JPH1197215A - バリスタおよびバリスタ内蔵電源装置 - Google Patents
バリスタおよびバリスタ内蔵電源装置Info
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- JPH1197215A JPH1197215A JP9254555A JP25455597A JPH1197215A JP H1197215 A JPH1197215 A JP H1197215A JP 9254555 A JP9254555 A JP 9254555A JP 25455597 A JP25455597 A JP 25455597A JP H1197215 A JPH1197215 A JP H1197215A
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- temperature detecting
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 バリスタがいかなる状態で破損しても過大電
流によってバリスタが異常高温状態になったことを的確
に検出することを課題とする。 【解決手段】 バリスタ素子１１に隣接してサーミスタ
素子２１を配置し、サーミスタ素子２１によってバリス
タ素子１１の温度検出を行う。
流によってバリスタが異常高温状態になったことを的確
に検出することを課題とする。 【解決手段】 バリスタ素子１１に隣接してサーミスタ
素子２１を配置し、サーミスタ素子２１によってバリス
タ素子１１の温度検出を行う。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】この発明は、バリスタおよび
バリスタ内蔵電源装置に関し、特に雷サージ保護のため
に電源装置に組み込まれるバリスタおよび雷サージ保護
のためのバリスタを有するバリスタ内蔵電源装置に関す
るものである。
バリスタ内蔵電源装置に関し、特に雷サージ保護のため
に電源装置に組み込まれるバリスタおよび雷サージ保護
のためのバリスタを有するバリスタ内蔵電源装置に関す
るものである。
【０００２】
【従来の技術】コンピュータの電源装置に、雷サージ保
護のためにバリスタを組み込み、装置内に高電圧が印加
されることを防止することは従来より行われている。
護のためにバリスタを組み込み、装置内に高電圧が印加
されることを防止することは従来より行われている。
【０００３】図６は、電源装置に雷サージ保護素子とし
てバリスタを内蔵したコンピュータの従来例を示してい
る。コンピュータは、電源装置５０、メイン制御基板５
１、ハートディスク装置等の記憶装置５２を内蔵したコ
ンピュータ本体５３と、キーボード、マウス等の入力装
置５４と、ディスプレイ等の出力装置５５とにより構成
されている。
てバリスタを内蔵したコンピュータの従来例を示してい
る。コンピュータは、電源装置５０、メイン制御基板５
１、ハートディスク装置等の記憶装置５２を内蔵したコ
ンピュータ本体５３と、キーボード、マウス等の入力装
置５４と、ディスプレイ等の出力装置５５とにより構成
されている。
【０００４】電源装置５０は、安定化回路を含むＡＣ／
ＤＣ変換部５６を有し、ＡＣ入力ライン５７を商用交流
電源等による電力入力設備５８に接続され、ＤＣ出力ラ
イン５９をメイン制御基板５１に接続されている。ＡＣ
入力ライン５７間にはバリスタ６０が接続されている。
バリスタ６０は高電圧を印加されることにより電気抵抗
を低減し、貫通電流を増加することによって雷サージや
ノイズサージ電圧等により電源装置５０に対して高電圧
が印加されることを防止する。
ＤＣ変換部５６を有し、ＡＣ入力ライン５７を商用交流
電源等による電力入力設備５８に接続され、ＤＣ出力ラ
イン５９をメイン制御基板５１に接続されている。ＡＣ
入力ライン５７間にはバリスタ６０が接続されている。
バリスタ６０は高電圧を印加されることにより電気抵抗
を低減し、貫通電流を増加することによって雷サージや
ノイズサージ電圧等により電源装置５０に対して高電圧
が印加されることを防止する。
【０００５】バリスタにバリスタ定格を超えた雷サージ
電圧やノイズサージ電圧が印加されたり、製造上のバリ
スタ自体の部品不良等により、バリスタ６０が破損する
と、この破損は、多くの場合、数十〜数百オームのイン
ピーダンスを示すインピーダンス短絡状態で起こり、こ
のインピーダンス短絡状態でバリスタ６０に交流入力電
圧が印加され続けられると、バリスタ６０に過大電流が
流れ続け、ジュール熱によりバリスタが発熱し、バリス
タ６０が異常高温になる。
電圧やノイズサージ電圧が印加されたり、製造上のバリ
スタ自体の部品不良等により、バリスタ６０が破損する
と、この破損は、多くの場合、数十〜数百オームのイン
ピーダンスを示すインピーダンス短絡状態で起こり、こ
のインピーダンス短絡状態でバリスタ６０に交流入力電
圧が印加され続けられると、バリスタ６０に過大電流が
流れ続け、ジュール熱によりバリスタが発熱し、バリス
タ６０が異常高温になる。
【０００６】このため、バリスタの使用においては、図
７に示されているように、過大電流保護用のヒューズ６
１を設け、気中放電によるサージ吸収素子としてフレー
ムグランド（ＦＧ）接続のアレスタ６２をバリスタ６０
に直列に接続することが行われている。
７に示されているように、過大電流保護用のヒューズ６
１を設け、気中放電によるサージ吸収素子としてフレー
ムグランド（ＦＧ）接続のアレスタ６２をバリスタ６０
に直列に接続することが行われている。
【０００７】また、温度ヒューズや金属ワイヤによる電
流ルート遮断素子を組み込み、バリスタが異常高温にな
れば、電流ルート遮断素子によってバリスタに対する通
電を停止することが考えられている。
流ルート遮断素子を組み込み、バリスタが異常高温にな
れば、電流ルート遮断素子によってバリスタに対する通
電を停止することが考えられている。
【０００８】
【発明が解決しようとする課題】バリスタがどのような
インピーダンスをもって破損するかは予測できないた
め、バリスタ破損時に過大電流が流れる経路に過大電流
保護用ヒューズが接続されても、ヒューズ動作に至る電
流が流れるとは限られず、バリスタ破損時の電流遮断を
確実に行うことはできない。また、気中放電によるサー
ジ吸収素子としてアレスタを設けることはコスト高にな
る。
インピーダンスをもって破損するかは予測できないた
め、バリスタ破損時に過大電流が流れる経路に過大電流
保護用ヒューズが接続されても、ヒューズ動作に至る電
流が流れるとは限られず、バリスタ破損時の電流遮断を
確実に行うことはできない。また、気中放電によるサー
ジ吸収素子としてアレスタを設けることはコスト高にな
る。
【０００９】バリスタは、通常、数百アンペアのインパ
ルス電流耐量を保証しているが、この電流耐量を保証で
きる温度ヒューズをバリスタに内蔵することは現実的に
は難しく、また、温度ヒューズや金属ワイヤによる電流
ルート遮断素子では製造過程に加えられる熱ストレスや
機械ストレスによって誤動作する可能性が高く、実際の
製品化が難しい。
ルス電流耐量を保証しているが、この電流耐量を保証で
きる温度ヒューズをバリスタに内蔵することは現実的に
は難しく、また、温度ヒューズや金属ワイヤによる電流
ルート遮断素子では製造過程に加えられる熱ストレスや
機械ストレスによって誤動作する可能性が高く、実際の
製品化が難しい。
【００１０】この発明は、上述の如き問題点を解消する
ためになされたもので、バリスタがいかなる状態で破損
しても過大電流によって異常高温状態になったことを的
確に検出することができるバリスタ、および、バリスタ
が異常高温状態になれば電力入力ラインの電流遮断を確
実に行うバリスタ内蔵電源装置を提供することを目的と
している。
ためになされたもので、バリスタがいかなる状態で破損
しても過大電流によって異常高温状態になったことを的
確に検出することができるバリスタ、および、バリスタ
が異常高温状態になれば電力入力ラインの電流遮断を確
実に行うバリスタ内蔵電源装置を提供することを目的と
している。
【００１１】
【課題を解決するための手段】上述の目的を達成するた
めに、請求項１に記載の発明は、バリスタ素子に隣接し
て温度検出手段が配置され、前記温度検出手段によりバ
リスタ素子の温度検出が行われるバリスタである。
めに、請求項１に記載の発明は、バリスタ素子に隣接し
て温度検出手段が配置され、前記温度検出手段によりバ
リスタ素子の温度検出が行われるバリスタである。
【００１２】請求項１に記載のバリスタでは、バリスタ
素子に隣接配置された温度検出手段によりバリスタ素子
の温度検出が行われ、この温度検出によりバリスタ素子
が過大電流によって異常高温状態になったことを検出で
きる。
素子に隣接配置された温度検出手段によりバリスタ素子
の温度検出が行われ、この温度検出によりバリスタ素子
が過大電流によって異常高温状態になったことを検出で
きる。
【００１３】請求項２に記載の発明は、前記温度検出手
段が半導体セラミックスによるサーミスタであり、前記
温度検出手段がバリスタ素子と共に半導体セラミックス
により構成されているバリスタである。
段が半導体セラミックスによるサーミスタであり、前記
温度検出手段がバリスタ素子と共に半導体セラミックス
により構成されているバリスタである。
【００１４】請求項２に記載のバリスタでは、温度検出
手段とバリスタ素子とが共に半導体セラミックスにより
構成され、熱ストレスに強いものになる。
手段とバリスタ素子とが共に半導体セラミックスにより
構成され、熱ストレスに強いものになる。
【００１５】請求項３に記載の発明は、前記温度検出手
段とバリスタ素子はそれぞれの半導体セラミックスチッ
プの両側に接続端子を有し、バリスタ素子の一方の接続
端子と温度検出手段の一方の接続端子とが電気絶縁材を
挟んで隣接しているバリスタである。
段とバリスタ素子はそれぞれの半導体セラミックスチッ
プの両側に接続端子を有し、バリスタ素子の一方の接続
端子と温度検出手段の一方の接続端子とが電気絶縁材を
挟んで隣接しているバリスタである。
【００１６】請求項３に記載のバリスタでは、バリスタ
素子の一方の接続端子と温度検出手段の一方の接続端子
とが電気絶縁材を挟んで隣接しており、バリスタ素子の
温度が熱伝導により温度検出手段に迅速に伝わり、温度
検出手段によるバリスタ素子の温度検出が大きい遅れを
含むことなく的確に行われる。
素子の一方の接続端子と温度検出手段の一方の接続端子
とが電気絶縁材を挟んで隣接しており、バリスタ素子の
温度が熱伝導により温度検出手段に迅速に伝わり、温度
検出手段によるバリスタ素子の温度検出が大きい遅れを
含むことなく的確に行われる。
【００１７】請求項４に記載の発明は、電力入力ライン
間あるいは電力入力ラインとグランドラインとの間に接
続されて異常高電圧の吸収を行うバリスタ素子と、前記
バリスタ素子の温度を検出する温度検出手段と、前記温
度検出手段により検出される温度が所定値以上になれば
電力入力ラインの電流を遮断する電流遮断手段と、を有
しているバリスタ内蔵電源装置である。
間あるいは電力入力ラインとグランドラインとの間に接
続されて異常高電圧の吸収を行うバリスタ素子と、前記
バリスタ素子の温度を検出する温度検出手段と、前記温
度検出手段により検出される温度が所定値以上になれば
電力入力ラインの電流を遮断する電流遮断手段と、を有
しているバリスタ内蔵電源装置である。
【００１８】請求項４に記載のバリスタ内蔵電源装置で
は、温度検出手段によってバリスタ素子の温度検出が行
われ、温度検出手段により検出される温度が所定値以上
になれば、電流遮断手段によって電力入力ラインの電流
遮断が行われる。
は、温度検出手段によってバリスタ素子の温度検出が行
われ、温度検出手段により検出される温度が所定値以上
になれば、電流遮断手段によって電力入力ラインの電流
遮断が行われる。
【００１９】請求項５に記載の発明は、前記電流遮断手
段がトリップ端子に所定値以上の電圧が印加されること
によって開成するノンヒューズブレーカを含み、前記ト
リップ端子は整流後の直流電圧による電力ライン間に抵
抗素子を介して接続され、前記温度検出手段はポジティ
ブサーミスタにより構成されて前記トリップ端子間に接
続されているバリスタ内蔵電源装置である。
段がトリップ端子に所定値以上の電圧が印加されること
によって開成するノンヒューズブレーカを含み、前記ト
リップ端子は整流後の直流電圧による電力ライン間に抵
抗素子を介して接続され、前記温度検出手段はポジティ
ブサーミスタにより構成されて前記トリップ端子間に接
続されているバリスタ内蔵電源装置である。
【００２０】請求項５に記載のバリスタ内蔵電源装置で
は、バリスタの温度が所定値以上になれば、ポジティブ
サーミスタの電気抵抗値が抵抗素子より高くなり、この
ことによって整流後の直流電圧がトリップ端子に印加さ
れるようになり、ノンヒューズブレーカが開成し、電流
遮断が行われる。
は、バリスタの温度が所定値以上になれば、ポジティブ
サーミスタの電気抵抗値が抵抗素子より高くなり、この
ことによって整流後の直流電圧がトリップ端子に印加さ
れるようになり、ノンヒューズブレーカが開成し、電流
遮断が行われる。
【００２１】
【発明の実施の形態】以下に添付の図を参照してこの発
明に係るバリスタおよびバリスタ内蔵電源装置の実施の
形態を詳細に説明する。なお、以下に説明するこの発明
の実施の形態において上述の従来例と同一構成の部分
は、上述の従来例に付した符号と同一の符号を付して、
その説明を省略する。
明に係るバリスタおよびバリスタ内蔵電源装置の実施の
形態を詳細に説明する。なお、以下に説明するこの発明
の実施の形態において上述の従来例と同一構成の部分
は、上述の従来例に付した符号と同一の符号を付して、
その説明を省略する。
【００２２】図１は、この発明によるバリスタの一つの
実施の形態を示している。バリスタ１０は、ＺｎＯ等に
よる半導体セラミックス製のバリスタ素子（半導体セラ
ミックスチップ）１１と、温度検出手段であるＭｎＯ−
ＮｉＯ−ＣｏＯ等による半導体セラミックス製のサーミ
スタ素子（半導体セラミックスチップ）２１とを互いに
隣り合わせに有している。サーミスタ素子２１は、ポジ
ティブサーミスタ（ＰＴＣ）、ネガティブサーミスタ
（ＮＴＣ）のいずれであってもよい。
実施の形態を示している。バリスタ１０は、ＺｎＯ等に
よる半導体セラミックス製のバリスタ素子（半導体セラ
ミックスチップ）１１と、温度検出手段であるＭｎＯ−
ＮｉＯ−ＣｏＯ等による半導体セラミックス製のサーミ
スタ素子（半導体セラミックスチップ）２１とを互いに
隣り合わせに有している。サーミスタ素子２１は、ポジ
ティブサーミスタ（ＰＴＣ）、ネガティブサーミスタ
（ＮＴＣ）のいずれであってもよい。
【００２３】バリスタ素子１１の両側にはそれぞれ電極
板１２、１３が設けられており、電極板１２、１３に接
続端子１４、１５が導通接続されている。サーミスタ素
子２１の両側にもそれぞれ電極板２２、２３が設けられ
ており、電極板２２、２３に接続端子２４、２５が導通
接続されている。バリスタ素子１１の一方の接続端子１
５とサーミスタ素子２１の一方の接続端子２４とが電気
絶縁材３０を挟んで隣接している。
板１２、１３が設けられており、電極板１２、１３に接
続端子１４、１５が導通接続されている。サーミスタ素
子２１の両側にもそれぞれ電極板２２、２３が設けられ
ており、電極板２２、２３に接続端子２４、２５が導通
接続されている。バリスタ素子１１の一方の接続端子１
５とサーミスタ素子２１の一方の接続端子２４とが電気
絶縁材３０を挟んで隣接している。
【００２４】バリスタ１０は、バリスタ素子１１と、サ
ーミスタ素子２１と、電極板１２、１３、２２、２３、
接続端子１４、１５、２４、２５を電気絶縁樹脂３１に
よってモールディングされ、ワンチップ（ワンパッケー
ジ）構造をなしている。このバリスタ１０では、バリス
タ素子１１の温度が電気絶縁材３０を介して熱伝導によ
りサーミスタ素子２１に迅速に伝わり、サーミスタ素子
２１の抵抗値変化よりバリスタ素子１１の温度検出が大
きい遅れを含むことなく的確に行われる。
ーミスタ素子２１と、電極板１２、１３、２２、２３、
接続端子１４、１５、２４、２５を電気絶縁樹脂３１に
よってモールディングされ、ワンチップ（ワンパッケー
ジ）構造をなしている。このバリスタ１０では、バリス
タ素子１１の温度が電気絶縁材３０を介して熱伝導によ
りサーミスタ素子２１に迅速に伝わり、サーミスタ素子
２１の抵抗値変化よりバリスタ素子１１の温度検出が大
きい遅れを含むことなく的確に行われる。
【００２５】この温度検出によりバリスタ素子１１に過
大電流が流れ、ジュール熱によってバリスタ素子１１が
異常高温状態になったことを検出することができる。こ
れにより、バリスタ素子１１がいかなる状態で破損して
も過大電流によって異常高温状態になったことを的確に
検出することができる。
大電流が流れ、ジュール熱によってバリスタ素子１１が
異常高温状態になったことを検出することができる。こ
れにより、バリスタ素子１１がいかなる状態で破損して
も過大電流によって異常高温状態になったことを的確に
検出することができる。
【００２６】このバリスタ１０では、温度検出手段であ
るサーミスタ素子２１とバリスタ素子１１とが共に半導
体セラミックスにより構成されているから、構造が簡単
で、製造性に優れ、しかも熱ストレスに強いものにな
る。
るサーミスタ素子２１とバリスタ素子１１とが共に半導
体セラミックスにより構成されているから、構造が簡単
で、製造性に優れ、しかも熱ストレスに強いものにな
る。
【００２７】図２は、この発明によるバリスタ内蔵電源
装置の一つの実施の形態を示しているる。電源装置のＡ
Ｃ入力ライン５７に、図１に示されているようなバリス
タ１０と、ノンヒューズブレーカ（ＮＦＢ）４０とが接
続されている。
装置の一つの実施の形態を示しているる。電源装置のＡ
Ｃ入力ライン５７に、図１に示されているようなバリス
タ１０と、ノンヒューズブレーカ（ＮＦＢ）４０とが接
続されている。
【００２８】バリスタ１０のサーミスタ素子２１は電流
遮断回路４１に接続されている。電流遮断回路４１は、
サーミスタ素子２１より信号を与えられ、サーミスタ素
子２１により検出されるバリスタ素子１１の温度が所定
値以上になり、バリスタ素子１１が異常高温状態になっ
たことが検出されると、ＮＦＢ断、ヒューズ断、外部通
知等を行う。
遮断回路４１に接続されている。電流遮断回路４１は、
サーミスタ素子２１より信号を与えられ、サーミスタ素
子２１により検出されるバリスタ素子１１の温度が所定
値以上になり、バリスタ素子１１が異常高温状態になっ
たことが検出されると、ＮＦＢ断、ヒューズ断、外部通
知等を行う。
【００２９】これにより、バリスタ１０がいかなる状態
で破損しても、バリスタ素子１１が異常高温状態になれ
ば、ＡＣ入力ライン５７の電流遮断が確実に行われ、引
き続きバリスタ素子１１に通電されることが回避され
る。
で破損しても、バリスタ素子１１が異常高温状態になれ
ば、ＡＣ入力ライン５７の電流遮断が確実に行われ、引
き続きバリスタ素子１１に通電されることが回避され
る。
【００３０】図３は、この発明によるバリスタ内蔵電源
装置の他の実施の形態を示している。図３において、電
源装置５０のＡＣ／ＤＣ変換部５６は、整流／平滑回路
６３と、安定化回路６４とにより構成されている。
装置の他の実施の形態を示している。図３において、電
源装置５０のＡＣ／ＤＣ変換部５６は、整流／平滑回路
６３と、安定化回路６４とにより構成されている。
【００３１】バリスタ１０のサーミスタ素子２１はポジ
スタのようなポジティブサーミスタにより構成されてい
る。
スタのようなポジティブサーミスタにより構成されてい
る。
【００３２】ノンヒューズブレーカ（ＮＦＢ）４０は、
トリップ端子４２に所定値以上の電圧が印加されること
によって開成するスイッチ部４３を含み、スイッチ部４
３の開成により、ＡＣ入力ライン５７を電力入力設備５
８より切り放し、電力入力側で電流遮断を行う。トリッ
プ端子４２は整流後の直流電圧Ｖｃｃによる電力ライン
６５間に抵抗素子４４を介して接続され、サーミスタ素
子２１もトリップ端子４２間に接続されている。
トリップ端子４２に所定値以上の電圧が印加されること
によって開成するスイッチ部４３を含み、スイッチ部４
３の開成により、ＡＣ入力ライン５７を電力入力設備５
８より切り放し、電力入力側で電流遮断を行う。トリッ
プ端子４２は整流後の直流電圧Ｖｃｃによる電力ライン
６５間に抵抗素子４４を介して接続され、サーミスタ素
子２１もトリップ端子４２間に接続されている。
【００３３】バリスタ素子１１が異常発熱していない通
常動作時には、サーミスタ素子２１の抵抗値Ｒｐｔは低
く、抵抗素子４４の抵抗値Ｒより充分低く、トリップ端
子電圧は、Ｖｃｃ（Ｒｐｔ／Ｒｐｔ・Ｒ）で、ほぼ０と
なり、ノンヒューズブレーカ（ＮＦＢ）４０はトリップ
しない。
常動作時には、サーミスタ素子２１の抵抗値Ｒｐｔは低
く、抵抗素子４４の抵抗値Ｒより充分低く、トリップ端
子電圧は、Ｖｃｃ（Ｒｐｔ／Ｒｐｔ・Ｒ）で、ほぼ０と
なり、ノンヒューズブレーカ（ＮＦＢ）４０はトリップ
しない。
【００３４】これに対し、バリスタ破損によってバリス
タ素子１１が異常発熱すると、サーミスタ素子２１の抵
抗値Ｒｐｔが高くなり、抵抗素子４４の抵抗値Ｒより十
分高くなる。これによりトリップ端子電圧は、Ｖｃｃ
（Ｒｐｔ／Ｒｐｔ・Ｒ）で、ほぼ整流後の直流電圧Ｖｃ
ｃとなり、ノンヒューズブレーカ（ＮＦＢ）４０がトリ
ップする。
タ素子１１が異常発熱すると、サーミスタ素子２１の抵
抗値Ｒｐｔが高くなり、抵抗素子４４の抵抗値Ｒより十
分高くなる。これによりトリップ端子電圧は、Ｖｃｃ
（Ｒｐｔ／Ｒｐｔ・Ｒ）で、ほぼ整流後の直流電圧Ｖｃ
ｃとなり、ノンヒューズブレーカ（ＮＦＢ）４０がトリ
ップする。
【００３５】これにより、バリスタがいかなる状態で破
損しても、バリスタ素子１１が異常高温状態になれば、
ノンヒューズブレーカ（ＮＦＢ）４０によってＡＣ入力
ライン５７の電流遮断が確実に行われ、引き続きバリス
タ素子１１に通電されることが回避される。
損しても、バリスタ素子１１が異常高温状態になれば、
ノンヒューズブレーカ（ＮＦＢ）４０によってＡＣ入力
ライン５７の電流遮断が確実に行われ、引き続きバリス
タ素子１１に通電されることが回避される。
【００３６】図４（ａ）はバリスタの一般的な電圧−電
流特性を、図４（ｂ）はバリスタの一般的な温度−電流
特性をそれぞれ示している。図４（ａ）、（ｂ）より、
バリスタの貫流電流の増加によりジュール熱が急増する
と、バリスタ温度が急激に高くなることが分かる。
流特性を、図４（ｂ）はバリスタの一般的な温度−電流
特性をそれぞれ示している。図４（ａ）、（ｂ）より、
バリスタの貫流電流の増加によりジュール熱が急増する
と、バリスタ温度が急激に高くなることが分かる。
【００３７】図５（ａ）はポジスタ（ＰＴＣ）の抵抗−
温度特性を、図５（ｂ）はＮＦＢトリップ端子電圧−ポ
ジスタ感知温度特性を示している。図５（ａ）、（ｂ）
より、ポジスタの感知温度が８０℃を超えると、ポジス
タの抵抗値が急増し、このポジスタの抵抗値急増により
ＮＦＢトリップ端子電圧が高くなることが分かる。ＮＦ
Ｂトリップ端子電圧が高くなることにより、ＮＦＢがト
リップし、電流遮断が行われる。
温度特性を、図５（ｂ）はＮＦＢトリップ端子電圧−ポ
ジスタ感知温度特性を示している。図５（ａ）、（ｂ）
より、ポジスタの感知温度が８０℃を超えると、ポジス
タの抵抗値が急増し、このポジスタの抵抗値急増により
ＮＦＢトリップ端子電圧が高くなることが分かる。ＮＦ
Ｂトリップ端子電圧が高くなることにより、ＮＦＢがト
リップし、電流遮断が行われる。
【００３８】
【発明の効果】以上の説明から理解される如く、請求項
１に記載のバリスタによれば、バリスタ素子に隣接配置
された温度検出手段によりバリスタ素子の温度検出が行
われ、この温度検出によりバリスタ素子が過大電流によ
って異常高温状態になったことを検出できるから、バリ
スタがいかなる状態で破損しても、バリスタ素子が異常
高温状態になったことの検出信号によって電流遮断等を
行うことができ、バリスタ素子が長時間に亙って異常高
温状態になることを回避することができる。
１に記載のバリスタによれば、バリスタ素子に隣接配置
された温度検出手段によりバリスタ素子の温度検出が行
われ、この温度検出によりバリスタ素子が過大電流によ
って異常高温状態になったことを検出できるから、バリ
スタがいかなる状態で破損しても、バリスタ素子が異常
高温状態になったことの検出信号によって電流遮断等を
行うことができ、バリスタ素子が長時間に亙って異常高
温状態になることを回避することができる。
【００３９】請求項２に記載のバリスタによれば、温度
検出手段とバリスタ素子とが共に半導体セラミックスに
より構成されているから、熱ストレスに強いものにな
り、高い動作信頼性が得られる。
検出手段とバリスタ素子とが共に半導体セラミックスに
より構成されているから、熱ストレスに強いものにな
り、高い動作信頼性が得られる。
【００４０】請求項３に記載のバリスタによれば、バリ
スタ素子の一方の接続端子と温度検出手段の一方の接続
端子とが電気絶縁材を挟んで隣接していてバリスタ素子
の温度が熱伝導により温度検出手段に迅速に伝わるか
ら、温度検出手段によるバリスタ素子の温度検出が大き
い遅れを含むことなく的確に行われる。
スタ素子の一方の接続端子と温度検出手段の一方の接続
端子とが電気絶縁材を挟んで隣接していてバリスタ素子
の温度が熱伝導により温度検出手段に迅速に伝わるか
ら、温度検出手段によるバリスタ素子の温度検出が大き
い遅れを含むことなく的確に行われる。
【００４１】請求項４に記載のバリスタ内蔵電源装置に
よれば、温度検出手段によってバリスタ素子の温度検出
が行われ、温度検出手段により検出される温度が所定値
以上になれば、電流遮断手段によって電力入力ラインの
電流遮断が行われるから、バリスタがいかなる状態で破
損しても電流遮断が的確に行われ、バリスタ素子が長時
間に亙って異常高温状態になることを回避することがで
きる。
よれば、温度検出手段によってバリスタ素子の温度検出
が行われ、温度検出手段により検出される温度が所定値
以上になれば、電流遮断手段によって電力入力ラインの
電流遮断が行われるから、バリスタがいかなる状態で破
損しても電流遮断が的確に行われ、バリスタ素子が長時
間に亙って異常高温状態になることを回避することがで
きる。
【００４２】請求項５に記載のバリスタ内蔵電源装置に
よれば、バリスタの温度が所定値以上になれば、ポジテ
ィブサーミスタの電気抵抗値が抵抗素子より高くなり、
このことによって整流後の直流電圧がトリップ端子に印
加されるようになり、ノンヒューズブレーカが開成し、
電流遮断が行われるから、バリスタがいかなる状態で破
損しても電流遮断が的確に行われ、バリスタ素子が長時
間に亙って異常高温状態になることを回避することがで
きる。
よれば、バリスタの温度が所定値以上になれば、ポジテ
ィブサーミスタの電気抵抗値が抵抗素子より高くなり、
このことによって整流後の直流電圧がトリップ端子に印
加されるようになり、ノンヒューズブレーカが開成し、
電流遮断が行われるから、バリスタがいかなる状態で破
損しても電流遮断が的確に行われ、バリスタ素子が長時
間に亙って異常高温状態になることを回避することがで
きる。
【図１】この発明によるバリスタの一つの実施の形態を
示すデバイス構成図である。
示すデバイス構成図である。
【図２】この発明によるバリスタ内蔵電源装置の一つの
実施の形態を示すブロック図である。
実施の形態を示すブロック図である。
【図３】この発明によるバリスタ内蔵電源装置の他つの
実施の形態を示すブロック図である。
実施の形態を示すブロック図である。
【図４】（ａ）はバリスタの一般的な電圧−電流特性を
示すグラフ、（ｂ）はバリスタの一般的な温度−電流特
性を示すグラフである。
示すグラフ、（ｂ）はバリスタの一般的な温度−電流特
性を示すグラフである。
【図５】（ａ）はポジスタの抵抗−温度特性を示すグラ
フ、（ｂ）はＮＦＢトリップ端子電圧−ポジスタ感知温
度特性を示すグラフである。
フ、（ｂ）はＮＦＢトリップ端子電圧−ポジスタ感知温
度特性を示すグラフである。
【図６】従来におけるバリスタ内蔵電源装置の一例を示
すブロック図である。
すブロック図である。
【図７】従来におけるバリスタ内蔵電源装置の他の例を
示すブロック図である。
示すブロック図である。
１０ バリスタ １１ バリスタ素子 ２１ サーミスタ素子 ３０ 電気絶縁材 ３１ 電気絶縁樹脂 ４０ ノンヒューズブレーカ ４１ 電流遮断回路 ４２ トリップ端 ４３ スイッチ部 ４４ 抵抗素子 ５０ 電源装置 ５６ ＡＣ／ＤＣ変換部 ５７ ＡＣ入力ライン ５８ 電力入力設備 ５９ ＤＣ出力ライン
Claims (5)
- 【請求項１】 バリスタ素子に隣接して温度検出手段が
配置され、前記温度検出手段によりバリスタ素子の温度
検出が行われることを特徴とするバリスタ。 - 【請求項２】 前記温度検出手段は半導体セラミックス
によるサーミスタであり、前記温度検出手段がバリスタ
素子と共に半導体セラミックスにより構成されているこ
とを特徴とする請求項１に記載のバリスタ。 - 【請求項３】 前記温度検出手段とバリスタ素子はそれ
ぞれの半導体セラミックスチップの両側に接続端子を有
し、バリスタ素子の一方の接続端子と温度検出手段の一
方の接続端子とが電気絶縁材を挟んで隣接していること
を特徴とする請求項２に記載のバリスタ。 - 【請求項４】 電力入力ライン間あるいは電力入力ライ
ンとグランドラインとの間に接続されて異常高電圧の吸
収を行うバリスタ素子と、 前記バリスタ素子の温度を検出する温度検出手段と、 前記温度検出手段により検出される温度が所定値以上に
なれば電力入力ラインの電流を遮断する電流遮断手段
と、 を有していることを特徴とするバリスタ内蔵電源装置。 - 【請求項５】 前記電流遮断手段はトリップ端子に所定
値以上の電圧が印加されることによって開成するノンヒ
ューズブレーカを含み、前記トリップ端子は整流後の直
流電圧による電力ライン間に抵抗素子を介して接続さ
れ、前記温度検出手段はポジティブサーミスタにより構
成されて前記トリップ端子間に接続されていることを特
徴とする請求項４に記載のバリスタ内蔵電源装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9254555A JPH1197215A (ja) | 1997-09-19 | 1997-09-19 | バリスタおよびバリスタ内蔵電源装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9254555A JPH1197215A (ja) | 1997-09-19 | 1997-09-19 | バリスタおよびバリスタ内蔵電源装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH1197215A true JPH1197215A (ja) | 1999-04-09 |
Family
ID=17266678
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP9254555A Withdrawn JPH1197215A (ja) | 1997-09-19 | 1997-09-19 | バリスタおよびバリスタ内蔵電源装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH1197215A (ja) |
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2007014302A2 (en) * | 2005-07-29 | 2007-02-01 | Tyco Electronics Corporation | Circuit protection device having thermally coupled mov overvoltage element and pptc overcurrent element |
| WO2009141437A1 (de) * | 2008-05-21 | 2009-11-26 | Epcos Ag | Elektrische bauelementanordnung |
| CN104779023A (zh) * | 2015-04-15 | 2015-07-15 | 江苏晟芯微电子有限公司 | 一种电路保护用平板式半导体元器件 |
| WO2017111450A1 (ko) * | 2015-12-22 | 2017-06-29 | 주식회사 아모텍 | 오픈모드 보호소자 및 이를 구비한 전자장치 |
| US10652982B2 (en) | 2015-12-22 | 2020-05-12 | Amotech Co., Ltd. | Open-mode protection device and electronic device having same |
| JP2020162239A (ja) * | 2019-03-25 | 2020-10-01 | Tdk株式会社 | モニタリングモジュール |
-
1997
- 1997-09-19 JP JP9254555A patent/JPH1197215A/ja not_active Withdrawn
Cited By (11)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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| WO2007014302A3 (en) * | 2005-07-29 | 2007-05-31 | Tyco Electronics Corp | Circuit protection device having thermally coupled mov overvoltage element and pptc overcurrent element |
| US7660096B2 (en) | 2005-07-29 | 2010-02-09 | Tyco Electronics Corporation | Circuit protection device having thermally coupled MOV overvoltage element and PPTC overcurrent element |
| KR101293400B1 (ko) * | 2005-07-29 | 2013-08-05 | 타이코 일렉트로닉스 코포레이션 | 열적 커플링된 금속 산화물 바리스터 과전압 요소 및중합체성 정온도 계수 과전류 요소를 갖는 회로 보호 소자 |
| TWI448031B (zh) * | 2005-07-29 | 2014-08-01 | Tyco Electronics Corp | 具有與金屬氧化物變阻器過壓元件熱耦合的高分子正溫係數過流元件之電路保護裝置及包含該電路保護裝置之電路 |
| WO2009141437A1 (de) * | 2008-05-21 | 2009-11-26 | Epcos Ag | Elektrische bauelementanordnung |
| US9177703B2 (en) | 2008-05-21 | 2015-11-03 | Epcos Ag | Electric component assembly |
| CN104779023A (zh) * | 2015-04-15 | 2015-07-15 | 江苏晟芯微电子有限公司 | 一种电路保护用平板式半导体元器件 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A300 | Withdrawal of application because of no request for examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A300 Effective date: 20041207 |