JPS58105583A - 多機能センサ - Google Patents
多機能センサInfo
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- JPS58105583A JPS58105583A JP56203922A JP20392281A JPS58105583A JP S58105583 A JPS58105583 A JP S58105583A JP 56203922 A JP56203922 A JP 56203922A JP 20392281 A JP20392281 A JP 20392281A JP S58105583 A JPS58105583 A JP S58105583A
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- JP
- Japan
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- sensor
- gas
- chips
- sensitive
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- Pending
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-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01N—INVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
- G01N27/00—Investigating or analysing materials by the use of electric, electrochemical, or magnetic means
- G01N27/02—Investigating or analysing materials by the use of electric, electrochemical, or magnetic means by investigating impedance
- G01N27/04—Investigating or analysing materials by the use of electric, electrochemical, or magnetic means by investigating impedance by investigating resistance
- G01N27/12—Investigating or analysing materials by the use of electric, electrochemical, or magnetic means by investigating impedance by investigating resistance of a solid body in dependence upon absorption of a fluid; of a solid body in dependence upon reaction with a fluid, for detecting components in the fluid
- G01N27/121—Investigating or analysing materials by the use of electric, electrochemical, or magnetic means by investigating impedance by investigating resistance of a solid body in dependence upon absorption of a fluid; of a solid body in dependence upon reaction with a fluid, for detecting components in the fluid for determining moisture content, e.g. humidity, of the fluid
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01K—MEASURING TEMPERATURE; MEASURING QUANTITY OF HEAT; THERMALLY-SENSITIVE ELEMENTS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- G01K7/00—Measuring temperature based on the use of electric or magnetic elements directly sensitive to heat ; Power supply therefor, e.g. using thermoelectric elements
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- Investigating Or Analyzing Materials By The Use Of Fluid Adsorption Or Reactions (AREA)
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は新規な構造の多機能センサに関するものであり
、光とくに赤外線センサ、湿度センサ。
、光とくに赤外線センサ、湿度センサ。
ガスセンサなどの雰囲気センサあるいは温度センナを一
体化した多機能センサに関するものであシ、とくに高精
度、低消費電力で、しかも応答速度が速く、均一な特性
を有し、しかも長期安定性にすぐれた高倍−頼性の超小
形多機能センサを提供しようとするものである。
体化した多機能センサに関するものであシ、とくに高精
度、低消費電力で、しかも応答速度が速く、均一な特性
を有し、しかも長期安定性にすぐれた高倍−頼性の超小
形多機能センサを提供しようとするものである。
雰囲気センサと温度センサを一体化した多機能センサに
ついては、たとえば特願昭６３−１０１１００号などで
本発明者によって既に提案されている。しかしながら、
光とくに赤外線センサと雰囲気センサを一体化した構成
の多機能センサに関する提案は全く行なわれていない。
ついては、たとえば特願昭６３−１０１１００号などで
本発明者によって既に提案されている。しかしながら、
光とくに赤外線センサと雰囲気センサを一体化した構成
の多機能センサに関する提案は全く行なわれていない。
その理由の第一は両者のセンサを同時に必要とする用途
がなかったためであり、第二は両者を一体化するために
は解決すべき大きな技術的課題があったためである。雰
囲気センサとくにガスセンサでは、ガス検出感度を高く
し、しかも応答速度を速くするためにはガス感応部を数
百℃という高温まで加熱することが必要であるが、現状
ではガス感応部のみを局部的に加熱する技術が不十分で
あり、その周辺部分の温度も上昇してしまうので、感度
を向上させるためにはむしろ検知部を冷却する方が好ま
しい赤外線センサと雰囲気センサを一体化することは困
難であった。また別の技術的課題について述べると、焦
電型のような従来の赤外線センサはその入力インピーダ
ンスが非常に高いので通常インピーダンス変換用のＦＥ
Ｔ（電界効果型トランジスタ）を用いることが不可欠で
あった。しかしながら周知のようにＦＥＴは数百℃とい
う高温では動作しないので、これも一体化をさまたげる
要因となっていた。
がなかったためであり、第二は両者を一体化するために
は解決すべき大きな技術的課題があったためである。雰
囲気センサとくにガスセンサでは、ガス検出感度を高く
し、しかも応答速度を速くするためにはガス感応部を数
百℃という高温まで加熱することが必要であるが、現状
ではガス感応部のみを局部的に加熱する技術が不十分で
あり、その周辺部分の温度も上昇してしまうので、感度
を向上させるためにはむしろ検知部を冷却する方が好ま
しい赤外線センサと雰囲気センサを一体化することは困
難であった。また別の技術的課題について述べると、焦
電型のような従来の赤外線センサはその入力インピーダ
ンスが非常に高いので通常インピーダンス変換用のＦＥ
Ｔ（電界効果型トランジスタ）を用いることが不可欠で
あった。しかしながら周知のようにＦＥＴは数百℃とい
う高温では動作しないので、これも一体化をさまたげる
要因となっていた。
ここですでに提案されている雰囲気センサと赤外線セン
サのそれぞれの従来例について簡単に説明する。
サのそれぞれの従来例について簡単に説明する。
現在ガスセンサとしては焼結体、厚膜形、薄膜形、超微
粒子膜形などの各種タイプが提案されている。この中で
、たとえば特願昭６３−１０３０２６号などで本発明者
によって提案されている超微粒子膜形は他のタイプのも
のに比べてガス感度が高い。しかしながら一般にこれら
の半導体形ガスセンサは精度に問題があると言われてい
る。本発明者はその原因について詳細に検討した結果、
ガス感応体あるいはガス感応膜の動作温度のばらつきも
大きな要因の一つになっていることがわかった。しかも
従来のガスセンサは実際の動作温度を検知して制御する
手段を持っていないことがわかった。そこで本発明者は
、たとえば実願昭６５−１８２４３４号、実願昭６６−
１８２４３５号において、超微粒子ガス感応性膜の動作
温度を高精度に制御する方法について提案した。この提
案では、現在の超ＬＳＩ製造に用いられている微細加工
技術をその１ま利用して超微粒子ガス感応性膜を有する
ガスセンサを製造できるので、他のタイプのものに比べ
て、小形であり、寸法精度などの均一性も非常にすぐれ
ている。そして動作温度を制御することができるように
なったために、結果として高精度になるだけでなく、形
状１寸法を小さくしたことによる熱容量の低下によって
、ガス感応性膜の加熱応答時間が短縮されるだけでなく
、消費電力も低下させることができた。
粒子膜形などの各種タイプが提案されている。この中で
、たとえば特願昭６３−１０３０２６号などで本発明者
によって提案されている超微粒子膜形は他のタイプのも
のに比べてガス感度が高い。しかしながら一般にこれら
の半導体形ガスセンサは精度に問題があると言われてい
る。本発明者はその原因について詳細に検討した結果、
ガス感応体あるいはガス感応膜の動作温度のばらつきも
大きな要因の一つになっていることがわかった。しかも
従来のガスセンサは実際の動作温度を検知して制御する
手段を持っていないことがわかった。そこで本発明者は
、たとえば実願昭６５−１８２４３４号、実願昭６６−
１８２４３５号において、超微粒子ガス感応性膜の動作
温度を高精度に制御する方法について提案した。この提
案では、現在の超ＬＳＩ製造に用いられている微細加工
技術をその１ま利用して超微粒子ガス感応性膜を有する
ガスセンサを製造できるので、他のタイプのものに比べ
て、小形であり、寸法精度などの均一性も非常にすぐれ
ている。そして動作温度を制御することができるように
なったために、結果として高精度になるだけでなく、形
状１寸法を小さくしたことによる熱容量の低下によって
、ガス感応性膜の加熱応答時間が短縮されるだけでなく
、消費電力も低下させることができた。
しかしながら、本発明者の行った従来の提案においても
未解決の問題点が残されていた。その問題点について第
１図を用いて説明する。なお第１図（−）は上面図、同
図（ｂ）は同図（ａ）のＡ−Ｎにおける断面図である０ 図に示すようにｐ形シリコン基板１がアルミナなどの支
持体９に接着され、５１０２膜１ｏを介して、超微粒子
ガス感応性膜６が設けられている。
未解決の問題点が残されていた。その問題点について第
１図を用いて説明する。なお第１図（−）は上面図、同
図（ｂ）は同図（ａ）のＡ−Ｎにおける断面図である０ 図に示すようにｐ形シリコン基板１がアルミナなどの支
持体９に接着され、５１０２膜１ｏを介して、超微粒子
ガス感応性膜６が設けられている。
３′、３′は基板１に電力を印加するだめの電極、４’
、 ４’、 ４′は感応性膜６の電気抵抗あるいは電気
容量などの電気的特性を測定するための電極、８′はＳ
ｉＯ２膜１ｏに形成された開孔部である０さて。
、 ４’、 ４′は感応性膜６の電気抵抗あるいは電気
容量などの電気的特性を測定するための電極、８′はＳ
ｉＯ２膜１ｏに形成された開孔部である０さて。
加熱する必要があるのは、ガス感応性膜６の部分のみで
あるが、第１図に示した従来例の場合には、シリコン基
板１全体が加熱されてしまうという点と、基板１で発生
した熱がアルミナなどで形成されたセラミック製支持体
を伝わって逃げてしまうという点が問題であった。消費
電力をさらに低下させ、かつガス感応性膜６のみは数百
℃という高温まで加熱させるという相矛盾する課題を解
決する必要にせまられていた。
あるが、第１図に示した従来例の場合には、シリコン基
板１全体が加熱されてしまうという点と、基板１で発生
した熱がアルミナなどで形成されたセラミック製支持体
を伝わって逃げてしまうという点が問題であった。消費
電力をさらに低下させ、かつガス感応性膜６のみは数百
℃という高温まで加熱させるという相矛盾する課題を解
決する必要にせまられていた。
ところで、光とくに赤外線センサに関しては、本発明と
関連があるのは熱検出器であるので、これに限って簡単
に述べる。
関連があるのは熱検出器であるので、これに限って簡単
に述べる。
従来の熱検出器全般に関しては検出感度があまり高くな
いこと、応答速度が遅いことが指摘されている問題点で
ある。薄膜熱電対を用いる場合にはその性能の経時的変
化が問題であり、抵抗変化を利用する場合には、抵抗体
内部で発生する雑音を熱雑音まで近づけることが課題で
あった。
いこと、応答速度が遅いことが指摘されている問題点で
ある。薄膜熱電対を用いる場合にはその性能の経時的変
化が問題であり、抵抗変化を利用する場合には、抵抗体
内部で発生する雑音を熱雑音まで近づけることが課題で
あった。
本発明は以上に述べた雰囲気センサおよび光とくに熱形
赤外線センサの問題点を解決すると同時にそれらを一体
化した多機能センサを提案するものでり、しかもこの多
機能センサにおいては個々のセンサが従来に比べて感度
、精度、応答性、長期安定性にすぐれ、さらに特性が均
一で超小形の多機能センサを実現できるものである。以
下に本発明の詳細な説明する。
赤外線センサの問題点を解決すると同時にそれらを一体
化した多機能センサを提案するものでり、しかもこの多
機能センサにおいては個々のセンサが従来に比べて感度
、精度、応答性、長期安定性にすぐれ、さらに特性が均
一で超小形の多機能センサを実現できるものである。以
下に本発明の詳細な説明する。
第２図は本発明の多機能センサの一実施例を示す。なお
第２図（−）は上面図、同図（ｂ）は下面図、同図（Ｃ
）は同図（−）のＡ−Ａ’における断面図、同図（ｄ）
は同図（−）のＢ−Ｂ／における断面図、同図（ｅ）は
同図（−）のＣ−σにおける断面図である。図において
シリコン基板１は゛１０ｏ〜３００μ程度の厚さのシリ
コンウェハをスクライビングして作ったシリコンチップ
からなる。シリコンチップを選択的にエツチングするこ
とによシ、第３図（ｃ）、 （ｄ）、 （＠）に示すよ
うにシリコン基板１の一部分にシリコン薄層２゜２′を
選択的に形成する。シリコン薄層２．２′は基板間にま
たがって形成されている５１０２膜１ｏによって中空に
保持されている。Ｓ ｚ Ｏ２膜１０の電気抵抗は十分
高いので、中空に保持されたシリコン薄層２．２’領域
とシリコン基板１とは電気的に絶縁されたものと見なす
ことができる。１１．１２は空間である。
第２図（−）は上面図、同図（ｂ）は下面図、同図（Ｃ
）は同図（−）のＡ−Ａ’における断面図、同図（ｄ）
は同図（−）のＢ−Ｂ／における断面図、同図（ｅ）は
同図（−）のＣ−σにおける断面図である。図において
シリコン基板１は゛１０ｏ〜３００μ程度の厚さのシリ
コンウェハをスクライビングして作ったシリコンチップ
からなる。シリコンチップを選択的にエツチングするこ
とによシ、第３図（ｃ）、 （ｄ）、 （＠）に示すよ
うにシリコン基板１の一部分にシリコン薄層２゜２′を
選択的に形成する。シリコン薄層２．２′は基板間にま
たがって形成されている５１０２膜１ｏによって中空に
保持されている。Ｓ ｚ Ｏ２膜１０の電気抵抗は十分
高いので、中空に保持されたシリコン薄層２．２’領域
とシリコン基板１とは電気的に絶縁されたものと見なす
ことができる。１１．１２は空間である。
薄層２，２′は熱容量が非常に小さくしかも中空に保持
された状態になっており、一方Ｓｉｏ２膜１゜の熱伝導
率はシリコンに比べて桁違いに小さいので、Ｓ １０２
膜１ｏを伝わって伝熱される分は無視できるようになる
。むしろ電極８．９を伝わって放熱される分あるいは空
気を伝わって放熱される成分の方が無視できなくなる。
された状態になっており、一方Ｓｉｏ２膜１゜の熱伝導
率はシリコンに比べて桁違いに小さいので、Ｓ １０２
膜１ｏを伝わって伝熱される分は無視できるようになる
。むしろ電極８．９を伝わって放熱される分あるいは空
気を伝わって放熱される成分の方が無視できなくなる。
ｓ／、 ｅ／はそれぞれ薄層２．２′と電極８，９°を
接触させるための開孔部である。ヒータ、電極材料とし
てドープドポリシリコンを用いることもできる。
接触させるための開孔部である。ヒータ、電極材料とし
てドープドポリシリコンを用いることもできる。
なおシリコン薄層２，２′のパターンは一例を示すもの
であって各種の変形が考えられることはいうまでもない
。
であって各種の変形が考えられることはいうまでもない
。
６はガス感応性膜、１６は光吸収膜、６．７はガス感応
性膜の電気的特性を測定するための一対の電極であり、
６’、 ７’はボンデング用パッドである。シリコン
薄層２はガス感応性膜６の下部に形成されていて、ガス
感応性膜２を加熱するためのヒータとして機能する。シ
リコン薄層２からの熱は５１０２膜１ｏを介してガス感
応性膜６に伝わるので、Ｓ ｉＯ２膜１ｏの厚さは、電
気的絶縁性と機械的強度からくる限度まで薄くする方が
好ましい。
性膜の電気的特性を測定するための一対の電極であり、
６’、 ７’はボンデング用パッドである。シリコン
薄層２はガス感応性膜６の下部に形成されていて、ガス
感応性膜２を加熱するためのヒータとして機能する。シ
リコン薄層２からの熱は５１０２膜１ｏを介してガス感
応性膜６に伝わるので、Ｓ ｉＯ２膜１ｏの厚さは、電
気的絶縁性と機械的強度からくる限度まで薄くする方が
好ましい。
あるいは、ガス感応性膜６の下部の８１０２膜のみを部
分的に薄くするから、５１０２膜１ｏに代えてたとえば
ＳｉＯ２膜と５１３Ｎ４膜との多層膜で構成し、その一
部分が、薄くなるように構成してもよい０ シリコン薄層２′は光吸収膜１６で発生した熱を検知す
るための温度センサとして機能する。なお先にも述べた
のと同一の理由で５ＩＯ２膜の厚さは薄い方がよい。
分的に薄くするから、５１０２膜１ｏに代えてたとえば
ＳｉＯ２膜と５１３Ｎ４膜との多層膜で構成し、その一
部分が、薄くなるように構成してもよい０ シリコン薄層２′は光吸収膜１６で発生した熱を検知す
るための温度センサとして機能する。なお先にも述べた
のと同一の理由で５ＩＯ２膜の厚さは薄い方がよい。
シリコン薄層２．２′はそれぞれ加熱ヒータ、温度セン
サとの双方を兼用できるものであり１本発明のセンサの
特徴の一つである。
サとの双方を兼用できるものであり１本発明のセンサの
特徴の一つである。
さて、ガス感応性膜６および光吸収膜１６を超微粒子膜
で構成できることは、先に本発明者がたとえば特願昭５
３−１０３０２６号、特願昭６２−１０２４２４号など
において提案している０また、ガス感応性膜６がたとえ
ばＳｎ酸化物超微粒子。
で構成できることは、先に本発明者がたとえば特願昭５
３−１０３０２６号、特願昭６２−１０２４２４号など
において提案している０また、ガス感応性膜６がたとえ
ばＳｎ酸化物超微粒子。
光吸収膜１６がＡｕ超微粒子で構成されるときにはそれ
ぞれの単位面積当りの重量は１０〜１００μｑ／１素子
、４ｏＯμｑ／Ｉという微量で十分にその機能が発揮さ
れることについても本発明者が見い出した事実である。
ぞれの単位面積当りの重量は１０〜１００μｑ／１素子
、４ｏＯμｑ／Ｉという微量で十分にその機能が発揮さ
れることについても本発明者が見い出した事実である。
このことはたとえばガス感応性膜６を加熱するための熱
量が少なくてすむし、光吸収膜１６に吸収された光によ
って発生した熱量が微量でも光吸収膜１６が加熱されや
すいことを意味している。
量が少なくてすむし、光吸収膜１６に吸収された光によ
って発生した熱量が微量でも光吸収膜１６が加熱されや
すいことを意味している。
以上のようにガス感応性膜６の部分と光吸収膜１６の部
分は熱的に絶縁されているので、ガスセンサと赤外線セ
ンサとを一体化することが可能になっている。
分は熱的に絶縁されているので、ガスセンサと赤外線セ
ンサとを一体化することが可能になっている。
第３図は本発明の他の実施例を示す。温度センサとして
機能するシリコン薄層２′は第２図の場合と同一のパタ
ーンであってもよく、そしてたとえば白金の薄膜で構成
される。光吸収膜１６は空間１２の中にとじこめられて
いる。この場合には光吸収膜１６の表面が汚染されるこ
とがない。空間１２が真空ならば光吸収膜１６で発生し
た熱が失なわれにくいので好都合である。たとえば支持
体１３に保持された光ファイバ１６によって光１４を導
いて光吸収膜１６に照射させることができる。
機能するシリコン薄層２′は第２図の場合と同一のパタ
ーンであってもよく、そしてたとえば白金の薄膜で構成
される。光吸収膜１６は空間１２の中にとじこめられて
いる。この場合には光吸収膜１６の表面が汚染されるこ
とがない。空間１２が真空ならば光吸収膜１６で発生し
た熱が失なわれにくいので好都合である。たとえば支持
体１３に保持された光ファイバ１６によって光１４を導
いて光吸収膜１６に照射させることができる。
光ファイバ１５の代りにレンズを用いてもよい。
また光ファイバ１６を用いずに支持体１３に設けられた
開孔を利用するようにしてもよい。ただしこのときには
真空封止の場合に比べて感度は低下する。
開孔を利用するようにしてもよい。ただしこのときには
真空封止の場合に比べて感度は低下する。
ところで本発明者がたとえば特願昭６４−６８１３８
号において提案し泥ように、超微粒子ガス感応膜の動作
温度を変えることにより同一の感応膜で異った複数のガ
スを検知することができる。
号において提案し泥ように、超微粒子ガス感応膜の動作
温度を変えることにより同一の感応膜で異った複数のガ
スを検知することができる。
本発明のガスセンサでは感応部およびヒータ部を微小化
できるので、たとえば複数の感応膜を近接して設け、そ
れぞれの動作温度を変えて所定の温度まで定常動作させ
ることが実用的に可能になった。あるいは所定の温度領
域の間で昇温・降温させて動作させるときにも熱応答速
度が桁違いに速くなった分だけ実用上の価値が向上した
。
できるので、たとえば複数の感応膜を近接して設け、そ
れぞれの動作温度を変えて所定の温度まで定常動作させ
ることが実用的に可能になった。あるいは所定の温度領
域の間で昇温・降温させて動作させるときにも熱応答速
度が桁違いに速くなった分だけ実用上の価値が向上した
。
本発明の多機能センサは電子レンジなどの調理用センサ
あるいは各種分析用センサ火災センサなど多方面に用い
ることができるし、その構成についても本発明の主旨を
逸脱しない範囲で各種の変形が考えられることはいう壕
でもない。
あるいは各種分析用センサ火災センサなど多方面に用い
ることができるし、その構成についても本発明の主旨を
逸脱しない範囲で各種の変形が考えられることはいう壕
でもない。
以上に説明したことから明らかなように、本発明による
と、精度が高く、かつ応答温度が速く、消費電力が少な
くしかも長期安定性にすぐれるなど性能のすぐれた高信
頼性の超小形多機能センサを容易に得ることができる。
と、精度が高く、かつ応答温度が速く、消費電力が少な
くしかも長期安定性にすぐれるなど性能のすぐれた高信
頼性の超小形多機能センサを容易に得ることができる。
第１図（ａ）、 （ｂ）は従来の多機能センサを示すも
ので、このうち同図（ａ）は上面図、同図（ｂ）は同図
＜ａ＞のＡ−八′における断面図である。第２図（＝）
〜（ｅ）は本発明の一実施例である多機能センサを示す
もので。 同図（−）は上面図、同図（ｂ）は下面図、同図（（り
、 （ｄ）。 （θ）はそれぞれ同図（ａ）のＡ −Ａ’、 Ｂ−Ｂ
’、 Ｃ−σにおける断面図である。第３９図は本発明
の他の実施例である多機能セッサの要部の断面図である
。 １・・・・・・基板、２，２／・・・・・・シリコン薄
層、３／。 昭 ４’、 ４＃、 ４’ζ６． ７．８．９°゛゛゛
電極、６・・・・・・ガス感応性膜、１０・・・・・・
ＳｉＯ２膜、１３・・・・・・支持体、１６・・・・
・・光ファイバ、１６・・・・・光吸収膜。 代理人の氏名 弁理士 中 尾 敏 男 ほか１名第１
図 Ｃ′ 第２図 「０゛ ｃ １１ｇ３＠ ２′
ので、このうち同図（ａ）は上面図、同図（ｂ）は同図
＜ａ＞のＡ−八′における断面図である。第２図（＝）
〜（ｅ）は本発明の一実施例である多機能センサを示す
もので。 同図（−）は上面図、同図（ｂ）は下面図、同図（（り
、 （ｄ）。 （θ）はそれぞれ同図（ａ）のＡ −Ａ’、 Ｂ−Ｂ
’、 Ｃ−σにおける断面図である。第３９図は本発明
の他の実施例である多機能セッサの要部の断面図である
。 １・・・・・・基板、２，２／・・・・・・シリコン薄
層、３／。 昭 ４’、 ４＃、 ４’ζ６． ７．８．９°゛゛゛
電極、６・・・・・・ガス感応性膜、１０・・・・・・
ＳｉＯ２膜、１３・・・・・・支持体、１６・・・・
・・光ファイバ、１６・・・・・光吸収膜。 代理人の氏名 弁理士 中 尾 敏 男 ほか１名第１
図 Ｃ′ 第２図 「０゛ ｃ １１ｇ３＠ ２′
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 （１）基板に支持された電気絶縁性の薄膜を有し、前記
薄膜上の一部分にはガス感応性膜とその電気的特性を測
定するための電極と前記感応性膜を局部的に加熱するた
めのヒータが設けられ、前記薄膜上の他の部分には光吸
収膜と前記吸収膜で発生した温度を検知するための温度
センサが設けられたことを特徴とする多機能センサ。 に））薄膜上に被検ガス雰囲気の温度を検知するための
温度センサが設けられたことを特徴とする特許請求の範
囲第１項に記載の多機能センサ。 （３） ガス感応性膜および光吸収膜が超微粒子で構
成されたことを特徴とする特許請求の範囲第１項に記載
のガスセンサ。 （４）ガス感応性膜を構成する超微粒子が酸化物超第３
項に記載の多機能センサ。 （６） ヒータとガス感応性膜が複数組設けられたこ
とを特徴とする特許請求の範囲第１項に記載の多機能セ
ンサ。 （６）基板とヒータがシリコンからなることを特徴とす
る特許請求の範囲第１項に記載の多機能センサ０ （ア）オプティカルファイバによって導かれた光が光吸
収膜に照射されるよう構成されたことを特徴とする特許
請求の範囲第１項に記載の多機能センサ０
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP56203922A JPS58105583A (ja) | 1981-12-17 | 1981-12-17 | 多機能センサ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP56203922A JPS58105583A (ja) | 1981-12-17 | 1981-12-17 | 多機能センサ |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS58105583A true JPS58105583A (ja) | 1983-06-23 |
Family
ID=16481911
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP56203922A Pending JPS58105583A (ja) | 1981-12-17 | 1981-12-17 | 多機能センサ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS58105583A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH07198646A (ja) * | 1993-12-04 | 1995-08-01 | Lg Electron Inc | 低消費電力型薄膜ガスセンサ及びその製造方法 |
-
1981
- 1981-12-17 JP JP56203922A patent/JPS58105583A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH07198646A (ja) * | 1993-12-04 | 1995-08-01 | Lg Electron Inc | 低消費電力型薄膜ガスセンサ及びその製造方法 |
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