JPH1187478A - 静電チャック及びこれを用いた真空処理装置 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】静電チャックの本来の能力を損なうことなく離
脱の際における被吸着物の振動及び位置ずれによる搬送
不良を低減しうる静電チャックを提供する。 【解決手段】本発明の静電チャック７は、誘電体からな
る静電チャックプレート８中に複数の吸着電極９ａ、９
ｂ、１０ａ、１０ｂが設けられる。静電チャックプレー
ト８には、リフトピン１４の支持部１４ａが貫通可能な
複数の貫通孔１３ａ、１３ｂ、１３ｃ、１３ｄが設けら
れる。各貫通孔１３ａ、１３ｂ、１３ｃ、１３ｄは、正
の電圧が印加される吸着電極９ａ、９ｂを貫通する位置
に配設される。また、各貫通孔１３ａ、１３ｂ、１３
ｃ、１３ｄは、吸着電極９、１０のパターンの半径ｒ₀
の約１／２の半径ｒ₁を有する同心円Ａ上に配置され、
その重心部が、静電チャックプレート８上における基板
５の重心部と重なるようになっている。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、例えば真空処理槽
内において基板を吸着保持するための静電チャックに関
し、特に、双極型の静電チャックの吸着終了後に静電チ
ャック本体に生ずる残留吸着力に起因する基板の振動、
位置ずれを低減させる技術に関するものである。

【０００２】

【従来の技術】従来より、真空中でＳｉウェハ等の基板
上に成膜等の処理を行う装置においては、静電気力によ
って基板を吸着保持する静電チャックが広く用いられて
いる。このような静電チャックとしては、吸着電極に対
して単一の極性の電圧を印加する単極型のものと、吸着
電極に対して極性の異なる電圧を印加する双極型のもの
とが知られている。

【０００３】図５（ａ）（ｂ）に、従来の双極型の静電
チャックの構成を示す。この静電チャック１００は、図
示しない真空処理槽内のサセプタの上部に固定されるも
ので、図５（ａ）（ｂ）に示すように、円盤状の誘電体
からなる静電チャックプレート１０１中に２つの吸着電
極１０２、１０３が設けられる。そして、各吸着電極１
０２、１０３に対して直流電源１０４、１０５から異な
る極性の電圧を印加するように構成され、これにより成
膜等の処理時において基板１０６を静電チャックプレー
ト１０１上に吸着保持できるようになっている。

【０００４】一方、基板１０６に対して所定の処理が終
了した後、基板１０６を静電チャックプレートから離脱
させるには、基板１０６の搬送機構を簡便にするという
理由から、通常の場合、図５（ａ）に示すように、上下
動可能なリフトピン１０８の先端の支持部１０８ａを静
電チャックプレート１０１に形成した貫通孔１０７（１
０７ａ〜１０７ｄ）から突出させることによって基板１
０６を裏面側から押し上げるようにしている。

【０００５】ここで、基板１０６をバランス良く支持す
るためには、リフトピン１０８の支持部１０８ａの重心
部が基板１０６の重心部と一致していることが望ましい
ことから、図５（ｂ）に示すように、各貫通孔１０７ａ
〜１０７ｄは、吸着電極１０２、１０３によって形成さ
れる円形のパターンに対する同心円Ｑ上に配設されるよ
うになっている。

【０００６】

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、この種
の静電チャック１００においては、吸着電極１０３への
印加電圧を切った後にも静電チャックプレート１０１に
電荷が滞留するため、基板１０６との間に残留吸着力が
発生し、これによって次のような問題が生じている。

【０００７】すなわち、ＰＶＤ、ＣＶＤ、エッチング等
のプラズマ処理を行う半導体製造装置において、上述の
双極型の静電チャック１００を用いた場合には、正又は
負の各吸着電極１０２、１０３上で、吸着動作の終了後
の残留吸着力に差が生じることが知られているが、その
ような状態で上記リフトピン１０８を上昇させて基板１
０６を押し上げると、残留吸着力の差により基板１０６
が傾いた状態で押し上げられ、その結果、基板１０６が
大きく振動して飛び跳ねたり、場合によっては基板１０
６の位置がずれてリフトピン１０８の支持部１０８ａか
ら滑落してしまうという問題があった。

【０００８】このため、従来は、ずれた基板１０６の回
収や基板１０６の搬送位置調整を行うべく真空処理槽の
メンテナンスが必要となっていた。半導体装置のプロセ
スラインにおけるこのような任意のメンテナンスは、生
産量の低下と半導体製造装置の信頼性を欠く原因とな
り、その改善が望まれていた。

【０００９】このような問題を解決するためには、例え
ばリフトピン１０８の支持部１０８ａの本数を増やすこ
とによって離脱の際に基板１０６を傾きにくくすること
も考えられる。しかし、リフトピン１０８の支持部１０
８ａの本数を増やした場合には、静電チャックプレート
１０１を貫通させるための貫通孔１０７の数も増やさな
ければならず、静電チャックプレート１０１の表面と基
板１０６との接触面積が小さくなるため、静電チャック
１００の本来の目的である基板１０６の温度制御能力が
低下してしまうという問題が生ずる。

【００１０】本発明は、このような従来の技術の課題を
解決するためになされたもので、静電チャックの本来の
能力を損なうことなく、離脱の際における被吸着物の振
動及び位置ずれに起因する搬送不良を低減しうる静電チ
ャックを提供することを目的とするものである。

【００１１】

【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
になされた請求項１記載の発明は、誘電体からなる静電
チャック本体中に複数の吸着電極が設けられ、被吸着物
を支持して昇降させる昇降支持部材の支持部が貫通可能
な複数の貫通孔を有する静電チャックであって、上記各
貫通孔が、上記吸着電極のうち同一極性の電圧が印加さ
れる吸着電極を貫通する位置に配設されていることを特
徴とする静電チャックである。

【００１２】請求項１記載の発明の場合、同一極性の電
圧が印加される吸着電極を貫通する位置に各貫通孔が形
成されていることから、静電チャック本体の残留吸着力
が同等の部分においてリフトピン等の昇降支持部材を突
出させ、これにより被吸着物を支持することが可能にな
る。その結果、請求項１記載の発明によれば、被吸着物
はバランス良く支持されるため被吸着物を離脱させる際
に傾いてしまうことはなく、被吸着物に振動や位置ずれ
が生ずることがない。

【００１３】しかも、請求項１記載の発明によれば、昇
降支持部材の支持部の数を増やすために静電チャック本
体に多くの貫通孔を設ける必要がなく、静電チャック本
体の表面と被吸着物との接触面積は変わらないため、静
電チャックの本来の目的である被吸着物の温度制御能力
を従来通りの能力に維持することができる。

【００１４】この場合、請求項２記載の発明のように、
請求項１記載の発明において、各貫通孔が、正の電圧が
印加される吸着電極を貫通する位置に配設されているこ
とも効果的である。

【００１５】すなわち、プラズマ処理中において静電チ
ャックに吸着保持された被吸着物は負に帯電することが
よく知られているが、このため静電チャック本体は、負
の吸着電極上の領域より正の吸着電極上の領域の方が残
留吸着力が大きい。したがって、請求項２記載の発明の
ように、上記各貫通孔を正の電圧が印加される吸着電極
を貫通する位置に配設し、この位置において被吸着物を
昇降支持部材で支持するように構成すれば、被吸着物に
対して昇降支持部材を突き当てる際の被吸着物のたわみ
が負の吸着電極の位置を支持する場合に比べて小さく、
その結果、被吸着物を静電チャックから離脱させる際の
振動がより一層低減される。

【００１６】また、請求項３記載の発明のように、請求
項２記載の発明において、各貫通孔が、当該複数の貫通
孔の重心部が静電チャック本体上における被吸着物の重
心部と重なる位置に配設されていることも効果的であ
る。

【００１７】請求項３記載の発明によれば、被吸着物が
昇降支持部材に支持された状態において被吸着物の重心
部と昇降支持部材の支持部の重心部とが一致するため、
被吸着物は昇降支持部材によってバランス良く支持さ
れ、その結果、被吸着物を静電チャックから離脱させる
際の振動がより一層低減される。

【００１８】さらに、請求項４記載の発明のように、請
求項２又は３のいずれか１項記載の発明において、吸着
電極が円形のパターンを分割した形状に形成され、各貫
通孔が、上記パターンの半径のほぼ１／２の半径を有す
る上記パターンの同心円上に配置されていることも効果
的である。

【００１９】すなわち、被吸着物を昇降支持部材によっ
て支持する際、被吸着物に対して昇降支持部材の支持部
の位置が被吸着物の端部に集中していると、数ｍｍ程度
のわずかな位置ずれによって被吸着物が滑落してしまう
が、請求項５記載の発明のように構成すれば、被吸着物
を静電チャック本体から離脱させる際に被吸着物の位置
が多少ずれても被吸着物が滑落してしまうことはなく、
しかも、被吸着物を支持した際に被吸着物のバランスが
悪くなることもない。

【００２０】一方、請求項５記載の発明は、真空処理槽
内に請求項１乃至４のいずれか１項記載の静電チャック
が設けられ、この静電チャックに吸着保持される基体に
対して所定の処理を行うように構成されていることを特
徴とする真空処理装置である。

【００２１】請求項５記載の発明によれば、基体を静電
チャック本体から離脱させる際に振動や位置ずれが生じ
ないため、従来行っていた基体（基板）の回収作業や基
体の搬送位置調整作業等の真空処理槽のメンテナンスが
必要なくなる。

【００２２】

【発明の実施の形態】以下、本発明に係る静電チャック
及びこれを用いた真空処理装置の好ましい実施の形態を
図面を参照して詳細に説明する。図１（ａ）は、本発明
に係る真空処理装置の一実施の形態であるプラズマＣＶ
Ｄ装置の概略構成を示す概略構成図であり、図１（ｂ）
は、本発明に係る静電チャックの第１の実施の形態の電
極パターンを示す説明図である。

【００２３】図１（ａ）に示すように、本実施の形態の
プラズマＣＶＤ装置１は、図示しない真空排気系に接続
された真空処理槽２を有し、この真空処理槽２内の上部
に放電手段３が設けられる。この放電手段３は、真空処
理槽２の外部に設けられた高周波電源４に接続された放
電電極３ａを有し、真空処理槽２内に反応ガスＧを導入
するように構成されている。

【００２４】真空処理槽２の下部には、処理対象物であ
るＳｉウェハー等の基板（基体）５を支持するためのサ
セプタ６が設けられ、このサセプタ６の上部には、後述
する静電チャック７が固定されている。

【００２５】図１（ａ）（ｂ）に示すように、静電チャ
ック７は、被吸着物である基板５と同等の大きさの円盤
形状に形成された静電チャックプレート８中に吸着電極
９が形成されて構成される。本発明の静電チャック７
は、いわゆる双極型のもので、誘電体からなる静電チャ
ックプレート８中に、正又は負の極性に帯電する２種類
の吸着電極９、１０が設けられている。そして、一方の
吸着電極９は、真空処理槽２の外部に設けられた直流電
源１１の負の端子に接続され、もう一方の吸着電極１０
は、同様に真空処理槽２の外部に設けられた直流電源１
２の正の端子に接続されている。

【００２６】また、静電チャックプレート８には、後述
するように所定の位置に貫通孔１３が形成されている。
そして、サセプタ６の内部には、基板５を静電チャック
プレート８上に載せ（リフトダウン）又は静電チャック
プレート８から基板５を押し上げる（リフトアップ）た
めの昇降支持部材としてのリフトピン１４が設けられ、
その先端の支持部１４ａが上記静電チャックプレート８
の貫通孔１３内に挿入されるようになっている。このリ
フトピン１４は、真空処理槽２の外部に設けられた昇降
機構１５に連結されている。そして、昇降機構１５の駆
動によるリフトピン１４の上下動に伴ってその支持部１
４ａが静電チャックプレート８の貫通孔１３から突出す
るように構成されている。

【００２７】図１（ｂ）に示すように、本実施の形態の
静電チャック７においては、円形の電極パターンに対
し、その中心点ＯからＸ軸又はＹ軸方向に延びる境界線
１６Ｘ、１６Ｙを形成すること、すなわち、同方向に延
びるようにパターンを形成しないことによって、それぞ
れの中心角が９０°の扇形状に４分割された吸着電極９
ａ、９ｂ、１０ａ、１０ｂが形成されている。

【００２８】また、この種の双極型の静電チャックの場
合、静電吸着力の不均一を防ぐためには、隣り合う吸着
電極に対して逆極性の電圧を印加することが好ましいこ
とから、本実施の形態の場合は、静電チャックプレート
８の中心点Ｏに対して点対称の位置に形成された吸着電
極９ａ、９ｂに正の電圧を印加するとともに、静電チャ
ックプレート８の中心点Ｏに対して点対称の位置に形成
された吸着電極１０ａ、１０ｂに負の電圧を印加するよ
うに構成している。

【００２９】図１（ｂ）に示すように、本実施の形態の
場合は、正に帯電する吸着電極９ａ、９ｂを貫通する位
置に、リフトピン１４の先端部１４が貫通可能な貫通孔
１３が設けられている。この場合、吸着電極９ａを貫通
する位置に２つの貫通孔１３ａ、１３ｂが設けられると
ともに、吸着電極９ｂを貫通する位置に２つの貫通孔１
３ｃ、１３ｄが設けられている。

【００３０】図１（ｂ）に示すように、各貫通孔１３
ａ、１３ｂ、１３ｃ、１３ｄは、吸着電極９ａ、９ｂ、
１０ａ、１０ｂによって形成される円形のパターンに対
する同心円Ａ上に配設されている。ここで、この同心円
Ａの半径ｒ₁は、吸着電極９ａ、９ｂ、１０ａ、１０ｂ
の半径ｒ₀の約１／２となっている。

【００３１】さらに、貫通孔１３ａと貫通孔１３ｄは、
静電チャックプレート８の中心点Ｏに対して点対称の位
置に設けられ、また、貫通孔１３ｂと貫通孔１３ｃは、
静電チャックプレート８の中心点Ｏに対して点対称の位
置に設けられている。ここで、中心点Ｏを通って貫通孔
１３ａと貫通孔１３ｂとを結ぶ線分Ｌと、中心点Ｏを通
って貫通孔１３ｂと貫通孔１３ｃとを結ぶ線分Ｍがなす
角度θ₁は、例えば６０°に設定される。また、この線
分ＬのＹ軸方向の境界線１６Ｙに対する角度θ₂と、上
記線分ＭのＸ軸方向の境界線１６Ｘに対する角度θ
₃は、ともに等しく(本実施の形態の場合はθ₂＝θ₃＝１
５°）なるように設定されている。

【００３２】そして、上述した位置に各貫通孔１３ａ、
１３ｂ、１３ｃ、１３ｄを配設することにより、本実施
の形態においては、貫通孔１３ａ、１３ｂ、１３ｃ、１
３ｄの重心部（図示せず）が、静電チャックプレート８
の中心点Ｏと重なるようになっている。そして、通常の
場合、基板５は静電チャックプレート８の中央部に載置
されるものであり、静電チャックプレート８上に載置さ
れた状態では基板５の重心部は静電チャックプレート８
の中心点Ｏと重なっている。その結果、本実施の形態の
場合、貫通孔１３ａ、１３ｂ、１３ｃ、１３ｄの重心部
は、静電チャックプレート８上における基板５の重心部
（図示せず）と重なるようになっている。

【００３３】以上の構成を有する本実施の形態の静電チ
ャック７によれば、同一極性の電圧が印加される吸着電
極９ａ、９ｂを貫通する位置に各貫通孔１３ａ、１３
ｂ、１３ｃ、１３ｄが形成されていることから、静電チ
ャックプレート８の残留吸着力が同等の部分においてリ
フトピン１４の支持部１４ａを突出させ、これにより基
板５を支持することが可能になる。その結果、基板５は
バランス良く支持されるため基板５を離脱させる際に傾
いてしまうことはなく、基板５の振動や位置ずれによる
滑落等の搬送不良を防止することができる。

【００３４】特に、本実施の形態の静電チャック７の場
合は、正の電圧が印加される吸着電極９ａ、９ｂを貫通
する位置に各貫通孔１３ａ、１３ｂ、１３ｃ、１３ｄを
配設し、この位置において基板５をリフトピンで支持す
るように構成したことにより、基板５に対して昇降支持
部材１４を突き当てる際の基板５のたわみが負の吸着電
極１０ａ、１０ｂの位置を支持する場合に比べて小さ
く、基板５を静電チャックプレート８から離脱させる際
の振動をより一層低減することができる。

【００３５】さらに、本実施の形態の静電チャック７に
おいては、吸着電極９、１０のパターンの半径ｒ₀の約
１／２の半径ｒ₁を有する同心円Ａ上に各貫通孔１３
ａ、１３ｂ、１３ｃ、１３ｄが配置されていることか
ら、基板５を支持する際のバランスを維持しつつ、基板
５を静電チャックプレート８から離脱させる際の基板５
の位置ずれによる基板５の滑落を防止することができ
る。

【００３６】その一方で、本実施の形態の静電チャック
７によれば、リフトピン１４の支持部１４ａの数を増や
すために静電チャックプレート８に多くの貫通孔１３を
設ける必要がなく、静電チャックプレート８の表面と基
板５との接触面積は変わらないため、静電チャック７の
本来の目的である基板５の温度制御能力を従来通りの能
力に維持することができる。

【００３７】そして、このような静電チャック７を有す
る本実施の形態のプラズマＣＶＤ装置１によれば、基板
５を静電チャックプレート８から離脱させる際に振動や
位置ずれが生じないため、従来行っていた基板５の回収
作業や基板５の搬送位置調整作業等の真空処理槽２の任
意のメンテナンスが必要なくなり、半導体装置のプロセ
スラインを中断させることがない。その結果、本実施の
形態によれば、生産効率の高い高信頼性のプラズマＣＶ
Ｄ装置１を得ることができる。

【００３８】図２〜図４は、本発明に係る静電チャック
の他の実施の形態の電極パターンを示す説明図であり、
以下、上記第１の実施の形態と対応する部分には同一の
符号を付して説明する。

【００３９】図２は、本発明に係る静電チャックの第２
の実施の形態の電極パターンを示すものである。図２に
示すように、本実施の形態の静電チャック７Ａにおいて
は、それぞれの中心角が６０°の扇形状に６分割された
吸着電極９ｃ、９ｄ、９ｅ、１０ｃ、１０ｄ、１０ｅが
形成されている。ここで、本実施の形態の場合も、静電
吸着力を均一にするため、図中斜線を描いた正の電圧が
印加される吸着電極９ｃ、９ｄ、９ｅと、負の電圧が印
加される吸着電極１０ｃ、１０ｄ、１０ｅとを交互に配
置するようにされている。

【００４０】そして、本実施の形態の静電チャック７Ａ
の場合も、上記実施の形態と同様、正に帯電する吸着電
極９ｃ、９ｄ、９ｅを貫通する位置に、リフトピン１４
の先端部１４が貫通可能な貫通孔１３ａ、１３ｂ、１３
ｃが設けられている。また、各貫通孔１３ａ、１３ｂ、
１３ｃは、吸着電極９ｃ、９ｄ、９ｅ、１０ｃ、１０
ｄ、１０ｅによって形成される円形のパターンに対して
同心的に形成され、その半径ｒ₀の約１／２の半径ｒ₁を
有する同心円Ａ上に配設されている。

【００４１】さらに、各貫通孔１３ａ、１３ｂ、１３ｃ
は、各吸着電極９ｃ、９ｄ、９ｅの周方向の中央部に配
設され、また、各貫通孔１３ａ、１３ｂ、１３ｃの間隔
は等間隔になっている。すなわち、図２に示すように、
例えば貫通孔１３ａ、１３ｂを例にとると、中心点Ｏと
貫通孔１３ａとを結ぶ線分Ｌと、中心点Ｏと貫通孔１３
ｂとを結ぶ線分Ｍがなす角度θ₁ が１２０°となるよう
に設定されている。そして、このような構成により、貫
通孔１３ａ、１３ｂ、１３ｃの重心部は、静電チャック
プレート８上における基板５の重心部と重なるようにな
っている。

【００４２】以上述べたような本実施の形態の静電チャ
ック７Ａによれば、上記実施の形態と同様に静電チャッ
クプレート８から基板５を離脱させる際の振動や位置ず
れを防止することができるが、本実施の形態の場合は貫
通孔１３が３つで済むため、より大きい静電吸着力が得
られるものである。その他の構成及び作用効果について
は上記実施の形態と同一であるのでその詳細な説明を省
略する。

【００４３】図３は、本発明に係る静電チャックの第３
の実施の形態の電極パターンを示すものである。図３に
示すように、本実施の形態の静電チャック７Ｂにおいて
は、いわゆる入れ子型と呼ばれる電極パターンが形成さ
れている。すなわち、静電チャックプレート８中に、そ
れぞれ櫛歯状に形成された吸着電極９ｆ、１０ｆが入れ
子状に噛み合わように配設されている。ここで、図中斜
線を描いた吸着電極９ｆには正の電圧が印加され、他方
の吸着電極１０ｆには負の電圧が印加されるように構成
されている。

【００４４】そして、本実施の形態の静電チャック７Ｂ
の場合も、上記実施の形態と同様、正に帯電する吸着電
極９ｆを貫通する位置に、リフトピン１４の支持部１４
ａが貫通可能な貫通孔１３ａ、１３ｂ、１３ｃが設けら
れている。この場合、各貫通孔１３ａ、１３ｂ、１３ｃ
は、吸着電極９ｆ、１０ｆによって形成される円形のパ
ターンに対して同心的に形成され、その半径ｒ₀の約１
／２の半径ｒ₁を有する同心円Ａ上に配設されている。

【００４５】さらに、各貫通孔１３ａ、１３ｂ、１３ｃ
の間隔は等間隔に配設される。例えば、図３に示すよう
に、貫通孔１３ａ、１３ｂを例にとると、中心点Ｏと貫
通孔１３ａとを結ぶ線分Ｌと、中心点Ｏと貫通孔１３ｂ
とを結ぶ線分Ｍがなす角度θ₁が１２０°となるように
設定されている。そして、このような構成により、貫通
孔１３ａ、１３ｂ、１３ｃの重心部は、静電チャックプ
レート８上における基板５の重心部と重なるようになっ
ている。

【００４６】以上述べたような本実施の形態の静電チャ
ック７Ｂの場合は、それぞれの吸着電極９ｆ、１０ｆが
近接しているため静電吸着力の偏りは小さいが、上述の
構成を採用することにより、静電チャックプレート８か
ら基板５を離脱させる際の振動や位置ずれを確実に防止
することができる。その他の構成及び作用効果について
は上記実施の形態と同一であるのでその詳細な説明を省
略する。

【００４７】図４は、本発明に係る静電チャックの第４
の実施の形態の電極パターンを示すものである。図４に
示すように、本実施の形態の静電チャック７Ｃにおいて
は、いわゆる同心円型と呼ばれる電極パターンが形成さ
れている。すなわち、静電チャックプレート８中に、静
電チャックプレート８と同心円的に４つの吸着電極９
ｇ、９ｈ、１０ｇ、１０ｈが配設されている。ここで、
図中斜線を描いた吸着電極９ｇ、９ｈには正の電圧が印
加され、他方の吸着電極１０ｇ、１０ｈには負の電圧が
印加されるようになっている。

【００４８】そして、本実施の形態の静電チャック７Ｃ
の場合も、正に帯電する外周側の吸着電極９ｇを貫通す
る位置に、リフトピン１４の支持部１４ａが貫通可能な
貫通孔１３ａ、１３ｂ、１３ｃが設けられている。この
場合、各貫通孔１３ａ、１３ｂ、１３ｃは、最外周の吸
着電極１０ｇのパターンに対して同心的に形成され、そ
の半径ｒ₀の約１／２の半径ｒ₁を有する同心円Ａ上に配
設されている。

【００４９】さらに、各貫通孔１３ａ、１３ｂ、１３ｃ
の間隔は等間隔に配設される。例えば、図４に示すよう
に、貫通孔１３ａ、１３ｂを例にとると、中心点Ｏと貫
通孔１３ａとを結ぶ線分Ｌと、中心点Ｏと貫通孔１３ｂ
とを結ぶ線分Ｍがなす角度θ₁が１２０°となるように
設定されている。そして、このような構成により、貫通
孔１３ａ、１３ｂ、１３ｃの重心部は、静電チャックプ
レート８上における基板５の重心部と重なるようになっ
ている。

【００５０】以上述べたような本実施の形態の静電チャ
ック７Ｃによれば、上記実施の形態と同様に静電チャッ
クプレート８から基板５を離脱させる際の振動や位置ず
れを防止することができるが、本実施の形態の場合は吸
着電極９ｇが円形に形成されているため、各貫通孔１３
ａ、１３ｂ、１３ｃの重心部と静電チャックプレート８
上における基板５の重心部とを容易に重ねることができ
るものである。その他の構成及び作用効果については上
記実施の形態と同一であるのでその詳細な説明を省略す
る。

【００５１】なお、本発明は上述の実施の形態に限られ
ることなく、種々の変更を行うことができる。例えば、
吸着電極に設ける貫通孔の位置、数、形状は、本発明の
範囲内である限り、任意のものとすることができる。

【００５２】特に、貫通孔の位置については、上述の実
施の形態のように電極パターンの半径の１／２の半径を
有する同心円上に配設する場合には限られない。ただ
し、上記実施の形態のように構成すれば、昇降支持部材
の支持部の重心部を容易に被吸着物の重心部に一致させ
ることができ、被吸着物の滑落をより効果的に防止する
ことができるという利点がある。

【００５３】また、上述の実施の形態においては、正の
電圧が印加される吸着電極を貫通する位置に各貫通孔を
配設するようにしたが、負の電圧が印加される吸着電極
を貫通する位置に各貫通孔を配設することも可能であ
る。ただし、被吸着物を静電チャック本体から離脱させ
る際の振動をより確実に防止するためには、上記実施の
形態のように正に帯電する吸着電極を貫通する位置に各
貫通孔を配設することが好ましい。

【００５４】さらに、上述の実施の形態においては、プ
ラズマＣＶＤ装置を例にとって説明したが、本発明はこ
れに限られず、静電チャック機構を具備する全ての装置
に搭載することができるものである。もっとも、本発明
はプラズマを用いて処理を行うＰＶＤ装置、ＣＶＤ装
置、エッチング装置等の真空処理装置に搭載するとより
効果的になるものである。

【００５５】

【発明の効果】以上述べたように本発明によれば、静電
チャックの本来の能力を損なうことなく被吸着物の振動
や位置ずれによる滑落等の搬送不良を防止することがで
きる。また、このような静電チャックを有する本発明の
真空処理装置によれば、生産効率の高い高信頼性の真空
処理装置を得ることができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】（ａ）：本発明に係る真空処理装置の一実施の
形態であるプラズマＣＶＤ装置の概略構成図 （ｂ）：
本発明に係る静電チャックの第１の実施の形態の電極パ
ターンを示す説明図

【図２】本発明に係る静電チャックの第２の実施の形態
の電極パターンを示す説明図

【図３】本発明に係る静電チャックの第３の実施の形態
の電極パターンを示す説明図

【図４】本発明に係る静電チャックの第４の実施の形態
の電極パターンを示す説明図

【図５】（ａ）：従来の双極型の静電チャックの構成を
示す説明図で、基板を静電チャックプレートから離脱さ
せる動作を示す図 （ｂ）：従来の静電チャックの電極
パターンを示す説明図

【符号の説明】

１…プラズマＣＶＤ装置（真空処理装置） ２…真空処
理槽 ３…放電手段 ５…基板（基体、被吸着物） ６
…サセプタ ７…静電チャック ８…静電チャックプレ
ート（静電チャック本体） ９（９ａ、９ｂ）…吸着電
極 １０（１０ａ、１０ｂ）…吸着電極 １３（１３
ａ、１３ｂ、１３ｃ、１３ｄ）…貫通孔 １４…昇降支
持部材 １４ａ…支持部 Ａ…同心円 Ｏ…中心点

Claims (5)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】誘電体からなる静電チャック本体中に複数
   の吸着電極が設けられ、被吸着物を支持して昇降させる
   昇降支持部材の支持部が貫通可能な複数の貫通孔を有す
   る静電チャックであって、 上記貫通孔が、上記吸着電極のうち同一極性の電圧が印
   加される吸着電極を貫通する位置に配設されていること
   を特徴とする静電チャック。
2. 【請求項２】各貫通孔は、正の電圧が印加される吸着電
   極を貫通する位置に配設されていることを特徴とする請
   求項１記載の静電チャック。
3. 【請求項３】各貫通孔は、当該複数の貫通孔の重心部が
   静電チャック本体上における被吸着物の重心部と重なる
   位置に配設されていることを特徴とする請求項２記載の
   静電チャック。
4. 【請求項４】吸着電極が円形のパターンを分割した形状
   に形成され、各貫通孔は、上記パターンの半径のほぼ１
   ／２の半径を有する上記パターンの同心円上に配設され
   ていることを特徴とする請求項２又は３のいずれか１項
   記載の静電チャック。
5. 【請求項５】真空処理槽内に請求項１乃至４のいずれか
   １項記載の静電チャックが設けられ、 該静電チャックに吸着保持される基体に対して所定の処
   理を行うように構成されていることを特徴とする真空処
   理装置。