JPS58102345A - 半導体レ−ザのドライバ回路 - Google Patents
半導体レ−ザのドライバ回路Info
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- JPS58102345A JPS58102345A JP56201855A JP20185581A JPS58102345A JP S58102345 A JPS58102345 A JP S58102345A JP 56201855 A JP56201855 A JP 56201855A JP 20185581 A JP20185581 A JP 20185581A JP S58102345 A JPS58102345 A JP S58102345A
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- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B7/00—Recording or reproducing by optical means, e.g. recording using a thermal beam of optical radiation by modifying optical properties or the physical structure, reproducing using an optical beam at lower power by sensing optical properties; Record carriers therefor
- G11B7/12—Heads, e.g. forming of the optical beam spot or modulation of the optical beam
- G11B7/125—Optical beam sources therefor, e.g. laser control circuitry specially adapted for optical storage devices; Modulators, e.g. means for controlling the size or intensity of optical spots or optical traces
- G11B7/126—Circuits, methods or arrangements for laser control or stabilisation
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S5/00—Semiconductor lasers
- H01S5/06—Arrangements for controlling the laser output parameters, e.g. by operating on the active medium
- H01S5/068—Stabilisation of laser output parameters
- H01S5/0683—Stabilisation of laser output parameters by monitoring the optical output parameters
- H01S5/06835—Stabilising during pulse modulation or generation
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S5/00—Semiconductor lasers
- H01S5/04—Processes or apparatus for excitation, e.g. pumping, e.g. by electron beams
- H01S5/042—Electrical excitation ; Circuits therefor
- H01S5/0428—Electrical excitation ; Circuits therefor for applying pulses to the laser
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
不発明は半導体レーデのドライバ回路に関すゐ ０
半導体レーデは温度によってその内部抵抗か変化し、こ
のため光出力が変動する。！Ｈに、半導体レーデ會用い
た九ｍｌ録再生方式の場合光出力の震動によす１肯報が
課まって体達き７ｔゐおそれかめる。このため、健米充
出力の変動を抑えゐ１ζめのフィードバック１ＩＩＩＩ
御ンし易いように十害口（レーｆを足電圧駆動していた
。
のため光出力が変動する。！Ｈに、半導体レーデ會用い
た九ｍｌ録再生方式の場合光出力の震動によす１肯報が
課まって体達き７ｔゐおそれかめる。このため、健米充
出力の変動を抑えゐ１ζめのフィードバック１ＩＩＩＩ
御ンし易いように十害口（レーｆを足電圧駆動していた
。
しかし、半４１．１−レービｔよ商運の付号化・ゼルス
１ｄ号で震調されゐため、レーデのス１ノテオ／時（弁
元時）とスイッチオフ時（井９６元時つとでは通流の変
化が人きく、すなわちｊｔ荷変動が大さく定゛屯圧駆動
のためＫｍに並列にちる程１皮の大きさのコンデンサを
接続していた。
１ｄ号で震調されゐため、レーデのス１ノテオ／時（弁
元時）とスイッチオフ時（井９６元時つとでは通流の変
化が人きく、すなわちｊｔ荷変動が大さく定゛屯圧駆動
のためＫｍに並列にちる程１皮の大きさのコンデンサを
接続していた。
半導体レープ″及びドライバ回路は上位コントロール治
（コンピュータ）によって制俳さｎゐので、従来のよう
に常時絽奄σｒＬる心安は・ｆく動作指令が上位コント
ロール系から与えられるときのみ給電されｎば良い。し
かしながら、このような駆動方法會株用すると、前述し
九定亀圧駆動用コアｆ′ンサのため動作指令時′亀諒電
圧の立上りが遅くな９、ｊたコンデンサの値を小さくす
ると負荷変動のため定電、圧駆動か−しくなる。肖何変
動？小さくできるｌらば、だ電圧駆動用コンアンサの埴
を小さくしても！１ｔ１１１′１指令時の軍諒屯圧の立
上りを早くでき、コンビュ−タのアクセス時間′（ｌ−
短紬することがり龍になめ。
（コンピュータ）によって制俳さｎゐので、従来のよう
に常時絽奄σｒＬる心安は・ｆく動作指令が上位コント
ロール系から与えられるときのみ給電されｎば良い。し
かしながら、このような駆動方法會株用すると、前述し
九定亀圧駆動用コアｆ′ンサのため動作指令時′亀諒電
圧の立上りが遅くな９、ｊたコンデンサの値を小さくす
ると負荷変動のため定電、圧駆動か−しくなる。肖何変
動？小さくできるｌらば、だ電圧駆動用コンアンサの埴
を小さくしても！１ｔ１１１′１指令時の軍諒屯圧の立
上りを早くでき、コンビュ−タのアクセス時間′（ｌ−
短紬することがり龍になめ。
本発明はこのよ′）な事↑ｋＶＣ麹みてなさｎたもので
、負何変動を慣めて小゛さくした半導体レーデの駆動回
路を提供丁０ことを目的とする。
、負何変動を慣めて小゛さくした半導体レーデの駆動回
路を提供丁０ことを目的とする。
この目的は電源と半導体レーデに、変調・ぐルス悟号Ｖ
（応答して半導体レーザＶ’−Ｋ ｔｉｌ、１１電流を
供給する第１のスイッチング回路全接続し、更に′亀Ｗ
に変調・ぐルス１百号と逆位相の佃考に応答して第１の
スイッチングμＪＭと相補的にスイッチ動作をする第２
のスイッチング回路を嵌絖丁ゐことによジ達成される。
（応答して半導体レーザＶ’−Ｋ ｔｉｌ、１１電流を
供給する第１のスイッチング回路全接続し、更に′亀Ｗ
に変調・ぐルス１百号と逆位相の佃考に応答して第１の
スイッチングμＪＭと相補的にスイッチ動作をする第２
のスイッチング回路を嵌絖丁ゐことによジ達成される。
すなわち、第１のスイッチング回路と第２のスイッチン
グ回路は相補的に動作ヶｊるので、電ｍ屯流が常Ｇ′こ
一定にできて負ｉｄｆ変動か押えら詐る。
グ回路は相補的に動作ヶｊるので、電ｍ屯流が常Ｇ′こ
一定にできて負ｉｄｆ変動か押えら詐る。
以下、本発明のドフイ・９回路の−−ｓ、施例會図囲を
参照しつつ説明する。
参照しつつ説明する。
本９色明の半導体レーデドライバ回路は、例えは上位コ
ントロール糸から動作指令が与えもれなとき閉じるスイ
ッチＳｌ及びＳ２によって電源十Ｖ。０及び−ｖｃｃと
接続されるよりに部数σｎゐ 。
ントロール糸から動作指令が与えもれなとき閉じるスイ
ッチＳｌ及びＳ２によって電源十Ｖ。０及び−ｖｃｃと
接続されるよりに部数σｎゐ 。
変調・ゼルス佃号に、動作指令が与えしｎると’１”Ｔ
Ｌロジックバッファ１１會介してコレクタが鉱抗１３全
介して電源＋Ｖｃｃに、エミッタが接地さｎたトランジ
スタ１２のペースに供給されゐ。トランジスタ１２のコ
レクタ出力信号はト ゛フンラスタ１４のベースに供
給はｎゐ。トランジスタ１４は、そのコレクタが抵抗１
５を介して電源＋Ｖｏｏに、その工＜ツタが抵抗１６を
介して電（５−ｖ。ｃＫ接続されてエミッタフォロワ゛
を燐酸しており、そのエミッタ出力１ｇ−号はＶ−ＭＯ
８ｉｉ’ｇＴ １７ ツク” −トＫ Ｆ ｉされる。
Ｌロジックバッファ１１會介してコレクタが鉱抗１３全
介して電源＋Ｖｃｃに、エミッタが接地さｎたトランジ
スタ１２のペースに供給されゐ。トランジスタ１２のコ
レクタ出力信号はト ゛フンラスタ１４のベースに供
給はｎゐ。トランジスタ１４は、そのコレクタが抵抗１
５を介して電源＋Ｖｏｏに、その工＜ツタが抵抗１６を
介して電（５−ｖ。ｃＫ接続されてエミッタフォロワ゛
を燐酸しており、そのエミッタ出力１ｇ−号はＶ−ＭＯ
８ｉｉ’ｇＴ １７ ツク” −トＫ Ｆ ｉされる。
Ｖ−ＭＯ８ＦＥＴ１７は半４俸レーザ１８及び電流制限
用抵抗１９と電源十Ｖ。０と接地間に直列に接に欠され
ており、半導体レーダ１８はｖ−ＭｏｓＦ’ｈ：’ｒ
Ｚ ７ カオンするとき変調電流が流れて電流値に応し
て発光する。
用抵抗１９と電源十Ｖ。０と接地間に直列に接に欠され
ており、半導体レーダ１８はｖ−ＭｏｓＦ’ｈ：’ｒ
Ｚ ７ カオンするとき変調電流が流れて電流値に応し
て発光する。
ロノックバノファ１１の出力信号はＴＴＬインバータ２
０によって反転され、ぞしてトランジスタ１２と同様に
コレクタが抵抗２２を介して′屯詠＋ＶＣＣに接抗ざｌ
ｔ１エミソメが接地゛さｎたトランジスタ２〕のベース
に供給さｎる。トランノスタ２ノのコレツタ出力佃号は
、コレクタが抵４几２４を介して電源十■ｃｃに、エミ
ッタが四仇２５を介して奄詠−■。０に接続さオームて
エミッタフォロワ會悔敗するトランジスタ２３のペース
に供給される。トランジスタ２３のエミ。
０によって反転され、ぞしてトランジスタ１２と同様に
コレクタが抵抗２２を介して′屯詠＋ＶＣＣに接抗ざｌ
ｔ１エミソメが接地゛さｎたトランジスタ２〕のベース
に供給さｎる。トランノスタ２ノのコレツタ出力佃号は
、コレクタが抵４几２４を介して電源十■ｃｃに、エミ
ッタが四仇２５を介して奄詠−■。０に接続さオームて
エミッタフォロワ會悔敗するトランジスタ２３のペース
に供給される。トランジスタ２３のエミ。
タ出力信号は′亀源十Ｖ。。及び接地間に（ル抗２７と
直列に接続さｎたＶ−１ｖｌｌＯｓル゛ａ；Ｔ２６のグ
゛−１・に供給逼れる。
直列に接続さｎたＶ−１ｖｌｌＯｓル゛ａ；Ｔ２６のグ
゛−１・に供給逼れる。
以上の説明から明らかなように、ｖ−ｍｏｓＦｇｒ）７
と２６の駆動回路ＶＣは、逆位イ目の駆動信号が供給さ
ｎｌその結果Ｖ−ＭＯ８ＦＥＴ ｌ ７と２６Ｆ、１４
ｆＪ袖的にスイッチされる。したがって、′電源電流を
常に一定とすることができ、このため貝何変＠を押えて
立上り％注の艮い足電圧駆動を付９ことができる。
と２６の駆動回路ＶＣは、逆位イ目の駆動信号が供給さ
ｎｌその結果Ｖ−ＭＯ８ＦＥＴ ｌ ７と２６Ｆ、１４
ｆＪ袖的にスイッチされる。したがって、′電源電流を
常に一定とすることができ、このため貝何変＠を押えて
立上り％注の艮い足電圧駆動を付９ことができる。
Ｖ−ｉＶｌｏＳＦ”ｋ２Ｔ ｌ ７及び２６’（（エミ
ノ＊７．Ｏ’７１１ｉ力で１１躯動するようにしたのは
、り−１・−ノース間、ン゛−トードレイノ間に淑小な
容置をＭｆる５− Ｖ−ＭＯ８ＦＩＣＴ ｋ 出ｉＥイノビーグンスの小さ
いエミ。
ノ＊７．Ｏ’７１１ｉ力で１１躯動するようにしたのは
、り−１・−ノース間、ン゛−トードレイノ間に淑小な
容置をＭｆる５− Ｖ−ＭＯ８ＦＩＣＴ ｋ 出ｉＥイノビーグンスの小さ
いエミ。
タフォロワで駆動することＶこよりレーデの変調電流の
立上！ｌｌを良くするためでろる。
立上！ｌｌを良くするためでろる。
尚、この実施例では半導体レーザ１８を・マイアス電流
奮供給しつつ駆動するようにしている。
奮供給しつつ駆動するようにしている。
ｃ ｏ ＊ メＫ 、牛導１４１ｚ−デ１８はｖ−ＭＯ
ＳＦＥＴ ｚ ７がオンするときに強発光し、Ｖ−ＭＯ
ＳＦＥＴ Ｉ ７がオフのときにはバイアス電流によっ
て弱発光する。
ＳＦＥＴ ｚ ７がオンするときに強発光し、Ｖ−ＭＯ
ＳＦＥＴ Ｉ ７がオフのときにはバイアス電流によっ
て弱発光する。
これは、第１に、スイッチング回路の負担を軽くするた
めであり、第２に、再生のための発光レベルは記録のた
めの発光レベルより低くて良いので、バイアス電流によ
る発光のレベルを再生発光レベルにしておけば、ドライ
バ回路が記録及び丹生のために使用できるためでめる。
めであり、第２に、再生のための発光レベルは記録のた
めの発光レベルより低くて良いので、バイアス電流によ
る発光のレベルを再生発光レベルにしておけば、ドライ
バ回路が記録及び丹生のために使用できるためでめる。
そして、第３に、バイアス電＃Ｌｋ制御することにより
発光レベルが容易に制御できるためである。
発光レベルが容易に制御できるためである。
以下、この実施例のフィードバック制御□□系について
説明する。半導体レーデ１８の光出力の一部を受けるＰ
ＩＮ元ダイオード２８と抵抗２９とが電源＋ｖｃｏ七−
ｖｃｃとの間に直列に接続式ｎて受元器全楕１戊してい
心。受光器の出力電圧はバイアスを泥による光出力と刈
［６する受光器のローレベル出力′亀圧を保持するピー
クホールド回路３０に供給さｎる。ピークホールド回路
３０の出力電圧は電圧比較回路３）の反転入力に供Ｍさ
れて非反転入力に供給さｆしめポデン／オメータ３２か
らの基準′市川と電圧比較芒れる。
説明する。半導体レーデ１８の光出力の一部を受けるＰ
ＩＮ元ダイオード２８と抵抗２９とが電源＋ｖｃｏ七−
ｖｃｃとの間に直列に接続式ｎて受元器全楕１戊してい
心。受光器の出力電圧はバイアスを泥による光出力と刈
［６する受光器のローレベル出力′亀圧を保持するピー
クホールド回路３０に供給さｎる。ピークホールド回路
３０の出力電圧は電圧比較回路３）の反転入力に供Ｍさ
れて非反転入力に供給さｆしめポデン／オメータ３２か
らの基準′市川と電圧比較芒れる。
′電圧比較回路３１の出力電圧は、コレクタか抵抗３４
を介して半導体レーデＪ８に接続垢７’Ｌ、エミッタが
電源−ｖｃｃに接枕されたトランジスタ３３のベースに
供帽される。
を介して半導体レーデＪ８に接続垢７’Ｌ、エミッタが
電源−ｖｃｃに接枕されたトランジスタ３３のベースに
供帽される。
Ｍ１１述した制御系によｎば、半導体レーデ１８のバイ
アス電流が大きり、シだがって・々イアスレペルでの光
出力が太きいときには、受フし器のローレベル出力′亀
圧ぐ工萬くｌる０このため、電圧比較回路３１のＩｊ、
１力電圧が１広くなってトランジスタ３３のコレクター
１流、すなわち半導体レーデＪ８のバイアス電流を小き
くする。捷た、バイアス電流が小さいときには、受光器
のローレベル出力電圧は低くなって電圧比較回路３ノの
出力電圧か尚くなり１ トランジスタ３３のコレタタ篭
流葡増加させる。丁なわら、このようなフィードバック
制御ホによｎｔ／よ、変調パルスの像幅を制御するので
はなく、バイアス電流を制御することにより光出力のｆ
ｍｔ−押えていゐ Ｏ この回路を丹生に使用する場合には、ｖ−ＭＯ８ＦＥＴ
１７會オフにして寂けは良い。こ扛により半導体レーザ
はバイアス電流により再生に必安なレベルで発光するこ
とになる。
アス電流が大きり、シだがって・々イアスレペルでの光
出力が太きいときには、受フし器のローレベル出力′亀
圧ぐ工萬くｌる０このため、電圧比較回路３１のＩｊ、
１力電圧が１広くなってトランジスタ３３のコレクター
１流、すなわち半導体レーデＪ８のバイアス電流を小き
くする。捷た、バイアス電流が小さいときには、受光器
のローレベル出力電圧は低くなって電圧比較回路３ノの
出力電圧か尚くなり１ トランジスタ３３のコレタタ篭
流葡増加させる。丁なわら、このようなフィードバック
制御ホによｎｔ／よ、変調パルスの像幅を制御するので
はなく、バイアス電流を制御することにより光出力のｆ
ｍｔ−押えていゐ Ｏ この回路を丹生に使用する場合には、ｖ−ＭＯ８ＦＥＴ
１７會オフにして寂けは良い。こ扛により半導体レーザ
はバイアス電流により再生に必安なレベルで発光するこ
とになる。
尚、この実施例では、スイッチング素子として理想的な
Ｖ−ＭＯ８Ｆ’ＥＴ全使用したが、本′ｊ６明はこ扛に
限定されるものでｒよなく、スイッチング素子としては
他のトランジスタ、或いはＦＥＴ ｋ用いても艮い。
Ｖ−ＭＯ８Ｆ’ＥＴ全使用したが、本′ｊ６明はこ扛に
限定されるものでｒよなく、スイッチング素子としては
他のトランジスタ、或いはＦＥＴ ｋ用いても艮い。
以上述べたように、本発明によｎば、高缶度記録のため
に高速変調されたパルス信号により駆動される半導体レ
ーデの定電圧駆動を可能ＶＣし、しかも電源に人容社の
コンデンサ全必費としないので、外部コントロール糸に
ょ９高速で制御される／ステムに適した立上り特性の艮
いドライバ回路ケ従供することができる。良に、セ、ド
アツノ時Ｆ用が短いので、アクセス時間が大幅に短編δ
７’Ｌゐ。
に高速変調されたパルス信号により駆動される半導体レ
ーデの定電圧駆動を可能ＶＣし、しかも電源に人容社の
コンデンサ全必費としないので、外部コントロール糸に
ょ９高速で制御される／ステムに適した立上り特性の艮
いドライバ回路ケ従供することができる。良に、セ、ド
アツノ時Ｆ用が短いので、アクセス時間が大幅に短編δ
７’Ｌゐ。
図■は不発明の一夾厖νりに工ゐ半導体レーザのドライ
バ回路を示す０ １８−・・半導体レーザ、ｌ ７ 、２６ □−Ｖ−Ｍ
ｔＪＳＦ’ＥＴ。 ２８・・・１）ＩＮ光ダイ万一ド〇 出輻人代理人 升堆土 鈴 江 武 該９−
バ回路を示す０ １８−・・半導体レーザ、ｌ ７ 、２６ □−Ｖ−Ｍ
ｔＪＳＦ’ＥＴ。 ２８・・・１）ＩＮ光ダイ万一ド〇 出輻人代理人 升堆土 鈴 江 武 該９−
Claims (1)
- 電源と半導体レーデに嵌伏さ；ｎ−ｓ＆調・Ｐルス１１
号に応答して半導体レーｒ ＶＣ友調電流會供ｉＧする
第ｌのスイッチング回路と、電源に候絖さγ１１、前記
変峨・ヤルスイ＠号と逆位相の侶号に応答して第１のス
イッチング回路と相部的にスイッチ動作する第２のスイ
ッチング回路とを具誦することを待機とする半導体レー
デのドライバ回路。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP56201855A JPS58102345A (ja) | 1981-12-15 | 1981-12-15 | 半導体レ−ザのドライバ回路 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP56201855A JPS58102345A (ja) | 1981-12-15 | 1981-12-15 | 半導体レ−ザのドライバ回路 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS58102345A true JPS58102345A (ja) | 1983-06-17 |
Family
ID=16447997
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP56201855A Pending JPS58102345A (ja) | 1981-12-15 | 1981-12-15 | 半導体レ−ザのドライバ回路 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS58102345A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4813048A (en) * | 1985-10-22 | 1989-03-14 | Fujitsu Limited | Semiconductor laser driving device |
| CN109378706A (zh) * | 2018-12-14 | 2019-02-22 | 绵阳昱东电子科技有限公司 | 半导体激光器高峰值功率供能恒流脉冲驱动电源 |
-
1981
- 1981-12-15 JP JP56201855A patent/JPS58102345A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4813048A (en) * | 1985-10-22 | 1989-03-14 | Fujitsu Limited | Semiconductor laser driving device |
| CN109378706A (zh) * | 2018-12-14 | 2019-02-22 | 绵阳昱东电子科技有限公司 | 半导体激光器高峰值功率供能恒流脉冲驱动电源 |
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