JPH1190820A - Wafer polishing template and wafer peeling method utilizing it - Google Patents

Wafer polishing template and wafer peeling method utilizing it

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JPH1190820A
JPH1190820A JP26797797A JP26797797A JPH1190820A JP H1190820 A JPH1190820 A JP H1190820A JP 26797797 A JP26797797 A JP 26797797A JP 26797797 A JP26797797 A JP 26797797A JP H1190820 A JPH1190820 A JP H1190820A
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JP
Japan
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wafer
water
template
peripheral side
blank material
Prior art date
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Pending
Application number
JP26797797A
Other languages
Japanese (ja)
Inventor
Junichi Ueno
淳一 上野
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Shin Etsu Handotai Co Ltd
Original Assignee
Shin Etsu Handotai Co Ltd
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Filing date
Publication date
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Publication of JPH1190820A publication Critical patent/JPH1190820A/en
Pending legal-status Critical Current

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Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To stably and surely peel a polished wafer in a short time by providing a passage constituted of a groove, a hole, or a recessed path penetrating to the inner peripheral side from the outer peripheral side of a ring-like blank material. SOLUTION: A spout nozzle head 10 is fitted to the outer peripheral section of a template 20, then water 5 with the prescribed pressure is fed to water spout ports 8 from a water feed path 9 via a passage provided in the nozzle head 10. Since the space pinched by an O-ring 7 and the template 20 is liquid- tightly sealed, the water 5 spouted from the water spout ports 8 flows into the whole outer peripheral section of the template 20 and is spouted to the inner peripheral side of the template 20 through the passages formed in the blank material 2 of the template 20. The water 5 infiltrates between a packing pad 3 and a wafer 4, and the wafer 4 can be floated and peeled.

Description

【発明の詳細な説明】DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION

【0001】[0001]

【発明の属する技術分野】本発明は、ウエーハ研磨用テ
ンプレートと該テンプレートを利用したウエーハ剥がし
方法に係り、特に研磨終了後に水貼り面を介してバッキ
ングパッドに吸着されているウエーハを、短時間で安定
且つ確実に剥がすことの出来るテンプレートの提供とウ
エーハ剥がし方法に関する。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a wafer polishing template and a method of removing a wafer using the template, and more particularly to a method of removing a wafer adsorbed on a backing pad via a water-applied surface after polishing, in a short time. The present invention relates to the provision of a template that can be stably and reliably peeled off and a method of peeling a wafer.

【0002】[0002]

【従来の技術】従来よりバッキングパッド上に略リング
状ブランク材を配し該ブランク材内周側にウエーハ保持
用空間(ポケット)102Aを設けたウエーハ研磨用テ
ンプレートは公知であり、かかるテンプレートを用いた
研磨装置では、図6(B)に示すように加工ヘッドプレ
ート106上に枚葉タイプのリング状ブランク材102
等からなるテンプレート107を接着剤で貼付するとと
もに、テンプレート107のバッキングパッド103に
保水を行い、該水の表面張力及びリング状ブランク材1
02を利用しウエーハ4を保持させ研磨を行う方法があ
る。
2. Description of the Related Art A wafer polishing template in which a substantially ring-shaped blank material is disposed on a backing pad and a wafer holding space (pocket) 102A is provided on the inner peripheral side of the blank material is conventionally known. As shown in FIG. 6 (B), the single-wafer type ring-shaped blank 102
The template 107 is adhered with an adhesive, water is retained on the backing pad 103 of the template 107, and the surface tension of the water and the ring-shaped blank 1
There is a method of holding and polishing the wafer 4 by using the wafer 02.

【0003】かかるテンプレートは、バッキングパッド
103の上にウエーハ4より大きい断面が方形のリング
状のガラスエポキシ材、またはポリカーボネート材から
なるリング状ブランク材で構成されている。
Such a template is formed of a ring-shaped blank made of a glass epoxy material or a polycarbonate material having a rectangular cross section larger than the wafer 4 on the backing pad 103.

【0004】そして実際の研磨工程では、このテンプレ
ートのポケットに研磨するウエーハと水を押し込むこと
により、該ウエーハをバッキングパッドと水との表面張
力により保持された状態で研磨される。
In the actual polishing step, a wafer to be polished and water are pushed into the pockets of the template, whereby the wafer is polished while being held by the surface tension of the backing pad and water.

【0005】このようにバッキングパッドの水貼り面
(保水面)に吸着保持されているウエーハは研磨終了
後、従来は図6に示す方法によって剥がされていた。即
ち従来のウエーハ剥し方法は、ウエーハよりひと周り程
大きいテンプレートを用い、具体的には例えば300m
mφのウエーハを保持する場合に、前記ガラスエポキシ
材等で形成されたブランク材内径を略303mmφ程度
に設定して、ブランク材とウエーハ間の隙間を片側平均
約1.5mm(実際はウエーハの片寄りにより0mm〜
3mm程度の幅で偏りがある)にし、該ブランク材とウ
エーハ端面の隙間102Aに、斜め位置より直径1mm
程のノズル104から水5を前記隙間に噴出させてウエ
ーハとバッキングパッド間に水が侵入させることにより
ウエーハをパッド表面に出来た水面に浮かせることによ
りウエーハ剥がしを行なっていた。
[0005] The wafer adsorbed and held on the water-applied surface (water-retaining surface) of the backing pad has been conventionally peeled off by the method shown in FIG. 6 after polishing is completed. That is, the conventional wafer stripping method uses a template that is about one size larger than the wafer.
When holding a wafer of mφ, the inner diameter of the blank material formed of the above-mentioned glass epoxy material or the like is set to about 303 mmφ, and the gap between the blank material and the wafer is about 1.5 mm on one side on average (actually, the wafer is offset). 0mm ~
The width is about 3 mm and there is an unevenness).
The water 5 is ejected from the nozzle 104 into the gap to allow water to enter between the wafer and the backing pad, thereby floating the wafer on the water surface formed on the pad surface, thereby removing the wafer.

【0006】[0006]

【発明が解決しようとする課題】しかしながら前記研磨
工程におけるウエーハの剥がし方法は、前記ブランク材
とウエーハの隙間に水を噴出させる構成を取る事から、
前記隙間が十分でない場合に、水の噴出によりウエーハ
を押さえつけてしまう恐れがある。このため前記従来装
置においては、水噴出位置にある程度の隙間量が必要で
あり、この為ウエーハが前記ブランク材内のポケット空
間で偏って保持されることとなる。従って前記ウエーハ
の片寄りにより0mm〜3mm程度の幅で前記偏り位置
がポケット円周方向に変化し、この為、ウエーハとバッ
キングパッド間に円滑に水を侵入させる為には、ノズル
位置を前記隙間の最大位置に設定する必要がある。
However, the method of peeling the wafer in the polishing step employs a structure in which water is jetted into a gap between the blank material and the wafer.
If the gap is not sufficient, there is a possibility that the wafer may be pressed down by the ejection of water. For this reason, in the above-mentioned conventional apparatus, a certain amount of gap is required at the water jetting position, so that the wafer is unevenly held in the pocket space in the blank material. Therefore, the offset position changes in the circumferential direction of the pocket with a width of about 0 mm to 3 mm due to the offset of the wafer. Therefore, in order to allow water to smoothly enter between the wafer and the backing pad, the nozzle position must be set to the gap. Must be set to the maximum position.

【0007】この為従来装置においては、テンプレート
を回転させ前記最大隙間位置にノズル噴出位置を設定し
て水を噴出するなどの対応が必要であり、この為ウエー
ハを剥がす時間がかかり過ぎていた。
For this reason, in the conventional apparatus, it is necessary to take measures such as rotating the template, setting the nozzle ejection position at the maximum gap position and ejecting water, and it takes too much time to peel off the wafer.

【0008】また、前記剥がし方法ではウエーハを剥が
す為の水をガラスエポキシ材等とウエーハ端面の隙間を
狙って噴出させていても、水量・水圧等の変化により、
毎回正常に隙間に入らず、逆にウエーハを押さえる方向
に作用し、剥がしづらくなることもあった。
Further, in the above-mentioned peeling method, even if water for peeling the wafer is spouted aiming at a gap between the glass epoxy material or the like and the end face of the wafer, a change in water amount, water pressure, etc.
In some cases, it did not normally enter the gap, but acted in the direction of holding down the wafer, making it difficult to peel it off.

【0009】一方、近年、研磨機の研磨速度は向上し、
テンプレートよりウエーハを剥がす時間が加工時間内に
終了せず、これが律速段階となり装置能力を低下させる
ことがあった。本発明はこのような研磨終了後のウエー
ハを、短時間で安定且つ確実に剥がすことの出来るテン
プレートと該テンプレートを利用したウエーハ剥がし方
法を提供することにある。
On the other hand, in recent years, the polishing rate of a polishing machine has been improved,
The time for peeling the wafer from the template did not end within the processing time, and this became the rate-determining stage, which sometimes reduced the capability of the apparatus. An object of the present invention is to provide a template capable of stably and reliably peeling a wafer after polishing as described above and a wafer peeling method using the template.

【0010】[0010]

【課題を解決するための手段】請求項1記載の発明は、
バッキングパッド上に略リング状ブランク材を配し該ブ
ランク材内周側にウエーハ保持用空間を設けたウエーハ
研磨用テンプレートにおいて、前記リング状ブランク材
の外周側より内周側に貫通する溝、穴若しくは凹設路等
からなる流路を設けたことを特徴とする研磨用テンプレ
ートを提案する。この流路は1つでもよいが、好ましく
はテンプレート(ウエーハ)の中心から放射状に5°〜
90°の間隔で設ける。
According to the first aspect of the present invention,
In a wafer polishing template in which a substantially ring-shaped blank material is disposed on a backing pad and a wafer holding space is provided on an inner peripheral side of the blank material, grooves and holes penetrating from the outer peripheral side to the inner peripheral side of the ring-shaped blank material are provided. Alternatively, a polishing template characterized by providing a flow path composed of a recessed path or the like is proposed. This channel may be one, but is preferably 5 ° to 5 ° radially from the center of the template (wafer).
Provided at 90 ° intervals.

【0011】又前記流体は一般に水を用いるが、水以外
の液体若しくはクリーンエア等の気体若しくは気液混合
流体を用いてもよい。従ってバッキングパッドは必ずし
も保水パッドに限定されず、乾式パッドを用いてクリー
ンエアで剥がす場合も含む。
Although the fluid generally uses water, a liquid other than water, a gas such as clean air, or a gas-liquid mixed fluid may be used. Therefore, the backing pad is not necessarily limited to the water retention pad, and includes a case where the backing pad is peeled off with clean air using a dry pad.

【0012】請求項2記載の発明は、かかるテンプレー
トを用いたウエーハ剥がし方法にあり、バッキングパッ
ド上に略リング状ブランク材を有するテンプレート内に
保持されたウエーハを研磨した後、該ウエーハを剥がす
際に、前記ブランク材外周側より内周側に貫通する流路
を設け、該流路の外周側より内周側に向け流体を噴出さ
せて、バッキングパッドとウエーハ間に前記流体を侵入
させて(ウエーハを浮き上がらせて)剥がすことを特徴
とする。
A second aspect of the present invention is a method of removing a wafer using such a template, wherein the wafer held in a template having a substantially ring-shaped blank material on a backing pad is polished, and then the wafer is removed. A flow path penetrating from the outer peripheral side to the inner peripheral side of the blank material is provided, and a fluid is ejected from the outer peripheral side of the flow path toward the inner peripheral side so that the fluid enters between the backing pad and the wafer ( It is characterized in that the wafer is lifted off).

【0013】請求項3記載の発明は、請求項2記載のウ
エーハ剥がし方法を好適に実施するための発明に係わ
り、前記バッキングパッドが保水された水貼りパッドで
あり、該パッドの水貼り面を介して前記ウエーハが保持
されているウエーハ剥がし方法において、前記流路をブ
ランク材円周方向に所定間隔存して中心方向より放射状
に複数個設け、該複数の流路より水を噴出させて、前記
パッド水貼り面とウエーハ間を剥がすことを特徴とす
る。
According to a third aspect of the present invention, there is provided a method for suitably implementing the wafer peeling method according to the second aspect, wherein the backing pad is a water-applied pad having water retained thereon, and In a wafer peeling method in which the wafer is held through, a plurality of the flow paths are provided radially from the center direction at predetermined intervals in the blank material circumferential direction, and water is ejected from the plurality of flow paths, The method is characterized in that a portion between the pad-water-applied surface and the wafer is peeled off.

【0014】[0014]

【発明の実施の形態】以下、図面を参照して本発明の好
適な実施形態を例示的に詳しく説明する。但しこの実施
形態に記載されている構成部品の寸法、材質、形状、そ
の相対的配置等は特に特定的な記載がないかぎりは、こ
の発明の範囲をそれに限定する趣旨ではなく、単なる説
明例にすぎない。図1乃至図3は本発明の実施形態に係
るテンプレートの構成図で、図1は中央縦断面図、図2
は図1のA−A線断面図である。図3は流路の穿設位置
を示すテンプレートの図1のB矢視拡大斜視図である。
DETAILED DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS Preferred embodiments of the present invention will now be described in detail with reference to the drawings. However, the dimensions, materials, shapes, relative arrangements, and the like of the components described in this embodiment are not intended to limit the scope of the present invention unless otherwise specified, and are merely illustrative examples. Only. 1 to 3 are configuration diagrams of a template according to an embodiment of the present invention. FIG.
FIG. 2 is a sectional view taken along line AA of FIG. 1. FIG. 3 is an enlarged perspective view of the template showing the drilling position of the flow path as viewed from the direction indicated by the arrow B in FIG.

【0015】これらの図においてバッキングパッド3に
ガラスエポキシ材等からなる断面が方形のリング状のブ
ランク材2を接着し、このブランク材2に流路1を設け
てある。この流路1はリング状ブランク材2の外周側よ
り内周側に貫通する溝、穴若しくは凹設路からなり、該
流路をブランク材円周方向に所定間隔存して中心方向よ
り放射状に複数個形成している。流路(溝)1の大き
さ、溝を設ける数、溝の形状等は、対象のウエーハの大
きさ、厚さ及びブランク材の厚さ及び強度により適宜決
めるものであるが、本実施例においては、流路1の開口
径は0.3mm〜0.8mm程度の略円形若しくは楕円形
貫通孔、更には断面が方形の貫通孔で形成している。
In these figures, a ring-shaped blank 2 made of a glass epoxy material or the like and having a rectangular cross section is bonded to a backing pad 3, and a flow path 1 is provided in the blank 2. The flow path 1 is formed of a groove, a hole, or a recessed path penetrating from the outer peripheral side to the inner peripheral side of the ring-shaped blank material 2. A plurality is formed. The size of the flow path (groove) 1, the number of grooves to be provided, the shape of the groove, and the like are appropriately determined according to the size, thickness, and thickness and strength of the blank of the target wafer. Is formed by a substantially circular or elliptical through hole having an opening diameter of the flow channel 1 of about 0.3 mm to 0.8 mm, and a through hole having a rectangular cross section.

【0016】具体的には流路1は図3に示すように、厚
さが770μmのブランク材2の場合に、周方向長さ
(幅)1.0mm、厚さ700μmの横幅広楕円貫通孔
の流路(溝)を12箇所設けた。又貫通方向は水平方向
でも又内周側に向け僅かに下向きに貫通させてもよく、
いずれにしてもバッキングパッド3とウエーハ間に前記
水5が侵入可能な位置と方向及び口径に設定するが、ま
た、貫通孔の内周側開口位置をあらかじめバッキングパ
ッド3側(ウエーハが貼り付けられている側)の近くに
設けることで、この侵入効果がより増す。
Specifically, as shown in FIG. 3, when the blank 1 is 770 μm thick, the flow path 1 has a wide elliptical through-hole having a circumferential length (width) of 1.0 mm and a thickness of 700 μm. 12 channels (grooves) were provided. The penetration direction may be horizontal or slightly downward toward the inner peripheral side,
In any case, the position, the direction, and the diameter of the water 5 that can enter between the backing pad 3 and the wafer are set, and the inner peripheral opening position of the through hole is set in advance on the backing pad 3 side (where the wafer is attached). (A side near the side where the light is emitted), the penetration effect is further increased.

【0017】従って、流路1の形状は特に限定されるも
のではなく前記外周側より内周側に貫通するU字状溝、
穴若しくは凹設路でもよい。また流路1を設ける位置は
5°〜90°の間隔で全周に亙り形成する。本実施例の
場合は30°間隔で12箇所程度設定している。
Accordingly, the shape of the flow path 1 is not particularly limited, and a U-shaped groove penetrating from the outer peripheral side to the inner peripheral side,
It may be a hole or a recessed path. The position where the flow path 1 is provided is formed over the entire circumference at an interval of 5 ° to 90 °. In the case of the present embodiment, about 12 points are set at intervals of 30 °.

【0018】図4及び図5は前記実施形態に係るウエー
ハ剥がし方法の概念図で、図4は流路1よりのウエーハ
剥がし水5の噴出状態、図5は該ウエーハ剥がし水5の
供給装置の一例を示す概念図である。図4において、6
は加工ヘッドで、バッキングパッド3裏面を接着してこ
のテンプレート20を固定している。(テンプレート2
0はバッキングパッド3とブランク材2からなる。)
FIGS. 4 and 5 are conceptual diagrams of the wafer peeling method according to the above-described embodiment. FIG. 4 shows a state in which the wafer peeling water 5 is ejected from the flow path 1, and FIG. 5 shows an apparatus for supplying the wafer peeling water 5. It is a conceptual diagram showing an example. In FIG.
Is a processing head, which fixes the template 20 by bonding the back surface of the backing pad 3. (Template 2
Reference numeral 0 denotes a backing pad 3 and a blank 2. )

【0019】図5において7はOリング、10は水噴出
口8と水供給口9を有する噴射ノズルヘッドで、該ノズ
ルヘッド本体10aは加工ヘッド6とテンプレート20
外周を所定クリアランスを介して周回するリング円柱状
をなし、その底面内周側にブランク材2下面と接触させ
液密を図るリング片10bを設けると共に、加工ヘッド
6側にOリング7を介装させ、水噴出口8と流路1間の
ノズルヘッド10内周側空間を液密構造にする。
In FIG. 5, reference numeral 7 denotes an O-ring, 10 denotes an injection nozzle head having a water outlet 8 and a water supply port 9, and the nozzle head main body 10a comprises a processing head 6 and a template 20.
A ring column is formed around the outer circumference through a predetermined clearance, and a ring piece 10b for contacting the lower surface of the blank material 2 for liquid-tightness is provided on the inner circumferential side of the bottom surface, and an O-ring 7 is interposed on the processing head 6 side. In this way, the space on the inner peripheral side of the nozzle head 10 between the water jet port 8 and the flow path 1 has a liquid-tight structure.

【0020】水噴出口8は流路1と対面する位置に周方
向に30°間隔で12箇所設け、流路1開口と対面させ
るのが好ましいが、かかる構成を取らなくてもOリング
7及びテンプレート20等により挟まれる空間内が液密
的に密閉されている為に、テンプレート20外周部全体
に水5が流れ込み、ブランク材2に形成したそれぞれの
流路1を通過し、テンプレート20内部に噴出させるよ
うに構成してもよい。従ってウエーハを剥がすときに水
5を噴出する水噴出口8は少なくとも1箇所設ければ良
いが、好ましくは複数箇所設けるのがよい。
It is preferable that the water outlets 8 are provided at 12 positions in the circumferential direction at intervals of 30 ° at a position facing the flow path 1 and face the opening of the flow path 1. Since the space between the templates 20 and the like is sealed in a liquid-tight manner, the water 5 flows into the entire outer peripheral portion of the template 20 and passes through the respective flow paths 1 formed in the blank material 2, and enters the inside of the template 20. It may be configured to eject. Therefore, it is sufficient to provide at least one water jet port 8 for jetting water 5 when the wafer is peeled off, but it is preferable to provide a plurality of water jet ports.

【0021】水供給口9はノズルヘッド本体10a下面
側に周方向に所定間隔存して複数個設け、該ノズルヘッ
ド内に設けた通路10cを介して各水噴出口8に所定圧
力の水5が供給可能に構成する。
A plurality of water supply ports 9 are provided on the lower surface side of the nozzle head body 10a at predetermined intervals in the circumferential direction, and water 5 of a predetermined pressure is supplied to each water jet port 8 through a passage 10c provided in the nozzle head. Is configured to be supplied.

【0022】次にかかる実施形態によるウエーハの剥が
し方法を説明する。保水したバッキングパッド3に保持
されたウエーハ4を加工ヘッド6を介して研磨した後、
図5に示すように、噴射ノズルヘッド10をテンプレー
ト20外周部に取り付けた後、水供給口9よりノズルヘ
ッド10内に設けた通路を介して各水噴出口8に所定圧
力の水5が供給することにより、該水噴出口8より噴出
した水5はOリング7及びテンプレート20等により挟
まれる空間内が液密的に密閉されている為に、テンプレ
ート20外周部全体に流れ込み、テンプレート20のブ
ランク材2に形成したそれぞれの流路1を通過し、テン
プレート20内周側に噴出され、これによりバッキング
パッド3とウエーハ間に前記流体を侵入させてウエーハ
4を浮き上がらせて剥がすことが出来る。
Next, a method of peeling a wafer according to the embodiment will be described. After polishing the wafer 4 held on the backing pad 3 holding water through the processing head 6,
As shown in FIG. 5, after the injection nozzle head 10 is attached to the outer peripheral portion of the template 20, water 5 of a predetermined pressure is supplied from the water supply port 9 to each water ejection port 8 through a passage provided in the nozzle head 10. As a result, the water 5 spouted from the water spout 8 flows into the entire outer peripheral portion of the template 20 because the space between the O-ring 7 and the template 20 and the like is sealed in a liquid-tight manner. The fluid passes through the respective flow paths 1 formed in the blank material 2 and is jetted toward the inner peripheral side of the template 20, whereby the fluid can enter between the backing pad 3 and the wafer to lift and separate the wafer 4.

【0023】この水5は図4に示すようにウエーハの真
横から流れ込むこととなり、ウエーハを剥がす効果が大
きくなる。従って、流路1を形成する位置をあらかじめ
バッキングパッド3側(ウエーハが貼り付けられている
側)の近くに設けることで、この効果がより増進する。
このようにウエーハ側面より水5を噴出する事で容易に
ウエーハを剥がすことができる。
The water 5 flows from right beside the wafer as shown in FIG. 4, and the effect of peeling the wafer is enhanced. Therefore, by providing the position where the flow path 1 is formed in advance near the backing pad 3 side (the side to which the wafer is attached), this effect is further enhanced.
By ejecting the water 5 from the side of the wafer, the wafer can be easily peeled off.

【0024】このようにテンプレート20外周部全体に
水5を満たすことのできる構造にし、ブランク材2の円
周方向全周に亙って設けた全部の流路1から水5を噴出
することによって、より安定して剥がすことができ、ま
た自動化も行いやすい。尚本発明のウエーハ剥がし方法
は、これに限られたものでなく、例えば別な方法とし
て、手動で1箇所もしくは複数箇所の流路1の部分にノ
ズルをあて、水5を噴出することによっても剥がすこと
は可能である。
In this manner, the structure is such that the entire outer peripheral portion of the template 20 can be filled with the water 5, and the water 5 is ejected from all the channels 1 provided over the entire circumference of the blank material 2 in the circumferential direction. It can be more stably peeled off and can be easily automated. Note that the wafer peeling method of the present invention is not limited to this. For example, as another method, it is also possible to manually apply a nozzle to one or a plurality of portions of the flow path 1 and eject water 5. It is possible to peel it off.

【0025】従って本実施形態による剥がし方法によ
り、従来の方法で問題であった水5の噴出によりウエー
ハ4を押さえつけてしまう作用を取り除き、ウエーハを
剥がしやすく(浮きやすく)することが出来る。
Therefore, the peeling method according to the present embodiment eliminates the problem of pressing down the wafer 4 due to the ejection of the water 5 which was a problem in the conventional method, and makes it easy to peel the wafer 4 (easy to float).

【0026】この為、従来はブランク材とウエーハの間
にはウエーハを剥がすためにある程度の隙間30a間隔
が必要であったが、本発明ではこの隙間30aを無くす
事ができ、ウエーハ4をブランク材2内にきっちり収納
できる為に加工したウエーハの周辺ダレも同時に防止で
きる。
For this reason, in the past, a certain gap 30a was required between the blank material and the wafer in order to peel the wafer, but in the present invention, the gap 30a can be eliminated, and the wafer 4 Since the wafer 2 can be stored exactly in the wafer 2, sag around the processed wafer can be prevented at the same time.

【0027】(実施例)300mmφウエーハ用に直径
(外径)335mmのテンブレートを作製した。このテ
ンプレート20のブランク材2はガラスエポキシ材で形
成し、厚さ770μm、枠の幅16mm、内径303m
mで形成した。そのガラスエポキシ材(枠)に幅1.0
mm、厚さ700μmの直方形の流路(貫通孔)を12
箇所設けた。上記テンプレート20を用いて、仕上がり
厚さ775μmの300mmφウエーハを研磨した。こ
の時、ブランク材2とウエーハの間には約平均1.5m
mの隙間30aがある(実際は0mm-3mm程度の幅
で偏りがある)
EXAMPLE A 335 mm diameter (outer diameter) template was prepared for a 300 mm diameter wafer. The blank 2 of the template 20 is formed of a glass epoxy material, has a thickness of 770 μm, a frame width of 16 mm, and an inner diameter of 303 m.
m. The glass epoxy material (frame) has a width of 1.0
12 mm square, 700 μm thick rectangular channels (through holes)
Places. Using the template 20, a 300 mmφ wafer having a finished thickness of 775 μm was polished. At this time, about 1.5 m on average between the blank 2 and the wafer
There is a gap 30a of m (actually, there is a bias in the width of about 0mm-3mm)

【0028】研磨終了後、図5に示す装置でテンプレー
ト20のブランク材2に形成された流路(溝)の外周全
体より水5を1Kgf/cm2の圧力で噴出しウエーハ
を剥がした所、ウエーハ1枚当たり40秒程度で剥がす
ことが可能となった。
After completion of the polishing, water 5 was jetted from the entire outer periphery of the flow path (groove) formed in the blank 2 of the template 20 at a pressure of 1 kgf / cm 2 by the apparatus shown in FIG. Peeling was possible in about 40 seconds per wafer.

【0029】(比較例)従来のテンプレートとしてブラ
ンク材102に前記直方形の流路(貫通孔)を設けない
テンプレート107を作製し、該テンプレート107を
用いてウエーハ4の研磨を行なった後、ウエーハを剥が
す為に、図6に示すようにウエーハ4とブランク材10
2の隙間(ポケット)102Aに斜め方向からノズルに
て水を噴射した。この時ブランク材102とウエーハの
間の隙間102Aは3mm程度の位置を選択して水を噴
出したために、ウエーハ4を剥がすことが比較的容易で
あるが、前記隙間102Aのノズルの位置合せを行うた
めに、該テンプレートを回転させ、剥がしやすい位置に
する必要があった。
(Comparative Example) As a conventional template, a template 107 in which the rectangular flow path (through hole) was not provided in the blank material 102 was prepared, and the wafer 4 was polished using the template 107. In order to peel off the wafer 4 and the blank 10 as shown in FIG.
Water was sprayed obliquely from the nozzle into the gap 102A (pocket) 102A. At this time, since a gap 102A between the blank 102 and the wafer is selected at a position of about 3 mm and water is ejected, it is relatively easy to peel off the wafer 4, but the nozzles in the gap 102A are aligned. Therefore, it was necessary to rotate the template to a position where it could be easily peeled off.

【0030】このような時、ウエーハ1枚あたり50秒
〜240秒と剥がし時間はバラツキが大きく、また全体
としての長い剥がし時間を必要とした。尚今回は従来例
との比較実験の為に、ブランク材2からなるテンプレー
ト20の大きさは比較例と同じにしたが対象となる本発
明の場合ウエーハ直径に合わせさらに小さくすることが
可能である。例えば先の実施例においてブランク材2の
幅を17mmにし、内径を301mmにしたテンプレー
ト20を用いて、ブランク材2とウエーハの隙間30a
を約平均0.5mmに狭くしても円滑且つ安定したウエ
ーハ4剥がしが出来、この場合研磨加工時にウエーハの
周辺ダレを抑制することができた。
In such a case, the peeling time varies greatly from 50 seconds to 240 seconds per wafer, and a long peeling time is required as a whole. In this case, the size of the template 20 made of the blank material 2 was set to be the same as that of the comparative example for a comparative experiment with the conventional example. However, in the case of the present invention, it is possible to further reduce the size according to the wafer diameter. . For example, using the template 20 in which the width of the blank 2 is set to 17 mm and the inner diameter is set to 301 mm in the above embodiment, the gap 30a between the blank 2 and the wafer is used.
Even when the average was narrowed to about 0.5 mm, the wafer 4 could be smoothly and stably peeled off, and in this case, the peripheral sag of the wafer could be suppressed during the polishing.

【0031】[0031]

【発明の効果】以上記載した如く本発明によればウエー
ハを剥がす時間が短縮かつ安定し、生産性が向上する。
またテンプレートとウエーハ間の隙間を極力少なくする
事ができこれにより研磨加工時のウエーハ周辺部のダレ
も抑制できる、等の種々の効果を有す。
As described above, according to the present invention, the time for peeling the wafer is reduced and stabilized, and the productivity is improved.
In addition, there are various effects such as the gap between the template and the wafer can be reduced as much as possible, whereby the sag around the wafer during polishing can be suppressed.

【図面の簡単な説明】[Brief description of the drawings]

【図1】図1乃至図3は本発明の実施形態に係るテンプ
レートの構成図で、図1は中央縦断面図である。
FIGS. 1 to 3 are configuration diagrams of a template according to an embodiment of the present invention, and FIG. 1 is a central longitudinal sectional view.

【図2】図1のA−A線断面図である。本発明のテンプ
レートを上から見た図である。
FIG. 2 is a sectional view taken along line AA of FIG. It is the figure which looked at the template of this invention from the top.

【図3】流路の穿設位置を示すテンプレートの図1のB
矢視拡大斜視図である。
FIG. 3B shows a template of FIG.
It is a perspective view enlarged on arrow.

【図4】図4及び図5は前記実施形態に係るウエーハ剥
がし方法の概念図で、図4は流路よりのウエーハ剥がし
水の噴出状態を示す概念図である。
FIG. 4 and FIG. 5 are conceptual diagrams of a wafer peeling method according to the embodiment, and FIG. 4 is a conceptual diagram showing a state of jetting wafer peeling water from a flow path.

【図5】図4のウエーハ剥がし水の供給装置の一例を示
す概念図である。
FIG. 5 is a conceptual diagram illustrating an example of a wafer peeling water supply device of FIG. 4;

【図6】従来の技術におけるテンプレートを用いたウエ
ーハ剥がし方法の概念図である。
FIG. 6 is a conceptual diagram of a wafer peeling method using a template according to a conventional technique.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

1 流路 20 テンプレート 2 ブランク材 3 バッキングパッド 30 ウエーハ収納空間 30a ウエーハとブランク材間の隙間 4 ウエーハ 5 水(水の流れ) 6 加工ヘッド 7 Oリング 8 水噴出口 9 水供給口 10 噴射ノズルヘッド DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 Flow path 20 Template 2 Blank material 3 Backing pad 30 Wafer storage space 30a Gap between wafer and blank material 4 Wafer 5 Water (flow of water) 6 Processing head 7 O-ring 8 Water outlet 9 Water supply port 10 Injection nozzle head

Claims (3)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】 バッキングパッド上に略リング状ブラン
ク材を配し該ブランク材内周側にウエーハ保持用空間を
設けたウエーハ研磨用テンプレートにおいて、 前記リング状ブランク材の外周側より内周側に貫通する
溝、穴若しくは凹設路等からなる流路を設けたことを特
徴とする研磨用テンプレート。
1. A wafer polishing template in which a substantially ring-shaped blank material is disposed on a backing pad and a wafer holding space is provided on an inner circumferential side of the blank material. A polishing template provided with a flow path composed of a penetrating groove, hole, concave path, or the like.
【請求項2】 バッキングパッド上に略リング状ブラン
ク材を有するテンプレート内に保持されたウエーハを研
磨した後、該ウエーハを剥がす際に、前記ブランク材外
周側より内周側に貫通する流路を設け、 該流路の外周側より内周側に向け流体を噴出させて、バ
ッキングパッドとウエーハ間に前記流体を侵入させて剥
がすことを特徴とするウエーハ剥がし方法。
2. A method of polishing a wafer held in a template having a substantially ring-shaped blank material on a backing pad and then removing the wafer from the outer peripheral side of the blank material through a flow path penetrating from the outer peripheral side to the inner peripheral side. A wafer peeling method, wherein a fluid is ejected from an outer peripheral side to an inner peripheral side of the flow path, and the fluid is caused to enter between the backing pad and the wafer to be peeled off.
【請求項3】 前記バッキングパッドが保水された水貼
りパッドであり、該パッドの水貼り面を介して前記ウエ
ーハが保持されている請求項2記載のウエーハ剥がし方
法において、 前記流路をブランク材円周方向に所定間隔存して中心方
向より放射状に複数個設け、該複数の流路より水を噴出
させて、前記パッド水貼り面とウエーハ間を剥がすこと
を特徴とするウエーハ剥がし方法。
3. The wafer peeling method according to claim 2, wherein the backing pad is a water-applied water-pad, and the wafer is held via a water-applied surface of the pad. A wafer peeling method, wherein a plurality of wafers are radially provided from a center direction at predetermined intervals in a circumferential direction, and water is ejected from the plurality of flow paths to peel off a portion between the pad-water-applied surface and the wafer.
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Cited By (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
GB2349839A (en) * 1999-05-10 2000-11-15 Tokyo Seimitsu Co Ltd Apparatus for polishing wafers
JP2001291689A (en) * 2000-04-07 2001-10-19 Fujikoshi Mach Corp Polishing apparatus for wafer
WO2009141740A2 (en) * 2008-05-23 2009-11-26 Florian Bieck Semiconductor wafer and method for producing the same
KR20160008550A (en) 2013-05-16 2016-01-22 신에쯔 한도타이 가부시키가이샤 Workpiece polishing device
CN111670230A (en) * 2018-02-05 2020-09-15 日东电工株式会社 Method for peeling adhesive sheet

Cited By (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
GB2349839A (en) * 1999-05-10 2000-11-15 Tokyo Seimitsu Co Ltd Apparatus for polishing wafers
US6273804B1 (en) 1999-05-10 2001-08-14 Tokyo Seimitsu Co., Ltd. Apparatus for polishing wafers
GB2349839B (en) * 1999-05-10 2001-11-21 Tokyo Seimitsu Co Ltd Apparatus for polishing wafers
JP2001291689A (en) * 2000-04-07 2001-10-19 Fujikoshi Mach Corp Polishing apparatus for wafer
WO2009141740A2 (en) * 2008-05-23 2009-11-26 Florian Bieck Semiconductor wafer and method for producing the same
WO2009141740A3 (en) * 2008-05-23 2011-05-05 Florian Bieck Semiconductor wafer and method for producing the same
KR20160008550A (en) 2013-05-16 2016-01-22 신에쯔 한도타이 가부시키가이샤 Workpiece polishing device
CN111670230A (en) * 2018-02-05 2020-09-15 日东电工株式会社 Method for peeling adhesive sheet

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