JPS58104004A - 硫酸流の電解処理法 - Google Patents
硫酸流の電解処理法Info
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- JPS58104004A JPS58104004A JP57207475A JP20747582A JPS58104004A JP S58104004 A JPS58104004 A JP S58104004A JP 57207475 A JP57207475 A JP 57207475A JP 20747582 A JP20747582 A JP 20747582A JP S58104004 A JPS58104004 A JP S58104004A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- sulfuric acid
- zone
- electrolytic
- acid
- water
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
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-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C01—INORGANIC CHEMISTRY
- C01B—NON-METALLIC ELEMENTS; COMPOUNDS THEREOF; METALLOIDS OR COMPOUNDS THEREOF NOT COVERED BY SUBCLASS C01C
- C01B17/00—Sulfur; Compounds thereof
- C01B17/69—Sulfur trioxide; Sulfuric acid
- C01B17/90—Separation; Purification
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Inorganic Chemistry (AREA)
- Organic Low-Molecular-Weight Compounds And Preparation Thereof (AREA)
- Electrolytic Production Of Non-Metals, Compounds, Apparatuses Therefor (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
和によるアルコールの製造に於て生成される使用済み硫
酸流の処理に関する。
酸流の処理に関する。
オレフイ/の接触水和に工って、優生、多量のアルコー
ルが製造されているが、この接触水和では、選択され九
オレフイン供給ーtー*ii酸諏に吸収させて対応する
硫酸アルキルエステルを生成させる。その後で、水をエ
ステル含有液体と混合してエステルを加水分解しかつ断
値のアルコールを生成させ、しかる後、このアルコール
を、一般に、スチームまたは他の加熱用流体でストリツ
ビンダすることによって回収する。それに1って希薄硫
M訛が生成するが、この希薄硫@流は、M済的履由の九
め、そのH,So4含量に関してII#される1うに処
理され九俵、吸収1握へ再循環されねばならない。
ルが製造されているが、この接触水和では、選択され九
オレフイン供給ーtー*ii酸諏に吸収させて対応する
硫酸アルキルエステルを生成させる。その後で、水をエ
ステル含有液体と混合してエステルを加水分解しかつ断
値のアルコールを生成させ、しかる後、このアルコール
を、一般に、スチームまたは他の加熱用流体でストリツ
ビンダすることによって回収する。それに1って希薄硫
M訛が生成するが、この希薄硫@流は、M済的履由の九
め、そのH,So4含量に関してII#される1うに処
理され九俵、吸収1握へ再循環されねばならない。
これらの横々のfitMtIt中の有機不純物は、この
連続的な#1循様のために累積し、(の累積がプロセス
装置の内向に炭素質物質の付着−をもたらす。
連続的な#1循様のために累積し、(の累積がプロセス
装置の内向に炭素質物質の付着−をもたらす。
4%徐不純物の熱分W4(1コークス化”)から生じる
これらの炭素質付着物は装置を汚染する可能性があり、
装置内を通る液体の流速をひどく低下させる。従って、
これら付着物の除去が定期的に所費であり、かつ施設の
中断ならびに汚染表面の手動掻順りなどによるこれら付
着物の物理的除去が19T賛となる。このことは、人力
およびプラント中断時間にかな9の費用がかかり、全年
次プラント容量の顕著な損失をもたらす。その上、かく
して除去され友炭素質付着物は廃棄物であり、これらの
廃棄物を安全に投棄せねはならないので、さらに余分な
費用と付随する壌境閲聴とをつくり出すことKなる。
これらの炭素質付着物は装置を汚染する可能性があり、
装置内を通る液体の流速をひどく低下させる。従って、
これら付着物の除去が定期的に所費であり、かつ施設の
中断ならびに汚染表面の手動掻順りなどによるこれら付
着物の物理的除去が19T賛となる。このことは、人力
およびプラント中断時間にかな9の費用がかかり、全年
次プラント容量の顕著な損失をもたらす。その上、かく
して除去され友炭素質付着物は廃棄物であり、これらの
廃棄物を安全に投棄せねはならないので、さらに余分な
費用と付随する壌境閲聴とをつくり出すことKなる。
カナダ国特許纂sgb、ざり3号ならびに米国%#!F
第コ、クダダ、gl、/号、第一、り93 、110号
、@コ、り93./l/4’!、第一、’)93.18
2号に記載されているように、i用揖みアルキル化愼酸
の樵々の電解再生方法が開始されている。
第コ、クダダ、gl、/号、第一、り93 、110号
、@コ、り93./l/4’!、第一、’)93.18
2号に記載されているように、i用揖みアルキル化愼酸
の樵々の電解再生方法が開始されている。
米−特許第3.9/’1.3−7号は、過硫酸塩イオ/
を外部から供給するかあるいはその場で生成させて電解
に於けるPt 電像の使用を可能にする無硫黄(5u
lfurl・SS ) 電解方法を用いる、先行技術
の使用済みアルキル化酸再生方法の改良を記載している
。
を外部から供給するかあるいはその場で生成させて電解
に於けるPt 電像の使用を可能にする無硫黄(5u
lfurl・SS ) 電解方法を用いる、先行技術
の使用済みアルキル化酸再生方法の改良を記載している
。
米!!d%FF第、3.l、/b、33’1号は、使用
済み硫酸の電気化学的方法および濃縮方法に関する。
済み硫酸の電気化学的方法および濃縮方法に関する。
使用街与アルキル化酸の電解に於て、特許権者が開示し
た反応方程式に基づいて、使用済み酸中に存在する炭素
と反応する九めに化学量論的に所豪な量の水の7〜λ倍
の水含量になるように、―節され喪量の水を添加して希
釈する。この脣許は、イングロビルアルコールの製造か
ら得られ、約4!o−so型重量の水および約/−21
量−CI0.000−コo、oooprxn)の炭素と
を含有する希薄な使用済み硫酸へのIII%許の電気化
学的方法の進用をも示唆してはいるが、その具体11□ 例を示していない、、シかし、ば特許は、電解前に、こ
れらの酸をI&留して、化学量論量のl−一倍の該%軒
の所蒙軛曲Lp過剰に存在する水を除去しなければなら
ないと記載している。l−λ重量−の炭素含量は約3〜
lコ重量−の水を所費とするので、aI%軒の方法によ
れは、後者の酸は、・電解前に、もとのダg−39重量
−硫酸から36〜?6電量−硫酸の1@囲まで濃縮され
ねはならない。
た反応方程式に基づいて、使用済み酸中に存在する炭素
と反応する九めに化学量論的に所豪な量の水の7〜λ倍
の水含量になるように、―節され喪量の水を添加して希
釈する。この脣許は、イングロビルアルコールの製造か
ら得られ、約4!o−so型重量の水および約/−21
量−CI0.000−コo、oooprxn)の炭素と
を含有する希薄な使用済み硫酸へのIII%許の電気化
学的方法の進用をも示唆してはいるが、その具体11□ 例を示していない、、シかし、ば特許は、電解前に、こ
れらの酸をI&留して、化学量論量のl−一倍の該%軒
の所蒙軛曲Lp過剰に存在する水を除去しなければなら
ないと記載している。l−λ重量−の炭素含量は約3〜
lコ重量−の水を所費とするので、aI%軒の方法によ
れは、後者の酸は、・電解前に、もとのダg−39重量
−硫酸から36〜?6電量−硫酸の1@囲まで濃縮され
ねはならない。
米1脣許I11. Otr 、 Oi b号B、懺化物
鉱の焙焼で得られる二酸化硫黄から作られる硫111!
訛を脱色する九めの電解処理に関する。/〜200pp
mの縦索を有機不純物として含有するIIN硫酸流の一
部分を分流し、水で希釈し、S−コOC・の温[K?t
#却した後、電解してPk足量のペルオキソ硫瞭會生成
させる。次に1得られた訛を主電流へ戻して主112a
中の有機物を鍍化させる。llI%軒の所賛W解温直と
一欽しておりかつ該特許中に引用されているC、 L、
ffンテル(C,L、 Mant・■)、電気化字工
宇(Electroch@m1cal Engin@e
ring )、3λ6〜32g員(第4版、/940)
中には、20℃を越える電解温度に於て、電流効率およ
び過懺[(H,S20゜)の収率の両方が一着に減少す
ることが示されておF)、l、OCK於て収率ははとん
どOとな9、過**a生成するや否や速やかに分解する
と盲われている。
鉱の焙焼で得られる二酸化硫黄から作られる硫111!
訛を脱色する九めの電解処理に関する。/〜200pp
mの縦索を有機不純物として含有するIIN硫酸流の一
部分を分流し、水で希釈し、S−コOC・の温[K?t
#却した後、電解してPk足量のペルオキソ硫瞭會生成
させる。次に1得られた訛を主電流へ戻して主112a
中の有機物を鍍化させる。llI%軒の所賛W解温直と
一欽しておりかつ該特許中に引用されているC、 L、
ffンテル(C,L、 Mant・■)、電気化字工
宇(Electroch@m1cal Engin@e
ring )、3λ6〜32g員(第4版、/940)
中には、20℃を越える電解温度に於て、電流効率およ
び過懺[(H,S20゜)の収率の両方が一着に減少す
ることが示されておF)、l、OCK於て収率ははとん
どOとな9、過**a生成するや否や速やかに分解する
と盲われている。
異なるプロセスで生成される使用済み硫酸流は、その不
純物含量および臨界プロセス特性が広範囲に異なってい
る。かくして、上記の諸方法は、アルコールを製造する
九めのオレフィンの水利のような異なるプロセスで生成
される使用済み電流の処理に用いるために容易に適応で
きない。
純物含量および臨界プロセス特性が広範囲に異なってい
る。かくして、上記の諸方法は、アルコールを製造する
九めのオレフィンの水利のような異なるプロセスで生成
される使用済み電流の処理に用いるために容易に適応で
きない。
34 Chem、^bs、 コざA?ff(/?4C
,2)に抜粋されているように、ペルギー国特許第4I
39.9&号では、エチレンをH2SO4で吸収し、抽
出液を希釈し友後、蒸留してエタノールを除去し、得ら
れ九希薄酸を、アノードでよ少濃厚な酸を得かつカソー
ドでより希薄な酸を得るような方法で電解処理する。績
厚なR猷エチレンの吸収の良めに再使用され、希薄な酸
は抽出液の希釈に用いられる。
,2)に抜粋されているように、ペルギー国特許第4I
39.9&号では、エチレンをH2SO4で吸収し、抽
出液を希釈し友後、蒸留してエタノールを除去し、得ら
れ九希薄酸を、アノードでよ少濃厚な酸を得かつカソー
ドでより希薄な酸を得るような方法で電解処理する。績
厚なR猷エチレンの吸収の良めに再使用され、希薄な酸
は抽出液の希釈に用いられる。
本@明によれは、アルコールを製造する良めのオレフィ
ンの水和に於て生成される、有機スルホン酸不純物を含
有する使用済み硫酸流を、電解ゾーン円で、該有機スル
ホン鍍不純物の少なくとも一部分を電解域化するのに十
分な条件下で処理して部分酸化有機化合物を生成させ、
それに1って熟女定性が増加した処理された硫i!12
mを与える。
ンの水和に於て生成される、有機スルホン酸不純物を含
有する使用済み硫酸流を、電解ゾーン円で、該有機スル
ホン鍍不純物の少なくとも一部分を電解域化するのに十
分な条件下で処理して部分酸化有機化合物を生成させ、
それに1って熟女定性が増加した処理された硫i!12
mを与える。
すなわち、もし生成するとしても炭S*固体が、与えら
れた温度に於て未処理の使用済み#R訛中で生成するL
りも低い速度で生成するようにする。
れた温度に於て未処理の使用済み#R訛中で生成するL
りも低い速度で生成するようにする。
本屍明者らは、アルコールを製造するためのオレフィン
の硫酸接触水利方法に於ける炭素質付層物の生成に関連
する汚染問題が、水@Jfロセスに゛於ける副生成物と
して生成しかつ^温に於て容易にコークスおよびタール
に分解する化学的反応性有機スルホン酸不純物が使用済
み硫r!Rvt、中に存在することによって生じ、かつ
有機スルホン酸不純物を部分酸化する本発明の方法によ
ってこれらの汚染間鴎を無くすことができ、あるいは非
常に少なくすることができるという鴬くべき畢拠を発見
し友。また、本@明の方法は一゛非常に改良され友熱安
寛性t−有する処理機m流を与えかつ画幅後、該処理さ
れた酸眞の水利工程への再循環を司吐にすると四時に、
該酸中の有機不純物の熱分解によって生じる炭本貿付墳
物の童を非′にに減少させるという予期せぬ事実をも発
見し良。
の硫酸接触水利方法に於ける炭素質付層物の生成に関連
する汚染問題が、水@Jfロセスに゛於ける副生成物と
して生成しかつ^温に於て容易にコークスおよびタール
に分解する化学的反応性有機スルホン酸不純物が使用済
み硫r!Rvt、中に存在することによって生じ、かつ
有機スルホン酸不純物を部分酸化する本発明の方法によ
ってこれらの汚染間鴎を無くすことができ、あるいは非
常に少なくすることができるという鴬くべき畢拠を発見
し友。また、本@明の方法は一゛非常に改良され友熱安
寛性t−有する処理機m流を与えかつ画幅後、該処理さ
れた酸眞の水利工程への再循環を司吐にすると四時に、
該酸中の有機不純物の熱分解によって生じる炭本貿付墳
物の童を非′にに減少させるという予期せぬ事実をも発
見し良。
本発明の方法によれば、オレフイ/の水和に於て得られ
る使用済み硫[fiを処理して、グロセス装置内向上へ
の炭素質不純物の付着に付随する俟皺汚染間醜を無くす
か、あるいは実質的に最少にする。本発明の方法社、電
解前に硫l12訛を希釈することを必要とせすに、これ
らの改良硫I!fiを与え、かつ高範囲の温度を用いる
ことができ、かつ電解前に使用済み硫酸を冷却する必要
が無い。
る使用済み硫[fiを処理して、グロセス装置内向上へ
の炭素質不純物の付着に付随する俟皺汚染間醜を無くす
か、あるいは実質的に最少にする。本発明の方法社、電
解前に硫l12訛を希釈することを必要とせすに、これ
らの改良硫I!fiを与え、かつ高範囲の温度を用いる
ことができ、かつ電解前に使用済み硫酸を冷却する必要
が無い。
本発明の方法は、添付図面を参照する仁とによって説明
することができる。図面中の同様な数字鉱内−または同
様な要素を示す。第1図について説明すると、オレフィ
ン、例えは1分子尚た92〜3個、好fしくに一〜弘個
の炭素原子を有する脂肪族オレフィン(例えは、エチレ
ン、プロピレン、プデ/、ペイテン、オクテン)1にラ
イン2から吸収塔lOへ供給し、吸収塔内で、2イン6
から導入される鎖A11硫峡流と接触させかつ(少なく
とも一部分を) fl!mfit流に吸収させて、対応
する硫酸アルキルエステルを生成させる。
することができる。図面中の同様な数字鉱内−または同
様な要素を示す。第1図について説明すると、オレフィ
ン、例えは1分子尚た92〜3個、好fしくに一〜弘個
の炭素原子を有する脂肪族オレフィン(例えは、エチレ
ン、プロピレン、プデ/、ペイテン、オクテン)1にラ
イン2から吸収塔lOへ供給し、吸収塔内で、2イン6
から導入される鎖A11硫峡流と接触させかつ(少なく
とも一部分を) fl!mfit流に吸収させて、対応
する硫酸アルキルエステルを生成させる。
硫酸化されるオレフィンは、炭素質物質の分解蒸貿のL
うな任麓の入手可能源から祷られるが、特に、鉱油の石
油精製に於て実施されるような石油炭化水素のクラッキ
ングから得られる。本発明に用いられるオレフィンは、
通常、分解石油ガスの検電な分留によっても得られかつ
^匿不飽和炭化水系、特にブタジェンなどのようなジオ
レフィンが夾實的に無いことが好ましい。使用できるオ
レフィンの例は、エチレン、プロピレン、ブテンなどの
ような低級分枝鎖およびwL@アルケン(すなわち2〜
6個の炭素原子のアルケン)である。
うな任麓の入手可能源から祷られるが、特に、鉱油の石
油精製に於て実施されるような石油炭化水素のクラッキ
ングから得られる。本発明に用いられるオレフィンは、
通常、分解石油ガスの検電な分留によっても得られかつ
^匿不飽和炭化水系、特にブタジェンなどのようなジオ
レフィンが夾實的に無いことが好ましい。使用できるオ
レフィンの例は、エチレン、プロピレン、ブテンなどの
ような低級分枝鎖およびwL@アルケン(すなわち2〜
6個の炭素原子のアルケン)である。
選はれたオレフィン供給物を硫酸化する友めに用いられ
る硫#R流6は濃厚硫酸−訛であり、その正確な濃度は
、用いられるオレフィン、反応温度、その他の条件によ
って異なる。しかし、一般に、恢酸流6は、エチレンま
たはプロピレンの硫酸化のためには約ダS−?9重1g
6、好ましくは約A!−95電itsの硫酸を含み、ブ
テンまたはそれ工り部数のオレフィン供給物との反応の
ためには約5.5− g s重tS、好ましくは約65
〜g。
る硫#R流6は濃厚硫酸−訛であり、その正確な濃度は
、用いられるオレフィン、反応温度、その他の条件によ
って異なる。しかし、一般に、恢酸流6は、エチレンま
たはプロピレンの硫酸化のためには約ダS−?9重1g
6、好ましくは約A!−95電itsの硫酸を含み、ブ
テンまたはそれ工り部数のオレフィン供給物との反応の
ためには約5.5− g s重tS、好ましくは約65
〜g。
重量−の硫酸を含む。
吸収410内で用いられる温度および圧力も、オレフィ
ン、酸濃度、その他の因子によって異なる。一般に、約
2θ〜/コOCの温度が用いられ、圧力は、吸収塔内で
pirmo液相が保持されるのに十分な圧力である。典
型的には、例えは1グaピレンは、約90〜l10Cの
温度および約7.03〜コg 、121147部2ゲー
ジ圧(10θ〜ダθθpsig)の圧力でtIL収され
る。
ン、酸濃度、その他の因子によって異なる。一般に、約
2θ〜/コOCの温度が用いられ、圧力は、吸収塔内で
pirmo液相が保持されるのに十分な圧力である。典
型的には、例えは1グaピレンは、約90〜l10Cの
温度および約7.03〜コg 、121147部2ゲー
ジ圧(10θ〜ダθθpsig)の圧力でtIL収され
る。
図に示すように、オレフィンと硫al[とは向流方式で
接触し、Wt#II流−は吸収塔10の上部へ導入され
る。吸収されなかったガスは吸収#に10の上部から導
管7を通って排出され、所望ならば導管2へ再循環され
るか、あるいは苛性ml液による処−理のような通常の
処理にかけられる。通常“抽出液1と呼はれる生成物体
は、吸収!10の下部からライン4を通って排出され、
アルキルエステル、例えはオレフィンがエチレンの場合
に鉱硫酸ジェf ル、 f o ヒレン硫酸化の場合に
は硫績ジ(イソ7” o ヒル)を貧む。抽出数R4中
のアルキルエスチルの磯度は臨界的でなく、広軛囲に変
化させることができる。例えは、抽出W!Lは、一般に
、低級アルケア (flJえは/ロピレンBjびブチレ
ン)@収の場合には/S〜30重量−の全アルキルエス
テル(モノアルキルエステルおよびジアルキルエステル
)を官有する。
接触し、Wt#II流−は吸収塔10の上部へ導入され
る。吸収されなかったガスは吸収#に10の上部から導
管7を通って排出され、所望ならば導管2へ再循環され
るか、あるいは苛性ml液による処−理のような通常の
処理にかけられる。通常“抽出液1と呼はれる生成物体
は、吸収!10の下部からライン4を通って排出され、
アルキルエステル、例えはオレフィンがエチレンの場合
に鉱硫酸ジェf ル、 f o ヒレン硫酸化の場合に
は硫績ジ(イソ7” o ヒル)を貧む。抽出数R4中
のアルキルエスチルの磯度は臨界的でなく、広軛囲に変
化させることができる。例えは、抽出W!Lは、一般に
、低級アルケア (flJえは/ロピレンBjびブチレ
ン)@収の場合には/S〜30重量−の全アルキルエス
テル(モノアルキルエステルおよびジアルキルエステル
)を官有する。
水和ノロセスの弗コニ程に於て、アルキルエステルを加
水分解して対応するアルコール(例えは硫酸ジ(イソノ
ロピル)からインプロパツール)をit、離させるため
に、抽出′ffLvL4ヘライ/12から水音添加する
。水と抽出液とを接触させる方法は臨界的ではなく、当
業界では、(1)十分な混合および反応暗闇を与えるた
めに導管が適当な長さであること1+件として、抽出液
への水のインライン(1n−1’lne ) 硝加の方
法(図に示し死重@)お工ひ(2)別個の反応器内で攪
拌・□;、・しながら抽出液と水:・ とを接触させる1沃(図には示してない9を含む、種々
のかかる方法を用いる。
水分解して対応するアルコール(例えは硫酸ジ(イソノ
ロピル)からインプロパツール)をit、離させるため
に、抽出′ffLvL4ヘライ/12から水音添加する
。水と抽出液とを接触させる方法は臨界的ではなく、当
業界では、(1)十分な混合および反応暗闇を与えるた
めに導管が適当な長さであること1+件として、抽出液
への水のインライン(1n−1’lne ) 硝加の方
法(図に示し死重@)お工ひ(2)別個の反応器内で攪
拌・□;、・しながら抽出液と水:・ とを接触させる1沃(図には示してない9を含む、種々
のかかる方法を用いる。
抽出液へ硝加する水の蓋も臨界的ではな−く、広軛囲に
貧化させることができる。一般に、抽出液中のアルキル
エステル/重量部に対して約0.3〜1.0重量部の水
を添加する。・過剰の水を添加しないことが重畳である
。仁のことは、抽出液の希釈を増加させかつ後で詳しく
説明するように、次の議細工程で過剰の水を除去しなけ
れはならないからである。
貧化させることができる。一般に、抽出液中のアルキル
エステル/重量部に対して約0.3〜1.0重量部の水
を添加する。・過剰の水を添加しないことが重畳である
。仁のことは、抽出液の希釈を増加させかつ後で詳しく
説明するように、次の議細工程で過剰の水を除去しなけ
れはならないからである。
かくして生成され良希薄抽出液は、一般に、約30〜6
0重量−1好ましくは約1Io−so重量囁の硫酸を含
有し、次に、ライン4を通って蒸留塔20(本明細書中
では1アルコール生成塔(gen・「−tor ) ’
と呼ぶ)へ送られ、粗製アルコールはライン18から塔
頂生成物として回収される。塔頂アルコール生成wlJ
は、所要線区のアルコールを得るためのその後の通常の
処理のために送・られる。 ゛ 塔底生成物は―アルコール生成基20からライン24を
過って癖)・出され、一般に約4IO−5!!重量−1
好ましくは約4!5−so重重−の硫酸を含有する。
0重量−1好ましくは約1Io−so重量囁の硫酸を含
有し、次に、ライン4を通って蒸留塔20(本明細書中
では1アルコール生成塔(gen・「−tor ) ’
と呼ぶ)へ送られ、粗製アルコールはライン18から塔
頂生成物として回収される。塔頂アルコール生成wlJ
は、所要線区のアルコールを得るためのその後の通常の
処理のために送・られる。 ゛ 塔底生成物は―アルコール生成基20からライン24を
過って癖)・出され、一般に約4IO−5!!重量−1
好ましくは約4!5−so重重−の硫酸を含有する。
アルコール住成塔塔底生成物は、ライン24および64
を通って蒸留塔30(以下′″fIR嬢翻塔”と称す)
へ送られ、塔30内でこの電流は、水を塔頂物(ライン
32を過って排出される)として除去するためおよび濃
厚硫rlItILを含む第コ塔底生成−(ライン38t
−通って排出される)を生成するたわに蒸留される。こ
れらのIII厚塔底物は、一般に交換器48て冷却され
、貯蔵容4!150へ送られ、最終的にはライン6を通
って吸収工程へ再循環されるが、所要ならはライン5か
ら補充H2So4が添加される。
を通って蒸留塔30(以下′″fIR嬢翻塔”と称す)
へ送られ、塔30内でこの電流は、水を塔頂物(ライン
32を過って排出される)として除去するためおよび濃
厚硫rlItILを含む第コ塔底生成−(ライン38t
−通って排出される)を生成するたわに蒸留される。こ
れらのIII厚塔底物は、一般に交換器48て冷却され
、貯蔵容4!150へ送られ、最終的にはライン6を通
って吸収工程へ再循環されるが、所要ならはライン5か
ら補充H2So4が添加される。
諏1図に示−し九本発明の実施態様によれに1約ダ0−
SS重重量のH,SO2を含有する水性献体と有機スル
ホン鍍不純物とを含むアルコール生成塔塔紙物の少なく
とも一部分を、ライン24および66を通って電解ゾー
ン60へ送p1電解ゾーン60P5で該汚染4R#流を
電解して有機スルホン酸不純物の部分酸化生成物を生成
させる。有機スルホン敵不純物は、一般に1アルコール
生成塔塔底物中に、少なくとも約SOO菖量ρ師、通常
少なくとも*J ? 00 ml ppm、 t b
Jlll的KrL約?、000〜30.000重量pp
m、最も典型的には約/2.000−.10.000*
Ikprxnの量で存在−する。本発明の方法で処理さ
れるアルコール生成基塔底物は、6S、θOQ ppm
までまたはそれより多い有機スルホン酸不純物を含有す
ることができる。
SS重重量のH,SO2を含有する水性献体と有機スル
ホン鍍不純物とを含むアルコール生成塔塔紙物の少なく
とも一部分を、ライン24および66を通って電解ゾー
ン60へ送p1電解ゾーン60P5で該汚染4R#流を
電解して有機スルホン酸不純物の部分酸化生成物を生成
させる。有機スルホン敵不純物は、一般に1アルコール
生成塔塔底物中に、少なくとも約SOO菖量ρ師、通常
少なくとも*J ? 00 ml ppm、 t b
Jlll的KrL約?、000〜30.000重量pp
m、最も典型的には約/2.000−.10.000*
Ikprxnの量で存在−する。本発明の方法で処理さ
れるアルコール生成基塔底物は、6S、θOQ ppm
までまたはそれより多い有機スルホン酸不純物を含有す
ることができる。
有機スルホン酸不純物は、一般に、有機部分中に/分子
幽九9λ〜16個、よ〕典星的Krjコ〜g個の炭素原
子と、1分子当良9少なくとも1個、より典型的にはl
−2個のスルホン酸部分(−8o、H)とを含有する。
幽九9λ〜16個、よ〕典星的Krjコ〜g個の炭素原
子と、1分子当良9少なくとも1個、より典型的にはl
−2個のスルホン酸部分(−8o、H)とを含有する。
有機スルホン酸不純物を式R8O,Hで示す場合−@R
′は、アルキル、シクロアルキル、了り−ル、多核アリ
ール、アルケニル、アルキニル、アルクアリール、アル
アにキル、’lll木様式基、および7個以上の縦木が
ヒドロキシま喪はケトまたはカルがキシルまたはスルフ
ァトま良はメルカプトまたはスルホノ基でt供され友そ
れらの誘導体基からなる群から選けれる基からなること
ができる。
′は、アルキル、シクロアルキル、了り−ル、多核アリ
ール、アルケニル、アルキニル、アルクアリール、アル
アにキル、’lll木様式基、および7個以上の縦木が
ヒドロキシま喪はケトまたはカルがキシルまたはスルフ
ァトま良はメルカプトまたはスルホノ基でt供され友そ
れらの誘導体基からなる群から選けれる基からなること
ができる。
9R#がアルキルである場合、アルキル基は分枝鎖tた
tit宵鎖であることができ、かつ一般に7〜lコ個の
炭素原子、よ多通常には1〜6個の炭jllcJIA子
を含有する。かかるアルキル基の例は、メチル、エチル
、インノロビル、ぺエチル、オクチル、ドデシルである
。′R”がシクロアルキルである場合、シクロアルキル
基は、一般に3〜l−個の炭素原子、より通常にはダ〜
ざ個の炭素原子を含有する。かかる基の例は、シクロ1
0ビル、シクロブチル、シクロヘキシル、シクロオクチ
ル、シクロドデシルである。@R”がアリール基の例は
フェニルである。′R”が多核アリールである場合 @
R#基は、一般に2〜4個の芳香族環管含有する。か
かる多核アリール基の例は、ナフデニル、アノトラセニ
ル、フェナ/トレニルである。
tit宵鎖であることができ、かつ一般に7〜lコ個の
炭素原子、よ多通常には1〜6個の炭jllcJIA子
を含有する。かかるアルキル基の例は、メチル、エチル
、インノロビル、ぺエチル、オクチル、ドデシルである
。′R”がシクロアルキルである場合、シクロアルキル
基は、一般に3〜l−個の炭素原子、より通常にはダ〜
ざ個の炭素原子を含有する。かかる基の例は、シクロ1
0ビル、シクロブチル、シクロヘキシル、シクロオクチ
ル、シクロドデシルである。@R”がアリール基の例は
フェニルである。′R”が多核アリールである場合 @
R#基は、一般に2〜4個の芳香族環管含有する。か
かる多核アリール基の例は、ナフデニル、アノトラセニ
ル、フェナ/トレニルである。
″R#がアルケニルである場合、アルケニル基は、一般
に2〜12個の炭素原子、19通常には2〜6個の炭素
原子を含有する。かかるアルケニル基の例μ、エチニル
、ブテニル、ヘキセニル、テセニルである。@R#がア
ルキニルである場合、アルキニル−に、一般に2〜72
個の炭素原子、より通常には一〜Allの炭素原子を含
有する。かかるアルキニル基の例は、エチニル、ブチニ
ル、グロ♂ニルである。″R1がアルクアリールである
場合、アリール成分は、一般にフェニルまたはトリルか
らな9、アルキル成分は、一般に1〜72個の炭素原子
、よ〕通常には/−4個の炭$m子を府する。かかるア
ルクアリール基の例は、トリル、m−エチルフェニル、
〇−エチルトリル、m−ヘキシルトリルである。@R#
がアルアルキルである場合、アルアルキル基は、一般に
、アリール成分としてのフェニルま良はアルキル111
17エ二ルと/−/−個の炭素原子1.、Cl7m?I
には1〜6個の炭素原子を有するアルキル成分とからな
る。
に2〜12個の炭素原子、19通常には2〜6個の炭素
原子を含有する。かかるアルケニル基の例μ、エチニル
、ブテニル、ヘキセニル、テセニルである。@R#がア
ルキニルである場合、アルキニル−に、一般に2〜72
個の炭素原子、より通常には一〜Allの炭素原子を含
有する。かかるアルキニル基の例は、エチニル、ブチニ
ル、グロ♂ニルである。″R1がアルクアリールである
場合、アリール成分は、一般にフェニルまたはトリルか
らな9、アルキル成分は、一般に1〜72個の炭素原子
、よ〕通常には/−4個の炭$m子を府する。かかるア
ルクアリール基の例は、トリル、m−エチルフェニル、
〇−エチルトリル、m−ヘキシルトリルである。@R#
がアルアルキルである場合、アルアルキル基は、一般に
、アリール成分としてのフェニルま良はアルキル111
17エ二ルと/−/−個の炭素原子1.、Cl7m?I
には1〜6個の炭素原子を有するアルキル成分とからな
る。
かかるアルアルキル基の例は、ベンジル、O−エチルベ
ンジル、ダーインツチルペンゾルである。
ンジル、ダーインツチルペンゾルである。
@R”が複累積式基である場合、Il素様式基は、一般
に、1個以上の環炭素原子が***たは輩嵩で1111
4されている、少なくとも1個の6〜lコ員#1【有す
る化合物からなる。かかる値嵩様式基の例は、フリル、
ピッニル、ピリジル、ピペリジル、ジオキサニル、テト
ラヒドロフリル、ピラジニル、/、Q−オキサジニルで
ある。典型的なかかる不純物の例は、コル参個の炭素原
子のフルケニルスルホ/酸および2〜4個の炭素原子の
ヒトqキシ置換アルキルスルホン敵なと、ならひKそれ
らの混合物である。ヒドロキシアルキルスルホン酸の例
は、CH,CH(OH)−CH(CH,)!So、H,
HOCH,CH25o、H。
に、1個以上の環炭素原子が***たは輩嵩で1111
4されている、少なくとも1個の6〜lコ員#1【有す
る化合物からなる。かかる値嵩様式基の例は、フリル、
ピッニル、ピリジル、ピペリジル、ジオキサニル、テト
ラヒドロフリル、ピラジニル、/、Q−オキサジニルで
ある。典型的なかかる不純物の例は、コル参個の炭素原
子のフルケニルスルホ/酸および2〜4個の炭素原子の
ヒトqキシ置換アルキルスルホン敵なと、ならひKそれ
らの混合物である。ヒドロキシアルキルスルホン酸の例
は、CH,CH(OH)−CH(CH,)!So、H,
HOCH,CH25o、H。
ニルスルホン酸の例は、CH,CM = CHCH,5
osH%CH2= CH30,H10H,CH= CH
30,?1などである。轍も典型的な4f機部分は、各
有機部分中の炭素原子数が導t2から吸収塔10へ導入
されるオレフィン中の炭tc原子数に相当するアルケニ
ルおよびヒドロキシアルキをである。
osH%CH2= CH30,H10H,CH= CH
30,?1などである。轍も典型的な4f機部分は、各
有機部分中の炭素原子数が導t2から吸収塔10へ導入
されるオレフィン中の炭tc原子数に相当するアルケニ
ルおよびヒドロキシアルキをである。
[Sシー760へ送られるアルコール生成塔塔紙物の部
分は、この酸の初期の不純物レベル、有機スルホン酸の
F9rfi1な除去のiIM度お1ひその他の因子の工
うな樵々の因子に1って異なる。しかし、一般には、少
なくとも約lO容重−1好ましくは少なくともSO容童
−11り好ましくは約9θ〜100容量−のアルコール
生成基塔底物がシー760へ送られる。アルコール生成
基塔底物の全部をゾーン60で処理する場合には、導管
24は導管66へのみ供給し、導管64へは供給しない
。
分は、この酸の初期の不純物レベル、有機スルホン酸の
F9rfi1な除去のiIM度お1ひその他の因子の工
うな樵々の因子に1って異なる。しかし、一般には、少
なくとも約lO容重−1好ましくは少なくともSO容童
−11り好ましくは約9θ〜100容量−のアルコール
生成基塔底物がシー760へ送られる。アルコール生成
基塔底物の全部をゾーン60で処理する場合には、導管
24は導管66へのみ供給し、導管64へは供給しない
。
シー760へ送られる塔底−の部分は、導管24を通っ
て導管66との交点の下訛へ流れる流量を調節する弁6
5などに1って、所望通シに変えることができる。
て導管66との交点の下訛へ流れる流量を調節する弁6
5などに1って、所望通シに変えることができる。
電解ゾーン60内に於ける使用徹み硫酸流の電解錫mは
、パッチ式または連続式または牛遅絖式に行うことがで
きる。M1mスルホン識不純−の電解に過当な混成およ
び圧力条件は、広く変化させることができるが、一般に
は少なくとも約−θε1り好ましくは約lION/10
℃、最も好ましくは約!;0−90Cのii&が用いら
れる。この範囲外の温度(例えraiqocまでまたは
それ以上)も用いることができる。圧力は、豪電解本体
を選はれた温直に於て敵状に蛛持するために少なくとも
十分な圧力でなけれ#iなら1にい。θ〜コ、/θデK
l / cm21’−電圧CO−JOps1g)の圧力
が全く適当であるが、この範囲外の圧力も使用すること
ができる。使用済み硫酸のゾーン60内滞留時間は。
、パッチ式または連続式または牛遅絖式に行うことがで
きる。M1mスルホン識不純−の電解に過当な混成およ
び圧力条件は、広く変化させることができるが、一般に
は少なくとも約−θε1り好ましくは約lION/10
℃、最も好ましくは約!;0−90Cのii&が用いら
れる。この範囲外の温度(例えraiqocまでまたは
それ以上)も用いることができる。圧力は、豪電解本体
を選はれた温直に於て敵状に蛛持するために少なくとも
十分な圧力でなけれ#iなら1にい。θ〜コ、/θデK
l / cm21’−電圧CO−JOps1g)の圧力
が全く適当であるが、この範囲外の圧力も使用すること
ができる。使用済み硫酸のゾーン60内滞留時間は。
−秒〜3時間、より好ましくは約/θ秒〜ノ時間である
。
。
任意の通常の電解装置を用いることができる。
従って、電解ゾーン60は、直列または並列に配置され
た7個以上のかかる電解槽を含む。電極は電解条件下で
導電性でなければならなり、アノードは、例えば、塊状
二酸化鉛または担持二酸化鉛(例えば黒鉛またはジルコ
ニウムまたは炭素ま九はチタンまたは夕/タルまたは他
の電極担持基体上に担持された二酸化鉛)からなること
ができ、また、金属または合金自体としであるいは通常
の電極基体上のコーティングとしてのPtまたは、他の
貴金属あるいはかかる貴金属を含む合金からなるととも
できる。
た7個以上のかかる電解槽を含む。電極は電解条件下で
導電性でなければならなり、アノードは、例えば、塊状
二酸化鉛または担持二酸化鉛(例えば黒鉛またはジルコ
ニウムまたは炭素ま九はチタンまたは夕/タルまたは他
の電極担持基体上に担持された二酸化鉛)からなること
ができ、また、金属または合金自体としであるいは通常
の電極基体上のコーティングとしてのPtまたは、他の
貴金属あるいはかかる貴金属を含む合金からなるととも
できる。
カンードは、中でもハステロイま、71cはT1または
ZrまたはpbまfcI/′i銅または黒鉛からなるこ
とができる。
ZrまたはpbまfcI/′i銅または黒鉛からなるこ
とができる。
電極に用いるために選ばれる正確な材料は1選ばれる材
料の溶解速度に依存し、S解速度はオた電解条件に大い
に依存する。最も好ましい材料は、アノード用に鉱二酸
化鉛、カンード用にL鋼である。
料の溶解速度に依存し、S解速度はオた電解条件に大い
に依存する。最も好ましい材料は、アノード用に鉱二酸
化鉛、カンード用にL鋼である。
電解は、一般に約0.θ07O7〜/、07amp /
m” (約/ 〜i*oooampi!t2 )、好
ましくは約o、io7〜0 * 33 !r smp/
cs2(約/θ0−!;00arrQ/it )の電
流密&を用いる。
m” (約/ 〜i*oooampi!t2 )、好
ましくは約o、io7〜0 * 33 !r smp/
cs2(約/θ0−!;00arrQ/it )の電
流密&を用いる。
また、電圧は、一般に約2〜6vo軛囲内で電解ゾーン
60に印加されるが、L9高電圧も低電圧も使用するこ
とができる。勿論、電[ffi直の増加につれて電圧豊
水が増加するので、電解のための電力l!累は、電流密
度の増加につれて増加する。
60に印加されるが、L9高電圧も低電圧も使用するこ
とができる。勿論、電[ffi直の増加につれて電圧豊
水が増加するので、電解のための電力l!累は、電流密
度の増加につれて増加する。
また、電極寸法の変化をもたらす電解中のアノードの溶
解は、7ノードを小さくしかつ電他闇距−を増加させる
ので、所定の電流布政管保つ良めには、印加電圧を増加
しなけれはならない。
解は、7ノードを小さくしかつ電他闇距−を増加させる
ので、所定の電流布政管保つ良めには、印加電圧を増加
しなけれはならない。
電解ゾーン60:、、、内の電極間距#1liFi、臨
界的ではなく、sifれた印加電圧と共に、所望の電流
WjKを与えるように11節する仁とができる。勿−一
所足の電圧に於て、電俳関距−が減少すると、i1@に
よって与えられる電極間のオーム抵抗の量t−減少さぜ
、それがま友所望の電解を起こす7thの所要電力を減
少させる。しかし、電解液の導電性を抽いかつPgrj
]Iの電解を匙こ丁ための所要電力を増加させる実質的
な童の気泡の生成を防ぐために、電体を十分に陰して隔
置せねはならない。かかる気泡が電w4畝尋電皐の損失
に寄与する機成は、気泡の大きさお1ひ童、電解准の擾
乱度および他の因子のような種々の因子に依存している
。典型的には、この導電率損失は、攪拌または他の気泡
分散方法による、電解槽中を通る電′ps液流の液体毎
時空間迷鍵を増加することによって減少させることがで
睡る。0 、0 !f 3 !; −0、2/ it
amp/am”(!; 0−200 amp/ ft”
) ノm’rlAノ電(1,密*”T:は、約0.6
3!;−/、コク鋼(0,λS −O,5In)の隔随
距勲が好ましい。
界的ではなく、sifれた印加電圧と共に、所望の電流
WjKを与えるように11節する仁とができる。勿−一
所足の電圧に於て、電俳関距−が減少すると、i1@に
よって与えられる電極間のオーム抵抗の量t−減少さぜ
、それがま友所望の電解を起こす7thの所要電力を減
少させる。しかし、電解液の導電性を抽いかつPgrj
]Iの電解を匙こ丁ための所要電力を増加させる実質的
な童の気泡の生成を防ぐために、電体を十分に陰して隔
置せねはならない。かかる気泡が電w4畝尋電皐の損失
に寄与する機成は、気泡の大きさお1ひ童、電解准の擾
乱度および他の因子のような種々の因子に依存している
。典型的には、この導電率損失は、攪拌または他の気泡
分散方法による、電解槽中を通る電′ps液流の液体毎
時空間迷鍵を増加することによって減少させることがで
睡る。0 、0 !f 3 !; −0、2/ it
amp/am”(!; 0−200 amp/ ft”
) ノm’rlAノ電(1,密*”T:は、約0.6
3!;−/、コク鋼(0,λS −O,5In)の隔随
距勲が好ましい。
ゾーン60内に於ける電y#は、存在する水の一部分か
ら水素ガスおよび1Ili集ガスの生成をももたらすb
1飽性がある。これらのガス薊生−物は、導管69を通
ってゾーン60から除去される。
ら水素ガスおよび1Ili集ガスの生成をももたらすb
1飽性がある。これらのガス薊生−物は、導管69を通
ってゾーン60から除去される。
電源62がゾーン60へ所賛電訛を供給するが、この電
源62は、構造および作動が全く通常の電源である。好
ましくは、電$62は、直流または脈動直流を与えるが
、直流が特に好ましい。
源62は、構造および作動が全く通常の電源である。好
ましくは、電$62は、直流または脈動直流を与えるが
、直流が特に好ましい。
上記方法により、有機スルホン酸不純物は、有機スルホ
ン酸不純物自体よシも顕著に熱安定性の電解酸化生成物
へ転化されるという嵩くべきことが発見され良。かくし
て、これらの畝化生成物を含有量る、処理され九使用済
み硫11gは、アルコール生成物の生成および回収なら
びに硫酸の#IIJIおよび再循環に付随するグーセス
殻蝋内の炭素質付着物の生成傾向の顕著な減少を示す。
ン酸不純物自体よシも顕著に熱安定性の電解酸化生成物
へ転化されるという嵩くべきことが発見され良。かくし
て、これらの畝化生成物を含有量る、処理され九使用済
み硫11gは、アルコール生成物の生成および回収なら
びに硫酸の#IIJIおよび再循環に付随するグーセス
殻蝋内の炭素質付着物の生成傾向の顕著な減少を示す。
勿論、生成する正確な電解生成−は、有機スルホン酸不
純物の型、電解条件および他の因子に!つて異なる。し
かし、一般に、これらの電解生成物i1例えtr1rs
tスルホン畝不純物の分子中の炭素−炭素切断によって
生成される未知の有機敏化生成物に加えて、低級脂肪族
カルfン厳(例えは1酢酸、プロピオン酸、酪酸)、硫
酸、−酸化縦木、二酸化炭素の混合物を含む。
純物の型、電解条件および他の因子に!つて異なる。し
かし、一般に、これらの電解生成物i1例えtr1rs
tスルホン畝不純物の分子中の炭素−炭素切断によって
生成される未知の有機敏化生成物に加えて、低級脂肪族
カルfン厳(例えは1酢酸、プロピオン酸、酪酸)、硫
酸、−酸化縦木、二酸化炭素の混合物を含む。
これらの電解生成物の少なくとも一部分は、有機スルホ
ン酸自体1シも実質的に揮発性である。
ン酸自体1シも実質的に揮発性である。
かくして、処理された使用済み硫112fLは、蒸留あ
るいは減圧下に於けるフラッシングなどにより、これら
の易揮発性生成物の少なくとも一部分(好ましくは大部
分)を除去する九めにさらに処理される。オレフィン水
利のための、より熱安定性スルホン酸を得るためKは、
有機スルホン酸よ如低揮発性の電解生成物を除去する必
要はないという篤くべきことが発見され九。
るいは減圧下に於けるフラッシングなどにより、これら
の易揮発性生成物の少なくとも一部分(好ましくは大部
分)を除去する九めにさらに処理される。オレフィン水
利のための、より熱安定性スルホン酸を得るためKは、
有機スルホン酸よ如低揮発性の電解生成物を除去する必
要はないという篤くべきことが発見され九。
第1図の実′11A11様に於て、処理されたアルコー
ル生成基塔底物は、ライン68を通って電解ゾーン60
から排出され、ライン64を通って濃縮塔30へ導入さ
れ、濃縮塔30P3に於て、処理された使用済み#は、
ライン34から導入され為スチームのような加熱用流体
と接触して、水が塔頂生成物としてライン32を通うて
除去され、生成し:′冒::。
ル生成基塔底物は、ライン68を通って電解ゾーン60
から排出され、ライン64を通って濃縮塔30へ導入さ
れ、濃縮塔30P3に於て、処理された使用済み#は、
ライン34から導入され為スチームのような加熱用流体
と接触して、水が塔頂生成物としてライン32を通うて
除去され、生成し:′冒::。
九−犀愼iII!訛はツイン38゛を通って排出される
。
。
llI!#!堪30内のm寂および圧力の条件は、臨界
的ではなく、処理されるアルコール流によって広範−に
貧化する。かくして、ノロピレンま九はツチレンの水和
に於ては、約30−/ざOCs好ましくF1gθ〜/3
0℃の温度、および約−1,0SダS〜りe 03 h
/ cm”y”−電圧(−/ !f〜/ 009mk
g)の圧力が一般に用いられる。
的ではなく、処理されるアルコール流によって広範−に
貧化する。かくして、ノロピレンま九はツチレンの水和
に於ては、約30−/ざOCs好ましくF1gθ〜/3
0℃の温度、および約−1,0SダS〜りe 03 h
/ cm”y”−電圧(−/ !f〜/ 009mk
g)の圧力が一般に用いられる。
ライン32から排出される水性塔頂蒸気は、濃縮塔30
へ供給されかつ濃縮塔30内で用いられる温度および圧
力条件下で気化し良電解生成物の少なくとも一部分をも
含んでいる。幾多の有機スルホン酸不純物ならびに高沸
点電解生成物を含む高沸点不純物は、導管3Bから排出
される議厚硫酸中に残留する。
へ供給されかつ濃縮塔30内で用いられる温度および圧
力条件下で気化し良電解生成物の少なくとも一部分をも
含んでいる。幾多の有機スルホン酸不純物ならびに高沸
点電解生成物を含む高沸点不純物は、導管3Bから排出
される議厚硫酸中に残留する。
所望ならば、電解ゾーン60からの流出−〇一部分家良
は全部を、導管39を通して別個の蒸留シー/40へ送
p1沸点が水工9低いかあるい鉱水と共に蒸留する電解
生成物を、塔頂流として導管42から除去、、すること
ができる。今や水19揮発性の有機不純−が無くなった
、ここに得られ良液体は、次に、濃縮塔30へ導入され
る良めに導管64へ送られる。仁の実施1悸に於ては、
濃縮塔30からの水S塔頂流32は、有徳不純物含量が
少なくかつ#11m搭30iC於ける所賛熱量が最少に
なる。
は全部を、導管39を通して別個の蒸留シー/40へ送
p1沸点が水工9低いかあるい鉱水と共に蒸留する電解
生成物を、塔頂流として導管42から除去、、すること
ができる。今や水19揮発性の有機不純−が無くなった
、ここに得られ良液体は、次に、濃縮塔30へ導入され
る良めに導管64へ送られる。仁の実施1悸に於ては、
濃縮塔30からの水S塔頂流32は、有徳不純物含量が
少なくかつ#11m搭30iC於ける所賛熱量が最少に
なる。
次に、第一図について説明する。第2図に示した本発明
の実施m橡に於ては、よII1岸な硫酸、例えFiso
−is型重量の硫酸と少なくとも/ 3001)II)
m s通常約10.00q 〜、10.000ppmま
た惇貨上、より実温的には約/ 3 、000〜コo、
oooppmの有機スルホン酸不純物とを含む、濃縮塔
30からの塔底生成物は、導管38を通って排出され、
その少なくとも一部分は、接触電解ゾーン70へ送られ
、かかる部分は、上述のように電解される。H3および
O8のガス混合物は、ライン75かも排出され、液体流
出物は、導管74を透ってゾーン70から排出され、別
個の蒸留ゾーン40へ送られ、上述したように、揮発性
電解生成物が、塔頂流として導管42から排出される。
の実施m橡に於ては、よII1岸な硫酸、例えFiso
−is型重量の硫酸と少なくとも/ 3001)II)
m s通常約10.00q 〜、10.000ppmま
た惇貨上、より実温的には約/ 3 、000〜コo、
oooppmの有機スルホン酸不純物とを含む、濃縮塔
30からの塔底生成物は、導管38を通って排出され、
その少なくとも一部分は、接触電解ゾーン70へ送られ
、かかる部分は、上述のように電解される。H3および
O8のガス混合物は、ライン75かも排出され、液体流
出物は、導管74を透ってゾーン70から排出され、別
個の蒸留ゾーン40へ送られ、上述したように、揮発性
電解生成物が、塔頂流として導管42から排出される。
ここに得られた、水よシ揮発性の有機不純物が無くなっ
た献体を、次に、ライン44を通して導管39へ送シ、
次に1上述し喪ように、所望ならは熱交!iI器48で
冷却した後、容−50へ再循環させることができる。
た献体を、次に、ライン44を通して導管39へ送シ、
次に1上述し喪ように、所望ならは熱交!iI器48で
冷却した後、容−50へ再循環させることができる。
随意に、導管74内の液体流出物の一部分(まえは全部
)を、導管73を通して濃縮塔3oへ送り、ゾーン70
内で生成された揮発性電解生成−の少なくとも一部分を
気化させ、塔頂流と共に導管32から排出させることが
できる。導管73を通るかかる再循環を用いる程直によ
り、別個の蒸留シー740の必要が最少とな9、あるい
は必要が無くなることさえある。
)を、導管73を通して濃縮塔3oへ送り、ゾーン70
内で生成された揮発性電解生成−の少なくとも一部分を
気化させ、塔頂流と共に導管32から排出させることが
できる。導管73を通るかかる再循環を用いる程直によ
り、別個の蒸留シー740の必要が最少とな9、あるい
は必要が無くなることさえある。
所望ならば、導管3B内の議犀硫酸の一部分を。
プルセスへ再循環させるため、導管38・を通して導管
39へ直接送る仁とができる。この場合、ゾーン70内
で処理されるll!流を、濃縮塔3oがら排出される機
厚蒙塔魔物のスリッf流と見ることができる。一般に1
導管38内の硫酸の少なくとも約io容量−1好ましく
縮約30−100容量−が1電解シー770へ送られる
。前とPl橡に、ゾーン70内で#l&塩される績厚I
2塔鷹物の正確な比率は、−厚酸中の不純物の量、連成
されるべき処理された讃流中の所望osesレベルおよ
び他の因子に依存する。
39へ直接送る仁とができる。この場合、ゾーン70内
で処理されるll!流を、濃縮塔3oがら排出される機
厚蒙塔魔物のスリッf流と見ることができる。一般に1
導管38内の硫酸の少なくとも約io容量−1好ましく
縮約30−100容量−が1電解シー770へ送られる
。前とPl橡に、ゾーン70内で#l&塩される績厚I
2塔鷹物の正確な比率は、−厚酸中の不純物の量、連成
されるべき処理された讃流中の所望osesレベルおよ
び他の因子に依存する。
シー740への液体流、導管73を通る液体流、導管3
8aを通る液体流の相対量は、それぞれ弁77.71,
37によって調節することができる。
8aを通る液体流の相対量は、それぞれ弁77.71,
37によって調節することができる。
シー770内で用いられる電解条件は、第1図に関して
上述し良電解条件に対応する。かくして、電解シー77
0は、一般に、約20−/、30℃のimt、約O−コ
、 / 0 ? 11 / m”?’−ジ電圧約θ〜3
0 pslg)の圧力、約o、ooioり〜/、0りa
mp / rs” (約/ 〜/ 、 000 amp
/ ft” )の電流![を用い、一般に、導管74か
ら排出される、約aS〜99重量−の硫酸を含有する、
処理された[1を与える。前と同様に、電解に用いるた
めの装置の構造は、遥轟な電源の選択と同様に、全く通
常のものである。
上述し良電解条件に対応する。かくして、電解シー77
0は、一般に、約20−/、30℃のimt、約O−コ
、 / 0 ? 11 / m”?’−ジ電圧約θ〜3
0 pslg)の圧力、約o、ooioり〜/、0りa
mp / rs” (約/ 〜/ 、 000 amp
/ ft” )の電流![を用い、一般に、導管74か
ら排出される、約aS〜99重量−の硫酸を含有する、
処理された[1を与える。前と同様に、電解に用いるた
めの装置の構造は、遥轟な電源の選択と同様に、全く通
常のものである。
以下、実施例によって本発明の方法をさらに説、:、′
。
。
明する。実施例中、特K11Frら1い限り、部は重量
部である。
部である。
実施例中、全可溶性有機炭素(TSOC)欄定は、約1
.Sμm9大きい粒度の脚素質固体粒子を除去するため
、ガラス真空フラスコ上に載せたガラス繊維濾過円板〔
リーブエンゼル93!AH(Reave Angel
93 jr A H)、ワット”jr7社(Vilha
tman Co、 ) )を通してまず真空濾過した液
体試料を用い、ペックマント−タルオーガニックカーが
ンアナライデー(コ/ jr B 型) (B@ckm
anTotal Organic Carbon
Analyz@r (Model コ/、Ii−
[1))を用いて行われる。
.Sμm9大きい粒度の脚素質固体粒子を除去するため
、ガラス真空フラスコ上に載せたガラス繊維濾過円板〔
リーブエンゼル93!AH(Reave Angel
93 jr A H)、ワット”jr7社(Vilha
tman Co、 ) )を通してまず真空濾過した液
体試料を用い、ペックマント−タルオーガニックカーが
ンアナライデー(コ/ jr B 型) (B@ckm
anTotal Organic Carbon
Analyz@r (Model コ/、Ii−
[1))を用いて行われる。
試料の蒸留は、実施例中で、温度針と長さ約ココ、ざ6
国(? In)の水冷式ガラス冷却篩とを備えた!;0
0d容の20丸底フラスコへ各試料を入れて行われる。
国(? In)の水冷式ガラス冷却篩とを備えた!;0
0d容の20丸底フラスコへ各試料を入れて行われる。
液体を、マグネチックスタラーで攪拌し、電気加熱用マ
ントルで加熱する。蒸留は、常圧に於て、約0.3−の
水が毎分凝縮液として回収されるような速度で行われる
。瓢温駅が、クー重量−硫酸6常圧沸点に@尚する/’
/lcのべ・、■ 温fK違し九とき蒸留を停止する。室温に冷却し圧嵌、
凝縮液およびフラスコ内残留液体の両方のTSOCを分
析する。さらに、凝縮液のガスクロマトグラフィー分析
管行う。
ントルで加熱する。蒸留は、常圧に於て、約0.3−の
水が毎分凝縮液として回収されるような速度で行われる
。瓢温駅が、クー重量−硫酸6常圧沸点に@尚する/’
/lcのべ・、■ 温fK違し九とき蒸留を停止する。室温に冷却し圧嵌、
凝縮液およびフラスコ内残留液体の両方のTSOCを分
析する。さらに、凝縮液のガスクロマトグラフィー分析
管行う。
実施例中の熱ソーキング処理は、上記のように処理した
各試料を、IK寂計と長さ約コλ、ざ6削の水冷式ガラ
ス冷却器とマグネチツクスタラーとを備え喪コSOd容
のコロ丸底フラスコに入れることによって行われる。フ
ラスコは、電気加熱用マントルで加熱される。次に、液
体を攪拌しかり □所足時間の間完全に液体を還流させ
ながら蒸留した後、液体のTSOCを分析する。
各試料を、IK寂計と長さ約コλ、ざ6削の水冷式ガラ
ス冷却器とマグネチツクスタラーとを備え喪コSOd容
のコロ丸底フラスコに入れることによって行われる。フ
ラスコは、電気加熱用マントルで加熱される。次に、液
体を攪拌しかり □所足時間の間完全に液体を還流させ
ながら蒸留した後、液体のTSOCを分析する。
実施例1およびコに於て、不純な使用済み硫酸は、n−
ブテンの、対応するアルコールを生成させる丸めの水和
から得九ものである。
ブテンの、対応するアルコールを生成させる丸めの水和
から得九ものである。
実施例/
本発明の電解方法に及はす温度の影醤を示す九めに1選
はれ次iIIIg11度と指示された製置の全可溶性1
1機炭素とを有する5ootの試料を、室温に於て、コ
0θOd容のノ辛イレツクスV−カーに入れ1これを、
鋼コイルを備え圧水浴中に入れる一連の実験を行う。^
温(60℃)実験では、酸を所産の温度に保つ1うな連
歇で、コイル中にスチームを通す。低温(/SC)実験
では、水浴の代わりにインノロビルアルコール/ドライ
アイス混合物を用いて所望の温度に保つ。攪拌は、マグ
ネチツクスタラーで行われる。
はれ次iIIIg11度と指示された製置の全可溶性1
1機炭素とを有する5ootの試料を、室温に於て、コ
0θOd容のノ辛イレツクスV−カーに入れ1これを、
鋼コイルを備え圧水浴中に入れる一連の実験を行う。^
温(60℃)実験では、酸を所産の温度に保つ1うな連
歇で、コイル中にスチームを通す。低温(/SC)実験
では、水浴の代わりにインノロビルアルコール/ドライ
アイス混合物を用いて所望の温度に保つ。攪拌は、マグ
ネチツクスタラーで行われる。
電極系は、一本の白金ガーゼ円筒〔エングルバー P
(Englehard ) Jilt ) (4’ !
rメツシュ)からなり、おのおのの円筒は、長さが約5
.θε1(コ1n、)で、直径はミ一方の円筒が他の円
筒内に挿入できるような直径〔それぞれ約3.173m
(/、Jt+n、)および3 、 g / css (
/ 、 !; In、))になっている0両円筒間に、
7枚の粗い(a箇、デメツシエ)4リノロビレンスクリ
ーンを挿入−することによって、アノードとカソードと
の物塩的接触を防ぐ。このように配置すると、両円筒は
、′実質的に一方向に整列されかつ約3.0’tg■(
0,lコIn)の距離を隔てて保持される。
(Englehard ) Jilt ) (4’ !
rメツシュ)からなり、おのおのの円筒は、長さが約5
.θε1(コ1n、)で、直径はミ一方の円筒が他の円
筒内に挿入できるような直径〔それぞれ約3.173m
(/、Jt+n、)および3 、 g / css (
/ 、 !; In、))になっている0両円筒間に、
7枚の粗い(a箇、デメツシエ)4リノロビレンスクリ
ーンを挿入−することによって、アノードとカソードと
の物塩的接触を防ぐ。このように配置すると、両円筒は
、′実質的に一方向に整列されかつ約3.0’tg■(
0,lコIn)の距離を隔てて保持される。
EICO社、104jS[(Model 104!rs
)電池充電器を電源として用いる。
)電池充電器を電源として用いる。
電解決験は、#Rを、上述し九所望温度にすることに1
って行われる0次に、窒素流をビーカー中に差向けて、
ガラス容器内で、電解中に、水素と#素との可燃性混合
物を確実に生成させないようにする。両極に、電力(S
・mp、3.gv>を、is、a時間印加する。電解中
、o、i’yコamρ/♂(/40・mp / ft”
)の電流装置を保つ。その後で、処理され良識のTS
OCを111足する。
って行われる0次に、窒素流をビーカー中に差向けて、
ガラス容器内で、電解中に、水素と#素との可燃性混合
物を確実に生成させないようにする。両極に、電力(S
・mp、3.gv>を、is、a時間印加する。電解中
、o、i’yコamρ/♂(/40・mp / ft”
)の電流装置を保つ。その後で、処理され良識のTS
OCを111足する。
得られ良結来會下紀第1表に示す。
実施例コ
指示された酸および条件を用いるqつの別個の追加実験
に於て、実施例/の電解操作を繰返し良。
に於て、実施例/の電解操作を繰返し良。
電解処理の完了後、処理され友各績試料のTSOCを試
験する。実験lおよび3では、試料を、次に、酸を93
重量−H,So4に希釈するのに十分な水と混合し、希
釈した試料を、次に、上記操作を用いて蒸餉し、それに
よって、酸をりλ1量−に再濃縮し、以下に述べる実験
コおよび蓼と匹敵する熱履歴を与える。実験lおよび3
の再濃縮試料は、次に、別個のフラスコへ送られ、フラ
スコ内で、おのおのが、温[lりfcでダ時間、上記熱
ソーキング処理にかけられる。実験コお1びqでは、電
解から1gl収された液体を、上記操作を用いて蒸w(
前希釈せずに)し、試料をクコ1量−H2SO4に濃縮
した波、上記熱ソーキイグ処理を行う。得られえ熱処理
された液体のTSOCの分析も行う。
験する。実験lおよび3では、試料を、次に、酸を93
重量−H,So4に希釈するのに十分な水と混合し、希
釈した試料を、次に、上記操作を用いて蒸餉し、それに
よって、酸をりλ1量−に再濃縮し、以下に述べる実験
コおよび蓼と匹敵する熱履歴を与える。実験lおよび3
の再濃縮試料は、次に、別個のフラスコへ送られ、フラ
スコ内で、おのおのが、温[lりfcでダ時間、上記熱
ソーキング処理にかけられる。実験コお1びqでは、電
解から1gl収された液体を、上記操作を用いて蒸w(
前希釈せずに)し、試料をクコ1量−H2SO4に濃縮
した波、上記熱ソーキイグ処理を行う。得られえ熱処理
された液体のTSOCの分析も行う。
、、1 申
かかる不純酸中で生成される巌隼*(支)体の量の低下
に於ける本発明の方法に1って借られる改良を示す友め
に、指示され九−寂の全可溶性有機縦木と有機スルホン
鍍不純物とを含有しかつ電解方法に1って処理されてい
ない不純鎖犀il酸C92重量% H,5o4)を、実
験l−ダの試料に匹敵する熱履麟を与える友め、ます十
分な水で希釈して4Iコ重量−H,So4強1に希釈し
、次に蒸留し、それによって7コ1量饅H,SO2に再
濃縮する、別個の一連の実験を行う。その後で、14議
細試料を、再び17ざCで9時間、上記熱ノーキング処
11Kかける。
に於ける本発明の方法に1って借られる改良を示す友め
に、指示され九−寂の全可溶性有機縦木と有機スルホン
鍍不純物とを含有しかつ電解方法に1って処理されてい
ない不純鎖犀il酸C92重量% H,5o4)を、実
験l−ダの試料に匹敵する熱履麟を与える友め、ます十
分な水で希釈して4Iコ重量−H,So4強1に希釈し
、次に蒸留し、それによって7コ1量饅H,SO2に再
濃縮する、別個の一連の実験を行う。その後で、14議
細試料を、再び17ざCで9時間、上記熱ノーキング処
11Kかける。
それによって得られた結果を、下記tllk211に示
す。
す。
@−表に示したデータかられかるように、実験/〜ダの
電解処理で、熱安定性が非常に増加した硫酸が得られた
。実験l−ダに於て、電解後の硫酸中に残留するTSO
Cの約θ〜約23重量−のみが、次の熱l−キング処理
で縦素質固体に熱分解され九たけである。これとは対熱
的′に、本発明の電解処理を行わなかつ九対照実験S〜
IOの未処理の使用埼みa電流中に存在するTSOCの
約Sダ〜り61量−が、熱ソーキング処理で炭素質同体
に熱分解され喪。その上、実験l−ダのコークス化速f
(すなわち熱ソーキング試験に於て1oootの溶液中
で毎時生成される炭素質1体のfe)も、大きい初期T
SOCレベルを含有する対照灸SS−ざに於ける熱ソー
キング硫酸流のコークス化速lij工り搗かに小さくか
つ熱ソーキング前の低い初期TSOCレベルを含有する
実験デお工ひ10の未処理酸のコークス化速匿よりさえ
も低かった。
電解処理で、熱安定性が非常に増加した硫酸が得られた
。実験l−ダに於て、電解後の硫酸中に残留するTSO
Cの約θ〜約23重量−のみが、次の熱l−キング処理
で縦素質固体に熱分解され九たけである。これとは対熱
的′に、本発明の電解処理を行わなかつ九対照実験S〜
IOの未処理の使用埼みa電流中に存在するTSOCの
約Sダ〜り61量−が、熱ソーキング処理で炭素質同体
に熱分解され喪。その上、実験l−ダのコークス化速f
(すなわち熱ソーキング試験に於て1oootの溶液中
で毎時生成される炭素質1体のfe)も、大きい初期T
SOCレベルを含有する対照灸SS−ざに於ける熱ソー
キング硫酸流のコークス化速lij工り搗かに小さくか
つ熱ソーキング前の低い初期TSOCレベルを含有する
実験デお工ひ10の未処理酸のコークス化速匿よりさえ
も低かった。
促って、等しいTSOCレベルに於て、パッチ式または
牛遅絖式または連続式で用いることができる本発明の方
法は、付随して起こるコークス化が少なく、それ故にか
かる改良された熱安定性を有する酸の不在下で許容され
うるよりもプロセス装置を汚染する炭素質付着物が少な
いオレフィン水和方法の実施を可能にする。結果として
、本発明の方法は、“汚い酸(dlrty acld
)”、例えは本発明の電解ゾーンからの電流出物中に約
−0,000ppmまヤ、好ましくは約SOO〜/ !
; 00 PPm s よシ好ましくは約1000〜1
0.0009tKnの全有機炭素(元素炭素として計算
して)を有する酸で、顕著な炭素質汚染間鵬もなくオレ
フィン水和方法の実施を可能にする。
牛遅絖式または連続式で用いることができる本発明の方
法は、付随して起こるコークス化が少なく、それ故にか
かる改良された熱安定性を有する酸の不在下で許容され
うるよりもプロセス装置を汚染する炭素質付着物が少な
いオレフィン水和方法の実施を可能にする。結果として
、本発明の方法は、“汚い酸(dlrty acld
)”、例えは本発明の電解ゾーンからの電流出物中に約
−0,000ppmまヤ、好ましくは約SOO〜/ !
; 00 PPm s よシ好ましくは約1000〜1
0.0009tKnの全有機炭素(元素炭素として計算
して)を有する酸で、顕著な炭素質汚染間鵬もなくオレ
フィン水和方法の実施を可能にする。
従って、本発明は、先行技術で汚染問題を防ぐために本
質的であると考えられていたようなすべての有機炭素を
除去して1無色のaI(white ac龜d)mにす
るための使用済み硫酸の処理の必景を無くす。
質的であると考えられていたようなすべての有機炭素を
除去して1無色のaI(white ac龜d)mにす
るための使用済み硫酸の処理の必景を無くす。
好ましくは、木、発明の方法で処理され九*mは、高温
(例えば/!;0−/gθ℃)に基層されるとき、かか
る条件下で未処理酸中で炭素質固体が生成する速度よシ
少なくとも約son、xシ好ましくは少なくとも約90
−少ない速度で炭素質固体を生&する。
(例えば/!;0−/gθ℃)に基層されるとき、かか
る条件下で未処理酸中で炭素質固体が生成する速度よシ
少なくとも約son、xシ好ましくは少なくとも約90
−少ない速度で炭素質固体を生&する。
臨界的ではないが、7ノード室をカソード室から隔離し
、それKよって槽内で一生するH、ガスと02 ガスと
を分離してm発の危険を最小にするために、一般に、電
解槽内で透液性膜セノぐレータ−が用いられる。多孔性
セラミック製膜、練成ガラス繊維組(約Q、!;vmX
0.3■の目間隔(open 5pace ) をも
った)、イオン交換層、親水性多孔性4リプロピレン換
、多孔性?リエチレン、多孔性PVC/#酸ビニルコ?
リマー展または微孔性PVC膜のような通常の膜を用い
ることができる。上記の中で、微孔性PVC換が好まし
いO 本発明の実施に於てアノードとして最も好ましいものは
、氷山 ネパタ州へ/ダーソン市のノ’?シフイックエ
ンジニアリングアンドプロダクション社(Pacifi
c Engineering and Product
ionComρany) Hの黒鉛担持PbO2アノー
ドである。
、それKよって槽内で一生するH、ガスと02 ガスと
を分離してm発の危険を最小にするために、一般に、電
解槽内で透液性膜セノぐレータ−が用いられる。多孔性
セラミック製膜、練成ガラス繊維組(約Q、!;vmX
0.3■の目間隔(open 5pace ) をも
った)、イオン交換層、親水性多孔性4リプロピレン換
、多孔性?リエチレン、多孔性PVC/#酸ビニルコ?
リマー展または微孔性PVC膜のような通常の膜を用い
ることができる。上記の中で、微孔性PVC換が好まし
いO 本発明の実施に於てアノードとして最も好ましいものは
、氷山 ネパタ州へ/ダーソン市のノ’?シフイックエ
ンジニアリングアンドプロダクション社(Pacifi
c Engineering and Product
ionComρany) Hの黒鉛担持PbO2アノー
ドである。
Pb0.アノードを用いる場合、電解温度は、好ましく
は約SO〜/30cの範囲内であり、電解温度が高くな
る程PbO,アノードの腐食が減少することがわかって
いるので、蚊範囲内でできるだけ高い温度が最も好まし
い。さらに、H,SO2濃度が増すとPi)O,の腐食
速度が増すこともわかっているので、すべての他の因子
が一定である場合、これらの好ましいアノードでは、電
解のためにできるだけ希薄な酸を用いる仁とが好ましい
。
は約SO〜/30cの範囲内であり、電解温度が高くな
る程PbO,アノードの腐食が減少することがわかって
いるので、蚊範囲内でできるだけ高い温度が最も好まし
い。さらに、H,SO2濃度が増すとPi)O,の腐食
速度が増すこともわかっているので、すべての他の因子
が一定である場合、これらの好ましいアノードでは、電
解のためにできるだけ希薄な酸を用いる仁とが好ましい
。
本発明の方法による酸の電解処理に、電解中に実質的な
量の水の除去による硫酸の実質的な**を防ぐのに十分
な条件下でかつ十分な時間行うことが好ましい7−電解
ゾーンを通るときの硫*験1が電解ゾーンへ供給される
酸の82604mmよp7重量係以上増加しないことが
最も好ましい。
量の水の除去による硫酸の実質的な**を防ぐのに十分
な条件下でかつ十分な時間行うことが好ましい7−電解
ゾーンを通るときの硫*験1が電解ゾーンへ供給される
酸の82604mmよp7重量係以上増加しないことが
最も好ましい。
本発明から離れることな(種々の変化や変形がなされ得
ることは明らかであり、従って、以上の説明中に含まれ
るすべての事柄は、説明のためのみのものであり、本@
明をm足するためのものではない。例えは、第2図に示
した実施態様および本発明の好寥しい実施m様とは別の
もう1つの別の実施態様として、少なくとも約5 Q
Oppmの有機スルホン醸不純物を含む1III流酸を
、酸供給導管24jり上方ま九は下方で磯Il!i梧3
0から排出させ、上述した工うに1電解処理の九めに電
解ゾーン70へ(渥38中の酸の代わりに、あるいは流
38申の酸に加えて)送り、その中の有様スルホン鎗不
純物の少なくとも一部分を電解酸化することができる。
ることは明らかであり、従って、以上の説明中に含まれ
るすべての事柄は、説明のためのみのものであり、本@
明をm足するためのものではない。例えは、第2図に示
した実施態様および本発明の好寥しい実施m様とは別の
もう1つの別の実施態様として、少なくとも約5 Q
Oppmの有機スルホン醸不純物を含む1III流酸を
、酸供給導管24jり上方ま九は下方で磯Il!i梧3
0から排出させ、上述した工うに1電解処理の九めに電
解ゾーン70へ(渥38中の酸の代わりに、あるいは流
38申の酸に加えて)送り、その中の有様スルホン鎗不
純物の少なくとも一部分を電解酸化することができる。
かくして処理された#Iftを、久に1上述の工うに1
導管73を通して*縮塔30へ戻すことができる。
導管73を通して*縮塔30へ戻すことができる。
第1凶は、本発明の方法の1つの実施態様を示す似略崗
であり、 第二一に、本発明の方法のもう1つの実施態様をボf概
略図である。 凶l査号の説明 4・・・佃田&訛、6・・・硫酸流、lO・・・吸収塔
、20・・・蒸f7場、7−−−ル隷成塔、30・・・
濃縮塔、IO・・・別個の蒸w嗜、50・・・貯蔵′4
器、供給タンク、60・・・1llc層ゾーン、62・
・・電源、70・・・電解FIGURE 1 FIQυRε2
であり、 第二一に、本発明の方法のもう1つの実施態様をボf概
略図である。 凶l査号の説明 4・・・佃田&訛、6・・・硫酸流、lO・・・吸収塔
、20・・・蒸f7場、7−−−ル隷成塔、30・・・
濃縮塔、IO・・・別個の蒸w嗜、50・・・貯蔵′4
器、供給タンク、60・・・1llc層ゾーン、62・
・・電源、70・・・電解FIGURE 1 FIQυRε2
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 0) アルコール製造のためのオレフィンの接触水利で
生成されかつ有機スルホン酸不純物を含有する使用済み
m#pttO熱安定性の、改良方法であって、電解ゾー
ン内に於て、該有機スルホン酸不純物の少なくとも一部
分を電解酸化するのに十分な条件下で該使用済み*畝a
を処理して電解生成物を生成させることとそれによって
熱安定性が増加しfc逃理された硫酸流を与えることと
を宮む改良方法。 (21有機スルホン酸不純物が、少なくとも約500m
tppmの量で使用済み硫酸流中に存在する、特許請求
の範囲第(1)項記載の改良方法。 (3)該部分的酸化有機化合物を含有する、処理された
使用済み懺#[1流を為−で処理して、該電解生成物の
少なくとも一部分を揮発させかつ除去する、特許1nl
Xの範囲第(1)項記載−の改良方法。 (4)便用凋み硫酸にか約ダS〜79重量饅のH,SO
2を特徴する特許l#累の範囲第(11項記載の改良方
法。 (5) (a) 吸収ゾーン中でオレフィンを濃厚硫
酸水溶液に吸収させて、該オレフイ/に対応する硫酸ア
ルキルエステルを生成させる工程と、(t)) II
吸収ゾーンからg[硫酸アルキルエステルを含有する猷
体訛を回収しかつ幻応するアルコールを遊離させる九め
に該回収椎体を水と接触させる工程と、 (c) 得られた希薄液体を、該アルコールを気状生
成物として回収するため、アルコール生成ゾーンへ送り
、それに1って約ダ0〜SS*量−の硫酸と少なくとも
約SOO重量ppmの有機スルホン酸不純物とを含有す
る使用済み硫tRRを生成させる工程とを含むアルコー
ル製造の改良方法であって、 (d) 該使用済み硫酸の少なくとも一部分を電解シ
ー/へ送って、該ゾーン内で、該使用済みWcrIRt
q#杵請求の範囲第(菫)項記載の条件で処理する工程
と、 (e) 得られた電解処理された使用済み硫酸を、電
解ゾーン内で処理されなかった使用済み硫酸の残りの部
分と組み合わせて、酸濃縮塔へ送り、tIklIIiI
内で水性蒸気を除去して、吸収ゾーンへの再循環に適轟
な熱安定性の増加した濃Jlll硫酸溶液を生成させる
工程とを%健とする改良方法。 161 (a) @収ゾーン内で、オレフイ/を濃厚
iI酸氷水浴液吸収して、原オレフィンに対応する硫饋
アルキルエステルを生成させる工程と、(b)σ*改ア
ルキルエステルを含有する本体流を該吸収ゾーンから回
収しかつ該回収液体を、対応するアルコールを遊離させ
る九めに、水と接触させる工程と、 (CJ 得られた希薄液体を、駅アルコールを気状生
成物として回収するために、アルコール生成ゾーンへ送
9、それに1って使用済み硫酸aを生成させる工程と、 (d+ 麻使用償み懺敵を#R蒙縮堪へ送り、濃縮塔
内で、水性蒸気を除去するために#使用済み硫酸を蒸留
して、約lIS〜99重を係の硫酸を含有する嬢厚な使
用済み硫酸を生成させる工程とを含むアルコール製造の
改良方法であって、該工程a、b、C,dの後、下記の
工程・ま九はf: (e)#酸濃縮塔から硫酸側流を取り出し、該硫酸側流
を電解ゾーンへ送り、電解ゾーン内で該硫酸を特許請求
の範囲銅111項紀載の条件で処理しかつ かくして処理された硫酸流の少なくとも一部分を該電解
ゾーンから該酸濃縮塔へ再循環させる工程、あるいは (f) 少なくとも約isoθ重lppmの有機スル
ホン酸不純物を含有する濃厚な使用済み硫酸の少なくと
も一部分t*解ゾーンへ送りかつ電解ゾ、−ン内で特許
請求の範囲第ロク項記載の条件で処理しかりかくして処
理された硫酸流の少なくと龜一部分を、揮発性が水より
高りかあるいは水と共に蒸留する該電解生成物の少なく
とも一部分を揮発。 除去させるような温度および圧力条件で処理し、それに
よって該吸収ゾーンへ再循環させるために適尚な、熱安
定性が増加した硫酸流を生成させる工程 の/工程を行うことを%黴とする改良方法。 (7)電解ゾーン内で約20−/90Cの温度を用いる
、特許請求の範囲第(重)項または第(6)項ま良は第
(6)項記載の方法。 (8) 電解ゾーン内で約ダ0〜//QCの温度を用
いる、%I?Ftfj求の範囲第(1)項または第(6
)項または第(6)項記載の方法。 19) 有機スルホン酸不純物がヒドロキシアルキル
スルホン酸まfcはアルケニルスルホン酸ま九はそれら
の混合物を含む、特許#1llXのm曲部(1)埃−@
(81JJlのいずれか/積に記載の改良方法。 −有機スルホン酸不純物の4!′機部分の縦素原子数が
オレフィンの縦素原子数に相尚する、特許請求の範囲第
(11項〜第(9)項のいずれか1項に記載の改良方法
。
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