見られたかっされた
酸は再び品位を下げずに濃度を高めた。このことは一層
低い基質消費ならびに一層低い溶媒の収量をもたらすこ
とになった(第3表参照)。
第3表 3日後のホスフェートの不足および過剰による
バッチ培養中の基質および生 成−濃度 ホスフェート不足    ホスフェート過剰ズタノール
     175 ミリモル     47 ミリモル
アセトン      77 ミリモル     12”
sリモルエタノール     21.5ミリモル   
   4.5ミリモルグチレート8.5ミ1)モル  
   67.5ミリモルアセテート      18 
ミリモル     42 ミリモルアセトン     
 9  ミリモル      7.5ミリモル/ルコー
:x       Q  ミs)モル    129 
 ミリモル03− 4        0 ミリモル     11 ミリ
モル各溶媒の基質消費  1004       57
%87.5嘔      36憾 X)   2日後84ミリモル ××)2日後15ミリモル
【図面の簡単な説明】
第1図はC,アセトブチリカムDSM1731の連続培
養の生成物濃度(250117培養槽)、第2図はC,
アセトブチリカムDSM1731の連続培養の第2工程
における溶媒生成物濃度(54培養槽)第3図(#1.
 (向はC,アセトブチリカムDSM1731の〕ζツ
チ培養結果(ミネラル媒質:0.62<リモ/l/PO
4)、第4図(a)、<14はC,アセトブチリカムD
SM1731のノシツチ培養結果(ミネラル媒質ニ− 12.25ミリモルP04 )を示す。 第1頁の続き 0発 明 者 ゲルハルト・ゴットシャルクドイツ連邦
共和国ノルテンーハ ルデンベルクΦヨハンーヴオル フーシュトラーセ30アー 手続補正書 昭和58年2月22日 1、事件の表示 昭和57年特許願第199838 号 事件との関係:特許出願人 霞が関ビル内郵便局 私書箱第49号 昭和  年  月   日(発送日:昭和  年  月
   日)6、補正により増加する発明の数 0

Claims (1)

  1. 【特許請求の範囲】 (11媒質中の溶解した無機ホスフェートまたは総ホス
    フェートについて制限された条件下、醗酵生成物を形成
    する能力を有する細菌により、ズタノール、アセトンお
    よび/またはエタノールを連続的に得ることを特徴とす
    るカーボハイドレートおよびホスフェート含有媒質を醗
    酵させる方法。 (2)カーボハイドレート含有液体媒質は、ホスフェー
    ト制限に好適な無機または総ホスフェートの濃度に低下
    させるホスフェート沈澱に付されたものを用いることを
    特徴とする特許請求の範囲第1項に記載の方法。 (31カーポハイドレート含有媒質はホスフェート制限
    に好適な濃度までホスフェートが添加されたものを用い
    ることを特徴とする特許請求の範囲第1項記載の方法。 (41カーポハイrレート含有液体媒質が1.0〜0.
    4ミリモル、好ましくは0.75〜0.5ミリモルの範
    囲で無機または総ホスフェートの濃度を示すものとして
    用いられることを特徴とする特許請求の範囲第1項、第
    2項または第3項記載の方法。 (5)2工程または数工程にて行なわれることを特徴と
    する特許請求の範囲第1〜4項いずれかに記載の方法。 (6)第2工程の方法が連続的圧またはバッチ式で行な
    われることを特徴とする特許請求の範囲第5項記載の方
    法。 (7)  次の条件下で行なわれることを特徴とする特
    許請求の範囲第5項または第6項記載の方法。 第1工程 流速0.04〜0.2OA  、好ましくは0.06〜
    0.15A−’:3oH4,O〜5.0、好ましくは4
    ,0〜4.7、さらに好ましくは4.6〜4.5゜温度
    30〜40℃、好ましくは30〜37℃0第2工程 pH3,0〜5.0、好ましくは4.0〜4.7、さら
    に好ましくは4.3〜4.5゜ 温度25〜39℃、好ましくは30〜36℃、さらに好
    ましくは32〜35℃。 (8)  媒質中の溶解した無機ホスフェートまたは総
    ホスフェートについて制限された条件下、醗酵生成物を
    形成する能力を有する細菌により、ブタノール、アセト
    ンおよび/またはエタノールな得ることを特徴とするカ
    ーポハイrレートおよびホスフェート含有媒質を醗酵さ
    せるノ寄ツチ式の方法。 (9)  fy −ホハイ)’レ−)含有媒質は、ホス
    フェート制限に好適な無機または総ホスフェートの濃度
    に低下させるホスフェート沈澱に付されたものを用いる
    ことを特徴とする特許請求の範囲第8項記載の方法。 舖 カーポハイドレート含有媒質はホスフェート制限に
    好適な濃度までホスフェートが添加されたものを用いる
    ことを特徴とする特許請求の範囲第8項記載の方法。 (Ill  g>  カー4ハイドレート含有媒質力ζ
     tO〜0,4ミリモル、好ましくは0.75〜o5ン
    リモルの範囲で媒質中の溶解した無機ホス7エー)また
    け総ホスフェートの濃度で用いられ、h)成長相の終了
    の後%3.5〜5.0のpHが適用され且つ C)成長相の終了の後、低下した温度が適用さ′れるこ
    とを特徴とする特許請求の範囲第8墳、第9項又は第1
    0項記載の方法。
JP57199838A 1981-11-20 1982-11-16 カ−ボハイドレ−トおよびホスフエ−ト含有液体媒質醗酵方法 Pending JPS58121796A (ja)

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