JPS58101490A - 金属導体を基板に直接溶着して電子素子を製造する方法 - Google Patents
金属導体を基板に直接溶着して電子素子を製造する方法Info
- Publication number
- JPS58101490A JPS58101490A JP56201305A JP20130581A JPS58101490A JP S58101490 A JPS58101490 A JP S58101490A JP 56201305 A JP56201305 A JP 56201305A JP 20130581 A JP20130581 A JP 20130581A JP S58101490 A JPS58101490 A JP S58101490A
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- metal
- paste
- welding
- steel
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は、混成集積回路の基板等を製造する方法であっ
て、金属導体を基板に直接溶着して電子素子を製造する
方法に係るものである。
て、金属導体を基板に直接溶着して電子素子を製造する
方法に係るものである。
従来、混成集積回路の導体としては、銀や金などの貴金
属の合金が用いられ、セラミック等の基板との接着剤と
してガラス質の７リツトを混ぜたペーストが用いられて
いる。
属の合金が用いられ、セラミック等の基板との接着剤と
してガラス質の７リツトを混ぜたペーストが用いられて
いる。
ところが、基板に導体を接着させるためのペーストに７
リツクスを入れたものな用いると、高周波回路としての
回路インピーダンスが増加するので、特に高い周波数の
回路用のものは、７リツクスを用いないで金属導体を基
板ＫＩ：＊溶着することが望ましい。
リツクスを入れたものな用いると、高周波回路としての
回路インピーダンスが増加するので、特に高い周波数の
回路用のものは、７リツクスを用いないで金属導体を基
板ＫＩ：＊溶着することが望ましい。
本発明は、上記の要請にこたえるために開発されたもの
であって、高純度の微粉末鋼と適当量の水素化金属また
は水酸化金属を混合したペーストを作り、これを基板（
プリントし、適当な温度で焼成するととによって、ガラ
ス質のフリットを用いず、化学結合により金属導体を基
板Ｋ［接溶着する方法を提供しようとするものである。
であって、高純度の微粉末鋼と適当量の水素化金属また
は水酸化金属を混合したペーストを作り、これを基板（
プリントし、適当な温度で焼成するととによって、ガラ
ス質のフリットを用いず、化学結合により金属導体を基
板Ｋ［接溶着する方法を提供しようとするものである。
以下、本発明に係る方法を一実施例について具体的に説
明する。
明する。
ここに説明する実施例は、厚膜混成集積回路の例であっ
て、基板としてはセラミック、ガラスあるいはアルミニ
ウム、銅膜の金属板が用いられる。
て、基板としてはセラミック、ガラスあるいはアルミニ
ウム、銅膜の金属板が用いられる。
また、基板にプリントするペーストは、多量の微調１１
に少量の水素化金属（例えば水素化チタンや水素化鋼な
ど）、〜あるいは水酸化金属（例えば水酸化第二鋼など
）を加えて混合均質にし、純水、アルコール等を加えて
糊状にしたものである。微銅粉は高純度で粒径数ミクロ
ンのものである。
に少量の水素化金属（例えば水素化チタンや水素化鋼な
ど）、〜あるいは水酸化金属（例えば水酸化第二鋼など
）を加えて混合均質にし、純水、アルコール等を加えて
糊状にしたものである。微銅粉は高純度で粒径数ミクロ
ンのものである。
基板上への金属膜の溶着は次の工程によって行われる。
まず、予め表面を清浄化した基板上に、上述のペースト
をステンレススクリーン等により所定のパターンにプリ
ントし、空気中で約１２０℃の温度にして約５分間加熱
する。そして、不活性炉（窒素、水素あるいはアルゴン
等の雰超気）で、または真空炉（真空度１ｇ’Ｔｏｒｒ
以上）で６５０℃〜９００℃の範囲の温度にして約５分
間加熱し、以後徐冷して大気温度に戻せば、基板には強
固に溶着した緻密で均質な金属膜が形成せられる。
をステンレススクリーン等により所定のパターンにプリ
ントし、空気中で約１２０℃の温度にして約５分間加熱
する。そして、不活性炉（窒素、水素あるいはアルゴン
等の雰超気）で、または真空炉（真空度１ｇ’Ｔｏｒｒ
以上）で６５０℃〜９００℃の範囲の温度にして約５分
間加熱し、以後徐冷して大気温度に戻せば、基板には強
固に溶着した緻密で均質な金属膜が形成せられる。
この焼成経過の一例が図面に示されており、図示の例は
、水素化鋼１に対して銅４（重量比）とし、不活性炉の
雰囲気ガスは窒素で炉内の酸素含有量１０ ｐｐｍ以内
に保った場合であり、また真空炉では炉内の真空度か１
０Ｔｏｒｒの場合である。
、水素化鋼１に対して銅４（重量比）とし、不活性炉の
雰囲気ガスは窒素で炉内の酸素含有量１０ ｐｐｍ以内
に保った場合であり、また真空炉では炉内の真空度か１
０Ｔｏｒｒの場合である。
基板にプリントしたペーストが金属導体膜として溶着さ
れる経過は次の如くである。
れる経過は次の如くである。
すなわち、基板の温度が上昇して４００℃〜５００℃に
なると、水素化金属を用いた場合はその結合水素が、ま
た水酸化金属を用いた場合はアルカリイオンがそれぞれ
結合を離れて空間に脱離し、これが還元作用を呈して活
性化される。そして、ペーストに鋼または銅化合物だけ
を用いたものならば銅膜が、銅と銅以外の例えば水素化
チタンを用いたものならば銅とチタンの合金膜が基板上
に残る。さらに温度を上昇して、溶着に適する温度に達
すると、高純度の銅膜または鋼の合金膜が基板に強固に
溶着し、かつその膜が緻密で均質な状態となり、基板上
に所定の金属導体膜が形成せられる。実験によれば、ペ
ーストを組成する水素化金属または水酸化金属と銅との
重量比を１：１５にとり、焼成温度を９００℃にとれば
、高周波回路として回路インピーダンスを最も低くする
こと力ｔできた。
なると、水素化金属を用いた場合はその結合水素が、ま
た水酸化金属を用いた場合はアルカリイオンがそれぞれ
結合を離れて空間に脱離し、これが還元作用を呈して活
性化される。そして、ペーストに鋼または銅化合物だけ
を用いたものならば銅膜が、銅と銅以外の例えば水素化
チタンを用いたものならば銅とチタンの合金膜が基板上
に残る。さらに温度を上昇して、溶着に適する温度に達
すると、高純度の銅膜または鋼の合金膜が基板に強固に
溶着し、かつその膜が緻密で均質な状態となり、基板上
に所定の金属導体膜が形成せられる。実験によれば、ペ
ーストを組成する水素化金属または水酸化金属と銅との
重量比を１：１５にとり、焼成温度を９００℃にとれば
、高周波回路として回路インピーダンスを最も低くする
こと力ｔできた。
本発明に係る金属導体を基板に直接溶着して電子素子を
製造する方法は、以上説明したように、高純度の微粉末
鋼と適当量の水素化金属またをま水酸イヒ金属を混合し
たペーストを作り、これを基板にプリントし、適当な温
度で焼成することによって、基板に高純度の銅または銅
の合金膜を強固に直接溶着するものであるから、基板に
金属導体を溶着するペーストにガラス質フリツクス等を
用〜・る必要がなく、したがって高周波回路として回路
インピーダンスを増加させず、特にマイクロ波用の混成
集積回路を容易に製造することができる詐りでなく、金
属導体として高価な銀や金を用〜・る必要がなくなり、
安価な銅で構成することカーでき、さらに、導体膜の所
要部分を電気絶縁物を塗布した層状とすることが可能と
なり、多層の微細で高密度の混成集積回路を容易に得る
ことカーできる等、きわめて有用な新規的効果を奏する
ものである。
製造する方法は、以上説明したように、高純度の微粉末
鋼と適当量の水素化金属またをま水酸イヒ金属を混合し
たペーストを作り、これを基板にプリントし、適当な温
度で焼成することによって、基板に高純度の銅または銅
の合金膜を強固に直接溶着するものであるから、基板に
金属導体を溶着するペーストにガラス質フリツクス等を
用〜・る必要がなく、したがって高周波回路として回路
インピーダンスを増加させず、特にマイクロ波用の混成
集積回路を容易に製造することができる詐りでなく、金
属導体として高価な銀や金を用〜・る必要がなくなり、
安価な銅で構成することカーでき、さらに、導体膜の所
要部分を電気絶縁物を塗布した層状とすることが可能と
なり、多層の微細で高密度の混成集積回路を容易に得る
ことカーできる等、きわめて有用な新規的効果を奏する
ものである。
図面は本発明に係る金属導体を基板に直接溶着して電子
素子を製造する方法において、金属導体膜の焼成溶着経
過を示した図である。 特許出願人 関 本 秀 男
素子を製造する方法において、金属導体膜の焼成溶着経
過を示した図である。 特許出願人 関 本 秀 男
Claims (2)
- （１）高純度の微粉末鋼と適当量の水素化金属または水
酸化金属を混合したペーストを作り、これを基板にプリ
ントし、適当な温度で焼成することＫよって、基１１ｔ
Ｋ高純度の鋼または鋼の合金膜を強固に直接溶着するこ
とを特徴とする金属導体を基板に直接溶着して電子素子
を製造する方法。 - （２）ペーストの水素化金属または水酸化金属と鋼の重
量混合比を１：１５とし、焼成温度を（６）℃前後を適
温としたことを特徴とする特許請求の範囲第１項記載の
金属導体を基板Ｋ［接溶着して電子素子を製造する方法
。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP56201305A JPS58101490A (ja) | 1981-12-12 | 1981-12-12 | 金属導体を基板に直接溶着して電子素子を製造する方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP56201305A JPS58101490A (ja) | 1981-12-12 | 1981-12-12 | 金属導体を基板に直接溶着して電子素子を製造する方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS58101490A true JPS58101490A (ja) | 1983-06-16 |
Family
ID=16438792
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP56201305A Pending JPS58101490A (ja) | 1981-12-12 | 1981-12-12 | 金属導体を基板に直接溶着して電子素子を製造する方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS58101490A (ja) |
Citations (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0512591A (ja) * | 1991-06-28 | 1993-01-22 | Mitsubishi Electric Corp | 監視装置 |
| JP2005199846A (ja) * | 2004-01-15 | 2005-07-28 | Denso Corp | セキュリティシステム |
| JP2006046961A (ja) * | 2004-07-30 | 2006-02-16 | Matsushita Electric Works Ltd | 人体検知センサ |
| JP2007226605A (ja) * | 2006-02-24 | 2007-09-06 | Secom Co Ltd | 画像センサ |
| JP2009163427A (ja) * | 2007-12-28 | 2009-07-23 | Secom Co Ltd | 複合型侵入検知装置 |
| JP2010121995A (ja) * | 2008-11-18 | 2010-06-03 | Calsonic Kansei Corp | 車両用距離画像データ生成装置 |
| JP2011016421A (ja) * | 2009-07-08 | 2011-01-27 | Higashi Nippon Transportec Kk | 支障物検知装置及びこれを備えたプラットホームドアシステム並びに支障物検知方法 |
-
1981
- 1981-12-12 JP JP56201305A patent/JPS58101490A/ja active Pending
Patent Citations (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0512591A (ja) * | 1991-06-28 | 1993-01-22 | Mitsubishi Electric Corp | 監視装置 |
| JP2005199846A (ja) * | 2004-01-15 | 2005-07-28 | Denso Corp | セキュリティシステム |
| JP2006046961A (ja) * | 2004-07-30 | 2006-02-16 | Matsushita Electric Works Ltd | 人体検知センサ |
| JP2007226605A (ja) * | 2006-02-24 | 2007-09-06 | Secom Co Ltd | 画像センサ |
| JP2009163427A (ja) * | 2007-12-28 | 2009-07-23 | Secom Co Ltd | 複合型侵入検知装置 |
| JP2010121995A (ja) * | 2008-11-18 | 2010-06-03 | Calsonic Kansei Corp | 車両用距離画像データ生成装置 |
| JP2011016421A (ja) * | 2009-07-08 | 2011-01-27 | Higashi Nippon Transportec Kk | 支障物検知装置及びこれを備えたプラットホームドアシステム並びに支障物検知方法 |
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