JPS58108747A - スパツタ成膜装置 - Google Patents
スパツタ成膜装置Info
- Publication number
- JPS58108747A JPS58108747A JP20689281A JP20689281A JPS58108747A JP S58108747 A JPS58108747 A JP S58108747A JP 20689281 A JP20689281 A JP 20689281A JP 20689281 A JP20689281 A JP 20689281A JP S58108747 A JPS58108747 A JP S58108747A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- substrate
- measuring device
- substrate holder
- film
- crystal oscillator
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
- C23C14/22—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
- C23C14/54—Controlling or regulating the coating process
- C23C14/542—Controlling the film thickness or evaporation rate
- C23C14/545—Controlling the film thickness or evaporation rate using measurement on deposited material
- C23C14/546—Controlling the film thickness or evaporation rate using measurement on deposited material using crystal oscillators
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Mechanical Engineering (AREA)
- Metallurgy (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Physical Vapour Deposition (AREA)
- Physical Deposition Of Substances That Are Components Of Semiconductor Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は、スパッタ成膜装置に係り、特に、バッチ式の
スパッタ装置において薄膜の形成過程を正確にモニタリ
ングし得るようにしたスパッタ成膜装置に関するもので
ある。
スパッタ装置において薄膜の形成過程を正確にモニタリ
ングし得るようにしたスパッタ成膜装置に関するもので
ある。
バッチ式のスパッタ装置として、たとえば、第１図およ
び第２図に示すスパッタ装置が知られている。すなわち
、チャンバ１には、排気口２と給気口３が形成され、そ
れぞれパイプ４で真空排気手段（図示せず）とスパッタ
ガス供給手段（図示せず）とに接続されている。このチ
ャンバ１内には、その内壁に沿ってスパッタターゲット
（以下単にターゲットという）５が配置され、導線６で
外部の電源（図示せず）に接続されている。
び第２図に示すスパッタ装置が知られている。すなわち
、チャンバ１には、排気口２と給気口３が形成され、そ
れぞれパイプ４で真空排気手段（図示せず）とスパッタ
ガス供給手段（図示せず）とに接続されている。このチ
ャンバ１内には、その内壁に沿ってスパッタターゲット
（以下単にターゲットという）５が配置され、導線６で
外部の電源（図示せず）に接続されている。
前記チャンバ１内には、前記ターゲット５との対向面が
開口するシールド板７が配置されている。このシールド
板７の開口部を開閉するシャッタ８は、前記チャンバ１
の底面を回転自在に貫通する軸９の一端に設けたアーム
１０に結合されている。前記軸９は、図示しない駆動手
段によって回動させられる。前記シールド板７の中央に
は、前記チャンバ１の蓋１１を回転自在に貫通する軸１
２に固定された基板ホルダ１３が配置されている○この
基板ホルダ１３には、基板１４が保持される。前記チャ
ンバ１の底部に立設されたブラケット１５によって、前
記基板ホルダ１３の回転円周とシャッタ８の間に位置す
るように水晶振動子１６が配置され、導線１７で測定装
置（図示せず）に接続されている。
開口するシールド板７が配置されている。このシールド
板７の開口部を開閉するシャッタ８は、前記チャンバ１
の底面を回転自在に貫通する軸９の一端に設けたアーム
１０に結合されている。前記軸９は、図示しない駆動手
段によって回動させられる。前記シールド板７の中央に
は、前記チャンバ１の蓋１１を回転自在に貫通する軸１
２に固定された基板ホルダ１３が配置されている○この
基板ホルダ１３には、基板１４が保持される。前記チャ
ンバ１の底部に立設されたブラケット１５によって、前
記基板ホルダ１３の回転円周とシャッタ８の間に位置す
るように水晶振動子１６が配置され、導線１７で測定装
置（図示せず）に接続されている。
このような構成で、基板１４を保持した基板ホルダ１３
を、シールド板７の中央に配置し、蓋１１をチャンバ１
上に気密固定して、チャンバ１内を排気したのち、アル
ゴン等のガスを供給し、ターゲット５に電圧を印加する
。同時に基板ホルダ１６を所定の速度で回転させる。こ
の状態でターゲット５のスパッタ状態が安定すると、シ
ャッタ８が開き、シールド板７の開口部を通して、基板
１４に成膜する。このとき、ターゲット５から飛出した
スパッタ物質が基板１４に付着すると共に、水晶振動子
１６にも付着し、水晶振動子１６にも成膜される。した
がって、水晶振動子１６の出力を監視することにより、
基板１４に形成される膜の厚さを知ることができる。
を、シールド板７の中央に配置し、蓋１１をチャンバ１
上に気密固定して、チャンバ１内を排気したのち、アル
ゴン等のガスを供給し、ターゲット５に電圧を印加する
。同時に基板ホルダ１６を所定の速度で回転させる。こ
の状態でターゲット５のスパッタ状態が安定すると、シ
ャッタ８が開き、シールド板７の開口部を通して、基板
１４に成膜する。このとき、ターゲット５から飛出した
スパッタ物質が基板１４に付着すると共に、水晶振動子
１６にも付着し、水晶振動子１６にも成膜される。した
がって、水晶振動子１６の出力を監視することにより、
基板１４に形成される膜の厚さを知ることができる。
しかし、基板１４が回転しているのに対し、水晶振動子
１６が固定されているため、水晶振動子１６には基板１
４より１０倍はど厚い膜が形成される。
１６が固定されているため、水晶振動子１６には基板１
４より１０倍はど厚い膜が形成される。
このため、水晶振動子１６の出力に幾何学的な補正を加
えて基板１４上の膜厚を推定しなければならない。また
、スパッタ条件が変更された場合には、前記幾何学的因
子が変化し、基板上の膜厚を正確にモニタできないこと
がある。さらに抵抗体の成膜時において、シート抵抗値
を再現性良く成膜することが困難であるなどの欠点があ
った。
えて基板１４上の膜厚を推定しなければならない。また
、スパッタ条件が変更された場合には、前記幾何学的因
子が変化し、基板上の膜厚を正確にモニタできないこと
がある。さらに抵抗体の成膜時において、シート抵抗値
を再現性良く成膜することが困難であるなどの欠点があ
った。
本発明の目的は、上記した従来技術の欠点をなくシフ、
基板に形成される薄膜の成膜状況を正確にモニタするよ
うにしたスパッタ成膜装置を提供するにある。
基板に形成される薄膜の成膜状況を正確にモニタするよ
うにしたスパッタ成膜装置を提供するにある。
上記目的を達成するため、本発明においては基板ホルダ
に検出手段を配置し、基板と同じ条件で検出手段にも薄
膜を形成するようにしたことを特徴とする。
に検出手段を配置し、基板と同じ条件で検出手段にも薄
膜を形成するようにしたことを特徴とする。
以下、本発明の一実施例を図面にしたがって説明する。
第６図ないし第５図は本発明の一実施例を示すもので、
同図において、第１図および第２図と同じものは、同じ
符号を付けて示しである。
同図において、第１図および第２図と同じものは、同じ
符号を付けて示しである。
図において、基板ホルダ１３の下端には、切欠き１３ａ
が形成されている。この切欠き１５ａ内に位置するよう
に水晶振動子１６と、抵抗測定器１８が基板の成膜面と
同じ高さになるように基板ホルダ１６に支持されている
。前記抵抗測定器１８は、絶縁基板１９上に所定の間隔
で導体の電極２０が形成され、各電極２０には導線２１
が接続されている。
が形成されている。この切欠き１５ａ内に位置するよう
に水晶振動子１６と、抵抗測定器１８が基板の成膜面と
同じ高さになるように基板ホルダ１６に支持されている
。前記抵抗測定器１８は、絶縁基板１９上に所定の間隔
で導体の電極２０が形成され、各電極２０には導線２１
が接続されている。
なお、水晶振動子１６と抵抗測定器１８の各導線１７．
２１は、軸１２の軸心部を通してキャビティ１の外部に
配置された測定器（図示せず）に接続されている。
２１は、軸１２の軸心部を通してキャビティ１の外部に
配置された測定器（図示せず）に接続されている。
上記の構成において、基板ホルダ１３に基板を取付け、
基板ホルダ１３を回転させ々がら薄膜を形成すると、水
晶振動子１６および抵抗測定器１８にも各々基板と同じ
条件で薄膜が形成される。
基板ホルダ１３を回転させ々がら薄膜を形成すると、水
晶振動子１６および抵抗測定器１８にも各々基板と同じ
条件で薄膜が形成される。
すなわち、基板ホルダ１３に保持された基板と水晶振動
子１６および抵抗測定器１８は、一体で回転するため、
各々には同じ厚さの薄膜が形成される１、したがって、
水晶振動子１６の出力の変化音がそのｔま基板上に形成
された膜の厚さに対応するので膜厚を正確に検出するこ
とができる。
子１６および抵抗測定器１８は、一体で回転するため、
各々には同じ厚さの薄膜が形成される１、したがって、
水晶振動子１６の出力の変化音がそのｔま基板上に形成
された膜の厚さに対応するので膜厚を正確に検出するこ
とができる。
また、抵抗測定器１８の電極２０の間の抵抗を測定する
ことにより、基板に形成された膜の抵抗値を正確に検出
することができる。
ことにより、基板に形成された膜の抵抗値を正確に検出
することができる。
さらに、前記水晶振動子１６と抵抗測定器１８の検出結
果から、基板に形成された膜の比抵抗を求め、膜質を判
定することができ、スパッタ成膜の管理を行なうことが
できる。
果から、基板に形成された膜の比抵抗を求め、膜質を判
定することができ、スパッタ成膜の管理を行なうことが
できる。
なお、検出手段としての水晶振動子１６と抵抗測定器１
８は、必要に応じていずれか一方だけを用いてもよいこ
とはいうまでもない。
８は、必要に応じていずれか一方だけを用いてもよいこ
とはいうまでもない。
以上述べた如く、本発明によれば、スパッタ成膜装置に
おいて、基板ホルダに検出手段を設け、検出手段を基板
と共に回転させるようにしたので、基板上に形成される
膜の厚さ、抵抗値膜質を正確に検出することができる。
おいて、基板ホルダに検出手段を設け、検出手段を基板
と共に回転させるようにしたので、基板上に形成される
膜の厚さ、抵抗値膜質を正確に検出することができる。
また、膜質の管理を行なうことができるなどの効果があ
るＯ
るＯ
第１図は従来のスパッタ成膜装置を示す正面断面図、第
２図は第１図の平面図、第６図は本発明の要部を示す斜
視図、第４図は第３図における抵抗測定器の拡大正面図
、第５図は第４図の底面図である。 １・・・チャンバ ５・・・スパッタターゲット １３・・・基板ホルダ １６・・・水晶振動子 １８・・・抵抗測定器 代理人弁理士 薄 １）利 辛− 矛１図 〒２図
２図は第１図の平面図、第６図は本発明の要部を示す斜
視図、第４図は第３図における抵抗測定器の拡大正面図
、第５図は第４図の底面図である。 １・・・チャンバ ５・・・スパッタターゲット １３・・・基板ホルダ １６・・・水晶振動子 １８・・・抵抗測定器 代理人弁理士 薄 １）利 辛− 矛１図 〒２図
Claims (1)
- 内部のガスの置換が可能なチャンバと、このチャンバの
中央に回転自在に配置された基板ホルダと、この基板ホ
ルダの回転円周に対向するように前記チャンバ内に配置
されたスパッタターゲットとを設け、基板ホルダに基板
を取付けて回転させながら基板に成膜するようにしたス
パッタ成膜装置において、基板ホルタ”に、スパッタタ
ーゲットと対向する検出手段を設け、この検出手段の出
力に基づいて、成膜状態を検出するようにしたことを特
徴とするスパッタ成膜装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP20689281A JPS58108747A (ja) | 1981-12-23 | 1981-12-23 | スパツタ成膜装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP20689281A JPS58108747A (ja) | 1981-12-23 | 1981-12-23 | スパツタ成膜装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS58108747A true JPS58108747A (ja) | 1983-06-28 |
Family
ID=16530777
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP20689281A Pending JPS58108747A (ja) | 1981-12-23 | 1981-12-23 | スパツタ成膜装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS58108747A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS60197875A (ja) * | 1984-03-19 | 1985-10-07 | Ulvac Corp | スパツタ装置用自動成膜制御装置 |
| JPS63272027A (ja) * | 1987-04-30 | 1988-11-09 | Hitachi Ltd | 半導体製造装置 |
| JP2021118356A (ja) * | 2020-01-22 | 2021-08-10 | フォン アルデンヌ アセット ゲーエムベーハー ウント コー カーゲー | 循環式コンベヤ輸送ホイール、基板キャリア、及び方法 |
-
1981
- 1981-12-23 JP JP20689281A patent/JPS58108747A/ja active Pending
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS60197875A (ja) * | 1984-03-19 | 1985-10-07 | Ulvac Corp | スパツタ装置用自動成膜制御装置 |
| JPS63272027A (ja) * | 1987-04-30 | 1988-11-09 | Hitachi Ltd | 半導体製造装置 |
| JP2021118356A (ja) * | 2020-01-22 | 2021-08-10 | フォン アルデンヌ アセット ゲーエムベーハー ウント コー カーゲー | 循環式コンベヤ輸送ホイール、基板キャリア、及び方法 |
| US11795003B2 (en) | 2020-01-22 | 2023-10-24 | VON ARDENNE Asset GmbH & Co. KG | Circulation conveyor transport wheel, substrate carrier and method |
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