JPH1194876A - Manufacture for contact probe - Google Patents

Manufacture for contact probe

Info

Publication number
JPH1194876A
JPH1194876A JP25392897A JP25392897A JPH1194876A JP H1194876 A JPH1194876 A JP H1194876A JP 25392897 A JP25392897 A JP 25392897A JP 25392897 A JP25392897 A JP 25392897A JP H1194876 A JPH1194876 A JP H1194876A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
film
metal layer
pattern wiring
contact
resin film
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP25392897A
Other languages
Japanese (ja)
Inventor
Toshinori Ishii
利昇 石井
Hideaki Yoshida
秀昭 吉田
Atsushi Matsuda
厚 松田
Mitsuyoshi Ueki
光芳 植木
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Mitsubishi Materials Corp
Original Assignee
Mitsubishi Materials Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Mitsubishi Materials Corp filed Critical Mitsubishi Materials Corp
Priority to JP25392897A priority Critical patent/JPH1194876A/en
Publication of JPH1194876A publication Critical patent/JPH1194876A/en
Pending legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H05ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05KPRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K3/00Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
    • H05K3/10Apparatus or processes for manufacturing printed circuits in which conductive material is applied to the insulating support in such a manner as to form the desired conductive pattern
    • H05K3/20Apparatus or processes for manufacturing printed circuits in which conductive material is applied to the insulating support in such a manner as to form the desired conductive pattern by affixing prefabricated conductor pattern

Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To form a boundary between a coated part with a film and a project ing part from the film with high position accuracy, by removing through irradia tion of laser light a part covering a pattern wiring to be provided for a contact pin. SOLUTION: A photoresist layer 7 is formed on a base metal layer 6 at a supporting metallic plate 5. An Ni alloy layer N is processed at an opening part 7a by electrolytic plating, thereby forming a pattern wiring 3. After the photoresist layer 7 is removed, a resin film 2 where an area to be projected as a contact pin 3a is etched is bonded by an adhesive sheet 2a onto the pattern wiring 3 of the metallic layer N. The coated resin film 2 is irradiated with laser beam, so that a part covering the pattern wiring 3 to be provided for the contact pin 3a is removed. Thereafter, the supporting metallic plate 5 is separated. As a result, a contact probe having the pattern wiring 3 bonded to the resin film 2 is manufactured. A boundary between the film-coated part and the projecting part of the pattern wiring 3 can be formed with good position accuracy.

Description

【発明の詳細な説明】DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION

【0001】[0001]

【発明の属する技術分野】本発明は、プローブピンやソ
ケットピン等として用いられ、プローブカードやテスト
用ソケット等に組み込まれて半導体ICチップや液晶デ
バイス等の各端子に接触して電気的なテストを行うコン
タクトプローブおよびその製造方法に関する。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention is used as a probe pin, a socket pin, or the like, and is incorporated in a probe card, a test socket, or the like, and contacts each terminal of a semiconductor IC chip, a liquid crystal device, or the like to perform an electrical test. And a method for manufacturing the same.

【0002】[0002]

【従来の技術】一般に、ICチップやLSIチップ等の
半導体チップ又はLCD(液晶表示体)の各端子に接触
させて電気的なテストを行うために、コンタクトピンが
用いられている。近年、ICチップ等の高集積化および
微細化に伴って電極であるコンタクトパッドが狭ピッチ
化されるとともに、コンタクトピンの多ピン狭ピッチ化
が要望されている。しかしながら、コンタクトピンとし
て用いられていたタングステン針のコンタクトプローブ
では、タングステン針の径の限界から多ピン狭ピッチへ
の対応が困難になっていた。
2. Description of the Related Art In general, a contact pin is used to conduct an electrical test by contacting a semiconductor chip such as an IC chip or an LSI chip or each terminal of an LCD (liquid crystal display). In recent years, as the integration and miniaturization of IC chips and the like have increased, the pitch of contact pads, which are electrodes, has been reduced, and the pitch of contact pins has been required to be narrower. However, with a tungsten needle contact probe used as a contact pin, it has been difficult to cope with a multi-pin narrow pitch due to the limitation of the diameter of the tungsten needle.

【0003】これに対して、例えば、特公平7−820
27号公報に、複数のパターン配線が樹脂フィルム上に
形成されこれらのパターン配線の各先端が前記樹脂フィ
ルムから突出状態に配されてコンタクトピンとされるコ
ンタクトプローブの技術が提案されている。この技術例
では、写真製版技術を用いて精密に形成されたパターン
配線の先端部をコンタクトピンとすることによって、多
ピン狭ピッチ化を図るとともに、複雑な多数の部品を不
要とするものである。
On the other hand, for example, Japanese Patent Publication No. 7-820
No. 27 proposes a contact probe technique in which a plurality of pattern wirings are formed on a resin film, and the ends of these pattern wirings are arranged so as to protrude from the resin film and serve as contact pins. In this technology example, by using a contact pin at a tip end of a pattern wiring precisely formed by using a photomechanical technology, a narrow pitch with a large number of pins is achieved, and many complicated components are not required.

【0004】ところで、図10に示すように、前記コン
タクトプローブ1の製造は、以下の工程を経て行われ
る。 図10(a)に示すように、ステンレス板5の上面に
銅めっき6を施す。 この銅層6にレジストマスク(マスク)7を形成し、
同図(b)に示すように、フォトマスク8を介して露光
・現像を行う。 同図(c)および(d)に示すように、前記により
レジストマスク7に形成された開口部 7aに、ニッケ
ルめっきNを施してパターン配線3を形成する。同図
(e)に示すように、レジストマスク7を除去した後
に、同図(f)に示すように、前記パターン配線3のう
ち、コンタクトピン3aとする部分(ポリイミド樹脂フ
ィルムPIから突出させる部分)を除いた部分の上面
に、樹脂フィルムPIを、接着剤(接着シート)2aを
介して接着させ、その後、同図(g)および(h)に示
すように、樹脂フィルムPIとパターン配線3とからな
る部分と、前記ステンレス板5と銅層6とからなる部分
とを分離させて、前記コンタクトプローブ1を作製す
る。
As shown in FIG. 10, the production of the contact probe 1 is performed through the following steps. As shown in FIG. 10A, copper plating 6 is applied to the upper surface of the stainless steel plate 5. A resist mask (mask) 7 is formed on the copper layer 6,
Exposure and development are performed via a photomask 8 as shown in FIG. As shown in FIGS. 3C and 3D, the pattern wiring 3 is formed by applying nickel plating N to the opening 7a formed in the resist mask 7 as described above. After removing the resist mask 7 as shown in FIG. 5E, as shown in FIG. 5F, a portion of the pattern wiring 3 to be a contact pin 3a (a portion to be projected from the polyimide resin film PI). ) Is adhered to the upper surface of the part excluding the resin film PI via an adhesive (adhesive sheet) 2a, and thereafter, as shown in FIGS. The contact probe 1 is manufactured by separating a portion composed of the stainless steel plate 5 and the copper layer 6 from each other.

【0005】[0005]

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上記の
製造方法によれば、上記の工程にて使用される、前記
接着シート2aおよび前記ポリイミド樹脂フィルムPI
が、予め所定形状に正確に形成されていないと次のよう
な問題が生じていた。図11は、図10(f)に示した
ように、パターン配線3に樹脂フィルムPIを接着しよ
うとする状態を示した斜視図であり、図12(a)は、
図11のX−X線矢視図である。これらの図に示すよう
に、樹脂フィルムPIおよび接着シート2aは、パター
ン配線3において該樹脂フィルムPIから突出させる基
準位置(コンタクトピン3aとなる部分の基端位置)K
に合わせて形状ないし大きさが整えられている。
However, according to the above manufacturing method, the adhesive sheet 2a and the polyimide resin film PI used in the above steps are used.
However, if it is not accurately formed in a predetermined shape in advance, the following problem occurs. FIG. 11 is a perspective view showing a state where the resin film PI is about to be bonded to the pattern wiring 3 as shown in FIG. 10 (f), and FIG.
FIG. 12 is a view taken along line XX of FIG. 11. As shown in these figures, the resin film PI and the adhesive sheet 2a are positioned at a reference position (a base end position of a portion serving as the contact pin 3a) K protruding from the resin film PI in the pattern wiring 3.
The shape or size is adjusted to suit.

【0006】そして、樹脂フィルムPIおよび接着シー
ト2aの形状が正確に形成されている場合には、図12
(b)に示すように、樹脂フィルムPIおよび接着シー
ト2aは、パターン配線3における前記基準位置Kから
はみ出ることはないが、例えば接着シート2aが若干大
きく、接着剤の量が多い場合には、図12(c)に示す
ように、パターン配線3における前記基準位置Kよりも
先方まで接着剤2aがはみ出すことがあった。同様に、
図示はしないが、樹脂フィルムPIの形状が例えば若干
でも大きいと、前記基準位置Kよりも先方まで被ること
があった。
When the shapes of the resin film PI and the adhesive sheet 2a are accurately formed, FIG.
As shown in (b), although the resin film PI and the adhesive sheet 2a do not protrude from the reference position K in the pattern wiring 3, for example, when the adhesive sheet 2a is slightly large and the amount of the adhesive is large, As shown in FIG. 12C, the adhesive 2a sometimes protrudes beyond the reference position K in the pattern wiring 3. Similarly,
Although not shown, if the shape of the resin film PI is slightly larger, for example, the resin film PI may be covered beyond the reference position K.

【0007】このように、例えば、複数本あるパターン
配線3のうち特定のものに接着剤2aが誤ってより先方
まで付着すると、そのコンタクトピン3aは、他のもの
に比べて撓み難くなり、その結果、オーバードライブ時
にそのコンタクトピン3aが接触するパッドを損傷させ
たり、あるいはそのコンタクトピン3a自身の摩耗量が
他のものと異なり、接触不良の原因となることがあっ
た。また、ある特定のパターン配線3に前記フィルムP
Iがより多く被ると、その分、フィルムPIからの突出
量(コンタクトピン3aの長さ)が小さくなり、他のコ
ンタクトピン3aに比べて撓み難くなる結果、同様の問
題を生じさせていた。
As described above, for example, if the adhesive 2a is erroneously attached to a specific one of the plurality of pattern wirings 3, the contact pin 3a is less likely to bend than the other ones. As a result, the pad contacted by the contact pin 3a may be damaged during overdrive, or the wear amount of the contact pin 3a itself may be different from that of other contact pins, resulting in poor contact. In addition, the film P
When I is larger, the amount of protrusion from the film PI (the length of the contact pin 3a) becomes smaller, and it becomes difficult to bend as compared with the other contact pins 3a, resulting in the same problem.

【0008】本発明は、上記の事情に鑑みてなされたも
ので、接着剤や樹脂フィルムを予め、所定形状に正確に
形成しておく必要がなく、前記パターン配線において、
前記樹脂フィルムを被着すべき部分とフィルムから露出
させる部分との境界を位置精度良く形成することのでき
るコンタクトプローブの製造方法を提供することを目的
とする。
The present invention has been made in view of the above circumstances, and there is no need to accurately form an adhesive or a resin film in a predetermined shape in advance.
It is an object of the present invention to provide a method of manufacturing a contact probe capable of forming a boundary between a portion to be coated with the resin film and a portion exposed from the film with high positional accuracy.

【0009】[0009]

【課題を解決するための手段】本発明は、前記課題を解
決するために以下の構成を採用した。すなわち、請求項
1記載のコンタクトプローブの製造方法では、フィルム
上に複数のパターン配線を形成しこれらのパターン配線
の各先端を前記フィルムから突出状態に配してコンタク
トピンとするコンタクトプローブの製造方法であって、
基板層の上に前記コンタクトピンの材質に被着または結
合する材質の第1の金属層を形成する第1の金属層形成
工程と、前記第1の金属層の上に第1のマスクを施して
マスクされていない部分に、前記コンタクトピンに供さ
れる第2の金属層をメッキ処理して前記パターン配線を
形成するメッキ処理工程と、前記第1のマスクを取り除
いた第2の金属層からなるパターン配線の上に、前記フ
ィルムを接着手段を用いて被着するフィルム被着工程
と、前記パターン配線の上に被着した前記フィルムの上
に第2のマスクを施してマスクされていない部分に、レ
ーザーを照射して前記フィルムおよび前記接着手段のう
ち前記コンタクトピンに供されるパターン配線を覆う部
分を除去するフィルム除去工程と、前記フィルムと第2
の金属層とからなる部分と、前記基板層と第1の金属層
とからなる部分とを分離する分離工程とを備えている技
術が採用される。
The present invention has the following features to attain the object mentioned above. That is, in the method for manufacturing a contact probe according to the first aspect, a plurality of pattern wirings are formed on a film, and the tips of the pattern wirings are arranged in a protruding state from the film to be used as contact pins. So,
A first metal layer forming step of forming a first metal layer of a material to be adhered to or bonded to the material of the contact pin on the substrate layer, and applying a first mask on the first metal layer; A plating process of plating the second metal layer provided for the contact pins on the unmasked portion to form the pattern wiring; and a plating process of removing the first mask from the second metal layer. A film applying step of applying the film using a bonding means on the pattern wiring to be formed, and applying a second mask on the film applied on the pattern wiring to an unmasked portion A film removing step of irradiating a laser to remove a portion of the film and the bonding means that covers the pattern wiring provided to the contact pin;
And a separation step of separating a portion made of the metal layer from a portion made of the substrate layer and the first metal layer.

【0010】このコンタクトプローブの製造方法では、
前記パターン配線の上に被着した前記フィルムの上に第
2のマスクを施してマスクされていない部分に、レーザ
ーを照射して前記フィルムおよび前記接着手段のうち前
記コンタクトピンに供されるパターン配線を覆う部分を
除去するフィルム除去工程を備えているため、フィルム
被着工程にて使用するフィルムや接着手段の形状を、予
め正確に形成しておく必要がない。また、第2のマスク
でマスクされていないフィルムと接着手段とをレーザー
照射により切断することから、マスクされていない領域
では、フィルムと接着手段とが完全に除去され、パター
ン配線のみを残すことができる。これにより、本来、コ
ンタクトピンとすべき部分に誤って接着剤が付着した
り、フィルムが被ることがない。また、マスクによりレ
ーザー照射領域を仕切ることができるため、前記パター
ン配線における、前記フィルムを被着すべき部分とフィ
ルムから突出させる部分との境界を位置精度良く形成す
ることができ、フィルムから突出してなるコンタクトピ
ンの長さを一定に揃えることができる。ここで、前記第
2のマスクとしては、レーザーを反射し透過させない機
能を有するもので、銅箔板やアルミ箔等の金属板が適当
である。
In this method of manufacturing a contact probe,
Applying a second mask on the film adhered on the pattern wiring and irradiating an unmasked portion with a laser to provide a pattern wiring provided to the contact pins of the film and the bonding means; Since there is provided a film removing step of removing the portion covering the film, it is not necessary to accurately form the shapes of the film and the bonding means used in the film attaching step in advance. Further, since the film and the bonding means which are not masked by the second mask are cut by laser irradiation, in the area which is not masked, the film and the bonding means are completely removed and only the pattern wiring is left. it can. As a result, there is no possibility that the adhesive is erroneously attached to the portion that should be the contact pin and that the film is not covered. In addition, since the laser irradiation area can be partitioned by the mask, the boundary between the part to be coated with the film and the part to be projected from the film in the pattern wiring can be formed with high positional accuracy, and can be projected from the film. The length of the contact pins can be made uniform. Here, the second mask has a function of reflecting and not transmitting a laser, and a metal plate such as a copper foil plate or an aluminum foil is suitable.

【0011】請求項2記載のコンタクトプローブの製造
方法では、第3の金属層が形成されたフィルムの、第3
の金属層形成面の裏面側に複数のパターン配線を形成し
これらのパターン配線の各先端を前記フィルムから突出
状態に配してコンタクトピンとするコンタクトプローブ
の製造方法であって、基板層の上に前記コンタクトピン
の材質に被着または結合する材質の第1の金属層を形成
する第1の金属層形成工程と、前記第1の金属層の上に
第1のマスクを施してマスクされていない部分に、前記
コンタクトピンに供される第2の金属層をメッキ処理し
て前記パターン配線を形成するメッキ処理工程と、フィ
ルムの上に形成された第3の金属層のうち前記パターン
配線をカバーする部分を残してエッチング処理を行い、
該エッチング処理した部分の第3の金属層を除去して該
部分に相当する前記フィルムを露出させる第3の金属層
エッチング工程と、前記第1のマスクを取り除いた第2
の金属層からなるパターン配線の上に、前記第3の金属
層エッチング工程を経たフィルムを接着手段を用いて被
着するフィルム被着工程と、前記パターン配線の上に被
着した前記フィルムに、レーザーを照射して前記フィル
ムおよび前記接着手段のうち前記第3の金属層でカバー
されていない部分を除去するフィルム除去工程と、前記
フィルムと第2の金属層とからなる部分と、前記基板層
と第1の金属層とからなる部分とを分離する分離工程と
を備えている技術が採用される。
According to a second aspect of the present invention, there is provided a method for manufacturing a contact probe, comprising:
A method for manufacturing a contact probe, in which a plurality of pattern wirings are formed on the back surface side of the metal layer forming surface, and the respective ends of these pattern wirings are arranged in a protruding state from the film to be contact pins, and the contact probe is formed on the substrate layer. A first metal layer forming step of forming a first metal layer of a material to be adhered to or bonded to the material of the contact pin, and applying a first mask on the first metal layer so as not to be masked A plating step of plating the second metal layer provided for the contact pins on the portion to form the pattern wiring; and covering the pattern wiring of the third metal layer formed on the film. Perform the etching process leaving the part to be
A third metal layer etching step of removing the third metal layer in the etched portion and exposing the film corresponding to the portion, and a second metal layer removing the first mask.
On a pattern wiring consisting of a metal layer of the above, a film applying step of applying a film having undergone the third metal layer etching step using an adhesive means, and on the film applied on the pattern wiring, A film removing step of irradiating a laser to remove a portion of the film and the bonding unit that is not covered with the third metal layer, a portion composed of the film and the second metal layer, And a separation step of separating the first metal layer and the portion made of the first metal layer.

【0012】このコンタクトプローブの製造方法では、
フィルムの上に形成された第3の金属層のうち前記パタ
ーン配線をカバーする部分を残してエッチング処理を行
い、該エッチング処理した部分の第3の金属層を除去し
て該部分に相当する前記フィルムを露出させる第3の金
属層エッチング工程を備えているため、該エッチングを
例えばマスク露光を用いて行うことにより、エッチング
領域を正確に仕切ることができる。そして、フィルム除
去工程では、前記エッチングにより第3の金属層が除去
されて露出したフィルムおよび接着手段にレーザーを照
射して該フィルムおよび接着手段を除去するため、該フ
ィルムおよび接着手段の正確に仕切られた領域が除去さ
れて、該フィルムから突出するコンタクトピンの長さを
一定に揃えることができ、また、誤って接着手段がコン
タクトピンに付着すること等もない。
In this method of manufacturing a contact probe,
An etching process is performed on the third metal layer formed on the film except for a portion covering the pattern wiring, and the third metal layer in the etched portion is removed to correspond to the portion. Since the third metal layer etching step for exposing the film is provided, the etching area can be accurately partitioned by performing the etching using, for example, mask exposure. In the film removing step, the film and the bonding means are removed by irradiating a laser to the film and the bonding means exposed by removing the third metal layer by the etching, so that the film and the bonding means are accurately partitioned. The removed area is removed so that the lengths of the contact pins protruding from the film can be made uniform, and there is no possibility that the bonding means may accidentally adhere to the contact pins.

【0013】請求項3記載のコンタクトプローブの製造
方法では、請求項1または2記載のコンタクトプローブ
の製造方法において、前記フィルム除去工程は、前記レ
ーザーの照射による手段に加えて、プラズマを用いたエ
ッチング手段により行われる技術が採用される。
According to a third aspect of the present invention, in the method of manufacturing a contact probe according to the first or second aspect, the film removing step includes etching using plasma in addition to the means by laser irradiation. Techniques performed by means are employed.

【0014】このコンタクトプローブの製造方法では、
前記フィルム除去工程が、前記レーザーの照射による手
段に加えて、プラズマを用いたエッチング手段により行
われるため、レーザーのみの場合と比べて、一層、前記
パターン配線における、前記フィルムを被着すべき部分
とフィルムから突出させる部分との境界を位置精度良く
形成することができ、かつ、はみ出した接着剤等を完全
に除去することができ、フィルムから突出してなるコン
タクトピンの長さを一定に揃えることができる。
In this method of manufacturing a contact probe,
Since the film removing step is performed by etching means using plasma in addition to the means by laser irradiation, a portion of the pattern wiring, on which the film is to be applied, is further compared with the case of only using laser. The boundary between the contact pin and the portion protruding from the film can be formed with high positional accuracy, and the adhesive or the like that has protruded can be completely removed, and the length of the contact pin protruding from the film is made uniform. Can be.

【0015】[0015]

【発明の実施の形態】以下、本発明に係るコンタクトプ
ローブの製造方法の一実施形態を図1から図9を参照し
ながら説明する。図2において、符号16はコンタクト
プローブ、2は樹脂フィルム、3はパターン配線を示し
ている。
DETAILED DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS One embodiment of a method for manufacturing a contact probe according to the present invention will be described below with reference to FIGS. 2, reference numeral 16 denotes a contact probe, 2 denotes a resin film, and 3 denotes a pattern wiring.

【0016】本実施形態のコンタクトプローブ16は、
ポリイミド製樹脂フィルム2の片面に金属で形成される
パターン配線3を張り付けた構造となっており、前記樹
脂フィルム2の端部から前記パターン配線3の先端が突
出してコンタクトピン3aとされている。
The contact probe 16 of the present embodiment is
It has a structure in which a pattern wiring 3 made of metal is attached to one surface of a polyimide resin film 2, and a tip of the pattern wiring 3 protrudes from an end of the resin film 2 to be a contact pin 3 a.

【0017】次に、図3を参照して、前記コンタクトプ
ローブ16の作製工程について工程順に説明する。
Next, with reference to FIG. 3, the steps of manufacturing the contact probe 16 will be described in the order of steps.

【0018】〔ベースメタル層形成工程(第1の金属層
形成工程)〕まず、図3の(a)に示すように、ステン
レス製の支持金属板5の上に、Cu(銅)メッキにより
ベースメタル層(第1の金属層)6を形成する。
[Base Metal Layer Forming Step (First Metal Layer Forming Step)] First, as shown in FIG. 3A, a base metal plate 5 made of stainless steel is plated with Cu (copper). A metal layer (first metal layer) 6 is formed.

【0019】〔パターン形成工程〕このベースメタル層
6の上にフォトレジスト層7を形成した後、図3の
(b)に示すように、写真製版技術により、フォトレジ
スト層7に所定のパターンのフォトマスク8を施して露
光し、図3の(c)に示すように、フォトレジスト層7
を現像して前記パターン配線3となる部分を除去して残
存するフォトレジスト層(第1のマスク)7に開口部7
aを形成する。
[Pattern Forming Step] After a photoresist layer 7 is formed on the base metal layer 6, as shown in FIG. 3B, a predetermined pattern is formed on the photoresist layer 7 by photolithography. A photomask 8 is applied and exposed, and as shown in FIG.
Is developed to remove the portion that will become the pattern wiring 3, and an opening 7 is formed in the remaining photoresist layer (first mask) 7.
a is formed.

【0020】なお、本実施形態においては、フォトレジ
スト層7をネガ型フォトレジストによって形成している
が、ポジ型フォトレジストを採用して所望の開口部7a
を形成しても構わない。また、本実施形態においては、
前記フォトレジスト層7が、本願請求項にいう「第1の
マスク」に相当する。但し、本願請求項の「第1のマス
ク」とは、本実施形態のフォトレジスト層7のように、
フォトマスク8を用いた露光・現像工程を経て開口部7
aが形成されるものに限定されるわけではない。例え
ば、メッキ処理される箇所に予め孔が形成された(すな
わち、予め、図3の(c)の符号7で示す状態に形成さ
れている)フィルム等でもよい。本発明において、この
ようなフィルム等を「第1のマスク」として用いる場合
には、本実施形態におけるパターン形成工程は不要であ
る。
In the present embodiment, the photoresist layer 7 is formed of a negative type photoresist, but a desired opening 7a is formed by employing a positive type photoresist.
May be formed. In the present embodiment,
The photoresist layer 7 corresponds to a “first mask” in the claims of the present application. However, the “first mask” in the claims of the present application is defined as the photoresist layer 7 of the present embodiment.
The opening 7 is exposed through an exposure and development process using a photomask 8.
It is not limited to the one in which a is formed. For example, a film or the like in which a hole is formed in advance in a portion to be plated (that is, the film is formed in advance in a state indicated by reference numeral 7 in FIG. 3C) may be used. In the present invention, when such a film or the like is used as the “first mask”, the pattern forming step in the present embodiment is unnecessary.

【0021】〔メッキ処理工程〕そして、図3の(d)
に示すように、前記開口部7aに前記パターン配線3と
なるNiまたはNi合金層(第2の金属層)Nを電解メ
ッキ処理により形成した後、図3の(e)に示すよう
に、フォトレジスト層7を除去する。
[Plating Step] Then, FIG.
As shown in FIG. 3, after a Ni or Ni alloy layer (second metal layer) N serving as the pattern wiring 3 is formed in the opening 7a by electrolytic plating, as shown in FIG. The resist layer 7 is removed.

【0022】〔第3の金属層エッチング工程〕次に、図
1(a)に示すように、ポリイミド樹脂フィルムPIと
銅箔(第2のマスク,第3の金属層)500とが一体に
設けられた二層テープである樹脂フィルム2に、エッチ
ング処理を行う。すなわち、前記樹脂フィルム2の銅箔
500に、写真製版技術を用いた銅エッチングを施す。
この場合のエッチング領域は、マスク露光により精密に
仕切られる。エッチング領域は、後述するフィルム被着
工程にて樹脂フィルム2をパターン配線3に被着させた
ときに前記パターン配線3をカバーする部分を除いた領
域、すなわち、コンタクトピン3aとしてパターン配線
3の先端をフィルムから突出させる領域である。そし
て、エッチング処理は、エッチング処理した部分の銅箔
500が、完全に除去されて該部分のポリイミド樹脂フ
ィルムPIが露出するまで行われる。なお、第2のマス
クないし第3の金属層としては、後述するフィルム除去
工程にて用いられるレーザーを反射して透過させない機
能があればよく、銅箔に代えて、アルミ箔やNi、Ni
合金箔等でもよい。
[Third Metal Layer Etching Step] Next, as shown in FIG. 1A, a polyimide resin film PI and a copper foil (second mask, third metal layer) 500 are provided integrally. An etching process is performed on the obtained resin film 2 which is a two-layer tape. That is, the copper foil 500 of the resin film 2 is subjected to copper etching using a photoengraving technique.
In this case, the etching region is precisely partitioned by mask exposure. The etched region is a region excluding a portion that covers the pattern wiring 3 when the resin film 2 is applied to the pattern wiring 3 in a film applying step described later, that is, a tip of the pattern wiring 3 as a contact pin 3a. Is a region in which is projected from the film. The etching process is performed until the copper foil 500 in the etched portion is completely removed and the polyimide resin film PI in the portion is exposed. Note that the second mask or the third metal layer only needs to have a function of reflecting and not transmitting a laser used in a film removing step described later. Instead of the copper foil, an aluminum foil, Ni, Ni
Alloy foil or the like may be used.

【0023】〔フィルム被着工程〕次に、図3の(f)
および図1(a)に示すように、前記NiまたはNi合
金層Nの上であって、図2に示した前記パターン配線3
の先端部、すなわち、コンタクトピン3aとしてフィル
ムから突出させる境界部分に、前記エッチングされて残
った銅箔500の境界端部を合わせた状態で、前記樹脂
フィルム2のポリイミド樹脂フィルムPI側を接着シー
ト(接着手段)2aにより前記NiまたはNi合金層N
(パターン配線3)に接着する。
[Film Adhering Step] Next, FIG.
As shown in FIG. 1A and on the Ni or Ni alloy layer N, the pattern wiring 3 shown in FIG.
The polyimide resin film PI side of the resin film 2 is bonded to the adhesive sheet in a state where the tip end of the resin film 2 is aligned with the boundary end portion of the copper foil 500 remaining after the etching, that is, the boundary portion protruding from the film as the contact pin 3a. (Adhesion means) The Ni or Ni alloy layer N
(Pattern wiring 3).

【0024】〔フィルム除去工程〕図1(b)に示すよ
うに、前記パターン配線3の上に被着した前記樹脂フィ
ルム2の銅箔500側に、レーザーを照射して、不要な
部分のポリイミド樹脂フィルムPIおよび接着シート2
aを除去する。この場合、樹脂フィルム2の銅箔500
は、レーザーを反射して該銅箔500の下のポリイミド
樹脂フィルムPIまでレーザーを透過させないため、銅
箔500の下のポリイミド樹脂フィルムPIおよび接着
シート2aは、除去されずに残る。すなわち、図1
(c)に示すように、前記第3の金属層エッチング工程
にてエッチング処理されてポリイミド樹脂フィルムPI
が露出した部分(銅箔500でカバーされない部分)お
よびその下の接着シート2aのみがレーザーにより除去
される。このとき、レーザーが照射されてもNiまたは
Ni合金層Nは除去されずに残るから、結局、パターン
配線3のうち、コンタクトピン3aとして樹脂フィルム
2から突出させたい部分についての余分なポリイミド樹
脂フィルムPIや接着シート2aが除去される。
[Film Removal Step] As shown in FIG. 1B, a laser is applied to the copper foil 500 side of the resin film 2 adhered on the pattern wiring 3 to remove unnecessary portions of the polyimide. Resin film PI and adhesive sheet 2
a is removed. In this case, the copper foil 500 of the resin film 2
Does not transmit the laser to the polyimide resin film PI under the copper foil 500 by reflecting the laser, the polyimide resin film PI under the copper foil 500 and the adhesive sheet 2a remain without being removed. That is, FIG.
As shown in (c), the polyimide resin film PI is etched in the third metal layer etching step.
Is exposed (the part not covered by the copper foil 500) and only the adhesive sheet 2a thereunder is removed by laser. At this time, even if the laser is irradiated, the Ni or Ni alloy layer N remains without being removed. The PI and the adhesive sheet 2a are removed.

【0025】〔分離工程〕そして、図3の(g)に示す
ように、樹脂フィルム2とパターン配線3とベースメタ
ル層6とからなる部分を、支持金属板5から分離させた
後、銅エッチングを経て、樹脂フィルム2にパターン配
線3のみを接着させた状態とする。
[Separation Step] Then, as shown in FIG. 3 (g), after the portion consisting of the resin film 2, the pattern wiring 3 and the base metal layer 6 is separated from the supporting metal plate 5, copper etching is performed. After that, only the pattern wiring 3 is adhered to the resin film 2.

【0026】〔金コーティング工程〕そして、露出状態
のパターン配線3に、図3の(h)に示すように、Au
メッキを施し、表面にAu層Aを形成する。このとき、
樹脂フィルム2から突出状態とされた前記コンタクトピ
ン3aでは、全周に亙る表面全体にAu層Aが形成され
る。
[Gold Coating Step] Then, as shown in FIG.
Plating is performed to form an Au layer A on the surface. At this time,
In the contact pins 3a protruding from the resin film 2, an Au layer A is formed on the entire surface over the entire circumference.

【0027】以上の工程により、図2に示すような、樹
脂フィルム2にパターン配線3を接着させたコンタクト
プローブ16が作製される。
Through the above steps, a contact probe 16 in which the pattern wiring 3 is adhered to the resin film 2 as shown in FIG. 2 is manufactured.

【0028】本実施形態では、前記第3の金属層エッチ
ング工程および前記フィルム除去工程を備えているた
め、前記従来例のように、フィルム被着工程にて使用す
る樹脂フィルム2や接着シート2aの形状を、予め正確
に形成しておく必要がない。
In the present embodiment, since the third metal layer etching step and the film removing step are provided, the resin film 2 and the adhesive sheet 2a used in the film attaching step are different from the conventional example. It is not necessary to accurately form the shape in advance.

【0029】すなわち、ポリイミド樹脂フィルムPIと
接着シート2aとをカバーする銅箔500の領域を、エ
ッチング処理により決定して、レーザー照射区域を限定
した後に、銅箔500でカバーされていないポリイミド
樹脂フィルムPIと接着シート2aとをレーザー照射に
より除去することから、銅箔500でカバーされていな
い領域では、ポリイミド樹脂フィルムPIと接着シート
2aとが完全に除去され、パターン配線3のみを残すこ
とができる。これにより、本来、コンタクトピン3aと
すべき部分に誤って接着シート2aが付着ないし進出し
たり、樹脂フィルム2(ポリイミド樹脂フィルムPI)
が被ることがない。
That is, the region of the copper foil 500 covering the polyimide resin film PI and the adhesive sheet 2a is determined by etching, and after the laser irradiation area is limited, the polyimide resin film not covered with the copper foil 500 is determined. Since the PI and the adhesive sheet 2a are removed by laser irradiation, in a region not covered with the copper foil 500, the polyimide resin film PI and the adhesive sheet 2a are completely removed, and only the pattern wiring 3 can be left. . As a result, the adhesive sheet 2a may be erroneously attached to or protruded from the portion that should be the contact pin 3a, or the resin film 2 (polyimide resin film PI)
Will not suffer.

【0030】この場合、レーザー照射区域を決める銅箔
500の領域は、マスク露光を用いたエッチング処理に
より行うため、前記パターン配線3における、前記樹脂
フィルム2を被着する(残す)部分と、樹脂フィルム2
から突出させる(樹脂フィルム2を除去する)部分との
境界を位置精度良く形成することができる。これによ
り、樹脂フィルム2から突出するコンタクトピン3aの
長さを一定に揃えることができ、また、誤って接着シー
ト2aがコンタクトピン3aに付着すること等を有効に
防止することができる。
In this case, the region of the copper foil 500 that determines the laser irradiation area is etched by mask exposure, so that the portion of the pattern wiring 3 where the resin film 2 is to be adhered (remains) and the resin Film 2
The boundary with the portion protruding from (removing the resin film 2) can be formed with high positional accuracy. Thereby, the length of the contact pins 3a protruding from the resin film 2 can be made uniform, and the adhesive sheet 2a can be effectively prevented from being erroneously attached to the contact pins 3a.

【0031】上記の製造方法を採用することに伴い、銅
箔500は、図5に示すように、コンタクトピン3aの
基端部まで設けられ、コンタクトピン3aは、銅箔50
0の先端部からの突出量が5mm以下とされている。こ
の銅箔500は、グラウンドとして用いることができ、
それにより、プローブ装置の先端近くまでインピーダン
スマッチングをとる設計が可能となり、高周波域でのテ
ストを行う場合にも反射雑音による悪影響を防ぐことが
できる。
Along with adopting the above manufacturing method, the copper foil 500 is provided up to the base end of the contact pin 3a as shown in FIG.
The protrusion amount from the leading end of the zero is 5 mm or less. This copper foil 500 can be used as a ground,
As a result, it is possible to design the impedance matching up to the vicinity of the tip of the probe device, and it is possible to prevent adverse effects due to reflected noise even when performing a test in a high frequency range.

【0032】また、樹脂フィルム2(ポリイミド樹脂P
I)に張り付けられた銅箔500には、さらに以下の利
点がある。すなわち、銅箔500が無い場合、樹脂フィ
ルム2は、ポリイミド樹脂からなっているため、水分を
吸収して伸びが生じ、図6に示すように、コンタクトピ
ン3a,3a間の間隔tが変化することがあった。その
ため、コンタクトピン3aが電極パッドの所定位置に接
触することができず、正確な電気テストを行うことがで
きないという問題があった。本実施形態では、樹脂フィ
ルム2に銅箔500を張り付けて設けることにより、湿
度が変化しても前記間隔tの変化を少なくし、コンタク
トピン3aを電極パッドの所定位置に確実に接触させる
ようになっている。
The resin film 2 (polyimide resin P
The copper foil 500 attached to I) has the following advantages. That is, when there is no copper foil 500, since the resin film 2 is made of a polyimide resin, it absorbs moisture and elongates, and as shown in FIG. 6, the interval t between the contact pins 3a, 3a changes. There was something. Therefore, there is a problem that the contact pin 3a cannot contact a predetermined position of the electrode pad, and an accurate electrical test cannot be performed. In the present embodiment, the copper foil 500 is adhered to the resin film 2 so as to reduce the change in the interval t even when the humidity changes, so that the contact pin 3a can be reliably brought into contact with a predetermined position of the electrode pad. Has become.

【0033】なお、この銅箔500には、前記フィルム
除去工程の後、第二の樹脂フィルム(図示せず)を直接
張り付けて設けてもよい。これにより、後述するプロー
ブ装置としてコンタクトプローブ16を組み込む際の締
付けに対して緩衝材となるという効果が得られる。
After the film removing step, a second resin film (not shown) may be directly attached to the copper foil 500. As a result, there is obtained an effect that it becomes a buffer against tightening when the contact probe 16 is incorporated as a probe device described later.

【0034】次に、前記コンタクトプローブ16を、I
C用プローブとして採用し、メカニカルパーツ60に組
み込んでプローブ装置(プローブカード)70にする構
成について説明する。
Next, the contact probe 16 is
The configuration adopted as a probe for C and incorporated into the mechanical part 60 to form a probe device (probe card) 70 will be described.

【0035】図4は、コンタクトプローブ16をIC用
プローブとして所定形状に切り出したものを示す図であ
り、図5は、図4のC−C線断面図である。
FIG. 4 is a view showing the contact probe 16 cut out into a predetermined shape as an IC probe, and FIG. 5 is a cross-sectional view taken along line CC of FIG.

【0036】図4に示すように、コンタクトプローブ1
6の樹脂フィルム2には、コンタクトプローブ16を位
置合わせおよび固定するための位置合わせ孔4,9が設
けられ、また、パターン配線3から得られた信号を引き
出し用配線の接触端子10を介してプリント基板20
(図7参照)に伝えるための窓11が設けられている。
As shown in FIG. 4, the contact probe 1
The resin film 2 is provided with positioning holes 4 and 9 for positioning and fixing the contact probe 16, and a signal obtained from the pattern wiring 3 is passed through the contact terminal 10 of the drawing wiring. Printed circuit board 20
(Refer to FIG. 7).

【0037】前記メカニカルパーツ60は、図7に示す
ように、マウンティングベース30と、トップクランプ
40と、ボトムクランプ50とからなっている。まず、
プリント基板20の上にトップクランプ40を取付け、
次に、コンタクトプローブ16を取り付けたマウンティ
ングベース30をトップクランプ40にボルト穴41に
ボルト42を螺合させて取り付ける(図9参照)。そし
て、ボトムクランプ50でコンタクトプローブ16を押
さえ込むことにより、パターン配線3を一定の傾斜状態
に保つとともに、下方に折曲されたコンタクトピン3a
の先端部を所定角度に設定し、該コンタクトピン3aを
ICチップに押しつける。
As shown in FIG. 7, the mechanical part 60 includes a mounting base 30, a top clamp 40, and a bottom clamp 50. First,
Attach the top clamp 40 on the printed circuit board 20,
Next, the mounting base 30 to which the contact probe 16 is attached is attached to the top clamp 40 by screwing a bolt 42 into a bolt hole 41 (see FIG. 9). Then, by holding down the contact probe 16 with the bottom clamp 50, the pattern wiring 3 is maintained in a constant inclined state, and the contact pin 3a bent downward is held.
Is set at a predetermined angle, and the contact pin 3a is pressed against the IC chip.

【0038】図8は、組立終了後のプローブ装置70を
示している。図9は、図8のE−E線断面図である。図
9に示すように、パターン配線3の先端、すなわちコン
タクトピン3aは、マウンティングベース30によりI
CチップIに接触している。
FIG. 8 shows the probe device 70 after the assembly is completed. FIG. 9 is a sectional view taken along line EE of FIG. As shown in FIG. 9, the tip of the pattern wiring 3, that is, the contact pin 3a is
It is in contact with C chip I.

【0039】前記マウンティングベース30には、コン
タクトプローブ16の位置を調整するための位置決めピ
ン31が設けられており、この位置決めピン31をコン
タクトプローブ16の前記位置合わせ穴4に挿入するこ
とにより、パターン配線3とICチップIとを正確に位
置合わせすることができるようになっている。コンタク
トプローブ16に設けられた窓11の部分の接触端子1
0に、ボトムクランプ50の弾性体51を押しつけて、
前記接触端子10をプリント基板20の電極21に接触
させ、パターン配線3から得られた信号を電極21を通
して外部に伝えることができるようになっている。
The mounting base 30 is provided with a positioning pin 31 for adjusting the position of the contact probe 16, and the positioning pin 31 is inserted into the positioning hole 4 of the contact probe 16, whereby a pattern is formed. The wiring 3 and the IC chip I can be accurately positioned. The contact terminal 1 in the portion of the window 11 provided in the contact probe 16
0, pressing the elastic body 51 of the bottom clamp 50,
The contact terminals 10 are brought into contact with the electrodes 21 of the printed circuit board 20, and signals obtained from the pattern wiring 3 can be transmitted to the outside through the electrodes 21.

【0040】上記のように構成されたプローブ装置70
を用いて、ICチップIのプローブテスト等を行う場合
は、プローブ装置70をプローバに挿着するとともにテ
スターに電気的に接続し、所定の電気信号をパターン配
線3のコンタクトピン3aからウェーハ上のICチップ
Iに送ることによって、該ICチップIからの出力信号
がコンタクトピン3aからテスターに伝送され、ICチ
ップIの電気的特性が測定される。
The probe device 70 configured as described above
When performing a probe test or the like of the IC chip I using the probe device 70, the probe device 70 is inserted into the prober and electrically connected to the tester, and a predetermined electric signal is transmitted from the contact pins 3a of the pattern wiring 3 to the wafer. By sending the signal to the IC chip I, the output signal from the IC chip I is transmitted from the contact pin 3a to the tester, and the electrical characteristics of the IC chip I are measured.

【0041】なお、本実施形態では、ポリイミド樹脂フ
ィルムPIと銅箔500とが一体になった二層テープか
らなる樹脂フィルム2を用いて、その銅箔500をレー
ザーを反射する不透過(通過)面として機能させたが、
本発明では、これに限るものではない。例えば、樹脂フ
ィルムをポリイミド樹脂フィルムの単体とし、レーザー
不透過面としては、別体のアルミ箔等を該ポリイミド樹
脂フィルムの上に位置決めしつつマスク(第2のマス
ク)として覆う方法でもよい。
In this embodiment, a resin film 2 composed of a two-layer tape in which a polyimide resin film PI and a copper foil 500 are integrated is used. Functioned as a surface,
The present invention is not limited to this. For example, a method may be used in which the resin film is made of a single polyimide resin film, and the laser impermeable surface is covered with a mask (second mask) while positioning a separate aluminum foil or the like on the polyimide resin film.

【0042】また、本実施形態では、フィルム除去工程
において、レーザーを照射する手段を用いたが、該手段
の後にプラズマを用いたエッチング手段を用いてもよ
い。
In this embodiment, a means for irradiating a laser is used in the film removing step, but an etching means using plasma may be used after the means.

【0043】さらに、本実施形態では、前記コンタクト
プローブ16をIC検査用として用いたが、本発明のコ
ンタクトプローブの用途がこれに限定されないことは勿
論である。すなわち、コンタクトプローブの切り出し形
状および該コンタクトプローブを保持するメカニカルパ
ーツを適宜のものに変更することにより、例えば、特開
平6−317788号等に開示された半導体チップソケ
ットや、特願平8−169701号等に開示された液晶
表示体(LCD)テスト用にも適用可能であることはい
うまでもない。
Further, in the present embodiment, the contact probe 16 is used for IC inspection. However, it goes without saying that the application of the contact probe of the present invention is not limited to this. That is, by changing the cut-out shape of the contact probe and the mechanical parts holding the contact probe to appropriate ones, for example, a semiconductor chip socket disclosed in Japanese Patent Application Laid-Open No. Hei 6-317788 or Japanese Patent Application No. 8-169701. It is needless to say that the present invention is also applicable to a liquid crystal display (LCD) test disclosed in Japanese Patent Application Publication No.

【0044】[0044]

【発明の効果】請求項1記載のコンタクトプローブの製
造方法によれば、前記パターン配線の上に被着した前記
フィルムの上に第2のマスクを施してマスクされていな
い部分に、レーザーを照射して前記フィルムおよび前記
接着手段のうち前記コンタクトピンに供されるパターン
配線を覆う部分を除去するフィルム除去工程を備えてい
るため、フィルム被着工程にて使用するフィルムや接着
手段の形状を、予め正確に形成しておく必要がないとい
う効果が得られる。また、第2のマスクでマスクされて
いないフィルムと接着手段とをレーザー照射により切断
することから、マスクされていない領域では、フィルム
と接着手段とが完全に除去され、パターン配線のみを残
すことができる。これにより、本来、コンタクトピンと
すべき部分に誤って接着剤が付着したり、フィルムが被
ることがない。また、マスクによりレーザー照射領域を
仕切ることができるため、前記パターン配線における、
前記フィルムを被着すべき部分とフィルムから突出させ
る部分との境界を位置精度良く形成することができ、フ
ィルムから突出してなるコンタクトピンの長さを一定に
揃えることができる。
According to the method of manufacturing a contact probe according to the present invention, a laser beam is applied to a portion which is not masked by applying a second mask on the film adhered on the pattern wiring. And the film and the bonding means of the film removing step of removing the portion covering the pattern wiring provided to the contact pins, the shape of the film and the bonding means used in the film attaching step, An effect is obtained that it is not necessary to form them accurately in advance. Further, since the film and the bonding means which are not masked by the second mask are cut by laser irradiation, in the area which is not masked, the film and the bonding means are completely removed and only the pattern wiring is left. it can. As a result, there is no possibility that the adhesive is erroneously attached to the portion that should be the contact pin and that the film is not covered. Further, since the laser irradiation region can be partitioned by a mask, in the pattern wiring,
The boundary between the portion on which the film is to be applied and the portion protruding from the film can be formed with high positional accuracy, and the length of the contact pins protruding from the film can be made uniform.

【0045】請求項2記載のコンタクトプローブの製造
方法によれば、フィルムの上に形成された第3の金属層
のうち前記パターン配線をカバーする部分を残してエッ
チング処理を行い、該エッチング処理した部分の第3の
金属層を除去して該部分に相当する前記フィルムを露出
させる第3の金属層エッチング工程を備えているため、
該エッチングを例えばマスク露光を用いて行うことによ
り、エッチング領域を正確に仕切ることができる。そし
て、フィルム除去工程では、前記エッチングにより第3
の金属層が除去されて露出したフィルムおよび接着手段
にレーザーを照射して該フィルムおよび接着手段を除去
するため、該フィルムおよび接着手段の正確に仕切られ
た領域が除去されて、該フィルムから突出するコンタク
トピンの長さを一定に揃えることができ、また、誤って
接着手段がコンタクトピンに付着すること等もない。
According to the method for manufacturing a contact probe of the second aspect, the etching process is performed while leaving the portion of the third metal layer formed on the film which covers the pattern wiring, and the etching process is performed. A third metal layer etching step of removing the third metal layer of the portion to expose the film corresponding to the portion,
By performing the etching using, for example, mask exposure, an etched region can be accurately partitioned. In the film removing step, the third etching is performed.
A laser is applied to the exposed film and the bonding means from which the metal layer has been removed to remove the film and the bonding means, so that precisely separated areas of the film and the bonding means are removed and project from the film. The length of the contact pins to be formed can be made uniform, and there is no possibility that the bonding means accidentally adheres to the contact pins.

【0046】請求項3記載のコンタクトプローブの製造
方法によれば、前記フィルム除去工程が、前記レーザー
の照射による手段に加えて、プラズマを用いたエッチン
グ手段により行われるため、レーザーのみの場合と比べ
て、一層、前記パターン配線における、前記フィルムを
被着すべき部分とフィルムから突出させる部分との境界
を位置精度良く形成することができ、フィルムから突出
してなるコンタクトピンの長さを一定に揃えることがで
きる。
According to the method for manufacturing a contact probe of the present invention, the film removing step is performed by etching means using plasma in addition to the means for irradiating the laser. Thus, the boundary between the portion on which the film is to be applied and the portion protruding from the film in the pattern wiring can be formed with high positional accuracy, and the lengths of the contact pins protruding from the film are made uniform. be able to.

【図面の簡単な説明】[Brief description of the drawings]

【図1】 本発明に係るコンタクトプローブの製造方法
の一実施形態の特徴部分を示す要部側断面図である。
FIG. 1 is a sectional side view of a main part showing a characteristic portion of one embodiment of a method for manufacturing a contact probe according to the present invention.

【図2】 前記一実施形態におけるコンタクトプローブ
を示す要部斜視図である。
FIG. 2 is a perspective view of a main part showing a contact probe in the embodiment.

【図3】 前記一実施形態における製造方法を工程順に
示す要部正断面図である。
FIG. 3 is a fragmentary sectional front view showing the manufacturing method in the embodiment in the order of steps;

【図4】 前記一実施形態におけるコンタクトプローブ
を示す平面図である。
FIG. 4 is a plan view showing a contact probe according to the embodiment.

【図5】 図4のC−C線断面図である。FIG. 5 is a sectional view taken along line CC of FIG. 4;

【図6】 前記一実施形態におけるコンタクトプローブ
を示す正断面図である。
FIG. 6 is a front sectional view showing the contact probe according to the embodiment.

【図7】 前記一実施形態におけるコンタクトプローブ
を組み込んだプローブ装置の一例を示す分解斜視図であ
る。
FIG. 7 is an exploded perspective view showing an example of a probe device incorporating the contact probe according to the embodiment.

【図8】 前記プローブ装置の一例を示す要部斜視図で
ある。
FIG. 8 is a perspective view of a main part showing an example of the probe device.

【図9】 図8のE−E線断面図である。FIG. 9 is a sectional view taken along line EE of FIG. 8;

【図10】 従来のコンタクトプローブの製造方法の一
例を工程順に示す要部正断面図である。
FIG. 10 is a fragmentary front sectional view showing an example of a conventional method for manufacturing a contact probe in the order of steps.

【図11】 従来のコンタクトプローブの製造方法の一
例を示す斜視図である。
FIG. 11 is a perspective view showing an example of a conventional method for manufacturing a contact probe.

【図12】 従来のコンタクトプローブの製造方法の一
例の欠点を示す要部側断面図である。
FIG. 12 is a side sectional view of a main part showing a defect of an example of a conventional method for manufacturing a contact probe.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

2 フィルム(樹脂フィルム) 2a 接着手段(接着シート) 3 パターン配線 3a コンタクトピン 5 基板層(支持金属板) 6 第1の金属層(ベースメタル層) 7 第1のマスク(フォトレジスト層) 7a 開口部(マスクされていない部分) N 第2の金属層(NiまたはNi合金層) 16 コンタクトプローブ 500 第2のマスク,第3の金属層(銅箔) 2 Film (resin film) 2a Adhesion means (adhesive sheet) 3 Pattern wiring 3a Contact pin 5 Substrate layer (support metal plate) 6 First metal layer (base metal layer) 7 First mask (photoresist layer) 7a Opening Part (unmasked part) N Second metal layer (Ni or Ni alloy layer) 16 Contact probe 500 Second mask, third metal layer (copper foil)

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 植木 光芳 兵庫県三田市テクノパーク十二番の六 三 菱マテリアル株式会社三田工場内 ────────────────────────────────────────────────── ─── Continuing on the front page (72) Inventor Mitsuyoshi Ueki Inside the Mita Plant, 12th Techno Park, Mita City, Hyogo Prefecture

Claims (3)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】 フィルム上に複数のパターン配線を形成
しこれらのパターン配線の各先端を前記フィルムから突
出状態に配してコンタクトピンとするコンタクトプロー
ブの製造方法であって、 基板層の上に前記コンタクトピンの材質に被着または結
合する材質の第1の金属層を形成する第1の金属層形成
工程と、 前記第1の金属層の上に第1のマスクを施してマスクさ
れていない部分に、前記コンタクトピンに供される第2
の金属層をメッキ処理して前記パターン配線を形成する
メッキ処理工程と、 前記第1のマスクを取り除いた第2の金属層からなるパ
ターン配線の上に、前記フィルムを接着手段を用いて被
着するフィルム被着工程と、 前記パターン配線の上に被着した前記フィルムの上に第
2のマスクを施してマスクされていない部分に、レーザ
ーを照射して前記フィルムおよび前記接着手段のうち前
記コンタクトピンに供されるパターン配線を覆う部分を
除去するフィルム除去工程と、 前記フィルムと第2の金属層とからなる部分と、前記基
板層と第1の金属層とからなる部分とを分離する分離工
程とを備えていることを特徴とするコンタクトプローブ
の製造方法。
1. A method for manufacturing a contact probe, wherein a plurality of pattern wirings are formed on a film, and the respective ends of the pattern wirings are arranged in a protruding state from the film to form contact pins. A first metal layer forming step of forming a first metal layer of a material to be adhered to or bonded to the material of the contact pin; and a portion which is not masked by applying a first mask on the first metal layer A second pin provided to the contact pin
A plating process of plating the metal layer to form the pattern wiring, and applying the film by using an adhesive means on the pattern wiring of the second metal layer from which the first mask has been removed. Applying a second mask on the film adhered on the pattern wiring, and irradiating a laser to an unmasked portion of the film, and contacting the film and the bonding means in the bonding means. A film removing step of removing a portion covering the pattern wiring provided for the pin; separating the portion consisting of the film and the second metal layer from the portion consisting of the substrate layer and the first metal layer And a method of manufacturing a contact probe.
【請求項2】 第3の金属層が形成されたフィルムの、
第3の金属層形成面の裏面側に複数のパターン配線を形
成しこれらのパターン配線の各先端を前記フィルムから
突出状態に配してコンタクトピンとするコンタクトプロ
ーブの製造方法であって、 基板層の上に前記コンタクトピンの材質に被着または結
合する材質の第1の金属層を形成する第1の金属層形成
工程と、 前記第1の金属層の上に第1のマスクを施してマスクさ
れていない部分に、前記コンタクトピンに供される第2
の金属層をメッキ処理して前記パターン配線を形成する
メッキ処理工程と、 フィルムの上に形成された第3の金属層のうち前記パタ
ーン配線をカバーする部分を残してエッチング処理を行
い、該エッチング処理した部分の第3の金属層を除去し
て該部分に相当する前記フィルムを露出させる第3の金
属層エッチング工程と、 前記第1のマスクを取り除いた第2の金属層からなるパ
ターン配線の上に、前記第3の金属層エッチング工程を
経たフィルムを接着手段を用いて被着するフィルム被着
工程と、 前記パターン配線の上に被着した前記フィルムに、レー
ザーを照射して前記フィルムおよび前記接着手段のうち
前記第3の金属層でカバーされていない部分を除去する
フィルム除去工程と、 前記フィルムと第2の金属層とからなる部分と、前記基
板層と第1の金属層とからなる部分とを分離する分離工
程とを備えていることを特徴とするコンタクトプローブ
の製造方法。
2. The film on which the third metal layer is formed,
A method of manufacturing a contact probe, wherein a plurality of pattern wirings are formed on the back surface side of a third metal layer forming surface, and the tips of these pattern wirings are arranged so as to protrude from the film to form contact pins. A first metal layer forming step of forming a first metal layer of a material to be adhered to or bonded to the material of the contact pin, and applying a first mask on the first metal layer to be masked A second portion provided to the contact pin
A plating process of plating the metal layer to form the pattern wiring, and performing an etching process while leaving a portion of the third metal layer formed on the film that covers the pattern wiring. A third metal layer etching step of removing the third metal layer in the treated portion to expose the film corresponding to the portion, and a pattern wiring of the second metal layer from which the first mask is removed. A film applying step of applying the film having undergone the third metal layer etching step using an adhesive means, and irradiating a laser to the film applied on the pattern wiring, and A film removing step of removing a portion of the bonding means that is not covered by the third metal layer; a portion consisting of the film and the second metal layer; A method for manufacturing a contact probe, comprising: a separation step of separating the substrate layer and a portion made of the first metal layer.
【請求項3】 請求項1または2記載のコンタクトプロ
ーブの製造方法において、 前記フィルム除去工程は、前記レーザーの照射による手
段に加えて、プラズマを用いたエッチング手段により行
われることを特徴とするコンタクトプローブの製造方
法。
3. The method of manufacturing a contact probe according to claim 1, wherein said film removing step is performed by etching means using plasma in addition to said means by laser irradiation. Probe manufacturing method.
JP25392897A 1997-09-18 1997-09-18 Manufacture for contact probe Pending JPH1194876A (en)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP25392897A JPH1194876A (en) 1997-09-18 1997-09-18 Manufacture for contact probe

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP25392897A JPH1194876A (en) 1997-09-18 1997-09-18 Manufacture for contact probe

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JPH1194876A true JPH1194876A (en) 1999-04-09

Family

ID=17257981

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP25392897A Pending JPH1194876A (en) 1997-09-18 1997-09-18 Manufacture for contact probe

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JPH1194876A (en)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2003004768A (en) * 2001-06-19 2003-01-08 Hioki Ee Corp High-frequency probe

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2003004768A (en) * 2001-06-19 2003-01-08 Hioki Ee Corp High-frequency probe

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JPH10142259A (en) Manufacture of contact probe, contact probe using same, and probe device provided with contact probe
JP3204146B2 (en) Contact probe, method of manufacturing the same, and probe device provided with contact probe
JP3446607B2 (en) Method of manufacturing contact pin and contact probe
JPH1194876A (en) Manufacture for contact probe
JPH10221370A (en) Contact probe and its manufacture, and probe apparatus having contact probe
JPH1116961A (en) Metallic material having bent part, molding thereof, contact probe using above metallic material and manufacture thereof
JPH10185951A (en) Contact probe, probe device having the same and manufacture of contact probe
JP3346279B2 (en) Contact probe, probe device having the same, and method of manufacturing contact probe
JP3822724B2 (en) Contact probe manufacturing method
JPH10288629A (en) Contact probe and probe device provided with this
JP2003057266A (en) Contact probe and manufacturing method therefor
JP3204120B2 (en) Contact probe and probe device having the same
JP3446636B2 (en) Contact probe and probe device
JPH1138043A (en) Contact probe and manufacture thereof
JPH10221371A (en) Contact probe and its manufacture and probe apparatus having the contact probe
JPH10339740A (en) Probe device
JPH10239353A (en) Contact probe and probe apparatus with the same and manufacture for contact probe
JP2000346877A (en) Contact probe and its manufacture, and probe device using the contact probe, and its manufacture
JPH1164380A (en) Molding method for metallic body with bent part and manufacture of contact probe using the method
JPH10239352A (en) Probe apparatus
JPH11352151A (en) Contact probe and probe device equipped with it and manufacture of contact probe
JPH10300783A (en) Contact probe and probe apparatus with the same
JPH1194910A (en) Probe inspection device
JPH10185950A (en) Contact probe, probe device having the same and manufacture of contact probe
JP3822683B2 (en) Contact probe and probe apparatus using the same

Legal Events

Date Code Title Description
A02 Decision of refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02

Effective date: 20020806