JPH1183941A - Connecting apparatus, semiconductor element-inspecting apparatus and semiconductor element - Google Patents

Connecting apparatus, semiconductor element-inspecting apparatus and semiconductor element

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JPH1183941A
JPH1183941A JP9245799A JP24579997A JPH1183941A JP H1183941 A JPH1183941 A JP H1183941A JP 9245799 A JP9245799 A JP 9245799A JP 24579997 A JP24579997 A JP 24579997A JP H1183941 A JPH1183941 A JP H1183941A
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JP
Japan
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semiconductor element
inspection
socket
connection
electrode
Prior art date
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Application number
JP9245799A
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Japanese (ja)
Inventor
Terutaka Mori
照享 森
Susumu Kasukabe
進 春日部
Kenichi Yamamoto
健一 山本
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Hitachi Ltd
Original Assignee
Hitachi Ltd
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Publication of JPH1183941A publication Critical patent/JPH1183941A/en
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Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a connecting apparatus which can connect many points with high density without damaging an electrode material of an inspected object and, an inspecting apparatus using the same. SOLUTION: A connecting apparatus storing an inspected semiconductor element 1 and connecting the semiconductor element electrically to an inspecting apparatus has a socket 3 for storing the semiconductor element 1 therein, and means (8, 9, 10) for pressing the semiconductor element 1 to a bottom face of the socket when the semiconductor element 1 is stored in the socket 3. The socket 3 is provided with a plurality of connecting terminals 4 arranged inside the bottom face to be electrically connected to the semiconductor element, and a lead-out wiring 7 drawn out from each connecting terminal 4. The connecting terminal 4 has a projecting streak with a knife edge at a face opposite to the semiconductor element 1.

Description

【発明の詳細な説明】DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION

【0001】[0001]

【発明の属する技術分野】本発明は、対接する電極に接
触した接触端子を通して電極に電気信号を伝送して半導
体素子の良否判定を実施するために用いる接続装置、お
よび、これを用いた検査装置、ならびに、この検査装置
によって検査されて形成された半導体素子に関する。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a connecting device for transmitting an electric signal to an electrode through a contact terminal in contact with the electrode to determine whether the semiconductor device is good or bad, and an inspection device using the same. And a semiconductor element formed by inspection by this inspection apparatus.

【0002】[0002]

【従来の技術】半導体素子を工業的に多数生産し、その
電気的性能を検査するために、検査装置が用いられてい
る。この検査装置は、プローブ部と、テスタ部とで構成
される。
2. Description of the Related Art Inspection apparatuses are used for industrially producing a large number of semiconductor elements and inspecting their electrical performance. This inspection device includes a probe unit and a tester unit.

【0003】また、半導体素子の高密度化が進み、はん
だ接続に供するはんだバンプをその電極上に有するチッ
プ状の半導体素子が開発されている。このような半導体
素子についての検査として、半導体素子を配線基板の表
面の電極に対向させ、上記はんだバンプを介して接続す
る方法がある。この方法は、高密度実装、歩留まりの高
い一括接続に適することから、その応用が拡大してい
る。
In addition, as the density of semiconductor elements has increased, chip-shaped semiconductor elements having solder bumps on their electrodes for solder connection have been developed. As an inspection for such a semiconductor element, there is a method in which the semiconductor element is opposed to an electrode on the surface of a wiring board and connected via the solder bump. Since this method is suitable for high-density mounting and collective connection with high yield, its application is expanding.

【0004】また、特開平8ー306749号公報に示
されるように、平坦な金属面にめっきにより凹凸を作
り、この凹凸を転写することによりバンプに凹凸を作る
という手法がある。しかし、めっきは金属に対してのみ
有効であり、またバンプ等に転写した場合、バンプの先
端部が尖るのではなく、バンプのへこんだ部分が尖り、
バンプの先端部は尖ったものにならない。そのため、酸
化膜を破るためには大きな力を必要とし、半導体素子を
損傷するおそれがあるという問題がある。
Further, as disclosed in Japanese Patent Application Laid-Open No. 8-306749, there is a method in which unevenness is formed on a flat metal surface by plating, and the unevenness is transferred to form bumps. However, plating is effective only for metal, and when transferred to a bump or the like, the tip of the bump is not sharp, but the concave portion of the bump is sharp,
The tip of the bump is not sharp. Therefore, a large force is required to break the oxide film, and there is a problem that the semiconductor element may be damaged.

【0005】[0005]

【発明が解決しようとする課題】近年、半導体素子の高
密度化に伴って、半導体製造時の検査工程において検査
用のプローブの狭ピッチ多ピン化が進み、半導体素子の
電極と検査回路間で高速電気信号を伝送し、検査する工
程で、半導体素子の電極の損傷を防止できる接続装置を
使用した半導体素子の製造方法の開発が望まれている。
そこで、このような観点から、上記従来の技術について
検討する。
In recent years, with the increase in the density of semiconductor elements, the number of pins of an inspection probe has become narrower and the number of pins has increased in the inspection process at the time of semiconductor manufacturing. It is desired to develop a method of manufacturing a semiconductor device using a connection device that can prevent damage to electrodes of the semiconductor device in a process of transmitting and inspecting a high-speed electric signal.
Therefore, from such a viewpoint, the above-described conventional technology will be examined.

【0006】銅配線の一部にめっきにより形成したバン
プをプローブとする方法は、バンプの先端部が平坦ある
いは半円形となるため、アルミニウム電極やはんだ電極
などの材料表面に酸化物を生成する被接触材料に対して
は、接触抵抗が不安定になり、接触時の荷重を数百mN
以上にする必要がある。しかし、接触時の荷重を大きく
しすぎることには問題がある。すなわち、半導体素子の
高集積化が進み、高密度多ピン、狭ピッチの電極が半導
体素子表面に形成されている。そのため、電極直下に多
数の能動素子あるいは微細な配線が形成されているた
め、半導体素子検査時のプローブの電極への接触圧が大
き過ぎると、電極およびその直下の能動素子や配線に損
傷を与えるおそれがある。
In the method using a bump formed by plating a part of a copper wiring as a probe, the tip of the bump becomes flat or semicircular, so that an oxide is generated on the surface of a material such as an aluminum electrode or a solder electrode. For contact materials, the contact resistance becomes unstable and the load at contact is several hundred mN.
It is necessary to do above. However, there is a problem in making the load at the time of contact too large. In other words, the integration of semiconductor elements has been advanced, and high-density multi-pin, narrow-pitch electrodes have been formed on the surface of the semiconductor elements. Therefore, since a large number of active elements or fine wirings are formed immediately below the electrodes, if the contact pressure of the probe with the electrodes during the inspection of the semiconductor element is too large, the electrodes and the active elements and the wirings immediately below the electrodes may be damaged. There is a risk.

【0007】さらに、バンプの形状等にばらつきが生じ
ることが予想されるため、接触が不十分な突起を完全に
接触させるには、全体として大きな接触圧が必要とな
り、部分的には、過大な接触圧となってしまうという問
題がある。
[0007] Furthermore, since it is expected that the shape of the bumps and the like will vary, a large contact pressure is required as a whole to completely contact the insufficiently contacting projections, and an excessively large contact pressure is required. There is a problem that it becomes a contact pressure.

【0008】また、従来は、接触端子を電極に擦りつけ
ること(スクライブ動作)により、電極材料表面の酸化
物を擦り取り、その下面の金属導体材料に接触すること
により、良好な接触を確保している。この結果、電極を
接触端子でスクライブすることにより、電極材料のクズ
が生じ、また、電極を傷付けることにより、電極に損傷
を与えることが多い。従来のプローブ検査後には、前記
の電極材料のクズが生ずるため、電極パッド間および組
み立て時の部品、配線間のショートおよび異物による汚
染を防止するため、洗浄工程が必須となっている。
Conventionally, a contact terminal is rubbed against an electrode (scribing operation) to scrape oxide on the surface of the electrode material and contact the metal conductor material on the lower surface of the electrode material to ensure good contact. ing. As a result, scribing of the electrode material by the scribe of the electrode with the contact terminal often occurs, and the electrode is often damaged by damaging the electrode. After the conventional probe inspection, the above-mentioned electrode material is scratched, so that a cleaning step is indispensable in order to prevent short-circuiting between electrode pads and between components and wiring during assembly and contamination by foreign matter.

【0009】また、特開平8ー306749号公報に示
されるように、平坦な金属面にめっきにより凹凸を作
り、この凹凸を転写することによりバンプに凹凸を作る
という手法においては、めっきは金属に対してのみ有効
であり、またバンプ等に転写した場合、バンプの先端部
が尖るのではなく、バンプのへこんだ部分が尖り、バン
プの先端部は尖ったものにならない。これは、同公報の
図6に示されている、バンプを電極に押し付けた際の圧
痕を見ても明らかである。すなわち、先端が余り尖って
いないため、痕跡が複数箇所に点在している。そのた
め、このような圧痕を設けるまでに要する力は、圧痕の
面積に比例して大きくなるため、大きな力を要するもの
と思われる。力が大きいと、その力が電極を介して半導
体素子に局部的に加わり、素子に歪を与えるおそれがあ
り、好ましくない。
Further, as disclosed in Japanese Patent Application Laid-Open No. Hei 8-306749, in a method of forming unevenness on a flat metal surface by plating and transferring the unevenness to create unevenness on a bump, plating is performed on a metal. When transferred to a bump or the like, the tip of the bump is not sharp, but the concave portion of the bump is sharp and the tip of the bump is not sharp. This is also apparent from the indentation when the bump is pressed against the electrode, as shown in FIG. 6 of the publication. That is, since the tip is not very sharp, traces are scattered at a plurality of places. Therefore, the force required to provide such an indentation increases in proportion to the area of the indentation, and it is considered that a large force is required. When the force is large, the force is locally applied to the semiconductor element via the electrode, and there is a possibility that the element is distorted, which is not preferable.

【0010】また、半導体素子を購入した側では、購入
した半導体素子それ自体が検査されたものであるのかを
知りたい場合がある。しかし、上述した従来の検査装置
によって検査された半導体素子についていえば、検査が
行われたものであるかを、その外観からは知ることにつ
いては考慮されていない。例えば、特開平8−3057
49号公報の図6に、バンプを電極に押し付けた際の圧
痕が示されているが、バンプにランダムな傷がある場
合、それと区別が困難である。
[0010] Further, there is a case where a person who has purchased a semiconductor device wants to know whether or not the purchased semiconductor device itself has been inspected. However, regarding the semiconductor element inspected by the above-described conventional inspection apparatus, no consideration is given to knowing from the external appearance whether the inspection has been performed. For example, JP-A-8-3057
FIG. 6 of Japanese Patent Publication No. 49 shows an indentation when the bump is pressed against the electrode. However, if the bump has a random scratch, it is difficult to distinguish it from the random scratch.

【0011】これに対して、検査した半導体素子に検査
済みのマークを付すことが考えられる。しかし、微少な
半導体素子に検査済みマークを付すべき箇所があるかの
問題と共に、そのための装置が必要であり、また、その
ための工程が必要となるという問題がある。
[0011] On the other hand, it is conceivable to attach an inspected mark to the inspected semiconductor element. However, in addition to the problem of whether or not there is a portion where a mark to be inspected is to be attached to a minute semiconductor element, there is a problem that an apparatus for that is required and a process for that is required.

【0012】本発明の目的は、被検査対象の電極材料に
損傷を与えないで、多点かつ高密度で接触できる接続装
置およびそれを用いた検査装置を提供することにある。
SUMMARY OF THE INVENTION It is an object of the present invention to provide a connection device capable of making contact at multiple points and high density without damaging an electrode material to be inspected, and an inspection device using the same.

【0013】本発明の他の目的は、特別に検査済みマー
クを付することなく、検査済みであることが外観上知り
うる構造の半導体素子を提供することにある。
Another object of the present invention is to provide a semiconductor device having a structure in which it can be visually recognized that inspection has been performed without a special inspection mark.

【0014】[0014]

【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
本発明の第1の態様によれば、検査するための半導体素
子を収容するとと共に、検査装置に電気的に接続するた
めの接続装置において、半導体素子を収容するソケット
と、前記ソケット内に半導体素子が収容されたとき、半
導体素子をソケット底面側に押圧するための手段とを備
え、前記ソケットには、その底面内側に配置される、半
導体素子と電気的に接触するための複数個の接触端子
と、各接触端子から引き出される引き出し用配線とを備
え、前記接触端子は、半導体素子と対向する面に、ナイ
フエッジを有する突条が形成されていることを特徴とす
る接続装置が提供される。
According to a first aspect of the present invention, there is provided a connecting device for accommodating a semiconductor element for inspection and electrically connecting to a testing device. A socket for accommodating a semiconductor element, and means for pressing the semiconductor element to the bottom side of the socket when the semiconductor element is accommodated in the socket, wherein the socket is disposed inside the bottom surface, A plurality of contact terminals for making electrical contact with the semiconductor element, and a wiring for leading out from each contact terminal, wherein the contact terminal has a ridge having a knife edge on a surface facing the semiconductor element. A connection device is provided that is formed.

【0015】前記押圧するための手段は、前記ソケット
内に半導体素子が収容されたとき、それを保持するため
の蓋と、前記蓋と前記半導体素子との間に位置し、半導
体素子と接する押さえ板、および、該押さえ板に弾性を
付与する弾性部材とを備える構成とすることができ
る。、前記接触端子は、金属で形成され、前記半導体素
子と対向する面に、表面にV字溝を有する型を押し付け
て、ナイフエッジを有する突条を形成したものとするこ
とができる。
[0015] The means for pressing includes: a lid for holding the semiconductor element when the semiconductor element is accommodated in the socket; and a presser located between the lid and the semiconductor element and in contact with the semiconductor element. A configuration may be provided that includes a plate and an elastic member that imparts elasticity to the pressing plate. The contact terminal may be formed of a metal, and a protrusion having a knife edge may be formed by pressing a mold having a V-shaped groove on the surface facing the semiconductor element.

【0016】また、本発明の第2の態様によれば、多数
の電極が配置された検査対象の各電極に接触して、電気
信号を授受して検査を行う検査装置において、検査対象
物を保持接続すると共に、電気的接続を行なう検査対象
保持接続部と、前記接続装置と接続されて、保持されて
いる検査対象について検査を行うテスタとを備え、前記
接続装置は、検査対象物を収容するソケットと、前記ソ
ケット内に検査対象物が収容されたとき、検査対象物を
ソケット底面側に押圧するための手段とを備え、前記ソ
ケットには、その底面内側に配置される、検査対象物と
電気的に接触するための複数個の接触端子と、各接触端
子から引き出される引き出し用配線とを備え、前記接触
端子は、検査対象物と対向する面に、ナイフエッジを有
する突条が形成されていることを特徴とする検査装置が
提供される。
Further, according to the second aspect of the present invention, in the inspection apparatus for performing an inspection by contacting each electrode of the inspection object on which a large number of electrodes are arranged and transmitting and receiving an electric signal, the inspection object is An inspection target holding connection unit that performs the holding connection and performs an electrical connection, and a tester that is connected to the connection device and performs an inspection on the held inspection target. The connection device accommodates the inspection target object. A socket to be inspected, and means for pressing the inspection object toward the bottom surface of the socket when the inspection object is accommodated in the socket. A plurality of contact terminals for making electrical contact with each other, and lead-out wiring drawn out from each contact terminal, wherein the contact terminal has a ridge having a knife edge formed on a surface facing the inspection object. Sa Inspection apparatus characterized by that there is provided.

【0017】さらに、本発明の他の目的を達成するた
め、本発明の第3の態様によれば、一方の面に、外部接
続用の電極が複数配置された半導体素子であって、前記
電極の表面に、線状痕を有することを特徴とする半導体
素子が提供される。
According to a third aspect of the present invention, there is provided a semiconductor device having a plurality of electrodes for external connection arranged on one surface, wherein A semiconductor element having a linear mark on the surface of the semiconductor element.

【0018】[0018]

【発明の実施の形態】以下、本発明の実施の形態につい
て、図面を参照して説明する。
Embodiments of the present invention will be described below with reference to the drawings.

【0019】図1に、半導体素子検査装置において用い
ることができる本発明の接続装置の一例を示す。
FIG. 1 shows an example of the connection device of the present invention which can be used in a semiconductor device inspection device.

【0020】この例において、検査装置は、半導体素子
1を収容すると共に、試験のための電気的接続を行うた
めのソケット3と、このソケット3を覆う蓋8と、ソケ
ット3と蓋8とを連結するラチェット11と、半導体素
子1をソケット3内で押さえるための押さえ板9および
弾性体10とを備える。
In this example, the inspection apparatus includes a socket 3 for housing the semiconductor element 1 and making an electrical connection for a test, a lid 8 covering the socket 3, and a socket 3 and a lid 8. It includes a ratchet 11 to be connected, a pressing plate 9 for holding the semiconductor element 1 in the socket 3, and an elastic body 10.

【0021】ソケット3は、その底部3aの内面に、半
導体素子1の電極2と接続するための接触端子としての
パッド4が配線基板5と共に配置され、その底部3aの
外面に、外部接続用ピン7が配置され、底部3aには、
各パッド4を外部接続用ピン7と接続するためソケット
3の底部3aを貫通する配線6が設けられている。外部
接続用ピン7および配線6は、引き出し用配線を構成す
る。
The socket 3 has pads 4 as contact terminals for connection with the electrodes 2 of the semiconductor element 1 disposed on the inner surface of the bottom 3a together with the wiring board 5, and external connection pins on the outer surface of the bottom 3a. 7 are arranged, and on the bottom 3a,
In order to connect each pad 4 to an external connection pin 7, a wiring 6 penetrating the bottom 3 a of the socket 3 is provided. The external connection pins 7 and the wiring 6 constitute a drawing wiring.

【0022】配線基板5は、例えば、絶縁フィルムで形
成される。パッド4は、この配線基板5の一方の面に突
出して設けられている。また、配線基板5の他の面に
は、配線13が設けられている。パッド4と配線13と
は、図示していないビアを介して接続されている。この
配線13は、上記配線6と接続される。配線13は、例
えば、めっきで形成される。したがって、パッド4との
接続も、このめっきの際、あわせて行なうことができ
る。
The wiring board 5 is formed of, for example, an insulating film. The pad 4 is provided so as to protrude from one surface of the wiring board 5. The wiring 13 is provided on the other surface of the wiring board 5. The pad 4 and the wiring 13 are connected via a via (not shown). The wiring 13 is connected to the wiring 6. The wiring 13 is formed by, for example, plating. Therefore, the connection with the pad 4 can also be made at the time of this plating.

【0023】パッド4の表面、すなわち、半導体素子と
対向する面には、図3に示すように、先端の稜がナイフ
エッジを構成する突条4aが少なくとも3個形成されて
いる。この突条4aが設けられることによって電極2の
大きさにばらつきがあった場合、および電極2とパッド
4が位置ずれした場合でも、確実に接触を得ることがで
きる。
As shown in FIG. 3, at least three protruding ridges 4a whose leading edges form a knife edge are formed on the surface of the pad 4, that is, the surface facing the semiconductor element. Even when the size of the electrode 2 varies due to the provision of the ridges 4a, and when the electrode 2 and the pad 4 are displaced, the contact can be reliably obtained.

【0024】図2、図3に、図1で示したパッド4に突
条4aを設けるための型材および、転写時の断面図を示
す。図2の型材2は、パッド4より固い金属(通常パッ
ドはAlである場合が多い)、例えば、SUS304を、
スライサーにより、平行状にV字溝12aを加工してい
たものである。このV字溝12aは、パッド4の大きさ
の1/3以下の間隔で加工されている。この型材2を、
図3(a)、(b)、(c)に示すように、パッド4が
ある絶縁フィルム5の上部より押しつけることにより、
パッド4に最低でも3個の突条4aを形成する。
FIG. 2 and FIG. 3 are cross-sectional views at the time of transfer and a mold member for providing the ridge 4a on the pad 4 shown in FIG. 2 is made of a metal harder than the pad 4 (usually, the pad is usually Al), for example, SUS304.
The V-shaped groove 12a is processed in parallel by a slicer. The V-shaped grooves 12a are machined at intervals of 1/3 or less of the size of the pad 4. This molding 2
As shown in FIGS. 3A, 3B and 3C, by pressing the pad 4 from above the insulating film 5 where the pad 4 is located,
At least three ridges 4 a are formed on the pad 4.

【0025】なお、パッド4の表面に、図4に示す四角
錐条の型を用いて、突条4aに代えて、四角錐状の凹凸
を設けてもよい。この場合には、パッド4に、最低でも
9個の凹凸をつける。これにより電極2の大きさにばら
つきがあった場合、および電極2とパッド4が位置ずれ
した場合でも確実に接触を得ることができる。
The surface of the pad 4 may be provided with square pyramid-shaped irregularities instead of the ridges 4a using a square pyramid mold shown in FIG. In this case, at least nine irregularities are formed on the pad 4. Thereby, even when the size of the electrode 2 varies and when the electrode 2 and the pad 4 are displaced, the contact can be reliably obtained.

【0026】上記蓋8の内側には、押さえ板9とばね1
0がある。蓋8、押さえ板9およびばね10により、半
導体素子を押圧する手段を構成する。押さえ板9は、半
導体素子1をソケット3の中で固定するために、また、
ばね10は、電極2が適正な荷重でパッド4と接触する
等荷重を制御する目的でそれぞれ設けられている。蓋8
は、ラチェット11によりソケット下部と連結される。
これにより半導体素子1は1つのモジュールとして検査
を行うことができる。
A holding plate 9 and a spring 1 are provided inside the lid 8.
There is 0. The lid 8, the holding plate 9, and the spring 10 constitute a unit for pressing the semiconductor element. The holding plate 9 fixes the semiconductor element 1 in the socket 3,
The springs 10 are provided for the purpose of controlling the load such that the electrode 2 comes into contact with the pad 4 with an appropriate load. Lid 8
Is connected to the lower part of the socket by a ratchet 11.
Thus, the semiconductor element 1 can be inspected as one module.

【0027】図5は、本発明の接続装置をテスタに接続
した一例である検査装置の要部を示す説明図である。
FIG. 5 is an explanatory view showing a main part of an inspection device as an example in which the connection device of the present invention is connected to a tester.

【0028】本実施例において、検査装置は、検査対象
物を保持すると共に、検査対象をテスタと電気的に接続
する検査対象保持接続部400と、テスタ部450とで
構成される。
In this embodiment, the inspection apparatus comprises an inspection object holding connection section 400 for holding an inspection object and electrically connecting the inspection object to a tester, and a tester section 450.

【0029】検査対象保持接続部400は、上述した接
続装置401と、これを支持する支持部402とで構成
される。なお、支持部402には、複数の接続装置40
1を配置することができる。接続装置401の構造につ
いては、図1に示すと共に、既に説明したので、ここで
は、説明を繰返さない。
The inspection object holding / connecting section 400 includes the above-described connecting apparatus 401 and a supporting section 402 for supporting the connecting apparatus. Note that a plurality of connection devices 40 are
1 can be arranged. Since the structure of connection device 401 has been described with reference to FIG. 1 and has already been described, description thereof will not be repeated here.

【0030】上記支持部402には、上記接続装置40
1の外部接続用ピン7を装着して接続するためのコネク
タ403と、コネクタ403を後述するテスタ部450と
接続するための配線部404とを備えている。
The support section 402 has the connecting device 40
A connector 403 for attaching and connecting one external connection pin 7 and a wiring section 404 for connecting the connector 403 to a tester section 450 described later are provided.

【0031】テスタ部450は、テスタ451とケーブ
ル452からなる。ケーブル452は、上述した配線部
404と接続される。ここでは、1本のみ示したが、実
際には、全ての配線部404がケーブル452と接続さ
れる。なお、接続を切り換えて行うようにしてもよい。
The tester section 450 includes a tester 451 and a cable 452. The cable 452 is connected to the wiring unit 404 described above. Although only one cable is shown here, all the wiring units 404 are actually connected to the cable 452. The connection may be switched to perform the connection.

【0032】本発明は、複数の電極をチップ裏面に配置
した半導体素子について、その製造工程において、チッ
プの全数検査、チップの抜取り検査等が行われる。この
場合、全数検査を行って合格したチップについてはよい
が、抜取り検査を行った場合、あるチップが、それ自体
が検査されて良品なのか、それ自体は検査されず、抜取
り検査によって良品と推定されているのかを、チップ自
体から知ることは容易ではない。しかし、検査された半
導体チップであるか否かを外観から知ることが必要な場
合がある。
According to the present invention, for a semiconductor device having a plurality of electrodes arranged on the back surface of a chip, a 100% inspection of the chip, a sampling inspection of the chip, and the like are performed in the manufacturing process. In this case, it is good for a chip that has been 100% tested and passed, but if a sampling test is performed, it is assumed that a certain chip is itself inspected and is a good product, or it is not itself tested, and it is estimated that a chip is good by a sampling test. It is not easy to know from the chip itself whether it is done. However, in some cases, it is necessary to know from the appearance whether or not the semiconductor chip has been inspected.

【0033】そこで、本発明では、検査の工程におい
て、検査と同時に、検査したことを示すマークを付して
いる。すなわち、本発明では、パッド4が、上述したよ
うにナイフエッジを有する突条4aで形成されているた
め、検査時に、パッド4の突条4aが半導体素子の電極
2に押し付けられると、電極2の表面に、突条4aの押
し付け跡(線状痕)が形成される。この線状痕は、拡大
鏡、顕微鏡、場合によっては、肉眼で観察可能である。
しかも、線状痕であるため、規則性があり、電極2の表
面のランダムな凹凸とは明確に区別できる。したがっ
て、当該半導体素子が、検査したものか否かについて、
電極2の表面を観察することで知ることができる。
Therefore, according to the present invention, in the inspection process, a mark indicating that the inspection has been performed is attached simultaneously with the inspection. That is, in the present invention, since the pad 4 is formed of the ridge 4a having the knife edge as described above, when the ridge 4a of the pad 4 is pressed against the electrode 2 of the semiconductor element during the inspection, the electrode 2 Pressing traces (linear traces) of the ridges 4a are formed on the surface of. This linear mark can be observed with a magnifying glass, a microscope, or, in some cases, with the naked eye.
In addition, since they are linear marks, they have regularity and can be clearly distinguished from random irregularities on the surface of the electrode 2. Therefore, whether or not the semiconductor element has been inspected,
It can be known by observing the surface of the electrode 2.

【0034】この結果、本発明によれば、検査を受けこ
とが明白な半導体素子を形成することができる。
As a result, according to the present invention, it is possible to form a semiconductor device which is clearly subjected to the inspection.

【0035】以上の例では、接続装置401に、検査対
象物として半導体素子1が装着される場合について説明
した。本発明における検査対象物は、これに限られな
い。例えば、半導体素子1を収容したパッケージを上記
接続装置401に収容して、検査を行う場合にも適用す
ることができる。
In the above example, the case where the semiconductor element 1 is mounted on the connection device 401 as the inspection object has been described. The inspection object in the present invention is not limited to this. For example, the present invention can be applied to a case where a package housing the semiconductor element 1 is housed in the connection device 401 and inspection is performed.

【0036】次に、本発明の他の実施の形態について、
図7を参照して説明する。
Next, another embodiment of the present invention will be described.
This will be described with reference to FIG.

【0037】図7に示す検査装置は、接触端子として薄
膜プローブを用いたウェハプローブを用いた例である。
The inspection apparatus shown in FIG. 7 is an example using a wafer probe using a thin film probe as a contact terminal.

【0038】図7に示す検査装置は、半導体素子の製造
におけるウェハプローバとして構成されている。この検
査装置は、被検査物を支持する試料支持系140と、被
検査物に接触して電気信号の授受を行うプローブ系25
0と、試料支持系140の動作を制御する駆動制御系1
50と、測定を行うテスタ170とで構成される。な
お、被検査物としては半導体ウェハ304の個々の半導
体素子303を対象としている。前記チップ103の表
面には、外部電極としての複数の電極303aが形成さ
れている。
The inspection apparatus shown in FIG. 7 is configured as a wafer prober in manufacturing a semiconductor device. The inspection apparatus includes a sample support system 140 that supports an object to be inspected, and a probe system 25 that contacts an object to be inspected and transmits and receives an electric signal.
0 and a drive control system 1 for controlling the operation of the sample support system 140
50 and a tester 170 for performing measurement. In addition, as the inspection object, the individual semiconductor elements 303 of the semiconductor wafer 304 are targeted. A plurality of electrodes 303a as external electrodes are formed on the surface of the chip 103.

【0039】試料台142に平行に対向する姿勢で接触
端子253および配線基板257が設けられる。接触端
子253は薄膜シート251に形成され、引き出し用薄
膜配線252により配線基板257の配線基板電極26
0aに半田付けにより接続されている。薄膜シート25
1の裏面は、押さえ板259がシリコーンゴム等の緩衝
層258により接着され、該押さえ板259は、配線基
板257に固定されている。各々の接触端子253は、
引き出し用薄膜電極252および配線基板257内の内
部配線257aを通して、該配線基板に設けられた接続
端子257bに接続されている。この接続端子257b
に接続されるケーブル171を介して、テスタ170と
接続され、半導体ウェハ304の半導体素子303とテ
スタ170との間で、動作電力や動作試験信号などの授
受を行い、当該半導体素子の動作特性の可否などを判別
する。303の各々について実施され、動作特性の可否
などが判別される。
A contact terminal 253 and a wiring board 257 are provided in a posture facing the sample table 142 in parallel. The contact terminal 253 is formed on the thin film sheet 251, and the wiring board electrode 26
0a is connected by soldering. Thin film sheet 25
On the back surface of 1, a holding plate 259 is adhered by a buffer layer 258 such as silicone rubber, and the holding plate 259 is fixed to a wiring board 257. Each contact terminal 253 is
Through the thin film electrode for extraction 252 and the internal wiring 257a in the wiring board 257, it is connected to the connection terminal 257b provided on the wiring board. This connection terminal 257b
Is connected to a tester 170 via a cable 171 connected to the semiconductor device 303, and exchanges operating power, an operation test signal, and the like between the semiconductor element 303 of the semiconductor wafer 304 and the tester 170, and determines the operating characteristics of the semiconductor element. It is determined whether or not it is possible. This is performed for each of the steps 303, and whether or not the operation characteristics are possible is determined.

【0040】試料支持系140は、半導体ウェハ304
を接着したままの搭載板141が着脱自在に載置され
る、ほぼ水平に設けられた試料台142と、この試料台
142を支持する、垂直に配置される昇降軸144と、
この昇降軸144を昇降駆動する昇降駆動部145と、
この昇降駆動部145を支持するX−Yステージ147
とで構成される。X−Yステージ147は、筐体146
に固定される。昇降駆動部145は、例えば、ステッピ
ングモータなどからなる。X−Yステージ147の水平
面内における移動動作と、昇降駆動部145による上下
動を組み合わせることにより、試料台142の水平およ
び垂直方向における位置決め動作が行われるものであ
る。また、試料台142には、図示しない回転機構が設
けられており、水平面内における試料台142の回転変
位が可能にされている。
The sample support system 140 includes a semiconductor wafer 304
A mounting table 141 provided with the mounting plate 141 detachably mounted thereon, a substantially horizontally provided sample stage 142, a vertically arranged elevating shaft 144 supporting the sample stage 142,
An elevating drive unit 145 that drives the elevating shaft 144 up and down;
An XY stage 147 supporting the elevation drive unit 145
It is composed of The XY stage 147 includes a housing 146
Fixed to The elevation drive unit 145 includes, for example, a stepping motor. By combining the moving operation of the XY stage 147 in the horizontal plane and the vertical movement by the elevation driving unit 145, the positioning operation of the sample table 142 in the horizontal and vertical directions is performed. Further, the sample table 142 is provided with a rotation mechanism (not shown) so that the sample table 142 can be rotationally displaced in a horizontal plane.

【0041】試料台142の上方には、プローブ系25
0が配置される。すなわち、当該試料台142に平行に
対向する姿勢で接触端子253および配線基板257が
設けられる。各々の接触端子は、内部配線257aを通
して、該配線基板257に設けられた接続端子257b
に接続されている。この接続端子257bに接続される
ケーブル171を介して、テスタ170と接続される。
ここで用いられる接続装置の接触端子252は、タング
ステンワイヤを加工したプローブを用いた(カンチレバ
ー方式プローブ)のものであるが、これに限定されな
い。
Above the sample table 142, the probe system 25
0 is placed. That is, the contact terminals 253 and the wiring board 257 are provided in a posture facing the sample table 142 in parallel. Each contact terminal is connected to a connection terminal 257b provided on the wiring board 257 through an internal wiring 257a.
It is connected to the. The tester 170 is connected via a cable 171 connected to the connection terminal 257b.
The contact terminal 252 of the connection device used here uses a probe formed by processing a tungsten wire (a cantilever probe), but is not limited to this.

【0042】駆動制御系150は、ケーブル172を介
してテスタ170と接続されている。また、駆動制御系
150は、試料支持系140の各駆動部のアクチュエー
タに制御信号を送って、その動作を制御する。すなわ
ち、駆動制御系150は、内部にコンピュータを備え、
ケーブル172を介して伝達されるテスタ170のテス
ト動作の進行情報にあわせて、試料支持系140の動作
を制御する。また、駆動制御系150は、操作部151
を備え、駆動制御に関する各種指示の入力の受付、例え
ば、手動動作の指示を受け付ける。
The drive control system 150 is connected to the tester 170 via a cable 172. Further, the drive control system 150 sends a control signal to an actuator of each drive unit of the sample support system 140 to control the operation. That is, the drive control system 150 includes a computer inside,
The operation of the sample support system 140 is controlled in accordance with the progress information of the test operation of the tester 170 transmitted via the cable 172. The drive control system 150 includes an operation unit 151.
And accepts input of various instructions related to drive control, for example, accepts an instruction of a manual operation.

【0043】以下、本実施例の検査装置の動作について
説明する。試料台142の上に、半導体ウェハ304を
接着した半導体基板の搭載板141を固定し、X−Yス
テージ147および回転機構を用いて、該半導体ウェハ
304をダイシングして分離した半導体素子303上に
形成された電極303aを、プローブ系100の接触端
子253の直下に位置決めする。その後、駆動制御系1
50の昇降駆動部145を作動させ、試料台142を所
定の高さにまで上昇させることによって、複数の接触端
子253の各々の先端を目的の半導体素子における複数
の電極303aの各々に所定圧で接触させる。この状態
で、ケーブル171、接続端子257b、内部配線25
7a、および接触端子253を介して、半導体ウェハ3
04の半導体素子303とテスタ170との間で、動作
電力や動作試験信号などの授受を行い、当該半導体素子
の動作特性の可否などを判別する。上記の一連の動作
が、ダイシングされた半導体ウェハ304が判別され
る。
Hereinafter, the operation of the inspection apparatus of this embodiment will be described. A mounting plate 141 of a semiconductor substrate to which a semiconductor wafer 304 is adhered is fixed on a sample stage 142, and the semiconductor wafer 304 is diced and separated using a XY stage 147 and a rotating mechanism. The formed electrode 303a is positioned immediately below the contact terminal 253 of the probe system 100. Then, the drive control system 1
By operating the elevation drive unit 145 of 50 and elevating the sample table 142 to a predetermined height, the tips of the plurality of contact terminals 253 are applied to the plurality of electrodes 303a of the target semiconductor device at a predetermined pressure. Make contact. In this state, the cable 171, the connection terminal 257b, the internal wiring 25
7a and the semiconductor wafer 3 via the contact terminals 253.
Operation power, an operation test signal, and the like are exchanged between the semiconductor element 303 and the tester 170 to determine whether or not the semiconductor element has the operation characteristics. The series of operations described above determines the diced semiconductor wafer 304.

【0044】[0044]

【発明の効果】本発明によれば、半導体素子の検査時に
おいて、製品と回路基板との確実な接触が実現し、この
工程における検査不良を抑えることができる。
According to the present invention, a reliable contact between a product and a circuit board can be realized at the time of inspection of a semiconductor element, and inspection defects in this step can be suppressed.

【図面の簡単な説明】[Brief description of the drawings]

【図1】本発明の接続装置の実施の形態を示す断面図で
ある。
FIG. 1 is a sectional view showing an embodiment of a connection device of the present invention.

【図2】本発明の接続装置において用いられるパッドに
突条を形成するための型材の一例を示す斜視図である。
FIG. 2 is a perspective view showing an example of a mold for forming a ridge on a pad used in the connection device of the present invention.

【図3】本発明の接続装置において用いられるパッドに
型材の突条を転写する状態を示す断面模式図である。
FIG. 3 is a schematic cross-sectional view showing a state in which a ridge of a mold material is transferred to a pad used in the connection device of the present invention.

【図4】本発明の接続装置に用いることができる他のパ
ターンを有する型材の他の例を示す断面図である。
FIG. 4 is a cross-sectional view showing another example of a mold having another pattern that can be used in the connection device of the present invention.

【図5】本発明の接続装置を用いた検査装置の一例を示
す説明図である。
FIG. 5 is an explanatory diagram showing an example of an inspection device using the connection device of the present invention.

【図6】本発明の検査装置の他の例を示す断面模式図で
ある。
FIG. 6 is a schematic sectional view showing another example of the inspection apparatus of the present invention.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

1…半導体素子,2…電極,3…ソケット, 4…パッド,5…配
線基板,6…配線,7…外部接続用ピン,8…蓋,9…押さえ
板,10…ばね,11…ラチェット,12…型材,13…配線,103…
チップ,140…試料支持系,142…試料台,144…昇降軸,145
…昇降駆動部,146…筐体,147…XYステージ,150…駆動
制御系,151…操作部,170…テスタ,171…ケーブル,172…
ケーブル,250…プローブ系,251…薄膜シート,253…接触
端子,253a,253b,253c,253d,253e,253f…プローブ,257…
配線基板,257a…内部配線,257b…接続端子,258…電極押
さえ板,259…緩衝層,260a…薄膜シート電極,260b…配線
基板電極,, 304…半導体ウェハ,400…ソケット部,401…
パッケージ,402…バンプ,403…電極,404…配線基板,405
…押さえ板,406…ばね,407…ベース,408…蓋,450…テス
タ部,451…テスタ,452…ケーブル。
1 ... semiconductor element, 2 ... electrode, 3 ... socket, 4 ... pad, 5 ... wiring board, 6 ... wiring, 7 ... external connection pin, 8 ... lid, 9 ... holding plate, 10 ... spring, 11 ... ratchet, 12… Shape, 13… Wiring, 103…
Tip, 140: sample support system, 142: sample stage, 144: elevating shaft, 145
… Elevating drive unit, 146 housing, 147 XY stage, 150 drive control system, 151 operating unit, 170 tester, 171 cable, 172
Cable, 250… probe system, 251… thin film sheet, 253… contact terminal, 253a, 253b, 253c, 253d, 253e, 253f… probe, 257…
Wiring board, 257a Internal wiring, 257b Connection terminal, 258 Electrode holding plate, 259 Buffer layer, 260a Thin film sheet electrode, 260b Wiring board electrode, 304 Semiconductor wafer, 400 Socket part, 401
Package, 402… Bump, 403… Electrode, 404… Wiring board, 405
… Pressing plate, 406… Spring, 407… Base, 408… Lid, 450… Tester part, 451… Tester, 452… Cable.

Claims (5)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】 検査するための半導体素子を収容すると
と共に、検査装置に電気的に接続するための接続装置に
おいて、 半導体素子を収容するソケットと、 前記ソケット内に半導体素子が収容されたとき、半導体
素子をソケット底面側に押圧するための手段とを備え、 前記ソケットには、 その底面内側に配置される、半導体素子と電気的に接触
するための複数個の接触端子と、 各接触端子から引き出される引き出し用配線とを備え、 前記接触端子は、半導体素子と対向する面に、ナイフエ
ッジを有する突条が形成されていることを特徴とする接
続装置。
1. A connection device for accommodating a semiconductor element for inspection and electrically connecting to a test device, comprising: a socket for accommodating a semiconductor element; and a semiconductor device accommodated in the socket. Means for pressing the semiconductor element toward the bottom surface of the socket, wherein the socket has a plurality of contact terminals disposed inside the bottom surface for electrically contacting the semiconductor element; and And a lead-out wiring to be drawn out, wherein the contact terminal has a ridge having a knife edge formed on a surface facing the semiconductor element.
【請求項2】 請求項1に記載の接続装置において、 前記押圧するための手段は、 前記ソケット内に半導体素子が収容されたとき、それを
保持するための蓋と、 前記蓋と前記半導体素子との間に位置し、半導体素子と
接する押さえ板、および、該押さえ板に弾性を付与する
弾性部材とを備えることを特徴とする接続装置。
2. The connection device according to claim 1, wherein the means for pressing includes: a lid for holding the semiconductor element when the semiconductor element is accommodated in the socket; and the lid and the semiconductor element. And a press plate that is located between the press plate and the semiconductor element, and an elastic member that imparts elasticity to the press plate.
【請求項3】 請求項1または2に記載の接続装置にお
いて、 前記接触端子は、金属で形成され、前記半導体素子と対
向する面に、表面にV字溝を有する型を押し付けて、ナ
イフエッジを有する突条を形成したものであることを特
徴とする接続装置。
3. The connection device according to claim 1, wherein the contact terminal is formed of a metal, and a mold having a V-shaped groove on a surface thereof is pressed against a surface facing the semiconductor element, so that a knife edge is formed. A connection device characterized by forming a ridge having the following.
【請求項4】 多数の電極が配置された検査対象の各電
極に接触して、電気信号を授受して検査を行う検査装置
において、 検査対象物を保持接続すると共に、電気的接続を行なう
検査対象保持接続部と、 前記接続装置と接続されて、保持されている検査対象に
ついて検査を行うテスタとを備え、 前記接続装置は、 検査対象物を収容するソケットと、 前記ソケット内に検査対象物が収容されたとき、検査対
象物をソケット底面側に押圧するための手段とを備え、 前記ソケットには、 その底面内側に配置される、検査対象物と電気的に接触
するための複数個の接触端子と、 各接触端子から引き出される引き出し用配線とを備え、 前記接触端子は、検査対象物と対向する面に、ナイフエ
ッジを有する突条が形成されていることを特徴とする検
査装置。
4. An inspection apparatus for performing an inspection by contacting each electrode of an inspection target on which a large number of electrodes are arranged and transmitting and receiving an electric signal, wherein the inspection device holds and connects the inspection target and performs an electrical connection. An object holding connection unit, a tester that is connected to the connection device and performs an inspection on the held inspection object, wherein the connection device includes: a socket that accommodates the inspection object; and an inspection object in the socket. Means for pressing the test object toward the bottom surface of the socket when the test object is accommodated, wherein the socket has a plurality of Inspection characterized by comprising a contact terminal, and a lead-out wiring drawn out from each contact terminal, wherein the contact terminal has a ridge having a knife edge formed on a surface facing an object to be inspected. apparatus.
【請求項5】 一方の面に、外部接続用の電極が複数配
置された半導体素子であって、前記電極の表面に、線状
痕を有することを特徴とする半導体素子。
5. A semiconductor device having a plurality of electrodes for external connection arranged on one surface, wherein the surface of the electrode has a linear mark.
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* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2003015155A1 (en) * 2001-08-07 2003-02-20 Shinozaki Manufacturing Co., Ltd. Method of manufacturing thin film sheet with bumps and thin film sheet with bumps

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* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
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