JPS58108747A - スパツタ成膜装置 - Google Patents
スパツタ成膜装置Info
- Publication number
- JPS58108747A JPS58108747A JP20689281A JP20689281A JPS58108747A JP S58108747 A JPS58108747 A JP S58108747A JP 20689281 A JP20689281 A JP 20689281A JP 20689281 A JP20689281 A JP 20689281A JP S58108747 A JPS58108747 A JP S58108747A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- substrate
- measuring device
- substrate holder
- film
- crystal oscillator
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
- C23C14/22—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
- C23C14/54—Controlling or regulating the coating process
- C23C14/542—Controlling the film thickness or evaporation rate
- C23C14/545—Controlling the film thickness or evaporation rate using measurement on deposited material
- C23C14/546—Controlling the film thickness or evaporation rate using measurement on deposited material using crystal oscillators
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Mechanical Engineering (AREA)
- Metallurgy (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Physical Vapour Deposition (AREA)
- Physical Deposition Of Substances That Are Components Of Semiconductor Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は、スパッタ成膜装置に係り、特に、バッチ式の
スパッタ装置において薄膜の形成過程を正確にモニタリ
ングし得るようにしたスパッタ成膜装置に関するもので
ある。
スパッタ装置において薄膜の形成過程を正確にモニタリ
ングし得るようにしたスパッタ成膜装置に関するもので
ある。
バッチ式のスパッタ装置として、たとえば、第1図およ
び第2図に示すスパッタ装置が知られている。すなわち
、チャンバ1には、排気口2と給気口3が形成され、そ
れぞれパイプ4で真空排気手段(図示せず)とスパッタ
ガス供給手段(図示せず)とに接続されている。このチ
ャンバ1内には、その内壁に沿ってスパッタターゲット
(以下単にターゲットという)5が配置され、導線6で
外部の電源(図示せず)に接続されている。
び第2図に示すスパッタ装置が知られている。すなわち
、チャンバ1には、排気口2と給気口3が形成され、そ
れぞれパイプ4で真空排気手段(図示せず)とスパッタ
ガス供給手段(図示せず)とに接続されている。このチ
ャンバ1内には、その内壁に沿ってスパッタターゲット
(以下単にターゲットという)5が配置され、導線6で
外部の電源(図示せず)に接続されている。
前記チャンバ1内には、前記ターゲット5との対向面が
開口するシールド板7が配置されている。このシールド
板7の開口部を開閉するシャッタ8は、前記チャンバ1
の底面を回転自在に貫通する軸9の一端に設けたアーム
10に結合されている。前記軸9は、図示しない駆動手
段によって回動させられる。前記シールド板7の中央に
は、前記チャンバ1の蓋11を回転自在に貫通する軸1
2に固定された基板ホルダ13が配置されている○この
基板ホルダ13には、基板14が保持される。前記チャ
ンバ1の底部に立設されたブラケット15によって、前
記基板ホルダ13の回転円周とシャッタ8の間に位置す
るように水晶振動子16が配置され、導線17で測定装
置(図示せず)に接続されている。
開口するシールド板7が配置されている。このシールド
板7の開口部を開閉するシャッタ8は、前記チャンバ1
の底面を回転自在に貫通する軸9の一端に設けたアーム
10に結合されている。前記軸9は、図示しない駆動手
段によって回動させられる。前記シールド板7の中央に
は、前記チャンバ1の蓋11を回転自在に貫通する軸1
2に固定された基板ホルダ13が配置されている○この
基板ホルダ13には、基板14が保持される。前記チャ
ンバ1の底部に立設されたブラケット15によって、前
記基板ホルダ13の回転円周とシャッタ8の間に位置す
るように水晶振動子16が配置され、導線17で測定装
置(図示せず)に接続されている。
このような構成で、基板14を保持した基板ホルダ13
を、シールド板7の中央に配置し、蓋11をチャンバ1
上に気密固定して、チャンバ1内を排気したのち、アル
ゴン等のガスを供給し、ターゲット5に電圧を印加する
。同時に基板ホルダ16を所定の速度で回転させる。こ
の状態でターゲット5のスパッタ状態が安定すると、シ
ャッタ8が開き、シールド板7の開口部を通して、基板
14に成膜する。このとき、ターゲット5から飛出した
スパッタ物質が基板14に付着すると共に、水晶振動子
16にも付着し、水晶振動子16にも成膜される。した
がって、水晶振動子16の出力を監視することにより、
基板14に形成される膜の厚さを知ることができる。
を、シールド板7の中央に配置し、蓋11をチャンバ1
上に気密固定して、チャンバ1内を排気したのち、アル
ゴン等のガスを供給し、ターゲット5に電圧を印加する
。同時に基板ホルダ16を所定の速度で回転させる。こ
の状態でターゲット5のスパッタ状態が安定すると、シ
ャッタ8が開き、シールド板7の開口部を通して、基板
14に成膜する。このとき、ターゲット5から飛出した
スパッタ物質が基板14に付着すると共に、水晶振動子
16にも付着し、水晶振動子16にも成膜される。した
がって、水晶振動子16の出力を監視することにより、
基板14に形成される膜の厚さを知ることができる。
しかし、基板14が回転しているのに対し、水晶振動子
16が固定されているため、水晶振動子16には基板1
4より10倍はど厚い膜が形成される。
16が固定されているため、水晶振動子16には基板1
4より10倍はど厚い膜が形成される。
このため、水晶振動子16の出力に幾何学的な補正を加
えて基板14上の膜厚を推定しなければならない。また
、スパッタ条件が変更された場合には、前記幾何学的因
子が変化し、基板上の膜厚を正確にモニタできないこと
がある。さらに抵抗体の成膜時において、シート抵抗値
を再現性良く成膜することが困難であるなどの欠点があ
った。
えて基板14上の膜厚を推定しなければならない。また
、スパッタ条件が変更された場合には、前記幾何学的因
子が変化し、基板上の膜厚を正確にモニタできないこと
がある。さらに抵抗体の成膜時において、シート抵抗値
を再現性良く成膜することが困難であるなどの欠点があ
った。
本発明の目的は、上記した従来技術の欠点をなくシフ、
基板に形成される薄膜の成膜状況を正確にモニタするよ
うにしたスパッタ成膜装置を提供するにある。
基板に形成される薄膜の成膜状況を正確にモニタするよ
うにしたスパッタ成膜装置を提供するにある。
上記目的を達成するため、本発明においては基板ホルダ
に検出手段を配置し、基板と同じ条件で検出手段にも薄
膜を形成するようにしたことを特徴とする。
に検出手段を配置し、基板と同じ条件で検出手段にも薄
膜を形成するようにしたことを特徴とする。
以下、本発明の一実施例を図面にしたがって説明する。
第6図ないし第5図は本発明の一実施例を示すもので、
同図において、第1図および第2図と同じものは、同じ
符号を付けて示しである。
同図において、第1図および第2図と同じものは、同じ
符号を付けて示しである。
図において、基板ホルダ13の下端には、切欠き13a
が形成されている。この切欠き15a内に位置するよう
に水晶振動子16と、抵抗測定器18が基板の成膜面と
同じ高さになるように基板ホルダ16に支持されている
。前記抵抗測定器18は、絶縁基板19上に所定の間隔
で導体の電極20が形成され、各電極20には導線21
が接続されている。
が形成されている。この切欠き15a内に位置するよう
に水晶振動子16と、抵抗測定器18が基板の成膜面と
同じ高さになるように基板ホルダ16に支持されている
。前記抵抗測定器18は、絶縁基板19上に所定の間隔
で導体の電極20が形成され、各電極20には導線21
が接続されている。
なお、水晶振動子16と抵抗測定器18の各導線17.
21は、軸12の軸心部を通してキャビティ1の外部に
配置された測定器(図示せず)に接続されている。
21は、軸12の軸心部を通してキャビティ1の外部に
配置された測定器(図示せず)に接続されている。
上記の構成において、基板ホルダ13に基板を取付け、
基板ホルダ13を回転させ々がら薄膜を形成すると、水
晶振動子16および抵抗測定器18にも各々基板と同じ
条件で薄膜が形成される。
基板ホルダ13を回転させ々がら薄膜を形成すると、水
晶振動子16および抵抗測定器18にも各々基板と同じ
条件で薄膜が形成される。
すなわち、基板ホルダ13に保持された基板と水晶振動
子16および抵抗測定器18は、一体で回転するため、
各々には同じ厚さの薄膜が形成される1、したがって、
水晶振動子16の出力の変化音がそのtま基板上に形成
された膜の厚さに対応するので膜厚を正確に検出するこ
とができる。
子16および抵抗測定器18は、一体で回転するため、
各々には同じ厚さの薄膜が形成される1、したがって、
水晶振動子16の出力の変化音がそのtま基板上に形成
された膜の厚さに対応するので膜厚を正確に検出するこ
とができる。
また、抵抗測定器18の電極20の間の抵抗を測定する
ことにより、基板に形成された膜の抵抗値を正確に検出
することができる。
ことにより、基板に形成された膜の抵抗値を正確に検出
することができる。
さらに、前記水晶振動子16と抵抗測定器18の検出結
果から、基板に形成された膜の比抵抗を求め、膜質を判
定することができ、スパッタ成膜の管理を行なうことが
できる。
果から、基板に形成された膜の比抵抗を求め、膜質を判
定することができ、スパッタ成膜の管理を行なうことが
できる。
なお、検出手段としての水晶振動子16と抵抗測定器1
8は、必要に応じていずれか一方だけを用いてもよいこ
とはいうまでもない。
8は、必要に応じていずれか一方だけを用いてもよいこ
とはいうまでもない。
以上述べた如く、本発明によれば、スパッタ成膜装置に
おいて、基板ホルダに検出手段を設け、検出手段を基板
と共に回転させるようにしたので、基板上に形成される
膜の厚さ、抵抗値膜質を正確に検出することができる。
おいて、基板ホルダに検出手段を設け、検出手段を基板
と共に回転させるようにしたので、基板上に形成される
膜の厚さ、抵抗値膜質を正確に検出することができる。
また、膜質の管理を行なうことができるなどの効果があ
るO
るO
第1図は従来のスパッタ成膜装置を示す正面断面図、第
2図は第1図の平面図、第6図は本発明の要部を示す斜
視図、第4図は第3図における抵抗測定器の拡大正面図
、第5図は第4図の底面図である。 1・・・チャンバ 5・・・スパッタターゲット 13・・・基板ホルダ 16・・・水晶振動子 18・・・抵抗測定器 代理人弁理士 薄 1)利 辛− 矛1図 〒2図
2図は第1図の平面図、第6図は本発明の要部を示す斜
視図、第4図は第3図における抵抗測定器の拡大正面図
、第5図は第4図の底面図である。 1・・・チャンバ 5・・・スパッタターゲット 13・・・基板ホルダ 16・・・水晶振動子 18・・・抵抗測定器 代理人弁理士 薄 1)利 辛− 矛1図 〒2図
Claims (1)
- 内部のガスの置換が可能なチャンバと、このチャンバの
中央に回転自在に配置された基板ホルダと、この基板ホ
ルダの回転円周に対向するように前記チャンバ内に配置
されたスパッタターゲットとを設け、基板ホルダに基板
を取付けて回転させながら基板に成膜するようにしたス
パッタ成膜装置において、基板ホルタ”に、スパッタタ
ーゲットと対向する検出手段を設け、この検出手段の出
力に基づいて、成膜状態を検出するようにしたことを特
徴とするスパッタ成膜装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP20689281A JPS58108747A (ja) | 1981-12-23 | 1981-12-23 | スパツタ成膜装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP20689281A JPS58108747A (ja) | 1981-12-23 | 1981-12-23 | スパツタ成膜装置 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS58108747A true JPS58108747A (ja) | 1983-06-28 |
Family
ID=16530777
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP20689281A Pending JPS58108747A (ja) | 1981-12-23 | 1981-12-23 | スパツタ成膜装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS58108747A (ja) |
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS60197875A (ja) * | 1984-03-19 | 1985-10-07 | Ulvac Corp | スパツタ装置用自動成膜制御装置 |
JPS63272027A (ja) * | 1987-04-30 | 1988-11-09 | Hitachi Ltd | 半導体製造装置 |
JP2021118356A (ja) * | 2020-01-22 | 2021-08-10 | フォン アルデンヌ アセット ゲーエムベーハー ウント コー カーゲー | 循環式コンベヤ輸送ホイール、基板キャリア、及び方法 |
-
1981
- 1981-12-23 JP JP20689281A patent/JPS58108747A/ja active Pending
Cited By (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS60197875A (ja) * | 1984-03-19 | 1985-10-07 | Ulvac Corp | スパツタ装置用自動成膜制御装置 |
JPS63272027A (ja) * | 1987-04-30 | 1988-11-09 | Hitachi Ltd | 半導体製造装置 |
JP2021118356A (ja) * | 2020-01-22 | 2021-08-10 | フォン アルデンヌ アセット ゲーエムベーハー ウント コー カーゲー | 循環式コンベヤ輸送ホイール、基板キャリア、及び方法 |
US11795003B2 (en) | 2020-01-22 | 2023-10-24 | VON ARDENNE Asset GmbH & Co. KG | Circulation conveyor transport wheel, substrate carrier and method |
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