JPS58114623A - Digital-to-analog converter circuit - Google Patents

Digital-to-analog converter circuit

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Publication number
JPS58114623A
JPS58114623A JP23495582A JP23495582A JPS58114623A JP S58114623 A JPS58114623 A JP S58114623A JP 23495582 A JP23495582 A JP 23495582A JP 23495582 A JP23495582 A JP 23495582A JP S58114623 A JPS58114623 A JP S58114623A
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JP
Japan
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transistor
electrode
logic
coupled
current
Prior art date
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Pending
Application number
JP23495582A
Other languages
Japanese (ja)
Inventor
デ−ビツド・ジヨン・ハリス
チヤ−ルズ・レオナ−ド・ヴイン
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Raytheon Co
Original Assignee
Raytheon Co
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Filing date
Publication date
Application filed by Raytheon Co filed Critical Raytheon Co
Publication of JPS58114623A publication Critical patent/JPS58114623A/en
Pending legal-status Critical Current

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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
(57) [Summary] This bulletin contains application data before electronic filing, so abstract data is not recorded.

Description

【発明の詳細な説明】 (技術分野) 本発明はディジタル−アナログ変換回路に関し。[Detailed description of the invention] (Technical field) The present invention relates to a digital-to-analog conversion circuit.

特にモノリシック集積回路構成に適用して好適なディジ
タル−アナログ変換回路に関する。
In particular, the present invention relates to a digital-to-analog conversion circuit suitable for application to a monolithic integrated circuit configuration.

(背景技術) 周知のようにディジタル−アナログコンバータ(以下D
ACと呼ぶ)は広い用途をもっている。
(Background technology) As is well known, digital-to-analog converter (hereinafter referred to as D
AC) has a wide range of applications.

集積回l#%(IC)構成のDACの1つの形式は。One type of DAC in integrated circuit l#% (IC) configuration is.

R−2R抵抗ラダ一回路網を含んでいる。かかるラダー
回路網によれば、電流が回路網の第1の岐路に発生され
、以下順次続く岐路を通る電流は2:1の比率で減少し
て行く、かくしてラダー回路網はその岐12iKバイナ
リ−の重みをもつ電流(これを2進化された電流と呼ぶ
)を発生する。
Contains an R-2R resistor ladder network. According to such a ladder network, a current is generated in the first branch of the network, and the current through the successive branches decreases in a ratio of 2:1, thus the ladder network has a 12 iK binary - A current having a weight of (this is called a binarized current) is generated.

ラダー回路網の各岐路に発生されるバイナリ−の重みを
4つ’IImはそれぞれスイッチに結合される。
The four binary weights generated at each branch of the ladder network are each coupled to a switch.

各スイッチは変換すべきディジタルワードの対応するピ
ットに選択的に応動して動作又は非動作状態にされて電
流を当該ビットの論理状態に応じて選択的に出力バスに
結合又は非結合する。かくしてバイナリ−の型入をもつ
電流は出力バスに選択的に結合され、これによって出力
バスを通じて変換すべきディジタルワードに比例する結
果電流を発生するように組合される。DACに対する解
偉度の要求が増えると、これに応じて変換すべきディジ
タルワードのビット数が増大し、R−2R抵抗ラダ一回
路網の第1の岐路に発生する電流の精度がこれに応じて
一段と厳格になる。例えば上述・ 1、i。
Each switch is selectively activated or deactivated in response to a corresponding pit of the digital word to be converted to selectively couple or decouple current to the output bus depending on the logic state of the bit. Thus, currents of binary type are selectively coupled to the output bus and thereby combined to produce a resultant current proportional to the digital word to be converted over the output bus. As the resolution demands on the DAC increase, the number of bits in the digital word to be converted increases, and the accuracy of the current produced in the first leg of the R-2R resistor ladder network increases accordingly. becomes even more strict. For example, the above-mentioned 1.i.

のFt−2B抵抗ラダー回路網を用いた12ビツトのD
ACにおいて、その第1の岐路の抵抗のN度がその理想
値の0.02(嘩〕以内の精度を保持されなければなら
ない。
12-bit D using Ft-2B resistor ladder network
In an AC, the N degrees of its first branch resistance must be kept accurate to within 0.02 of its ideal value.

R−2Rラダ一回路網の第1番目の抵抗Ell’求され
る高い精度を低減することを示唆する1つの技術は 2
N個の同一の電流源を用意しなければならないものであ
り、ここでNは変換すべぎディジタルワードのピント数
である。しかし、12ビットのり、ACが要求される場
合には比較的多数の11151#が必要なので、ディジ
タルワードの下位ビット(例えば12ビツトのディジタ
ルワードの下位9ピツト)の変換をするためにB−2R
ラダ一回路網を使用し、これに対してディジタルワード
の上位3ビツトの変換に8個の定電流−を使用すること
が提案されている。上位3ピツドについ・て8個の定電
流−から出力バスに選択的に結合された電流はR−28
ラダ一回路網の岐路に発生する1aと加算され、ディジ
タルワードの下位9ビツトに対応する出力バスに選択的
に結合され、これにより重ねの埋に基づいて出力バスを
通って発生される全taが全12ビツトのディジタルワ
ードに比例することになる。このような構成によれば。
One technique suggested to reduce the required high accuracy of the first resistor of the R-2R ladder network is
N identical current sources must be provided, where N is the number of points in the digital word to be converted. However, when a 12-bit signal and AC are required, a relatively large number of 11151#s are required, so B-2R is used to convert the lower bits of a digital word (for example, the lower 9 pits of a 12-bit digital word).
It has been proposed to use a ladder network for which eight constant currents are used for converting the three most significant bits of the digital word. The current selectively coupled to the output bus from the eight constant currents for the top three pins is R-28.
The ladder is summed with 1a occurring at a branch of the network and selectively coupled to the output bus corresponding to the lower 9 bits of the digital word, so that the total ta generated through the output bus based on the stacking is will be proportional to the total 12-bit digital word. According to such a configuration.

8個の定ttlt源のいずれか1つによって発生される
tfiのレベルに誤差があれは、これがDACの精度を
低下させる。従ってこの技術の利点を十分に実現するた
めには、8個の電流源のうち選択されたものを出力バス
に結合するために用いられるスイッチ回路が当該電流源
によって発生される電流のレベルに誤差を生じさせる原
因にならないよ5にすべきである。
Any error in the level of tfi produced by any one of the eight constant ttlt sources will reduce the accuracy of the DAC. Therefore, in order to realize the full benefits of this technique, the switch circuitry used to couple a selected one of the eight current sources to the output bus must have an error in the level of current produced by the current source. It should be set to 5 so that it does not cause this.

しかし従来提案されたスイッチング回路は所望の出力電
流を発生する際Ki[差を生じる原因になる。かかるス
イッチング回路の誤差発生源は、実際の電流源は一般に
有限の出カイ/ビーダ/スをもっているので、電流源か
ら供給される実際の電流はその出力端に供給される電圧
に比例することから起きる。提案されたスイッチング回
路によれば各電流源の出力端に供給される電圧は変換す
べきディジタルワードのビットの論理状態の関数であり
、この場合当該電流源によって発生される電流値は変換
すべきディジタルワードに対して独立ではない、さらに
出力バスを通じて正しい電流を発生する場合にこのスイ
ッチング回路と共に生ずる他の誤差発生源は、各電流源
によって供給される電流が変換すべきディジタルワード
に対応する複数0別個0電気的通路を通9て出力″′に
通過      jしていることから起る。各電気的通
路はアクティブなNPN)ランジスタを含み、この場合
別個のの電気的通路にあるトランジスタが異なるの(エ
ミッタ電流対コレクタ電流の利得比)を有し、またディ
ジタルワードのビットが当該トランジスタのペース電極
に流れかつ電流源によって発生される電流がその通路に
あるトランジスタのエミッターコレクタ電極を通って出
力バスに流れるので。
However, conventionally proposed switching circuits cause a difference in Ki when generating a desired output current. The source of errors in such switching circuits is that the actual current source generally has a finite output voltage, so the actual current supplied by the current source is proportional to the voltage supplied to its output terminal. get up. According to the proposed switching circuit, the voltage supplied at the output of each current source is a function of the logic state of the bits of the digital word to be converted, in which case the current value generated by the current source is Another source of error that occurs with this switching circuit when generating the correct current through the output bus, which is not independent of the digital word, is that the current supplied by each current source corresponds to the digital word to be converted. 0 passes through separate electrical paths to the output ''. Each electrical path includes an active NPN) transistor, in which case the transistors in the separate electrical paths are different. (the gain ratio of emitter current to collector current), and the bits of the digital word flow into the pace electrode of the transistor in question and the current generated by the current source outputs through the emitter-collector electrode of the transistor in its path. Because it flows to the bus.

この電流源によって出力バスを通って流れる合計11流
に実際に含まれる電流値が変換すべきディジタルワード
に応動することになる。さらに提案されたスイッチング
回路は変換すべきディジタルワードに応じたレベル変化
をするトランジスタのペース電極に対するるイツチング
信号を発生し、これにより信号レベルに比較的大きな変
化が生じたとぎ、この信号に応動するトランジスタのス
イッチング時間が大きくなる。
This current source causes the current value actually contained in the total of 11 currents flowing through the output bus to be responsive to the digital word to be converted. Furthermore, the proposed switching circuit generates a switching signal to the pace electrode of the transistor whose level changes depending on the digital word to be converted, and is responsive to this signal when a relatively large change in signal level occurs. The switching time of the transistor increases.

(発明の概要) 本発明によるディジタル−アナログ変換回路は。(Summary of the invention) A digital-to-analog conversion circuit according to the present invention.

スイッチング回路網が変換すべきディジタルワードに従
って複数の定電流源の選択された1つ又はlieを出力
バスに選択的に結合又は非結合して出力バスを通じて当
該ディジタルワードに対応するレベルをもつ出力電流を
発生する。回路網は、ディジタルワードの複数のビット
を選択的に組合せてlll1!にの制御信号を発生しそ
の少くとも1つの制御信号をディジタルワードの複数の
ビットに対応させる論理回路と、Il数のスイッチング
トランジスタを有し、各スイッチングトランジスタは複
数の制御信号のうちの対応するものに結合された制御(
すなわちペース)電極と、複数の定電流源のうちの対応
するものに結合される@1の(すなわちエミッタ)電極
と、出力バスに選択的に結合される第2の(すなわちコ
レクタ)電極とを鳴し。
A switching network selectively couples or decouples a selected one of the plurality of constant current sources to the output bus according to the digital word to be converted to generate an output current having a level corresponding to the digital word through the output bus. occurs. The circuitry selectively combines the bits of the digital word into lll1! a logic circuit that generates control signals for the plurality of control signals and makes the at least one control signal correspond to a plurality of bits of the digital word; and an Il number of switching transistors, each switching transistor corresponding to one of the plurality of control signals. Controls attached to things (
one (i.e., pace) electrode, one (i.e., emitter) electrode coupled to a corresponding one of the plurality of constant current sources, and a second (i.e., collector) electrode coupled selectively to the output bus. Sound.

電流源はこれに結合されたトランジスタの制御電極に導
かれた制御信号に応じて選択的に出力バスに結合又は非
結合される。
The current source is selectively coupled or uncoupled to the output bus depending on a control signal directed to a control electrode of a transistor coupled thereto.

本発明によれば、論理回路網はほぼ等しいスイッチング
レベル変化をする複数の制御信号を発生する。また各電
fIL酸から供給されるIIIEEは紮候すべきディジ
タルワードとほぼ無関係であり、これにより当該電流伽
によって発生される11:諏のレペルに対する出力イン
ピーダンスの影響が変換すべぎディジタルワードとほば
無関係になる。さらに各定電流源は、変換すべきディジ
タルワードに応じて出力バスに結合されたとき、この結
合を命令するディジタルワードとは無関係に複数のスイ
ッチングトランジスタのうち常に同一のトランジスタを
通る。このような構成によって各電流源によって発生さ
れる電流のレベル及びトータル出力電流に対する貢献度
は変換すべ、きディジタルワードとは無関係になり、ま
た出力バスを通つ1流れるトータル電流に対する電流レ
ベルの関係も変換すべきディジタルワードとは無関係で
ある。
According to the invention, the logic circuitry generates a plurality of control signals with approximately equal switching level changes. Also, the IIIEE provided by each electric current is nearly independent of the digital word to be converted, so that the effect of output impedance on the level of 11:00 generated by the current is almost independent of the digital word to be converted. It becomes irrelevant. Furthermore, each constant current source, when coupled to the output bus in accordance with the digital word to be converted, always passes through the same transistor of the plurality of switching transistors, regardless of the digital word commanding this coupling. With such an arrangement, the level of current produced by each current source and its contribution to the total output current is independent of the digital word to be converted and the relationship of current level to the total current flowing through the output bus. is also independent of the digital word to be converted.

本発明の好ましい実施例においては、論理回路網は第1
の複数の論理ゲートを含み、各論理ゲートはディジタル
ワードの少なくとも1つのビットに結合されてAND論
理関係及び当該ビットに対する補数論理関数を演算する
。この論理ゲートはそれぞれ第2の複数の電流源のうち
の対応する電流源に結合される。基準電流源は抵抗を通
じてバイアス電圧に結合され、この抵抗の両端に基準電
流源によって発生されたW*に比例する基準1圧を発生
する。基準電流源は熱的K及び電気的に第2の複数の電
流源と整合されている。第2の複数の電流源はそれぞれ
論理ゲートに含まれている抵抗を通じてバイアス電圧バ
スに直列に結合されている。論理ゲートに結合されたデ
ィジタルワードのビットに応じて、抵抗はこのゲートに
導かれたディジタルワードのビットの論理状態を表わす
論理信号を発生する。第2の複数の電流源はそれぞれ基
準電流源に整合されているので、基準を流源に結合され
ている抵抗は論理ゲートに含まれている抵抗の−に選定
され、これによりこのゲートの抵抗によって発生される
論理信号の状態はその論理信号のレベルが基準電圧より
高いか又は低いかによって決定される。第2の複数の論
理ゲートには第1の複数の論理ゲートによって発生され
る論理信号が与えられてこの論理信号に基づいてN0F
(及び0Rfi算をする。第2の複数のゲートはそれぞ
れスレシホールドレペルtEをもち、基4市圧は第1の
複数の論理ゲートによって発生される。
In a preferred embodiment of the invention, the logic circuitry is the first
, each logic gate being coupled to at least one bit of the digital word to operate an AND logic relationship and a complement logic function on that bit. Each of the logic gates is coupled to a corresponding one of the second plurality of current sources. A reference current source is coupled to the bias voltage through a resistor and produces a reference voltage across the resistor that is proportional to W* produced by the reference current source. The reference current source is thermally K and electrically matched to the second plurality of current sources. Each of the second plurality of current sources is coupled in series to the bias voltage bus through a resistor included in the logic gate. Depending on the bit of the digital word coupled to the logic gate, the resistor generates a logic signal representing the logic state of the bit of the digital word coupled to the gate. Since each of the second plurality of current sources is matched to a reference current source, the resistor coupled to the reference current source is chosen to be the negative of the resistor included in the logic gate, thereby making the resistance of this gate The state of the logic signal generated by the logic signal is determined by whether the level of the logic signal is higher or lower than the reference voltage. The second plurality of logic gates is provided with a logic signal generated by the first plurality of logic gates and based on the logic signal, the N0F
(and 0Rfi calculation. The second plurality of gates each have a threshold level tE, and the base voltage is generated by the first plurality of logic gates.

絶2の複数のゲートはスイッチングトランジスタに約す
る制御信号を発生する。各制御信号の論理状物は、第1
の複数の論理ゲートによって第2の複数の論理ゲートに
与えられる論理信号のレベルと基準電圧のレベルとの関
係によって決まる。このようにして、制御信号の論理状
態の発生に用いられるスレシホールドレベルは、上述の
ように第2の複数の11流源に熱的及び電気的に整合さ
れている基準電fIL源によって発生される。
The plurality of gates in isolation generate control signals for the switching transistors. The logic state of each control signal is the first
is determined by the relationship between the level of the logic signal applied by the plurality of logic gates to the second plurality of logic gates and the level of the reference voltage. In this way, the threshold level used to generate the logic state of the control signal is generated by the reference voltage fIL source which is thermally and electrically matched to the second plurality of 11 sources as described above. be done.

(実施例の説明) 以下図面について本発明の一実施例を詳述する。(Explanation of Examples) An embodiment of the present invention will be described in detail below with reference to the drawings.

第1図において、12ビツトのディジタル−アナログ変
換回M(DAC)10が示され、このDACloは、基
準電圧源+VR,,にfJ場合+10(V))に結合さ
れた基準抵抗16でなる基準電流源14と、@算増幅器
18と1図示のように基準抵抗22を通、る基準電流を
発生させるように構成されたトランジスタ20及び抵抗
22とを含んでなる。複数のトランジスタQ、〜Q8は
図示のようにペース電極をトランジスタ20のペース電
極に接続されている。トランジスタQ1〜Q8のエミッ
タ1に極は対応する抵抗Rを通じて−Vo。[源?この
場合−15(V))に接続されている。ここでトランジ
スタ20のエミッタ領域(符号4xで表わす)は各トラ
ンジスタQ、〜Q8(符号Xで表わす)のエミッタ領域
の4倍であり、また抵抗22の抵抗値は7であるので各
トランジスタQ、〜Q8のコレクタ電極を通って流れる
電流は基準電流IRの1に等しくなる。かくしてトラン
ジスタQ、〜Q8は複数この場合8個の定電流源I、〜
18を構成している。
In FIG. 1, a 12-bit digital-to-analog converter M (DAC) 10 is shown, which DAClo consists of a reference resistor 16 coupled to a reference voltage source +VR, . It includes a current source 14, a computational amplifier 18, and a transistor 20 and a resistor 22 configured to generate a reference current through a reference resistor 22 as shown. A plurality of transistors Q, -Q8 have their pace electrodes connected to the pace electrode of transistor 20 as shown. The emitter 1 poles of the transistors Q1 to Q8 are connected to -Vo through the corresponding resistors R. [source? In this case, it is connected to -15 (V). Here, the emitter area of the transistor 20 (represented by the symbol 4x) is four times the emitter area of each transistor Q, ~Q8 (represented by the symbol X), and since the resistance value of the resistor 22 is 7, each transistor Q, The current flowing through the collector electrode of ~Q8 will be equal to 1 of the reference current IR. Thus, a plurality of transistors Q, ~Q8 in this case eight constant current sources I, ~
It consists of 18.

定電流源1.〜I7はそれぞれ7対のスイッチングトラ
ンジスタQa・Qa′〜Q、、Q、、’の対応するもの
に接続され、電流源工、はFl−2B抵抗ラダーディジ
タル−アナログ変換回W8CDAIC)部3[1に接続
されている。スイッチングトランジスタQalQa′〜
Qg、Qg′ のペース電極は制御ライフ27a。
Constant current source 1. ~I7 are respectively connected to corresponding ones of seven pairs of switching transistors Qa, Qa' ~Q, , Q, , ', and the current source circuit is Fl-2B resistor ladder digital-to-analog conversion circuit W8CDAIC) section 3[1 It is connected to the. Switching transistor QalQa'~
The control life of the pace electrodes Qg and Qg' is 27a.

27a’〜27g 、 27g’を通じてインクリメン
トItm埋部26に接続されると共に1等しい値のバイ
アス抵抗RBを通じてバス28に接続され逓。バス28
にはバイアス電圧VBが接続されている。各トランジス
タ対の一方のトランジスタこの場合Qa〜Qf及びQg
′のコレクタ電極は抵抗R8を通じて出力バス1゜に接
続され、各トランジスタ対の他方のトランジスタすなわ
ちQa′〜Qf′及びQgのコレクタ電極は出力バスエ
。K接続されている。ここでさらに抵抗Rがコレクタ電
極及び出力バスl。間に含まれている。変換すべきディ
ジタルワードの上位3ピツ)B  、B  、B  (
そのうちB1が最上位ビ1   2  3 ラド(MSB)である)はインクリメント論理部26に
結合される。このディジタルワードの下位ピッF B 
4 T B s * B s * 87 * B s 
+ B s + B 1o w B 11 T B 1
□(そのうちB1□が最下位ピッ)(LSB)である)
はR−28抵抗ラダ一回銘網ディジタルーアナログ変換
回路(DAC)部60に結合されている。
27a' to 27g are connected to the increment Itm buried section 26 through 27g' and connected to the bus 28 through a bias resistor RB having a value equal to 1. bus 28
A bias voltage VB is connected to. One transistor of each transistor pair in this case Qa to Qf and Qg
The collector electrode of Qa' to Qf' and Qg is connected to the output bus 1° through a resistor R8, and the collector electrodes of the other transistors of each transistor pair, Qa' to Qf' and Qg, are connected to the output bus 1°. K is connected. Here, a further resistor R is connected to the collector electrode and the output bus l. included in between. Top 3 digital words to be converted) B, B, B (
Of these, B1 is the most significant bit (MSB)) is coupled to increment logic 26. The lower pitch of this digital word F B
4 T B s * B s * 87 * B s
+ B s + B 1ow B 11 T B 1
□ (of which B1□ is the lowest pitch (LSB))
is coupled to an R-28 resistor ladder circuit digital-to-analog converter (DAC) section 60.

ビットB  、B  ・Bに応動して電流ill、〜1
71   2   3 のうちの選択された本のが出力バスエ。に結合され。
Current ill, ~1 in response to bits B, B, and B
The selected books out of 71 2 3 are the output bassue. combined with.

電流源■、〜1□の残りの本のが出力バスl。に結合さ
れ、これKよりバスl。に結合された電流の和がディジ
タルワードの上位3ビツトに比例しかつバス1゜に結合
された電流の和が当該ディジタルワードの上位3ビツト
の補数に比例する。電流源18は基準電流としてR−2
R抵抗ラダ一回路網DAC30(後に詳述する)に与え
られる。しかしここである、スイッチ328〜621は
それぞれ1[flL源l、′〜1.′に結合される。こ
のスイッチ32a〜62iは、1に流切換えを生じさせ
るビットの論理状態に応じて選択的に出力バス1゜又は
l。のいずれかに電流源を結合するスイッチ32aにつ
いて示したと同様の公知の電流スイッチでなる。従つ【
各電流スイッチは一対のトランジスタを含み。
The remaining books of current source ■ and ~1□ are output bus l. , which is coupled to bus K from bus l. The sum of the currents coupled to bus 1° is proportional to the three most significant bits of the digital word, and the sum of the currents coupled to bus 1° is proportional to the complement of the three most significant bits of the digital word. The current source 18 has R-2 as a reference current.
An R resistor ladder is applied to the network DAC 30 (described in detail below). But here, the switches 328-621 are respectively 1[flL source l,'-1. ′. The switches 32a-62i selectively connect the output bus 1° or 1 depending on the logic state of the bit that causes the current switching to 1. is a known current switch similar to that shown for switch 32a coupling a current source to either of the two. obey [
Each current switch includes a pair of transistors.

その一方のトランジスタのベース電極が基4電圧■B、
(この場合1.4(V))に結合され他方のトランジス
タのペース電極が変換すべきディジタルワードのビット
に接続される。ここで−理「1」は当該スイッチに引き
込まれた電流源を出力バス1゜      1に結合し
、また論理「0」は当該スイッチに引ぎ込まれた電流源
をバスl。に結合する。次Lt[fi源1./〜1.′
によって発生されかつ出力バスl。K結合された電流の
和はディジタルワードの下位ビット部分(すなわちビッ
ト84〜B1□)に比例し。
The base electrode of one of the transistors is the base voltage ■B,
(1.4 (V) in this case) and the pace electrode of the other transistor is connected to the bit of the digital word to be converted. where a logic ``1'' couples the current source drawn into the switch in question to the output bus 1.1, and a logic ``0'' couples the current source drawn into the switch into bus 1. join to. Next Lt[fi source 1. /~1. ′
and the output bus l. The sum of the K-coupled currents is proportional to the lower bit portion of the digital word (ie, bits 84-B1□).

また電流源1.′〜l、/によって発生されかつ出カッ
(ス耳に結合された電流の和はビットB、〜B12の補
数に比例する。重ねの埋を用いれば、バス1゜のtfi
のレベルは12ビツトのディジタルワードに比例し、ま
たバス1゜の電流レベルは12ビツトのディジタルワー
ドの補数に比例することが分る。
Also, current source 1. The sum of the currents generated by '~l, / and coupled to the output ear is proportional to the complement of bits B, ~B12. Using overlapping filling, the tfi of bus 1°
It can be seen that the level of is proportional to the 12-bit digital word, and the current level of bus 1° is proportional to the complement of the 12-bit digital word.

インクリメント論理部26(後に第2図について詳述す
る)はピッ)B、+B2及びB3の選択組合せの論理状
態に忘じて制御ライン27a、27a’〜27g、27
g’上に論理信号を発生する。さらに。
The increment logic section 26 (described in detail later with reference to FIG. 2) outputs the logic state of the selected combination of B, +B2 and B3 to the control lines 27a, 27a' to 27g, 27.
Generate a logic signal on g'. moreover.

制御ライン27a 、27a’〜27g、27g’の制
御信号は次の第1表に示されている。ここでE+」は論
理相関数を表わし、「・」は論理積関数を表わし、「−
」は補数関数を表わす。
The control signals for the control lines 27a, 27a'-27g, 27g' are shown in Table 1 below. Here, "E+" represents the logical correlation number, "・" represents the logical product function, and "-
” represents a complement function.

第1表 かくして論理信号は、第2表に示すようなディジタルワ
ードのビットB、lB21B3に応動して制御ライン2
7a、27a’〜27g、27g’上に発生される。
TABLE 1 Thus, the logic signal is applied to control line 2 in response to bits B, 1B21B3 of the digital word as shown in Table 2.
7a, 27a' to 27g, 27g'.

ここで、第2図について明らかにするように。Let me clarify about Figure 2 here.

−理「1」信号が制御ライン27 a−v 27 a’
 〜27g=27g’に与えられたとき、ペース電極を
この制御ラインに接続しているスイッチングトランジス
タQa 、Qa/〜Qg −Qg’は導通状態にバイア
スされ、結合されている電流源工、〜17が結合されて
いる出力バス1゜、1oK通過する。従って電流−1〜
工 はビットB、lBz+B、vc応動してバ7 ス1゜又は1゜のいずれかに選択的に結合され1次の第
6表に表わされるようになることが分る。
- The logic "1" signal is on the control line 27 a-v 27 a'
When ~27g = 27g', the switching transistors Qa, Qa/~Qg -Qg' connecting the pace electrode to this control line are biased into conduction, and the coupled current source, ~17 passes through the output bus 1°, 1oK to which is connected. Therefore, the current -1~
It can be seen that bits B, lBz+B, and vc are selectively coupled to either bus 1° or 1° as shown in Table 6 below.

従ってピッ)B、、B2.B、の関数として、定電流#
11〜I、(それぞれ電流工、を発生している)からバ
スI。及びl。′Ik違って流れるトータル電流は第4
表に示すようになる。
Therefore, B2. As a function of B, the constant current #
Bus I from 11 to I (each generating electric current). and l. 'The total current flowing with different Ik is the fourth
The result will be as shown in the table.

第4表 かくしてインクリメント論理部26は2H個のレベルの
電fi(Nは論理@26に与えられたディジタルワード
のビット数)を出力ラインエ。に結合させることにより
トータル電流がNピントで表わされるディジタルワード
に比例することKなる。
Table 4 Thus, the increment logic unit 26 outputs 2H levels of voltage fi (N is the number of bits of the digital word applied to the logic @26) to the line e. By coupling to K, the total current is proportional to the digital word represented by N pinto.

また電流源I、〜I7のいずれかを出力バス■。・工。In addition, one of the current sources I, to I7 is output to the bus ■.・Eng.

01つに結合する当該論理部20に与えられる2H個の
ディジタルワードのそれぞれに対応して当該電流源が常
に同じスイッチングトランジスタを通過していることが
分る。かくして例えばディジタルワード(0)1o〜(
3)1゜に応動じて電流源工。
It can be seen that the current source always passes through the same switching transistor corresponding to each of the 2H digital words applied to the logic section 20 that are coupled into one. Thus, for example, the digital word (0)1o~(
3) Current source works in response to 1°.

が出力バス1゜に結合され、かつ発生された各ディジタ
ルワードに応答して電流源1 が同じスイ礁 ツチングトランジスタすなわちスイッチングトランジス
タQd′を通過する。同様に−して電流源工2はディジ
タルワード(21,o〜(7)、oに応答して出力バス
1゜K結合され、かつ発生された各ディジタルワードに
応答して電流源12が同じスイッチングトランジスタす
なわちスイッチングトランジスタQ、を介して出力バス
1゜K通過する。このようにすると1選択された電流源
によって出力バスの1つを通じて発生されるトータル電
流に引込まれた電流は、この選択された電流源が常に(
ロ)じスイッチングトランジスタを通って出力バスに結
合されているので、他のスイッチングトランジスタのβ
の影響を受けない。さらにトランジスタQa及びQ a
 /を考えるに、このトランジスタが導通していること
を無視すれば、エミッタ電極及びここではトランジスタ
Q、のコレクタ電極の電圧は■、−■ と等しいことが
分る。ここで■□は導通してll いるトランジスタのペース・エミッタ間降下電圧。
is coupled to output bus 1 DEG and in response to each generated digital word current source 1 passes through the same switching transistor Qd'. Similarly, current source 2 is connected to the output bus 1°K in response to the digital word (21, o to (7), o), and current source 12 is connected to the output bus 1°K in response to each digital word generated. The output bus 1°K is passed through the switching transistor, namely the switching transistor Q. In this way, the current drawn into the total current generated through one of the output buses by one selected current source is connected to this selected current source. current source is always (
b) Since it is coupled to the output bus through the same switching transistor, the β of the other switching transistor is
Not affected by Furthermore, transistors Qa and Q a
Considering /, it can be seen that the voltages at the emitter electrode and the collector electrode of the transistor Q here are equal to -■, if we ignore that this transistor is conductive. Here ■□ is the voltage drop between the pace and emitter of the conducting transistor.

約0.7[V)である。かくして電流源1.〜工、に供
給される電圧は変換すべきディジタルワードとはとんと
無関係であり、電流911〜1.の出力インピーダンス
が当該電流源によって実際に生ずる電流に灼して与える
影IIPは変換すべきディジタルワードとはは無関係で
ある。
It is about 0.7 [V]. Thus the current source 1. The voltages supplied to 911 to 1. are completely independent of the digital word to be converted, and the currents 911 to 1. The effect that the output impedance of IIP on the current actually produced by the current source IIP is independent of the digital word to be converted.

第2図には、インクリメント論理回路網26の詳細構成
がAND−NANDlliiI埋ゲート部42及び0H
−NOFtゲート部44を含んでいることを示している
。AND補数補数1ゲ埋ゲート2は6個のANDゲー)
46,47.48と、6個のインバータ49.50.5
1とを含んでいる。ゲート46〜48及びインバータ4
9,5.1はそれぞれ一1様の構成をもっている。ゲー
ト46〜48及びインバータ49〜51はPNP基準ト
ランジスタ52〜57と、PNP入力トランジスタ52
a 、52b。
In FIG. 2, the detailed configuration of the increment logic circuit network 26 is shown in the AND-NANDlliii buried gate section 42 and the 0H
-NOFt gate section 44 is included. AND complement complement 1 game filling gate 2 is 6 AND games)
46, 47.48 and 6 inverters 49.50.5
1. Gates 46 to 48 and inverter 4
9 and 5.1 each have a unique configuration. Gates 46-48 and inverters 49-51 are connected to PNP reference transistors 52-57 and PNP input transistor 52.
a, 52b.

53a−53b、54a、54b、55a、56a、5
71とを含む。ANDゲート46のトランジスタ52.
52a 、52bはエミッタ電極を共通に端子60aK
接続し、ANDゲート47のトランジスタ53.53a
、53bはエミッタを共通に端子60bに接続し、AN
Dゲート48のトランジスタ54.54a、54bはエ
ミッタを共通に端子60cに接続し、インバータ49の
トランジスタ55.558はエミッタを共通に端子60
dに接続し、インバータ50のトランジスタ56.56
8はエミッタを共通に端子606に接続し、インバータ
51のトランジスタ57.57aはエミッタを共通K1
m子60fに接続し【いる。ピッ)B1はトランジスタ
52b、54b及び57gのベース電極に結合され、ビ
ットB2はトランジスタ53a。
53a-53b, 54a, 54b, 55a, 56a, 5
71. Transistor 52 of AND gate 46.
52a and 52b share the emitter electrode with the terminal 60aK.
transistor 53.53a of AND gate 47
, 53b have their emitters commonly connected to the terminal 60b, and AN
Transistors 54, 54a and 54b of the D gate 48 have their emitters commonly connected to the terminal 60c, and transistors 55, 558 of the inverter 49 have their emitters commonly connected to the terminal 60c.
d and the transistor 56.56 of the inverter 50
8 has its emitter commonly connected to the terminal 606, and transistors 57 and 57a of the inverter 51 have their emitters commonly connected to the terminal 606.
Connected to m child 60f. Bit B1 is coupled to the base electrodes of transistors 52b, 54b and 57g, and bit B2 is coupled to the base electrodes of transistors 53a.

54a及び56aのペース電極に結合され、そしてビッ
トB はトランジスタ52a 、53b及び3 55aのベース電極に結合されている。基準トランジス
タ52〜57のコレクタ電極は等しい値の負荷抵抗RL
を通じてバス64に接続されている。
Bit B is coupled to the pace electrodes of transistors 54a and 56a, and bit B is coupled to the base electrodes of transistors 52a, 53b and 355a. The collector electrodes of the reference transistors 52 to 57 are connected to a load resistance RL of equal value.
It is connected to bus 64 through.

トランジスタ52a、52b、53a、53b及び54
a 、54bのコレクタ電極は直接バス64に接続され
ている。トランジスタ55a、56a、57aは上述の
負荷抵抗RLと値が等しい負荷抵抗R□、を通じてバス
64に接続されている。バイアス電圧V  =(−Vo
。+1.4)(V〕がバス64に接続さ3 れている。熾子60a〜60fは定電流源1a〜1fに
それぞれ接続され、この定tK源はベース電極をバイア
スtEEVB□に接続され、エミッタ電極を+■ooI
源に接続された(ここで■B 2” +V oo  V
 BIt+vo。=5〔■〕)トランジスタ70〜75
を含んでいる。基準トランジスタ78はベース電極をト
ランジスタ52〜57のベース電極に接続し、エミッタ
1極をIIr流源1.’()う/ラスタ80を含の抵抗
の抵抗値は負荷抵抗RLの抵抗値iである)り80はエ
ミッタ電極をバス+■。0に接続し、ベース電極をトラ
ンジスタ70〜75のベース電極に接続している。さら
にトランジスタ8oは1Gの一部に形成され、このIG
KはDACloがトランジスタ70〜75が形成されて
いる場所に近接して形成され、これによりトランジスタ
8oの温度(又は熱)及び電気特性がトランジスタ70
〜75の特性と整合するようになされているうかくして
トランジスタ80のコレクタ電極を通って発生される電
流はトランジスタ70〜75のコレクタを通じて発生さ
れる電流とはぼ等しい。従って電圧V1/2 (約10
0(100(が負荷抵抗、シLの両端に発生すれば、電
圧■、が負荷抵抗すなわち上述のようにして電流を流す
抵抗RLの両端に生ずることになる。ここでビットB 
1参B 2 ! B 3の論理「1」信号は■B1ぴす
なわちt4(V))より太きい電圧によって表わされ、
また論理rOJ信号は      11.4(V)より
小さい電圧によって表わされる。従ってANDゲート4
6.47.48のいずれか1つに一対の入力トランジス
タのベース電極j(与えられたビットが両方共論理「1
」信号であれば、当該ANDゲートの基準トランジスタ
は4通してそのコレクタにrHJすなわち論理「1」出
力電圧(■、+vB3)を発生し、これに対して一対の
ビットのいずれか一方が論理「0」であれば、この論理
信号が与えられたトランジスタが導通し、当該ANDゲ
ートの入力トランジスタが非導通になり。
Transistors 52a, 52b, 53a, 53b and 54
The collector electrodes of a and 54b are directly connected to the bus 64. Transistors 55a, 56a, and 57a are connected to bus 64 through a load resistor R□ whose value is equal to the load resistor RL described above. Bias voltage V = (-Vo
. +1.4) (V) is connected to the bus 64. The electric currents 60a to 60f are connected to constant current sources 1a to 1f, respectively, and this constant tK source has its base electrode connected to the bias tEEVB□. +■ooI emitter electrode
connected to the source (here ■B 2” +V oo V
BIt+vo. =5 [■]) Transistors 70 to 75
Contains. The reference transistor 78 has a base electrode connected to the base electrodes of the transistors 52 to 57, and one emitter pole connected to the IIr current source 1. '()/The resistance value of the resistor containing the raster 80 is the resistance value i of the load resistor RL) 80 connects the emitter electrode to the bus +■. 0, and its base electrodes are connected to the base electrodes of transistors 70-75. Further, a transistor 8o is formed in a part of 1G, and this IG
DAClo is formed close to where transistors 70 to 75 are formed, so that the temperature (or heat) and electrical characteristics of transistor 8o are the same as transistor 70.
Thus, the current generated through the collector electrode of transistor 80 is approximately equal to the current generated through the collectors of transistors 70-75. Therefore, the voltage V1/2 (approximately 10
If 0(100() is generated across the load resistance, SI, then the voltage .
1 reference B 2! The logic "1" signal of B3 is represented by a voltage larger than ■B1 (i.e., t4 (V)),
A logical rOJ signal is also represented by a voltage less than 11.4 (V). Therefore AND gate 4
6.47.48 to the base electrode j of a pair of input transistors (both given bits are logic “1”)
” signal, the reference transistor of the AND gate in question generates rHJ or a logic “1” output voltage (■, +vB3) at its collector through four, whereas one of the pair of bits is a logic “ 0'', the transistor to which this logic signal is applied becomes conductive, and the input transistor of the AND gate becomes non-conductive.

rLJすなわち論理「0」出力電圧(■B3)が当該基
準トランジスタのコレクタ電極に発生される。
rLJ or a logic "0" output voltage (■B3) is generated at the collector electrode of the reference transistor.

その結果1MA埋]0」信号がインノ(−夕56,57
゜58のいずれか1つの入力トランジスタ56a。
As a result, 1MA buried] 0'' signal is Inno (-E 56, 57
58. Any one input transistor 56a.

57a 、58aのいずれか1つのベース電極に与えら
れ、当該入力トランジスタが導通しかつそのコレクタ電
極に「H」すなわち論理「1」電圧■1十v を発生し
く 「補数」演算)、これに対してrLJすなわち論理
「0」電圧vB3が当該イ/ノ(−タの非導通基準トラ
ンジスタのコレクタを極に発生される( 「真」演算)
。これとkt逆に、4ンバータの入力トランジスタのベ
ースを極に対する入力信号が論理「0」信号であれは、
入力トランジスタが導通してそのコレクタ電極にII−
IJ−rなわち論理「1」電圧(V、+VB、)な発生
し、これに対して当該インバータの基準トランジスタは
そのコレクタ電極にrLJすなわち論理rOJ 11田
(■、)を発生する。その結果、ANDゲート46゜4
7.48のいずれか1つの負荷抵抗の両端電圧。
57a, 58a to make the input transistor conductive and generate an "H" or logic "1" voltage at its collector electrode ("complement" operation), Then rLJ or logic “0” voltage vB3 is generated at the collector of the non-conducting reference transistor of the concerned I/N (“true” operation).
. On the contrary, if the input signal to the base of the input transistor of the 4-inverter is a logic "0" signal, then
The input transistor is conductive and its collector electrode has II-
IJ-r, or a logic "1" voltage (V, +VB,), is generated, whereas the reference transistor of the inverter produces rLJ, or logic rOJ, at its collector electrode. As a result, AND gate 46°4
7.48 The voltage across any one of the load resistors.

又はインバータの負荷抵抗RLのいスレか1つの両端電
圧に生ずる変動はV 、(V)であり、負荷低負荷抵抗
RLの両端に生ずる電圧変動に追従し。
Alternatively, the fluctuation occurring in the voltage across one thread of the load resistance RL of the inverter is V, (V), which follows the voltage fluctuation occurring across the low load resistance RL.

この温度変化にトランジスタ80が追従するので電tl
L源1a〜工、及びこの場合電流@l、’に影譬な与え
るおそれがある。ANI)ゲート46,47.48及び
インバータ49.50.51の負荷抵抗HLによって発
生される論理信号を第5表に総括釣に示す。
Since the transistor 80 follows this temperature change, the current tl
There is a possibility that the L sources 1a to 1, and in this case the current @l,' will be affected. ANI) The logic signals generated by the gates 46, 47, 48 and the load resistor HL of the inverter 49, 50, 51 are summarized in Table 5.

第5表 0R−NORゲート部44は7個のゲート1100a−
100を含んでいる。ゲート1003〜100gはそれ
ぞれ同様の構成を有する。グー) 100a〜100g
はNPN基準トランジスタ101〜107及びNPN入
カトランジスタ1ff1a、101b、101c、10
2a、102b、103a、103b104a、105
a、105b、106a、107as107b、107
cを含んでいる。基準トランジスタ101〜107はコ
レクタを制御ライン27a〜27gにそれぞれ接続して
いる。グー)iotaのトランジスタ101a=101
b、101cはコレクタ電極を制御ライン278′に接
続し、グー)1DObのトランジスタ102a、102
bはコレクタ電極を制御ライン27b′に接続し、グー
) 100cのトランジスタ103a、103bはコレ
クタ電極を制御ライン27C′に接続し、グー) 10
0dのトランジスタ104aはコレクタ1極を制御ライ
ン27d′に接続し、ゲート100eのトランジスタ1
05a 、 1 osbはコレクタ電極を制御ライン2
7e′に接続し、ゲート100fのトランジスタ106
aはコレクタ電極を制御ライン27f′に接続し、ゲー
ト100gのトランジスタ107a、107b、107
cはコレクタ電極を制御ライン27g′に接続している
Table 5 0R-NOR gate section 44 has seven gates 1100a-
Contains 100. Gates 1003 to 100g each have a similar configuration. Goo) 100a~100g
are NPN reference transistors 101 to 107 and NPN input transistors 1ff1a, 101b, 101c, 10
2a, 102b, 103a, 103b104a, 105
a, 105b, 106a, 107as107b, 107
Contains c. Reference transistors 101-107 have their collectors connected to control lines 27a-27g, respectively. Goo) iota transistor 101a = 101
b, 101c connect the collector electrodes to the control line 278', and the transistors 102a, 102 of 1DOb
Transistors 103a and 103b of 100c have their collector electrodes connected to the control line 27C', and 10
The transistor 104a with a gate 100e has one collector connected to the control line 27d' and a transistor 104a with a gate 100e.
05a, 1 osb connects the collector electrode to control line 2
7e' and a transistor 106 with a gate 100f.
A has a collector electrode connected to the control line 27f', and transistors 107a, 107b, 107 with a gate 100g.
c connects the collector electrode to the control line 27g'.

各グー) 100a〜100gのトランジスタのエミッ
タ電、極は複数この場合7個の定電流−IR′の対応す
る1つに接続されている。ここでこの’wra源はトラ
ンジスタ1083〜108gを含んでいる。当該トラン
ジスタ1083〜108gはベース電極を共通に接続し
てバイアス電圧V3.(この場合−vo。+[L7(V
))に接続し、エヤツタ電極を−vooバスに接続して
いる。トランジスタ1083〜108gのコレクタ電極
はそれぞれゲート1003〜100gに接続されている
。AND−補数論理ゲート部42は次のようにして0R
−NORゲート部44に結合され、すなわちトランジス
タ78v1  ・・ のコレクタに発生する基準電圧VB、十下かハス109
を介して基準トランジスタ101〜107のベース電極
に与えられる。トランジスタ101a〜107cのベー
ス電極は第6表に従ってAND−補数論理ゲートs42
の出力ライン90〜98に接続されている。
The emitter electrodes of the transistors 100a to 100g are connected to a corresponding one of seven constant currents -IR' in this case. Here, this 'wra source includes transistors 1083-108g. The base electrodes of the transistors 1083 to 108g are connected in common and a bias voltage V3. (In this case -vo.+[L7(V
)), and the air terminal electrode is connected to the -voo bus. The collector electrodes of transistors 1083-108g are connected to gates 1003-100g, respectively. AND-complement logic gate section 42 performs 0R as follows.
- a reference voltage VB coupled to the NOR gate section 44, i.e. generated at the collector of the transistor 78v1, 109
are applied to the base electrodes of reference transistors 101-107 via the reference transistors 101-107. The base electrodes of the transistors 101a to 107c are connected to the AND-complement logic gate s42 according to Table 6.
are connected to output lines 90-98 of.

第6表 トランジスタ101〜107に与えられる基準電圧はラ
イン109に発生され、この電圧は上述のよう忙ライン
91〜98の信号の電圧変動の中関値であるので、グー
)100a〜100gのいずれか1つの入力トランジス
タのいずれか1つがライン109の基働電圧より大きい
電圧をペース電極に与えられると、当該トランジスタは
導通し。
The reference voltage applied to the transistors 101 to 107 in Table 6 is generated on the line 109, and since this voltage is the intermediate value of the voltage fluctuation of the signals on the busy lines 91 to 98 as described above, any of the voltages 100a to 100g When any one of the input transistors is applied to the pace electrode with a voltage greater than the base voltage of line 109, that transistor becomes conductive.

当該ゲートの基準トランジスタは導通せず、電流は導通
した入力トランジスタに接続されたバイアス抵抗R1を
通じて流れ、この入力トランジスタはこれに接続されて
いるスイッチングトランジスタのペース電極に(LJ電
圧を発生することによりこのスイッチングトランジスタ
は非導通になり。
The reference transistor of the gate in question is not conducting and the current flows through the bias resistor R1 connected to the conducting input transistor, which input transistor is connected to the pace electrode of the switching transistor connected to it (by generating an LJ voltage). This switching transistor becomes non-conductive.

これに対してEHJ電圧が一対のスイッチングトランジ
スタの他方のペース電極に発生してこのトランジスタを
1オン」すなわち導通状態にすることになる。これに対
してゲート100a〜100gの1つの入力トランジス
タのペース電極に与えられた信号がライン1090基準
電圧より小さい電圧をもっている場合は、そのゲートの
全ての入力トランジスタは非導通となるのに対して、そ
のゲートの基準トランジスタは導通して「H」電圧が当
該ゲートの入力トランジスタに接続されているスイッチ
ングトランジスタのペース電極に発生され、これにより
当該スイッチングトランジスタを導通状噛に切換えるの
に対して対となっているスイッチングトランジスタの他
方がそのペース電極をjLJ電圧にじ、このとき当該ス
イッチングトランジスタは非導通状態にバイアスされる
ことになる。その結果グー)100a〜100gの基準
トランジスタのコレクタ電極がOR論理演算をし。
In response, the EHJ voltage is developed at the other pace electrode of the pair of switching transistors, causing that transistor to turn on, or conductive. On the other hand, if the signal applied to the pace electrode of one input transistor of gates 100a-100g has a voltage less than the line 1090 reference voltage, all input transistors of that gate will be non-conducting. , the reference transistor of that gate conducts and a "H" voltage is developed at the pace electrode of the switching transistor connected to the input transistor of that gate, thereby switching the switching transistor into conduction, whereas The other one of the switching transistors will apply the jLJ voltage to its pace electrode, and the switching transistor will then be biased into a non-conducting state. As a result, the collector electrodes of the reference transistors 100a to 100g perform an OR logical operation.

また入力トランジスタ101b〜107Cのコレクタ電
極はNOR@OR論理演算ことになる。その結果上述の
第5表及び第6表から上述の第1表に表わされた論理式
がインクリメント論理部26によって補数演算されてい
る。
Further, the collector electrodes of the input transistors 101b to 107C are subjected to NOR@OR logical operation. As a result, the logical expressions shown in the above-mentioned Tables 5 and 6 to the above-mentioned Table 1 are subjected to complement calculation by the increment logic section 26.

再び第1図において、R−2B抵抗ラダ一回路網Dj1
30が詳細に示されており、マスタラダー回路網200
と、−緒に結合され入力部204を通じて電流源18が
与えられるスレーブラダー回路網202とを含んでいる
。かくしてマスタラ       1ダ−回i網200
はバイアス電圧vB5(この場合−5(V))に結合さ
れた共通ペース電極を有するトランジスタ210a−2
12−210be214−216.218及び220を
倉入、そのエミッタ電極は次のようにバス222に結合
されている。トランジスタ210a、212及び210
bのエミッタ電極が等しい抵抗値をtつ抵抗RLDを通
じてノ(通じ【バス222に結合され、トランジスタ2
16のエミッタ電極がシャント抵抗’LD及びそれぞれ
抵抗値上ルを有する2つの直列接続された直列抵杭を通
じてバス222に結合され、トランジスタ218及び2
20のエミッタ電極が対応するシャント抵抗2RLD及
び2つの直列接続された抵抗及研を通じてバス222に
接続されている。トラ/ラスタ220のエミッタ領域な
Yで示すと、トランジスタ218のエミッタ領域4Yで
あり、トランジスタ216のエミッタ領域は2Yであり
Referring again to FIG. 1, the R-2B resistor ladder circuit network Dj1
30 is shown in detail, the master ladder circuitry 200
and a slave ladder network 202 coupled together and provided with a current source 18 through an input 204. Thus, master 1 da-times i-net 200
is a transistor 210a-2 with a common pace electrode coupled to a bias voltage vB5 (-5 (V) in this case).
12-210be214-216.218 and 220 are connected, and their emitter electrodes are coupled to bus 222 as follows. Transistors 210a, 212 and 210
The emitter electrode of b is coupled to bus 222 and connected to transistor 2 through a resistor RLD of equal resistance t.
16 emitter electrodes are coupled to bus 222 through a shunt resistor 'LD and two series connected series resistors each having a resistance value LD and transistors 218 and 2.
Twenty emitter electrodes are connected to bus 222 through corresponding shunt resistors 2RLD and two series connected resistors 2RLD. The emitter region of the transistor/raster 220, designated Y, is the emitter region 4Y of the transistor 218, and the emitter region of the transistor 216 is 2Y.

トランジスタ214のエミッタ領域は4Yでアリ。The emitter region of transistor 214 is 4Y.

各トランジスタ2105m、210b及び2120エミ
ツタ領域は8Yである。トランジスタ210a。
Each transistor 2105m, 210b and 2120 emitter area is 8Y. Transistor 210a.

210bのコレクタ電極は共通に端子224に接続され
ている。端子224はスイッチ321に接続され、また
トランジスタ212〜218のコレクタ電極はそれぞれ
スイッチ32b〜326KII絖されている。バス22
2はトランジスタ226のペース電極及びトランジスタ
230のコレクタ電極に接続されている。トランジスタ
230のペース電極はバイアス電EEV、 ’vcws
絖されている。
Collector electrodes 210b are commonly connected to terminal 224. Terminal 224 is connected to switch 321, and collector electrodes of transistors 212-218 are connected to switches 32b-326KII, respectively. bus 22
2 is connected to the pace electrode of transistor 226 and the collector electrode of transistor 230. The pace electrode of transistor 230 has a bias voltage EEV, 'vcws
It is threaded.

トランジスタ260のエミッタ電極はトランジスタQ8
のコレクタ電極Kll絖されている。トランジスタ22
6.22Bのエミッタ電極はトランジスタ232のコレ
クタ電極Kli絖されている。トランジスタ228のエ
ミッタ領域は65Yであり。
The emitter electrode of transistor 260 is transistor Q8.
The collector electrode Kll is wired. transistor 22
The emitter electrode of 6.22B is connected to the collector electrode of the transistor 232. The emitter region of transistor 228 is 65Y.

またトランジスタ226のエミッタ領域はYである。ト
ランジスタ262はペース電極をトランジスタQ、〜Q
8のペース電極に接続し、そのエミッタ電極を抵抗7を
介しC,−V0゜K接続している。
Further, the emitter region of transistor 226 is Y. Transistor 262 connects the pace electrode to transistors Q, ~Q
8, and its emitter electrode is connected via a resistor 7 at C, -V0°K.

上述のように、トランジスタQ8のエミッタ領域はXで
あり、トランジスタ262のエミッタ領域は2xである
。かくしてトランジスタQ8は1託流源工 を形成して
いるので、電流2I、がトラン8 ジ232のコレクタ電極を通過する。トランジスタ22
8のコレクタ電極は抵抗RT及びダイオード234を通
じてバイアス電圧VB、に結合されている。かくして入
力部204はトランジスタ226゜228.250,2
52.抵抗R1及びダイオード264を含み、トランジ
スタ230はトランジスタQa−Qa′〜Qg・Qg′
で失われたベース電流を補償するために用いられ、これ
に対してトランジスタ226及び228はトランジスタ
210a。
As mentioned above, the emitter area of transistor Q8 is X and the emitter area of transistor 262 is 2x. Transistor Q8 thus forms a single current source, so that current 2I passes through the collector electrode of transistor Q8. transistor 22
The collector electrode of 8 is coupled to a bias voltage VB through a resistor RT and a diode 234. Thus, the input section 204 is connected to the transistor 226°228.250,2
52. The transistor 230 includes a resistor R1 and a diode 264, and the transistor 230 is a transistor Qa-Qa' to Qg.Qg'.
Transistors 226 and 228 are used to compensate for the base current lost in transistor 210a.

210b、212〜220及びスイッチ32a〜52i
のスイッチングトランジスタ内で失われたペース電流を
補償するために用いられる。そのmlバス222を通る
電流はすでに上述したように5個の2進化電流$1.’
〜lS′に分けられる。内入に2道化電fiI、’は2
個のトランジ・スタ2101及び210bK供給され、
このトランジスタは、以下第7図及び第8!IOと共に
述べるようにlCf1lili素子として形成されると
きトランジスタ212によって物理的に分離される。さ
らにトランジスタ210a、210bのエミッタ電11
kKli続された抵抗RLDも互いに物理的に分離され
、%にトランジスタ212のエミッタ電極に接続された
抵抗RLDは、第7図及び第8図と共に後述するように
前述の一対の抵抗間に物理的に配設されている。
210b, 212-220 and switches 32a-52i
used to compensate for the pace current lost in the switching transistor of the The current through the ml bus 222 is the five binary currents $1. '
~lS'. 2 clown fiI to enter,' is 2
transistors 2101 and 210bK are supplied,
This transistor is shown in FIGS. 7 and 8 below. Physically separated by transistor 212 when formed as a lCf1lili device as described with IO. Furthermore, the emitter voltage 11 of the transistors 210a and 210b
The connected resistors RLD are also physically separated from each other, and the resistor RLD connected to the emitter electrode of the transistor 212 is physically separated between the pair of resistors described above, as will be described later in conjunction with FIGS. 7 and 8. It is located in

!スタラダー回路網を、最上位ビット(MSB)(この
場合ピッ)B)と組合された電fillI、’6’鴫 上位第2ビツト(この場合・B、)と組合された電流源
工、1と一緒に構成することKよって、DA(3が形成
されているICチップに発生される第1次熱。
! The star ladder network is defined as a current source circuit, 1, combined with the most significant bit (MSB) (in this case B), and a current source circuit combined with the '6' upper second bit (B, in this case). By composing K together, the primary heat generated in the IC chip in which DA (3) is formed.

拡散及び又はスパッタリング及び応力勾配が実質上キャ
ンセルされる。すなわち第7図及び第8図について、ト
ランジスタ210g、212゜210b及び214のエ
ミッタ電極間に結合された抵抗[ダー回路網の一部の詳
細が#7図に路線的に示され、また第8図に示すIC基
板に形成されている。第7図に示すようにトランジスタ
210a、212及び210bのエミッタ電極はそれぞ
れ抵抗R,+Rz及びR1を通じてバス222に接続さ
れ、ここでこの各抵抗R112及びFl、の抵抗値はそ
れぞれRLDである。トランジスタ214のエミッタは
第1端部な抵抗R6に接続され、この抵抗R5は第1図
について上述し°た抵抗値RLD&有する。並列接続さ
れた一対の抵抗Ras ’ ” 4bはバス222及び
抵抗R3の第2端部に接続されている。各抵抗Ri、R
4bの抵抗値は”LDであり。
Diffusion and/or sputtering and stress gradients are substantially canceled. 7 and 8, some details of the resistor circuitry coupled between the emitter electrodes of transistors 210g, 212, 210b, and 214 are schematically shown in FIG. It is formed on the IC substrate shown in the figure. As shown in FIG. 7, the emitter electrodes of transistors 210a, 212 and 210b are connected to bus 222 through resistors R, +Rz and R1, respectively, where the resistance value of each resistor R112 and Fl is RLD. The emitter of transistor 214 is connected to a first end of resistor R6, which has a resistance value RLD& as described above with respect to FIG. A pair of resistors Ras''' 4b connected in parallel are connected to the bus 222 and the second end of the resistor R3.
The resistance value of 4b is "LD".

である。次に第8図について、トランジスタ210a、
212.210b及び214及び抵抗R,sR2+ R
s * R4a * R4bと、IC基板215上の抵
抗Hの構成が示されている。トランジスタ210a。
It is. Next, regarding FIG. 8, the transistor 210a,
212.210b and 214 and resistance R, sR2+ R
The configuration of s*R4a*R4b and the resistor H on the IC board 215 is shown. Transistor 210a.

212.210b及び214のコレクタ領域はこの場合
基板215上に形成されたN形導電領域でなる。コレク
タ領域217,219,221 。
The collector regions of 212, 210b and 214 in this case consist of N-type conductive regions formed on substrate 215. Collector areas 217, 219, 221.

226内にはそれぞれP形導電ペース領域225I22
7・229・261が拡散されている。抵抗R1# R
z t Rs * R4a r RaB及びR6は図示
のように公知の技術を用いて基板上に形成された薄膜抵
抗をスパックされてなり1例えばエピタキシャル層内に
P形導電拡散領域として形成され得る。ベース領域22
5,227.229及び231内には環状エミッタ領域
233,235.237及び269がそれぞれ拡散され
【いる。ここで各トランジスタ210a、、212,2
1.rJbは8個のエミッタ領域を有し、またトランジ
スタ214は4個のエミッタ領域を有する。トランジス
タ210a・212.210bのペース領域に対するコ
ンタクトは導体241によって作られている。トランジ
スタ210a 、210bの”svクタ領域217゜2
21はそれぞれ導体243.245を介して端子224
に接続されている。コレクタ領域219゜223はそれ
ぞれ導体247,249に接続されている。トランジス
タ210a=2121210bの8個のエミッタ領域は
それぞれ導体254゜256、.258を通じ【抵抗R
1eR2*R3の上方端251.253.255に接続
されている。トランジスタ21404個の工′ミッタ領
域は導体261を通じて抵抗R5の上方端259に接続
されている。抵抗R1sR2eR1wR,a+R,Bの
下方端はそれぞれバス222に接続されている。抵抗R
5の下方端273は導体279を通じて抵抗Ja+R1
,の上方端275.277Kil続されている。
226 include P-type conductive space regions 225I22, respectively.
7.229.261 are being spread. Resistor R1# R
z t Rs * R4a r RaB and R6 can be formed as p-type conductive diffusion regions in an epitaxial layer, for example, by spucking thin film resistors formed on a substrate using known techniques as shown. base area 22
Annular emitter regions 233, 235, 237 and 269 are diffused within 5, 227, 229 and 231, respectively. Here, each transistor 210a, 212, 2
1. rJb has eight emitter regions and transistor 214 has four emitter regions. Contacts to the spacing areas of transistors 210a, 212, 210b are made by conductors 241. "sv vector region 217°2 of transistors 210a and 210b
21 are connected to terminals 224 through conductors 243 and 245, respectively.
It is connected to the. Collector regions 219 and 223 are connected to conductors 247 and 249, respectively. The eight emitter regions of transistors 210a=2121210b are connected to conductors 254, 256, . Through 258 [resistance R
1eR2*R3 is connected to the upper end 251.253.255. The transmitter region of transistor 21404 is connected through conductor 261 to the upper end 259 of resistor R5. The lower ends of the resistors R1sR2eR1wR, a+R, and B are each connected to the bus 222. Resistance R
The lower end 273 of 5 is connected to the resistor Ja+R1 through the conductor 279.
, is connected to the upper end of 275.277Kil.

このように構成することにより、抵抗R1# Rz +
 Rsの両端の平均スパッタリング又は拡散勾配は、抵
抗R3及びR1間の勾配効果が抵抗R2の効果とはは等
しくなるよ5になる。さらに、各抵抗R1・R,eR3
は、それぞれ同じ抵抗値をもちかつ同じ電流値を通過す
るので1等しい電力を消費することKなる。かくして公
知のR−2B低抵抗路網DACがDAC:50の場所に
用いられているにもかかわらず、DACり0は熱及びス
パッタリング勾配の補償をする。
By configuring in this way, the resistance R1# Rz +
The average sputtering or diffusion slope across Rs will be 5 such that the slope effect between resistors R3 and R1 is equal to the effect of resistor R2. Furthermore, each resistor R1・R, eR3
have the same resistance value and pass the same current value, so they consume power equal to 1 K. Thus, even though the known R-2B low resistance network DAC is used in the DAC:50 location, the DAC R0 compensates for thermal and sputtering gradients.

スレーブ回路網202はそれぞれスィッチ32f〜32
iK結合されたコレクタ電極を有するトランジスタ24
0〜246と、接地されたコレクタ電、ljを有する出
力トランジスタ246とを含んでいる。トランジスタ2
40〜248はバイアス電圧vB6 ’この場合−2,
6(V))及び結合トランジスタ250のコレクタに結
合された共通ベース電トクンジスタ220のコレクタ電
極K11ltllされ。
Slave circuitry 202 includes switches 32f to 32, respectively.
Transistor 24 with iK-coupled collector electrodes
0 to 246 and an output transistor 246 having a grounded collector voltage, lj. transistor 2
40 to 248 is the bias voltage vB6' in this case -2,
6 (V)) and a common base voltage coupled to the collector of coupling transistor 250, collector electrode K11ltll of transistor 220.

またトランジスタ250のエミッタ電極がトランジスタ
226のコレクタ電極に接続されている。
Further, the emitter electrode of transistor 250 is connected to the collector electrode of transistor 226.

トランジスタ246,248のエミッタ領域は2zでな
り、またトラ/ジスタ244,242゜240及び24
0の工2ツタ領域はそれぞれ4Z・8Z、16Z及び3
2Zでなる。トランジスタ250のペース電極は公知の
抵抗回路網を通じてトランジスタ240〜248のエミ
ッタ電極に結合され、この回路網ではシャント抵抗RL
D’ &t )ツンジスタ240.242のエミッタ電
極に接続さRLD’ れ、また抵抗−は上述のように2進化電ff1l、’〜
l、1を供給するように接続されている。トランジスタ
226・250はトランジスタ240〜248を通じて
ベース電流損失の補償するようになされている。また出
方バイアス1゜及びトランクXpQa〜Qf及びQf′
のコレクタ電極間に結合されている抵抗Rはトランジス
タ210aのエミッタ電極に接続された抵抗RLt絢端
に発生される電圧降下と同じ電圧降下を発生するようK
なされ、これにより有限の出力インピーダンスの効果は
出力バスエ 及びこの電流を発生する電流源間の電流通
路を無視すれば同じになる。電圧vIIはV、−V□が
増幅器20の出力より大きくなるに十分な程度に高(選
定されている。このことは電流源11〜1.が飽和する
ことを防止する。また電EEvBは最大出力コンブライ
アンスに対して十分に低くなるように選定されている。
The emitter regions of transistors 246, 248 are 2z, and the emitter regions of transistors 244, 242, 240 and 24 are
The 2 vine areas of 0 are 4Z, 8Z, 16Z and 3 respectively.
It consists of 2Z. The pace electrode of transistor 250 is coupled to the emitter electrodes of transistors 240-248 through a well-known resistor network in which a shunt resistor RL
D'&t) RLD' is connected to the emitter electrode of the Tunister 240.242, and the resistor - is connected to the binary voltage ff1l,'~
It is connected to supply l,1. Transistors 226 and 250 are designed to compensate for base current loss through transistors 240-248. Also, the output bias is 1° and the trunk XpQa~Qf and Qf'
The resistor R coupled between the collector electrodes of the transistor 210a is such that the resistor RLt connected to the emitter electrode of the transistor 210a produces the same voltage drop as the voltage drop produced across the resistor RLt.
, so that the effect of the finite output impedance is the same if we ignore the current path between the output bus and the current source that generates this current. The voltage vII is chosen sufficiently high so that V, -V□ is greater than the output of the amplifier 20. This prevents the current sources 11-1. The output conformance is selected to be sufficiently low.

この場合VBは−6,8(V)であり、増−器20の出
力は−11,4(V)である。
In this case, VB is -6.8 (V), and the output of the amplifier 20 is -11.4 (V).

次に第3図について、12ビツトDJ110’の他の実
施例が示されている。この場合8個の定電流ill、〜
18が、公知の方法で基準抵抗22′を通じて基準電流
IIを発生するよ5になされた基準電流源14′(基準
抵抗16′・演算増幅器18′・トランジスタ20′及
び抵抗22′を含んでなる)を用いて供給されている。
Turning now to FIG. 3, another embodiment of a 12-bit DJ 110' is shown. In this case 8 constant currents ill, ~
18 is a reference current source 14' (comprised of a reference resistor 16', an operational amplifier 18', a transistor 20' and a resistor 22') configured to generate a reference current II through a reference resistor 22' in a known manner. ).

複数例えば8個のトランジスタQ1′〜Q8/が用意さ
れそのペース電極をトランジスタ20′のペース電Ii
K接続している。トランジスタQ′〜Q′のエミッタ電
極は対応する抵    8 抗R′を通じてバス24’KI’続されている。この場
合トランジスタ20’のエミッタ領域は各トランジスタ
Q、/〜Q、/のエミッタ領域の4倍であり、そして抵
抗22′の抵抗はTであり、これにより。
A plurality of, for example, eight transistors Q1' to Q8/ are prepared and their pace electrodes are connected to the pace electrode Ii of the transistor 20'.
K is connected. The emitter electrodes of transistors Q'-Q' are connected to bus 24'KI' through corresponding resistors R'. In this case, the emitter area of transistor 20' is four times the emitter area of each transistor Q, / to Q, /, and the resistance of resistor 22' is T, so that.

各トランジスタQ1′〜Q、/のコレクタ電極ヲ通りて
流れる電流は基準電流11′の−と勢しい値になる、か
くしてトランジスタQ 、I〜Q、Iは複数この場合8
個の定電流源I、1〜工、′をそれぞれ形成する。
The current flowing through the collector electrode of each transistor Q1' to Q, / has a value as strong as the reference current 11'.
Constant current sources I,1 to I,' are formed, respectively.

各電流源工、′〜I、tは8セツトのスイッチングトラ
ンジスタCQt伊Qt/ ) e (Q′be Q′b
t e Q′be )膠(QIc@Q′c/ IQ’、
#) e (QId*QIdt * Q’、1 #) 
l (Q’、 #Qle/ −Q’、# ) 、(Q’
(−Q’p −Q’(e ) −(Q’g 、Q’、t
 *%、 )及び(Q%、QIh/)の対応するものに
接続される。8個のセットにそれぞれ含まれる各トラン
ジスタのエミッタ電極が8個の電流源1 ′〜1′8 の対応するものに接続されている。このトランジスタQ
/、 Q′h、  のペース電極は制御ライン27′。
Each current source,'~I,t is 8 sets of switching transistors CQtIQt/ ) e (Q'be Q'b
t e Q'be ) glue (QIc@Q'c/ IQ',
#) e (QId*QIdt*Q', 1 #)
l (Q', #Qle/-Q', #) , (Q'
(-Q'p -Q'(e) -(Q'g, Q', t
*%, ) and (Q%, QIh/) are connected to the corresponding ones. The emitter electrode of each transistor included in each of the eight sets is connected to a corresponding one of the eight current sources 1' to 1'8. This transistor Q
The pace electrode of /, Q'h, is the control line 27'.

27 ’ a’ ” 27 ’ a #〜27’  、
277 t’通じてそれぞれインクリメント論理部26
′に接続され、かつ郷しい値の抵抗Rl/を通じてバス
28′に接続されている。バス28′には論理電圧vB
Iに結合されている。
27'a' ” 27' a #~27',
277 t' respectively increment logic 26
' and to bus 28' through a resistor Rl/ of a different value. Bus 28' has a logic voltage vB
It is connected to I.

トランジスタQ’aIQ’bI−Q’C# e Q’d
I# Q’e# e Q’(y及びQ’ g# Q ネ
ルクタ電極は抵抗R0′を通じて出力バス1 に接続さ
れ、トランジスタQ′b、Q′C會Q’l dQ/、 
、 Q/ 、 、 Q/、及びQ′hのコレクタ電極が
出力バスI。′に接続され、トランジスタQ’、/ t
 Q’ble Q’CtQ’d/ @ Q’e/ r 
Q’ p豐Q’7及びQ′hIのコレクタ電極はラダー
1路網バスLNBに接続されている。ラダー回路網バス
LNBはR−2R抵抗ラダ一回路網DAC30’に結合
され、またこのバスLNBの電流は第1図の電流111
.によって供給されると同様にラダー回路網60′に対
する基準電流を供給する。上位6ビツトB1.B2.B
、(ここでB1は最上位ビットである)はインクリメン
ト論理部26′に結合されている。下位ビットB、〜B
1□(ここで81□は最下位ビットである)はR−2R
4抗ラダ一回路網DAC5Q/に結合されている。
Transistor Q'aIQ'bI-Q'C# e Q'd
I# Q'e# e Q'(y and Q'g# Q Nerctor electrodes are connected to output bus 1 through resistor R0', transistors Q'b, Q'C, Q'l dQ/,
, Q/, , Q/, and Q'h are connected to the output bus I. ', and the transistor Q',/t
Q'ble Q'CtQ'd/ @ Q'e/ r
The collector electrodes of Q'7 and Q'hI are connected to the ladder one-way network bus LNB. The ladder network bus LNB is coupled to the R-2R resistor ladder network DAC 30' and the current on this bus LNB is the current 111 of FIG.
.. provides a reference current for ladder network 60' in the same manner as provided by . Upper 6 bits B1. B2. B
, (where B1 is the most significant bit) are coupled to increment logic 26'. Lower bits B, ~B
1□ (here 81□ is the least significant bit) is R-2R
A four-way ladder is coupled to a network DAC5Q/.

ビットB1.B、eB3に応動して電流源1 、#、、
1 、tの選択されたものが出力パス1≦に結合され、
電流源工し#〜工、′の選択された1つがラダー回路網
バスLNBK結合されてR−28ラダ一回路網Dj13
0/に対する基準電流を供給し、また電流源l、′〜1
.′の−るものがディジタルワードのビットB 1t 
B 2+ B 3に比例するバスエ。′に結合された電
流源によって発生された電流の和となるよ5に出力パス
エ。′に結合され、R−2HDAC3Q/によってバス
1′に結合された電流の和はゲイジタルワードのビット
84〜B、2 に比例する。同様に、出力バス1′に結
合される電流の和は第1図の12ピツ[)ACloにつ
いて上述したと等価なようKしてディジタルワードの補
数に比例する。
Bit B1. In response to B, eB3, current source 1, #, .
1, the selected one of t is coupled to the output path 1≦,
A selected one of the current source circuits #~, ' is coupled to the ladder circuit bus LNBK to the R-28 ladder circuit Dj13.
0/, and a current source l,'~1
.. ' is bit B of the digital word.
Basue proportional to B 2 + B 3. 'is the sum of the currents generated by the current sources coupled to the output path 5. The sum of the currents coupled to bus 1' by R-2 HDAC 3Q/ is proportional to bits 84-B,2 of the gain word. Similarly, the sum of the currents coupled to output bus 1' is proportional to the complement of the digital word K, equivalent to that described above for the 12 bits AClo of FIG.

しかしこの場合D A C3[1’に供給される基準’
I11流は8個の電流源工、1〜工、1の選択されたも
のでなる。DAC30’の詳細は後述する。しかしここ
で述べることは、8個の電流源工 “〜18′の1つ、
  1 からD A C3Q’に供給される基準電流に応じて2
である)、因AKこの場合スイッチ32a’ 〜32d
’は2極構成で示されているが、単投スイッチを第1図
のスイッチ32aの代りに用いても良い。
But in this case the reference supplied to D A C3[1'
The I11 current consists of eight current sources, selected from 1 to 1. Details of the DAC 30' will be described later. However, what I will describe here is one of the eight current source works "~18',"
2 depending on the reference current supplied from 1 to DAC3Q'
), in this case switches 32a' to 32d
1 is shown in a two-pole configuration, a single-throw switch may be used in place of switch 32a in FIG.

インクリメント論理部26′(その詳細は第4図につい
て述べる)は制御ライン27’、’〜27’g/に第7
表に示すようにビットB 、 t B 、及びB3を選
択的に組合せた論□理状態に従って発生する。
The increment logic 26' (details of which will be described with reference to FIG. 4) is connected to the seventh
Occurs according to a logical state that selectively combines bits B, tB, and B3 as shown in the table.

第7表 かくして、ビットB1*B、會B、に応動して制御ライ
ン27’a〜27’ g/に発生される制御信号は第8
表に示すように表わされる。
Table 7 Thus, the control signals generated on control lines 27'a to 27'g/ in response to bits B1*B, B, are
It is expressed as shown in the table.

さらに第4図から明らかになるように、111“fiI
f、源11′〜18′が第9表に示すよ5にビットB、
・B2・B3に応動して選択的にバス1゜′・工。′又
はLBNに結合されている。
Furthermore, as is clear from Figure 4, 111 “fiI
f, sources 11'-18' are bit B at 5 as shown in Table 9;
・Selectively operate the bus 1゜' in response to B2 and B3. 'or LBN.

従ってピッ)B、tB、、B、の関数として定電流源1
1′〜18′(それぞれ電流レベル1./を発生してい
る)からバスl。’sI。l及びLNBを通じて流れる
トータル電流は次の第10表に表わすようKなる。
Therefore, as a function of B, tB, , B, constant current source 1
1' to 18' (each generating current level 1./) to bus l. 'sI. The total current flowing through LNB and LNB is K as shown in Table 10 below.

第10表 かくしてインクリメント論理部26′はNビットによっ
て表わされるディジタルワードに比例する2Nレベルの
電流(ここでNは論理部26′に与えられるディジタル
ワードのビット数である)を発生する。また論理部26
′に与えられる2 ディジタルワードのそれぞれに対し
て8個の電流f!#、l、’〜1.′のいずれか1つは
同じスイッチングトランジスタを通じて同じバスl。’
sI。′ 又はLNBIC結合されるつ従って例えば電
流源工、1がディジタルワード(0)1゜〜t2)1゜
に応じて出力バス−7に結合され、当骸電流Sはバス1
0′に結合される度にこの電流INKよって発生される
電流がスイッチングトランジスタの同じもの(%にスイ
ッチングトランジスタQ/d)を通過する。同様に、電
流源12yはディジタルワード(2)1゜〜(刀、。に
応じて出力バス18′に結合され、その都度電流源1□
′によって発生される電流が同じスイッチングトランジ
スタ(すなわちスイッチングトランジスタQ/b)を通
過する。
TABLE 10 Increment logic 26' thus generates a 2N level of current proportional to the digital word represented by N bits, where N is the number of bits of the digital word applied to logic 26'. Also, the logic section 26
′ for each of the 2 digital words applied to 8 currents f! #,l,'~1. ' are connected to the same bus l through the same switching transistor. '
sI. ' or LNBIC coupled, for example, a current source 1 is coupled to the output bus 7 according to the digital word (0) 1° to t2) 1°, and the current S is connected to the bus 1
0', the current generated by this current INK passes through the same number of switching transistors (switching transistor Q/d). Similarly, the current source 12y is coupled to the output bus 18' in accordance with the digital word (2) 1°~(katana,.), in each case the current source 1□
' passes through the same switching transistor (ie switching transistor Q/b).

次に第4図について、インクリメント論理回路網26′
の詳細が第2@IK示されたAND−補数論理ゲート部
42及び0R−NORゲート44′を含んで示されてい
る。従って基準電圧がライン109に発生され、論理信
号が上述の第5表に示したようにビットB11B、B3
に応じてライン90〜98に発生される。
Next, referring to FIG.
Details are shown including a second @IK designated AND-complement logic gate portion 42 and an 0R-NOR gate 44'. A reference voltage is therefore generated on line 109 and a logic signal is applied to bits B11B, B3 as shown in Table 5 above.
is generated on lines 90-98 in response to

0R−NORゲート部44′は、第2図について上述し
た7個のゲー)100a〜100gに加えて、6個の論
理ゲート100〜1006を含んでいす る。こり各論理ゲー) 1001〜1006は構成が同
一であり、その−例として論理ゲー) 1001が詳細
に示され、3個の入カドランシスター1o。
0R-NOR gate section 44' includes six logic gates 100-1006 in addition to the seven gates 100a-100g described above with respect to FIG. Logic games 1001 to 1006 have the same configuration, and as an example, logic game 1001 is shown in detail, with three input quadrant sisters 1o.

111及び112と基準トランジスター16とを含んで
いる。トランジスタ110,111.112及び113
のエミッタ電極は共通に接続されて電流源IB#に接続
され、トランジスタ110.111及び112のコレク
タ電極は制御フィ/ 27 ’ ay K接続され、ト
ランジスター16のコレクタ電極はバイアス電圧■/、
に接続されている。トランジスタ110.111及び1
12のペース電極はそれぞれライン97.95及び94
に接続されている。
111 and 112 and a reference transistor 16. Transistors 110, 111, 112 and 113
The emitter electrodes of the transistors 110, 111 and 112 are connected in common to the current source IB#, the collector electrodes of the transistors 110, 111 and 112 are connected to the control fi/27' ay K, and the collector electrode of the transistor 16 is connected to the bias voltage ■/,
It is connected to the. Transistors 110, 111 and 1
Twelve pace electrodes are connected to lines 97, 95 and 94 respectively.
It is connected to the.

トランジスター13のペースH1はバス109に結合さ
れ、第2図について上述したようにゲート部42によっ
て発生される基準電圧を与える。このときゲート100
1はトランジス・り110,111及び112のペース
電極に与えられた信号に制御ライフ 27’lに基づい
てNORゲート演算をする。
Pace H1 of transistor 13 is coupled to bus 109 and provides a reference voltage generated by gate portion 42 as described above with respect to FIG. At this time gate 100
1 performs a NOR gate operation on the signals given to the pace electrodes of transistors 110, 111 and 112 based on the control life 27'l.

ゲート1003〜100gは第6表に示したようにライ
ン90〜98KIi絖されている。ゲート100〜10
060入力トランジスタのベース電極菖 が第11表に従つ【ゲート部42のライン90〜98に
接続される。
The gates 1003-100g are wired with lines 90-98KIi as shown in Table 6. Gate 100-10
The base electrode of the 060 input transistor is connected to lines 90-98 of the gate section 42 according to Table 11.

第11!! その結果論理信号が第7表について上述したよ5にビッ
トB 1 + B 2 I B sに応じてライン27
’a、−27′2に発生される。
11th! ! The resultant logic signal is 5 on line 27 in response to bits B 1 + B 2 I B s as described above for Table 7.
'a, -27'2.

第6図について、R−2Rラダ一回路網L)AC3[]
/がマスタラダー回路網200及びDAC30(第1図
)のスレーブラダー回路網202を含ミ、シかしこの場
合D A C30’は、トランジスタ226′ν228
’ 、232’ =抵抗R?/及びダイオード246′
を含む入力部204′を含む。かくしてトランジスタ2
32′はペース電極をトランジスタQ 8/のペースR
’ 電極に接続し、またエミッタ電極を抵抗  な通じて−
vooに接続している。トランジスタ232′のエミッ
タ領域は各トランジスタQ、/〜Q8/のエミッタ領域
(3)の2倍(2x)の面積をもつ。かくしてトランジ
スタ262′のコレクタ電極を通る電流は218!であ
る。またラダー回路網バスLNBはトランジスタ226
’ 、22B’  のペース電極に接続されている。ト
ランジスタ226’ 、228’  はエミッタ電極を
トランジスタ232’のコレクター1[4kに接続し、
トランジスタ228′のエミッタ領域は63Yであり、
かつトランジスタ226′のエミッタ領域はYである。
Regarding Figure 6, R-2R ladder circuit network L) AC3 []
/ includes master ladder circuitry 200 and slave ladder circuitry 202 of DAC 30 (FIG. 1), but in this case DAC 30' is transistor 226'ν228.
' , 232' = resistance R? / and diode 246'
204'. Thus transistor 2
32' is the pace electrode of the transistor Q and the pace R of the transistor Q8/
' Connect to the electrode and also connect the emitter electrode through the resistor.
connected to voo. The emitter region of transistor 232' has an area twice (2x) as the emitter region (3) of each transistor Q, /~Q8/. Thus, the current through the collector electrode of transistor 262' is 218! It is. Also, the ladder circuit network bus LNB is a transistor 226
', 22B' is connected to the pace electrode. Transistors 226', 228' have their emitter electrodes connected to collector 1[4k of transistor 232';
The emitter region of transistor 228' is 63Y;
And the emitter region of transistor 226' is Y.

トランジスタ226′のコレクタ電極はトランジスタ2
50 (DAC30(第1図)におけると同様にのエミ
ッタに接続され、トランジスタ228′のコレクタはD
AC30の場合と同様にダイオード234′及び抵抗R
T′を通じてバイアス電圧V□に接続されている。トラ
ンジスタ226’ 、228’ はマスタラダー回路網
200のトランジスタ及びこのマスタラダー回路網20
0に結合されたスイッチングトランジスタ(図示せず)
に生ずるペース電流損失を補償する。
The collector electrode of transistor 226' is connected to transistor 2.
50 (as in DAC 30 (FIG. 1)), and the collector of transistor 228' is connected to D
Diode 234' and resistor R as in the case of AC30
It is connected to the bias voltage V□ through T'. Transistors 226' and 228' are the transistors of master ladder network 200 and this master ladder network 20.
switching transistor (not shown) coupled to 0
Compensate for pace current loss caused by

次に第5図について、14ビツトDACが第12表に従
ってライン27Ia〜27IO上に制御信号を供給する
ように変更されたインクリメント論理回路網26’と共
に示されており、この制御信号は15対のトランジスタ
に与えられ、各対のトランジスタは定電流源l、〜工1
5  K引き込まれ、定電流紳116が変更されたR−
2Rラダ一回路網DAC30#に引き込まれて14ビツ
トのディジタルワードの下位10ビツトを変換する。
Turning now to FIG. 5, a 14-bit DAC is shown with an incremental logic network 26' modified to provide control signals on lines 27Ia-27IO in accordance with Table 12, which control signals are provided in 15 pairs. each pair of transistors is connected to a constant current source l,
5 K drawn and constant current driver 116 changed R-
The 2R ladder is input to DAC 30# to convert the lower 10 bits of the 14-bit digital word.

第12表 次に第6図には14ピツ)DACの他の実施例が示され
、この場合DACは16債の定電fIt、g111′〜
116′に結合された16対のトランジスタを含んでな
る。ライ:y’17’a〜271d  はトランジスタ
に与えられ、この制御信号は第16表に従ってインクリ
メ/ト論理回1126’によって発生される。
Table 12 Next, in FIG.
116'. Lines: y'17'a-271d are applied to the transistors, and this control signal is generated by increment logic circuit 1126' according to Table 16.

!            第13表 ラダー回路網バスLNB’は必!!に応じて変更された
R−28ラダ一回路網DAC30INに結合されてライ
ンLNB’上の電流及び変換すべぎディジタルワードの
下位10ピツ)K応動じて2進化された電流を発生し、
バスLNB’の電流は16(!lの電流lit 1 、
’−I 16’のうち選択されたものから引き出される
! Ladder circuit network bus LNB' in Table 13 is a must! ! An R-28 ladder modified according to the circuitry DAC 30IN is coupled to generate a current on line LNB' and a binary coded current in response to the lower 10 bits of the digital word to be converted,
The current of bus LNB' is 16 (!l current lit 1 ,
A selected one of '-I 16' is extracted.

次に本発明の構成例を示す。Next, a configuration example of the present invention will be shown.

t(a)  制御電極と、電流源のうち対応するものに
結合された纂1の電極と、出力バスに結合された第2の
電極とをそれぞれ肩する複数のトランジスタと。
t(a) a plurality of transistors each shouldering a control electrode, an electrode of a constellation 1 coupled to a corresponding one of the current sources, and a second electrode coupled to an output bus;

(b)  上記複数のトランジスタの制御電極及びディ
ジタルワードのビットに結合され、少なくとも1つが複
数のビットに対応する複数の制御信号を発生しかつ上記
制御信号に応動して選択された電流源をこの電流源に結
合されたトランジスタを通じて出力バスに結合し、上記
選択された各電fILllを上記変換すべきディジタル
ワードと無関係に同じトランジスタを通じて出力バスに
結合するようKなされた手段と を具え、上記変換すべ1デイジタルワードに従って上記
複数の電流源のうち選択されたものを選択的に出力バス
に電気的に結合又は非結合して当該ディジタルワードに
関連するレベルを有する出力電流を出力バスを通じて発
生するよ5になされたディジタル−アナログ変換回路。
(b) being coupled to the control electrodes of the plurality of transistors and the bits of the digital word to generate a plurality of control signals, at least one of which corresponds to the plurality of bits, and to cause the selected current source to operate in response to the control signals; means coupled to an output bus through a transistor coupled to the current source, and adapted to couple each selected voltage to the output bus through the same transistor, regardless of the digital word to be converted; selectively electrically coupling or decoupling selected ones of the plurality of current sources to the output bus in accordance with a digital word to generate an output current through the output bus having a level related to the digital word; A digital-to-analog conversion circuit made in 5.

2、(a)  制御電極と、電amのうち対応するもの
に結合された第1の電極と、出力バスに結□tL?、−
jlE2□1□1□オ□    )数のトランジスタと
2. (a) A control electrode, a first electrode coupled to a corresponding one of the electrodes am, and an output bus □tL? ,−
jlE2□1□1□o□ ) number of transistors.

(b)  上記複数のトランジスタの制御電極及びディ
ジタルワードのビットに結合され、少なくとも1つが複
数のビットの関数でなる複数の制御信号を発生しかつ上
記制御信号一応動して結合された電流源のうちの選択さ
れたものを結合しかつ上記電流源の出力端に電圧を発生
し、各電流源の出力端に発生された電圧を上記ディジタ
ルワードに無関係にさせる手段と を具え、上記変換すべきディジタルワードに従って複数
の電流源のうち選択されたものを選択的に出力バスに電
気的に結合又は非結合して当該ディジタルワードに関連
するレベルを有する出力11流を出力バスを通じて発生
するようになされたディジタル−アナログ変換回路。
(b) a current source coupled to the control electrodes of the plurality of transistors and the bits of the digital word, generating a plurality of control signals, at least one of which is a function of the plurality of bits, and operating in response to the control signals; means for coupling selected ones of said current sources and generating a voltage at the output of said current source to make the voltage generated at the output of each current source independent of said digital word; A selected one of the plurality of current sources is selectively electrically coupled or uncoupled to the output bus in accordance with the digital word to produce an output 11 current through the output bus having a level related to the digital word. Digital-to-analog conversion circuit.

3、(a)  ディジタルワードの複数のビットを込諒
的に組合せて複数の制御信号を発生し、当該複数の制御
信号の一部を上記ディジタルワードの複数のビットに対
応させるIv!叫回路網手段と。
3. (a) combining the bits of a digital word suggestively to generate a plurality of control signals, and making a portion of the control signals correspond to the bits of the digital word Iv! With shout network means.

(b)  制御信号のうち対応するものを受ける制御電
極と、複数の電流源の対応するものに結合された第1の
電極と、出力バスに結合された第2の電極とをそれぞれ
有する複数のトランジスタと を具え、上記変換すべぎディジタルワードに従って電流
源のうち選択されたものを選択的に出力バスに電気的に
結合又は非結合して当該ディジタルワードに関連するレ
ベルを有する出力電流を出力バスを通じて発生するよう
になされたディジタル−アナログ変換回路。
(b) a plurality of control electrodes each having a control electrode for receiving a corresponding one of the control signals, a first electrode coupled to a corresponding one of the plurality of current sources, and a second electrode coupled to an output bus; a transistor, selectively electrically coupling or uncoupling selected ones of the current sources to the output bus according to the digital word to be converted to provide an output current having a level related to the digital word; A digital-to-analog conversion circuit configured to generate data through a digital-to-analog conversion circuit.

4、(a)  ディジタルワードのビットの少くとも1
つを受けて上記ディジタルワードのビットのAND及び
補数論理関数を表妬す第1の複数の出力信号を発生する
第1の複数の論理ゲートと。
4. (a) At least one of the bits of the digital word
a first plurality of logic gates receiving a first plurality of logic gates and generating a first plurality of output signals representing an AND and complement logic function of the bits of the digital word;

(b)  第1の複数の出力信号を受けてこの第1の複
数の出力信号のNOR及び0Rail埋関数を表わす制
御信号を発生する第2の複数の論理ゲートと を具えることを特徴とする論理回路網。
(b) a second plurality of logic gates receiving the first plurality of output signals and generating control signals representing a NOR and 0Rail filling function of the first plurality of output signals; Logic network.

5.(33)ランジスタをそれぞれもち、半#各トラン
ジスタは第1の複数の諭埋ゲートのうちの対応するもの
に結合される複数の電流源と。
5. (33) a plurality of current sources each having a transistor, each transistor being coupled to a corresponding one of the first plurality of buried gates;

(b)  基準電流を発生する基準トランジスタと。(b) A reference transistor that generates a reference current.

この基準トランジスタに整合される複数の電流源の複数
のトランジスタとを有し、第2の複数の論理ゲートに対
する論理スレシホールド信号を供給する基準電流源と を具える第4項に記載の論理回路網。
a reference current source having a plurality of transistors of the plurality of current sources matched to the reference transistor and providing a logic threshold signal for the second plurality of logic gates. circuit network.

& 第1の複数の論理ゲートはそれぞれ基準トランジス
タ及び少くとも1つの入力トランジスタを含んでなり、
上記トランジスタは複数の11Hし源のうちの対応する
ものに結合されるエミッタ電極を有し、上記論理ゲート
は上記少くとも1つの入力トランジスタのペース電極に
与えられるピントに従って第1の複数の°出力i号の1
つをそれぞれ発生し、上記論理ゲートはそれぞれそのト
ランジスタの1つのコレクタ電IIK出力論理信号の1
っを発生してなる第5項に記載の論理回路網。
& each of the first plurality of logic gates includes a reference transistor and at least one input transistor;
The transistor has an emitter electrode coupled to a corresponding one of a plurality of 11H sources, and the logic gate has a first plurality of outputs according to a focus applied to a pace electrode of the at least one input transistor. i number 1
The logic gates each generate one of the collector voltages IIK output logic signal of one of its transistors.
6. The logic circuit network according to item 5, which generates .

−Z 上記基準電流源手段は基準トランジスタのコレク
タ電極に結合する基準抵抗を含んでなり。
-Z The reference current source means includes a reference resistor coupled to the collector electrode of the reference transistor.

上記コレクタ電極は第2の複数の論理ゲートのための論
理基準信号を供給するようにしてなる第6項に記載の論
31回路網。
7. The logic 31 network of claim 6, wherein said collector electrode provides a logic reference signal for a second plurality of logic gates.

8、上記第2の複数のゲートはそれぞれ少くとも1つの
入力トランジスタ及び基準トランジスタを倉入、上記少
くとも1つの入力トランジスタ及び基準トランジスタの
コレクタ電極は制御ラインに結合され、基準トランジス
タのペース電極は電流源手段の基準トランジスタのコレ
クタ電極に結合され、上記第2の複数のゲートの少くと
も1つの入力トランジスタのペース電極は上記第1の複
数のゲートのコレクタ電極に緒会されてなる第7璃に記
載の論理回路網。
8. The second plurality of gates each include at least one input transistor and a reference transistor, the collector electrodes of the at least one input transistor and the reference transistor are coupled to a control line, and the reference transistor's pace electrode is coupled to a control line. a seventh transistor coupled to the collector electrode of the reference transistor of the current source means, the pace electrode of at least one input transistor of the second plurality of gates being connected to the collector electrode of the first plurality of gates; Logic network described in .

9(a)ディジタルワードの少くと本1つのビットを受
けてIllの複数の出力信号を発生し。
9(a) receiving at least one bit of a digital word and generating a plurality of output signals of Ill;

この出力信号の少くとも一部は上記ビットの第1の論種
的組合せを表わし、上記ゲートはそれぞれ電流源を含ん
でなる第1の複数の論理ゲートと。
a first plurality of logic gates, at least a portion of the output signal representing a first discursive combination of the bits, each of the gates comprising a current source;

(bl  上記第1の複数の論理ゲートにそれぞれ含ま
れている電流源に整合する基準電+!tIIlと。
(bl) a reference voltage +!tIIl matching a current source included in each of the first plurality of logic gates;

(C)  基準電流源に結合されて基準電圧を発生する
手段と。
(C) means coupled to a reference current source for generating a reference voltage;

(d)  第1の複数の出力信号及び基準像゛田を受け
て上記複数の出力信号の少くと本一部の論理的組合せを
表わす第2の複数の出力信号を発生し、上記第2の複数
の出力信号は上記複数の出力信号及び基準電圧の相対的
レヘルに対応する論理状態をもつようにしてなる第2の
複数のM埋ゲートと を含んでなる論理回路網。
(d) receiving the first plurality of output signals and the reference image field to generate a second plurality of output signals representing logical combinations of at least some of the plurality of output signals; and a second plurality of M-filled gates, the plurality of output signals having logic states corresponding to the relative levels of the plurality of output signals and the reference voltage.

10、上記第1及び第2の複数の論理ケートの一方はN
PN)う/ジスタを含み、かつ上記第1及び第2の複数
の論理ゲートの他方はPNP)う/ジスタを含んでなる
第9項に記載の論理回路網。
10. One of the first and second plurality of logic cases is N
10. The logic circuitry of claim 9, wherein the logic circuitry includes a PNP) register, and the other of the first and second plurality of logic gates includes a PNP) register.

1 t (a3  ディジタルワードの第1の部分を受
けて複数の定電流源の選択されたものを上記ディジタル
ワードの第1の部分に従って選択的に出力バスに対して
電気的に結合又は非結合する第1の変換回路部 を有し、当該変換回路部は (1)複数の定電流源のうちの対応するものに結合され
る第1の電極をそれぞれ有する複数のスイッチングトラ
ン、ジスタと。
1 t (a3) selectively electrically coupling or uncoupling selected ones of the plurality of constant current sources to the output bus in accordance with the first portion of the digital word in response to the first portion of the digital word; It has a first conversion circuit section, and the conversion circuit section includes (1) a plurality of switching transistors and transistors each having a first electrode coupled to a corresponding one of the plurality of constant current sources.

(1)  出力バス及び上記複数のスイッチングトラン
ジスタのうちの対応する本のの第2の電極間にそれぞれ
結合された複数の抵抗手段と を含んでなり、さらに。
(1) a plurality of resistor means each coupled between an output bus and a second electrode of a corresponding one of the plurality of switching transistors;

(b)  上記ディジタルワードの第2の部分を受けて
複数の2進化された電流源のうちへ選択されたものを上
記ディジタルワードの第2の部分に従って選択的に出力
バスに対して電気的に結合又は非結1合する第2の変換
回路部 を有し、上記複数の2進化された電流源は。
(b) in response to a second portion of said digital word, selectively electrically transmitting a selected one of a plurality of binary current sources to an output bus in accordance with said second portion of said digital word; The plurality of binary current sources have a second conversion circuit section that is coupled or uncoupled.

(1)  複数の電流源トランジスタと。(1) With multiple current source transistors.

(11)岐路に配設された抵抗を有し、この抵抗は電流
源トラ7ジスタのエミッタit極に接続された抵抗ラダ
ー回路網と を含んでなり。
(11) having a resistor disposed at the crossroads, the resistor comprising a resistor ladder network connected to the emitter it pole of the current source transistor;

(C)  上記第1の変換回路部の複数の抵抗の抵抗値
は、当該抵抗の両端に発生するW圧降下が、上記抵抗ラ
ダー回路網の分岐の抵抗の1つの両端に上記2進化され
た1流源の1つによって発生される電圧降下と等しくな
るように選定されており。
(C) The resistance values of the plurality of resistors of the first conversion circuit section are such that the W voltage drop occurring across the resistors is converted into the binary voltage across one of the resistors of the branch of the resistor ladder network. 1 is chosen to be equal to the voltage drop produced by one of the current sources.

出力バスを通じて上記ディジタルワードに対応するレベ
ルを有する出力電流を発生することを特徴とするディジ
タル−アナログ変換回路。
A digital-to-analog conversion circuit, characterized in that it generates an output current having a level corresponding to the digital word through an output bus.

以上のように本発明の好適な実施例を述べたが。The preferred embodiments of the present invention have been described above.

その技術思想を具体化した他の実施例を用い得ることは
当該技術分野の人にとって明らかであろう。
It will be apparent to those skilled in the art that other embodiments embodying the technical idea may be used.

従って本発明は上述した実施例に限定される本のではな
く特許請求の範囲の思想及び範囲によっての入制限され
るものである。
Accordingly, the present invention is not limited to the embodiments described above, but rather is limited by the spirit and scope of the claims.

第1図は本発明による12ビツトDACを示す略纏的接
続図、菖2図は第1図のDACに用いられるインクリメ
ント論理部の略綜的II絖図を含んで第1図の12ピツ
)DACを示す路線的接続図。
Figure 1 is a schematic connection diagram showing a 12-bit DAC according to the present invention, and Figure 2 is a schematic diagram of the increment logic section used in the DAC of Figure 1. A route connection diagram showing a DAC.

第3WAは本発明の他の実施例の12ピツ)DACを示
す路線的接続図、第4図はDACに用いられるインクリ
メント論理部の路線的接続図を含んで第6図の12ビツ
トDACを示す路線的接続図。
3rd WA is a line connection diagram showing a 12-bit DAC of another embodiment of the present invention, and FIG. 4 is a line connection diagram showing the 12-bit DAC of FIG. 6, including a line connection diagram of an increment logic section used in the DAC. Route connection diagram.

第5図は本発明の他の実施例の14ピツ)DACを示す
略纏的接続図、第6Eは本発明の他の実施例の14ピツ
)DACを示す路線的接続図、第7図は第1図のDAC
に用いられる抵抗ラダー回路網の一部を示す略纏的接続
図、第8図は第7図の抵抗ラダーロ路網の部分に形成さ
れたIC部分を示す路線的平面図である。
Fig. 5 is a schematic connection diagram showing a 14-pin DAC of another embodiment of the present invention, Fig. 6E is a line connection diagram showing a 14-pin DAC of another embodiment of the invention, and Fig. 7 is DAC in Figure 1
FIG. 8 is a schematic connection diagram showing a part of the resistance ladder network used in FIG.

10・・・ディジタル−アナログ変換回路(DAC)。10... Digital-to-analog conversion circuit (DAC).

14・・・基準電源、  26.26’・・・イ/クリ
メント論       1埋部・ 27a〜27g’・
・制−ライン、  28.64・・・バス、  30.
30’・・・R−2R抵抗ラダーディジタル−アナログ
変換回路部、42・・・AND−補数論理ゲート部、 
 44.44’・・・0R−NORゲート部、 90〜
98・・・出力ライン、  200・・・マスタラダー
回路網p 202・・・スレーブラダー回路網−215
・−I C基板。
14...Reference power supply, 26.26'...I/climent theory 1 buried part・27a~27g'・
・Control line, 28.64...Bus, 30.
30'...R-2R resistance ladder digital-to-analog conversion circuit section, 42...AND-complement logic gate section,
44.44'...0R-NOR gate section, 90~
98...Output line, 200...Master ladder circuit network p 202...Slave ladder circuit network-215
-IC board.

特許出願人  レイセオン・カンパニー(外4名)Patent applicant: Raytheon Company (4 others)

Claims (1)

【特許請求の範囲】 t (a)  ディジタルワードの複数のビットを選択
的に組合せて複数の制御信号を発生し、この制御信号の
少くとも1つをディジタルワードの複数のビットに対応
させる論理回路網と。 (bl  IN数の定1[流源と。 (c)上記制御信号のうちの対応するものを受ける制御
電極と、11!数の定電流源のうちの対応するものに結
合される第1の電極と。 出力バスに結合される第2の電極とをそれぞれ壱する複
数のトランジスタと を具え。 (dl  上記論理回路網は、電a源に結合されたスイ
ッチングトランジスタの制御電極に与えられた制御信号
に従って選択的に出力バスに対して電流源を電気的に結
合し又は当該電流源を電気的に非結合するようになされ
たこと を特徴とするディジタル−アナログ賛俟回絡。 2、上記複数のトランジスタはそれぞれ、劃−電極とペ
ース電極を有し、第1の電極としてエミッタ電極を有し
、第2の電極としてコレクタ$1を有し、各ベース電極
は抵抗を通じてバスに結合されてなる特許請求の範囲第
1項に記載のディジタル−アナログ変換回路。 3、上記バスは基準電圧源に結合されてなる特許請求の
範囲第2項に記載のディジタル−アナログ変換回路。 4、上記鍮埋回I8網は。 (a)  上記ディジタルワードのビットのうち少くと
本1つを与えられて当該ディジタルワードのビットのA
ND及び補数論理関数を表わす第1の複数の出力信号を
発生する第1の複数の論理ゲートと、 (b)  上記第1の複数の出力信号を与えられて制御
信号を発生し、この制御信号は1lIJ1の複数の出力
信号のNOR及びOR論理関数を表わす第2の複数の論
理ゲートと を具えてなる特許請求の範囲第1項に記載のディジタル
−アナログ変換回路。 5、上記論理回路網は。 (a)それぞれトランジスタを有し、それぞれ第1の複
数の論理ゲートのうちの対応するものに結合される複数
の電流源と。 (b)  基準電流を発生する基準トランジスタと。 この基準トランジスタに整合する第2の複数の電流源の
複数のトランジスタとを有し。 第2の複数の論理ゲート用の論理スレシホールド信号を
供給する基準電流源手段とを具えてなる特許請求の範囲
第4項に記載のディジタル−アナログ変換回I8゜ 6、上記各第1の複数の論理ゲートは基準トランジスタ
及び少くとも1つの入力トランジスタを含入、当該トラ
ンジスタは第2の複数の電流源のうちの対応するものに
結合されるエミッタ電極を有し、当該各−塩ゲートは少
くとも1つの入力トランジスタのベース電極に与えられ
るビットに従って第1の複数の出力論理信号のうちの1
つを発生し、この論理ゲートの1つは上記トランジスタ
の1つのコレクタ電極において、この出力論理信号の1
つを発生するようになされた特許請求の範囲第5項に記
載のディジタル−アナログ変換回路。 l 基準電流源は基準トランジスタのコレクタ電極に結
合された基準抵抗を含入、このコレクタ電極は第2の複
数の論理ゲートに対する論理基準信号を供給する特許請
求の範囲第6項に記載のディジタル−アナログ変換回路
。 8、第2の複数のゲートはそれぞれ少くとも1つの入力
トランジスタ及び基準トランジスタを含み、当該少くと
も1つの入力トランジスタ及び基準トランジスタはスイ
ッチングトランジスタの制御電極に結合され、基準トラ
ンジスタのベース電極は電流源手段の基準トランジスタ
のコレクタ電極に結合され、上記第2の複数のゲートの
少くとも1つの入力トランジスタのベース電極は#11
の複数のゲートのコレクタ電極に結合されてなる特許請
求の範囲第7項に記載のディジタル−アナログ変換回路
Claims: t (a) Logic circuit for selectively combining a plurality of bits of a digital word to generate a plurality of control signals and causing at least one of the control signals to correspond to a plurality of bits of a digital word. With the net. (bl IN number of constant 1[current sources and; (c) a control electrode receiving a corresponding one of the above control signals; and a first a plurality of transistors each having one electrode and a second electrode coupled to an output bus (dl). A digital-to-analog support circuit characterized in that a current source is selectively electrically coupled to or electrically decoupled from an output bus according to a signal. 2. The plurality of the above. Each of the transistors has a base electrode and a pace electrode, has an emitter electrode as a first electrode, a collector as a second electrode, and each base electrode is coupled to a bus through a resistor. A digital-to-analog conversion circuit according to claim 1.3. A digital-to-analog conversion circuit according to claim 2, wherein the bus is coupled to a reference voltage source.4. (a) Given at least one of the bits of the digital word, the A of the bits of the digital word is
a first plurality of logic gates generating a first plurality of output signals representing ND and complement logic functions; (b) generating a control signal provided with the first plurality of output signals; and a second plurality of logic gates representing NOR and OR logic functions of the plurality of output signals of 1lIJ1. 5. The above logic circuit network is. (a) a plurality of current sources each having a transistor and each coupled to a corresponding one of the first plurality of logic gates; (b) a reference transistor that generates a reference current; and a second plurality of current source transistors matched to the reference transistor. a reference current source means for supplying a logic threshold signal for a second plurality of logic gates; The plurality of logic gates include a reference transistor and at least one input transistor, the transistor having an emitter electrode coupled to a corresponding one of the second plurality of current sources, and each of the salt gates having an emitter electrode coupled to a corresponding one of the second plurality of current sources. one of the first plurality of output logic signals according to the bit provided to the base electrode of the at least one input transistor;
one of the logic gates generates one of the output logic signals at the collector electrode of one of the transistors.
6. A digital-to-analog conversion circuit according to claim 5, wherein the digital-to-analog conversion circuit is configured to generate one of the following. l The reference current source includes a reference resistor coupled to the collector electrode of the reference transistor, the collector electrode providing a logic reference signal for the second plurality of logic gates. Analog conversion circuit. 8. Each of the second plurality of gates includes at least one input transistor and a reference transistor, the at least one input transistor and the reference transistor being coupled to a control electrode of a switching transistor, and a base electrode of the reference transistor being coupled to a current source. a base electrode of at least one input transistor of said second plurality of gates is coupled to a collector electrode of a reference transistor of said means;
8. The digital-to-analog conversion circuit according to claim 7, wherein the digital-to-analog conversion circuit is coupled to collector electrodes of a plurality of gates of.
JP23495582A 1981-12-24 1982-12-24 Digital-to-analog converter circuit Pending JPS58114623A (en)

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Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS61197732U (en) * 1985-05-29 1986-12-10

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JPS53119657A (en) * 1977-03-29 1978-10-19 Fujitsu Ltd Digital-to-analog converter
JPS5455158A (en) * 1977-10-03 1979-05-02 Fairchild Camera Instr Co Current mode switch for da converter

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