JPS58111390A - Laser diode with light-receiving element - Google Patents

Laser diode with light-receiving element

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JPS58111390A
JPS58111390A JP20944881A JP20944881A JPS58111390A JP S58111390 A JPS58111390 A JP S58111390A JP 20944881 A JP20944881 A JP 20944881A JP 20944881 A JP20944881 A JP 20944881A JP S58111390 A JPS58111390 A JP S58111390A
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JP
Japan
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receiving element
laser diode
light
electrodes
flange
Prior art date
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Application number
JP20944881A
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Japanese (ja)
Inventor
Masato Tozawa
戸沢 正人
Takeo Takahashi
健夫 高橋
Kaneo Takemura
竹村 銀郎
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Hitachi Ltd
Renesas Eastern Japan Semiconductor Inc
Hitachi Iruma Electronic Co Ltd
Original Assignee
Hitachi Ltd
Hitachi Tohbu Semiconductor Ltd
Hitachi Iruma Electronic Co Ltd
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Publication date
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    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01SDEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
    • H01S5/00Semiconductor lasers
    • H01S5/02Structural details or components not essential to laser action
    • H01S5/022Mountings; Housings
    • H01S5/02208Mountings; Housings characterised by the shape of the housings
    • H01S5/02212Can-type, e.g. TO-CAN housings with emission along or parallel to symmetry axis
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01SDEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
    • H01S5/00Semiconductor lasers
    • H01S5/06Arrangements for controlling the laser output parameters, e.g. by operating on the active medium
    • H01S5/068Stabilisation of laser output parameters
    • H01S5/0683Stabilisation of laser output parameters by monitoring the optical output parameters

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  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Electromagnetism (AREA)
  • Optics & Photonics (AREA)
  • Semiconductor Lasers (AREA)

Abstract

PURPOSE:To design a circuit easily while accurately detecting the temperature of a flange by forming each electrode of the element as independent external electrodes. CONSTITUTION:Two electrodes of a laser diode element 4 and two electrodes of the light-receiving element 6 are extracted as independent external terminals by using leads 28-30 and a package 12. The light-receiving element 6 is formed in structure in which an intrinsic region 22 and a P conduction type region 23 are shaped into an N conduction type island region 21 formed at the center of the upper surface of a P conduction type substrate 20 in succession. Accordingly, since a P-N junction 24 for insulating the light-receiving element 6 functions as an insulator during operation, the electrodes of each element have the independent external terminals, thus resulting in easy incorporation into circuits of various kinds.

Description

【発明の詳細な説明】 本発明は受−yt嵩素子レしず一ダイオードに関する。[Detailed description of the invention] The present invention relates to a receiver diode with a bulky element.

レーザー光の強fを受光素子(フォトダイオード)で検
出するレーザーダイオードは、第1図に示すような構造
となっている。すなわち、熱伝導性の艮好な金属からな
る7ランジ1の上面Kti熱伝導性の良好な金属からな
るステム2が垂設されている。このステム2の上端−儒
にはサプマウン)3t−介してレーザーダイオード素子
4が固定されている。レーザーダイオード素子4は上下
端面からそれぞれ上下方向にレーザー光5を出射する。
A laser diode, which detects the intensity f of laser light with a light receiving element (photodiode), has a structure as shown in FIG. That is, a stem 2 made of a metal with good thermal conductivity is vertically disposed on the upper surface Kti of the seven flange 1 made of a metal with good thermal conductivity. A laser diode element 4 is fixed via the upper end of the stem 2 (submount 3t). The laser diode element 4 emits laser light 5 in the vertical direction from the upper and lower end faces, respectively.

下方に進むレーザー光5が到達するフランジ1部分には
フォトダイオード素子(受光素子)6が固定されていて
、レーザー光5の光強度をモニタするようになっている
。また、7ランジ1にr12本のリード7.8が絶縁体
を介して貫通固定されている。これら2本のリード7.
8の上端には別々にレーザーダイオード素子4および受
X票子6の一方の電極に接続されるワイヤ9.10の一
端が接続されている。また、レーザーダイオード素子4
および受・ft、素子6の他の電極は7ランジ1と1通
している。この結果、この受光素子付レーザーダイオー
ドは第2図に示すように3つの外S端子を有する回路を
構成する。なお、図中4はレーザーダイオード素子、6
キ受元累子でめる。さらに、この受jt、素子付レーザ
ーダイオードはフランジl上に金属製のキャップ11を
被せて各素子を僅い、*豪によってフランジ1に固定さ
れてパッケージ121構・成している。なお、キャップ
11の天井11にはガラス板13が取り付けられてレー
ダー党5を出射する窓14Yt形作っている。
A photodiode element (light receiving element) 6 is fixed to a portion of the flange 1 where the laser beam 5 traveling downward reaches, and monitors the light intensity of the laser beam 5. Further, twelve leads 7.8 are fixed to the seven flange 1 through an insulator. These two leads7.
One end of a wire 9.10, which is separately connected to the laser diode element 4 and one electrode of the receiver 6, is connected to the upper end of the wire 8. In addition, the laser diode element 4
The other electrodes of the element 6 are connected to the 7 flange 1. As a result, this laser diode with a light receiving element constitutes a circuit having three external S terminals as shown in FIG. In addition, in the figure, 4 is a laser diode element, and 6 is a laser diode element.
Ki Ukemoto Yuiko Demeru. Furthermore, this receiver jt and the laser diode with element are constructed by placing a metal cap 11 on the flange l, and fixing each element to the flange 1 by a small amount to form a package 121. A glass plate 13 is attached to the ceiling 11 of the cap 11 to form a window 14Yt through which the radar beam 5 is emitted.

ところで、このような受光素子付レーザーダイオードを
自動利得制御11111に組み込む場合、受光素子6の
一電極がアースに直m落ちているため、第3m!GK示
すように、OFアンプを使用する際、−路の初段にアン
プ1B、抵抗16.17からなる電流−電圧変換回路を
必要としたり、あるいは奉極性電−のOPアンプを使用
する際、第4111で示すように、2伽のツェナーダイ
オード18.19を直列にして共通外部端子の電極を一
定INKする必要があるため、回路設計上不便を来たす
。また、後者のツェナーダイオードを用いる場合では、
ツェナーダイオードは電圧が一定せず電位がR卿する一
点一ある。
By the way, when such a laser diode with a light receiving element is incorporated into the automatic gain control 11111, since one electrode of the light receiving element 6 is directly connected to the ground, the 3rd m! As shown in GK, when using an OF amplifier, a current-voltage conversion circuit consisting of an amplifier 1B and a resistor 16.17 is required at the first stage of the negative path, or when using a polarity polarity OP amplifier As shown by 4111, it is necessary to connect two Zener diodes 18 and 19 in series and maintain a constant INK of the electrode of the common external terminal, which causes inconvenience in terms of circuit design. In addition, when using the latter Zener diode,
The voltage of each Zener diode is not constant and the potential is R.

そこで、レーザーダイオード素子あるいは受元本子のサ
ブマウント1IToるいはフランジ働の電極を7ランジ
から電気的に独立させて各電極をa立した外S趨子とし
て引曹出すむとが考えられる。
Therefore, it is conceivable to electrically separate the laser diode element or the submount 1IT or the flange-operating electrode from the 7 flange so that each electrode is drawn out as an erect outer S spiral.

この場合、フランジと素子との関Kj18緑編7を介在
させるが、レーザーダイオード素子は多量に熱を発する
ことと、温度に対して極めて敏感でるる(−2mV/C
)ことから、レーザーダイオード素子−には伝熱性(換
言するならば放熱性)の悪い絶縁s17を介在させるこ
とはできない。この給米、受光素子−に絶縁物を介在さ
せ、受ft、素子の上面に2つの電極を設け、それぞれ
ワイヤを介してリードに接続することになる。
In this case, a connection between the flange and the element is provided, but the laser diode element emits a large amount of heat and is extremely sensitive to temperature (-2mV/C).
) Therefore, the insulation s17 having poor heat conductivity (in other words, heat dissipation) cannot be interposed in the laser diode element. An insulator is interposed between the light receiving element and the receiving element, and two electrodes are provided on the upper surface of the receiving element, each of which is connected to a lead via a wire.

一方、フランジのm度tモニタしながらレーザー元の強
[をより正確に補正する機構として、チー1スタ素子を
7ランジに取り付ける構造が考えられる。、しかし、サ
ーミスタ素子はパッケージ材料と(てガラスを用いてい
るため、熱伝導性が悪く、7ランジ温屓の検出には時間
的遅れが生じ、レーず一元装置の修正(レーザーダイオ
ード素子に印加する電圧を制御することによって行なえ
る。)が不正確となる。
On the other hand, as a mechanism for more accurately correcting the intensity of the laser source while monitoring the flange m degrees, a structure in which a Q1 star element is attached to the 7 flange can be considered. However, since the thermistor element uses glass as a package material, it has poor thermal conductivity, and there is a time delay in detecting the seven-range temperature drop. (This can be done by controlling the voltage applied.) becomes inaccurate.

他方、シリコンのPliQ会の順方向電圧(V、)は龜
皺に地内することが知られている。
On the other hand, it is known that the forward voltage (V) of the PliQ layer of silicon is low.

そこで、前記受光素子のp y@@−の順方向電圧をモ
ニタして7ランジの温度検出を行なうことを考えた場合
、前述のよう(受光素子と熱伝導性の悪い絶縁膜を介し
て)、藁シジに固定する構造では、としても、7ランジ
i度検出は正確にはてきなくなる。
Therefore, when considering detecting the temperature of 7 ranges by monitoring the forward voltage of p y@@- of the light receiving element, as described above (via the light receiving element and an insulating film with poor thermal conductivity), Even if the structure is fixed to a straw sill, the 7 lunge degree detection will not be accurate.

したがって、本発−の目的は、素子の各電極を独立した
外部電極と、することによって、回路設計上不便とする
とと−に、7ランジのS[検出も正確に行なえる構造の
受光素子付レーザーダイオードを提供することにある。
Therefore, the purpose of this invention is to eliminate the inconvenience in terms of circuit design by making each electrode of the element an independent external electrode, and to solve the problem of 7-range S [with a light-receiving element structure that allows accurate detection]. Our goal is to provide laser diodes.

このような目的を達成するために本発I!j1は、レー
ザー元管モニタする受光素子を有するレーザーダイオー
ドであって、レーザーダイオード素子の2電極および受
光素子の2電極t IJ−ドとパッケージ筐たはリード
のみt用いて独立した外部端子として引き出すとと4K
、受光素子は7ツンジにPMil会を介して電気的に絶
縁状−で接続してなるものであって、以下実施NKより
本発明tvLaする。第5図は本発明の一実j1gNに
よる受光素子付レーザーダイオードの断面図、#16図
は同じく受光素子の断面11!J、jl!7図は同じく
受光素子付レーザーダイオードに抵抗を取p付ff7を
状態での回路図である。第5図に示すように、この受元
素子付ダイオード(以下檗にレーザーダイオードと称す
。)は、熱伝導性の艮好な金属からなるフランジlの上
面に熱伝導性の良好な金属からなるステ五2l−1i設
している。このステム2の上端−肯にはサブマクン)C
1介してレーザーダイオード素子4が固定されている。
In order to achieve this purpose, I! j1 is a laser diode having a light receiving element for monitoring the laser source tube, and it can be drawn out as an independent external terminal using only the two electrodes of the laser diode element and the two electrodes of the light receiving element and the package case or lead. Toto 4K
The light-receiving element is electrically insulated and connected to the 7-pin through the PMil board, and hereinafter the present invention will be described from Example NK to TVLa. FIG. 5 is a cross-sectional view of a laser diode with a light-receiving element according to one embodiment of the present invention j1gN, and figure #16 is a cross-section of the light-receiving element 11! J, jl! FIG. 7 is a circuit diagram in which a resistor p is attached to the laser diode with a light receiving element and ff7 is in the same state. As shown in Fig. 5, this diode with a receiving element (hereinafter referred to as a laser diode) has a flange l made of a metal with good thermal conductivity on the upper surface of the flange l made of a metal with good thermal conductivity. Stage 5 2l-1i is installed. The upper end of this stem 2 is submacun)C
1, a laser diode element 4 is fixed thereto.

レーザーダイオード素子4Fi上下端面から上下方向に
レーザー元5′Ik出射する。下方に進むレーザー元5
が到達する7ランジIKはフォトダイオード素子(受光
−子)6が固定されていて、レーザー元50元強ft−
モニタするようになっている。この受光素子6#′i第
6図で示すように、P導電m基板20の上面中央に設け
たN導電製アイランド領域21に真性領域22゜P尋電
ffi慎域23を順次形成した構造となっている。真性
領域(1層) 221l14むP専亀型懺JIIE23
と肩部電着アイランド領域21とによって形作られる受
光素子用PM被接合よび、肩部電層アイランド領域21
の界E1it形作る絶縁用(アイソレーシツン用)P)
I*&24の露出面は絶縁1125によって被われてい
る。また、M都電製アイランド領域21およびP導電層
領域230表面にはそれぞれ電極26.27が設けられ
ている。この受光素子6#i金−シリコンの共蟲会金層
を介してフランジ1Klk足されている。
Laser source 5'Ik is emitted in the vertical direction from the upper and lower end surfaces of laser diode element 4Fi. Laser source 5 moving downward
The 7-range IK that the laser beam reaches has a photodiode element (light receiving element) 6 fixed, and the laser source has a power of just over 50 yuan ft-
It is designed to be monitored. As shown in FIG. 6, this light-receiving element 6#'i has a structure in which an intrinsic region 22.degree. It has become. Intrinsic area (1 layer) 221l14muP special turtle type 懺JIIE23
and the shoulder electrodeposited island region 21 formed by the PM to be bonded for the light-receiving element and the shoulder electrodeposited island region 21.
For insulation forming the field E1it (for isolation) P)
The exposed surface of I*&24 is covered by insulation 1125. Further, electrodes 26 and 27 are provided on the surfaces of the M Toden island region 21 and the P conductive layer region 230, respectively. A flange 1Klk is added to the light receiving element 6#i through a gold-silicon composite layer.

一方、フランジIKは3本のリード28〜30が絶縁体
t−介して貫通固定されている。そして、2本のり一ド
21i 、29の上端に嬬受光素子6の電@2B、21
に一端を接続されるワイヤ(導騙)31.32の一端が
接続される。オた、残pの一本のり−ド30の上端には
、レーザーダイオード素子番の一方の電極に一端を蓋i
Iされるワイヤ(導@)33の他端が接続されている。
On the other hand, three leads 28 to 30 are fixed through the flange IK via an insulator T-. Then, at the upper end of the two wires 21i, 29, the electric field @2B, 21 of the light receiving element 6 is placed.
One end of a wire (guiding wire) 31 and 32 is connected to the other end. Additionally, one end of the remaining board 30 is covered with one end connected to one electrode of the laser diode element number.
The other end of the wire (conductor) 33 is connected to the other end.

レーザーダイオード素子4の他の電極はサブマウント3
゜ステム2倉介して7ランジ1に導通している。また、
このレーザーダイオードは、7ランジl上に金属製のキ
ャップ1111[せて各素子t−豪い、溶接によってフ
ランジlに固定されてキャップ11とフランジ1とによ
ってパッケージ12¥r構成している。この結果、この
レーザーダイオードは第7図に示すように、パッケージ
12と3本のリード28〜30I!−からなる4つの外
部端子を有するため、各素子の引出端1iFi独立して
いる。また、キャップ11の天井にはガラス板13が取
り付けられて、レーザー光5が透過する窓14に形作っ
ている。
The other electrode of the laser diode element 4 is the submount 3
゜It is connected to 7 langes 1 through 2 stems. Also,
This laser diode has a metal cap 1111 on seven flange l, each element is fixed to the flange l by welding, and the cap 11 and flange 1 constitute a package 12. As a result, this laser diode is assembled into a package 12 and three leads 28-30I!, as shown in FIG. Since it has four external terminals consisting of -, the lead-out end 1iFi of each element is independent. Further, a glass plate 13 is attached to the ceiling of the cap 11, forming a window 14 through which the laser beam 5 passes.

このようなレーザーダイオードは、受光素子6の絶縁用
PM接会24は動作時絶縁本として作用するため、各素
子の電極Fi独立した外部端子を有していることから、
各種の回路に組み込み島い。
In such a laser diode, since the insulating PM contact 24 of the light receiving element 6 acts as an insulating main during operation, the electrode Fi of each element has an independent external terminal.
It can be incorporated into various circuits.

たとえば、自動利得制御回路に組み込む場合、謳7−に
示すように、受光素子6とアースとの間に抵抗34を組
み込むことによって電圧検出形の回路を形成できるため
、受光素子6の一電#Aを所望電位に―持できることに
なる。
For example, when incorporated into an automatic gain control circuit, a voltage detection type circuit can be formed by incorporating a resistor 34 between the light receiving element 6 and the ground, as shown in Section 7-. This means that A can be held at the desired potential.

また、このレーず一ダイオードでは受光素子6はシリコ
ン板で形成され、金−シリコン共晶合金層を介して7ラ
ンジ1に接合されている。このたkt)75ンジ1のI
lK変化に素早く対応する。この結果、受光素子60P
HQ合に加わる順方向電圧(V、)の変化をモニタする
ととKよって、7ランジ1f)iii度変化を適格に知
ることができ、レーザーダイオード素子に印加する電圧
の制御がより正確となり、安定し72:光強度のレーザ
ー光を発振できるようKなる。
Further, in this laser diode, the light receiving element 6 is formed of a silicon plate, and is bonded to the seven flange 1 via a gold-silicon eutectic alloy layer. This kt) 75 engine 1 I
Quickly respond to lK changes. As a result, the light receiving element 60P
By monitoring the change in the forward voltage (V, ) applied to the HQ coupling, it is possible to accurately know the change in the 7 range 1f) iii degree, and the voltage applied to the laser diode element can be more accurately controlled and stabilized. 72: K becomes high enough to oscillate a laser beam of optical intensity.

なお、本発明は前記実mガKla定される−のではなく
、本発明の技術思想に基いて変形が可能である。たとえ
ば、リードt−4本として引出端子を全てリードとして
もよい。
Note that the present invention is not limited to the above-mentioned actual values, but can be modified based on the technical idea of the present invention. For example, all the lead terminals may be used as leads with t-4 leads.

以上のように、本発明によれば、素子の各電極倉独立し
た外部電極としたことから5回路設計が容易となるとと
もに、7ランジのsat’検出も正確に検出できる構造
の受光素子骨レーザーダイオードt−提供することがで
きる。
As described above, according to the present invention, each electrode chamber of the element has independent external electrodes, making it easy to design 5 circuits, and the light-receiving element bone laser has a structure that allows accurate detection of 7-range sat'. Diode t-can be provided.

【図面の簡単な説明】[Brief explanation of the drawing]

第1図は従来の受光菓子付レーザーダイオードの断面図
、第2図は同じく等価回路図、嬉3図。 第4図は同じく自動利得制御回路組込時の付加回路図、
gstgは本発明の一実施ガによる受光素子付レーザー
ダイオードの@面図、第6図は同じく受光素子の断面図
、第7図は同じく受光菓子付レーザーダイオードに抵抗
を取り付ff*状總の回路図である。 l・・・7ランジ、2・・・ステム、3・・・サブマウ
ント、4・・・レーザーダイオード素子、6・・・受光
素子、12・・・パッケージ、20・・・P導電型基板
、21・・・N導電型アイランド領域、22・・・真性
領域、23・・・P導電型領域、24・・・絶縁相PN
接行、2b。 27・・・電極、28〜3o・・・リード、31〜33
・・・ワイヤ、34・・・抵抗。 第  1  図 第  4  図 第  2  図 第  3  図
Figure 1 is a cross-sectional view of a conventional laser diode with a light-receiving device, and Figure 2 is an equivalent circuit diagram, as well as Figure 3. Figure 4 is an additional circuit diagram when the automatic gain control circuit is incorporated.
gstg is a @ side view of a laser diode with a light receiving element according to one embodiment of the present invention, FIG. 6 is a cross-sectional view of the same light receiving element, and FIG. It is a circuit diagram. l...7 langes, 2...stem, 3...submount, 4...laser diode element, 6...light receiving element, 12...package, 20...P conductivity type substrate, 21...N conductivity type island region, 22...Intrinsic region, 23...P conductivity type region, 24...Insulating phase PN
Tangent, 2b. 27... Electrode, 28-3o... Lead, 31-33
...wire, 34...resistance. Figure 1 Figure 4 Figure 2 Figure 3

Claims (1)

【特許請求の範囲】 1、レーザーftモニタする受光素子t−有するレーザ
ーダイオードであって、レーザーダイオード素子の2電
極および受光素子の2電l1ty−ドとパッケージまた
はリードのみt用いて独立した外am子として引璽出す
とともに、受光素子は7ランジに、P菖接合を介して電
気的に絶縁状−で接続されること【4I黴とする受光素
子付し−ず−ダイオード。
[Scope of Claims] 1. A laser diode having a light receiving element for monitoring laser ft, which is an independent external am At the same time, the light-receiving element is connected to the 7-lunge in an electrically insulating manner via a P junction.
JP20944881A 1981-12-25 1981-12-25 Laser diode with light-receiving element Pending JPS58111390A (en)

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