JPS4944554A - - Google Patents
Info
- Publication number
- JPS4944554A JPS4944554A JP8796172A JP8796172A JPS4944554A JP S4944554 A JPS4944554 A JP S4944554A JP 8796172 A JP8796172 A JP 8796172A JP 8796172 A JP8796172 A JP 8796172A JP S4944554 A JPS4944554 A JP S4944554A
- Authority
- JP
- Japan
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Landscapes
- Removal Of Specific Substances (AREA)
- Water Treatment By Sorption (AREA)
- Solid-Sorbent Or Filter-Aiding Compositions (AREA)
- Micro-Organisms Or Cultivation Processes Thereof (AREA)
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP8796172A JPS4944554A (un) | 1972-09-04 | 1972-09-04 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP8796172A JPS4944554A (un) | 1972-09-04 | 1972-09-04 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS4944554A true JPS4944554A (un) | 1974-04-26 |
Family
ID=13929446
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP8796172A Pending JPS4944554A (un) | 1972-09-04 | 1972-09-04 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS4944554A (un) |
Cited By (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS587881A (ja) * | 1981-07-07 | 1983-01-17 | Nec Corp | 半導体装置 |
JPS5857745A (ja) * | 1981-10-01 | 1983-04-06 | Nec Corp | 相補型半導体装置の製造方法 |
JPS5857746A (ja) * | 1981-10-01 | 1983-04-06 | Nec Corp | 相補型半導体装置 |
JPS58159322A (ja) * | 1982-02-26 | 1983-09-21 | ゼネラル・エレクトリック・カンパニイ | マスク上に単結晶層を形成する方法 |
JPS6020531A (ja) * | 1983-06-21 | 1985-02-01 | ソシエテ・プール・レチユード・エ・ラ・フアブリカシオン・デ・シルキユイ・アンラグレ・スペシオー―ウ―・エフ・セー・イー・エス | 半導体ウエハに絶縁半導体素子を製造する方法 |
JPH03250750A (ja) * | 1990-02-28 | 1991-11-08 | Fujitsu Ltd | Soi基板と半導体装置及びその製造方法 |
-
1972
- 1972-09-04 JP JP8796172A patent/JPS4944554A/ja active Pending
Cited By (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS587881A (ja) * | 1981-07-07 | 1983-01-17 | Nec Corp | 半導体装置 |
JPS5857745A (ja) * | 1981-10-01 | 1983-04-06 | Nec Corp | 相補型半導体装置の製造方法 |
JPS5857746A (ja) * | 1981-10-01 | 1983-04-06 | Nec Corp | 相補型半導体装置 |
JPS58159322A (ja) * | 1982-02-26 | 1983-09-21 | ゼネラル・エレクトリック・カンパニイ | マスク上に単結晶層を形成する方法 |
JPS6020531A (ja) * | 1983-06-21 | 1985-02-01 | ソシエテ・プール・レチユード・エ・ラ・フアブリカシオン・デ・シルキユイ・アンラグレ・スペシオー―ウ―・エフ・セー・イー・エス | 半導体ウエハに絶縁半導体素子を製造する方法 |
US5387537A (en) * | 1983-06-21 | 1995-02-07 | Soclete Pour I'etude Et Al Fabrication De Circuits Integres Speciaux E.F.C.I.S. | Process for manufacturing isolated semiconductor components in a semiconductor wafer |
JPH03250750A (ja) * | 1990-02-28 | 1991-11-08 | Fujitsu Ltd | Soi基板と半導体装置及びその製造方法 |
JP2803295B2 (ja) * | 1990-02-28 | 1998-09-24 | 富士通株式会社 | Soi基板と半導体装置及びその製造方法 |