JPH118072A - 有機エレクトロルミネッセンス素子材料およびそれを使用した有機エレクトロルミネッセンス素子 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】 高輝度・高発光効率、発光劣化が少なく信頼
性の高いエレクトロルミネッセンス素子材料、および有
機エレクトロルミネッセンス素子を提供する。 【解決手段】 一般式［１］からなる有機エレクトロル
ミネッセンス素子材料およびそれを使用した有機エレク
トロルミネッセンス素子。 一般式［１］ 【化１】 ［式中、Ｒ¹ 〜Ｒ⁶ は、アルキル基、アリール基、複素
環基を表す。Ｘ¹ 〜Ｘ ⁶ は、酸素原子、硫黄原子、又は
水素原子、アルキル基もしくはアリール基が結合しても
良い窒素原子を表す。］

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】本発明はトリフェニレン構造を有
する有機エレクトロルミネッセンス素子材料に関し、該
化合物は平面光源や表示に使用される有機エレクトロル
ミネッセンス（ＥＬ）素子として利用することができ
る。

【０００２】

【従来の技術】有機光導電材料は、低コスト、加工性お
よび無公害性などの利点があり、多くの化合物が提案さ
れている。例えば、オキサジアゾール誘導体（米国特許
第３，１８９，４４７号）、オキサゾール誘導体（米国
特許第３，２５７，２０３号）、ヒドラゾン誘導体（米
国特許第３，７１７，４６２号、特開昭５４−５９，１
４３号、米国特許第４，１５０，９７８号）、トリアリ
ールピラゾリン誘導体（米国特許第３，８２０，９８９
号、特開昭５１−９３，２２４号、特開昭５５−１０
８，６６７号）、アリールアミン誘導体（米国特許第
３，１８０，７３０号、米国特許第４，２３２，１０３
号、特開昭５５−１４４，２５０号、特開昭５６−１１
９，１３２号）、スチルベン誘導体（特開昭５８−１９
０，９５３号、特開昭５９−１９５，６５８号）などの
有機光導電性材料が開示されている。

【０００３】有機光導電性材料の正孔輸送性を利用した
技術の一つとしては、有機ＥＬ素子が挙げられる。有機
材料を使用したＥＬ素子は、固体発光型の安価な大面積
フルカラー表示素子としての用途が有望視され、多くの
開発が行われている。一般にＥＬは発光層および該層を
はさんだ一対の対向電極から構成されている。発光は、
両電極間に電界が印加されると、陰極側から電子が注入
され、陽極側から正孔が注入される。さらに、この電子
が発光層において正孔と再結合し、エネルギー準位が伝
導帯から価電子帯に戻る際にエネルギーを光として放出
する現象である。

【０００４】従来の有機ＥＬ素子は、無機ＥＬ素子に比
べて駆動電圧が高く、発光輝度や発光効率も低かった。
また、特性劣化も著しく実用化には至っていなかった。
近年、１０Ｖ以下の低電圧で発光する高い蛍光量子効率
を持った有機化合物を含有した薄膜を積層した有機ＥＬ
素子が報告され、関心を集めている（アプライド・フィ
ジクス・レターズ、５１巻、９１３ページ、１９８７年
参照）。この方法は、金属キレート錯体を蛍光体層、ア
ミン系化合物を正孔注入層に使用して、高輝度の緑色発
光を得ており、６〜７Ｖの直流電圧で駆動可能であり、
最大発光輝度は１００００（ｃｄ／ｍ² ）、最大発光効
率は１．５（ｌｍ／Ｗ）を達成して、実用領域に近い性
能を持っている。

【０００５】有機ＥＬ素子は、金属陰極層と透明陽極層
との間に、有機蛍光化合物を含有する発光層を備えた素
子である。また、低電圧で高輝度の発光を得るために、
電子注入層や正孔注入層を加えて素子化している。これ
ら有機ＥＬ素子は、陰極から注入された電子と陽極から
注入された正孔との再結合により励起子が生じ、この励
起子が放射失活する過程で光を放出している（特開昭５
９−１９４３９３号公報、特開昭６３−２９５６９５号
公報）。しかしながら、直流電圧を印加して長時間にわ
たり発光し続けると、有機化合物の結晶化などが促進さ
れ、素子にリーク電流が流れ易くなり素子が破壊され
る。そのため、正孔注入層に使用する正孔注入材料とし
て、４，４’，４”−トリス（Ｎ，Ｎ’−ジフェニルア
ミノ）トリフェニルアミン、４，４’，４”−トリス
［Ｎ−（３−メチルフェニル）−Ｎ−フェニルアミノ］
トリフェニルアミン等の化合物を使用して改良している
（特開平４−３０８６８８号公報）。これらの化合物
は、立体的な配位構造を有しているために結晶化しにく
く、薄膜形成性も優れているが、有機ＥＬ素子を構成す
る有機薄膜としては未だに充分なものではない。そのた
めに、発光時に素子が容易に劣化するという問題があっ
た。

【０００６】このように、現在までの有機ＥＬ素子は、
発光輝度や繰り返し使用時の発光安定性は未だ充分では
なく、より大きな発光輝度を持ち、発光効率が高く繰り
返し使用時での安定性の優れた有機ＥＬ素子の開発のた
めに、優れた正孔注入能力を有し、耐久性のある正孔注
入材料の開発が望まれている。

【０００７】

【発明が解決しようとする課題】本発明の目的は、優れ
た正孔注入能力を有し、耐久性のある正孔注入材料を提
供することにあり、さらにこの正孔注入材料を使用する
ことにより、高い発光効率で長時間発光することの出来
る有機ＥＬ素子を提供することを目的とする。

【０００８】

【課題を解決するための手段】本発明者らは鋭意検討し
た結果、一般式［１］で示される少なくとも一種の正孔
注入材料は、正孔注入能力が大きく、これを用いて作製
した有機ＥＬ素子の素子特性、発光寿命が優れているこ
とを見いだし本発明に至った。すなわち、本発明は下記
一般式［１］で示される有機エレクトロルミネッセンス
素子材料である。 一般式［１］

【化２】 ［式中、Ｒ¹ 〜Ｒ⁶ は、それぞれ独立に、置換もしくは
未置換のアルキル基、置換もしくは未置換のアリール
基、置換もしくは未置換の脂環基または置換もしくは未
置換の複素環基を表す。Ｘ¹ 〜Ｘ⁶ は、それぞれ独立
に、酸素原子、硫黄原子、又は水素原子、アルキル基も
しくはアリール基が結合してもよい窒素原子を表す。］

【０００９】更に、本発明は、一対の電極間に、発光層
または発光層を含む複数層の有機化合物薄膜を形成して
なる有機エレクトロルミネッセンス素子において、少な
くとも一層が上記有機エレクトロルミネッセンス素子材
料を含有する層である有機エレクトロルミネッセンス素
子である。

【００１０】更に、本発明は、発光層と陽極との間の正
孔注入帯域中の少なくとも一層が上記有機エレクトロル
ミネッセンス素子材料を含有する層である有機エレクト
ロルミネッセンス素子である。

【００１１】更に、本発明は、発光層が上記有機エレク
トロルミネッセンス素子材料を含有する層である有機エ
レクトロルミネッセンス素子である。

【００１２】更に、本発明は、発光層および他の少なく
とも一層が上記有機エレクトロルミネッセンス素子材料
を含有する層である有機エレクトロルミネッセンス素子
である。

【００１３】更に、本発明は、上記有機エレクトロルミ
ネッセンス素子材料を含有する層に有機蛍光色素を添加
することを特徴とする有機エレクトロルミネッセンス素
子である。

【発明の実施の形態】

【００１４】一般式［１］で示されるの化合物のＲ¹ 〜
Ｒ⁶ の置換もしくは未置換のアルキル基としては、メチ
ル基、エチル基、プロピル基、ブチル基、ｓｅｃ−ブチ
ル基、ｔｅｒｔ−ブチル基、ペンチル基、ヘキシル基、
ヘプチル基、オクチル基、ステアリル基、トリクロロメ
チル基、トリフロロメチル基、シクロプロピル基、シク
ロヘキシル基、１，３−シクロヘキサジエニル基、２−
シクロペンテン−１−イル基、２，４−シクロペンタジ
エン−１−イリデニル基、ベンジル基、２，２−ジメチ
ルベンジル基等の炭素数１〜１８の直鎖状、分枝状また
は環状アルキル基がある。

【００１５】置換もしくは未置換のアリール基として
は、フェニル基、トリル基、ナフチル基、アントラニル
基、フェナントレニル基、フルオレニル基、アセナフチ
ル基、アズレニル基、ヘプタレニル基、アセナフチレニ
ル基、ピレニル基、ビフェニル基、４−エチルビフェニ
ル基、ターフェニル基、クオーターフェニル基、ベンズ
〔ａ〕アントラニル基、トリフェニレニル基、２，３−
ベンゾフルオレニル基、３，４−ベンゾピレニル基等が
ある。

【００１６】置換もしくは未置換の脂環基としては、シ
クロペンチル基、シクロヘキシル基、シクロヘプチル基
等がある。

【００１７】置換もしくは未置換の複素環基としては、
チエニル基、フリル基、ピロリル基、イミダゾリル基、
ピラゾリル基、ピリジル基、ピラジニル基、ピリミジニ
ル基、ピリダジニル基、インドリル基、キノリル基、イ
ソキノリル基、フタラジニル基、キノキサリニル基、キ
ナゾリニル基、カルバゾリル基、アクリジニル基、フェ
ナジニル基、フルフリル基、イソチアゾリル基、イソキ
サゾリル基、フラザニル基、フェノキサジニル基、ベン
ゾチアゾリル基、ベンゾオキサゾリル基、ベンズイミダ
ゾリル基、２−メチルピリジル基、３−シアノピリジル
基、オキサゾリル基、チアゾリル基、イミダゾリル基、
オキサジアゾリル基、チアジアゾリル基、イミダジアゾ
リル基等がある。上記置換基および置換位置は具体的に
限定されるものではない。

【００１８】一般式［１］で示される化合物のアルキル
基、アリール基、脂環基、複素環基に置換してもよい置
換基の代表例としては、以下に示す置換基がある。ハロ
ゲン原子としてはフッ素、塩素、臭素、ヨウ素がある。
さらには、ニトロ基、シアノ基、カルボニル基、水酸
基、メルカプト基等がある。また、置換もしくは未置換
のアルキル基としては、メチル基、エチル基、プロピル
基、ブチル基、ｓｅｃ−ブチル基、ｔｅｒｔ−ブチル
基、ペンチル基、ヘキシル基、ヘプチル基、オクチル
基、ステアリル基、トリクロロメチル基、トリフロロメ
チル基、シクロプロピル基、シクロヘキシル基、１，３
−シクロヘキサジエニル基、２−シクロペンテン−１−
イル基、２，４−シクロペンタジエン−１−イリデニル
基等がある。置換もしくは未置換のアルコキシ基として
は、メトキシ基、エトキシ基、プロポキシ基、ｎ−ブト
キシ基、ｓｅｃ−ブトキシ基、ｔｅｒｔ−ブトキシ基、
ペンチルオキシ基、ヘキシルオキシ基、ステアリルオキ
シ基、トリフロロメトキシ基等がある。置換もしくは未
置換のチオアルコキシ基としては、メチルチオ基、エチ
ルチオ基、プロピルチオ基、ブチルチオ基、ｓｅｃ−ブ
チルチオ基、ｔｅｒｔ−ブチルチオ基、ペンチルチオ
基、ヘキシルチオ基、ヘプチルチオ基、オクチルチオ基
等がある。

【００１９】モノまたはジ置換アミノ基としては、メチ
ルアミノ基、ジメチルアミノ基、エチルアミノ基、ジエ
チルアミノ基、ジプロピルアミノ基、ジブチルアミノ
基、ジフェニルアミノ基、ビス（アセトオキシメチル）
アミノ基、ビス（アセトオキシエチル）アミノ基、ビス
（アセトオキシプロピル）アミノ基、ビス（アセトオキ
シブチル）アミノ基、ジベンジルアミノ基等がある。置
換もしくは未置換のアリールオキシ基としては、フェノ
キシ基、ｐ−ｔｅｒｔ−ブチルフェノキシ基、３−フル
オロフェノキシ基等がある。置換もしくは未置換のアリ
ールチオ基としては、フェニルチオ基、３−フルオロフ
ェニルチオ基等がある。置換もしくは未置換のアリール
基としては、フェニル基、ビフェニル基、トリフェニル
基、ターフェニル基、３−ニトロフェニル基、４−メチ
ルチオフェニル基、３，５−ジシアノフェニル基、ｏ
−，ｍ−およびｐ−トリル基、キシリル基、ｏ−，ｍ−
およびｐ−クメニル基、メシチル基、ペンタレニル基、
インデニル基、ナフチル基、アズレニル基、ヘプタレニ
ル基、アセナフチレニル基、フェナレニル基、フルオレ
ニル基、アントリル基、アントラキノリル基、３−メチ
ルアントリル基、フェナントリル基、トリフェニレニル
基、ピレニル基、クリセニル基、２−エチル−１−クリ
セニル基、ピセニル基、ペリレニル基、６−クロロペリ
レニル基、ペンタフェニル基、ペンタセニル基、テトラ
フェニレニル基、ヘキサフェニル基、ヘキサセニル基、
ルビセニル基、コロネニル基、トリナフチレニル基、ヘ
プタフェニル基、ヘプタセニル基、ピラントレニル基、
オバレニル基等がある。

【００２０】置換もしくは未置換の複素環基としては、
チエニル基、フリル基、ピロリル基、イミダゾリル基、
ピラゾリル基、ピリジル基、ピラジニル基、ピリミジニ
ル基、ピリダジニル基、インドリル基、キノリル基、イ
ソキノリル基、フタラジニル基、キノキサリニル基、キ
ナゾリニル基、カルバゾリル基、アクリジニル基、フェ
ナジニル基、フルフリル基、イソチアゾリル基、イソキ
サゾリル基、フラザニル基、フェノキサジニル基、ベン
ゾチアゾリル基、ベンゾオキサゾリル基、ベンズイミダ
ゾリル基、２−メチルピリジル基、３−シアノピリジル
基、オキサゾリル基、チアゾリル基、イミダゾリル基、
オキサジアゾリル基、チアジアゾリル基、イミダジアゾ
リル基、カルバゾール基、インドール基等があるが、上
記置換基に具体的に限定されるものではない。

【００２１】一般式［１］で示される化合物の代表例を
具体的に表１に例示するが、これらに限定されるもので
はない。

【００２２】

【表１】

【００２３】

【００２４】

【００２５】

【００２６】

【００２７】

【００２８】

【００２９】

【００３０】

【００３１】

【００３２】

【００３３】

【００３４】

【００３５】

【００３６】

【００３７】

【００３８】

【００３９】

【００４０】

【００４１】本発明の有機ＥＬ素子材料は、同一層中で
他の正孔もしくは電子注入材料と混合して使用してもさ
しつかえない。有機ＥＬ素子は、陽極と陰極間に一層も
しくは多層の有機薄膜を形成した素子である。一層型の
場合、陽極と陰極との間に発光層を設けている。発光層
は、発光材料を含有し、それに加えて陽極から注入した
正孔もしくは陰極から注入した電子を発光材料まで輸送
させるために正孔注入材料もしくは電子注入材料を含有
しても良い。発光材料が、正孔注入性もしくは電子注入
性を有している場合もある。多層型は、（陽極／正孔注
入帯域／発光層／陰極）、（陽極／発光層／電子注入帯
域／陰極）、（陽極／正孔注入帯域／発光層／電子注入
帯域／陰極）の多層構成で積層した有機ＥＬ素子があ
る。一般式［１］の化合物は、どの素子構成においても
使用することが出来る。本発明の一般式［１］で示され
る有機ＥＬ素子材料は、陽極から有機層への正孔注入機
能、および注入した正孔を輸送し発光層に注入する機能
を有しているので、正孔注入帯域が二層以上で構成され
る場合でも、いずれの正孔注入層にも使用することが出
来る。また、蛍光を有するため、発光材料としても使用
することができる。さらには、電子吸引性の置換基を付
加して電子注入材料として使用することも可能である。
一般式［１］の化合物により形成される薄膜は非晶質性
があるので、薄膜にした場合の長期間の保存や素子を駆
動させた場合の発光寿命等においても有利である。ま
た、一般式［１］の化合物は、膜のイオン化ポテンシャ
ルが低く、ＩＴＯ等の金属電極に対する密着性も良好で
あるので、ＩＴＯ電極（陽極）に接する正孔注入層に使
用しても好適であり、膜の平滑性や発光材料への正孔の
注入性の点から、発光材料に接する正孔注入層に使用し
ても好適である。

【００４２】発光層には、必要があれば、本発明の一般
式［１］の化合物の他に、公知の発光材料、ドーピング
材料、正孔注入材料や電子注入材料を使用することもで
きる。二層構造の場合、発光層と正孔注入層を分離して
いる。この構造により、正孔注入層から発光層への正孔
注入効率が向上して、発光輝度や発光効率を増加させる
ことができる。この場合、発光のためには、発光層に使
用される発光材料自身が電子注入性であること、または
発光層中に電子注入材料を添加することが望ましい。も
う一つの層構成として、発光層と電子注入層による二層
構造がある。この場合、発光材料自身が正孔注入性であ
ること、または発光層中に正孔注入材料を添加すること
が望ましい。

【００４３】また、三層構造の場合は、発光層、正孔注
入層、電子注入層を有し、発光層での正孔と電子の再結
合の効率を向上させている。このように、有機ＥＬ素子
を多層構造にすることにより、クエンチングによる輝度
や寿命の低下を防ぐことができる。このような多層構造
の素子においても、必要があれば、発光材料、ドーピン
グ材料、キャリア輸送を行う正孔注入材料や電子注入材
料を組み合わせて使用することが出来る。また、ドーピ
ング材料により、発光輝度や発光効率の向上、赤色や青
色の発光を得ることもできる。また、正孔注入帯域、発
光層、電子注入帯域は、それぞれ二層以上で形成されて
いても良い。これらの各層は、材料のエネルギー準位、
耐熱性、有機層もしくは金属電極との密着性等の各要因
により選択されて使用される。

【００４４】本発明の一般式［１］の化合物と共に、ま
たは別個に発光層に使用できる発光材料またはドーピン
グ材料としては、アントラセン、ナフタレン、フェナン
トレン、ピレン、テトラセン、コロネン、クリセン、フ
ルオレセイン、ペリレン、フタロペリレン、ナフタロペ
リレン、ペリノン、フタロペリノン、ナフタロペリノ
ン、ジフェニルブタジエン、テトラフェニルブタジエ
ン、クマリン、オキサジアゾール、アルダジン、ビスベ
ンゾキサゾリン、ビススチリル、ピラジン、シクロペン
タジエン、キノリン金属錯体、アミノキノリン金属錯
体、ベンゾキノリン金属錯体、イミン、ジフェニルエチ
レン、ビニルアントラセン、ジアミノカルバゾール、ト
リフェニルアミン、ベンジジン型トリフェニルアミン、
スチリルアミン型トリフェニルアミン、ジアミン型トリ
フェニルアミンピラン、チオピラン、ポリメチン、メロ
シアニン、イミダゾールキレート化オキシノイド化合
物、ポルフィリン金属錯体、フタロシアニン錯体、希土
類金属錯体、キナクリドン、ルブレンおよび色素レーザ
ー用や増白用の蛍光色素等があるが、これらに限定され
るものではない。特に本発明の化合物に有機蛍光色素と
総称される上記の化合物を添加した場合には、発光層中
で正孔と電子の再結合により発生する励起エネルギーが
効率よく有機蛍光色素に移動することにより、この蛍光
色素本来の強い発光色を得ることができる。

【００４５】発光材料またはドーピング材料として効果
的な材料の具体例としては、トリス（８−ヒドロキシキ
ノリナート）アルミニウム、トリス（２−メチル−８−
ヒドロキシキノリナート）アルミニウム、トリス（８−
ヒドロキシキノリナート）ガリウム、ビス（１０−ヒド
ロキシベンゾ［ｈ］キノリナート）ベリリウム、ビス
（１０−ヒドロキシベンゾ［ｈ］キノリナート）亜鉛、
ビス（２−メチル−８−キノリナート）クロロガリウ
ム、ビス（２−メチル−８−キノリナート）（ｏ−クレ
ゾラート）ガリウム、ビス（２−メチル−８−キノリナ
ート）（１−ナフトラート）アルミニウム、ビス（２−
メチル−８−キノリナート）（２−ナフトラート）ガリ
ウム、ビス（２−メチル−８−キノリナート）フェノラ
ートガリウム、ビス（ｏ−（２−ベンゾオキサゾリル）
フェノラート）亜鉛、ビス（ｏ−（２−ベンゾチアゾリ
ル）フェノラート）亜鉛、ビス（ｏ−（２−ベンゾトリ
アゾリル）フェノラート）亜鉛などの金属錯体化合物、
Ｎ，Ｎ，Ｎ’，Ｎ’−（４−（α, α’−ジメチルベン
ジル）フェニル）−アントラニル−９，１０−ジアミ
ン、９，１０−ビス（４−（ジ−ｐ−トリルアミノ）フ
ェニル）アントラセンなどの芳香族アミン系化合物、
４，４’−ビス（β, β−ジフェニルビニル）ビフェニ
ル、４，４−ビス（β−（Ｎ−エチル−３−カルバゾリ
ル）ビニル）ビフェニル、４，４’−ビス（ｐ−ジフェ
ニルアミノスチリル）ビフェニルなどのビススチリル系
化合物、ペリレン、ペリレンテトラカルボン酸ジイミド
誘導体、３−（２’−ベンゾチアゾリル）−７−ジエチ
ルアミノクマリン（クマリン６）、４−（ジシアノメチ
レン）−２−メチル−６−（ｐ−ジメチルアミノスチリ
ル）−４Ｈ−ピラン（ＤＣＭ）、ニールレッド、ジフェ
ニルアントラセンおよびその誘導体、キナクリドンおよ
びその誘導体、ルブレンおよびその誘導体等があるが、
これらに限定されるものではない。

【００４６】正孔注入材料としては、正孔を輸送する能
力を持ち、陽極からの正孔注入効果、発光層または発光
材料に対して優れた正孔注入効果を有し、発光層で生成
した励起子の電子注入帯域または電子注入材料への移動
を防止し、かつ薄膜形成能力の優れた化合物が挙げられ
る。一般式［１］の有機ＥＬ素子材料と共に、または別
個に使用できる正孔注入材料としては、具体的には、フ
タロシアニン誘導体、ナフタロシアニン誘導体、ポルフ
ィリン誘導体、オキサゾール、オキサジアゾール、トリ
アゾール、イミダゾール、イミダゾロン、イミダゾール
チオン、ピラゾリン、ピラゾロン、テトラヒドロイミダ
ゾール、オキサゾール、オキサジアゾール、ヒドラゾ
ン、アシルヒドラゾン、ポリアリールアルカン、スチル
ベン、ブタジエン、ベンジジン型トリフェニルアミン、
スチリルアミン型トリフェニルアミン、ジアミン型トリ
フェニルアミン等と、それらの誘導体、およびポリビニ
ルカルバゾール、ポリシラン、導電性高分子等の高分子
材料等があるが、これらに限定されるものではない。

【００４７】本発明の有機ＥＬ素子において使用できる
正孔注入材料の中で、一般式［１］の化合物の他に、効
果的な正孔注入材料は、芳香族三級アミン誘導体もしく
はフタロシアニン誘導体が挙げられる。芳香族三級アミ
ン誘導体の具体例としては、トリフェニルアミン、トリ
トリルアミン、トリルジフェニルアミン、Ｎ，Ｎ’−ジ
フェニル−Ｎ，Ｎ’−ジ（３−メチルフェニル）−１，
１’−ビフェニル−４，４’−ジアミン、Ｎ，Ｎ，
Ｎ’，Ｎ’−テトラ（４−メチルフェニル）−１，１’
−フェニル−４，４’−ジアミン、Ｎ，Ｎ，Ｎ’，Ｎ’
−テトラ（４−メチルフェニル）−１，１’−ビフェニ
ル−４，４’−ジアミン、Ｎ，Ｎ’−ジフェニル−Ｎ，
Ｎ’−ジ（１−ナフチル）−１，１’−ビフェニル−
４，４’−ジアミン、Ｎ，Ｎ’−ジ（メチルフェニル）
−Ｎ，Ｎ’−ジ（４−ｎ−ブチルフェニル）フェナント
レン−９，１０−ジアミン、４，４’，４”−トリス
（Ｎ−（３−メチルフェニル）−Ｎ−フェニルアミノ）
トリフェニルアミン、１，１−ビス（４−ジ−ｐ−トリ
ルアミノフェニル）シクロヘキサン等、もしくはこれら
の芳香族三級アミン骨格を有したオリゴマーもしくはポ
リマー等があるが、これらに限定されるものではない。

【００４８】フタロシアニン（Ｐｃ）誘導体の具体例と
しては、Ｈ₂ Ｐｃ、ＣｕＰｃ、ＣｏＰｃ、ＮｉＰｃ、Ｚ
ｎＰｃ、ＰｄＰｃ、ＦｅＰｃ、ＭｎＰｃ、ＣｌＡｌＰ
ｃ、ＣｌＧａＰｃ、ＣｌＩｎＰｃ、ＣｌＳｎＰｃ、Ｃｌ
₂ ＳｉＰｃ、（ＨＯ）ＡｌＰｃ、（ＨＯ）ＧａＰｃ、Ｖ
ＯＰｃ、ＴｉＯＰｃ、ＭｏＯＰｃ、ＧａＰｃ−Ｏ−Ｇａ
Ｐｃ等のフタロシアニン誘導体およびナフタロシアニン
誘導体等があるが、これらに限定されるものではない。

【００４９】電子注入材料としては、電子を輸送する能
力を持ち、陰極からの正孔注入効果、発光層または発光
材料に対して優れた電子注入効果を有し、発光層で生成
した励起子の正孔注入帯域への移動を防止し、かつ薄膜
形成能力の優れた化合物が挙げられる。例えば、フルオ
レノン、アントラキノジメタン、ジフェノキノン、チオ
ピランジオキシド、オキサゾール、オキサジアゾール、
トリアゾール、イミダゾール、ペリレンテトラカルボン
酸、フレオレニリデンメタン、アントラキノジメタン、
アントロン等とそれらの誘導体があるが、これらに限定
されるものではない。

【００５０】本発明の有機ＥＬ素子において、さらに効
果的な電子注入材料は、金属錯体化合物もしくは含窒素
五員環誘導体である。具体的には、金属錯体化合物とし
ては、８−ヒドロキシキノリナートリチウム、ビス（８
−ヒドロキシキノリナート）亜鉛、ビス（８−ヒドロキ
シキノリナート）銅、ビス（８−ヒドロキシキノリナー
ト）マンガン、トリス（８−ヒドロキシキノリナート）
アルミニウム、トリス（２−メチル−８−ヒドロキシキ
ノリナート）アルミニウム、トリス（８−ヒドロキシキ
ノリナート）ガリウム、ビス（１０−ヒドロキシベンゾ
［ｈ］キノリナート）ベリリウム、ビス（１０−ヒドロ
キシベンゾ［ｈ］キノリナート）亜鉛、ビス（２−メチ
ル−８−キノリナート）クロロガリウム、ビス（２−メ
チル−８−キノリナート）（ｏ−クレゾラート）ガリウ
ム、ビス（２−メチル−８−キノリナート）（１−ナフ
トラート）アルミニウム、ビス（２−メチル−８−キノ
リナート）（２−ナフトラート）ガリウム、ビス（２−
メチル−８−キノリナート）フェノラートガリウム、ビ
ス（ｏ−（２−ベンゾオキサゾリル）フェノラート）亜
鉛、ビス（ｏ−（２−ベンゾチアゾリル）フェノラー
ト）亜鉛、ビス（ｏ−（２−ベンゾトリアゾリル）フェ
ノラート）亜鉛等があるが、これらに限定されるもので
はない。また、含窒素五員誘導体としては、オキサゾー
ル、チアゾール、オキサジアゾール、チアジアゾールも
しくはトリアゾール誘導体が好ましい。具体的には、
２，５−ビス（１−フェニル）−１，３，４−オキサゾ
ール、１，４−ビス（２−（４−メチル−５−フェニル
オキサゾリル））ベンゼン、２，５−ビス（１−フェニ
ル）−１，３，４−チアゾール、２，５−ビス（１−フ
ェニル）−１，３，４−オキサジアゾール、２−（４’
−ｔｅｒｔ−ブチルフェニル）−５−( ４”−ビフェニ
ル) １，３，４−オキサジアゾール、２，５−ビス（１
−ナフチル）−１，３，４−オキサジアゾール、１，４
−ビス［２−( ５−フェニルオキサジアゾリル) ］ベン
ゼン、１，４−ビス［２−( ５−フェニルオキサジアゾ
リル) −４−ｔｅｒｔ−ブチルベンゼン］、２−（４’
−ｔｅｒｔ−ブチルフェニル）−５−( ４”−ビフェニ
ル) −１，３，４−チアジアゾール、２，５−ビス（１
−ナフチル）−１，３，４−チアジアゾール、１，４−
ビス［２−( ５−フェニルチアジアゾリル) ］ベンゼ
ン、２−（４’−ｔｅｒｔ−ブチルフェニル）−５−(
４”−ビフェニル) −１，３，４−トリアゾール、２，
５−ビス（１−ナフチル）−１，３，４−トリアゾー
ル、１，４−ビス［２−( ５−フェニルトリアゾリル)
］ベンゼン等があるが、これらに限定されるものでは
ない。

【００５１】本発明における発光層、正孔注入層、電子
注入層の各層は２種以上の化合物から構成されても良
い。本構成による具体的な効果としては、前記の発光層
への有機蛍光色素の添加による色素からの効率的な発光
の他に、正孔注入材料に電子受容物質を、電子注入材料
に電子供与性物質を添加することによる増感や、混合に
よる膜の非晶質化などが挙げられる。

【００５２】有機ＥＬ素子の陽極に使用される導電性材
料としては、４ｅＶより大きな仕事関数を持つものが適
しており、炭素、アルミニウム、バナジウム、鉄、コバ
ルト、ニッケル、タングステン、銀、金、白金、パラジ
ウム等およびそれらの合金、ＩＴＯ基板、ＮＥＳＡ基板
に使用される酸化スズ、酸化インジウム等の酸化金属、
さらにはポリチオフェンやポリピロール等の有機導電性
樹脂が用いられる。

【００５３】陰極に使用される導電性物質としては、４
ｅＶより小さな仕事関数を持つものが適しており、マグ
ネシウム、カルシウム、錫、鉛、チタニウム、イットリ
ウム、リチウム、ルテニウム、マンガン、アルミニウム
等およびそれらの合金が用いられるが、これらに限定さ
れるものではない。合金としては、マグネシウム／銀、
マグネシウム／インジウム、リチウム／アルミニウム等
が代表例として挙げられるが、これらに限定されるもの
ではない。合金の比率は、蒸着源の温度、雰囲気、真空
度等により制御され、適切な比率に選択される。陽極お
よび陰極は、必要があれば二層以上の層構成により形成
されていても良い。

【００５４】有機ＥＬ素子では、効率良く発光させるた
めに、少なくとも一方は素子の発光波長領域において充
分透明であることが望ましい。また、基板も透明である
ことが望ましい。透明電極は、上記の導電性材料を使用
して、蒸着やスパッタリング等の方法で所定の透光性を
確保するように設定する。発光面の電極は、光透過率を
１０％以上にすることが望ましい。基板は、機械的、熱
的強度を有し、透明であれば限定されるものではない
が、例示すると、ガラス基板、ポリエチレン、ポリエー
テルサルフォン、ポリプロピレン等の透明性樹脂があ
り、板状、フィルム状のいずれでも良い。

【００５５】本発明に係わる有機ＥＬ素子の各層の形成
は、真空蒸着、スパッタリング等の乾式成膜法やスピン
コーティング、ディッピング等の湿式成膜法のいずれの
方法を適用することもできる。膜厚は特に限定されるも
のではないが、各層は適切な膜厚に設定する必要があ
る。膜厚が厚すぎると、一定の光出力を得るために大き
な印加電圧が必要になり効率が悪くなる。膜厚が薄すぎ
るとピンホール等が発生して、電界を印加しても充分な
発光輝度が得られない。通常の膜厚は５ｎｍから１０μ
ｍの範囲が適しているが、１０ｎｍから０．２μｍの範
囲がさらに好ましい。

【００５６】湿式成膜法の場合、各層を形成する材料
を、クロロホルム、テトラヒドロフラン、ジオキサン等
の適切な溶媒に溶解または分散して薄膜を形成するが、
その溶媒はいずれであっても良い。また、いずれの薄膜
においても、成膜性向上、膜のピンホール防止等のため
適切な樹脂や添加剤を使用しても良い。

【００５７】本発明において使用される樹脂としては、
ポリスチレン、ポリカーボネート、ポリアリレート、ポ
リエステル、ポリアミド、ポリウレタン、ポリスルフォ
ン、ポリメチルメタクリレート、ポリメチルアクリレー
ト、セルロース等の絶縁性樹脂、ポリ−Ｎ−ビニルカル
バゾール、ポリシラン等の光導電性樹脂、ポリチオフェ
ン、ポリピロール等の導電性樹脂を挙げることができ
る。また、添加剤としては、酸化防止剤、紫外線吸収
剤、可塑剤等を挙げることができる。

【００５８】本発明により得られた有機ＥＬ素子の、温
度、湿度、雰囲気等に対する安定性の向上のために、素
子の表面に保護層を設けたり、シリコンオイル、樹脂等
により素子全体を保護することも可能である。

【００５９】以上のように、本発明では有機ＥＬ素子に
一般式［１］の化合物を用いたため、発光効率と発光輝
度を高くできた。また、この素子は熱や電流に対して安
定であり、さらには低い駆動電圧で実用的に使用可能の
発光輝度が得られるため、従来まで大きな問題であった
連続発光時の輝度劣化も大幅に改良することができた。

【００６０】本発明の有機ＥＬ素子は、壁掛けテレビ等
のフラットパネルディスプレイや、平面発光体として、
複写機やプリンター等の光源、液晶ディスプレイや計器
類等の光源、表示板、標識灯等へ応用が考えられ、その
工業的価値は非常に大きい。また、本発明の材料は、有
機ＥＬ素子だけでなく、電子写真感光体、光電変換素
子、太陽電池、イメージセンサー等の分野においても使
用できる。

【００６１】

【実施例】以下、本発明を実施例に基づき、さらに詳細
に説明する。ＤＳＣ分析によれば、本発明の一般式
［１］で示される化合物の多くはガラス転移温度１００
℃以上、融点２５０℃以上、分解点３００℃以上であ
り、非結晶性正孔注入材料として従来まで使用されてい
る、４，４’，４”−トリス［Ｎ−（３−メチルフェニ
ル）−Ｎ−フェニルアミノ］トリフェニルアミンや４，
４’−ビス［Ｎ−（１−ナフチル）−Ｎ−フェニルアミ
ノ］ビフェニルに比べて、ガラス転移温度や融点が高
く、有機ＥＬ素子の正孔注入材料として、高い耐熱性を
有していることがわかる。また、本発明の一般式［１］
で示される全ての化合物は、低結晶性化合物であるの
で、陽極基板や有機薄膜層との密着性も良好であり、有
機薄膜としての環境に対する耐性や、有機ＥＬ素子を駆
動した際の発光寿命および素子の保存性についても大き
な優位性がある。

【００６２】実施例１ 洗浄したＩＴＯ電極付きガラス板上に、化合物（１）を
真空蒸着して、膜厚３０ｎｍの正孔注入層を得た。次い
で、トリス（８−ヒドロキシキノリナト）アルミニウム
錯体を真空蒸着して膜厚５０ｎｍの発光層を作成し、そ
の上に、マグネシウムと銀を１０：１で混合した合金で
膜厚１５０ｎｍの電極を形成して、有機ＥＬ素子を得
た。正孔注入層および発光層は１０^-6Ｔｏｒｒの真空中
で、基板温度室温の条件下で蒸着した。この素子は、直
流電圧５Ｖで発光輝度１１０（ｃｄ／ｍ² ）、最大発光
輝度１８０００（ｃｄ／ｍ² ）、発光効率２．０（ｌｍ
／Ｗ）の発光特性が得られた。

【００６３】実施例２ 正孔注入層を、クロロホルムに溶解した化合物（５）を
スピンコート法で形成する以外は、実施例１と同様の方
法で有機ＥＬ素子を作製した。この素子は、直流電圧５
Ｖで発光輝度２２０（ｃｄ／ｍ² ）、最大発光輝度２０
０００（ｃｄ／ｍ² ）、発光効率２．１（ｌｍ／Ｗ）の
発光特性が得られた。

【００６４】実施例３ 洗浄したＩＴＯ電極付きガラス板上に、化合物（６）を
真空蒸着して、膜厚４０ｎｍの第一正孔注入層を得た。
次いで、Ｎ，Ｎ’−ジフェニル−Ｎ，Ｎ’−（３−メチ
ルフェニル）−１，１’−ビフェニル−４，４’−ジア
ミンを真空蒸着して、膜厚１０ｎｍの第二正孔注入層を
得た。さらに、トリス（８−ヒドロキシキノリナト）ア
ルミニウム錯体を真空蒸着して膜厚４０ｎｍの発光層を
作成し、その上に、マグネシウムと銀を１０：１で混合
した合金で膜厚１５０ｎｍの電極を形成して、有機ＥＬ
素子を得た。正孔注入層および発光層は１０^-6Ｔｏｒｒ
の真空中で、基板温度室温の条件下で蒸着した。この素
子は、直流電圧５Ｖで発光輝度２６０（ｃｄ／ｍ² ）、
最大発光輝度２６０００（ｃｄ／ｍ² ）、発光効率２．
５（ｌｍ／Ｗ）の発光特性が得られた。

【００６５】実施例４ 第二正孔注入層に、Ｎ，Ｎ’−（４−メチルフェニル）
−Ｎ，Ｎ’−（４−ｎ−ブチルフェニル）−フェナント
レン−９，１０−ジアミンを使用する以外は、実施例３
と同様の方法で有機ＥＬ素子を作製した。この素子は、
直流電圧５Ｖで発光輝度２８０（ｃｄ／ｍ² ）、最大発
光輝度２８０００（ｃｄ／ｍ² ）、発光効率２．６（ｌ
ｍ／Ｗ）の発光特性が得られた。

【００６６】実施例５ 洗浄したＩＴＯ電極付きガラス板上に、４，４’，４”
−トリス［Ｎ−（１−ナフチル）−Ｎ−フェニルアミ
ノ］トリフェニルアミンを真空蒸着して、膜厚４０ｎｍ
の第一正孔注入層を得た。次いで、化合物（２）を真空
蒸着して、膜厚１０ｎｍの第二正孔注入層を得た。さら
に、トリス（８−ヒドロキシキノリナト）アルミニウム
錯体を真空蒸着して膜厚４０ｎｍの発光層を作成し、そ
の上に、マグネシウムと銀を１０：１で混合した合金で
膜厚１５０ｎｍの電極を形成して、有機ＥＬ素子を得
た。正孔注入層および発光層は１０^-6Ｔｏｒｒの真空中
で、基板温度室温の条件下で蒸着した。この素子は、直
流電圧５Ｖで発光輝度２６０（ｃｄ／ｍ² ）、最大発光
輝度２６０００（ｃｄ／ｍ² ）、発光効率２．５（ｌｍ
／Ｗ）の発光特性が得られた。

【００６７】実施例６ 洗浄したＩＴＯ電極付きガラス板上に、化合物（２７）
をクロロホルムに溶解させ、スピンコーティング法によ
り膜厚４０ｎｍの正孔注入層を得た。次いで、トリス
（８−ヒドロキシキノリナト）アルミニウム錯体を真空
蒸着して膜厚４０ｎｍの発光層を作成し、その上に、マ
グネシウムと銀を１０：１で混合した合金で膜厚１００
ｎｍの電極を形成して有機ＥＬ素子を得た。発光層は１
０^-6Ｔｏｒｒの真空中で、基板温度室温の条件下で蒸着
した。この素子は、直流電圧５Ｖ発光輝度２２０（ｃｄ
／ｍ² ）、最大発光輝度２７０００（ｃｄ／ｍ² ）、発
光効率２．６（ｌｍ／Ｗ）の発光特性が得られた。

【００６８】実施例７〜５５ 洗浄したＩＴＯ電極付きガラス板上に、表１に示した化
合物を真空蒸着して、膜厚４０ｎｍの第一正孔注入層を
得た。次いで、４，４’−ビス［Ｎ−（１−ナフチル）
−Ｎ−フェニルアミノ］ビフェニルを真空蒸着して、膜
厚１０ｎｍの第二正孔注入層を得た。さらに、トリス
（８−ヒドロキシキノリナト）アルミニウム錯体を真空
蒸着して膜厚５０ｎｍの発光層を作成し、さらにビス
（２−メチル−８−ヒドロキシキノリナト）フェノラー
トガリウム錯体を真空蒸着して膜厚３０ｎｍの電子注入
層を作成し、その上に、アルミニウムとリチウムを２
５：１で混合した合金で膜厚１５０ｎｍの電極を形成し
て、有機ＥＬ素子を得た。各有機層は１０^-6Ｔｏｒｒの
真空中で、基板温度は室温の条件下で蒸着した。この素
子は表２で示された発光特性が得られた。

【００６９】実施例５６〜７１ 洗浄したＩＴＯ電極付きガラス板上に、４，４’，４”
−トリス［Ｎ−（３−メチルフェニル）−Ｎ−フェニル
アミノ］トリフェニルアミンを真空蒸着して、膜厚４０
ｎｍの第一正孔注入層を得た。次いで、表１に示した化
合物を真空蒸着して、膜厚１０ｎｍの第二正孔注入層を
得た。さらに、トリス（８−ヒドロキシキノリナト）ア
ルミニウム錯体を真空蒸着して膜厚５０ｎｍの発光層を
作成し、さらにビス（２−メチル−８−ヒドロキシキノ
リナト）フェノラートガリウム錯体を真空蒸着して膜厚
３０ｎｍの電子注入層を作成し、その上に、アルミニウ
ムとリチウムを２５：１で混合した合金で膜厚１５０ｎ
ｍの電極を形成して、有機ＥＬ素子を得た。各有機層は
１０^-6Ｔｏｒｒの真空中で、基板温度は室温の条件下で
蒸着した。この素子は表２で示された発光特性が得られ
た。

【００７０】

【表２】

【００７１】

【００７２】実施例７２ 洗浄したＩＴＯ電極付きガラス板上に、化合物（２７）
を真空蒸着して、膜厚４０ｎｍの第一正孔注入層を得
た。次いで、４，４’−ビス［Ｎ−（１−ナフチル）−
Ｎ−フェニルアミノ］ビフェニルを真空蒸着して、膜厚
１０ｎｍの第二正孔注入層を得た。さらに、Ｎ，Ｎ，
Ｎ’，Ｎ’−［４−（α，α’−ジメチルベンジル）フ
ェニル］−アントラニル−９，１０−ジアミンを真空蒸
着して膜厚５０ｎｍの発光層を作成し、さらにトリス
（８−ヒドロキシキノリナト）アルミニウム錯体を真空
蒸着して膜厚４０ｎｍの電子注入層を作成し、その上
に、マグネシウムと銀を１０：１で混合した合金で膜厚
１５０ｎｍの電極を形成して、有機ＥＬ素子を得た。各
有機層は１０^-6Ｔｏｒｒの真空中で、基板温度室温の条
件下で蒸着した。この素子は、直流電圧５Ｖで発光輝度
１０００（ｃｄ／ｍ² ）、最大発光輝度６７０００（ｃ
ｄ／ｍ² ）、発光効率４．７（ｌｍ／Ｗ）の発光特性が
得られた。

【００７３】実施例７３ 化合物（２７）を真空蒸着した後に、真空加熱炉中で６
５℃、３時間加熱する以外は実施例６５と同様の方法で
有機ＥＬ素子を作製した。この素子は、直流電圧５Ｖで
発光輝度１２００（ｃｄ／ｍ² ）、最大発光輝度７８０
００（ｃｄ／ｍ ² ）、発光効率５．９（ｌｍ／Ｗ）の発
光特性が得られた。加熱することにより、発光特性が向
上した。これは、加熱することにより、化合物（２７）
が正孔の注入および輸送に有利な配向状態に変化したこ
とが推測される。

【００７４】実施例７４ 洗浄したＩＴＯ電極付きガラス板上に、Ｎ，Ｎ’−ジフ
ェニル−Ｎ，Ｎ’−（３−メチルフェニル）−１，１’
−ビフェニル−４，４’−ジアミンを真空蒸着して、膜
厚４０ｎｍの正孔注入層を得た。次に、化合物（４５）
を真空蒸着して膜厚５０ｎｍの発光層を作成し、さらに
トリス（８−ヒドロキシキノリナト）アルミニウム錯体
を真空蒸着して膜厚４０ｎｍの電子注入層を作成し、そ
の上に、マグネシウムと銀を１０：１で混合した合金で
膜厚１５０ｎｍの電極を形成して、有機ＥＬ素子を得
た。各有機層は１０^-6Ｔｏｒｒの真空中で、基板温度室
温の条件下で蒸着した。この素子は、直流電圧５Ｖで発
光輝度２９０（ｃｄ／ｍ² ）、最大発光輝度２１０００
（ｃｄ／ｍ² ）、発光効率２．７（ｌｍ／Ｗ）の発光特
性が得られた。

【００７５】実施例７５ 洗浄したＩＴＯ電極付きガラス板上に、化合物（２５）
を真空蒸着して、膜厚５０ｎｍの正孔注入層を得た。次
に、化合物（１４）を真空蒸着して膜厚５０ｎｍの発光
層を作成し、さらにトリス（８−ヒドロキシキノリナ
ト）アルミニウム錯体を真空蒸着して膜厚４０ｎｍの電
子注入層を作成し、その上に、マグネシウムと銀を１
０：１で混合した合金で膜厚１５０ｎｍの電極を形成し
て、有機ＥＬ素子を得た。各有機層は１０^-6Ｔｏｒｒの
真空中で、基板温度室温の条件下で蒸着した。この素子
は、直流電圧５Ｖで発光輝度１４０（ｃｄ／ｍ² ）、最
大発光輝度２５０００（ｃｄ／ｍ² ）、発光効率２．１
（ｌｍ／Ｗ）の発光特性が得られた。

【００７６】実施例７６ 洗浄したＩＴＯ電極付きガラス板上に、化合物（４）を
真空蒸着して、膜厚４０ｎｍの正孔注入層を得た。次い
で、化合物（３８）とルブレンを重量比１００：３で真
空蒸着して膜厚５０ｎｍの発光層を作成し、さらにトリ
ス（８−ヒドロキシキノリナト）アルミニウム錯体を真
空蒸着して膜厚４０ｎｍの電子注入層を作成し、その上
に、マグネシウムと銀を１０：１で混合した合金で膜厚
１５０ｎｍの電極を形成して、有機ＥＬ素子を得た。各
有機層は１０^-6Ｔｏｒｒの真空中で、基板温度室温の条
件下で蒸着した。この素子は、直流電圧５Ｖで発光輝度
６３０（ｃｄ／ｍ² ）、最大発光輝度４４０００（ｃｄ
／ｍ² ）、発光効率３．７（ｌｍ／Ｗ）の発光特性が得
られた。

【００７７】実施例７７ トリス（８−ヒドロキシキノリナト）アルミニウム錯体
とキナクリドンを重量比１００：１で蒸着して、膜厚４
０ｎｍの発光層を得る以外は実施例７と同様の方法で有
機ＥＬ素子を作製した。この素子は、直流電圧５Ｖで発
光輝度５９０（ｃｄ／ｍ² ）、最大発光輝度３８０００
（ｃｄ／ｍ² ）、発光効率３．９（ｌｍ／Ｗ）の発光特
性が得られた。

【００７８】実施例７８ ビス（２−メチル−８−ヒドロキシキノリナト）フェノ
ラートガリウム錯体に代えて化合物（４２）を蒸着し
て、膜厚４０ｎｍの電子注入層を得る以外は実施例７０
と同様の方法で有機ＥＬ素子を作製した。この素子は、
直流電圧５Ｖで発光輝度６１０（ｃｄ／ｍ² ）、最大発
光輝度４２０００（ｃｄ／ｍ² ）、発光効率４．４（ｌ
ｍ／Ｗ）の発光特性が得られた。

【００７９】実施例７９ 洗浄したＩＴＯ電極付きガラス板上に、４，４’−ビス
［Ｎ−（１−ナフチル）−Ｎ−フェニルアミノ］ビフェ
ニルを真空蒸着して、膜厚３０ｎｍの正孔注入層を得
た。次に、化合物（１９）とキナクリドンを重量比５
０：１で真空蒸着して膜厚５０ｎｍの発光層を作成し、
さらにビス（２−メチル−８−ヒドロキシキノリナト）
（１−ナフトラート）ガリウム錯体を真空蒸着して膜厚
４０ｎｍの電子注入層を作成し、その上に、マグネシウ
ムと銀を１０：１で混合した合金で膜厚１５０ｎｍの電
極を形成して、有機ＥＬ素子を得た。各有機層は１０^-6
Ｔｏｒｒの真空中で、基板温度室温の条件下で蒸着し
た。この素子は、直流電圧５Ｖで発光輝度５４０（ｃｄ
／ｍ² ）、最大発光輝度３５０００（ｃｄ／ｍ² ）、発
光効率３．６（ｌｍ／Ｗ）の発光特性が得られた。

【００８０】実施例８０ 洗浄したＩＴＯ電極付きガラス板上に、４，４’−ビス
［Ｎ−（１−ナフチル）−Ｎ−フェニルアミノ］ビフェ
ニルを真空蒸着して、膜厚３０ｎｍの正孔注入層を得
た。次に、化合物（１９）とＮ，Ｎ’−ジエチルキナク
リドンを重量比２０：１で真空蒸着して膜厚５０ｎｍの
発光層を作成し、さらにビス（２−メチル−８−ヒドロ
キシキノリナト）フェノラートガリウム錯体を真空蒸着
して膜厚４０ｎｍの電子注入層を作成し、その上に、マ
グネシウムと銀を１０：１で混合した合金で膜厚１５０
ｎｍの電極を形成して、有機ＥＬ素子を得た。各有機層
は１０^-6Ｔｏｒｒの真空中で、基板温度室温の条件下で
蒸着した。この素子は、直流電圧５Ｖで発光輝度４９０
（ｃｄ／ｍ² ）、最大発光輝度４２０００（ｃｄ／
ｍ ² ）、発光効率４．５（ｌｍ／Ｗ）の発光特性が得ら
れた。

【００８１】実施例８１ 洗浄したＩＴＯ電極付きガラス板上に、４，４’，４”
−トリス［Ｎ−（３−メチルフェニル）−Ｎ−フェニル
アミノ］トリフェニルアミンを真空蒸着して、膜厚４０
ｎｍの正孔注入層を得た。次に、化合物（１７）とジフ
ェニルアントラセンを重量比１００：３で真空蒸着して
膜厚５０ｎｍの発光層を作成し、さらにビス（ｏ−（２
−ベンゾチアゾリル）フェノラート）亜鉛錯体を真空蒸
着して膜厚４０ｎｍの電子注入層を作成し、その上に、
マグネシウムと銀を１０：１で混合した合金で膜厚１５
０ｎｍの電極を形成して、有機ＥＬ素子を得た。各有機
層は１０^-6Ｔｏｒｒの真空中で、基板温度室温の条件下
で蒸着した。この素子は、直流電圧５Ｖで発光輝度２２
０（ｃｄ／ｍ² ）、最大発光輝度２６０００（ｃｄ／ｍ
² ）、発光効率２．９（ｌｍ／Ｗ）の発光特性が得られ
た。

【００８２】比較例１ 化合物（６）に代えて、４，４’，４”−トリス［Ｎ−
（３−メチルフェニル）−Ｎ−フェニルアミノ］トリフ
ェニルアミンを使用する以外は、実施例３と同様の方法
で有機ＥＬ素子を作成した。この素子は、直流電圧５Ｖ
で発光輝度約１６０（ｃｄ／ｍ² ）、発光効率１．２
（ｌｍ／Ｗ）の発光特性が得られた。

【００８３】比較例２ 化合物（２７）に代えて、４，４’，４”−トリス［Ｎ
−（３−メチルフェニル）−Ｎ−フェニルアミノ］トリ
フェニルアミンを使用する以外は、実施例６５と同様の
方法で有機ＥＬ素子を作成した。この素子は、直流電圧
５Ｖで発光輝度約５５０（ｃｄ／ｍ² ）、発光効率３．
５（ｌｍ／Ｗ）の発光特性が得られた。

【００８４】比較例３ 化合物（２）に代えて、４，４’−ビス［Ｎ−（１−ナ
フチル）−Ｎ−フェニルアミノ］ビフェニルを使用する
以外は、実施例５と同様の方法で有機ＥＬ素子を作成し
た。この素子は、直流電圧５Ｖで発光輝度約１５０（ｃ
ｄ／ｍ² ）、発光効率１．４（ｌｍ／Ｗ）の発光特性が
得られた。

【００８５】比較例４ 発光層の化合物（３８）に代えて、４，４’−ビス［Ｎ
−（１−ナフチル）−Ｎ−フェニルアミノ］ビフェニル
を使用する以外は、実施例６９と同様の方法で有機ＥＬ
素子を作成した。この素子は、直流電圧５Ｖで発光輝度
約２５０（ｃｄ／ｍ² ）、発光効率２．２（ｌｍ／Ｗ）
の発光特性が得られた。

【００８６】本実施例で示された全ての有機ＥＬ素子に
ついて、３（ｍＡ／ｃｍ² ）で連続発光させたところ、
１０００時間以上初期輝度の５０％以上の輝度を観測出
来たが、比較例１および比較例２の素子を同様の条件で
連続発光させたところ、共に２００時間で初期輝度の５
０％以下になり、素子の未発光部分であるダークスポッ
トの数も増加した。以上の結果の理由としては、本発明
の化合物は非平面性化合物であるので、薄膜形成の際に
は、非結晶性薄膜を形成することが可能であること、化
合物中のトリフェニレン環のために正孔注入性が向上
し、有機ＥＬ素子の正孔注入性が良好になることが挙げ
られる。さらには、耐熱性も向上しているので、連続発
光時の発熱に対する耐性、基板からの正孔注入性、基板
との密着性も向上している。また、電子注入材料として
使用した場合も、非結晶性薄膜を形成することが可能で
あること、化合物中に多くの縮合芳香族環を有し、電子
吸引性基を有しているために電子注入性が向上し、有機
ＥＬ素子の電子注入性が良好になる。また、発光材料と
しても有効な特性を示した。

【００８７】本発明の有機ＥＬ素子は、発光効率、発光
輝度の向上と長寿命化を達成するものであり、併せて使
用される発光材料、ドーピング材料、正孔注入材料、電
子注入材料、増感剤、樹脂、電極材料等および素子作製
方法を限定するものではない。

【００８８】

【発明の効果】本発明により、正孔、電子注入性もしく
は発光特性の優れた有機ＥＬ素子特性を有する化合物を
得ることができた。本発明が提供した化合物により、従
来に比べて高発光効率、高輝度であり、長時間の発光お
よび保存が可能な有機ＥＬ素子を得ることができた。

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 玉野 美智子 東京都中央区京橋二丁目３番13号 東洋イ ンキ製造株式会社内

Claims (6)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 下記一般式［１］で示される有機エレク
   トロルミネッセンス素子材料。 一般式［１］ 【化１】 ［式中、Ｒ¹ 〜Ｒ⁶ は、それぞれ独立に、置換もしくは
   未置換のアルキル基、置換もしくは未置換のアリール
   基、置換もしくは未置換の脂環基または置換もしくは未
   置換の複素環基を表す。Ｘ¹ 〜Ｘ⁶ は、それぞれ独立
   に、酸素原子、硫黄原子、又は水素原子、アルキル基も
   しくはアリール基が結合してもよい窒素原子を表す。
2. 【請求項２】 一対の電極間に、発光層または発光層を
   含む複数層の有機化合物薄膜を形成してなる有機エレク
   トロルミネッセンス素子において、少なくとも一層が請
   求項１記載の有機エレクトロルミネッセンス素子材料を
   含有する層である有機エレクトロルミネッセンス素子。
3. 【請求項３】 発光層と陽極との間の正孔注入帯域中の
   少なくとも一層が請求項１記載の有機エレクトロルミネ
   ッセンス素子材料を含有する層である請求項２記載の有
   機エレクトロルミネッセンス素子。
4. 【請求項４】 発光層が請求項１記載の有機エレクトロ
   ルミネッセンス素子材料を含有する層である請求項２記
   載の有機エレクトロルミネッセンス素子。
5. 【請求項５】 発光層および他の少なくとも一層が請求
   項１記載の有機エレクトロルミネッセンス素子材料を含
   有する層である請求項２記載の有機エレクトロルミネッ
   センス素子。
6. 【請求項６】 請求項１記載の有機エレクトロルミネッ
   センス素子材料を含有する層に有機蛍光色素を添加する
   ことを特徴とする請求項２ないしは５のいずれかに記載
   の有機エレクトロルミネッセンス素子。