JPH1197515A - Wafer-supporting turn table - Google Patents

Wafer-supporting turn table

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JPH1197515A
JPH1197515A JP25735797A JP25735797A JPH1197515A JP H1197515 A JPH1197515 A JP H1197515A JP 25735797 A JP25735797 A JP 25735797A JP 25735797 A JP25735797 A JP 25735797A JP H1197515 A JPH1197515 A JP H1197515A
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JP
Japan
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wafer
outer peripheral
supporting
peripheral edge
pressing
Prior art date
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Application number
JP25735797A
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Japanese (ja)
Inventor
Fujio Terai
藤雄 寺井
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Toshiba Corp
Original Assignee
Toshiba Corp
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Publication date
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Publication of JPH1197515A publication Critical patent/JPH1197515A/en
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  • Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)

Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To avoid floating of a wafer from a table during rotation to easily and surely support the wafer by providing a presser for pressing the top face of the wafer toward the table with rotation of the table by a rotary mechanism. SOLUTION: As treating of a wafer W begins, a drive motor rotates the wafer-supporting turntable 30a mounting a wafer at a high speed with a pendulum 33b shifting in a direction a due to a centrifugal force. A pressing claw 33c of a presser 33 attached to the table 30a swings to press the top face of the wafer W to the table 30a enough to avoid floating the wafer or deviating its position, thus easily and surely supporting the wafer W with the table 30a.

Description

【発明の詳細な説明】DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION

【0001】[0001]

【発明の属する技術分野】本発明は、ウエハを高速回転
させながら処理を行うCVD(ChemicalVap
or Deposition)装置等に用いられるウエ
ハ支持用回転テーブルに関する。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a CVD (Chemical Vap) for performing a process while rotating a wafer at a high speed.
The present invention relates to a rotary table for supporting a wafer used in an apparatus or the like.

【0002】[0002]

【従来の技術】図4の(a)は、従来のCVD装置のう
ち1枚ずつウエハを処理するCVD装置10を示す概略
断面図である。CVD装置10は、気密閉塞される反応
チャンバ11を備えている。チャンバ11にはチャンバ
11内部を排気する排気ポンプ12と、チャンバ11内
に反応ガスを導入するガス導入部13が接続されてい
る。一方、チャンバ11内にはウエハWを載置するとと
もにウエハW軸心線回りに回転自由に構成されたテーブ
ル14が配置され、テーブル14は回転機構15により
回転駆動される。
2. Description of the Related Art FIG. 4A is a schematic sectional view showing a CVD apparatus 10 for processing wafers one by one among conventional CVD apparatuses. The CVD apparatus 10 includes a reaction chamber 11 that is hermetically closed. An exhaust pump 12 for exhausting the inside of the chamber 11 and a gas introducing unit 13 for introducing a reaction gas into the chamber 11 are connected to the chamber 11. On the other hand, a table 14 is placed in the chamber 11 and is configured to be rotatable around the axis of the wafer W and is rotatably driven by a rotation mechanism 15.

【0003】このようなCVD装置10では、処理対象
となるウエハWをテーブル14に載置しチャンバ11を
気密閉塞する。排気ポンプ12によりチャンバ11内部
を排気するとともに、ガス導入部13から反応ガスを導
入する。そして、回転機構15を作動させてテーブル1
4を高速回転させてウエハWに反応ガスを作用させる。
In such a CVD apparatus 10, a wafer W to be processed is placed on a table 14 and a chamber 11 is hermetically closed. The inside of the chamber 11 is evacuated by the exhaust pump 12 and a reaction gas is introduced from the gas introduction unit 13. Then, the rotation mechanism 15 is operated to operate the table 1.
4 is rotated at a high speed to cause the reaction gas to act on the wafer W.

【0004】これを防止するため、図4の(b)に示す
ように排気ポンプ16等を使用してテーブル14内部を
ウエハ表面に対して負圧にすることで、ウエハW裏面を
テーブル14に吸着する方法が知られている。
In order to prevent this, as shown in FIG. 4B, the inside of the table 14 is made to have a negative pressure with respect to the wafer surface by using an exhaust pump 16 or the like, so that the back surface of the wafer W is placed on the table 14. A method for adsorption is known.

【0005】[0005]

【発明が解決しようとする課題】上記した従来のウエハ
Wの浮上防止方法を用いたテーブル14では、次のよう
な問題があった。すなわち、テーブル14に溝14aを
設ける方法では、溝14aに当接する部分やその周辺に
は反応ガスが十分に作用しないため、素子を形成するス
ペースをウエハWの中心寄りに形成する必要がる。この
ため、材料歩留まりが低下するという問題があった。
The table 14 using the above-described conventional method of preventing the floating of the wafer W has the following problems. That is, in the method in which the groove 14a is provided in the table 14, the reaction gas does not sufficiently act on the portion abutting on the groove 14a and the periphery thereof, so that a space for forming the element needs to be formed near the center of the wafer W. For this reason, there has been a problem that the material yield is reduced.

【0006】一方、ウエハWの裏面を真空吸着する方式
では、チャンバ11内部を排気する排気ポンプ12の他
にもう一台の排気ポンプ16を必要とするため、装置の
コスト高につながると共に装置構成が複雑になるという
問題があった。
On the other hand, the method of vacuum-adsorbing the back surface of the wafer W requires another exhaust pump 16 in addition to the exhaust pump 12 for exhausting the inside of the chamber 11, which leads to an increase in the cost of the apparatus and the structure of the apparatus. Was complicated.

【0007】さらに、ウエハWをテーブル14から取り
出す場合は、テーブル14内部の圧力をチャンバ11内
部の圧力よりも高くするための気圧の調整が必要とな
る。また、このときテーブル14内部からチャンバ11
内に流体の流れが発生するために、パーティクルが発生
する等の問題もあった。
Further, when taking out the wafer W from the table 14, it is necessary to adjust the air pressure so that the pressure inside the table 14 is higher than the pressure inside the chamber 11. At this time, the chamber 11 is removed from inside the table 14.
There is also a problem that particles are generated due to the flow of the fluid inside.

【0008】そこで本発明は、ウエハを容易、かつ、確
実に支持することができるウエハ支持用回転テーブルを
提供することを目的としている。
Accordingly, an object of the present invention is to provide a wafer supporting rotary table capable of easily and surely supporting a wafer.

【0009】[0009]

【課題を解決するための手段】上記課題を解決し目的を
達成するために、請求項1に記載された発明は、その外
周縁部に円板状のウエハの外周部を位置決めして載置す
るテーブルと、このテーブルを回転させる回転機構と、
上記テーブルの上記外周縁部に設けられ、上記回転機構
による上記テーブルの回転に伴って上記ウエハの上面側
を上記テーブル側に押圧する押圧部とを備えている。
SUMMARY OF THE INVENTION In order to solve the above-mentioned problems and achieve the object, according to the first aspect of the present invention, an outer peripheral portion of a disk-shaped wafer is positioned and mounted on an outer peripheral portion thereof. A table to rotate, a rotation mechanism for rotating the table,
A pressing portion provided on the outer peripheral edge of the table and pressing the upper surface of the wafer toward the table as the table is rotated by the rotating mechanism.

【0010】請求項2に記載された発明は、請求項1に
記載された発明において、上記押圧部は、その一端部が
上記テーブルの外周側に配置され、他端部が上記ウエハ
の上方に配置され、その中央部が上記テーブルの外周縁
部に揺動自在に設けられたアームと、上記一端部に設け
られ上記テーブルの回転に伴って揺動する振り子と、上
記他端部に設けられ上記ウエハの上面側を押圧する押圧
爪とを具備する。
According to a second aspect of the present invention, in the first aspect, the pressing portion has one end disposed on the outer peripheral side of the table and the other end disposed above the wafer. An arm is provided, the center of which is swingably provided on the outer peripheral edge of the table, the pendulum is provided at the one end and swings with the rotation of the table, and is provided at the other end. Pressing claws for pressing the upper surface side of the wafer.

【0011】請求項3に記載された発明は、請求項1に
記載された発明において、上記テーブルの上記外周縁部
は位置決めされた上記ウエハが上方に突出するように設
けられている。
According to a third aspect of the present invention, in the first aspect of the invention, the outer peripheral edge of the table is provided such that the positioned wafer projects upward.

【0012】請求項4に記載された発明は、その開口部
の外周縁部に円板状のウエハの外周部を位置決めして載
置する有底筒状のテーブルと、このテーブルを回転させ
る回転機構と、上記テーブルの底部に設けられ、上記回
転機構による上記テーブルの回転に伴って上記テーブル
内部を排気する排気翼とを備えるようにした。
According to a fourth aspect of the present invention, there is provided a bottomed cylindrical table on which an outer peripheral portion of a disk-shaped wafer is positioned and placed on an outer peripheral edge of the opening, and a rotary for rotating the table. A mechanism and an exhaust blade provided at the bottom of the table and configured to exhaust the inside of the table as the table is rotated by the rotating mechanism are provided.

【0013】請求項5に記載された発明は、請求項4に
記載された発明において、上記テーブルの上記外周縁部
は位置決めされた上記ウエハが上方に突出するように設
けられている。
According to a fifth aspect of the present invention, in the fourth aspect, the outer peripheral edge of the table is provided so that the positioned wafer projects upward.

【0014】上記手段を講じた結果、次のような作用が
生じる。すなわち、請求項1に記載された発明では、回
転機構によるテーブルの回転に伴ってウエハの上面側を
テーブル側に押圧する押圧部によりウエハがテーブル側
に押し付けられるので回転中に浮き上がることがない。
また、ウエハの位置ずれがない(遠心力によって横ずれ
を起こすのを防止できる)。
As a result of taking the above measures, the following operation occurs. That is, according to the first aspect of the present invention, the wafer is pressed against the table side by the pressing portion that presses the upper surface side of the wafer toward the table side with the rotation of the table by the rotation mechanism, so that the wafer does not float during rotation.
Also, there is no wafer displacement (can prevent lateral displacement due to centrifugal force).

【0015】請求項2に記載された発明では、テーブル
の回転に伴って発生する遠心力によって振り子が外側に
移動し、これにより押圧爪がウエハを押し付けるように
しているので、簡単な構成で確実にウエハを押圧するこ
とができる。
According to the second aspect of the present invention, the pendulum moves outward due to the centrifugal force generated with the rotation of the table, whereby the pressing claw presses the wafer. Can be pressed against the wafer.

【0016】請求項3に記載された発明では、テーブル
の外周縁部は位置決めされたウエハが上方に突出するよ
うに設けられているので、ウエハ上の気流が外周部で乱
れることがない。
According to the third aspect of the invention, since the outer peripheral edge of the table is provided so that the positioned wafer projects upward, the airflow on the wafer is not disturbed at the outer peripheral portion.

【0017】請求項4に記載された発明では、回転機構
によるテーブル内部をテーブルの回転に伴って排気する
排気翼を備えているので、特別な装置を用いることなく
ウエハWをテーブルに吸引させることができる。
According to the fourth aspect of the present invention, since the exhaust blade for exhausting the inside of the table with the rotation of the table by the rotation mechanism is provided, the wafer W can be sucked to the table without using any special device. Can be.

【0018】請求項5に記載された発明では、テーブル
の外周縁部は位置決めされたウエハが上方に突出するよ
うに設けられているので、ウエハ上の気流が外周部で乱
れることがない。
In the invention described in claim 5, the outer peripheral edge of the table is provided so that the positioned wafer projects upward, so that the airflow on the wafer is not disturbed at the outer peripheral portion.

【0019】[0019]

【発明の実施の形態】図1は本発明の第1の実施の形態
に係るウエハ支持用回転テーブル30が組込まれたCV
D装置20の構成を示す断面図、図2は同ウエハ支持用
回転テーブルの要部を示す図である。
FIG. 1 shows a CV in which a rotary table 30 for supporting a wafer according to a first embodiment of the present invention is incorporated.
FIG. 2 is a sectional view showing the configuration of the D apparatus 20, and FIG. 2 is a view showing a main part of the rotary table for supporting the wafer.

【0020】CVD装置20は、気密に構成された反応
チャンバ21を備えている。反応チャンバ21の天井側
には反応ガスを導入する反応ガス導入口22が設けられ
ており、側面側にはウエハWをロードロック室(不図
示)から出し入れする開閉扉23が設けられている。一
方、反応チャンバ21には排気口24が設けられ、排気
ポンプ25に接続されている。
The CVD apparatus 20 has a reaction chamber 21 which is airtightly constructed. A reaction gas introduction port 22 for introducing a reaction gas is provided on the ceiling side of the reaction chamber 21, and an opening / closing door 23 for taking a wafer W in and out of a load lock chamber (not shown) is provided on a side surface side. On the other hand, an exhaust port 24 is provided in the reaction chamber 21 and is connected to an exhaust pump 25.

【0021】反応チャンバ21内にはウエハ支持用回転
テーブル30が配置されている。ウエハ支持用回転テー
ブル30はその開口部31を上方に向けた有底筒状に形
成され、その軸心線Cは鉛直方向に向けられている。開
口部31の周縁部31a内側にはウエハWの外周部Wa
を載置する鍔部32が形成されている。また、周縁部3
1a上部には押圧部33が設けられている。なお、周縁
部31aはウエハWが鍔部32に載置されるとウエハW
が周縁部31aよりも上方に突出するような寸法に形成
されている。
A rotary table 30 for supporting a wafer is arranged in the reaction chamber 21. The rotary table 30 for supporting a wafer is formed in a bottomed cylindrical shape with its opening 31 facing upward, and its axis C is oriented vertically. The outer peripheral portion Wa of the wafer W is provided inside the peripheral portion 31a of the opening 31.
Is formed. In addition, the periphery 3
A pressing portion 33 is provided on the upper portion 1a. When the wafer W is placed on the flange 32, the peripheral portion 31a
Are formed in such a size as to protrude above the peripheral portion 31a.

【0022】押圧部33は、周縁部31aに揺動自在に
取り付けられたアーム33aと、このアーム33aの外
側端部に取り付けられた振り子33bと、内側端部に取
り付けられた押圧爪33cとを備えている。
The pressing portion 33 includes an arm 33a swingably attached to the peripheral portion 31a, a pendulum 33b attached to the outer end of the arm 33a, and a pressing claw 33c attached to the inner end. Have.

【0023】ウエハ支持用回転テーブル30は、軸心線
C回りに回転駆動モータ34によりシャフト35を介し
て回転駆動される。なお、図1中36はシール部を示し
ている。
The wafer supporting rotary table 30 is driven to rotate about an axis C by a rotary drive motor 34 via a shaft 35. In addition, 36 in FIG. 1 has shown the sealing part.

【0024】このように構成されたCVD装置20で
は、次のようにしてウエハWの処理を行う。すなわち、
排気ポンプ25を作動させて反応チャンバ21内を排気
し一定気圧に保つとともに、反応ガス導入口22から反
応ガスを導入し、ウエハWの処理が開始される。そし
て、回転駆動モータ34によりウエハWを載置したウエ
ハ支持用回転テーブル30を高速回転させる。このと
き、ウエハ支持用回転テーブル30の回転に伴って振り
子33bが遠心力により図2中矢印α方向に移動する。
これにより押圧爪33cが揺動し、ウエハWの上面を押
圧する。これによりウエハWはウエハ支持用回転テーブ
ル30に押し付けられるため、ウエハWが浮き上がるこ
とはなくなり、また、位置ずれも防止できる。
In the CVD apparatus 20 configured as described above, the processing of the wafer W is performed as follows. That is,
The evacuation pump 25 is operated to evacuate the reaction chamber 21 to maintain a constant pressure, and a reaction gas is introduced from the reaction gas inlet 22 to start the processing of the wafer W. Then, the rotary drive motor 34 rotates the wafer supporting rotary table 30 on which the wafer W is mounted at a high speed. At this time, the pendulum 33b moves in the direction of the arrow α in FIG.
Accordingly, the pressing claw 33c swings and presses the upper surface of the wafer W. As a result, the wafer W is pressed against the rotary table 30 for supporting the wafer, so that the wafer W does not float and the displacement can be prevented.

【0025】一方、ウエハWの上面は周縁部31aより
も上方に突出しているため、反応ガスがウエハWの外周
部で乱れることはない。このため、ウエハW全面に反応
ガスが均一に行き渡り均一な処理を行うことができる。
On the other hand, since the upper surface of the wafer W protrudes above the peripheral portion 31a, the reaction gas is not disturbed at the outer peripheral portion of the wafer W. For this reason, the reaction gas can be uniformly spread over the entire surface of the wafer W and uniform processing can be performed.

【0026】上述したように本第1の実施の形態に係る
ウエハ支持用回転テーブル30では、ウエハWを容易、
かつ、確実に支持することができる。
As described above, in the wafer supporting rotary table 30 according to the first embodiment, the wafer W can be easily formed.
And it can support reliably.

【0027】図3は本発明の第2の実施の形態に係るウ
エハ支持用回転テーブルが組込まれたCVD装置20A
の構成を示す断面図である。なお、図3において図1と
同一機能部分には同一符号を付し、その説明は省略す
る。
FIG. 3 shows a CVD apparatus 20A incorporating a rotary table for supporting a wafer according to a second embodiment of the present invention.
It is sectional drawing which shows a structure of. 3, the same reference numerals are given to the same functional portions as those in FIG. 1, and the description thereof will be omitted.

【0028】本第2の実施の形態では上述したウエハ支
持用回転テーブル30の代わりにウエハ支持用回転テー
ブル40が設けられている。ウエハ支持用回転テーブル
40はその開口部41を上方に向けた有底筒状に形成さ
れ、その軸心線Cは鉛直方向に向けられている。開口部
41の周縁部41a内側にはウエハWの外周部Waを載
置する鍔部42が形成されている。一方、底部43には
開口Hが設けられ、その開口内にはウエハ支持用回転テ
ーブル40の回転に伴って回転する排気翼44が設けら
れられている。なお、周縁部41aはウエハWが鍔部4
2に載置されるとウエハWが周縁部41aよりも上方に
突出するような寸法に形成されている。
In the second embodiment, a wafer supporting rotary table 40 is provided in place of the wafer supporting rotary table 30 described above. The wafer supporting rotary table 40 is formed in a bottomed cylindrical shape with its opening 41 facing upward, and its axis C is oriented vertically. A flange 42 on which the outer peripheral portion Wa of the wafer W is placed is formed inside the peripheral portion 41 a of the opening 41. On the other hand, an opening H is provided in the bottom portion 43, and an exhaust blade 44 that rotates with the rotation of the wafer supporting rotary table 40 is provided in the opening H. It should be noted that the peripheral portion 41 a
2, the wafer W is formed in such a size that the wafer W protrudes above the peripheral edge portion 41a.

【0029】このように構成されたCVD装置20Aで
は、次のようにしてウエハWの処理を行う。すなわち、
排気ポンプ25を作動させて反応チャンバ21内を排気
し一定気圧に保つとともに、反応ガス導入口22から反
応ガスを導入し、ウエハWの処理が開始される。そし
て、回転駆動モータ34によりウエハWを載置したウエ
ハ支持用回転テーブル40を高速回転させる。このと
き、ウエハ支持用回転テーブル40の回転に伴って排気
翼44によりウエハ支持用回転テーブル40内部から外
部への気流が発生し、内部気圧が低下する。ウエハWの
図3中上面は気圧の変化はないためウエハWはウエハ支
持用回転テーブル40側に押圧される。したがって、ウ
エハWが浮き上がることはなくなり、また、位置ずれも
防止できる。
In the thus configured CVD apparatus 20A, the processing of the wafer W is performed as follows. That is,
The evacuation pump 25 is operated to evacuate the reaction chamber 21 to maintain a constant pressure, and a reaction gas is introduced from the reaction gas inlet 22 to start the processing of the wafer W. Then, the rotary drive motor 34 rotates the wafer supporting rotary table 40 on which the wafer W is mounted at a high speed. At this time, with the rotation of the wafer supporting rotary table 40, an airflow is generated from the inside of the wafer supporting rotary table 40 to the outside by the exhaust blades 44, and the internal pressure decreases. Since the upper surface of the wafer W in FIG. 3 does not change in air pressure, the wafer W is pressed against the wafer supporting rotary table 40 side. Therefore, the wafer W does not float, and the displacement can be prevented.

【0030】一方、ウエハWの上面は周縁部41aより
も上方に突出しているため、反応ガスがウエハWの外周
部で乱れることはない。このため、ウエハW全面に反応
ガスが均一に行き渡り均一な処理を行うことができる。
On the other hand, since the upper surface of the wafer W protrudes above the peripheral portion 41a, the reaction gas is not disturbed at the outer peripheral portion of the wafer W. For this reason, the reaction gas can be uniformly spread over the entire surface of the wafer W and uniform processing can be performed.

【0031】上述したように本第2の実施の形態に係る
ウエハ支持用回転テーブル40では、ウエハWを容易、
かつ、確実に支持することができる。
As described above, the wafer supporting rotary table 40 according to the second embodiment allows the wafer W to be easily
And it can support reliably.

【0032】なお、本発明は前記実施の形態に限定され
るものではなく、本発明の要旨を逸脱しない範囲で種々
変形実施可能であるのは勿論である。
It should be noted that the present invention is not limited to the above-described embodiment, and it is needless to say that various modifications can be made without departing from the spirit of the present invention.

【0033】[0033]

【発明の効果】上記手段を講じた結果、次のような作用
が生じる。すなわち、請求項1に記載された発明によれ
ば、回転機構によるテーブルの回転に伴ってウエハの上
面側をテーブル側に押圧する押圧部によりウエハがテー
ブル側に押し付けられるので回転中に浮き上がることが
なくなり、また、位置ずれも防止できる。
As a result of taking the above-described measures, the following effects are produced. That is, according to the first aspect of the present invention, the wafer is pressed against the table side by the pressing portion that presses the upper surface side of the wafer toward the table side with the rotation of the table by the rotation mechanism, so that the wafer may rise during rotation. And the displacement can be prevented.

【0034】請求項2に記載された発明によれば、テー
ブルの回転に伴って発生する遠心力によって振り子が外
側に移動し、これにより押圧爪がウエハを押し付けるよ
うにしているので、簡単な構成で確実にウエハを押圧す
ることができる。
According to the second aspect of the present invention, the pendulum moves outward due to the centrifugal force generated with the rotation of the table, and the pressing claw presses the wafer. Thus, the wafer can be reliably pressed.

【0035】請求項3に記載された発明によれば、テー
ブルの外周縁部は位置決めされたウエハが上方に突出す
るように設けられているので、ウエハ上の気流が外周部
で乱れることがない。
According to the third aspect of the present invention, the outer peripheral edge of the table is provided so that the positioned wafer projects upward, so that the air flow on the wafer is not disturbed at the outer peripheral portion. .

【0036】請求項4に記載された発明によれば、回転
機構によるテーブル内部をテーブルの回転に伴って排気
する排気翼を備えているので、特別な装置を用いること
なくウエハWをテーブルに吸引させることができる。
According to the fourth aspect of the present invention, since the exhaust blade for exhausting the inside of the table by the rotation mechanism with the rotation of the table is provided, the wafer W is sucked to the table without using any special device. Can be done.

【0037】請求項5に記載された発明によれば、テー
ブルの外周縁部は位置決めされたウエハが上方に突出す
るように設けられているので、ウエハ上の気流が外周部
で乱れることがない。
According to the fifth aspect of the present invention, since the outer peripheral portion of the table is provided so that the positioned wafer projects upward, the air flow on the wafer is not disturbed at the outer peripheral portion. .

【図面の簡単な説明】[Brief description of the drawings]

【図1】本発明の第1の実施の形態に係るウエハ支持用
回転テーブルが組込まれたCVD装置の構成を示す断面
図。
FIG. 1 is a cross-sectional view showing a configuration of a CVD apparatus in which a rotary table for supporting a wafer according to a first embodiment of the present invention is incorporated.

【図2】同ウエハ支持用回転テーブルの要部を示す図。FIG. 2 is a diagram showing a main part of the rotary table for supporting the wafer.

【図3】本発明の第2の実施の形態に係るウエハ支持用
回転テーブルが組込まれたCVD装置の構成を示す断面
図。
FIG. 3 is a sectional view showing a configuration of a CVD apparatus in which a wafer supporting rotary table according to a second embodiment of the present invention is incorporated.

【図4】従来のウエハ支持用回転テーブルが組込まれた
CVD装置の構成を示す図。
FIG. 4 is a view showing a configuration of a CVD apparatus in which a conventional rotary table for supporting a wafer is incorporated.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

20,20A…CVD装置 30,40…ウエハ支持用回転テーブル 31…開口部 31a…周縁部 33…押圧部 33a…アーム 33b…振り子 33c…押圧爪 34…回転駆動モータ 44…排気翼 20, 20A: CVD apparatus 30, 40: Rotating table for supporting wafer 31: Opening 31a: Peripheral part 33: Pressing part 33a: Arm 33b: Pendulum 33c: Pressing claw 34: Rotating drive motor 44: Exhaust blade

Claims (5)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】その外周縁部に円板状のウエハの外周部を
位置決めして載置するテーブルと、 このテーブルを回転させる回転機構と、 上記テーブルの上記外周縁部に設けられ、上記回転機構
による上記テーブルの回転に伴って上記ウエハの上面側
を上記テーブル側に押圧する押圧部とを備えていること
を特徴とするウエハ支持用回転テーブル。
1. A table on which an outer peripheral portion of a disk-shaped wafer is positioned and mounted on an outer peripheral edge thereof, a rotating mechanism for rotating the table, and a rotating mechanism provided on the outer peripheral edge of the table, And a pressing portion for pressing the upper surface of the wafer toward the table as the table is rotated by a mechanism.
【請求項2】上記押圧部は、その一端部が上記テーブル
の外周側に配置され、他端部が上記ウエハの上方に配置
され、その中央部が上記テーブルの外周縁部に揺動自在
に設けられたアームと、 上記一端部に設けられ上記テーブルの回転に伴って揺動
する振り子と、 上記他端部に設けられ上記ウエハの上面側を押圧する押
圧爪とを具備することを特徴とするウエハ支持用回転テ
ーブル。
2. The pressing portion has one end disposed on the outer peripheral side of the table, the other end disposed above the wafer, and the central portion swingably mounted on the outer peripheral edge of the table. An arm provided, a pendulum provided at the one end and swinging with the rotation of the table, and a pressing claw provided at the other end and pressing the upper surface of the wafer. Rotating table for supporting wafers.
【請求項3】上記テーブルの上記外周縁部には所定高さ
上方に突出するように突部が形成され、かつ、その高さ
はテーブルに載置されたウエハの外周縁部より低く設け
られていることを特徴とする請求項1に記載のウエハ支
持用回転テーブル。
3. A projection is formed on the outer peripheral edge of the table so as to protrude upward by a predetermined height, and the height is set lower than the outer peripheral edge of the wafer mounted on the table. The rotary table for supporting a wafer according to claim 1, wherein
【請求項4】その開口部の外周縁部に円板状のウエハの
外周部を位置決めして載置する有底筒状のテーブルと、 このテーブルを回転させる回転機構と、 上記テーブルの底部に設けられ、上記回転機構による上
記テーブルの回転に伴って上記テーブル内部を排気する
排気翼とを備えていることを特徴とするウエハ支持用回
転テーブル。
4. A bottomed cylindrical table for positioning and mounting an outer peripheral portion of a disc-shaped wafer on an outer peripheral edge of the opening, a rotating mechanism for rotating the table, and A rotating table for supporting a wafer, comprising: an exhaust blade provided to exhaust the inside of the table as the table rotates by the rotating mechanism.
【請求項5】上記テーブルの上記外周縁部は位置決めさ
れた上記ウエハが上方に突出するように設けられている
ことを特徴とする請求項4に記載のウエハ支持用回転テ
ーブル。
5. The wafer supporting rotary table according to claim 4, wherein the outer peripheral edge of the table is provided so that the positioned wafer projects upward.
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