JPS58113764A - 交流電界測定装置 - Google Patents
交流電界測定装置Info
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- JPS58113764A JPS58113764A JP56211971A JP21197181A JPS58113764A JP S58113764 A JPS58113764 A JP S58113764A JP 56211971 A JP56211971 A JP 56211971A JP 21197181 A JP21197181 A JP 21197181A JP S58113764 A JPS58113764 A JP S58113764A
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- 230000005684 electric field Effects 0.000 title claims abstract description 36
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 claims abstract description 24
- 239000003989 dielectric material Substances 0.000 claims abstract description 7
- 238000005259 measurement Methods 0.000 claims description 4
- 238000013459 approach Methods 0.000 claims description 2
- 230000005288 electromagnetic effect Effects 0.000 claims 1
- 239000002131 composite material Substances 0.000 abstract description 5
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 2
- 230000003068 static effect Effects 0.000 description 2
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- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01R—MEASURING ELECTRIC VARIABLES; MEASURING MAGNETIC VARIABLES
- G01R29/00—Arrangements for measuring or indicating electric quantities not covered by groups G01R19/00 - G01R27/00
- G01R29/08—Measuring electromagnetic field characteristics
- G01R29/0864—Measuring electromagnetic field characteristics characterised by constructional or functional features
- G01R29/0878—Sensors; antennas; probes; detectors
- G01R29/0885—Sensors; antennas; probes; detectors using optical probes, e.g. electro-optical, luminescent, glow discharge, or optical interferometers
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- General Physics & Mathematics (AREA)
- Measuring Instrument Details And Bridges, And Automatic Balancing Devices (AREA)
- Measurement Of Current Or Voltage (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
この発明け、４気光学効果を有する光学素子を用いて電
界を測定する交流電界測定装置に関する。
界を測定する交流電界測定装置に関する。
オ１図には、４気光学効果を有する光学素子としてポッ
ケルス素子を用いて電界を測定する１１Ｊｔ浬図を示し
ている。図において、（１）は光源、（２１け偏光子、
１３１けポッケルス素子の単体、１４１は検光子、（５
）は受光器、（６１け電界の方向、（〕）け光、（８ａ
） 、 （８ｂ）はそれぞれ電界を発生させる鍋電圧電
極、接地電極を示す。上社両電権（８ａ）。
ケルス素子を用いて電界を測定する１１Ｊｔ浬図を示し
ている。図において、（１）は光源、（２１け偏光子、
１３１けポッケルス素子の単体、１４１は検光子、（５
）は受光器、（６１け電界の方向、（〕）け光、（８ａ
） 、 （８ｂ）はそれぞれ電界を発生させる鍋電圧電
極、接地電極を示す。上社両電権（８ａ）。
（８ｂ）間の被測定場（９）には媒体（真空の場合も含
む）が満たされている。
む）が満たされている。
以上の構ｌｌｔにおいて、光源ｉｌｌから出た光（７１
＃−ｔ。
＃−ｔ。
−光子（２１、ポッケルス素子（３１、検光子＋４１を
通って受光器（６）に入る。
通って受光器（６）に入る。
ポッケルス素子１３１け、電界（６１の強さに比例して
通過する光（〕）の回転角度を変化させる性質を有して
いるので、筐体の外側から光を被測定場（９）内に通過
させて、両電極（８ａ） 、 （８ｂ）間の電界の測定
をポッケルス素子１８１ Ｋけ非接軸、かつ電気的に絶
縁した状態で測定可能ならしめるものである。ところが
、被測定場の電界が交流′電界であれば、被測定場の誘
電率とポッケルス素子の誘電率とが異なる場合には４を
測定場内の′電界が、ポッケルス素子の挿入によって歪
人で、正確な電界の測定ができないという欠点があつな
。
通過する光（〕）の回転角度を変化させる性質を有して
いるので、筐体の外側から光を被測定場（９）内に通過
させて、両電極（８ａ） 、 （８ｂ）間の電界の測定
をポッケルス素子１８１ Ｋけ非接軸、かつ電気的に絶
縁した状態で測定可能ならしめるものである。ところが
、被測定場の電界が交流′電界であれば、被測定場の誘
電率とポッケルス素子の誘電率とが異なる場合には４を
測定場内の′電界が、ポッケルス素子の挿入によって歪
人で、正確な電界の測定ができないという欠点があつな
。
この光明け、以上のような従来のものの欠点を解消する
ためになされたもので、光学素子との組み合せの誘電率
を被測定場内の媒体の誘電率に近付ける誘電体を被測定
場内に設けて、被ｆｉｌｌ定場の電界の企みを減じて電
界の測定を行なう交流電界測定装置を提供しようとする
ものである。
ためになされたもので、光学素子との組み合せの誘電率
を被測定場内の媒体の誘電率に近付ける誘電体を被測定
場内に設けて、被ｆｉｌｌ定場の電界の企みを減じて電
界の測定を行なう交流電界測定装置を提供しようとする
ものである。
以下、この発明の一実施例を図によって説明する。第２
図、第３図において、０２は複合光学素子で、被測定場
（９）の交流電界内に投けられる。
図、第３図において、０２は複合光学素子で、被測定場
（９）の交流電界内に投けられる。
この複合光学素子（ｌけ、中央ｍｌにポッケルス素子を
光学素子＋１（ＩＩとして用い、′電界に直角な方向の
両側からポッケルス素子からなる光学素子１１（１とは
誘電率の異なる誘電率（川、 （０）で挾持した構造に
なっている。ここで、ポッケルス素子１１０の誘電率を
８ｍ（４１位を略す。以下同じ）、厚さをｄｉ、に昇方
向の断面積をＳ、ｔ＋誘電体！りの誘電率をｇｔ、厚さ
を３ｄｌ！、電界方向の断面積を８（この実施例では、
ポッケルス素子と同じになる。）。
光学素子＋１（ＩＩとして用い、′電界に直角な方向の
両側からポッケルス素子からなる光学素子１１（１とは
誘電率の異なる誘電率（川、 （０）で挾持した構造に
なっている。ここで、ポッケルス素子１１０の誘電率を
８ｍ（４１位を略す。以下同じ）、厚さをｄｉ、に昇方
向の断面積をＳ、ｔ＋誘電体！りの誘電率をｇｔ、厚さ
を３ｄｌ！、電界方向の断面積を８（この実施例では、
ポッケルス素子と同じになる。）。
被測定場（９）の媒体の誘電率を匂とすると、ポッケル
ス素子＋ＩＯの静電容量ＣＩ！ ＃−ｔＣｎ −／４１
． Ｉｖ！電体（Ｉｌ）の静成容微Ｃｔは、両側外を合
わせてＣ４” ’％ｓとなる。したがって、ポッケルス
素子＋ｌＱの上下画側に誘電体（１１）を一体内に積層
した慢合光学責子ａ２１の静′１容量ＣＰけ Ｃｐ Ｉ
ｌ−” ” ”Ｆ／ｌｔｔ ”ｌ’ ＋ ２εｎ・＋Ｉ
Ｊ）となる。
ス素子＋ＩＯの静電容量ＣＩ！ ＃−ｔＣｎ −／４１
． Ｉｖ！電体（Ｉｌ）の静成容微Ｃｔは、両側外を合
わせてＣ４” ’％ｓとなる。したがって、ポッケルス
素子＋ｌＱの上下画側に誘電体（１１）を一体内に積層
した慢合光学責子ａ２１の静′１容量ＣＰけ Ｃｐ Ｉ
ｌ−” ” ”Ｆ／ｌｔｔ ”ｌ’ ＋ ２εｎ・＋Ｉ
Ｊ）となる。
一方、この複合光学素子α力と同じ体積の体積の被測定
場（９）の静電容量Ｃけゾ” ％ａｚ ＋ １ｄＪとな
る。複合光学素子Ｏカが被測定場（９）の電界に影響を
与えないようにするためには、上記ＣｐとＣとを等しく
すればよいので、Ｃ５（ｔｔｌｔ＋ｆｉｇｎム）■〜・
εｔ（（ＬＸ ＋ Ｂｅｔａ）の関係式を成立させねば
ならない。
場（９）の静電容量Ｃけゾ” ％ａｚ ＋ １ｄＪとな
る。複合光学素子Ｏカが被測定場（９）の電界に影響を
与えないようにするためには、上記ＣｐとＣとを等しく
すればよいので、Ｃ５（ｔｔｌｔ＋ｆｉｇｎム）■〜・
εｔ（（ＬＸ ＋ Ｂｅｔａ）の関係式を成立させねば
ならない。
したがって％誘電体（１１）の厚さ６歳は、、Ｉｔ（？
ゞ１シ―鈴禰であればよいことになる〇 上記４１の値は上記Ｃ１とＣとを等しくする値であるが
、Ｃ９の値がＣの値にわずかでも近付けば１界の歪みが
改善されるものである。
ゞ１シ―鈴禰であればよいことになる〇 上記４１の値は上記Ｃ１とＣとを等しくする値であるが
、Ｃ９の値がＣの値にわずかでも近付けば１界の歪みが
改善されるものである。
なお、以上の実施例では、ポッケルス素子と誘電体とを
檀軸した複合光学素子を示したが、第４図に示されるこ
の発明の別の他の実施例のように誘電体（１１）の中に
ポッケルス素子（ｌαを埋設すれげ％積層した場合の側
端部の電界の歪みを防ぐことができるので、より正確な
電界の測定が可能となる・ また、第６図に示される別の他の実施例のように％光学
素子（ｌＯｌと誘電体（川とが別体で、間に媒体が満た
されている場合でも、光学素子ｎＩＩｖｃよる電界の歪
みを減少できる。
檀軸した複合光学素子を示したが、第４図に示されるこ
の発明の別の他の実施例のように誘電体（１１）の中に
ポッケルス素子（ｌαを埋設すれげ％積層した場合の側
端部の電界の歪みを防ぐことができるので、より正確な
電界の測定が可能となる・ また、第６図に示される別の他の実施例のように％光学
素子（ｌＯｌと誘電体（川とが別体で、間に媒体が満た
されている場合でも、光学素子ｎＩＩｖｃよる電界の歪
みを減少できる。
以上述べたようにこの発明によれば、交流′電界測定装
置において、光学素子との組み合せの誘電率を被測定場
内の媒体の誘電率に近付ける誘電−を上記被測定場内に
設けているので、光学素子による上記被測定場内の電界
め歪みを減少させてより定確な交流電界の測定ができる
効果がある。
置において、光学素子との組み合せの誘電率を被測定場
内の媒体の誘電率に近付ける誘電−を上記被測定場内に
設けているので、光学素子による上記被測定場内の電界
め歪みを減少させてより定確な交流電界の測定ができる
効果がある。
４、 図面の簡単な、！５！明
第１図は、電界測定の従来例を示す１１＠斜視図、第２
図はこの発明の一実施例を示す原理図、第８図は、第２
図に用いる光学素子の斜視図、第４図は、この発明の他
の実施例に用いる光学素子の斜視図、第６図はこの発明
の別の他の実施例を示す斜視図である。
図はこの発明の一実施例を示す原理図、第８図は、第２
図に用いる光学素子の斜視図、第４図は、この発明の他
の実施例に用いる光学素子の斜視図、第６図はこの発明
の別の他の実施例を示す斜視図である。
図において、（９）は被測定場、圓は光学素子、（１１
）は誘電体を示す。
）は誘電体を示す。
なお、図中、同一符号は同一、または相当部分を示す。
代理人 葛 野 信 −
第２図
第：３図
第４図
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 ＋１１ 被測定場 媒体中（真空を含む）に・ｔけら
れる電気先学効果を有した光学素子によって電界を測定
する交流電界測定装置において、上記光学素子との組み
合せの秀電率を上記媒体の青電率に近付ける誘電体を、
上記被測定場内に１投けたごとを特徴とする交流電界測
定装置。 （２１携電体は光学素子を４界に直角な方向の両側から
挾むように一体的に、Ｑけられていることを特徴とする
特許請求の範囲牙１項記載の交流電界測定装置。 （３１光学素子け、誘電体内部に埋設されているこ七を
特徴とする特許請求の範囲オ１項記載の交流電界測定装
置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP56211971A JPS58113764A (ja) | 1981-12-26 | 1981-12-26 | 交流電界測定装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP56211971A JPS58113764A (ja) | 1981-12-26 | 1981-12-26 | 交流電界測定装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS58113764A true JPS58113764A (ja) | 1983-07-06 |
| JPH021268B2 JPH021268B2 (ja) | 1990-01-10 |
Family
ID=16614738
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP56211971A Granted JPS58113764A (ja) | 1981-12-26 | 1981-12-26 | 交流電界測定装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS58113764A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0392830A2 (en) * | 1989-04-12 | 1990-10-17 | Hamamatsu Photonics K.K. | Method and apparatus for detecting voltage |
| FR2656428A1 (fr) * | 1989-12-26 | 1991-06-28 | Commissariat Energie Atomique | Capteur de champ electrique a effet pockels. |
| US5157324A (en) * | 1989-12-26 | 1992-10-20 | Commissariat A L'energie Atomique | Improved electro-optical crystal |
-
1981
- 1981-12-26 JP JP56211971A patent/JPS58113764A/ja active Granted
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0392830A2 (en) * | 1989-04-12 | 1990-10-17 | Hamamatsu Photonics K.K. | Method and apparatus for detecting voltage |
| FR2656428A1 (fr) * | 1989-12-26 | 1991-06-28 | Commissariat Energie Atomique | Capteur de champ electrique a effet pockels. |
| US5157324A (en) * | 1989-12-26 | 1992-10-20 | Commissariat A L'energie Atomique | Improved electro-optical crystal |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH021268B2 (ja) | 1990-01-10 |
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