JPS5810873A - 受光ダイオ−ド - Google Patents
受光ダイオ−ドInfo
- Publication number
- JPS5810873A JPS5810873A JP56109681A JP10968181A JPS5810873A JP S5810873 A JPS5810873 A JP S5810873A JP 56109681 A JP56109681 A JP 56109681A JP 10968181 A JP10968181 A JP 10968181A JP S5810873 A JPS5810873 A JP S5810873A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- light
- receiving diode
- pellet
- light receiving
- type
- Prior art date
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- Pending
Links
- 230000035945 sensitivity Effects 0.000 claims abstract description 8
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims 4
- 239000008188 pellet Substances 0.000 abstract description 10
- 238000000034 method Methods 0.000 abstract description 4
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 3
- 239000013078 crystal Substances 0.000 abstract description 3
- 239000012535 impurity Substances 0.000 abstract description 3
- 238000005468 ion implantation Methods 0.000 abstract description 3
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 abstract description 3
- 239000010703 silicon Substances 0.000 abstract description 3
- 239000002184 metal Substances 0.000 abstract description 2
- 239000011347 resin Substances 0.000 abstract description 2
- 229920005989 resin Polymers 0.000 abstract description 2
- 238000007789 sealing Methods 0.000 abstract description 2
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 1
- 230000005693 optoelectronics Effects 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L31/0248—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by their semiconductor bodies
- H01L31/0352—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by their semiconductor bodies characterised by their shape or by the shapes, relative sizes or disposition of the semiconductor regions
- H01L31/035272—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by their semiconductor bodies characterised by their shape or by the shapes, relative sizes or disposition of the semiconductor regions characterised by at least one potential jump barrier or surface barrier
- H01L31/035281—Shape of the body
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
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- General Physics & Mathematics (AREA)
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- Power Engineering (AREA)
- Light Receiving Elements (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は受光ダイオードに関し、特にそのペレット構造
に関する。
に関する。
現在、光エレクトロニクスの発達により１発光・受光素
子を一対とした光電変換素子が幅広い分野において数多
く利用されている。特に家庭電気製品の分野においては
春外発光ダイオードと受光ダイオード（特にＰＩＮダイ
オード）を使用したリモートコントロール装置が普及し
てきている。
子を一対とした光電変換素子が幅広い分野において数多
く利用されている。特に家庭電気製品の分野においては
春外発光ダイオードと受光ダイオード（特にＰＩＮダイ
オード）を使用したリモートコントロール装置が普及し
てきている。
このような状況下において、従来用いられている受光ダ
イオードは、第１図に示すような形のものが多く、その
ペレット構造は第２因に示すような平面状のＰ影領域２
１とＮ影領域２２とのＰＮ接合２３を有する構造となっ
ている。ところが、第２図の構造からも明らかなように
、従来のペレット構造では受光面に対し、入射角が大き
くなった場合、十分な感度を示さなくなってしまうとい
う欠点を有している。
イオードは、第１図に示すような形のものが多く、その
ペレット構造は第２因に示すような平面状のＰ影領域２
１とＮ影領域２２とのＰＮ接合２３を有する構造となっ
ている。ところが、第２図の構造からも明らかなように
、従来のペレット構造では受光面に対し、入射角が大き
くなった場合、十分な感度を示さなくなってしまうとい
う欠点を有している。
本発明の目的は、上記のような欠点を改良し、１個の受
光ダイオードによってあらゆる方向からの光に感度を示
すことが可能な受光ダイオードを提供することにある。
光ダイオードによってあらゆる方向からの光に感度を示
すことが可能な受光ダイオードを提供することにある。
本発明による受光ダイオードはペレットが円柱状の構造
となっておシ、そのためＰＮ接合部を円柱の全側面にわ
たって有することを特徴とする。
となっておシ、そのためＰＮ接合部を円柱の全側面にわ
たって有することを特徴とする。
その結果、円柱の側面に対してあらゆる方向から来る光
に対して十分な感度を有する受光グイオ−ドを得ること
が可能である。
に対して十分な感度を有する受光グイオ−ドを得ること
が可能である。
次に図面を参照し実施例に即して本発明を説明する。
〔実施例１〕
Ｃ２法によシ得られた直径４■１１長さ２００ｍの円柱
状Ｎ型シリコン単結晶３２に対し、その状態で細面全体
へＰ型不純物を拡散しＰＮ接合３３、を有する第３図の
基本的構造を形成する。
状Ｎ型シリコン単結晶３２に対し、その状態で細面全体
へＰ型不純物を拡散しＰＮ接合３３、を有する第３図の
基本的構造を形成する。
次にそれを長さ５園に切断し、最後にイオン打ち込み法
を用いて、第４図に示すように裏面（マウント面）全体
にＮ層４４を形成する。このような構造を有するペレッ
トを、一方の電極（Ｎ型部分）は底面を直接リードフレ
ームにマウントし、他の一方（Ｐ型部分）の電極は円柱
の ４゜側面３１に金属線をボンディングし、さらに樹
脂封止を行なう。
を用いて、第４図に示すように裏面（マウント面）全体
にＮ層４４を形成する。このような構造を有するペレッ
トを、一方の電極（Ｎ型部分）は底面を直接リードフレ
ームにマウントし、他の一方（Ｐ型部分）の電極は円柱
の ４゜側面３１に金属線をボンディングし、さらに樹
脂封止を行なう。
〔実施例２〕
実施例１で使用した円柱上Ｎ型シリコン単結晶６２を、
長さ５−に切断した後、第６図に示すように上面及び側
面からＰ型不純物を拡散してＰ型領域６１を形成し、そ
の後裏面に対してイオン打ち込み法を用いてＮ層６４を
形成する。
長さ５−に切断した後、第６図に示すように上面及び側
面からＰ型不純物を拡散してＰ型領域６１を形成し、そ
の後裏面に対してイオン打ち込み法を用いてＮ層６４を
形成する。
このような構造とすれに側面ばかりでなく上面からの光
に対して感度を示す構造とカリ指向性をさらに拡大させ
ることができる。
に対して感度を示す構造とカリ指向性をさらに拡大させ
ることができる。
以上説明したように、本発明によれば側面及び上面から
入射する光に対して感度を示すことができるので、例え
ばラジオ、扇風機等のように使用する方向に制限のない
ものに対して、あらゆる方向からのリモートコントロー
ルが可能となる受光ダイオードが比較的簡単表工程で得
ることができる。
入射する光に対して感度を示すことができるので、例え
ばラジオ、扇風機等のように使用する方向に制限のない
ものに対して、あらゆる方向からのリモートコントロー
ルが可能となる受光ダイオードが比較的簡単表工程で得
ることができる。
第１図は従来の受光ダイオードの外形図を示し、第２図
は同じ〈従来技術による受光ダイオードのベレットの構
造を示す断面図。第３図は本発明による受光ダイオード
ベレットの基本的な構造を示す斜視図。第４図は本発明
の第１実施例１により得られたベレットの斜視図。第５
図は第４図の断面図。第６図は本発明の第２実施例にょ
シ得られたペレットの断面図。 ２１．３１．６１・旧・・Ｐ型領域、２２．３２．４４
．６２．６４・・・・・・Ｎ型領域、２３．３３．６３
・・・・・・ＰＮ＠合部。 ・ ＊′３図 第−４可 Ｖ−夕回 峯〆旧
は同じ〈従来技術による受光ダイオードのベレットの構
造を示す断面図。第３図は本発明による受光ダイオード
ベレットの基本的な構造を示す斜視図。第４図は本発明
の第１実施例１により得られたベレットの斜視図。第５
図は第４図の断面図。第６図は本発明の第２実施例にょ
シ得られたペレットの断面図。 ２１．３１．６１・旧・・Ｐ型領域、２２．３２．４４
．６２．６４・・・・・・Ｎ型領域、２３．３３．６３
・・・・・・ＰＮ＠合部。 ・ ＊′３図 第−４可 Ｖ−夕回 峯〆旧
Claims (1)
- 円柱状の第１導電型半導体と、その第１導電型半導体の
側面全体を囲む円筒状の第２導電型半導体と、これら二
種類の半導体によって形成されるＰＨ１合により、マウ
ント面以外のすべての面において受光感度を有すること
を特徴とする受光ダイオード。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP56109681A JPS5810873A (ja) | 1981-07-14 | 1981-07-14 | 受光ダイオ−ド |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP56109681A JPS5810873A (ja) | 1981-07-14 | 1981-07-14 | 受光ダイオ−ド |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5810873A true JPS5810873A (ja) | 1983-01-21 |
Family
ID=14516479
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP56109681A Pending JPS5810873A (ja) | 1981-07-14 | 1981-07-14 | 受光ダイオ−ド |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5810873A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP1342259A4 (en) * | 2000-11-29 | 2006-04-05 | Origin Energy Solar Pty Ltd | PROCESSING A SEMICONDUCTOR WAFER TO INCREASE THE EXTENT OF THE USEFUL PLANE SURFACE |
-
1981
- 1981-07-14 JP JP56109681A patent/JPS5810873A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP1342259A4 (en) * | 2000-11-29 | 2006-04-05 | Origin Energy Solar Pty Ltd | PROCESSING A SEMICONDUCTOR WAFER TO INCREASE THE EXTENT OF THE USEFUL PLANE SURFACE |
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