JPH1197884A - Production of conductive film - Google Patents
Production of conductive filmInfo
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- JPH1197884A JPH1197884A JP20992898A JP20992898A JPH1197884A JP H1197884 A JPH1197884 A JP H1197884A JP 20992898 A JP20992898 A JP 20992898A JP 20992898 A JP20992898 A JP 20992898A JP H1197884 A JPH1197884 A JP H1197884A
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Abstract
Description
【０００１】[0001]
【発明の属する技術分野】本発明は電磁波遮蔽体および
それに用いる導電性膜に関する。The present invention relates to an electromagnetic wave shield and a conductive film used for the same.
【０００２】[0002]
【従来の技術】近代的ビルの代表として、インテリジェ
ントビルが挙げられる。インテリジェントビルの需要の
増加とともに、電波を外に出さず、かつ外からの電波を
遮蔽する必要が生じる。電磁波遮蔽部材を使用して開口
部を構成し、ビル全体を電磁波遮蔽構造にすることによ
って、電磁波によるビル内の通信を可能にしたインテリ
ジェントビルは既に提案されている。このインテリジェ
ントビルでは、ビルの開口となる窓や出入口について、
メッシュ入りのガラスや導電性フィルムを張り付けたガ
ラスを使うことによってビル全体の電磁波遮蔽を行うよ
うにしている。また、ＩＴＯ（錫をドープした酸化イン
ジウム）膜と金属膜の組み合わせによるシールド膜を構
成し窓ガラスに使うことも提案されている。また、これ
らのものを利用して電子機器の誤動作防止等にも用いら
れている。2. Description of the Related Art Intelligent buildings are typical of modern buildings. As the demand for intelligent buildings has increased, it has become necessary to prevent radio waves from being emitted and shield external radio waves. There has already been proposed an intelligent building in which an opening is formed using an electromagnetic wave shielding member and the entire building has an electromagnetic wave shielding structure, thereby enabling communication within the building by electromagnetic waves. In this intelligent building, the windows and doorways that open the building
The use of glass with mesh or glass with a conductive film attached shields the entire building from electromagnetic waves. It has also been proposed to form a shield film by combining an ITO (indium oxide doped with tin) film and a metal film and use it for a window glass. These devices are also used to prevent malfunctions of electronic devices.
【０００３】[0003]
【発明が解決しようとする課題】メッシュ入りのガラス
では、開口部を構成する際に視界を悪くし、きわめて目
障わりなものとなる。省エネ効果とビルの外観のカラー
デザイン効果を兼ねて、熱線反射ガラスが多く使われる
ようになってきたが、メッシュ入りのガラスではこの熱
線反射ガラスと組み合わせることは、熱割れの心配があ
り難しい。導電性フィルムを張り付けたガラスでは、安
価であるが、プラスチックフィルムのため、キズがつき
やすく、また劣化して透視性が悪くなったりする問題が
あり、そのため、長期に亘る遮蔽性能に不安がある。In the case of the glass containing the mesh, the visibility is deteriorated when the opening is formed, and it becomes extremely obstructive. Heat ray reflective glass has come to be widely used for both energy saving effect and color design effect of building exterior, but it is difficult to combine glass with mesh with this heat ray reflective glass because there is no fear of heat cracking. Glass attached with a conductive film is inexpensive, but because it is a plastic film, there is a problem that it is easily scratched and deteriorates, resulting in poor transparency. Therefore, there is concern about long-term shielding performance. .
【０００４】ＩＴＯ膜と金属膜との組み合わせではＩＴ
Ｏ膜そのものがきわめて希少な金属であるために高価で
あり、かつ耐久性が他の金属膜に比べて弱い。また、熱
線反射ガラスの構成膜として用いられているＴｉＮ膜等
にも導電性はあるが、そのまま利用するには抵抗が高
く、例えばＴｉＮを考えた場合、比抵抗が２×１０-4Ω
・ｃｍ程度のものであった。この場合、２０ｄＢのシー
ルド性能を持たせるための表面抵抗を２０Ω／□と仮定
すると約１０００Å以上の厚膜が必要になり、可視光透
過率が０％に近くなってしまう。[0004] In the combination of an ITO film and a metal film, IT
The O film itself is an extremely rare metal, so it is expensive and has a lower durability than other metal films. The TiN film or the like used as a constituent film of the heat ray reflective glass also has conductivity, but has a high resistance to use as it is. For example, considering TiN, the specific resistance is 2 × 10 −4 Ω.
-It was about cm. In this case, assuming a surface resistance of 20 Ω / □ for providing a shielding performance of 20 dB, a thick film of about 1000 ° or more is required, and the visible light transmittance becomes close to 0%.
【０００５】[0005]
【課題を解決するための手段】本発明は、前述の問題点
を解決すべくなされたものであり、透明基体上に、Ｔ
ｉ、Ｚｒ、Ｈｆのうち１種以上の金属の窒化物、ホウ窒
化物、炭化物、ホウ炭化物のいずれかを主成分とする導
電性膜を含む１層、または該導電性膜と誘電体膜を有す
る２層以上からなるコーティングが形成されてなる電磁
波遮蔽体を提供する。DISCLOSURE OF THE INVENTION The present invention has been made to solve the above-mentioned problems, and has a structure in which a transparent substrate is used.
One layer containing a conductive film containing any one of nitride, boronitride, carbide, and borocarbide of at least one metal among i, Zr, and Hf, or the conductive film and the dielectric film. Provided is an electromagnetic wave shield formed by forming a coating comprising two or more layers.
【０００６】これは、アーク蒸着法、プラズマエミッシ
ョンモニタを用いて行った反応性スパッタリング法、ア
ーク放電プラズマ流を用いたイオンプレーティング法に
より最適制御することによって比抵抗が１．５×１０-4
Ω・ｃｍ以下の導電性膜を形成すれば、単層膜または誘
電体膜との組み合わせにより可視光透過率１０％以上を
確保でき、透視性のよい、ガラス側反射色を種々に調整
可能な電磁シールドガラスを作ることを可能としたもの
である。[0006] The specific resistance is 1.5 × 10 -4 by optimal control by an arc deposition method, a reactive sputtering method using a plasma emission monitor, and an ion plating method using an arc discharge plasma flow.
If a conductive film of Ω · cm or less is formed, a visible light transmittance of 10% or more can be secured by combination with a single-layer film or a dielectric film, and the glass-side reflection color with good transparency can be variously adjusted. This makes it possible to make electromagnetically shielded glass.
【０００７】以下本発明の実施例に従って説明する。図
１は本発明の基本的構成の断面図である。導電性膜１
は、比抵抗が１．５×１０-4Ω・ｃｍ以下であることが
好ましく、この場合、２０Ω／□の表面抵抗であれば２
０ｄＢ程度の遮蔽性能があり、膜厚は約７５０Å以下で
よく、可視光透過率は誘電体膜２、例えばＴｉＯ2 膜に
より、反射を低減させ１０％以上を確保できる。また誘
電体膜２、例えばＴｉＯ2 の膜厚を変えることにより反
射色を変化させることができ、熱線反射ガラス等で要求
される反射色のバリエーションが可能となり商品価値と
してきわめて大きなメリットとなる。A description will be given below in accordance with an embodiment of the present invention. FIG. 1 is a sectional view of the basic configuration of the present invention. Conductive film 1
Is preferably not more than 1.5 × 10 −4 Ω · cm. In this case, if the surface resistance is 20 Ω / □, 2
It has a shielding performance of about 0 dB, the film thickness may be about 750 ° or less, and the visible light transmittance can be reduced to 10% or more by the dielectric film 2, for example, a TiO 2 film, by reducing reflection. Also, the reflection color can be changed by changing the thickness of the dielectric film 2, for example, TiO 2 , and the variation of the reflection color required for the heat ray reflection glass or the like becomes possible, which is a great advantage as a commercial value.
【０００８】図２は３層構成にしたものを示している。
透過率を向上させることと、導電性膜４や誘電体膜３、
５の膜厚を変化させることにより、反射色をさらに変え
ることができる。また、図３のように多層の組み合わせ
にして所望の光学性能を持たせることもできる。FIG. 2 shows a three-layer structure.
To improve the transmittance, and to improve the conductivity of the conductive film 4 and the dielectric film 3;
By changing the film thickness of No. 5, the reflection color can be further changed. Further, as shown in FIG. 3, a desired optical performance can be provided by combining multiple layers.
【０００９】導電性膜１、４としてはＴｉ、Ｚｒ、Ｈｆ
のうち１種以上の金属の窒化物、ホウ窒化物、炭化物ま
たはホウ炭化物を主成分とする膜が、耐久性、コスト等
の点で用いられる。これらの材料はそれぞれ色調が異な
るので、さらに反射色に変化をつけることができる。こ
れらの材料中でも特にＴｉＮ、ＺｒＮ、ＨｆＮは熱線反
射性能がよく、熱線反射ガラスとしての機能も兼ね備え
ている。The conductive films 1 and 4 are made of Ti, Zr, Hf
Among them, a nitride, boronitride, carbide or a film containing borocarbide as a main component is used in view of durability, cost, and the like. Since these materials have different color tones, the reflection color can be further changed. Among these materials, particularly, TiN, ZrN, and HfN have good heat ray reflection performance and also have a function as heat ray reflection glass.
【００１０】誘電体膜２、３、５としては、例えばＴｉ
Ｏ2 、ＳｎＯ2 、ＺｎＯ、ＺｎＳ、ＳｉＯ2 、Ｔａ2 Ｏ
5 、ＺｒＯ2 、酸化クロム、酸化ハフニウム等の高耐久
性を有する金属酸化物等を採用できる。As the dielectric films 2, 3, and 5, for example, Ti
O 2 , SnO 2 , ZnO, ZnS, SiO 2 , Ta 2 O
5. Highly durable metal oxides such as ZrO 2 , chromium oxide, and hafnium oxide can be employed.
【００１１】誘電体膜を図１、図２に挙げた例のように
導電性膜に含まれる金属の酸化物とすれば、出発原料と
してともに同一金属材料から成膜でき、反応性スパッタ
リング、反応性イオンプレーティング等の手法により安
価に作製できる。If the dielectric film is made of an oxide of a metal contained in the conductive film as in the examples shown in FIGS. 1 and 2, both can be formed from the same metal material as starting materials. It can be manufactured at low cost by a technique such as ionic ion plating.
【００１２】導電性膜１、４の膜厚としては電磁波遮蔽
体に使用する場合は２０Ω／□程度以下のシート抵抗お
よび所望の可視光透過率が得られるように、適宜設計す
ればよく、熱線反射体に使用する場合は、熱線反射性
能、可視光透過率等を考慮して適宜決定すればよい。誘
電体膜２、３、５の膜厚については、導電性膜との干渉
を利用して所望の透過率、反射率、色調等が得られるよ
うに決定すればよい。When the conductive films 1 and 4 are used for an electromagnetic wave shield, they may be appropriately designed so as to obtain a sheet resistance of about 20 Ω / □ or less and a desired visible light transmittance. When used as a reflector, it may be appropriately determined in consideration of heat ray reflection performance, visible light transmittance, and the like. The thicknesses of the dielectric films 2, 3, and 5 may be determined so as to obtain desired transmittance, reflectance, color tone, and the like by utilizing interference with the conductive film.
【００１３】導電性膜の製造方法としては、（１）Ｔ
ｉ、Ｚｒ、Ｈｆ等の金属または金属ホウ化物を電極と
し、Ｎ2 、ＣＨ4 等の雰囲気中でアーク放電を起こさせ
てアーク蒸着を行う方法、（２）Ｔｉ、Ｚｒ、Ｈｆ等の
金属または金属ホウ化物をターゲットとし、Ｎ2 、ＣＨ
4 等の反応ガスとＡｒ等の不活性ガスの混合雰囲気中で
発光スペクトルの強度ピークをプラズマエミッションモ
ニタ等で検出し、それに応じて導入ガス量を制御してタ
ーゲット近傍の放電のプラズマを遷移状態に保ちつつ反
応性スパッタリングを行う方法、（３）Ｔｉ、Ｚｒ、Ｈ
ｆのうち１種以上の金属、または、かかる金属の窒化
物、ホウ窒化物、炭化物、ホウ炭化物のいずれかからな
る蒸発材料上にアーク放電プラズマ流を導いて蒸発材料
を蒸発させてＮ2 、ＣＨ4 等の雰囲気中でイオンプレー
ティングを行う方法、等が挙げられる。The method of manufacturing the conductive film includes (1) T
a method in which a metal such as i, Zr, Hf or the like or a metal boride is used as an electrode to cause arc discharge in an atmosphere such as N 2 , CH 4 or the like to perform arc deposition; (2) a metal such as Ti, Zr, Hf or the like; Targeting metal borides, N 2 , CH
In a mixed atmosphere of a reaction gas such as 4 and an inert gas such as Ar, the intensity peak of the emission spectrum is detected by a plasma emission monitor, etc., and the amount of introduced gas is controlled accordingly to change the discharge plasma near the target to a transition state. (3) Ti, Zr, H
one or more metals of f, or nitrides of such metals, boric nitride, carbide, and evaporating the evaporation material led to the arc plasma stream onto the evaporation material consisting of either boric carbide N 2, A method of performing ion plating in an atmosphere of CH 4 or the like.
【００１４】これらの方法においてはエネルギの高いイ
オン状態を経て導電性膜形成材料が基体上に付着するの
で、大面積にわたり低比抵抗の導電性膜を形成できる。
特に（３）のアーク放電プラズマ流を用いたイオンプレ
ーティング法においてはアーク放電プラズマ流を磁界に
よってシート状に変形して大面積のシートプラズマを形
成することによって大面積にわたり高速で低比抵抗の膜
を形成できる。図４にそのような装置の例を示す。In these methods, since the conductive film forming material adheres to the substrate through the ionic state having high energy, a conductive film having a low specific resistance can be formed over a large area.
In particular, in the ion plating method using the arc discharge plasma flow of (3), the arc discharge plasma flow is deformed into a sheet shape by a magnetic field to form a large-area sheet plasma, so that high-speed, low-resistivity over a large area. A film can be formed. FIG. 4 shows an example of such an apparatus.
【００１５】図４にはアーク放電プラズマ発生源４１と
して、複合陰極２１と、環状永久磁石を含む第１中間電
極２２、空芯コイルを含む第２中間電極を有する第２中
間電極２３を有するものを用いた場合を示した。FIG. 4 shows an arc discharge plasma source 41 having a composite cathode 21, a first intermediate electrode 22 including an annular permanent magnet, and a second intermediate electrode 23 having a second intermediate electrode including an air core coil. Is shown.
【００１６】図４の装置においては、アノード（ハー
ス）４２をプラズマ発生源４１の下方に位置するように
配置し、空芯コイル４６によってプラズマ発生源４１か
ら発生したアーク放電による高密度のプラズマ流を真空
室４３に引き出す。さらに、引き出したプラズマをシー
ト状にするために、一対の永久磁石４５をＮ極面を対向
させてプラズマをハース４２と基体４７方向から挟み、
かつ、永久磁石４５のＮ極面またはＳ極面を、ハース４
２面と、または、被膜を形成する基体４７面と平行にな
るように配置し、プラズマをハース４２または基体４７
と平行な方向におしつぶし、シートプラズマ４８を形成
する。In the apparatus shown in FIG. 4, the anode (hearth) 42 is disposed below the plasma source 41, and the high-density plasma flow generated by the arc discharge generated from the plasma source 41 by the air core coil 46. Is drawn out into the vacuum chamber 43. Further, in order to make the extracted plasma into a sheet shape, a pair of permanent magnets 45 are sandwiched between the hearth 42 and the base 47 with the N-pole surfaces facing each other,
The N pole surface or S pole surface of the permanent magnet 45 is
It is arranged so as to be parallel to the two surfaces or the surface of the substrate 47 on which the film is formed, and the plasma is applied to the hearth 42 or the substrate 47.
And a sheet plasma 48 is formed.
【００１７】図４において、一対の永久磁石４５によっ
てシート状に変形されたシートプラズマ４８は、図４の
上から下方向の厚さおよび図４に垂直な方向に幅を有し
ている。かかるシートプラズマ４８はハース４２の下に
置かれた永久磁石４９のつくる磁場によって約９０°で
曲げられ、ハース４２に集束し、ハース４２内の蒸発原
料５０を蒸発させ、蒸発した粒子がハース４２の上方に
置かれた基体４７上に付着して被膜が形成される。In FIG. 4, a sheet plasma 48 deformed into a sheet by a pair of permanent magnets 45 has a thickness from the top to the bottom in FIG. 4 and a width in a direction perpendicular to FIG. The sheet plasma 48 is bent at about 90 ° by the magnetic field generated by the permanent magnet 49 placed under the hearth 42, focuses on the hearth 42, evaporates the raw material 50 in the hearth 42, and evaporates the particles into the hearth 42. A film is formed by adhering on the substrate 47 placed above the substrate.
【００１８】[0018]
【作用】かかるイオンプレーティング法においては、使
用されるシートプラズマはアーク放電を利用しているた
め従来のイオンプレーティングに利用されているグロー
放電型プラズマに比べて、プラズマの密度が５０〜１０
０倍高く、ガスの電離度は数十％となり、イオン密度、
電子密度、中性活性種密度もきわめて高い。このような
高密度のプラズマを蒸発原料上に収束させることで、蒸
発原料からきわめて多数の粒子を取り出すことが可能と
なり、従来のイオンプレーティング法に比較して３〜１
０倍の高速成膜を実現できる。さらに、Ｎ2 、ＣＨ4 、
Ａｒなどの雰囲気ガスの多くは、反応性の高いイオンや
中性の活性状態をとり、加えて蒸発した粒子も基板に到
達する前に、高密度のシートプラズマの中を通り、反応
性の高い中性の活性種となる。その結果、基板上での反
応性が高まり、基板加熱がなくとも、比抵抗の低い導電
性膜が従来よりも高速の成膜速度で実現できる。In the ion plating method, the sheet plasma used is an arc discharge, so that the density of the plasma is 50 to 10 as compared with the glow discharge type plasma used in the conventional ion plating.
0 times higher, the ionization degree of gas becomes several tens%, ion density,
The electron density and the neutral active species density are extremely high. By converging such a high-density plasma on the vaporized raw material, it becomes possible to extract an extremely large number of particles from the vaporized raw material, which is 3 to 1 compared with the conventional ion plating method.
0 times high-speed film formation can be realized. Further, N 2 , CH 4 ,
Many atmospheric gases such as Ar take highly reactive ions or neutral active states, and in addition, vaporized particles pass through a high-density sheet plasma before reaching the substrate, resulting in high reactivity. It becomes a neutral active species. As a result, the reactivity on the substrate is increased, and a conductive film having a low specific resistance can be realized at a higher deposition rate than in the past without heating the substrate.
【００１９】[0019]
【実施例】基体４７としてガラス板を用い、以下の方法
で蒸着した。まず真空室４３の真空度を２×１０-5Ｔｏ
ｒｒまで引き、その後Ｎ2 ガスを導入して４．０×１０
-4Ｔｏｒｒにし、図４のような装置を用いて、直流電源
４４を２５０Ａ、７０Ｖに設定しアーク放電を行った。
蒸着材料としてＴｉを有するハース４２と基体４７の間
の距離を約６０ｃｍとし、基板固定で行った。膜厚５５
０Å、比抵抗１．１×１０-4Ω・ｃｍ、可視光透過率１
２％（基板ガラス９２％）の膜を得た。これは成膜速度
２０００Å／ｍｉｎであり、ＥＢ（エレクトロンビー
ム）ガンなどによる方法に比べてきわめて早い。基板無
加熱で行った蒸着としては比抵抗もかなり低いものが得
られた。EXAMPLE A glass plate was used as the substrate 47, and was deposited by the following method. First, the degree of vacuum in the vacuum chamber 43 is set to 2 × 10 −5 To.
rr, then introduce N 2 gas to 4.0 × 10
At -4 Torr, an arc discharge was performed using the apparatus shown in FIG. 4 with the DC power supply 44 set to 250 A and 70 V.
The distance between the hearth 42 having Ti as a vapor deposition material and the substrate 47 was set to about 60 cm, and the substrate was fixed. Film thickness 55
0 °, specific resistance 1.1 × 10 −4 Ω · cm, visible light transmittance 1
A film of 2% (substrate glass 92%) was obtained. This is a film forming speed of 2000 ° / min, which is much faster than a method using an EB (electron beam) gun or the like. As the deposition performed without heating the substrate, a deposition having a considerably low specific resistance was obtained.
【００２０】次に雰囲気ガスをＯ2 に変更し、ＴｉＮ膜
上に、ＴｉＯ2 からなる誘電体膜を３００Å形成し、電
磁波遮蔽ガラスを形成した。シート抵抗は２０Ω／□
で、１００ＭＨｚ〜１ＧＨｚの波長域において約２０ｄ
Ｂの遮蔽効果を示した。また、全体の可視光透過率は２
０％で、外観はシルバー色であった。Next, the atmosphere gas was changed to O 2 , a dielectric film made of TiO 2 was formed on the TiN film by 300 °, and an electromagnetic wave shielding glass was formed. Sheet resistance is 20Ω / □
In a wavelength range of 100 MHz to 1 GHz, about 20 d
B showed the shielding effect. The overall visible light transmittance is 2
At 0%, the appearance was silver.
【００２１】[0021]
【発明の効果】従来電磁遮蔽ガラスとして用いられてき
た金属メッシュを挟みこんだ複層ガラスに対しては、大
幅な低価格とデザイン性の向上が可能であり、またＡ
ｇ、ＩＴＯを用いた系に対しては、低価格、物理的、化
学的、耐久性の向上、デザイン性の付与が期待できる。
電磁遮蔽ガラスとしては、その性能として、２０ｄＢ、
３０ｄＢ、６０ｄＢ等各段階があるが、特に２０ｄＢ品
のように電子機器の誤動作を防ぐことを主なターゲット
とした比較的レベルの低いものに関しては、特にその価
格が重要である。金属材料を出発原料にすることにより
大幅な低価格を実現し、耐久性を向上させることができ
る。窒化物膜はその成膜条件によって電気的特性は大き
く変化しそれを最適化することで、低抵抗膜が作製でき
る。ＴｉＮ、ＺｒＮ、ＨｆＮは高い熱線反射性能を持っ
ているため、熱線反射ガラスとしても、大きな効果を持
っている。According to the present invention, it is possible to greatly reduce the price and improve the design of a double-glazed glass sandwiching a metal mesh which has been conventionally used as an electromagnetic shielding glass.
For a system using g and ITO, low cost, improved physical and chemical properties, improved durability, and imparted design can be expected.
As electromagnetic shielding glass, its performance is 20 dB,
Although there are 30 dB, 60 dB, and other stages, the price is particularly important for a relatively low level device such as a 20 dB product whose main target is to prevent malfunction of electronic devices. By using a metal material as a starting material, a significantly lower price can be realized and durability can be improved. The electrical characteristics of the nitride film vary greatly depending on the film formation conditions, and a low-resistance film can be manufactured by optimizing the electrical characteristics. Since TiN, ZrN, and HfN have high heat ray reflection performance, they also have a great effect as heat ray reflection glass.
【００２２】また、電磁遮蔽性能に関しては、単に窓ガ
ラスとして用いられるだけでなく、電子機器の誤動作防
止のために直接保護板として使われたり、電子レンジの
窓ガラスのように健康対策として中から電磁波が出ない
ようにするために用いられたりする。これらの用途に
は、耐久性特に耐擦傷性および低価格が必要であるが、
その要求を充分満たすことが可能となる。多層膜にすれ
ば、特殊な光学特性を持ったものも可能となり、応用範
囲はきわめて広いものとなる。With regard to the electromagnetic shielding performance, it is not only used as a window glass, but also used directly as a protective plate to prevent malfunction of electronic equipment, or as a health countermeasure like a window glass of a microwave oven. It is used to prevent electromagnetic waves from being emitted. These applications require durability, especially abrasion resistance and low cost,
It is possible to satisfy the demand sufficiently. If a multilayer film is formed, a film having special optical characteristics becomes possible, and the range of application is extremely wide.
【００２３】なお、本発明は上記の実施例に限定され
ず、種々の変形が可能である。基板としてガラスを用い
たが、樹脂その他の透明体を用いてもよい。また、熱線
吸収ガラスを用いてもよい。窓の開口部としては建築用
だけでなく、航空機、自動車等にも適用できる。The present invention is not limited to the above embodiment, and various modifications are possible. Although glass is used as the substrate, a resin or other transparent body may be used. Further, heat ray absorbing glass may be used. The window opening can be applied not only to buildings but also to aircraft, automobiles, and the like.
【図１】本発明の電磁波遮蔽体の１実施例（２層の例）
の断面図。FIG. 1 shows an embodiment of an electromagnetic wave shield of the present invention (example of two layers).
FIG.
【図２】本発明の電磁波遮蔽体の１実施例（３層の例
で、導電性膜が、誘電体膜で挟まれてサンドイッチ構造
になっている）の断面図。FIG. 2 is a cross-sectional view of one embodiment of the electromagnetic wave shield of the present invention (an example of a three-layer structure, in which a conductive film is sandwiched between dielectric films).
【図３】本発明の電磁波遮蔽体の１実施例（多層膜の
例）の断面図。FIG. 3 is a sectional view of one embodiment (an example of a multilayer film) of the electromagnetic wave shield of the present invention.
【図４】アーク放電プラズマ流を用いたイオンプレーテ
ィング法によって本発明の導電性膜を形成するための装
置の一例の概略断面図。FIG. 4 is a schematic cross-sectional view of an example of an apparatus for forming a conductive film of the present invention by an ion plating method using an arc discharge plasma flow.
１：導電性膜 ２：誘電体膜 ２１：複合陰極 ２２：環状永久磁石内蔵第１中間電極 ２３：空芯コイル内蔵第２中間電極 ４１：アーク放電プラズマ流発生源 ４２：ハース（アノード） ４３：真空室 ４４：プラズマ発生用直流電源 ４５：永久磁石 ４６：空芯コイル ４７：基体 ４８：シートプラズマ ４９：永久磁石 ５０：蒸発原料 ５１：放電用ガス導入口 ５２：反応ガス導入口 1: conductive film 2: dielectric film 21: composite cathode 22: first intermediate electrode with a built-in annular permanent magnet 23: second intermediate electrode with a built-in air core coil 41: arc discharge plasma flow source 42: hearth (anode) 43: Vacuum chamber 44: DC power supply for plasma generation 45: Permanent magnet 46: Air-core coil 47: Substrate 48: Sheet plasma 49: Permanent magnet 50: Evaporation raw material 51: Discharge gas inlet 52: Reaction gas inlet
─────────────────────────────────────────────────────
────────────────────────────────────────────────── ───
【手続補正書】[Procedure amendment]
【提出日】平成１０年８月１８日[Submission date] August 18, 1998
【手続補正１】[Procedure amendment 1]
【補正対象書類名】明細書[Document name to be amended] Statement
【補正対象項目名】全文[Correction target item name] Full text
【補正方法】変更[Correction method] Change
【補正内容】[Correction contents]
【書類名】明細書[Document Name] Statement
【発明の名称】導電性膜の製造方法Patent application title: Method for manufacturing conductive film
【特許請求の範囲】[Claims]
【請求項１】Ｔｉ、Ｚｒ、Ｈｆのうち１種以上の金属の
窒化物、ホウ窒化物、炭化物またはホウ炭化物を主成分
とする導電性膜の製造方法であって、Ｔｉ、Ｚｒ、Ｈｆ
のうち１種以上の金属、または、かかる金属の窒化物、
ホウ窒化物、炭化物またはホウ炭化物からなる蒸発材料
上にアーク放電プラズマ流を導いて該蒸発材料を蒸発さ
せるイオンプレーティング法によって基体上に導電性膜
を形成することを特徴とする導電性膜の製造方法。1. The method of claim 1 wherein at least one metal selected from Ti, Zr and Hf is used.
Mainly nitride, boronitride, carbide or borocarbide
A method for producing a conductive film, wherein Ti, Zr, Hf
One or more metals, or nitrides of such metals,
Boric nitride, conductive you and forming a conductive film on a substrate by an ion plating method for evaporating the evaporation material led to the arc plasma stream onto the evaporation material consisting of carbide or boride carbides Manufacturing method of membrane.
【発明の詳細な説明】DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION
【０００１】[0001]
【発明の属する技術分野】本発明は導電性膜の製造方法
に関する。TECHNICAL FIELD The present invention relates to a method for manufacturing a conductive film.
【０００２】[0002]
【従来の技術】近代的ビルの代表として、インテリジェ
ントビルが挙げられる。インテリジェントビルの需要の
増加とともに、電波を外に出さず、かつ外からの電波を
遮蔽する必要が生じる。電磁波遮蔽部材を使用して開口
部を構成し、ビル全体を電磁波遮蔽構造にすることによ
って、電磁波によるビル内の通信を可能にしたインテリ
ジェントビルは既に提案されている。このインテリジェ
ントビルでは、ビルの開口となる窓や出入口について、
メッシュ入りのガラスや導電性フィルムを張り付けたガ
ラスを使うことによってビル全体の電磁波遮蔽を行うよ
うにしている。また、ＩＴＯ（錫をドープした酸化イン
ジウム）膜と金属膜との組み合わせによるシールド膜を
構成し窓ガラスに使うことも提案されている。また、こ
れらのものを利用して電子機器の誤動作防止等にも用い
られている。2. Description of the Related Art Intelligent buildings are typical of modern buildings. As the demand for intelligent buildings has increased, it has become necessary to prevent radio waves from being emitted and shield external radio waves. There has already been proposed an intelligent building in which an opening is formed using an electromagnetic wave shielding member and the entire building has an electromagnetic wave shielding structure, thereby enabling communication within the building by electromagnetic waves. In this intelligent building, the windows and doorways that open the building
The use of glass with mesh or glass with a conductive film attached shields the entire building from electromagnetic waves. It has also been proposed to form a shield film by combining an ITO (indium oxide doped with tin) film and a metal film and use it for a window glass. These devices are also used to prevent malfunctions of electronic devices.
【０００３】[0003]
【発明が解決しようとする課題】メッシュ入りのガラス
では、開口部を構成する際に視界を悪くし、きわめて目
障わりなものとなる。省エネ効果とビルの外観のカラー
デザイン効果を兼ねて、熱線反射ガラスが多く使われる
ようになってきたが、メッシュ入りのガラスではこの熱
線反射ガラスと組み合わせることは、熱割れの心配があ
り難しい。導電性フィルムを張り付けたガラスでは、安
価であるが、プラスチックフィルムのため、キズがつき
やすく、また劣化して透視性が悪くなったりする問題が
あり、そのため、長期に亘る遮蔽性能に不安がある。In the case of the glass containing the mesh, the visibility is deteriorated when the opening is formed, and it becomes extremely obstructive. Heat ray reflective glass has come to be widely used for both energy saving effect and color design effect of building exterior, but it is difficult to combine glass with mesh with this heat ray reflective glass because there is no fear of heat cracking. Glass attached with a conductive film is inexpensive, but because it is a plastic film, there is a problem that it is easily scratched and deteriorates, resulting in poor transparency. Therefore, there is concern about long-term shielding performance. .
【０００４】ＩＴＯ膜と金属膜との組み合わせではＩＴ
Ｏ膜そのものがきわめて希少な金属であるために高価で
あり、かつ耐久性が他の金属膜に比べて弱い。また、熱
線反射ガラスの構成膜として用いられているＴｉＮ膜等
にも導電性はあるが、そのまま利用するには抵抗が高
く、例えばＴｉＮを考えた場合、比抵抗が２×１０-4Ω
・ｃｍ程度のものであった。この場合、２０ｄＢのシー
ルド性能を持たせるための表面抵抗を２０Ω／□と仮定
すると約１０００Å以上の厚膜が必要になり、可視光透
過率が０％に近くなってしまう。[0004] In the combination of an ITO film and a metal film, IT
The O film itself is an extremely rare metal, so it is expensive and has a lower durability than other metal films. The TiN film or the like used as a constituent film of the heat ray reflective glass also has conductivity, but has a high resistance to use as it is. For example, considering TiN, the specific resistance is 2 × 10 −4 Ω.
-It was about cm. In this case, assuming a surface resistance of 20 Ω / □ for providing a shielding performance of 20 dB, a thick film of about 1000 ° or more is required, and the visible light transmittance becomes close to 0%.
【０００５】[0005]
【課題を解決するための手段】本発明は、前述の問題点
が解決された導電性膜を製造する方法を提供すべくなさ
れたものであり、Ｔｉ、Ｚｒ、Ｈｆのうち１種以上の金
属の窒化物、ホウ窒化物、炭化物またはホウ炭化物を主
成分とする導電性膜の製造方法であって、Ｔｉ、Ｚｒ、
Ｈｆのうち１種以上の金属、または、かかる金属の窒化
物、ホウ窒化物、炭化物またはホウ炭化物からなる蒸発
材料上にアーク放電プラズマ流を導いて該蒸発材料を蒸
発させるイオンプレーティング法によって基体上に導電
性膜を形成することを特徴とする導電性膜の製造方法を
提供する。SUMMARY OF THE INVENTION The present invention has the above-mentioned problems.
It has been made to provide a method for manufacturing a conductive film in which the above-mentioned is solved, and one or more kinds of gold among Ti, Zr and Hf are provided .
Group nitrides, boronitrides, carbides or borocarbides
A method for producing a conductive film as a component, wherein Ti, Zr,
One or more metals of Hf, or nitriding of such metals
Of materials, boronitrides, carbides or borocarbides
An arc discharge plasma stream is directed over the material to vaporize the vaporized material.
Conduction on substrate by emitting ion plating method
Provided is a method for manufacturing a conductive film, which comprises forming a conductive film .
【０００６】特に、アーク放電プラズマ流を用いたイオ
ンプレーティング法により最適制御することによって比
抵抗が１．５×１０-4Ω・ｃｍ以下の導電性膜を形成す
れば、単層膜または誘電体膜との組み合わせにより可視
光透過率１０％以上を確保でき、透視性のよい、ガラス
側反射色を種々に調整可能な電磁シールドガラスを作る
ことができる。 In particular, when a conductive film having a specific resistance of 1.5 × 10 −4 Ω · cm or less is formed by performing optimal control by an ion plating method using an arc discharge plasma flow, a single-layer film or a dielectric film can be obtained. By combining with a body film, visible light transmittance of 10% or more can be ensured, and electromagnetic shielding glass with good transparency and various adjustments of glass-side reflection color can be produced.
【０００７】以下本発明の実施例に従って説明する。図
１は本発明が適用される導電膜付基体の基本的構成の断
面図である。導電性膜１は、比抵抗が１．５×１０-4Ω
・ｃｍ以下であることが好ましく、この場合、２０Ω／
□の表面抵抗であれば２０ｄＢ程度の遮蔽性能があり、
膜厚は約７５０Å以下でよく、可視光透過率は誘電体膜
２、例えばＴｉＯ2 膜により、反射を低減させ１０％以
上を確保できる。また誘電体膜２、例えばＴｉＯ2 の膜
厚を変えることにより反射色を変化させることができ、
熱線反射ガラス等で要求される反射色のバリエーション
が可能となり商品価値としてきわめて大きなメリットと
なる。A description will be given below in accordance with an embodiment of the present invention. FIG. 1 is a sectional view of the basic structure of a substrate with a conductive film to which the present invention is applied . The conductive film 1 has a specific resistance of 1.5 × 10 −4 Ω.
Cm or less, in this case, 20 Ω /
With a surface resistance of □, there is a shielding performance of about 20 dB,
The film thickness may be about 750 ° or less, and the visible light transmittance can be reduced to 10% or more by the dielectric film 2, for example, a TiO 2 film. The reflection color can be changed by changing the thickness of the dielectric film 2, for example, TiO 2 ,
Variations in the reflection color required by heat ray reflection glass and the like are possible, which is a great advantage as commercial value.
【０００８】図２は３層構成にしたものを示している。
透過率を向上させることと、導電性膜４や誘電体膜３、
５の膜厚を変化させることにより、反射色をさらに変え
ることができる。また、図３のように多層の組み合わせ
にして所望の光学性能を持たせることもできる。FIG. 2 shows a three-layer structure.
To improve the transmittance, and to improve the conductivity of the conductive film 4 and the dielectric film 3;
By changing the film thickness of No. 5, the reflection color can be further changed. Further, as shown in FIG. 3, a desired optical performance can be provided by combining multiple layers.
【０００９】導電性膜１、４としてはＴｉ、Ｚｒ、Ｈｆ
のうち１種以上の金属の窒化物、ホウ窒化物、炭化物ま
たはホウ炭化物を主成分とする膜が、耐久性、コスト等
の点で用いられる。これらの材料はそれぞれ色調が異な
るので、さらに反射色に変化をつけることができる。こ
れらの材料中でも特にＴｉＮ、ＺｒＮ、ＨｆＮは熱線反
射性能がよく、熱線反射ガラスとしての機能も兼ね備え
ている。The conductive films 1 and 4 are made of Ti, Zr, Hf
Among them, a nitride, boronitride, carbide or a film containing borocarbide as a main component is used in view of durability, cost, and the like. Since these materials have different color tones, the reflection color can be further changed. Among these materials, particularly, TiN, ZrN, and HfN have good heat ray reflection performance and also have a function as heat ray reflection glass.
【００１０】誘電体膜２、３、５としては、例えばＴｉ
Ｏ2 、ＳｎＯ2 、ＺｎＯ、ＺｎＳ、ＳｉＯ2 、Ｔａ2 Ｏ
5 、ＺｒＯ2 、酸化クロム、酸化ハフニウム等の高耐久
性を有する金属酸化物等を採用できる。As the dielectric films 2, 3, and 5, for example, Ti
O 2 , SnO 2 , ZnO, ZnS, SiO 2 , Ta 2 O
5. Highly durable metal oxides such as ZrO 2 , chromium oxide, and hafnium oxide can be employed.
【００１１】誘電体膜を図１、図２に挙げた例のように
導電性膜に含まれる金属の酸化物とすれば、出発原料と
してともに同一金属材料から成膜でき、反応性スパッタ
リング、反応性イオンプレーティング等の手法により安
価に作製できる。If the dielectric film is made of an oxide of a metal contained in the conductive film as in the examples shown in FIGS. 1 and 2, both can be formed from the same metal material as starting materials. It can be manufactured at low cost by a technique such as ionic ion plating.
【００１２】導電性膜１、４の膜厚としては電磁波遮蔽
体に使用する場合は２０Ω／□程度以下のシート抵抗お
よび所望の可視光透過率が得られるように、適宜設計す
ればよく、熱線反射体に使用する場合は、熱線反射性
能、可視光透過率等を考慮して適宜決定すればよい。誘
電体膜２、３、５の膜厚については、導電性膜との干渉
を利用して所望の透過率、反射率、色調等が得られるよ
うに決定すればよい。When the conductive films 1 and 4 are used for an electromagnetic wave shield, they may be appropriately designed so as to obtain a sheet resistance of about 20 Ω / □ or less and a desired visible light transmittance. When used as a reflector, it may be appropriately determined in consideration of heat ray reflection performance, visible light transmittance, and the like. The thicknesses of the dielectric films 2, 3, and 5 may be determined so as to obtain desired transmittance, reflectance, color tone, and the like by utilizing interference with the conductive film.
【００１３】導電性膜の製造方法としては、Ｔｉ、Ｚ
ｒ、Ｈｆのうち１種以上の金属、または、かかる金属の
窒化物、ホウ窒化物、炭化物、ホウ炭化物のいずれかか
らなる蒸発材料上にアーク放電プラズマ流を導いて蒸発
材料を蒸発させてＮ2 、ＣＨ4等の雰囲気中でイオンプ
レーティングを行う方法が挙げられる。[0013] As a method for producing a conductive film, T i, Z
An arc discharge plasma flow is directed over an evaporation material comprising at least one of r, Hf, or a nitride, boronitride, carbide, or borocarbide of such metal to evaporate the evaporation material to form N. 2, CH ways of performing ion plating in an atmosphere such as 4.
【００１４】前記方法においてはエネルギの高いイオン
状態を経て導電性膜形成材料が基体上に付着する。アー
ク放電プラズマ流を用いたイオンプレーティング法にお
いてはアーク放電プラズマ流を磁界によってシート状に
変形して大面積のシートプラズマを形成することによっ
て大面積にわたり高速で低比抵抗の膜を形成できる。図
４にそのような装置の例を示す。In the above method, the conductive film-forming material adheres to the substrate through the high energy ion state . In an ion plating method using an arc discharge plasma flow, a high-speed, low-resistance film can be formed over a large area by forming a large-area sheet plasma by deforming the arc discharge plasma flow into a sheet by a magnetic field. FIG. 4 shows an example of such an apparatus.
【００１５】図４にはアーク放電プラズマ発生源４１と
して、複合陰極２１と、環状永久磁石を含む第１中間電
極２２、空芯コイルを含む第２中間電極を有する第２中
間電極２３を有するものを用いた場合を示した。FIG. 4 shows an arc discharge plasma source 41 having a composite cathode 21, a first intermediate electrode 22 including an annular permanent magnet, and a second intermediate electrode 23 having a second intermediate electrode including an air core coil. Is shown.
【００１６】図４の装置においては、アノード（ハー
ス）４２をプラズマ発生源４１の下方に位置するように
配置し、空芯コイル４６によってプラズマ発生源４１か
ら発生したアーク放電による高密度のプラズマ流を真空
室４３に引き出す。さらに、引き出したプラズマをシー
ト状にするために、一対の永久磁石４５をＮ極面を対向
させてプラズマをハース４２と基体４７方向から挟み、
かつ、永久磁石４５のＮ極面またはＳ極面を、ハース４
２面と、または、被膜を形成する基体４７面と平行にな
るように配置し、プラズマをハース４２または基体４７
と平行な方向におしつぶし、シートプラズマ４８を形成
する。In the apparatus shown in FIG. 4, the anode (hearth) 42 is disposed below the plasma source 41, and the high-density plasma flow generated by the arc discharge generated from the plasma source 41 by the air core coil 46. Is drawn out into the vacuum chamber 43. Further, in order to make the extracted plasma into a sheet shape, a pair of permanent magnets 45 are sandwiched between the hearth 42 and the base 47 with the N-pole surfaces facing each other,
The N pole surface or S pole surface of the permanent magnet 45 is
It is arranged so as to be parallel to the two surfaces or the surface of the substrate 47 on which the film is formed, and the plasma is applied to the hearth 42 or the substrate 47.
And a sheet plasma 48 is formed.
【００１７】図４において、一対の永久磁石４５によっ
てシート状に変形されたシートプラズマ４８は、図４の
上から下方向の厚さおよび図４に垂直な方向に幅を有し
ている。かかるシートプラズマ４８はハース４２の下に
置かれた永久磁石４９のつくる磁場によって約９０°で
曲げられ、ハース４２に集束し、ハース４２内の蒸発原
料５０を蒸発させ、蒸発した粒子がハース４２の上方に
置かれた基体４７上に付着して被膜が形成される。In FIG. 4, a sheet plasma 48 deformed into a sheet by a pair of permanent magnets 45 has a thickness from the top to the bottom in FIG. 4 and a width in a direction perpendicular to FIG. The sheet plasma 48 is bent at about 90 ° by the magnetic field generated by the permanent magnet 49 placed under the hearth 42, focuses on the hearth 42, evaporates the raw material 50 in the hearth 42, and evaporates the particles into the hearth 42. A film is formed by adhering on the substrate 47 placed above the substrate.
【００１８】[0018]
【作用】かかるイオンプレーティング法においては、使
用されるシートプラズマはアーク放電を利用しているた
め従来のイオンプレーティングに利用されているグロー
放電型プラズマに比べて、プラズマの密度が５０〜１０
０倍高く、ガスの電離度は数十％となり、イオン密度、
電子密度、中性活性種密度もきわめて高い。このような
高密度のプラズマを蒸発原料上に収束させることで、蒸
発原料からきわめて多数の粒子を取り出すことが可能と
なり、従来のイオンプレーティング法に比較して３〜１
０倍の高速成膜を実現できる。さらに、Ｎ2 、ＣＨ4 、
Ａｒなどの雰囲気ガスの多くは、反応性の高いイオンや
中性の活性状態をとり、加えて蒸発した粒子も基板に到
達する前に、高密度のシートプラズマの中を通り、反応
性の高い中性の活性種となる。その結果、基板上での反
応性が高まり、基板加熱がなくとも、比抵抗の低い導電
性膜が従来よりも高速の成膜速度で実現できる。In the ion plating method, the sheet plasma used is an arc discharge, so that the density of the plasma is 50 to 10 as compared with the glow discharge type plasma used in the conventional ion plating.
0 times higher, the ionization degree of gas becomes several tens%, ion density,
The electron density and the neutral active species density are extremely high. By converging such a high-density plasma on the vaporized raw material, it becomes possible to extract an extremely large number of particles from the vaporized raw material, which is 3 to 1 compared with the conventional ion plating method.
0 times high-speed film formation can be realized. Further, N 2 , CH 4 ,
Many atmospheric gases such as Ar take highly reactive ions or neutral active states, and in addition, vaporized particles pass through a high-density sheet plasma before reaching the substrate, resulting in high reactivity. It becomes a neutral active species. As a result, the reactivity on the substrate is increased, and a conductive film having a low specific resistance can be realized at a higher deposition rate than in the past without heating the substrate.
【００１９】[0019]
【実施例】基体４７としてガラス板を用い、以下の方法
で蒸着した。まず真空室４３の真空度を２×１０-5Ｔｏ
ｒｒまで引き、その後Ｎ2 ガスを導入して４．０×１０
-4Ｔｏｒｒにし、図４のような装置を用いて、直流電源
４４を２５０Ａ、７０Ｖに設定しアーク放電を行った。
蒸着材料としてＴｉを有するハース４２と基体４７の間
の距離を約６０ｃｍとし、基板固定で行った。膜厚５５
０Å、比抵抗１．１×１０-4Ω・ｃｍ、可視光透過率１
２％（基板ガラス９２％）の膜を得た。これは成膜速度
２０００Å／ｍｉｎであり、ＥＢ（エレクトロンビー
ム）ガンなどによる方法に比べてきわめて早い。基板無
加熱で行った蒸着としては比抵抗もかなり低いものが得
られた。EXAMPLE A glass plate was used as the substrate 47, and was deposited by the following method. First, the degree of vacuum in the vacuum chamber 43 is set to 2 × 10 −5 To.
rr, then introduce N 2 gas to 4.0 × 10
At -4 Torr, an arc discharge was performed using the apparatus shown in FIG. 4 with the DC power supply 44 set to 250 A and 70 V.
The distance between the hearth 42 having Ti as a vapor deposition material and the substrate 47 was set to about 60 cm, and the substrate was fixed. Film thickness 55
0 °, specific resistance 1.1 × 10 −4 Ω · cm, visible light transmittance 1
A film of 2% (substrate glass 92%) was obtained. This is a film forming speed of 2000 ° / min, which is much faster than a method using an EB (electron beam) gun or the like. As the deposition performed without heating the substrate, a deposition having a considerably low specific resistance was obtained.
【００２０】次に雰囲気ガスをＯ2 に変更し、ＴｉＮ膜
上に、ＴｉＯ2 からなる誘電体膜を３００Å形成し、電
磁波遮蔽ガラスを形成した。シート抵抗は２０Ω／□
で、１００ＭＨｚ〜１ＧＨｚの波長域において約２０ｄ
Ｂの遮蔽効果を示した。また、全体の可視光透過率は２
０％で、外観はシルバー色であった。Next, the atmosphere gas was changed to O 2 , a dielectric film made of TiO 2 was formed on the TiN film by 300 °, and an electromagnetic wave shielding glass was formed. Sheet resistance is 20Ω / □
In a wavelength range of 100 MHz to 1 GHz, about 20 d
B showed the shielding effect. The overall visible light transmittance is 2
At 0%, the appearance was silver.
【００２１】[0021]
【発明の効果】本発明によれば、比抵抗の低い導電性膜
を高速で成膜できる。本発明により得られる導電性膜を
用いた電磁遮蔽ガラスは、従来電磁遮蔽ガラスとして用
いられてきた金属メッシュを挟みこんだ複層ガラスに対
しては、大幅な低価格とデザイン性の向上が可能であ
り、またＡｇ、ＩＴＯを用いた系に対しては、低価格、
物理的、化学的、耐久性の向上、デザイン性の付与が期
待できる。電磁遮蔽ガラスとしては、その性能として、
２０ｄＢ、３０ｄＢ、６０ｄＢ等各段階があるが、特に
２０ｄＢ品のように電子機器の誤動作を防ぐことを主な
ターゲットとした比較的レベルの低いものに関しては、
特にその価格が重要である。本発明の方法を用いること
により大幅な低価格を実現し、耐久性を向上させること
ができる。窒化物膜はその成膜条件によって電気的特性
は大きく変化しそれを最適化することで、低抵抗膜が作
製できる。ＴｉＮ、ＺｒＮ、ＨｆＮは高い熱線反射性能
を持っているため、熱線反射ガラスとしても、大きな効
果を持っている。 According to the present invention, a conductive film having a low specific resistance is provided.
Can be formed at high speed. The conductive film obtained by the present invention
The electromagnetic shielding glass used can be significantly lower in price and improved in design compared to a double-layered glass sandwiching a metal mesh, which has been conventionally used as an electromagnetic shielding glass, and uses Ag and ITO. Low price,
It can be expected to improve physical, chemical and durability and to provide design. As electromagnetic shielding glass, as its performance,
Each stage has 20 dB, 30 dB, 60 dB, etc., especially for relatively low-level devices whose main target is to prevent malfunctions of electronic devices, such as 20 dB products.
Especially its price is important. By using the method of the present invention, a significantly lower price can be realized, and the durability can be improved. The electrical characteristics of the nitride film vary greatly depending on the film formation conditions, and a low-resistance film can be manufactured by optimizing the electrical characteristics. Since TiN, ZrN, and HfN have high heat ray reflection performance, they also have a great effect as heat ray reflection glass.
【００２２】また、電磁遮蔽性能に関しては、単に窓ガ
ラスとして用いられるだけでなく、電子機器の誤動作防
止のために直接保護板として使われたり、電子レンジの
窓ガラスのように健康対策として中から電磁波が出ない
ようにするために用いられたりする。これらの用途に
は、耐久性特に耐擦傷性および低価格が必要であるが、
その要求を充分満たすことが可能となる。多層膜にすれ
ば、特殊な光学特性を持ったものも可能となり、応用範
囲はきわめて広いものとなる。With regard to the electromagnetic shielding performance, it is not only used as a window glass, but also used directly as a protective plate to prevent malfunction of electronic equipment, or as a health countermeasure like a window glass of a microwave oven. It is used to prevent electromagnetic waves from being emitted. These applications require durability, especially abrasion resistance and low cost,
It is possible to satisfy the demand sufficiently. If a multilayer film is formed, a film having special optical characteristics becomes possible, and the range of application is extremely wide.
【００２３】なお、本発明は上記の実施例に限定され
ず、種々の変形が可能である。基板としてガラスを用い
たが、樹脂その他の透明体を用いてもよい。また、熱線
吸収ガラスを用いてもよい。窓の開口部としては建築用
だけでなく、航空機、自動車等にも適用できる。The present invention is not limited to the above embodiment, and various modifications are possible. Although glass is used as the substrate, a resin or other transparent body may be used. Further, heat ray absorbing glass may be used. The window opening can be applied not only to buildings but also to aircraft, automobiles, and the like.
【図面の簡単な説明】[Brief description of the drawings]
【図１】本発明により得られる導電性膜を用いた電磁波
遮蔽体の１例（２層の例）の断面図。FIG. 1 is a cross-sectional view of one example (an example of two layers) of an electromagnetic wave shield using a conductive film obtained according to the present invention.
【図２】本発明により得られる導電性膜を用いた電磁波
遮蔽体の１例（３層の例で、導電性膜が、誘電体膜で挟
まれてサンドイッチ構造になっている）の断面図。FIG. 2 is a cross-sectional view of one example of an electromagnetic wave shield using a conductive film obtained according to the present invention (in a three-layer example, the conductive film is sandwiched between dielectric films). .
【図３】本発明により得られる導電性膜を用いた電磁波
遮蔽体の１例（多層膜の例）の断面図。FIG. 3 is a cross-sectional view of one example (an example of a multilayer film) of an electromagnetic wave shield using a conductive film obtained according to the present invention.
【図４】アーク放電プラズマ流を用いたイオンプレーテ
ィング法によって導電性膜を形成するための装置の１例
の概略断面図。Figure 4 is a schematic cross-sectional view of one example of an apparatus for by the arc plasma stream ion plating method using the forming a conductive film.
【符号の説明】 １：導電性膜 ２：誘電体膜 ２１：複合陰極 ２２：環状永久磁石内蔵第１中間電極 ２３：空芯コイル内蔵第２中間電極 ４１：アーク放電プラズマ流発生源 ４２：ハース（アノード） ４３：真空室 ４４：プラズマ発生用直流電源 ４５：永久磁石 ４６：空芯コイル ４７：基体 ４８：シートプラズマ ４９：永久磁石 ５０：蒸発原料 ５１：放電用ガス導入口 ５２：反応ガス導入口[Description of Signs] 1: Conductive film 2: Dielectric film 21: Composite cathode 22: First intermediate electrode with built-in annular permanent magnet 23: Second intermediate electrode with built-in air core coil 41: Arc discharge plasma flow source 42: Hearth (Anode) 43: Vacuum chamber 44: DC power supply for plasma generation 45: Permanent magnet 46: Air-core coil 47: Base 48: Sheet plasma 49: Permanent magnet 50: Evaporation raw material 51: Discharge gas inlet 52: Reactant gas inlet mouth
Claims (8)
種以上の金属の窒化物、ホウ窒化物、炭化物またはホウ
炭化物を主成分とする導電性膜を含む１層、または該導
電性膜と誘電体膜を有する２層以上からなるコーティン
グが形成されてなる電磁波遮蔽体。1. A method according to claim 1, wherein one of Ti, Zr and Hf is formed on the transparent substrate.
A coating comprising at least one layer containing a conductive film containing nitride or boronitride, carbide or borocarbide as a main component, or two or more layers having the conductive film and the dielectric film; Electromagnetic wave shield.
下の比抵抗を有する請求項１記載の電磁波遮蔽体。2. The electromagnetic wave shield according to claim 1, wherein said conductive film has a specific resistance of 1.5 × 10 −4 Ω · cm or less.
以上である請求項１または２記載の電磁波遮蔽体。3. The visible light transmittance of the coating is 10%.
The electromagnetic wave shield according to claim 1 or 2, which is as described above.
窒化物、ホウ窒化物、炭化物またはホウ炭化物を主成分
とし、比抵抗が１．５×１０-4Ω・ｃｍ以下であること
を特徴とする導電性膜。4. A material mainly comprising a nitride, boronitride, carbide or borocarbide of at least one of Ti, Zr and Hf, and having a specific resistance of 1.5 × 10 −4 Ω · cm or less. A conductive film, characterized in that:
または、かかる金属の窒化物、ホウ窒化物、炭化物また
はホウ炭化物からなる蒸発材料上にアーク放電プラズマ
流を導いて該蒸発材料を蒸発させることによって基体上
に導電性膜を形成することを特徴とする請求項４記載の
導電性膜の製造方法。5. A metal of at least one of Ti, Zr and Hf;
Alternatively, a conductive film is formed on a substrate by guiding an arc discharge plasma flow onto an evaporation material made of such a metal nitride, boronitride, carbide or borocarbide to evaporate the evaporation material. The method for producing a conductive film according to claim 4.
形成する請求項４記載の導電性膜の製造方法。6. The method for manufacturing a conductive film according to claim 4, wherein the conductive film is formed on the substrate by using an arc evaporation method.
ッタリング法によって基体上に導電性膜を形成する請求
項４記載の導電性膜の製造方法。7. The method of manufacturing a conductive film according to claim 4, wherein the conductive film is formed on the substrate by a reactive sputtering method while keeping the plasma in a transition state.
含む１層、または２層以上からなるコーティングが形成
されてなる熱線反射体。8. A heat ray reflector comprising a transparent substrate and one or more coatings comprising the conductive film according to claim 4 formed thereon.
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