JPH1187838A - 分布帰還型半導体レーザ及びその製造方法 - Google Patents
分布帰還型半導体レーザ及びその製造方法Info
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- JPH1187838A JPH1187838A JP24537397A JP24537397A JPH1187838A JP H1187838 A JPH1187838 A JP H1187838A JP 24537397 A JP24537397 A JP 24537397A JP 24537397 A JP24537397 A JP 24537397A JP H1187838 A JPH1187838 A JP H1187838A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 電流−光出力特性および温度特性が良好で、
かつ、素子設計の自由度に優れた分布帰還型半導体レー
ザ素子を制御性・再現性良く製造する。 【解決手段】 平坦成長によって形成された活性層７と
選択成長によって形成された周期的な活性層６とが積層
された積層構造を有する分布帰還型半導体レーザ２０。
かつ、素子設計の自由度に優れた分布帰還型半導体レー
ザ素子を制御性・再現性良く製造する。 【解決手段】 平坦成長によって形成された活性層７と
選択成長によって形成された周期的な活性層６とが積層
された積層構造を有する分布帰還型半導体レーザ２０。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は光ファイバ通信等に
用いられる分布帰還型半導体レーザ素子およびその製造
方法に関するものである。
用いられる分布帰還型半導体レーザ素子およびその製造
方法に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】光ファイバ通信において長距離高速伝送
を実現するためには、光源に用いられる半導体レーザに
高い単一軸モード発振安定性が必要とされる。今日、素
子内部に回折格子を内蔵することによって１つの波長の
みを選択して発振する分布帰還型半導体レーザ（Ｄｉｓ
ｔｒｉｂｕｔｅｄ Ｆｅｅｄｂａｃｋ Ｌａｓｅｒ Ｄ
ｉｏｄｅ：以下ＤＦＢ−ＬＤ）の研究開発が進められ、
主に屈折率結合型のＤＦＢ−ＬＤが実用に供されてい
る。
を実現するためには、光源に用いられる半導体レーザに
高い単一軸モード発振安定性が必要とされる。今日、素
子内部に回折格子を内蔵することによって１つの波長の
みを選択して発振する分布帰還型半導体レーザ（Ｄｉｓ
ｔｒｉｂｕｔｅｄ Ｆｅｅｄｂａｃｋ Ｌａｓｅｒ Ｄ
ｉｏｄｅ：以下ＤＦＢ−ＬＤ）の研究開発が進められ、
主に屈折率結合型のＤＦＢ−ＬＤが実用に供されてい
る。
【０００３】この屈折率結合型ＤＦＢ−ＬＤの中でもλ
／４シフト回折格子を用い、かつ、端面に低反射率コー
ティングを施した素子は、高い単一軸モード安定性およ
び単一軸モード歩留まりを有することで知られている
が、両端面からほぼ同じ量の光が射出される為、高効率
化や高温動作化が困難であるという短所を有する。一
方、共振器方向に周期的な利得あるいは損失を与える利
得結合型ＤＦＢ−ＬＤでは素子端面の反射率が高い場合
でも良好な単一軸モード安定性及び単一軸モード歩留ま
りが得られ、また、共振器内の空間的ホールバーニング
が小さいという長所を有する。
／４シフト回折格子を用い、かつ、端面に低反射率コー
ティングを施した素子は、高い単一軸モード安定性およ
び単一軸モード歩留まりを有することで知られている
が、両端面からほぼ同じ量の光が射出される為、高効率
化や高温動作化が困難であるという短所を有する。一
方、共振器方向に周期的な利得あるいは損失を与える利
得結合型ＤＦＢ−ＬＤでは素子端面の反射率が高い場合
でも良好な単一軸モード安定性及び単一軸モード歩留ま
りが得られ、また、共振器内の空間的ホールバーニング
が小さいという長所を有する。
【０００４】しかしながら、従来の利得結合型ＤＦＢ−
ＬＤには次のような課題が存在する。共振器方向の損失
に周期的な摂動を与えることにより利得結合型ＤＦＢ−
ＬＤを作製する場合、高い単一軸モード安定性及び単一
軸モード歩留まりを実現するためには比較的大きな損失
を与える必要がある。このため、閾値電流の増大やスロ
ープ効率の低下を伴い、特に高温での電流−光出力特性
を大きく劣化させることになる。また、吸収体の過飽和
吸収特性が電流光出力特性の線形性を損なう場合もあ
る。
ＬＤには次のような課題が存在する。共振器方向の損失
に周期的な摂動を与えることにより利得結合型ＤＦＢ−
ＬＤを作製する場合、高い単一軸モード安定性及び単一
軸モード歩留まりを実現するためには比較的大きな損失
を与える必要がある。このため、閾値電流の増大やスロ
ープ効率の低下を伴い、特に高温での電流−光出力特性
を大きく劣化させることになる。また、吸収体の過飽和
吸収特性が電流光出力特性の線形性を損なう場合もあ
る。
【０００５】一方、共振器方向の利得に周期的な摂動を
与えることによって利得結合型ＤＦＢ−ＬＤを作製する
場合、活性層を周期的にエッチングする方法が用いられ
る。ここでウェットエッチングを用いる場合にはエッチ
ング深さならびにエッチング幅の制御性及び再現性が悪
く、設計通りの素子を歩留まりよく生産するのは困難で
ある。
与えることによって利得結合型ＤＦＢ−ＬＤを作製する
場合、活性層を周期的にエッチングする方法が用いられ
る。ここでウェットエッチングを用いる場合にはエッチ
ング深さならびにエッチング幅の制御性及び再現性が悪
く、設計通りの素子を歩留まりよく生産するのは困難で
ある。
【０００６】ドライエッチングを用いることによりこの
ようなエッチング寸法精度の問題は軽減されるが、活性
層の半導体結晶中にプラズマによる欠陥が発生し、電流
−光出力特性の劣化や素子寿命の低下を引き起こす要因
となる。このような活性層をエッチングする利得結合型
ＤＦＢ−ＬＤの作製方法に対し、特開平３−４９２８７
号公報に記載されるように、活性層を回折格子の周期に
従って配置したマスクを利用して選択成長させることに
よって回折格子周期に配列された活性層を形成させる方
法が提案されている。
ようなエッチング寸法精度の問題は軽減されるが、活性
層の半導体結晶中にプラズマによる欠陥が発生し、電流
−光出力特性の劣化や素子寿命の低下を引き起こす要因
となる。このような活性層をエッチングする利得結合型
ＤＦＢ−ＬＤの作製方法に対し、特開平３−４９２８７
号公報に記載されるように、活性層を回折格子の周期に
従って配置したマスクを利用して選択成長させることに
よって回折格子周期に配列された活性層を形成させる方
法が提案されている。
【０００７】図４は、従来の例である、特開平３−４９
２８７号公報に記載の利得結合型ＤＦＢ−ＬＤの構造を
示したものであり、図中の活性層１４と緩衝層１５が選
択成長によって形成された部分であるが、このような素
子構造は以下に示すような問題点を有している。即ち、
光ファイバ通信に用いられる波長１．３〜１．５５μｍ
帯のＤＦＢ−ＬＤの回折格子周期は０．２〜０．２５μ
ｍ程度であり、底面と５４．７度をなす角度で選択成長
メサが形成されることを考慮すると、選択成長のみによ
って形成可能な活性層の幅と高さはせいぜい０．１５〜
０．２μｍ程度に限定される。
２８７号公報に記載の利得結合型ＤＦＢ−ＬＤの構造を
示したものであり、図中の活性層１４と緩衝層１５が選
択成長によって形成された部分であるが、このような素
子構造は以下に示すような問題点を有している。即ち、
光ファイバ通信に用いられる波長１．３〜１．５５μｍ
帯のＤＦＢ−ＬＤの回折格子周期は０．２〜０．２５μ
ｍ程度であり、底面と５４．７度をなす角度で選択成長
メサが形成されることを考慮すると、選択成長のみによ
って形成可能な活性層の幅と高さはせいぜい０．１５〜
０．２μｍ程度に限定される。
【０００８】選択成長マスクの開口デューティ（＝開口
幅／回折格子周期）を５０％程度とすると、選択成長メ
サが三角形状となる高さまで活性層を形成したとして
も、同じ厚さの活性層を平坦成長した場合と比較して１
／４程度の活性層体積しか得られない。このような理由
から選択成長によってのみ活性層を形成する方法では、
活性層体積の減少とそれに伴う活性層への光閉じ込め低
下によって十分な光学利得が得られず、閾値電流の増加
や高温での電流−光出力特性の劣化を引き起こすことに
なる。
幅／回折格子周期）を５０％程度とすると、選択成長メ
サが三角形状となる高さまで活性層を形成したとして
も、同じ厚さの活性層を平坦成長した場合と比較して１
／４程度の活性層体積しか得られない。このような理由
から選択成長によってのみ活性層を形成する方法では、
活性層体積の減少とそれに伴う活性層への光閉じ込め低
下によって十分な光学利得が得られず、閾値電流の増加
や高温での電流−光出力特性の劣化を引き起こすことに
なる。
【０００９】また、選択成長によって形成された活性層
同士の間を通過する電流が光学利得に寄与しない無効電
流となってしまうことも電流−光出力特性の劣化の一因
となっている。さらに、活性層へのエッチングにより利
得の周期的摂動を与える場合には、利得の大きな領域と
小さな領域の利得差および屈折率差を活性層全体の厚さ
に対するエッチング深さの比によって設計することがで
きることに対して、設計自由度が低下するという問題も
有する。
同士の間を通過する電流が光学利得に寄与しない無効電
流となってしまうことも電流−光出力特性の劣化の一因
となっている。さらに、活性層へのエッチングにより利
得の周期的摂動を与える場合には、利得の大きな領域と
小さな領域の利得差および屈折率差を活性層全体の厚さ
に対するエッチング深さの比によって設計することがで
きることに対して、設計自由度が低下するという問題も
有する。
【００１０】又、特開平３−１６２８８号公報には、活
性層の上面部に単に台形の回折格子をＭＯＣＶＤ法を使
用して形成した技術が開示されているに過ぎず、選択成
長による周期的な活性層を形成する技術に関しては全く
開示がない。本発明の目的は、上記した従来技術の欠点
を改良し、電流−光出力特性および温度特性が良好で、
かつ、素子設計の自由度に優れた分布帰還型半導体レー
ザ素子を制御性・再現性良く製造することである。
性層の上面部に単に台形の回折格子をＭＯＣＶＤ法を使
用して形成した技術が開示されているに過ぎず、選択成
長による周期的な活性層を形成する技術に関しては全く
開示がない。本発明の目的は、上記した従来技術の欠点
を改良し、電流−光出力特性および温度特性が良好で、
かつ、素子設計の自由度に優れた分布帰還型半導体レー
ザ素子を制御性・再現性良く製造することである。
【００１１】
【課題を解決するための手段】本発明は上記した目的を
達成する為、以下に示す様な基本的な技術構成を採用す
るものである。即ち、本発明に係る第１の態様として
は、平坦成長によって形成された活性層と選択成長によ
って形成された周期的な活性層とが積層された積層構造
を有する分布帰還型半導体レーザであり、又、本発明に
係る第２の態様としては、半導体基板上に活性層を平坦
に成長する第１の工程、当該平坦に成長された該活性層
上に周期的な誘電体膜を形成する第２の工程、該周期的
な誘電体膜をマスクとして周期的な活性層を該活性層上
に選択的に成長する第３の工程とから構成されている分
布帰還型半導体レーザの製造方法である。
達成する為、以下に示す様な基本的な技術構成を採用す
るものである。即ち、本発明に係る第１の態様として
は、平坦成長によって形成された活性層と選択成長によ
って形成された周期的な活性層とが積層された積層構造
を有する分布帰還型半導体レーザであり、又、本発明に
係る第２の態様としては、半導体基板上に活性層を平坦
に成長する第１の工程、当該平坦に成長された該活性層
上に周期的な誘電体膜を形成する第２の工程、該周期的
な誘電体膜をマスクとして周期的な活性層を該活性層上
に選択的に成長する第３の工程とから構成されている分
布帰還型半導体レーザの製造方法である。
【００１２】
【発明の実施の形態】つまり、本発明に係る分布帰還型
半導体レーザ（ＤＦＢ−ＬＤ）の構成をより具体例に説
明するならば、平坦成長によって形成された均一な活性
層と選択成長によって形成された周期的な活性層との積
層構造を有することを特徴とするものであり、また本発
明に係るＤＦＢ−ＬＤの製造方法としては、半導体基板
上に第一の活性層を平坦成長した後、周期的な選択成長
マスクを形成し、第二の活性層を選択的に成長すること
を特徴とするものである。
半導体レーザ（ＤＦＢ−ＬＤ）の構成をより具体例に説
明するならば、平坦成長によって形成された均一な活性
層と選択成長によって形成された周期的な活性層との積
層構造を有することを特徴とするものであり、また本発
明に係るＤＦＢ−ＬＤの製造方法としては、半導体基板
上に第一の活性層を平坦成長した後、周期的な選択成長
マスクを形成し、第二の活性層を選択的に成長すること
を特徴とするものである。
【００１３】より詳細に本発明に係る分布帰還型半導体
レーザに関して説明するならば、本発明に係る分布帰還
型半導体レーザ（ＤＦＢ−ＬＤ）において共振器方向に
利得の周期的摂動を与える構造の寸法は、層厚方向には
成長速度と成長時間の制御によって、共振器方向には選
択成長マスクのパターニング精度によって規定され、い
ずれも高い精度で再現性良く作製することが可能であ
る。
レーザに関して説明するならば、本発明に係る分布帰還
型半導体レーザ（ＤＦＢ−ＬＤ）において共振器方向に
利得の周期的摂動を与える構造の寸法は、層厚方向には
成長速度と成長時間の制御によって、共振器方向には選
択成長マスクのパターニング精度によって規定され、い
ずれも高い精度で再現性良く作製することが可能であ
る。
【００１４】また、活性層へのドライエッチングを用い
る場合のような素子寿命低下の問題もない。また、特開
平３−４９２８７号公報に記載の利得結合型分布帰還型
半導体レーザ（ＤＦＢ−ＬＤ）では選択成長された活性
層の間を通過する電流が発光に寄与しない、すなわち無
効電流となるのに対して、本発明に係る分布帰還型半導
体レーザ（ＤＦＢ−ＬＤ）においては平坦成長された第
一の活性層を必ず電流が通過するため、このような無効
電流は発生しない。
る場合のような素子寿命低下の問題もない。また、特開
平３−４９２８７号公報に記載の利得結合型分布帰還型
半導体レーザ（ＤＦＢ−ＬＤ）では選択成長された活性
層の間を通過する電流が発光に寄与しない、すなわち無
効電流となるのに対して、本発明に係る分布帰還型半導
体レーザ（ＤＦＢ−ＬＤ）においては平坦成長された第
一の活性層を必ず電流が通過するため、このような無効
電流は発生しない。
【００１５】さらに、本発明に於て、平坦成長によって
形成される部分ならびに選択成長によって形成される部
分それぞれの量子井戸数をはじめとする活性層設計、選
択成長マスクの開口デューティー、さらには選択成長領
域を埋め込む半導体層の組成等、素子設計自由度は高
く、かつ、いずれの設計パラメータに関しても高い精度
で再現性良く作製することができる。
形成される部分ならびに選択成長によって形成される部
分それぞれの量子井戸数をはじめとする活性層設計、選
択成長マスクの開口デューティー、さらには選択成長領
域を埋め込む半導体層の組成等、素子設計自由度は高
く、かつ、いずれの設計パラメータに関しても高い精度
で再現性良く作製することができる。
【００１６】
【実施例】以下に、本発明に係る分布帰還型半導体レー
ザ及び分布帰還型半導体レーザの製造方法の一具体例の
構成を図面を参照しながら詳細に説明する。即ち、図１
は、本発明に係る分布帰還型半導体レーザ（ＤＦＢ−Ｌ
Ｄ）に於ける一具体例の構成を示す断面図であり、図
中、平坦成長によって形成された活性層７と選択成長に
よって形成された周期的な活性層６とが積層された積層
構造を有する分布帰還型半導体レーザ２０が示されてい
る。
ザ及び分布帰還型半導体レーザの製造方法の一具体例の
構成を図面を参照しながら詳細に説明する。即ち、図１
は、本発明に係る分布帰還型半導体レーザ（ＤＦＢ−Ｌ
Ｄ）に於ける一具体例の構成を示す断面図であり、図
中、平坦成長によって形成された活性層７と選択成長に
よって形成された周期的な活性層６とが積層された積層
構造を有する分布帰還型半導体レーザ２０が示されてい
る。
【００１７】本発明に於いては、当該平坦成長によって
形成された活性層７と当該選択成長によって形成された
周期的な活性層６がともに量子井戸構造を有するもので
ある事が望ましい。更に、本発明に於ける当該分布帰還
型半導体レーザ（ＤＦＢ−ＬＤ）に於いては、当該平坦
成長によって形成された活性層７に含まれる量子井戸層
の中で当該周期的な活性層６に最も近接した量子井戸層
と、当該周期的な活性層６に含まれる量子井戸層の中で
当該平坦成長によって形成された活性層７に最も近接し
た量子井戸層との間隔が４０ｎｍ以下に設定されている
ことが望ましい。
形成された活性層７と当該選択成長によって形成された
周期的な活性層６がともに量子井戸構造を有するもので
ある事が望ましい。更に、本発明に於ける当該分布帰還
型半導体レーザ（ＤＦＢ−ＬＤ）に於いては、当該平坦
成長によって形成された活性層７に含まれる量子井戸層
の中で当該周期的な活性層６に最も近接した量子井戸層
と、当該周期的な活性層６に含まれる量子井戸層の中で
当該平坦成長によって形成された活性層７に最も近接し
た量子井戸層との間隔が４０ｎｍ以下に設定されている
ことが望ましい。
【００１８】次に、本発明に係る当該分布帰還型半導体
レーザの具体例の形態について図１乃至図２を参照して
詳細に説明するが、本発明は以下の実施の形態に限定さ
れるものではない。図１は、上記した様に、本発明の第
一の具体例に係る分布帰還型半導体レーザ（ＤＦＢ−Ｌ
Ｄ）の構造を示す断面図である。
レーザの具体例の形態について図１乃至図２を参照して
詳細に説明するが、本発明は以下の実施の形態に限定さ
れるものではない。図１は、上記した様に、本発明の第
一の具体例に係る分布帰還型半導体レーザ（ＤＦＢ−Ｌ
Ｄ）の構造を示す断面図である。
【００１９】図１中６は基板１上に平坦成長によって形
成された第一の活性層であり、７は選択成長によって形
成され、共振器方向に利得及び屈折率の周期的摂動を与
える第二の活性層である。図２（Ａ）〜図２（Ｄ）は、
本具体例に係る分布帰還型半導体レーザ（ＤＦＢ−Ｌ
Ｄ）の製造手順を説明するための第一の実施例として波
長１．３μｍ帯の利得結合型ＤＦＢ−ＬＤの作製行程を
示した断面図である。
成された第一の活性層であり、７は選択成長によって形
成され、共振器方向に利得及び屈折率の周期的摂動を与
える第二の活性層である。図２（Ａ）〜図２（Ｄ）は、
本具体例に係る分布帰還型半導体レーザ（ＤＦＢ−Ｌ
Ｄ）の製造手順を説明するための第一の実施例として波
長１．３μｍ帯の利得結合型ＤＦＢ−ＬＤの作製行程を
示した断面図である。
【００２０】ｎ−ＩｎＰ基板１ａ上にＭＯＶＰＥ法によ
ってｎ−ＩｎＰクラッド層２ａ（厚さ２．０μｍ，ドー
ピング濃度１×１０18ｃｍ-3）、ＩｎＧａＡｓＰのＳＣ
Ｈ層３（発光波長１．１３μｍ，厚さ６０ｎｍ）、なら
びに０．７％圧縮歪ＩｎＧａＡｓＰ量子井戸層４（厚さ
６ｎｍ）３層とＩｎＧａＡｓＰ障壁層５（発光波長１．
１３μｍ，厚さ１０ｎｍ）、ならびにＳＣＨ層３（発光
波長１．１３μｍ，厚さ６０ｎｍ）からなる第一の活性
層６（発光波長１．３μｍ）を順次成長する（図２
（Ａ））。
ってｎ−ＩｎＰクラッド層２ａ（厚さ２．０μｍ，ドー
ピング濃度１×１０18ｃｍ-3）、ＩｎＧａＡｓＰのＳＣ
Ｈ層３（発光波長１．１３μｍ，厚さ６０ｎｍ）、なら
びに０．７％圧縮歪ＩｎＧａＡｓＰ量子井戸層４（厚さ
６ｎｍ）３層とＩｎＧａＡｓＰ障壁層５（発光波長１．
１３μｍ，厚さ１０ｎｍ）、ならびにＳＣＨ層３（発光
波長１．１３μｍ，厚さ６０ｎｍ）からなる第一の活性
層６（発光波長１．３μｍ）を順次成長する（図２
（Ａ））。
【００２１】次にＣＶＤ法によって厚さ５０ｎｍのＳｉ
Ｏ2 を堆積し、ＥＢ露光とＢＨＦによるエッチングによ
って周期２０２ｎｍ，開口デューティー６５％の選択成
長マスクパターン８を形成する。選択成長マスク８を形
成した基板上に、０．７％圧縮歪ＩｎＧａＡｓＰ量子井
戸層４（厚さ６ｎｍ）３層とＩｎＧａＡｓＰ障壁層５
（発光波長１．１３μｍ，厚さ１０ｎｍ）、ならびにＳ
ＣＨ層３（発光波長１．１３μｍ，厚さ６０ｎｍ）から
なる第二の活性層７（発光波長１．３μｍ）を成長し
（図２（Ｂ））、さらに選択成長マスク８を除去した
後、ＩｎＧａＡｓＰ埋め込み層９（発光波長１．１３μ
ｍ，厚さ３００ｎｍ），ｐ−ＩｎＰクラッド層２ｂ（厚
さ８００ｎｍ，ドーピング濃度７×１０17ｃｍ-3）を成
長する（図２（Ｃ））。
Ｏ2 を堆積し、ＥＢ露光とＢＨＦによるエッチングによ
って周期２０２ｎｍ，開口デューティー６５％の選択成
長マスクパターン８を形成する。選択成長マスク８を形
成した基板上に、０．７％圧縮歪ＩｎＧａＡｓＰ量子井
戸層４（厚さ６ｎｍ）３層とＩｎＧａＡｓＰ障壁層５
（発光波長１．１３μｍ，厚さ１０ｎｍ）、ならびにＳ
ＣＨ層３（発光波長１．１３μｍ，厚さ６０ｎｍ）から
なる第二の活性層７（発光波長１．３μｍ）を成長し
（図２（Ｂ））、さらに選択成長マスク８を除去した
後、ＩｎＧａＡｓＰ埋め込み層９（発光波長１．１３μ
ｍ，厚さ３００ｎｍ），ｐ−ＩｎＰクラッド層２ｂ（厚
さ８００ｎｍ，ドーピング濃度７×１０17ｃｍ-3）を成
長する（図２（Ｃ））。
【００２２】次にフォトリソグラフィーとエッチングに
より活性層幅１．５μｍのメサストライプを形成した
後、ＬＰＥによりｐｎｐｎ電流狭窄構造を有するＤＣ−
ＰＢＨ構造に埋め込み成長を行う。最後に電極１１を作
製後、共振器長３００μｍに劈開し、前方端面および後
方端面にそれぞれ反射率３％，９０％のコーティングを
施した（図２（Ｄ））。
より活性層幅１．５μｍのメサストライプを形成した
後、ＬＰＥによりｐｎｐｎ電流狭窄構造を有するＤＣ−
ＰＢＨ構造に埋め込み成長を行う。最後に電極１１を作
製後、共振器長３００μｍに劈開し、前方端面および後
方端面にそれぞれ反射率３％，９０％のコーティングを
施した（図２（Ｄ））。
【００２３】本実施例にかかる利得結合型分布帰還型半
導体レーザ（ＤＦＢ−ＬＤ）は２５℃において閾値電流
６．５ｍＡ，スロープ効率０．５２Ｗ／Ａであり、又、
８５℃において閾値電流１７．３ｍＡ，スロープ効率
０．３７Ｗ／Ａと良好な電流−光出力特性を示した。更
に、上記で評価した５０素子中３８素子においてＳＭＳ
Ｒ４０ｄＢ以上の優れた単一軸モード安定性が確認され
た。
導体レーザ（ＤＦＢ−ＬＤ）は２５℃において閾値電流
６．５ｍＡ，スロープ効率０．５２Ｗ／Ａであり、又、
８５℃において閾値電流１７．３ｍＡ，スロープ効率
０．３７Ｗ／Ａと良好な電流−光出力特性を示した。更
に、上記で評価した５０素子中３８素子においてＳＭＳ
Ｒ４０ｄＢ以上の優れた単一軸モード安定性が確認され
た。
【００２４】図３は本実施形態に係る分布帰還型半導体
レーザ（ＤＦＢ−ＬＤ）の製造手順を説明するための第
二の実施例として波長１．５５μｍ帯の利得結合型（Ｄ
ＦＢ−ＬＤ）の作製行程を示した図である。ｎ−ＩｎＰ
基板１ａ上に、ＭＯＶＰＥによって、ｎ−ＩｎＰクラッ
ド層２ａ（厚さ０．２μｍ，ドーピング濃度１×１０18
ｃｍ-3）、ＩｎＧａＡｓＰのＳＣＨ層３（発光波長１．
２０μｍ，厚さ４０ｎｍ）、ならびに０．８％圧縮歪Ｉ
ｎＧａＡｓＰ量子井戸層４（厚さ５．５ｎｍ）２層とＩ
ｎＧａＡｓＰ障壁層５（発光波長１．２０μｍ，厚さ１
０ｎｍ）からなる第一の活性層６（発光波長１．５５μ
ｍ）を順次成長する（図３（Ａ））。
レーザ（ＤＦＢ−ＬＤ）の製造手順を説明するための第
二の実施例として波長１．５５μｍ帯の利得結合型（Ｄ
ＦＢ−ＬＤ）の作製行程を示した図である。ｎ−ＩｎＰ
基板１ａ上に、ＭＯＶＰＥによって、ｎ−ＩｎＰクラッ
ド層２ａ（厚さ０．２μｍ，ドーピング濃度１×１０18
ｃｍ-3）、ＩｎＧａＡｓＰのＳＣＨ層３（発光波長１．
２０μｍ，厚さ４０ｎｍ）、ならびに０．８％圧縮歪Ｉ
ｎＧａＡｓＰ量子井戸層４（厚さ５．５ｎｍ）２層とＩ
ｎＧａＡｓＰ障壁層５（発光波長１．２０μｍ，厚さ１
０ｎｍ）からなる第一の活性層６（発光波長１．５５μ
ｍ）を順次成長する（図３（Ａ））。
【００２５】次にプラズマＣＶＤによって厚さ４０ｎｍ
のＳｉＮを堆積し、ＥＢ露光とドライエッチングにより
周期２４０ｎｍ，開口デューティー７５％の選択成長マ
スクパターン８を形成する。このような選択成長マスク
８を形成した基板上に、１．２％圧縮歪ＩｎＧａＡｓＰ
量子井戸層４（厚さ５．５ｎｍ）４層とＩｎＧａＡｓＰ
障壁層５（発光波長１．２０μｍ，厚さ１０ｎｍ）、な
らびにＳＣＨ層３（発光波長１．２０μｍ，厚さ２０ｎ
ｍ）からなる第二の活性層７（発光波長１．５５μｍ）
を成長するが、本実施例においては第二の活性層の結晶
成長を安定して行うために第二の活性層の最下層として
基板と同一材料、すなわちＩｎＰのスペーサ層１４を８
ｎｍ成長している（図３（Ｂ））。
のＳｉＮを堆積し、ＥＢ露光とドライエッチングにより
周期２４０ｎｍ，開口デューティー７５％の選択成長マ
スクパターン８を形成する。このような選択成長マスク
８を形成した基板上に、１．２％圧縮歪ＩｎＧａＡｓＰ
量子井戸層４（厚さ５．５ｎｍ）４層とＩｎＧａＡｓＰ
障壁層５（発光波長１．２０μｍ，厚さ１０ｎｍ）、な
らびにＳＣＨ層３（発光波長１．２０μｍ，厚さ２０ｎ
ｍ）からなる第二の活性層７（発光波長１．５５μｍ）
を成長するが、本実施例においては第二の活性層の結晶
成長を安定して行うために第二の活性層の最下層として
基板と同一材料、すなわちＩｎＰのスペーサ層１４を８
ｎｍ成長している（図３（Ｂ））。
【００２６】また、第二の活性層の量子井戸数と歪量を
第一の活性層よりも大きくすることによって、利得結合
係数が大きくなるように設計している。次に、選択成長
マスク８を除去した後、ＩｎＧａＡｓＰ埋め込み層９
（発光波長１．３５μｍ，厚さ３００ｎｍ），ｐ−Ｉｎ
Ｐクラッド層２ｂ（厚さ８００ｎｍ，ドーピング濃度５
×１０17ｃｍ-3）を成長する（図３（Ｃ））。
第一の活性層よりも大きくすることによって、利得結合
係数が大きくなるように設計している。次に、選択成長
マスク８を除去した後、ＩｎＧａＡｓＰ埋め込み層９
（発光波長１．３５μｍ，厚さ３００ｎｍ），ｐ−Ｉｎ
Ｐクラッド層２ｂ（厚さ８００ｎｍ，ドーピング濃度５
×１０17ｃｍ-3）を成長する（図３（Ｃ））。
【００２７】次にフォトリソグラフィーとエッチングに
より活性層幅１．６μｍのメサストライプを形成し、Ｍ
ＯＶＰＥによりＦｅドープ半絶縁ＩｎＰ埋め込み構造を
有する構造を形成する。最後に電極１１を作成後、共振
器長３８０μｍに劈開し、前方端面および後方端面にそ
れぞれ反射率１％、９０％のコーティングを施した（図
３（Ｄ））。
より活性層幅１．６μｍのメサストライプを形成し、Ｍ
ＯＶＰＥによりＦｅドープ半絶縁ＩｎＰ埋め込み構造を
有する構造を形成する。最後に電極１１を作成後、共振
器長３８０μｍに劈開し、前方端面および後方端面にそ
れぞれ反射率１％、９０％のコーティングを施した（図
３（Ｄ））。
【００２８】本実施例にかかる利得結合型分布帰還型半
導体レーザ（ＤＦＢ−ＬＤ）は２５℃において閾値電流
７．１ｍＡ，スロープ効率０．４６Ｗ／Ａ、８５℃にお
いて閾値電流１９．８ｍＡ，スロープ効率０．２６Ｗ／
Ａと良好な電流−光出力特性を示した。また、評価３０
素子中２３素子においてＳＭＳＲ４０ｄＢ以上の優れた
単一軸モード安定性が確認された。
導体レーザ（ＤＦＢ−ＬＤ）は２５℃において閾値電流
７．１ｍＡ，スロープ効率０．４６Ｗ／Ａ、８５℃にお
いて閾値電流１９．８ｍＡ，スロープ効率０．２６Ｗ／
Ａと良好な電流−光出力特性を示した。また、評価３０
素子中２３素子においてＳＭＳＲ４０ｄＢ以上の優れた
単一軸モード安定性が確認された。
【００２９】なお、第一の活性層の量子井戸数と第二の
活性層の量子井戸数は、第一の実施例ではそれぞれ３層
と３層、第二の実施例ではそれぞれ２層と４層とした
が、他の量子井戸数の組み合わせでも良く、第一の活性
層と第二の活性層とは組成・歪量・層厚等を異なるもの
としても構わない。本発明にかかる分布帰還型半導体レ
ーザ（ＤＦＢ−ＬＤ）の製造方法においては、上記した
様に、半導体基板上に活性層を平坦に成長する第１の工
程、当該平坦に成長された該活性層上に周期的な誘電体
膜を形成する第２の工程、該周期的な誘電体膜をマスク
として周期的な活性層を該活性層上に選択的に成長する
第３の工程とから構成されている分布帰還型半導体レー
ザの製造方法であって、当該平坦成長によって形成され
た活性層と当該選択成長によって形成された周期的な活
性層は、ともに量子井戸構造を有するものである事が望
ましい。
活性層の量子井戸数は、第一の実施例ではそれぞれ３層
と３層、第二の実施例ではそれぞれ２層と４層とした
が、他の量子井戸数の組み合わせでも良く、第一の活性
層と第二の活性層とは組成・歪量・層厚等を異なるもの
としても構わない。本発明にかかる分布帰還型半導体レ
ーザ（ＤＦＢ−ＬＤ）の製造方法においては、上記した
様に、半導体基板上に活性層を平坦に成長する第１の工
程、当該平坦に成長された該活性層上に周期的な誘電体
膜を形成する第２の工程、該周期的な誘電体膜をマスク
として周期的な活性層を該活性層上に選択的に成長する
第３の工程とから構成されている分布帰還型半導体レー
ザの製造方法であって、当該平坦成長によって形成され
た活性層と当該選択成長によって形成された周期的な活
性層は、ともに量子井戸構造を有するものである事が望
ましい。
【００３０】当該第１の工程に於ける当該平坦な活性層
の成長は、量子井戸構造の障壁層で終える様に構成さ
れ、又当該第３の工程に於ける当該周期的な活性層の選
択成長は、量子井戸構造の障壁層から開始させる様に構
成されていても良く、又、当該第１の工程に於ける当該
平坦な活性層の成長を基板と同一材料の層で終える様に
構成され、又、当該第３の工程に於ける当該周期的な活
性層の選択成長は、当該量子井戸構造の障壁層で開始さ
せる様に構成されていても良い。
の成長は、量子井戸構造の障壁層で終える様に構成さ
れ、又当該第３の工程に於ける当該周期的な活性層の選
択成長は、量子井戸構造の障壁層から開始させる様に構
成されていても良く、又、当該第１の工程に於ける当該
平坦な活性層の成長を基板と同一材料の層で終える様に
構成され、又、当該第３の工程に於ける当該周期的な活
性層の選択成長は、当該量子井戸構造の障壁層で開始さ
せる様に構成されていても良い。
【００３１】更には、本発明に係る当該分布帰還型半導
体レーザの製造方法に於て、当該第１の工程に於ける当
該平坦な活性層の成長を量子井戸構造の障壁層で終える
様に構成され、又当該第３の工程に於ける当該周期的な
活性層の選択成長を基板と同一材料の層で開始させるこ
とが望ましく、又、当該第１の工程に於ける当該平坦な
活性層の成長を基板と同一材料の層で終える様に構成さ
れ、又当該周期的な活性層の選択成長を基板と同一材料
の層で開始させる様に構成されている事が望ましい。
体レーザの製造方法に於て、当該第１の工程に於ける当
該平坦な活性層の成長を量子井戸構造の障壁層で終える
様に構成され、又当該第３の工程に於ける当該周期的な
活性層の選択成長を基板と同一材料の層で開始させるこ
とが望ましく、又、当該第１の工程に於ける当該平坦な
活性層の成長を基板と同一材料の層で終える様に構成さ
れ、又当該周期的な活性層の選択成長を基板と同一材料
の層で開始させる様に構成されている事が望ましい。
【００３２】尚、本発明に於ける当該分布帰還型半導体
レーザの製造方法に於いては、当該第１の工程に於ける
当該平坦な活性層の平坦成長の最終層あるいは選択成長
の最初の層若しくは、当該第３の工程に於ける当該選択
成長により形成される周期的な活性層の最初の層として
成長する、当該基板と同一材料の層の厚みが１０ｎｍ以
下である様に設定されている事が望ましい。
レーザの製造方法に於いては、当該第１の工程に於ける
当該平坦な活性層の平坦成長の最終層あるいは選択成長
の最初の層若しくは、当該第３の工程に於ける当該選択
成長により形成される周期的な活性層の最初の層として
成長する、当該基板と同一材料の層の厚みが１０ｎｍ以
下である様に設定されている事が望ましい。
【００３３】即ち、本発明に於いては、第二の活性層の
成長を行う際の基板前処理によってわずかに半導体層が
エッチングされることを考慮し、第一の活性層は量子井
戸層以外の層で成長を終えることが望ましい。また、第
二の活性層の最下量子井戸層が結晶長開始時の表面状態
に影響され難い様に、第二の活性層は量子井戸層以外の
層から成長を行うことが望ましい。
成長を行う際の基板前処理によってわずかに半導体層が
エッチングされることを考慮し、第一の活性層は量子井
戸層以外の層で成長を終えることが望ましい。また、第
二の活性層の最下量子井戸層が結晶長開始時の表面状態
に影響され難い様に、第二の活性層は量子井戸層以外の
層から成長を行うことが望ましい。
【００３４】前処理や成長初期の不安定性が量子井戸層
の品質に与える影響を軽減するために、第一の活性層の
最上層厚や第二の活性層の最下層厚を数ｎｍから十数ｎ
ｍ程度厚くしても良いが、第一の活性層の最上量子井戸
層と第二の活性層の最下量子井戸層との間隔が大きくな
ると光電界の横モード安定性に悪影響を及ぼすため、両
者の間隔は広くても４０ｎｍ以下、好ましくは２０ｎｍ
以下にすることが望ましい。
の品質に与える影響を軽減するために、第一の活性層の
最上層厚や第二の活性層の最下層厚を数ｎｍから十数ｎ
ｍ程度厚くしても良いが、第一の活性層の最上量子井戸
層と第二の活性層の最下量子井戸層との間隔が大きくな
ると光電界の横モード安定性に悪影響を及ぼすため、両
者の間隔は広くても４０ｎｍ以下、好ましくは２０ｎｍ
以下にすることが望ましい。
【００３５】第二の具体例において示したように、第二
の活性層の最下層として基板と同一材料のスペーサ層を
数ｎｍ程度成長する、あるいは第一の活性層の最上層と
して基板と同一材料のスペーサ層を数ｎｍ程度成長する
ことも第二の活性層の結晶成長を安定して行うためには
有効である。第一の活性層の最上層と第二の活性層の最
下層の両方に基板と同一材料のスペーサ層を用いても良
い。
の活性層の最下層として基板と同一材料のスペーサ層を
数ｎｍ程度成長する、あるいは第一の活性層の最上層と
して基板と同一材料のスペーサ層を数ｎｍ程度成長する
ことも第二の活性層の結晶成長を安定して行うためには
有効である。第一の活性層の最上層と第二の活性層の最
下層の両方に基板と同一材料のスペーサ層を用いても良
い。
【００３６】このように、第一の活性層の最上層あるい
は第二の活性層の最下層に基板と同一材料の層を用いる
場合には、基板材料のバンドギャップが量子井戸層なら
びに障壁層のバンドギャップよりも大きいことによって
キャリアの注入効率が低下するため、該基板材料と同一
材料層の厚さは１０ｎｍ以下、好ましくは５ｎｍ以下と
することが望ましい。
は第二の活性層の最下層に基板と同一材料の層を用いる
場合には、基板材料のバンドギャップが量子井戸層なら
びに障壁層のバンドギャップよりも大きいことによって
キャリアの注入効率が低下するため、該基板材料と同一
材料層の厚さは１０ｎｍ以下、好ましくは５ｎｍ以下と
することが望ましい。
【００３７】また第一の具体例においてはｎ型基板を用
いたＤＣ−ＰＢＨ型ＬＤ構造、第二の実施例においては
ｎ型基板を用た半絶縁層埋め込み型ＬＤ構造としたが、
ｐ型基板あるいは半絶縁性基板を用いた場合や、ＰＢＨ
型ＬＤ構造あるいはリッジ型ＬＤ構造などといった素子
構造においても本発明が適用可能であることはいうまで
もない。
いたＤＣ−ＰＢＨ型ＬＤ構造、第二の実施例においては
ｎ型基板を用た半絶縁層埋め込み型ＬＤ構造としたが、
ｐ型基板あるいは半絶縁性基板を用いた場合や、ＰＢＨ
型ＬＤ構造あるいはリッジ型ＬＤ構造などといった素子
構造においても本発明が適用可能であることはいうまで
もない。
【００３８】本発明に於いては、使用されるレーザーの
発振波長に関しても上記の実施例の１．３μｍ帯ならび
に１．５５μｍ帯に限定されるものではなく、例えば
１．６５μｍ，０．９８μｍ，あるいは０．６８μｍ等
の可視波長帯を含め、いかなる波長帯であってもよい。
また、上記具体例では歪量子井戸層を用いた歪ＭＱＷ構
造としたが無歪ＭＱＷ構造や歪補償型ＭＱＷ構造あるい
はバルク活性層を用いてもよく、その構成材料としては
実施例のＩｎＧａＡｓＰ／ＩｎＰ系の他に、ＡｌＧａＩ
ｎＡｓ／ＩｎＰ系、ＡｌＧａＡｓ／ＧａＡｓ系、ＡｌＧ
ａＩｎＰ／ＧａＩｎＰ系、その他いかなる材料系を使用
したものであっても良い。
発振波長に関しても上記の実施例の１．３μｍ帯ならび
に１．５５μｍ帯に限定されるものではなく、例えば
１．６５μｍ，０．９８μｍ，あるいは０．６８μｍ等
の可視波長帯を含め、いかなる波長帯であってもよい。
また、上記具体例では歪量子井戸層を用いた歪ＭＱＷ構
造としたが無歪ＭＱＷ構造や歪補償型ＭＱＷ構造あるい
はバルク活性層を用いてもよく、その構成材料としては
実施例のＩｎＧａＡｓＰ／ＩｎＰ系の他に、ＡｌＧａＩ
ｎＡｓ／ＩｎＰ系、ＡｌＧａＡｓ／ＧａＡｓ系、ＡｌＧ
ａＩｎＰ／ＧａＩｎＰ系、その他いかなる材料系を使用
したものであっても良い。
【００３９】結晶成長方法に関しても、ＭＯＶＰＥに限
定されることなく、選択成長によって良質な結晶品質が
得られるものであれば、ＭＢＥ等いかなる結晶成長方法
を用いても良い。
定されることなく、選択成長によって良質な結晶品質が
得られるものであれば、ＭＢＥ等いかなる結晶成長方法
を用いても良い。
【００４０】
【発明の効果】以上に説明したように、本発明によれ
ば、上記したような技術構成を採用している事から、電
流−光出力特性および温度特性が良好で、かつ、素子設
計の自由度に優れた利得結合型ＤＦＢ−ＬＤを制御性・
再現性良く製造することが可能となる。
ば、上記したような技術構成を採用している事から、電
流−光出力特性および温度特性が良好で、かつ、素子設
計の自由度に優れた利得結合型ＤＦＢ−ＬＤを制御性・
再現性良く製造することが可能となる。
【００４１】その理由は、共振器方向に利得の周期的摂
動を与える構造の寸法が、層厚方向には成長速度と成長
時間の制御によって、共振器方向には誘電体選択成長マ
スクのパターニング精度によって規定され、いずれも高
い精度で再現性良く作製することが可能であり、また種
々の素子設計パラメータの設計自由度を損なうことな
く、各々の最適化を計ることが可能となるからである。
動を与える構造の寸法が、層厚方向には成長速度と成長
時間の制御によって、共振器方向には誘電体選択成長マ
スクのパターニング精度によって規定され、いずれも高
い精度で再現性良く作製することが可能であり、また種
々の素子設計パラメータの設計自由度を損なうことな
く、各々の最適化を計ることが可能となるからである。
【図１】図１は、本発明に係る分布帰還型半導体レーザ
の一具体例の構成を説明する断面図である。
の一具体例の構成を説明する断面図である。
【図２】図２（Ａ）〜図２（Ｃ）は、本発明に係る分布
帰還型半導体レーザの製造方法の一の具体例を説明した
断面図であり、又図２（Ｄ）は、本発明に係る分布帰還
型半導体レーザの製造方法によって得られる分布帰還型
半導体レーザの斜視図である。
帰還型半導体レーザの製造方法の一の具体例を説明した
断面図であり、又図２（Ｄ）は、本発明に係る分布帰還
型半導体レーザの製造方法によって得られる分布帰還型
半導体レーザの斜視図である。
【図３】本発明の第二の実施例を説明する図。図３
（Ａ）〜図３（Ｃ）は、本発明に係る分布帰還型半導体
レーザの製造方法の他の具体例を説明した断面図であ
り、又図３（Ｄ）は、本発明に係る他の具体例に於ける
分布帰還型半導体レーザの製造方法によって得られる分
布帰還型半導体レーザの斜視図である。
（Ａ）〜図３（Ｃ）は、本発明に係る分布帰還型半導体
レーザの製造方法の他の具体例を説明した断面図であ
り、又図３（Ｄ）は、本発明に係る他の具体例に於ける
分布帰還型半導体レーザの製造方法によって得られる分
布帰還型半導体レーザの斜視図である。
【図４】図４は、従来例の分布帰還型半導体レーザの一
具体例を示す図である。
具体例を示す図である。
１…基板 １ａ…ｎ−ＩｎＰ基板 ２…クラッド層 ２ａ…ｎ−ＩｎＰクラッド層 ２ｂ…ｐ−ＩｎＰクラッド層 ３…ＳＣＨ層 ４…量子井戸層 ５…障壁層 ６…第一の活性層 ７…第二の活性層 ８…選択成長マスク ９…埋め込み層 １０…コンタクト層 １０ａ…ｐ−ＩｎＧａＡｓコンタクト層 １１…電極 １２…電流ブロック層 １２ａ…ｐ−ＩｎＰブロック層 １２ｂ…ｎ−ＩｎＰブロック層 １２ｃ…Ｆｅドープ半絶縁ＩｎＰブロック層 １３…絶縁膜 １４…ＩｎＰスペーサ層 １５…活性層 １６…緩衝層 ２０…分布帰還型半導体レーザ
Claims (9)
- 【請求項１】 平坦成長によって形成された活性層と選
択成長によって形成された周期的な活性層とが積層され
た積層構造を有することを特徴とする分布帰還型半導体
レーザ。 - 【請求項２】 当該平坦成長によって形成された活性層
と当該選択成長によって形成された周期的な活性層がと
もに量子井戸構造を有することを特徴とする請求項１記
載の分布帰還型半導体レーザ。 - 【請求項３】 当該平坦成長によって形成された活性層
に含まれる量子井戸層の中で当該周期的な活性層に最も
近接した量子井戸層と、当該周期的な活性層に含まれる
量子井戸層の中で当該平坦成長によって形成された活性
層に最も近接した量子井戸層との間隔が４０ｎｍ以下に
設定されていることを特徴とする請求項２に記載の分布
帰還型半導体レーザ。 - 【請求項４】 半導体基板上に活性層を平坦に成長する
第１の工程、当該平坦に成長された該活性層上に周期的
な誘電体膜を形成する第２の工程、該周期的な誘電体膜
をマスクとして周期的な活性層を該活性層上に選択的に
成長する第３の工程とから構成されていることを特徴と
する分布帰還型半導体レーザの製造方法。 - 【請求項５】 当該第１の工程に於ける当該平坦な活性
層の成長は、量子井戸構造の障壁層で終える様に構成さ
れ、又当該第３の工程に於ける当該周期的な活性層の選
択成長は、量子井戸構造の障壁層から開始させる様に構
成されていることを特徴とする請求項４記載の分布帰還
型半導体レーザの製造方法。 - 【請求項６】 当該第１の工程に於ける当該平坦な活性
層の成長を基板と同一材料の層で終える様に構成され、
又、当該第３の工程に於ける当該周期的な活性層の選択
成長は、当該量子井戸構造の障壁層で開始させる様に構
成されていることを特徴とする請求項４記載の分布帰還
型半導体レーザの製造方法。 - 【請求項７】 当該第１の工程に於ける当該平坦な活性
層の成長を量子井戸構造の障壁層で終える様に構成さ
れ、又当該第３の工程に於ける当該周期的な活性層の選
択成長を基板と同一材料の層で開始させることを特徴と
する請求項４記載の分布帰還型半導体レーザの製造方
法。 - 【請求項８】 当該第１の工程に於ける当該平坦な活性
層の成長を基板と同一材料の層で終える様に構成され、
又当該周期的な活性層の選択成長を基板と同一材料の層
で開始させる様に構成されている事を特徴とする請求項
４記載の分布帰還型半導体レーザの製造方法。 - 【請求項９】 当該第１の工程に於ける当該平坦な活性
層の平坦成長の最終層あるいは選択成長の最初の層若し
くは、当該第３の工程に於ける当該選択成長により形成
される周期的な活性層の最初の層として成長する、当該
基板と同一材料の層の厚みが１０ｎｍ以下であることを
特徴とする請求項６乃至８の何れかに記載の分布帰還型
半導体レーザの製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9245373A JP2950297B2 (ja) | 1997-09-10 | 1997-09-10 | 分布帰還型半導体レーザ及びその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9245373A JP2950297B2 (ja) | 1997-09-10 | 1997-09-10 | 分布帰還型半導体レーザ及びその製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH1187838A true JPH1187838A (ja) | 1999-03-30 |
| JP2950297B2 JP2950297B2 (ja) | 1999-09-20 |
Family
ID=17132704
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP9245373A Expired - Fee Related JP2950297B2 (ja) | 1997-09-10 | 1997-09-10 | 分布帰還型半導体レーザ及びその製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2950297B2 (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2001024332A1 (fr) * | 1999-09-29 | 2001-04-05 | The Furukawa Electric Co., Ltd. | Laser a semi-conducteur a retroaction repartie et a coulage de gain |
| JP2002111126A (ja) * | 2000-09-28 | 2002-04-12 | Fujitsu Ltd | 半導体レーザ |
| WO2008111344A1 (ja) * | 2007-03-15 | 2008-09-18 | Oki Electric Industry Co., Ltd. | 分布帰還型半導体レーザ素子 |
-
1997
- 1997-09-10 JP JP9245373A patent/JP2950297B2/ja not_active Expired - Fee Related
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2001024332A1 (fr) * | 1999-09-29 | 2001-04-05 | The Furukawa Electric Co., Ltd. | Laser a semi-conducteur a retroaction repartie et a coulage de gain |
| US6493369B2 (en) | 1999-09-29 | 2002-12-10 | The Furukawa Electrical Co., Ltd. | Gain-coupling distributed feedback type semiconductor laser device |
| JP2002111126A (ja) * | 2000-09-28 | 2002-04-12 | Fujitsu Ltd | 半導体レーザ |
| WO2008111344A1 (ja) * | 2007-03-15 | 2008-09-18 | Oki Electric Industry Co., Ltd. | 分布帰還型半導体レーザ素子 |
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| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2950297B2 (ja) | 1999-09-20 |
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| Date | Code | Title | Description |
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| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
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| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
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| S111 | Request for change of ownership or part of ownership |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313111 |
|
| R350 | Written notification of registration of transfer |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (prs date is renewal date of database) |
Year of fee payment: 8 Free format text: PAYMENT UNTIL: 20070709 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (prs date is renewal date of database) |
Year of fee payment: 9 Free format text: PAYMENT UNTIL: 20080709 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (prs date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20090709 Year of fee payment: 10 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (prs date is renewal date of database) |
Year of fee payment: 11 Free format text: PAYMENT UNTIL: 20100709 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (prs date is renewal date of database) |
Year of fee payment: 11 Free format text: PAYMENT UNTIL: 20100709 |
|
| S533 | Written request for registration of change of name |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313533 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (prs date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20100709 Year of fee payment: 11 |
|
| R350 | Written notification of registration of transfer |
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|
| FPAY | Renewal fee payment (prs date is renewal date of database) |
Year of fee payment: 12 Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110709 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (prs date is renewal date of database) |
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| FPAY | Renewal fee payment (prs date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120709 Year of fee payment: 13 |
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| FPAY | Renewal fee payment (prs date is renewal date of database) |
Year of fee payment: 14 Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130709 |
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