JPH1180111A - Enamine group-containing hydrazone derivative and electroluminescent element using the same - Google Patents

Enamine group-containing hydrazone derivative and electroluminescent element using the same

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JPH1180111A
JPH1180111A JP9247190A JP24719097A JPH1180111A JP H1180111 A JPH1180111 A JP H1180111A JP 9247190 A JP9247190 A JP 9247190A JP 24719097 A JP24719097 A JP 24719097A JP H1180111 A JPH1180111 A JP H1180111A
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JP
Japan
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compound
layer
light emitting
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formula
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JP9247190A
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Japanese (ja)
Inventor
Kazuhiro Enomoto
和弘 榎本
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Sharp Corp
Original Assignee
Sharp Corp
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  • Electroluminescent Light Sources (AREA)
  • Organic Low-Molecular-Weight Compounds And Preparation Thereof (AREA)

Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To obtain a new compound, useful as a material for an electroluminescent element such as a hole injecting transport material and capable of providing the electroluminescent element, having a low driving voltage and manifesting a good luminous efficiency. SOLUTION: This compound is represented by formula I Q is (CH2 )m [(m) is 0-4] or a(n) (un)substituted arylene; R<1> and R<2> are each H, an alkyl or a(n) (un)substituted aryl; R<3> and R<4> are each an alkyl or a(n) (un)substituted aryl ; R<5> is a(n) (un) substituted aryl ; R<6> is a(n) (un)substituted aryl, an alkyl or H}, e.g. a compound represented by formula II. The compound represented by formula I is obtained by reacting, e.g. a hydrazone compound represented by formula III with 2-5 equiv. aldehyde compound represented by formula IV in an aromatic solvent such as benzene or toluene using an organic acid such as p-toluenesulfonic acid as a catalyst under heating and refluxing and removing water which is a by-product from the reactional system.

Description

【発明の詳細な説明】DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION

【0001】[0001]

【発明の属する技術分野】本発明は、新規な、2個のエ
ナミン基を含有するヒドラゾン誘導体に関する。さら
に、本発明は、該ヒドラゾン誘導体からなる発光材料、
正孔注入輸送材料等の電界発光素子用材料、および該ヒ
ドラゾン誘導体を用いた、駆動電圧が小さく、かつ良好
な発光効率を示す電界発光素子に関する。
[0001] The present invention relates to a novel hydrazone derivative containing two enamine groups. Further, the present invention provides a luminescent material comprising the hydrazone derivative,
The present invention relates to a material for an electroluminescent element such as a hole injecting / transporting material, and an electroluminescent element using the hydrazone derivative, which has a low driving voltage and good luminous efficiency.

【0002】[0002]

【従来の技術】電界発光素子(EL素子)は、自己発光
についての視覚認識性が高く、かつ完全固体素子である
ため耐衝撃性に優れる等の特徴を有している。これらの
特徴から、EL素子は、近年、各種表示装置、バックラ
イトランプ等への利用が注目されている。
2. Description of the Related Art An electroluminescent device (EL device) has features such as high visual recognition of self-luminescence and excellent impact resistance because it is a completely solid device. Because of these features, the use of EL elements in various display devices, backlight lamps, and the like has recently attracted attention.

【0003】このEL素子には、発光層に無機化合物を
用いる無機EL素子と、有機化合物を用いる有機EL素
子とがある。特に、有機EL素子は、印加電圧を低くし
かつフルカラーに対応するために、実用化のための研究
が積極的になされている。
[0003] The EL element includes an inorganic EL element using an inorganic compound for a light emitting layer and an organic EL element using an organic compound. Particularly, organic EL devices have been actively studied for practical application in order to reduce the applied voltage and support full color.

【0004】有機EL素子の構成については、陽極/発
光層/陰極の基本構造に、陽極より注入された正孔を効
率よく発光層に伝達する機能を有する正孔注入輸送層、
または陰極より注入された電子を効率よく発光層に伝達
する機能を有する電子注入輸送層を、適宜設けた構造が
よく知られている。たとえば、米国特許第4,539,
507号、米国特許第4,769,299号、特開昭5
9−194393号公報、および特開昭63−2956
95号公報は、陽極/正孔注入輸送層/発光層/陰極の
構造を有する種々の有機EL素子を開示する。この構成
の有機EL素子において、正孔注入輸送層に薄膜形成が
容易な材料を用いることによって、正孔注入輸送層と発
光層との合計膜厚を150nm以下にすることができ、
その結果、20V以下の駆動電圧で高輝度の発光を得る
ことに成功している。さらに、Appl.Phys.L
ett.51巻,913頁(1987年)は、正孔注入
輸送層に、電子に対する障壁として作用し得るトリフェ
ニルアミン系の正孔伝達化合物を用い、正孔注入輸送層
と発光層との界面に存在する電子の障壁により、発光層
の界面に電子の蓄積を行ない、それによって発光効率を
高め、たとえばオキシム錯体の発光材料を用いて10V
以下の印加電圧で103 cd/m2 の高輝度の緑色発光
を効率1.5(lm/V)で実現したことを開示する。
[0004] Regarding the structure of the organic EL element, the basic structure of the anode / light-emitting layer / cathode includes a hole injection / transport layer having a function of efficiently transmitting holes injected from the anode to the light-emitting layer.
Alternatively, a structure in which an electron injection / transport layer having a function of efficiently transmitting electrons injected from a cathode to a light emitting layer is appropriately provided is well known. For example, US Pat. No. 4,539,
507, U.S. Pat. No. 4,769,299,
JP-A-9-194393 and JP-A-63-29556
No. 95 discloses various organic EL devices having a structure of anode / hole injection / transport layer / light emitting layer / cathode. In the organic EL device having this configuration, the total thickness of the hole injecting and transporting layer and the light emitting layer can be reduced to 150 nm or less by using a material that can easily form a thin film in the hole injecting and transporting layer.
As a result, high-luminance light emission has been successfully obtained with a drive voltage of 20 V or less. Further, Appl. Phys. L
ett. 51, 913 (1987) discloses that a hole injection / transport layer uses a triphenylamine-based hole transfer compound capable of acting as a barrier to electrons and is present at the interface between the hole injection / transport layer and the light emitting layer. The electron barrier accumulates electrons at the interface of the light-emitting layer, thereby increasing the luminous efficiency.
It discloses that green light emission of high luminance of 10 3 cd / m 2 was realized at an efficiency of 1.5 (lm / V) with the following applied voltage.

【0005】一方、電子と正孔の再結合によって発光が
生じるEL素子において、理論的には、発光ダイオード
なみの低電圧(2〜6V程度)によって駆動が可能なは
ずである。しかし、現状では、EL素子の駆動電圧は6
V以上である。これは、陽極と正孔注入輸送層との界面
や正孔注入輸送層と発光層との界面に存在する正孔注入
に対するエネルギ障壁、あるいは発光層と陰極との界面
に存在する電子注入に対するエネルギ障壁によるためで
ある。さらに、発光量子収率の理論的上限は40%近く
であると言われているが、現在のEL素子においては、
まだ3%程度の量子収率が得られているにすぎない。こ
のように、陽極/正孔注入輸送層/発光層/陰極の構造
を有する有機EL素子においては、他の構成のEL素子
に比べて性能はよいものの、駆動電圧および発光効率に
ついては、必ずしも十分に満足し得るものではない。
On the other hand, an EL element that emits light by recombination of electrons and holes should theoretically be able to be driven by a low voltage (about 2 to 6 V) comparable to a light emitting diode. However, at present, the driving voltage of the EL element is 6
V or more. This is due to the energy barrier for hole injection at the interface between the anode and the hole injection / transport layer or the interface between the hole injection / transport layer and the light emitting layer, or the energy for the electron injection at the interface between the light emitting layer and the cathode. Because of the barrier. Further, it is said that the theoretical upper limit of the emission quantum yield is close to 40%, but in the current EL device,
Only a quantum yield of about 3% has been obtained. As described above, in the organic EL device having the structure of the anode / hole injection / transport layer / light emitting layer / cathode, although the performance is better than the EL devices having other configurations, the driving voltage and the luminous efficiency are not necessarily sufficient. Is not satisfactory.

【0006】さらに、有機EL素子の材料は、無機EL
素子に比べて耐久性に劣り、このため、長時間の使用に
十分適したものではない。
Further, the material of the organic EL element is inorganic EL.
It is inferior in durability to the element, and therefore is not suitable for long-time use.

【0007】[0007]

【発明が解決しようとする課題】本発明の目的は、高い
発光効率、高輝度の発光および低い駆動電圧を満足する
EL素子のための有機化合物を提供することである。
SUMMARY OF THE INVENTION An object of the present invention is to provide an organic compound for an EL device which satisfies high luminous efficiency, high-luminance luminescence and low driving voltage.

【0008】本発明のさらなる目的は、良好な発光効
率、高輝度の発光および低い駆動電圧を満足する有機E
L素子を提供することである。
[0008] It is a further object of the present invention to provide an organic EL device which satisfies good luminous efficiency, high-luminance luminescence and low driving voltage.
An L element is to be provided.

【0009】本発明のさらなる目的は、水、酸素等の環
境物質による化学的劣化が小さく、光、熱等による物理
的劣化が小さく、寿命の長い有機EL素子を提供するこ
とである。
A further object of the present invention is to provide an organic EL device which has a small chemical degradation due to environmental substances such as water and oxygen, a small physical degradation due to light, heat and the like, and a long life.

【0010】[0010]

【課題を解決するための手段】本発明者は、上述した優
れた特性を有するEL素子を開発すべく、種々の有機化
合物材料を合成し、その特性を試験した結果、以下の式
でそれぞれ表わされる新規なヒドラゾン誘導体が少なく
とも正孔注入輸送材料および発光材料として優れた特性
を示すことを見出した。
The present inventor has synthesized various organic compound materials in order to develop an EL device having the above-mentioned excellent characteristics, and tested the characteristics thereof. It has been found that the novel hydrazone derivative shows excellent properties as at least a hole injection transport material and a light emitting material.

【0011】本発明に従って、式According to the present invention, the formula

【0012】[0012]

【化8】 Embedded image

【0013】(式中、Qは−(CH2 m −または置換
もしくは非置換のアリーレン基を表わし、mは0〜4の
整数を表わし、R1 およびR2 はそれぞれ水素原子、ア
ルキル基または置換もしくは非置換のアリール基を表わ
し、R3 およびR4 はそれぞれアルキル基または置換も
しくは非置換のアリール基を表わし、R5 は置換または
非置換のアリール基を表わし、かつR6 は置換もしくは
非置換のアリール基、アルキル基または水素原子を表わ
す)で表わされる、2個のエナミン基を含有するヒドラ
ゾン誘導体が提供される。
(Wherein Q represents-(CH 2 ) m -or a substituted or unsubstituted arylene group, m represents an integer of 0 to 4, and R 1 and R 2 each represent a hydrogen atom, an alkyl group or R 3 and R 4 each represent an alkyl group or a substituted or unsubstituted aryl group; R 5 represents a substituted or unsubstituted aryl group; and R 6 represents a substituted or unsubstituted aryl group. A hydrazone derivative containing two enamine groups represented by a substituted aryl group, an alkyl group or a hydrogen atom) is provided.

【0014】本発明の好ましい態様に従って、式According to a preferred embodiment of the present invention, the formula

【0015】[0015]

【化9】 Embedded image

【0016】(式中、R3 、R4 およびR6 は前記と同
義であり、R3 とR4 とは同じものであり、R7 はハロ
ゲン原子、低級アルコキシ基、低級アルキル基または水
素原子を表わし、かつnは1〜3の整数を表わす)で表
わされる、ヒドラゾン誘導体が提供される。
Wherein R 3 , R 4 and R 6 are as defined above, R 3 and R 4 are the same, and R 7 is a halogen atom, a lower alkoxy group, a lower alkyl group or a hydrogen atom And n represents an integer of 1 to 3).

【0017】さらに本発明に従って、式Further according to the present invention, the formula

【0018】[0018]

【化10】 Embedded image

【0019】(式中、Q、R1 、R2 、R3 およびR4
は前記と同義であり、R8 およびR9 はそれぞれ水素原
子、低級アルキル基または置換もしくは非置換のアリー
ル基を表わすか、またはR8 およびR9 はシクロアルカ
ンの2つの炭素原子とともに置換もしくは非置換の芳香
族炭化水素の部分を形成し、かつrは3〜6の整数を表
わす)で表わされる、2個のエナミン基を含有するヒド
ラゾン誘導体が提供される。
Wherein Q, R 1 , R 2 , R 3 and R 4
Is as defined above, and R 8 and R 9 each represent a hydrogen atom, a lower alkyl group or a substituted or unsubstituted aryl group, or R 8 and R 9 are substituted or unsubstituted together with two carbon atoms of the cycloalkane. A hydrazone derivative containing two enamine groups is provided, which forms part of a substituted aromatic hydrocarbon and r represents an integer from 3 to 6.

【0020】さらに本発明の好ましい態様に従って、式Further according to a preferred embodiment of the present invention,

【0021】[0021]

【化11】 Embedded image

【0022】(式中、R1 、R2 、R3 およびR4 は前
記と同義であり、R1 とR2 とは同じものであり、R3
とR4 とは同じものであり、R10は水素原子、低級アル
キル基、低級アルコキシ基またはハロゲン原子を表わ
し、かつsは1〜3の整数を表わす)で表わされる、ヒ
ドラゾン誘導体が提供される。
[0022] (wherein, R 1, R 2, R 3 and R 4 are as defined above, which is the same as R 1 and R 2, R 3
And R 4 are the same, and R 10 represents a hydrogen atom, a lower alkyl group, a lower alkoxy group or a halogen atom, and s represents an integer of 1 to 3). .

【0023】さらに本発明に従って、式Further according to the present invention, the formula

【0024】[0024]

【化12】 Embedded image

【0025】(式中、R1 、R2 、R3 、R4 およびs
は前記と同義であり、R1 とR2 とは同じものであり、
3 とR4 とは同じものであり、Xは酸素原子、硫黄原
子または
Wherein R 1 , R 2 , R 3 , R 4 and s
Is as defined above, and R 1 and R 2 are the same,
R 3 and R 4 are the same, and X is an oxygen atom, a sulfur atom or

【0026】[0026]

【化13】 Embedded image

【0027】を表わし、R13は水素原子または低級アル
キル基を表わしかつtは0または1を表わし、かつR11
およびR12はそれぞれ水素原子、ハロゲン原子、低級ア
ルキル基または低級アルコキシ基を表わす)で表わされ
る、2個のエナミン基を含有するヒドラゾン誘導体が提
供される。
[0027] represents, R 13 represents and t represents 0 or 1 hydrogen atom or a lower alkyl group, and R 11
And R 12 each represent a hydrogen atom, a halogen atom, a lower alkyl group or a lower alkoxy group), and a hydrazone derivative containing two enamine groups is provided.

【0028】さらに本発明の好ましい態様に従って、式Further according to a preferred embodiment of the present invention,

【0029】[0029]

【化14】 Embedded image

【0030】(式中、R1 、R2 、R3 、R4 およびs
は前記と同義であり、R1 とR2 とは同じものであり、
かつR3 とR4 とは同じものである)で表わされる、ヒ
ドラゾン誘導体が提供される。
Wherein R 1 , R 2 , R 3 , R 4 and s
Is as defined above, and R 1 and R 2 are the same,
And R 3 and R 4 are the same).

【0031】上式の化合物において、アルキル基には、
低級アルキル基が好ましく用いられ、たとえば、メチ
ル、エチル、プロピルおよびブチルを含む炭素数1〜4
のアルキル基が好ましく用いられる。また上式の化合物
において、低級アルキル基には、たとえば、メチル、エ
チル、プロピルおよびブチルを含む炭素数1〜4のアル
キル基が好ましく用いられ、低級アルコキシ基には、メ
トキシ、エトキシ、プロポキシ、ブトキシを含む炭素数
1〜4のアルコキシ基が好ましく用いられる。ハロゲン
原子としては、塩素、臭素、ヨウ素等を挙げることがで
きる。
In the compound of the above formula, the alkyl group includes
Lower alkyl groups are preferably used, for example, having 1 to 4 carbon atoms including methyl, ethyl, propyl and butyl.
Is preferably used. In the compounds of the above formula, for the lower alkyl group, for example, an alkyl group having 1 to 4 carbon atoms including methyl, ethyl, propyl and butyl is preferably used, and for the lower alkoxy group, methoxy, ethoxy, propoxy, butoxy A C1-C4 alkoxy group containing is preferably used. Examples of the halogen atom include chlorine, bromine and iodine.

【0032】本発明者は、陽極/発光層/陰極の基本構
造を有するEL素子において、上式の化合物が、正孔注
入輸送材料または発光材料として優れた特性を示すこと
を見出した。上式の化合物は、EL素子において、エネ
ルギ障壁を緩和し、より低い駆動電圧を可能にする。ま
た上式の化合物は、高い発光効率をもたらすことができ
る。さらに上式の化合物は、長時間安定に作動するEL
素子をもたらすことができる。
The present inventors have found that, in an EL device having a basic structure of anode / light-emitting layer / cathode, the compound of the above formula exhibits excellent properties as a hole injection / transport material or a light-emitting material. The compound of the above formula reduces the energy barrier and enables a lower driving voltage in the EL device. Further, the compound of the above formula can provide high luminous efficiency. Further, the compound of the above formula is an EL which operates stably for a long time.
An element can be provided.

【0033】したがって、本発明によれば、一般式
(I)〜(VI)のいずれかで表わされるヒドラゾン誘
導体からなるEL素子用正孔注入輸送材料が提供され
る。
Therefore, according to the present invention, there is provided a hole injecting / transporting material for an EL device comprising a hydrazone derivative represented by any of the general formulas (I) to (VI).

【0034】また本発明によれば、一般式(I)〜(V
I)のいずれかで表わされるヒドラゾン誘導体からなる
EL素子用発光材料が提供される。
According to the present invention, the compounds represented by the general formulas (I) to (V)
There is provided a light emitting material for an EL device comprising the hydrazone derivative represented by any one of I).

【0035】さらに本発明に従って、上記一般式の化合
物を用いたEL素子が提供される。本発明に従って、陽
極、正孔注入輸送層、発光層および陰極が順に積層され
たEL素子において、正孔注入輸送層または発光層が一
般式(I)〜(VI)のいずれかで表わされるヒドラゾ
ン誘導体を含有する素子が提供される。
Further, according to the present invention, there is provided an EL device using the compound of the above general formula. According to the present invention, in an EL device in which an anode, a hole injecting and transporting layer, a light emitting layer, and a cathode are sequentially stacked, the hole injecting and transporting layer or the light emitting layer is represented by any one of formulas (I) to (VI). A device containing the derivative is provided.

【0036】さらに本発明に従って、陽極、正孔注入輸
送層、発光層、電子輸送層および陰極が順に積層された
EL素子において、正孔注入輸送層または発光層が一般
式(I)〜(VI)のいずれかで表わされるヒドラゾン
誘導体を含有する素子が提供される。
Further, according to the present invention, in an EL device in which an anode, a hole injecting and transporting layer, a light emitting layer, an electron transporting layer and a cathode are laminated in this order, the hole injecting and transporting layer or the light emitting layer has the general formula (I) to (VI) And a device containing the hydrazone derivative represented by any one of the above.

【0037】さらに、本発明者は、上式の化合物を用い
たEL素子に電荷障壁層を設けることにより、発光効率
がより一層向上することを見出した。したがって、本発
明によれば、陽極と陰極との間に電荷障壁層をさらに備
えるEL素子が提供される。電荷障壁層は、電子障壁層
であることが好ましい。
Furthermore, the present inventor has found that the luminous efficiency is further improved by providing a charge blocking layer in an EL device using the compound of the above formula. Therefore, according to the present invention, there is provided an EL device further comprising a charge barrier layer between the anode and the cathode. The charge barrier layer is preferably an electron barrier layer.

【0038】[0038]

【発明の実施の形態】本発明による2個のエナミン基を
含有するヒドラゾン化合物は、以下の合成ルートによっ
て調製される。一般式(I)〜(VI)の化合物の合成
において、まず、一般式(VII)で示されるアルデヒ
ド化合物またはケトン化合物と、一般式(VIII−
a)および一般式(VIII−b)でそれぞれ示される
ヒドラジン化合物とを、溶剤中で酸性条件下において加
熱還流することにより、一般式(IX)のヒドラゾン化
合物を得る。一般式(VIII−a)および(VIII
−b)の化合物は同時にまたは別々に一般式(VII)
の化合物と加熱還流することができる。以上の反応は、
下記の式により表わされる。
DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION A hydrazone compound containing two enamine groups according to the present invention is prepared by the following synthetic route. In the synthesis of the compounds of the general formulas (I) to (VI), first, an aldehyde compound or a ketone compound represented by the general formula (VII) and a compound of the general formula (VIII-
The hydrazine compound represented by formula (IX) is obtained by heating and refluxing a) and the hydrazine compound represented by formula (VIII-b) in a solvent under acidic conditions. Formulas (VIII-a) and (VIII)
-B) the compounds of general formula (VII)
Can be heated and refluxed. The above reaction is
It is represented by the following equation.

【0039】[0039]

【化15】 Embedded image

【0040】(式中、Q、R1 、R2 、R3 およびR4
は上述と同義であり、R1 とR2 とは同じであってもよ
いし異なってもよく、R3 とR4 とは同じであってもよ
いし異なっていてもよい) 一般式(I)および(II)の化合物を調製する場合、
得られるヒドラゾン化合物(IX)に、2〜5当量の一
般式(X)で示されるアルデヒド化合物を、p−トルエ
ンスルホン酸等の有機酸を触媒として、ベンゼン、トル
エン等の芳香族系溶剤中において加熱還流することによ
り、反応させる。反応系から、副生成物の水を除去する
ことにより、容易に一般式(I)または(II)で表わ
されるヒドラゾン化合物が得られる。この反応は下記の
反応式により表わされる。
Wherein Q, R 1 , R 2 , R 3 and R 4
Has the same meaning as described above, R 1 and R 2 may be the same or different, and R 3 and R 4 may be the same or different. ) And (II),
The obtained hydrazone compound (IX) is mixed with 2 to 5 equivalents of the aldehyde compound represented by the general formula (X) in an aromatic solvent such as benzene or toluene using an organic acid such as p-toluenesulfonic acid as a catalyst. The reaction is performed by heating to reflux. By removing water as a by-product from the reaction system, a hydrazone compound represented by the general formula (I) or (II) can be easily obtained. This reaction is represented by the following reaction formula.

【0041】[0041]

【化16】 Embedded image

【0042】(式中、Q、R1 、R2 、R3 、R4 、R
5 およびR6 は上述と同義であり、R1 とR2 とは同じ
であってもよく異なっていてもよく、R3 とR4 とは同
じでも異なっていてもよい) 一般式(III)および(IV)で示される化合物を調
製する場合、得られるヒドラゾン化合物(IX)に、2
〜5当量の一般式(XI)で示されるアルデヒド化合物
を、酢酸、p−トルエンスルホン酸等の有機酸を触媒と
して、ベンゼン、トルエン等の芳香族系溶剤中で、加熱
還流することにより、反応させる。反応系から副生成物
の水を除去することにより、容易に一般式(III)ま
たは(IV)で示されるヒドラゾン化合物が得られる。
この反応は下記の反応式により表わされる。
(Wherein Q, R 1 , R 2 , R 3 , R 4 , R
5 and R 6 are as defined above, and R 1 and R 2 may be the same or different, and R 3 and R 4 may be the same or different. General formula (III) When preparing the compound represented by (IV) and (IV), the resulting hydrazone compound (IX)
The reaction is carried out by heating to reflux 5 to 5 equivalents of the aldehyde compound represented by the general formula (XI) in an aromatic solvent such as benzene or toluene using an organic acid such as acetic acid or p-toluenesulfonic acid as a catalyst. Let it. By removing water as a by-product from the reaction system, a hydrazone compound represented by the general formula (III) or (IV) can be easily obtained.
This reaction is represented by the following reaction formula.

【0043】[0043]

【化17】 Embedded image

【0044】(式中、Q、R1 、R2 、R3 、R4 、R
8 、R9 およびrは上述と同義であり、R1 とR2 とは
同じでも異なっていてもよく、R3 とR4 とは同じでも
異なっていてもよい) 一般式(V)および(VI)の化合物を調製する場合、
得られるヒドラゾン化合物(IX)に、2〜5当量の一
般式(XII)で示されるアルデヒド化合物を、酢酸、
p−トルエンスルホン酸等の有機酸を触媒として、ベン
ゼン、トルエン等の芳香族系溶剤中で、加熱還流するこ
とにより、反応させる。反応系から副生成物の水を除去
することにより、容易に一般式(V)または(VI)で
示されるヒドラゾン化合物が得られる。この反応は下記
の反応式により表わされる。
(Wherein Q, R 1 , R 2 , R 3 , R 4 , R
8 , R 9 and r are as defined above, and R 1 and R 2 may be the same or different, and R 3 and R 4 may be the same or different.) General formulas (V) and ( When preparing the compound of VI),
To the obtained hydrazone compound (IX), 2 to 5 equivalents of the aldehyde compound represented by the general formula (XII) is added with acetic acid,
The reaction is carried out by heating and refluxing in an aromatic solvent such as benzene or toluene using an organic acid such as p-toluenesulfonic acid as a catalyst. By removing water as a by-product from the reaction system, the hydrazone compound represented by the general formula (V) or (VI) can be easily obtained. This reaction is represented by the following reaction formula.

【0045】[0045]

【化18】 Embedded image

【0046】(式中、R1 、R2 、R3 、R4 、R11
12およびXは上述と同義であり、R1 とR2 とは同じ
でも異なっていてもよく、R3 とR4 とは同じでも異な
っていてもよい) 上記プロセスに従って、たとえば以下の化合物が合成さ
れる。
(Wherein R 1 , R 2 , R 3 , R 4 , R 11 ,
R 12 and X are as defined above, and R 1 and R 2 may be the same or different, and R 3 and R 4 may be the same or different. According to the above process, for example, Synthesized.

【0047】一般式(I)または(II)に該当するヒ
ドラゾン化合物を以下に例示する。化合物1
The hydrazone compounds corresponding to the general formula (I) or (II) are exemplified below. Compound 1

【0048】[0048]

【化19】 Embedded image

【0049】化合物2Compound 2

【0050】[0050]

【化20】 Embedded image

【0051】化合物3Compound 3

【0052】[0052]

【化21】 Embedded image

【0053】化合物4Compound 4

【0054】[0054]

【化22】 Embedded image

【0055】化合物5Compound 5

【0056】[0056]

【化23】 Embedded image

【0057】化合物6Compound 6

【0058】[0058]

【化24】 Embedded image

【0059】化合物7Compound 7

【0060】[0060]

【化25】 Embedded image

【0061】化合物8Compound 8

【0062】[0062]

【化26】 Embedded image

【0063】化合物9Compound 9

【0064】[0064]

【化27】 Embedded image

【0065】化合物10Compound 10

【0066】[0066]

【化28】 Embedded image

【0067】化合物11Compound 11

【0068】[0068]

【化29】 Embedded image

【0069】化合物12Compound 12

【0070】[0070]

【化30】 Embedded image

【0071】化合物13Compound 13

【0072】[0072]

【化31】 Embedded image

【0073】化合物14Compound 14

【0074】[0074]

【化32】 Embedded image

【0075】化合物15Compound 15

【0076】[0076]

【化33】 Embedded image

【0077】化合物16Compound 16

【0078】[0078]

【化34】 Embedded image

【0079】化合物17Compound 17

【0080】[0080]

【化35】 Embedded image

【0081】化合物18Compound 18

【0082】[0082]

【化36】 Embedded image

【0083】化合物19Compound 19

【0084】[0084]

【化37】 Embedded image

【0085】化合物20Compound 20

【0086】[0086]

【化38】 Embedded image

【0087】化合物21Compound 21

【0088】[0088]

【化39】 Embedded image

【0089】化合物22Compound 22

【0090】[0090]

【化40】 Embedded image

【0091】化合物23Compound 23

【0092】[0092]

【化41】 Embedded image

【0093】化合物24Compound 24

【0094】[0094]

【化42】 Embedded image

【0095】化合物25Compound 25

【0096】[0096]

【化43】 Embedded image

【0097】化合物26Compound 26

【0098】[0098]

【化44】 Embedded image

【0099】化合物27Compound 27

【0100】[0100]

【化45】 Embedded image

【0101】化合物28Compound 28

【0102】[0102]

【化46】 Embedded image

【0103】化合物29Compound 29

【0104】[0104]

【化47】 Embedded image

【0105】化合物30Compound 30

【0106】[0106]

【化48】 Embedded image

【0107】化合物31Compound 31

【0108】[0108]

【化49】 Embedded image

【0109】化合物32Compound 32

【0110】[0110]

【化50】 Embedded image

【0111】化合物33Compound 33

【0112】[0112]

【化51】 Embedded image

【0113】化合物34Compound 34

【0114】[0114]

【化52】 Embedded image

【0115】化合物35Compound 35

【0116】[0116]

【化53】 Embedded image

【0117】化合物36Compound 36

【0118】[0118]

【化54】 Embedded image

【0119】これらの中で、化合物6、9、10、1
3、16、26および32は、一般式(I)および(I
I)の両方に該当する。
Among these, compounds 6, 9, 10, 1
3, 16, 26 and 32 have the general formulas (I) and (I)
This corresponds to both of I).

【0120】化合物1、4、8、10、13、20、2
3、29、30および35を除いて、残りの他のヒドラ
ゾン化合物は200℃を超える融点を有する。このよう
な高い融点を有するヒドラゾン化合物は、通常の有機溶
剤(たとえばトルエン、酢酸エチル、メチルエチルケト
ン、アルコール等)を用いる再結晶化またはカラムクロ
マトグラフィーによる分離が困難であるため、N,N−
ジメチルホルムアミド(DMF)等の特殊な溶剤を用い
た再沈澱または昇華により精製を行なった。これらの化
合物の同定において、主に赤外線吸収スペクトル(IR
スペクトル)、NMRスペクトル、元素分析、質量分析
等の方法を用いた。質量分析法が同定において一番信頼
性が高かった。
Compounds 1, 4, 8, 10, 13, 20, 2
Except for 3, 29, 30 and 35, the remaining other hydrazone compounds have melting points above 200 ° C. The hydrazone compound having such a high melting point is difficult to be separated by recrystallization or column chromatography using a common organic solvent (for example, toluene, ethyl acetate, methyl ethyl ketone, alcohol, etc.), and thus N, N-
Purification was performed by reprecipitation or sublimation using a special solvent such as dimethylformamide (DMF). In the identification of these compounds, the infrared absorption spectrum (IR
Spectrum), NMR spectrum, elemental analysis, mass spectrometry and the like. Mass spectrometry was the most reliable in identification.

【0121】上記化合物のいくつかについてさらに詳細
な合成プロセスを示すことにより、本発明による化合物
の合成方法をより詳細に説明する。
The methods of synthesizing compounds according to the present invention will be described in more detail by showing more detailed synthetic processes for some of the above compounds.

【0122】合成例1(化合物19の製造) 4,4′−ジアセチルビフェニル(融点194.5〜1
96.0℃)2.4g、フェニルヒドラジン10gおよ
び少量の酢酸をn−ブチルアルコール200mlに加え
る。得られた混合物を油浴中で約10時間加熱還流し、
4,4′−ジ(アセチル−N−フェニルヒドラゾノ)−
ビフェニルの黄白色粉末3.4gを得る。生成物は、I
Rスペクトルおよび質量分析により同定される。
Synthesis Example 1 (Production of Compound 19) 4,4'-Diacetylbiphenyl (melting point: 194.5 to 1)
96.0 ° C.) 2.4 g, 10 g of phenylhydrazine and a small amount of acetic acid are added to 200 ml of n-butyl alcohol. The resulting mixture is heated at reflux in an oil bath for about 10 hours,
4,4'-di (acetyl-N-phenylhydrazono)-
3.4 g of a yellow-white powder of biphenyl are obtained. The product is I
Identified by R spectrum and mass spectrometry.

【0123】IRスペクトル:(KBr錠剤,cm-1
3246(芳香族第二級アミン) 質量分析:(m/z)418 NMRスペクトル:(CDCl3 ,δ値,ppm)1.
15〜1.55(6H,m,CH3 ) 得られたヒドラゾン化合物のうち2.2gをベンゼン1
00ml中に分散し、これにジフェニルアセトアルデヒ
ド(油状)4.4gを加え、次いで微量のp−トルエン
スルホン酸を脱水剤として加える。ソックスレー抽出装
置を用いて、副生成物の水を無水硫酸ナトリウムに吸着
させながら、得られた混合物を油浴中約5時間加熱還流
する。ベンゼンを留去した後、析出した黄橙色の粉末を
十分水洗する。次いで粉末を50mlのジメチルホルム
アミドに溶かし、かつ不溶物を除去する。次いで得られ
た溶液を300mlのエチルアルコール溶液中に加えて
析出した粉末を取出す。取出された粉末を熱アセトン5
0mlにより洗浄した後、2.4gの化合物19(融点
295〜296.5℃)を得る。得られた化合物につい
て、IRスペクトルにおける3246cm-1の第二級ア
ミンに基づく吸収は消滅する。質量分析において、この
化合物について774に親ピークが認められる。
IR spectrum: (KBr tablet, cm -1 )
3246 (Aromatic secondary amine) Mass spec: (m / z) 418 NMR spectrum: (CDCl 3 , δ value, ppm)
15 to 1.55 (6H, m, CH 3 ) 2.2 g of the obtained hydrazone compound was added to benzene 1
In 100 ml, to which 4.4 g of diphenylacetaldehyde (oil) are added, followed by a trace amount of p-toluenesulfonic acid as a dehydrating agent. Using a Soxhlet extractor, the resulting mixture is heated to reflux in an oil bath for about 5 hours while adsorbing by-product water on anhydrous sodium sulfate. After distilling off benzene, the precipitated yellow-orange powder is thoroughly washed with water. The powder is then dissolved in 50 ml of dimethylformamide and the insolubles are removed. Next, the obtained solution is added to 300 ml of an ethyl alcohol solution, and the precipitated powder is taken out. Take out the extracted powder with hot acetone 5
After washing with 0 ml, 2.4 g of compound 19 (mp 295-296.5 ° C.) are obtained. For the compound obtained, the absorption based on the secondary amine at 3246 cm -1 in the IR spectrum disappears. Mass spectrometry shows a parent peak at 774 for this compound.

【0124】合成例2(化合物16の製造) テレフタルアルデヒド6.7g、フェニルヒドラジン
6.7gおよび酢酸0.5mlをエタノールに加える。
得られた混合物について、3時間加熱還流を行ない、析
出した黄白色の針状結晶10.2gを得る。
Synthesis Example 2 (Production of Compound 16) 6.7 g of terephthalaldehyde, 6.7 g of phenylhydrazine and 0.5 ml of acetic acid are added to ethanol.
The obtained mixture is heated and refluxed for 3 hours to obtain 10.2 g of precipitated yellow-white needle-like crystals.

【0125】IRスペクトル:(KBr錠剤,cm-1
3295(芳香族第二級アミン) 質量分析:(m/z)314 NMRスペクトル:(CDCl3 ,δ値,ppm)7.
13(5H,m,C65 ) このようにして得られたp−N,N′−ジフェニル−ジ
ヒドラゾノベンゼン3.1gおよびジフェニルアセトア
ルデヒド8gをベンゼン50mlに溶かし、これに少量
の酢酸を加える。得られた混合物を、無水硫酸ナトリウ
ムを充填したトラップ部を有するガラス容器中で、5時
間加熱還流する。ベンゼンを留去した後、析出した黄色
粉末をトルエン中で再結晶化し、黄褐色の針状結晶5.
2gを得る。(化合物16)融点238.5〜240
℃、質量分析:(m/z)670 合成例3(化合物26の製造) 合成例1と同様にして、4,4′−ジホルミルビフェニ
ルとα−ヒドラジノナフタレンとを反応させて、4,
4′−ジ(ホルミル−N−α−ナフチルヒドラジノ)−
ビフェニルの黄色粉末を得る。次いで、得られた化合物
とジフェニルアセトアルデヒドとを反応させ、赤橙色の
化合物26を得る。融点303〜306℃。
IR spectrum: (KBr tablet, cm -1 )
3295 (Aromatic secondary amine) Mass spec: (m / z) 314 NMR spectrum: (CDCl 3 , δ value, ppm)
13 (5H, m, C 6 H 5) thus obtained p-N, N'-diphenyl - dissolved di hydrazono benzene 3.1g and diphenylacetaldehyde 8g benzene 50 ml, a small amount of acetic acid to Add. The obtained mixture is heated and refluxed for 5 hours in a glass container having a trap filled with anhydrous sodium sulfate. After distilling off benzene, the precipitated yellow powder was recrystallized in toluene to give yellow-brown needle-like crystals.
2 g are obtained. (Compound 16) melting point 238.5-240
C, mass spectrometry: (m / z) 670 Synthesis Example 3 (Production of Compound 26) In the same manner as in Synthesis Example 1, 4,4'-diformylbiphenyl was reacted with α-hydrazinonaphthalene to give 4,
4'-di (formyl-N-α-naphthylhydrazino)-
A yellow powder of biphenyl is obtained. Next, the obtained compound is reacted with diphenylacetaldehyde to obtain a red-orange compound 26. 303-306 ° C.

【0126】合成例4(化合物15の製造) 4,4′−ジホルミルビフェニルの代わりに2,4−ジ
メチルテレフタルアルデヒドを用いた以外、合成例3と
同様にして黄褐色の化合物15を得る。融点261.5
〜264℃。
Synthesis Example 4 (Production of Compound 15) A yellow-brown compound 15 is obtained in the same manner as in Synthesis Example 3, except that 2,4-dimethylterephthalaldehyde is used instead of 4,4'-diformylbiphenyl. Melting point 261.5
~ 264 ° C.

【0127】他の化合物も上述した合成例に準じて合成
することができる。本発明による化合物は相対的に高い
融点および熱安定性を有している。また、化合物1〜3
6は、紫外光に対して、青色〜橙色の強い発光を示す。
Other compounds can be synthesized according to the above synthesis examples. The compounds according to the invention have a relatively high melting point and thermal stability. Compounds 1 to 3
No. 6 shows strong blue to orange light emission with respect to ultraviolet light.

【0128】表1〜6に、化合物1〜36について、反
応条件および分析値をまとめる。
Tables 1 to 6 summarize the reaction conditions and analytical values for Compounds 1 to 36.

【0129】[0129]

【表1】 [Table 1]

【0130】[0130]

【表2】 [Table 2]

【0131】[0131]

【表3】 [Table 3]

【0132】[0132]

【表4】 [Table 4]

【0133】[0133]

【表5】 [Table 5]

【0134】[0134]

【表6】 [Table 6]

【0135】化合物1〜36のそれぞれの外観(呈色状
態)を肉眼によって確認した。また、化合物1〜36を
それぞれディスク状に加圧成形した錠剤に、355nm
±2nmの紫外光を照射し、その結果生成した蛍光の最
大波長を測定した。これらの結果を表7および表8に示
す。
The appearance (colored state) of each of Compounds 1 to 36 was visually confirmed. Further, 355 nm was added to a tablet obtained by pressing each of Compounds 1 to 36 into a disk shape.
Irradiation with ultraviolet light of ± 2 nm was performed, and the maximum wavelength of the resulting fluorescence was measured. Tables 7 and 8 show the results.

【0136】[0136]

【表7】 [Table 7]

【0137】[0137]

【表8】 [Table 8]

【0138】表より、本発明によるヒドラゾン化合物
は、425nm〜550nmの範囲で青色から緑色の蛍
光を示すPL(紫外線発光体)材料であることがわか
る。これらの化合物の中で、化合物6、7、15、1
6、17および18は、特に強い青色発光を示す。
From the table, it can be seen that the hydrazone compound according to the present invention is a PL (ultraviolet light emitting) material exhibiting blue to green fluorescence in the range of 425 nm to 550 nm. Among these compounds, compounds 6, 7, 15, 1
6, 17 and 18 show particularly intense blue emission.

【0139】青色発光の強い化合物6、7、16および
緑色発光の強い化合物26の4つのヒドラゾン化合物に
ついて、示差熱分析により熱分解温度を測定した。さら
に、各材料の溶融状態における着色の度合を目視により
調べた。これらの結果を表9に示す。表に示すとおり、
本発明によるヒドラゾン化合物は、熱安定性にも優れて
いることがわかる。
The thermal decomposition temperatures of four hydrazone compounds, Compounds 6, 7, 16 emitting strong blue light and Compound 26 emitting strong green light, were measured by differential thermal analysis. Further, the degree of coloring of each material in a molten state was visually examined. Table 9 shows the results. As shown in the table,
It can be seen that the hydrazone compound according to the present invention has excellent thermal stability.

【0140】[0140]

【表9】 [Table 9]

【0141】さらに一般式(III)または(IV)に
該当する化合物を以下に例示する。 化合物37
Further, compounds corresponding to the general formula (III) or (IV) are exemplified below. Compound 37

【0142】[0142]

【化55】 Embedded image

【0143】化合物38Compound 38

【0144】[0144]

【化56】 Embedded image

【0145】化合物39Compound 39

【0146】[0146]

【化57】 Embedded image

【0147】化合物40Compound 40

【0148】[0148]

【化58】 Embedded image

【0149】化合物41Compound 41

【0150】[0150]

【化59】 Embedded image

【0151】化合物42Compound 42

【0152】[0152]

【化60】 Embedded image

【0153】化合物43Compound 43

【0154】[0154]

【化61】 Embedded image

【0155】化合物44Compound 44

【0156】[0156]

【化62】 Embedded image

【0157】化合物45Compound 45

【0158】[0158]

【化63】 Embedded image

【0159】化合物46Compound 46

【0160】[0160]

【化64】 Embedded image

【0161】化合物47Compound 47

【0162】[0162]

【化65】 Embedded image

【0163】化合物48Compound 48

【0164】[0164]

【化66】 Embedded image

【0165】化合物49Compound 49

【0166】[0166]

【化67】 Embedded image

【0167】化合物50Compound 50

【0168】[0168]

【化68】 Embedded image

【0169】化合物51Compound 51

【0170】[0170]

【化69】 Embedded image

【0171】化合物52Compound 52

【0172】[0172]

【化70】 Embedded image

【0173】化合物53Compound 53

【0174】[0174]

【化71】 Embedded image

【0175】化合物54Compound 54

【0176】[0176]

【化72】 Embedded image

【0177】化合物55Compound 55

【0178】[0178]

【化73】 Embedded image

【0179】化合物56Compound 56

【0180】[0180]

【化74】 Embedded image

【0181】化合物57Compound 57

【0182】[0182]

【化75】 Embedded image

【0183】化合物58Compound 58

【0184】[0184]

【化76】 Embedded image

【0185】化合物59Compound 59

【0186】[0186]

【化77】 Embedded image

【0187】これらの化合物のうち、化合物38、3
9、41、45、47、49、52、56、および58
は、一般式(III)および(IV)の両方に該当す
る。
Of these compounds, compounds 38, 3
9, 41, 45, 47, 49, 52, 56, and 58
Corresponds to both general formulas (III) and (IV).

【0188】さらに、一般式(V)または(VI)に該
当する化合物を以下に例示する。 化合物60
Further, the compounds corresponding to the general formula (V) or (VI) are exemplified below. Compound 60

【0189】[0189]

【化78】 Embedded image

【0190】化合物61Compound 61

【0191】[0191]

【化79】 Embedded image

【0192】化合物62Compound 62

【0193】[0193]

【化80】 Embedded image

【0194】化合物63Compound 63

【0195】[0195]

【化81】 Embedded image

【0196】化合物64Compound 64

【0197】[0197]

【化82】 Embedded image

【0198】化合物65Compound 65

【0199】[0199]

【化83】 Embedded image

【0200】化合物66Compound 66

【0201】[0201]

【化84】 Embedded image

【0202】化合物67Compound 67

【0203】[0203]

【化85】 Embedded image

【0204】化合物68Compound 68

【0205】[0205]

【化86】 Embedded image

【0206】化合物69Compound 69

【0207】[0207]

【化87】 Embedded image

【0208】化合物70Compound 70

【0209】[0209]

【化88】 Embedded image

【0210】化合物71Compound 71

【0211】[0211]

【化89】 Embedded image

【0212】化合物72Compound 72

【0213】[0213]

【化90】 Embedded image

【0214】化合物73Compound 73

【0215】[0215]

【化91】 Embedded image

【0216】化合物74Compound 74

【0217】[0219]

【化92】 Embedded image

【0218】これらの化合物のうち、化合物63、6
5、67、70、73および74は、一般式(V)およ
び(VI)の両方に該当する。
Of these compounds, compounds 63 and 6
5, 67, 70, 73 and 74 correspond to both general formulas (V) and (VI).

【0219】化合物37〜74のうち、化合物38、4
0および43を除く化合物の融点は、200℃以上であ
る。これに伴い、大部分の化合物のガラス転位点は、1
00℃を超えている。したがって、相対的に高い融点お
よびガラス転位点を有する化合物は、熱安定性に特に優
れている。特に、化合物39、42、44、46、5
2、54、58および化合物63〜74は、熱安定性の
みならず合成プロセスの点からも優れている。
Of compounds 37 to 74, compounds 38 and 4
The melting points of the compounds excluding 0 and 43 are 200 ° C. or higher. Accordingly, the glass transition point of most compounds is 1
Exceeds 00 ° C. Therefore, a compound having a relatively high melting point and a glass transition point is particularly excellent in thermal stability. In particular, compounds 39, 42, 44, 46, 5
2, 54, 58 and compounds 63 to 74 are excellent not only in terms of thermal stability but also in terms of the synthesis process.

【0220】上述したヒドラゾン化合物のうち多くのも
のが、通常の有機溶剤(たとえばトルエン、アルコー
ル、酢酸エチル)に対して溶解性が悪いため、通常の有
機溶剤を用いたヒドラゾン化合物の再結晶化またはカラ
ムコロマトグラフィによる分離は相対的に困難である。
したがって、ジメチルホルムアミド、ジメチルスルホキ
シド等の特定の有機溶剤における再結晶化もしくは再沈
澱、または昇華によりヒドラゾン化合物の精製を行なう
ことが好ましい。これらの化合物は、主としてIRスペ
クトル、元素分析および質量分析によって同定される。
Since many of the above-mentioned hydrazone compounds have poor solubility in ordinary organic solvents (eg, toluene, alcohol, ethyl acetate), recrystallization of hydrazone compounds using ordinary organic solvents or Separation by column column chromatography is relatively difficult.
Therefore, it is preferable to purify the hydrazone compound by recrystallization or reprecipitation in a specific organic solvent such as dimethylformamide or dimethylsulfoxide, or by sublimation. These compounds are mainly identified by IR spectrum, elemental analysis and mass spectrometry.

【0221】典型的な合成プロセスを用いた具体例を以
下に詳述する。 合成例5(化合物39の製造) テレフタルアルデヒド13.4gおよびフェニルヒドラ
ジン25.0gをエタノール100mlに溶解し、これ
に氷酢酸2滴を加える。得られた混合物を、1時間程度
加熱還流して、析出した黄色の針状結晶24.5gを得
る。IRスペクトルの測定より、1690cm-1のアル
デヒドの吸収が消滅する一方、1310cm-1に芳香族
第二級アミンの吸収が生じることを確認する。この反応
により、下記の構造式で示されるビスヒドラゾンが生成
する。
A specific example using a typical synthesis process will be described in detail below. Synthesis Example 5 (Production of Compound 39) 13.4 g of terephthalaldehyde and 25.0 g of phenylhydrazine are dissolved in 100 ml of ethanol, and 2 drops of glacial acetic acid are added thereto. The obtained mixture is heated under reflux for about 1 hour to obtain 24.5 g of precipitated yellow needle crystals. From the measurement of the IR spectrum, while absorbing the aldehydes of 1690 cm -1 disappears, confirms that the absorption of the aromatic secondary amine occurs 1310cm -1. By this reaction, a bishydrazone represented by the following structural formula is generated.

【0222】[0222]

【化93】 Embedded image

【0223】得られたビスヒドラゾン化合物6.3gお
よび1,2,3,4−テトラヒドロナフタレン−1−カ
ルボアルデヒド10gをベンゼン150mlに溶かし、
これに少量のp−トルエンスルホン酸を加える。得られ
た混合物を、デーンスターク反応装置により加熱還流
し、副生成物の水を系外に除去しながら、水分の発生が
認められなくなるまで反応を行なう。反応終了後、ベン
ゼンを除去し、析出した黄白色粉末をアルコールで洗浄
する。酢酸エチルによる再結晶を行ない、7.8gの結
晶を得る(化合物39)。融点253.5〜256℃。
IRスペクトルより、1310cm-1および3470c
-1付近の芳香族第二級アミンに基づく吸収が消滅する
ことを確認する。質量分析値:(C42384 として、
m/z)598。得られた化合物39は、スカイブルー
の蛍光を示す。
6.3 g of the obtained bishydrazone compound and 10 g of 1,2,3,4-tetrahydronaphthalene-1-carbaldehyde were dissolved in 150 ml of benzene.
To this is added a small amount of p-toluenesulfonic acid. The obtained mixture is heated and refluxed by a Dean-Stark reactor, and the reaction is carried out while removing water as a by-product out of the system until generation of water is no longer observed. After the reaction, benzene is removed, and the precipitated yellowish white powder is washed with alcohol. Recrystallization with ethyl acetate gives 7.8 g of crystals (compound 39). 253.5-256 ° C.
From the IR spectrum, 1310 cm −1 and 3470 c
It is confirmed that the absorption based on the aromatic secondary amine around m -1 disappears. Mass spectrometry value: (as C 42 H 38 N 4
m / z) 598. The obtained compound 39 shows sky blue fluorescence.

【0224】他のビスヒドラゾン化合物も同様にして合
成される。化合物37〜59について、反応条件、分析
値、蛍光性の有無および蛍光色について表10〜13に
まとめる。
[0224] Other bishydrazone compounds are synthesized in the same manner. Tables 10 to 13 summarize the reaction conditions, analysis values, presence / absence of fluorescence, and fluorescence color of Compounds 37 to 59.

【0225】[0225]

【表10】 [Table 10]

【0226】[0226]

【表11】 [Table 11]

【0227】[0227]

【表12】 [Table 12]

【0228】[0228]

【表13】 [Table 13]

【0229】一般式(V)または(VI)で示されるビ
スヒドラゾン化合物も、合成例5とほぼ同様のプロセス
によって合成される。反応が相対的に遅く進むため、反
応時間を相対的に長く、または反応温度を相対的に高め
ることが好ましい。脱水剤は、p−トルエンスルホン酸
のような有機酸よりも四塩化チタン等の方がより好まし
い。化合物60〜化合物74に関して、反応条件、分析
値、蛍光の有無および蛍光色の色調について表14〜1
6にまとめる。
The bishydrazone compound represented by the general formula (V) or (VI) is also synthesized by substantially the same process as in Synthesis Example 5. Since the reaction proceeds relatively slowly, it is preferable that the reaction time is relatively long or the reaction temperature is relatively high. As the dehydrating agent, titanium tetrachloride or the like is more preferable than an organic acid such as p-toluenesulfonic acid. Tables 14 to 1 show the reaction conditions, analytical values, the presence or absence of fluorescence, and the color tone of the fluorescent color for Compounds 60 to 74.
Summarize in 6.

【0230】[0230]

【表14】 [Table 14]

【0231】[0231]

【表15】 [Table 15]

【0232】[0232]

【表16】 [Table 16]

【0233】化合物37〜74の精製は、一般的にジメ
チルホルムアミド、ジメチルスルホキシド等の溶剤中で
の再結晶によって達成される。得られる結晶の純度が十
分でない場合、昇華精製法が適用される。特に、化合物
60〜74の精製においては、昇華法の方が好ましい。
The purification of compounds 37 to 74 is generally achieved by recrystallization in a solvent such as dimethylformamide, dimethylsulfoxide and the like. If the purity of the obtained crystals is not sufficient, a sublimation purification method is applied. In particular, in the purification of compounds 60 to 74, the sublimation method is more preferable.

【0234】以下に、本発明に従うEL素子の構造につ
いて説明する。本発明による有機EL素子は、陽極/発
光層/陰極の基本構造を有する。この基本構造に、正孔
注入輸送層および/または電子注入輸送層を付加するこ
とができる。さらに必要に応じて、電荷障壁層を設ける
ことが好ましい。電荷障壁層は、電子障壁層、正孔障壁
層またはその両方として設けることができる。電荷障壁
層が電子障壁層の場合、それは発光層と陽極の間、好ま
しくは発光層の陽極側表面に接するよう設けられる。一
方、電荷障壁層が正孔障壁層の場合、それは発光層と陰
極との間、好ましくは発光層の陰極側表面に接するよう
設けられる。
The structure of the EL device according to the present invention will be described below. The organic EL device according to the present invention has a basic structure of anode / light-emitting layer / cathode. A hole injection transport layer and / or an electron injection transport layer can be added to this basic structure. Further, it is preferable to provide a charge barrier layer as needed. The charge blocking layer can be provided as an electron blocking layer, a hole blocking layer, or both. When the charge barrier layer is an electron barrier layer, it is provided between the light emitting layer and the anode, preferably in contact with the anode side surface of the light emitting layer. On the other hand, when the charge blocking layer is a hole blocking layer, it is provided between the light emitting layer and the cathode, preferably in contact with the cathode side surface of the light emitting layer.

【0235】電荷障壁層を有するEL素子の典型的な構
造を以下に示す。 素子構造1:陽極/正孔注入輸送層/電子障壁層/発光
層/陰極 素子構造2:陽極/発光層/正孔障壁層/電子注入輸送
層/陰極 素子構造3:陽極/正孔注入輸送層/電子障壁層/発光
層/正孔障壁層/電子注入輸送層/陰極 また、電極と有機材料層との間、および/または複数の
有機材料層間にバッファ層を設けてもよい。バッファ層
は、層剥離の防止、正孔または電子の注入効率の向上に
寄与し得る。バッファ層のための材料として、各種のフ
タロシアニン顔料、各種の有機金属塩、たとえばトリア
ルコキシアルミニウム、ステアリン酸亜鉛、アセチルア
セトンインジウム塩、アセチルアセトンマグネシウム塩
等、およびカーボンブラック等が挙げられる。バッファ
層の厚みは、10〜1000nm、好ましくは10〜5
00nm、より好ましくは50〜500nmとすること
ができる。バッファ層の厚みは、設けられる位置によっ
て多少変化する。バッファ層は、特に剥離が起こりやす
い位置に設けられる。たとえば素子構造1の場合、陽極
と正孔注入輸送層との間、および発光層と陰極との間が
好ましい位置である。素子構造2の場合、陽極と発光層
との間、および電子注入輸送層と陰極との間が好ましい
位置である。素子構造3の場合、陽極と正孔注入輸送層
との間および電子注入輸送層と陰極との間がバッファ層
のための好ましい位置である。
A typical structure of an EL device having a charge blocking layer is shown below. Element structure 1: anode / hole injection / transport layer / electron barrier layer / emission layer / cathode Element structure 2: anode / emission layer / hole barrier layer / electron injection / transport layer / cathode Element structure 3: anode / hole injection / transport Layer / Electronic Barrier Layer / Emitting Layer / Hole Barrier Layer / Electron Injection / Transport Layer / Cathode A buffer layer may be provided between the electrode and the organic material layer and / or between a plurality of organic material layers. The buffer layer can contribute to prevention of delamination and improvement of hole or electron injection efficiency. Materials for the buffer layer include various phthalocyanine pigments, various organic metal salts such as trialkoxyaluminum, zinc stearate, indium acetylacetonate, magnesium acetylacetone, and carbon black. The thickness of the buffer layer is 10 to 1000 nm, preferably 10 to 5 nm.
00 nm, more preferably 50 to 500 nm. The thickness of the buffer layer slightly changes depending on the position where the buffer layer is provided. The buffer layer is provided at a position where peeling easily occurs. For example, in the case of the element structure 1, the preferred positions are between the anode and the hole injection / transport layer and between the light emitting layer and the cathode. In the case of the element structure 2, preferred positions are between the anode and the light emitting layer and between the electron injection / transport layer and the cathode. In the case of the device structure 3, the positions between the anode and the hole injection / transport layer and between the electron injection / transport layer and the cathode are preferred positions for the buffer layer.

【0236】上述した素子構造は、基板に支持されてい
ることが好ましい。基板として、特に制限なく、通常有
機EL素子に使用されるもの、たとえばガラス、透明プ
ラスチック、石英などを用いることができる。
The above-described element structure is preferably supported on a substrate. As the substrate, there is no particular limitation, and a substrate usually used for an organic EL element, for example, glass, transparent plastic, quartz or the like can be used.

【0237】素子を構成する層が多くなれば多くなるほ
ど、製造工程の制御が困難となり、剥離等の問題点も多
くなる。したがって、より簡単な構造で発光効率が高く
かつ駆動電圧の低い素子を得ることが好ましい。
As the number of layers constituting the element increases, the control of the manufacturing process becomes more difficult, and problems such as peeling increase. Therefore, it is preferable to obtain an element having a higher luminous efficiency and a lower driving voltage with a simpler structure.

【0238】本発明によるヒドラゾン化合物は、正孔注
入輸送層の主要材料、または発光層の主要材料として用
いることができる。さらに、本発明による化合物と他の
発光層材料または輸送層材料と併用することによって、
より低い駆動電圧およびより良好な発光効率で高輝度の
発光を示す有機EL素子を得ることができる。他の有機
材料は、次に示すような化合物を含む。
The hydrazone compound according to the present invention can be used as a main material of a hole injection / transport layer or a main material of a light emitting layer. Further, by using the compound according to the present invention together with another light emitting layer material or transport layer material,
An organic EL element which emits light with high luminance at a lower driving voltage and better luminous efficiency can be obtained. Other organic materials include the following compounds.

【0239】他の発光材料として、たとえば多環縮合芳
香族化合物、ベンゾチアゾール、ベンゾイミダゾール、
ベンゾオキサゾール等の蛍光増白剤、金属キレート化オ
キシノイド化合物、スチリルベンゼン系化合物などを用
いることができる。多環縮合芳香族化合物として、たと
えばアンスラセン、ナフタレン、フェナンスレン、ピレ
ン、クリセン、ペリレン骨格を含む縮合環発光物質、約
8個の縮合環を含む他の縮合環発光物質などを挙げるこ
とができる。また、蛍光増白剤として、たとえば特開昭
59−194393号公報に記載されるものを用いるこ
とができる。その代表例は、2,5−ビス(5,7−ジ
−t−ペンチル−2−ベンゾオキサゾリル)−1,3,
4−チアジアゾール、4,4′−ビス(5,7−t−ペ
ンチル−2−ベンゾオキサゾリル)スチルベン、4,
4′−ビス〔5,7−ジ−(2−メチル−2−ブチル)
−2−ベンゾオキサゾリル〕スチルベン、2,5−ビス
(5,7−ジ−t−ペンチル−2−ベンゾオキサゾリ
ル)チオフェン、2,5−ビス[5−(α,α−ジメチ
ルベンジル)−2−ベンゾオキサゾリル]チオフェン、
2,5−ビス[5,7−ジ−(2−メチル−2−ブチ
ル)−2−ベンゾオキサゾリル]−3,4−ジフェニル
チオフェン、2,5−ビス(5−メチル−2−ベンゾオ
キサゾリル)チオフェン、4,4′−ビス(2−ベンゾ
オキサゾリル)ビフェニル、5−メチル−2−[2−
〔4−(5−メチル−2−ベンゾオキサゾリル)フェニ
ル〕ビニル]ベンゾオキサゾール、2−[2−(4−ク
ロロフェニル)ビニル]ナフト(1,2−d)オキサゾ
ールなどのベンゾオキサゾール系化合物、2,2′−
(p−フェニレンジビニレン)−ビスベンゾチアゾール
などのベンゾチアゾール系化合物、2−[2−〔4−
(2−ベンゾイミダゾリル)フェニル〕ビニル]ベンゾ
イミダゾール、2−[2−(4−カルボキシフェニル)
ビニル]ベンゾイミダゾールなどのベンゾイミダゾール
系化合物などがある。
As other light emitting materials, for example, polycyclic fused aromatic compounds, benzothiazole, benzimidazole,
A fluorescent whitening agent such as benzoxazole, a metal chelated oxinoid compound, a styrylbenzene-based compound, or the like can be used. Examples of the polycyclic condensed aromatic compound include an anthracene, naphthalene, phenanthrene, pyrene, chrysene, condensed ring light-emitting substance containing a perylene skeleton, and other condensed ring light-emitting substances containing about eight condensed rings. As the fluorescent whitening agent, for example, those described in JP-A-59-194393 can be used. A typical example is 2,5-bis (5,7-di-t-pentyl-2-benzoxazolyl) -1,3,3.
4-thiadiazole, 4,4'-bis (5,7-t-pentyl-2-benzooxazolyl) stilbene, 4,
4'-bis [5,7-di- (2-methyl-2-butyl)
-2-benzoxazolyl] stilbene, 2,5-bis (5,7-di-t-pentyl-2-benzooxazolyl) thiophene, 2,5-bis [5- (α, α-dimethylbenzyl) ) -2-Benzoxazolyl] thiophene,
2,5-bis [5,7-di- (2-methyl-2-butyl) -2-benzooxazolyl] -3,4-diphenylthiophene, 2,5-bis (5-methyl-2-benzo Oxazolyl) thiophene, 4,4'-bis (2-benzoxazolyl) biphenyl, 5-methyl-2- [2-
Benzoxazole-based compounds such as [4- (5-methyl-2-benzooxazolyl) phenyl] vinyl] benzoxazole and 2- [2- (4-chlorophenyl) vinyl] naphtho (1,2-d) oxazole; 2,2'-
Benzothiazole compounds such as (p-phenylenedivinylene) -bisbenzothiazole, 2- [2- [4-
(2-benzimidazolyl) phenyl] vinyl] benzimidazole, 2- [2- (4-carboxyphenyl)
Vinyl] benzimidazole and the like.

【0240】金属キレート化オキシノイド化合物とし
て、たとえば特開昭63−29569号公報に記載のも
のを用いることができる。その代表例として、トリス
(8−キノリノール)アルミニウム、ビス(8−キノリ
ノール)マグネシウム、ビス(ベンゾ[f]−8−キノ
リノール)亜鉛、ビス(2−メチル−8−キノリノラー
ト)アルミニウムオキシド、トリス(8−キノリノー
ル)インジウム、トリス(5−メチル−8−キノリノー
ル)アルミニウム、8−キノリノールリチウム、トリス
(5−クロロ−8−キノリノール)ガリウム、ビス(5
−クロロ−8−キノリノール)カルシウム、ポリ[亜鉛
(II)−ビス(8−ヒドロキシ−5−キノリノニル)
メタン]などの8−ヒドロキシキノリン系金属錯体、お
よびジリチウムエピンドリジオンなどがある。
As the metal chelated oxinoid compound, for example, those described in JP-A-63-29569 can be used. Typical examples are tris (8-quinolinol) aluminum, bis (8-quinolinol) magnesium, bis (benzo [f] -8-quinolinol) zinc, bis (2-methyl-8-quinolinolate) aluminum oxide, tris (8 -Quinolinol) indium, tris (5-methyl-8-quinolinol) aluminum, lithium 8-quinolinol, tris (5-chloro-8-quinolinol) gallium, bis (5
-Chloro-8-quinolinol) calcium, poly [zinc (II) -bis (8-hydroxy-5-quinolinonyl)]
[Methane]] and dilithium epindridione.

【0241】さらに、上記化合物以外に、たとえば12
−フタロベリノン(ジャーナル・オブ・アプライド・フ
ィジクス(J.Appl.Phys.)、第27巻、L
713(1988年)、スチルベン系化合物(特願昭6
2−312356号、特願昭63−80257号、特願
昭63−313932号、特願昭63−308859号
参照)なども発光層に用いることができる。
Further, in addition to the above compounds, for example, 12
-Phthaloberinone (Journal of Applied Physics, J. Appl. Phys.), Vol. 27, L.
713 (1988), stilbene compounds (Japanese Patent Application No.
No. 2-312356, Japanese Patent Application No. 63-80257, Japanese Patent Application No. 63-313932, and Japanese Patent Application No. 63-308859) can also be used for the light emitting layer.

【0242】本発明によるヒドラゾン化合物を発光層に
用いる場合、電子輸送材料として、電子伝達性を有する
有機化合物であり、陰極より注入された電子を発光層に
伝達する機能を発揮できる他の化合物を用いることがで
きる。このような有機電子伝達化合物について、特に制
限なく、公知の化合物から任意のものを選択することが
できる。好ましい有機電子伝達化合物は、以下のものを
含む。
When the hydrazone compound according to the present invention is used in a light-emitting layer, an organic compound having an electron-transporting property, which is capable of exhibiting a function of transferring electrons injected from a cathode to the light-emitting layer, is used as an electron-transporting material. Can be used. Such an organic electron transfer compound is not particularly limited, and any compound can be selected from known compounds. Preferred organic electron transfer compounds include:

【0243】[0243]

【化94】 Embedded image

【0244】[0244]

【化95】 Embedded image

【0245】などのニトロ置換フルオレノン誘導体、A nitro-substituted fluorenone derivative such as

【0246】[0246]

【化96】 Embedded image

【0247】などのチオピランジオキシド誘導体、Thiopyran dioxide derivatives such as

【0248】[0248]

【化97】 Embedded image

【0249】などのジフェニルキノン誘導体(ポリマー
・プレプリント(Polymer Preprints )、ジャパン、第
37巻、第3号、第681頁(1988年)などに記
載)、
Diphenylquinone derivatives (described in Polymer Preprints, Japan, Vol. 37, No. 3, p. 681 (1988), etc.);

【0250】[0250]

【化98】 Embedded image

【0251】[0251]

【化99】 Embedded image

【0252】などの化合物(ジャーナル・オブ・アプラ
イド・フィジックス(J.Appl.Phys.)、第
27巻、L269(1988年)などに記載)、アント
ラキノジメタン誘導体(特開昭57−149259号公
報、特開昭58−55450号公報、特開昭61−22
5151号公報、特開昭61−233750号公報、特
開昭63−104061号公報などに記載)、フレオレ
ニリデンメタン誘導体(特開昭60−69657号公
報、特開昭61−143764号公報、特開昭61−1
48159号公報などに記載)、およびアントロン誘導
体(特開昭61−225151号公報、特開昭61−2
33750号公報などに記載)、および銅−フタロシア
ニン。
Compounds such as those described in Journal of Applied Physics (J. Appl. Phys.), Vol. 27, L269 (1988), etc., and anthraquinodimethane derivatives (JP-A-57-149259). JP, JP-A-58-55450, JP-A-61-22
No. 5151, JP-A-61-233750, JP-A-63-104061, etc.), fluorenylidenemethane derivatives (JP-A-60-69657, JP-A-61-143768, JP-A-61-1
48159) and anthrone derivatives (JP-A-61-225151, JP-A-61-2).
No. 33750) and copper-phthalocyanine.

【0253】有機発光材料の薄膜を形成する方法とし
て、たとえばスピンコート法、キャスト法、LB法、蒸
着法などがある。均質な膜が得られやすくかつピンホー
ルが生成しにくいなどの点から、蒸着法が好ましい。蒸
着法によって発光材料の薄膜を形成する場合、一般に、
ボート加熱温度50〜500℃、真空度10-5〜10-3
Pa、蒸着速度0.01〜50nm/秒、基板温度−5
0〜+300℃、膜厚5nm〜5μmの範囲で、適当な
条件を選ぶことが望ましい。蒸着条件は、発光層に用い
る有機化合物の昇華温度、得るべき薄膜の状態(たとえ
ば微結晶、アモルファス等)の選択、結晶性、結晶の配
向などに応じて選択される。
As a method of forming a thin film of an organic light emitting material, for example, there are a spin coating method, a casting method, an LB method, an evaporation method and the like. The vapor deposition method is preferable because a uniform film is easily obtained and a pinhole is hardly generated. When forming a thin film of a light emitting material by a vapor deposition method, generally,
Boat heating temperature 50-500 ° C, degree of vacuum 10 -5 -10 -3
Pa, deposition rate 0.01-50 nm / sec, substrate temperature -5
It is desirable to select appropriate conditions within a range of 0 to + 300 ° C. and a thickness of 5 nm to 5 μm. The deposition conditions are selected according to the sublimation temperature of the organic compound used for the light emitting layer, the selection of the state of the thin film to be obtained (for example, microcrystal or amorphous), crystallinity, crystal orientation, and the like.

【0254】EL素子において、電子障壁層は、発光層
より陽極側に出ていこうとする電子を発光層内に留める
役割を有する。正孔注入輸送層と発光層との間、好まし
くは発光層の陽極側表面に接するよう、電子障壁層を設
けることによって、EL素子の発光効率が向上する。電
子障壁層は、電子の移動度が発光層のそれより低い層で
あるか、または発光層の電子親和力より小さい電子親和
力を有する層であることが好ましい。
In the EL device, the electron barrier layer has a role of keeping electrons that are going to the anode side from the light emitting layer in the light emitting layer. By providing an electron barrier layer between the hole injecting and transporting layer and the light emitting layer, preferably in contact with the anode side surface of the light emitting layer, the luminous efficiency of the EL element is improved. The electron barrier layer is preferably a layer having a lower electron mobility than that of the light emitting layer or a layer having an electron affinity smaller than the electron affinity of the light emitting layer.

【0255】好ましい電子障壁層として、トリフェニル
ジアミン系化合物からなる層(アプライド・フィジクス
・レターズ(Appl.Phys.Lett.)、第5
1巻、第913頁(1987年))、芳香族第三級アミ
ン系化合物からなる層(特開昭59−194393号公
報、特開昭63−295695号公報参照)などがあ
る。これらは、電子を輸送しないことで障壁として作用
する。また、本発明者は、無機アモルファス質であるa
−Si1-X X (0.4<X<1)、またはa−Si
1-X X (0.4<X<1)からなる層であって、この
層の電子親和力が発光層の電子親和力よりも小さくなる
ようにXの値を選択するかまたは作製条件の範囲を選択
して得られた材料が、電子障壁層のために適しているこ
とを見出した。Xの値は0.4〜0.6の範囲がより好
ましい。発光ダイオードの分野においても、この範囲の
値が一般的となっている。電子障壁層に用いられる無機
アモルファス材料はp型半導体である必要はない。
As a preferred electron barrier layer, a layer composed of a triphenyldiamine-based compound (Applied Physics Letters (Appl. Phys. Lett.), No. 5)
1, p. 913 (1987)), and a layer composed of an aromatic tertiary amine compound (see JP-A-59-194393 and JP-A-63-295695). These act as barriers by not transporting electrons. In addition, the present inventor has proposed that inorganic amorphous material a
-Si 1-X C X (0.4 <X <1) or a-Si
A layer consisting of 1-X N x (0.4 <X <1), wherein the value of X is selected such that the electron affinity of this layer is smaller than the electron affinity of the light-emitting layer, or the range of manufacturing conditions Was found to be suitable for the electron barrier layer. The value of X is more preferably in the range of 0.4 to 0.6. Also in the field of light emitting diodes, values in this range are common. The inorganic amorphous material used for the electron barrier layer need not be a p-type semiconductor.

【0256】電子障壁層は、(1)正孔注入層のイオン
化エネルギと発光層のイオン化エネルギとの間にイオン
化エネルギの値を有するもの、および(2)発光層より
も大きな値のイオン化エネルギを有するものの2つに分
類される。(1)型の電子障壁層においては、陽極/正
孔注入輸送層/電子障壁層/発光層の順番でイオン化エ
ネルギが大きくなり、正孔注入が容易になる。電子障壁
層の正孔の移動度は10-6cm2 /V・Sより大きいこ
とが好ましい。(2)型の電子障壁層においては、正孔
がトンネル効果によって通過することが必要であり、こ
のため、電子障壁層の膜厚は20nm以下であることが
好ましい。
The electron barrier layer has (1) an ionization energy value between the ionization energy of the hole injection layer and the ionization energy of the light emitting layer, and (2) an ionization energy value larger than that of the light emitting layer. Have two categories. In the (1) type electron barrier layer, the ionization energy increases in the order of anode / hole injection / transport layer / electron barrier layer / light emitting layer, thereby facilitating hole injection. The hole mobility of the electron barrier layer is preferably larger than 10 −6 cm 2 / V · S. In the (2) type electron barrier layer, holes need to pass through by a tunnel effect, and therefore, the thickness of the electron barrier layer is preferably 20 nm or less.

【0257】一方、正孔障壁層は、発光層より陰極側に
出ていこうとする正孔を発光層中に留める役割を有す
る。通常、発光層の陰極側表面に接するよう正孔障壁層
を設けることによって、素子の発光効率は向上する。正
孔障壁層は、その正孔移動度が発光層のそれより低い層
か、または発光層よりもイオン化エネルギが小さい層で
あることが好ましい。本発明者は、正孔障壁層として、
無機アモルファス質であるa−Si1-X X (0.4<
X<1)のn型のものが正孔の移動度が小さく好ましい
材料であることを見い出した。無機アモルファス質から
なる正孔障壁層は、(1)正孔注入輸送層の電子親和力
と発光層の電子親和力との間の値の電子親和力を有する
もの、および(2)発光層より小さい値の電子親和力を
有するものの2つに分類される。(1)型および(2)
型のそれぞれは、電子障壁層について述べた場合とほぼ
同様の効果を有する。
On the other hand, the hole blocking layer has a role of retaining holes which are going to exit from the light emitting layer to the cathode side in the light emitting layer. Usually, by providing a hole blocking layer so as to be in contact with the cathode side surface of the light emitting layer, the luminous efficiency of the device is improved. The hole barrier layer is preferably a layer whose hole mobility is lower than that of the light emitting layer or a layer whose ionization energy is smaller than that of the light emitting layer. The present inventor has reported that, as a hole barrier layer,
A-Si 1-X C X (0.4 <
It has been found that an n-type material of X <1) is a preferable material having a small hole mobility. The hole blocking layer made of an inorganic amorphous material has (1) an electron affinity of a value between the electron affinity of the hole injection / transport layer and the electron affinity of the light emitting layer, and (2) a value smaller than that of the light emitting layer. Those having electron affinity are classified into two. (1) type and (2)
Each of the molds has substantially the same effect as described for the electron barrier layer.

【0258】無機アモルファス質薄膜は、通常の方法、
たとえばプラズマCVD、ECRプラズマCVD、光C
VDなどによって、H2 、SiH4 、CH4 、C
2 6 、NH3 などのガスから調製することができる。
たとえば、a−SiCは、H2 、SiH4 およびCH4
のガスより調製できる。また、a−SiCまたはa−S
i等で価電子制御を行ない、かつ電気伝導度を制御する
場合、通常、B2 6 、PH 3 などのガスを加えて薄膜
を形成し、膜中にB、Pなどをドープする。Bドープの
場合p型、Pドープの場合n型の半導体が得られる。
The inorganic amorphous thin film can be prepared by a usual method,
For example, plasma CVD, ECR plasma CVD, light C
H by VD etc.Two, SiHFour, CHFour, C
TwoH6, NHThreeCan be prepared from such gases.
For example, a-SiC is HTwo, SiHFourAnd CHFour
Can be prepared from A-SiC or a-S
Perform valence electron control and control electric conductivity with i etc.
Usually, BTwoH6, PH ThreeAdd a gas such as a thin film
Is formed, and B, P, etc. are doped in the film. B-doped
In this case, a p-type semiconductor is obtained, and in the case of P-doping, an n-type semiconductor is obtained.

【0259】通常、SiH4 、CH4 、C2 6 、NH
3 のガスは、水素ガスによって10%程度に希釈した状
態で用いられる。また、B2 6 、PH3 は500pp
m程度にまで希釈した状態で用いられる。これらのガス
は、マスフロー制御器を介してそれらの混合比、圧力な
どが調節され、CVD炉内に導入される。次いで、高周
波、光、放電などのエネルギを与え、炉内のガスを分解
すれば、基板上に薄膜が形成される。この際、基板は適
切な温度に設定される。薄膜の生成速度は、通常0.1
〜10nm/分の範囲で選ばれる。薄膜の生成速度は、
作製方法、原料の種類、作製条件などに応じて選ばれ
る。
Usually, SiH 4 , CH 4 , C 2 H 6 , NH
The gas 3 is used after being diluted to about 10% with hydrogen gas. B 2 H 6 and PH 3 are 500 pp
It is used in a state diluted to about m. These gases are introduced into a CVD furnace by adjusting their mixing ratio, pressure and the like via a mass flow controller. Next, by applying energy such as high frequency, light and electric discharge to decompose the gas in the furnace, a thin film is formed on the substrate. At this time, the substrate is set at an appropriate temperature. The formation rate of the thin film is usually 0.1
It is selected in the range of 10 to 10 nm / min. The formation rate of the thin film is
The choice is made according to the manufacturing method, the type of the raw material, the manufacturing conditions, and the like.

【0260】本発明による有機EL素子の陽極として
は、仕事関数の大きい(4eV以上)金属、合金、電気
伝導性化合物、およびこれらの混合物が好ましく用いら
れる。電極物質の具体例として、Auなどの金属、Cu
I、ITO、SnO2 、ZnOなどの導電性透明材料が
ある。陽極は、これらの電極物質の蒸着またはスパッタ
リングによって作製することができる。電極より発光を
取出す場合、その透過率を10%より大きくすることが
望ましい。また、電極のシート抵抗は、数百Ω/□以下
が好ましい。膜厚は材料に応じて、通常500nm以
下、好ましくは10〜200nmの範囲とすることがで
きる。
As the anode of the organic EL device according to the present invention, metals, alloys, electrically conductive compounds, and mixtures thereof having a large work function (4 eV or more) are preferably used. Specific examples of the electrode material include metals such as Au, Cu
There are conductive transparent materials such as I, ITO, SnO 2 and ZnO. The anode can be made by evaporation or sputtering of these electrode materials. When light is extracted from the electrode, it is desirable that the transmittance be greater than 10%. Further, the sheet resistance of the electrode is preferably several hundred Ω / □ or less. The film thickness can be generally 500 nm or less, preferably 10 to 200 nm, depending on the material.

【0261】陰極には、仕事関数の小さい(4eV以
下)金属、合金、電気伝導性化合物、およびそれらの混
合物が用いられる。陰極物質の具体例として、ナトリウ
ム、ナトリウム−カリウム合金、マグネシウム、リチウ
ム、マグネシウム/銅混合物、Al/AlO3 、イッテ
ルビウム、インジウムなどがある。陰極は、これらの物
質の蒸着、スパッタリングなどにより形成できる。電極
としてのシート抵抗は数百Ω/□以下が好ましい。膜厚
は、材料に応じて通常500nm以下、好ましくは10
〜200nmの範囲で選ばれる。本発明の素子におい
て、陽極および陰極のいずれか一方は、透明または半透
明であることが、発光を通過させて効率よく取出すため
に好ましい。
For the cathode, a metal, an alloy, an electrically conductive compound, or a mixture thereof having a small work function (4 eV or less) is used. Specific examples of the cathode material include sodium, sodium - potassium alloy, magnesium, lithium, magnesium / copper mixture, Al / AlO 3, ytterbium, and the like indium. The cathode can be formed by vapor deposition, sputtering, or the like of these substances. The sheet resistance as an electrode is preferably several hundred Ω / □ or less. The film thickness is usually 500 nm or less, preferably 10 nm, depending on the material.
It is selected in the range of -200 nm. In the device of the present invention, it is preferable that one of the anode and the cathode is transparent or translucent in order to allow light to pass therethrough and to efficiently extract the light.

【0262】本発明の有機EL素子における発光層は、
固体状態で蛍光性を有する有機化合物からなる、厚さ5
nm〜5μm程度の薄膜である。発光層は、(1)電界
印加時に、陽極または正孔注入輸送層より正孔を注入す
ることができ、かつ陰極または電子注入輸送層より電子
を注入することができる注入機能、(2)注入した電化
(電子と正孔)を電界の力で移動させる輸送機能、
(3)電子と正孔の再結合の場を提供し、これを発光に
つなげる発光機能、などを有する。発光層において、正
孔の注入されやすさと、電子の注入されやすさとに違い
があってもよいし、正孔と電子の移動度で表わされる輸
送機能に大小があってもよい。しかし、発光層は、どち
らか一方の電荷を移動させることが好ましい。
The light emitting layer in the organic EL device of the present invention comprises:
5 thickness of organic compound which has fluorescent property in solid state
It is a thin film of about nm to 5 μm. The light emitting layer has (1) an injection function capable of injecting holes from an anode or a hole injection transport layer and applying electrons from a cathode or an electron injection transport layer when an electric field is applied, and (2) injection function. Transport function to move the electrified (electrons and holes) by the force of the electric field,
(3) It has a light-emitting function of providing a field for recombination of electrons and holes and connecting it to light emission. In the light-emitting layer, there may be a difference between the ease of injecting holes and the ease of injecting electrons, and the transport function represented by the mobility of holes and electrons may be large or small. However, the light-emitting layer preferably transfers either one of the charges.

【0263】注入機能に関し、発光層のイオン化エネル
ギは、適当な陽極材料を選べば比較的正孔を注入しやす
い点から、6.0eV以下であることが好ましい。一
方、発光層の電子親和力は、適当な陰極材料を選べば比
較的電子を注入しやすい点から、2.5eV以上である
ことが好ましい。また、発光機能に関し、固体状態での
蛍光性が強いことが望ましい。これは、そのような発光
層は、それを形成する化合物自体、化合物の会合体また
は結晶などの励起状態を光に変換する能力が大きいから
である。
Regarding the injection function, the ionization energy of the light-emitting layer is preferably 6.0 eV or less, since holes can be relatively easily injected by selecting an appropriate anode material. On the other hand, the electron affinity of the light emitting layer is preferably 2.5 eV or more from the viewpoint that if a proper cathode material is selected, electrons can be relatively easily injected. Further, regarding the light emitting function, it is desirable that the solid state has strong fluorescence. This is because such a light emitting layer has a large ability to convert an excited state such as a compound forming the compound itself, an aggregate of the compound or a crystal into light.

【0264】本発明の有機EL素子に直流電圧を印加す
る場合、陽極をプラス、陰極をマイナスの極性として1
〜30V程度の電圧を印加すると、透明または半透明の
電極層側より発光が観測される。逆の極性で電圧を印加
しても、発光は生じない。一方、交流電圧を印加する場
合、陽極がプラス、陰極がマイナスの状態になったとき
のみ、発光が生じる。印加される交流電圧の波形は任意
でよい。
When a DC voltage is applied to the organic EL device of the present invention, the positive polarity is applied to the anode and the negative polarity is applied to the cathode.
When a voltage of about 30 V is applied, light emission is observed from the transparent or translucent electrode layer side. No light emission occurs when a voltage is applied with the opposite polarity. On the other hand, when an AC voltage is applied, light emission occurs only when the anode is in a positive state and the cathode is in a negative state. The waveform of the applied AC voltage may be arbitrary.

【0265】EL素子の製造 例1〜3 本発明によるヒドラゾン化合物を正孔注入輸送材料とし
て使用したEL素子を作製した。
Production of EL Devices Examples 1 to 3 EL devices using the hydrazone compound according to the present invention as a hole injecting / transporting material were produced.

【0266】ガラス基板(25mm×75mm×1.1
mmのサイズ、HOYA社製)をEL素子のための透明
支持基板として用いた。基板をイソプロピルアルコール
で30分間超音波洗浄した後、乾燥窒素ガスで乾燥し
た。乾燥された基板上に、2mm幅のストライプが型抜
きされた金属マスクを載せ、スパッタリングによってイ
ンジウム−錫酸化物(ITO)膜を1000Åの厚みで
堆積させ、透明なホール注入電極を作製した。この正孔
注入電極が形成されたガラス基板上に、上述した化合物
6、9および17をそれぞれ真空下で加熱し、500Å
の厚さで蒸着した。次に、ビス(2−メチル−8−キノ
リノール)亜鉛を、真空下で加熱し、500Åの厚さで
蒸着して発光層を形成した。次いで、発光層上にマグネ
シウムとアルミニウムとをそれぞれ蒸着速度10Å/秒
および1Å/秒で真空下において蒸着させ、約1000
Åの厚みの陰極を形成した。以上のプロセスにより作製
された有機EL素子の構造を図1に示す。有機EL素子
10は、ガラスからなる基板1、ITOからなる陽極
2、本発明のヒドラゾン化合物からなる正孔注入輸送層
3、発光層4およびマグネシウムとアルミニウムとから
なる陰極5からなる。
A glass substrate (25 mm × 75 mm × 1.1
mm, manufactured by HOYA) was used as a transparent support substrate for the EL element. The substrate was ultrasonically cleaned with isopropyl alcohol for 30 minutes and then dried with dry nitrogen gas. On the dried substrate, a metal mask from which a 2 mm wide stripe was die-cut was placed, and an indium-tin oxide (ITO) film was deposited to a thickness of 1000 ° by sputtering to produce a transparent hole injection electrode. On the glass substrate on which the hole injection electrode was formed, the above compounds 6, 9 and 17 were heated under vacuum,
The thickness was evaporated. Next, bis (2-methyl-8-quinolinol) zinc was heated under vacuum and evaporated to a thickness of 500 ° to form a light emitting layer. Next, magnesium and aluminum were deposited on the light-emitting layer under vacuum at a deposition rate of 10 ° / sec and 1 ° / sec, respectively, for about 1000
A cathode having a thickness of Å was formed. FIG. 1 shows the structure of the organic EL device manufactured by the above process. The organic EL device 10 includes a substrate 1 made of glass, an anode 2 made of ITO, a hole injection / transport layer 3 made of a hydrazone compound of the present invention, a light emitting layer 4, and a cathode 5 made of magnesium and aluminum.

【0267】化合物6、9および17をそれぞれ用いて
調製された3種類のEL素子について、発光開始印加電
圧、発光色調、最高輝度、100cd/m2 での半減時
間についてそれぞれ測定した。得られた結果を表17に
示す。
With respect to the three types of EL devices prepared using Compounds 6, 9 and 17, respectively, the emission start applied voltage, the emission color tone, the maximum luminance, and the half-life at 100 cd / m 2 were measured. Table 17 shows the obtained results.

【0268】[0268]

【表17】 [Table 17]

【0269】例4〜6 例1〜3のEL素子に、電荷障壁層を付加したEL素子
を調製した。発光層と正孔注入輸送層との間に、電荷障
壁層として、プラズマCVDにより厚み250Å(25
nm)のa−SiC膜を形成した。他の部分について
は、実施例1〜3のそれぞれと同様であった。得られた
EL素子の構造を図2に示す。有機EL素子20は、基
板1、陽極2、正孔注入輸送層3、電荷障壁層6、発光
層4および陰極5からなる。得られた3種類の素子につ
いて、発光開始印加電圧、発光色調、最高輝度、および
100cd/m2 での半減時間についてそれぞれ測定し
た。その結果、発光色調および開始印加電圧は殆ど変化
しなかったが、最高輝度および半減時間は、20〜30
%の増加が認められた。特に、例1が改良された例4に
おいて6100cd/m2 、例2が改良された例5にお
いて6200cd/m 2 、例3が改良された例6におい
て7100cd/m2 の最高輝度がそれぞれ得られた。
Examples 4 to 6 EL devices obtained by adding a charge barrier layer to the EL devices of Examples 1 to 3
Was prepared. There is a charge barrier between the light emitting layer and the hole injection transport layer.
As a wall layer, a thickness of 250Å (25
nm) of an a-SiC film. About other parts
Was similar to each of Examples 1-3. Got
FIG. 2 shows the structure of the EL element. The organic EL element 20 is
Plate 1, anode 2, hole injection / transport layer 3, charge barrier layer 6, light emission
Consists of layer 4 and cathode 5. For the three types of devices obtained
And the emission start applied voltage, emission color tone, maximum brightness, and
100 cd / mTwoThe half-life at
Was. As a result, the emission color tone and the starting applied voltage change almost
However, the maximum brightness and half-life were 20-30.
% Increase was observed. In particular, Example 1 is an improvement of Example 1
6100 cd / mTwoExample 5 is an improvement of Example 2
6200 cd / m TwoExample 6 is an improved version of Example 3
7100 cd / mTwoThe highest luminance of each was obtained.

【0270】例7 例4の有機EL素子において、a−SiCの代わりにa
−Siを蒸着法により50Å(5nm)の厚みで形成
し、電子障壁層とした。この結果、6300cd/m2
の最高輝度が得られ、この値は例1の約1.5倍であっ
た。
Example 7 In the organic EL device of Example 4, a was used instead of a-SiC.
-Si was formed in a thickness of 50 ° (5 nm) by a vapor deposition method to form an electron barrier layer. As a result, 6300 cd / m 2
Was obtained, which was about 1.5 times that of Example 1.

【0271】例8〜10 本発明によるヒドラゾン化合物を発光材料として使用し
たEL素子を調製した。
Examples 8 to 10 EL devices using the hydrazone compound according to the present invention as a light emitting material were prepared.

【0272】例1〜3と同様に、それぞれ透明ガラス基
板上にITO膜を形成した。次いで、ITO膜上に、下
記の構造式で示されるビスエナミン化合物を真空下で加
熱し、700Åの厚さで蒸着した。
In the same manner as in Examples 1 to 3, an ITO film was formed on each of the transparent glass substrates. Next, a bisenamine compound represented by the following structural formula was heated under vacuum on the ITO film, and was deposited to a thickness of 700 °.

【0273】[0273]

【化100】 Embedded image

【0274】次に、本発明による化合物2、15および
26を、それぞれ真空下で加熱し、500Åの厚さで蒸
着し、発光層を形成した。次に、化合物膜の上に、マグ
ネシウムと銀とを原子比10:1(Mg:Ag)で15
00Åの厚みまで共蒸着し、陰極を形成した。得られた
有機EL素子の構造を図3に示す。有機EL素子30
は、基板1、陽極2、ビスエナミン化合物からなる正孔
注入輸送層13、本発明のヒドラゾン化合物からなる発
光層14およびマグネシウムと銀からなる陰極15から
なる。
Next, Compounds 2, 15 and 26 according to the present invention were each heated under vacuum and deposited to a thickness of 500 ° to form a light emitting layer. Next, on the compound film, magnesium and silver were added in an atomic ratio of 10: 1 (Mg: Ag) for 15 minutes.
Co-deposition was performed to a thickness of 00 ° to form a cathode. FIG. 3 shows the structure of the obtained organic EL device. Organic EL element 30
Comprises a substrate 1, an anode 2, a hole injection / transport layer 13 made of a bisenamine compound, a light emitting layer 14 made of a hydrazone compound of the present invention, and a cathode 15 made of magnesium and silver.

【0275】化合物2、15および26をそれぞれ用い
て作製した3種類のEL素子について、発光開始印加電
圧、発光色調、最高輝度、および100cd/m2 での
半減時間について測定した。その結果を表18に示す。
本発明のヒドラゾン化合物を発光材料として用いた場合
も、高い輝度で青色の色調の発光を示すEL素子が得ら
れることがわかる。
With respect to the three types of EL devices prepared using Compounds 2, 15, and 26, respectively, the emission start applied voltage, the emission color tone, the maximum luminance, and the half-life at 100 cd / m 2 were measured. Table 18 shows the results.
It can be seen that also when the hydrazone compound of the present invention is used as a light-emitting material, an EL element that emits blue light with high luminance can be obtained.

【0276】[0276]

【表18】 [Table 18]

【0277】例11 例1の素子に電子注入輸送層を付加したEL素子を調製
した。発光層と陰極との間に、300Åの厚みで下記の
構造式で示されるジフェニルキノン誘導体を蒸着し、電
子注入輸送層を形成した。
Example 11 An EL device was prepared by adding an electron injection / transport layer to the device of Example 1. A diphenylquinone derivative represented by the following structural formula was deposited to a thickness of 300 ° between the light emitting layer and the cathode to form an electron injection transport layer.

【0278】[0278]

【化101】 Embedded image

【0279】その他の部分は、例1と同様であった。得
られた有機EL素子を図4に示す。EL素子40は、厚
み1.1mmのガラスからなる基板1、ITOからなる
厚み1000Åの陽極2、本発明の化合物6からなる厚
み500Åの正孔注入輸送層3、ビス(2−メチル−8
−キノリノール)亜鉛からなる厚み500Åの発光層
4、ジフェニルキノン誘導体からなる厚み300Åの電
子注入輸送層7およびマグネシウムとアルミニウムの混
溶体からなる陰極5を含む。
The other parts were the same as in Example 1. FIG. 4 shows the obtained organic EL device. The EL element 40 includes a substrate 1 made of glass having a thickness of 1.1 mm, an anode 2 made of ITO having a thickness of 1000 °, a hole injection / transport layer 3 having a thickness of 500 ° made of a compound 6 of the present invention, and bis (2-methyl-8).
(Quinolinol) a light emitting layer 4 made of zinc having a thickness of 500 °, an electron injection / transport layer 7 having a thickness of 300 ° made of a diphenylquinone derivative, and a cathode 5 made of a mixed solution of magnesium and aluminum.

【0280】得られたEL素子において、発光開始時
間、発光色調、最高輝度および半減時間を例1と同様に
測定した。その結果、最高輝度は6000cd/m2
あり、電子注入輸送層を形成することにより25%最高
輝度が増加した。
In the obtained EL device, the light emission start time, the light emission color tone, the maximum luminance and the half time were measured in the same manner as in Example 1. As a result, the maximum luminance was 6000 cd / m 2 , and the maximum luminance was increased by 25% by forming the electron injecting and transporting layer.

【0281】例12 本発明のヒドラゾン化合物を正孔注入輸送材料として用
いた素子を製造した。
Example 12 A device using the hydrazone compound of the present invention as a hole injection / transport material was produced.

【0282】厚み100nmのITO透明電極が設けら
れたガラス基板(25mm×75mm×1.1mm、H
OYA社製)を透明支持基板として用いた。基板をイソ
プロピルアルコールで30分間超音波洗浄した後、さら
にイソプロピルアルコールに浸漬して洗浄した。基板を
乾燥窒素ガスで乾燥した後、市販の真空蒸着装置の基板
ホルダに固定した。
A glass substrate provided with a 100-nm-thick ITO transparent electrode (25 mm × 75 mm × 1.1 mm, H
OYA) was used as a transparent support substrate. After the substrate was ultrasonically cleaned with isopropyl alcohol for 30 minutes, it was further immersed and washed in isopropyl alcohol. After the substrate was dried with dry nitrogen gas, it was fixed to a substrate holder of a commercially available vacuum evaporation apparatus.

【0283】3つのモリブデン製抵抗加熱ボートに、そ
れぞれ、本発明のヒドラゾン化合物(化合物46)20
0mg、下記の構造式で示される4,4′−ビス(2,
2−ジフェニルビニル)ビフェニル(以下BDVBと略
記)200mg、およびビス[(2−メチル−8−キノ
リノラ−ト),(2−ナフトラ−ト)]アルミニウム錯
体200mgを入れ、それらを真空蒸着装置に取付け
た。
Each of the three molybdenum resistance heating boats was charged with the hydrazone compound (compound 46)
0 mg, 4,4′-bis (2,
200 mg of 2-diphenylvinyl) biphenyl (hereinafter abbreviated as BDVB) and 200 mg of bis [(2-methyl-8-quinolinolato), (2-naphthrate)] aluminum complex were put in, and they were attached to a vacuum evaporation apparatus. Was.

【0284】[0284]

【化102】 Embedded image

【0285】まず、真空層を4×10-4Paまで減圧し
た後、化合物46の入った加熱ボートに通電し、280
℃まで加熱した。蒸着速度0.1〜0.3nm/秒で化
合物46を基板に蒸着し、厚み60nmの正孔注入輸送
層を設けた。次いで、BDVBの入った加熱ボートに通
電して240℃まで加熱した。蒸着速度0.1〜0.3
nm/秒でBDVBを正孔注入輸送層上に蒸着し、厚み
40nmの発光層を設けた。さらに、アルミニウム錯体
の入った加熱ボートに通電して314℃まで加熱した。
蒸着速度0.1nm/秒でアルミニウム錯体を発光層上
に蒸着し、厚み20nmの電子注入輸送層を形成した。
なお、蒸着時の基板温度は室温であった。次に、真空層
を開け、電子注入輸送層上にステンレス鋼製のマスクを
設置した。モリブデン製の抵抗加熱ボートにマグネシウ
ム3gを入れ、タングステン製の蒸着用バスケットに銀
を0.5g入れた。再度真空槽を2×10-4Paまで減
圧した後、マグネシウム入りのボートに通電して、蒸着
速度1.5〜2.0nm/秒でマグネシウムを蒸着し
た。それと同時に、銀のバスケットを加熱し、蒸着速度
0.1nm/秒で銀を蒸着した。マグネシウムと銀の混
合物からなる対向電極を形成し、有機EL素子を完成し
た。得られた素子の構造を図5に示す。EL素子50
は、ガラス基板51、ITO透明電極52、化合物46
からなる正孔注入輸送層53、発光層54、電子注入輸
送層57および陰極55を含む。
First, the pressure in the vacuum layer was reduced to 4 × 10 −4 Pa, and then the heating boat containing the compound 46 was energized to supply 280
Heated to ° C. Compound 46 was vapor-deposited on the substrate at a vapor deposition rate of 0.1 to 0.3 nm / sec to provide a 60-nm thick hole injection / transport layer. Next, the heating boat containing BDVB was energized and heated to 240 ° C. Deposition rate 0.1-0.3
BDVB was deposited on the hole injecting and transporting layer at a rate of nm / sec to provide a 40 nm thick light emitting layer. Further, the heating boat containing the aluminum complex was energized and heated to 314 ° C.
An aluminum complex was vapor-deposited on the light emitting layer at a vapor deposition rate of 0.1 nm / sec to form an electron injection transport layer having a thickness of 20 nm.
In addition, the substrate temperature at the time of vapor deposition was room temperature. Next, the vacuum layer was opened, and a stainless steel mask was placed on the electron injection transport layer. 3 g of magnesium was placed in a molybdenum resistance heating boat, and 0.5 g of silver was placed in a tungsten evaporation basket. After the pressure in the vacuum chamber was again reduced to 2 × 10 −4 Pa, the boat containing magnesium was energized to deposit magnesium at a deposition rate of 1.5 to 2.0 nm / sec. At the same time, the silver basket was heated to deposit silver at a deposition rate of 0.1 nm / sec. A counter electrode made of a mixture of magnesium and silver was formed to complete an organic EL device. FIG. 5 shows the structure of the obtained device. EL element 50
Are a glass substrate 51, an ITO transparent electrode 52, a compound 46
, A light-emitting layer, an electron injection-transport layer 57, and a cathode 55.

【0286】得られた素子のITO電極を陽極、マグネ
シウムと銀の混合物からなる対向電極を陰極として、1
1Vの直流電圧を印加したところ、電流密度5.8mA
/cm2 の電流が流れ、青色の発色(色度座標:0.1
8,0.20)が得られた。この発光の最大波長は46
8nm、輝度は84cd/m2 、発光効率は0.41ル
ーメン/Wであった。アルゴン気流下、通電後100時
間経ても、電極表面の剥離や白濁はなく、依然青色発光
が認められた。
The ITO electrode of the obtained device was used as an anode, and a counter electrode made of a mixture of magnesium and silver was used as a cathode.
When a DC voltage of 1 V was applied, the current density was 5.8 mA.
/ Cm 2 flows and develops blue color (chromaticity coordinates: 0.1
8, 0.20). The maximum wavelength of this emission is 46
8 nm, luminance was 84 cd / m 2 , and luminous efficiency was 0.41 lumen / W. Even after 100 hours from the energization under an argon gas flow, there was no peeling or clouding of the electrode surface, and blue light emission was still observed.

【0287】例13〜18 化合物46の代わりに表19に示す化合物を用いて正孔
注入輸送層を形成し、蒸着時の加熱温度を表19に示す
ように変えた以外は、例12と同様にして素子を作製
し、評価した。得られた結果を表19に示す。
Examples 13 to 18 The same procedures as in Example 12 were carried out except that the hole injecting / transporting layer was formed using the compounds shown in Table 19 instead of the compound 46, and the heating temperature during the deposition was changed as shown in Table 19. A device was prepared and evaluated. Table 19 shows the obtained results.

【0288】[0288]

【表19】 [Table 19]

【0289】例19 本発明のヒドラゾン化合物を発光材料として用いた素子
を製造した。
Example 19 An element using the hydrazone compound of the present invention as a light emitting material was produced.

【0290】BDVBの代わりに本発明の化合物46を
用いて発光層を形成し、正孔注入輸送層の材料として下
記の構造式で示されるビスエナミン化合物を用い、蒸着
時の加熱ボート温度をそれぞれ285℃、300℃に変
えた以外は、例12と同様にして素子を作製し、評価し
た。
A light emitting layer was formed by using the compound 46 of the present invention in place of BDVB, a bisenamine compound represented by the following structural formula was used as a material for the hole injecting and transporting layer, and the heating boat temperature during the deposition was 285 A device was prepared and evaluated in the same manner as in Example 12 except that the temperature was changed to 300C and 300C.

【0291】[0291]

【化103】 Embedded image

【0292】得られた素子において、ITO電極を陽
極、マグネシウムと銀の混合物からなる対向電極を陰極
として、12.5Vの直流電圧を印加したところ、電流
密度11.6mA/cm2 の電流が流れ、緑色の発光
(色度座標:X=0.253,Y=0.467)が得ら
れた。この発光の最大波長は513nm、輝度は110
cd/m2 、発光効率は0.24ルーメン/Wであっ
た。アルゴン気流下で通電後200時間経ても、電極表
面の剥離や白濁は認められず、輝度55cd/m2 の緑
色発光が持続した。
In the obtained device, when a DC voltage of 12.5 V was applied using an ITO electrode as an anode and a counter electrode made of a mixture of magnesium and silver as a cathode, a current density of 11.6 mA / cm 2 flowed. And green light emission (chromaticity coordinates: X = 0.253, Y = 0.467) was obtained. The maximum wavelength of this light emission is 513 nm and the luminance is 110
cd / m 2 , and the luminous efficiency was 0.24 lumen / W. Even after 200 hours from the energization under an argon gas flow, no peeling or turbidity of the electrode surface was observed, and green light emission with a luminance of 55 cd / m 2 continued.

【0293】例20 発光層の材料として化合物63を用い、蒸着時の加熱ボ
ート温度を314℃に変えた以外は、例19と同様にし
て素子を作製し、評価を行なった。ITO電極を陽極、
マグネシウムと銀の混合物からなる対向電極を陰極とし
て、11Vの直流電圧を印加したところ、電流密度7.
1mA/cm2 で電流が流れ、緑色の発光が得られた。
この発光の最大波長は507nm、輝度は100cd/
2 、発光効率は0.4ルーメン/Wであった。アルゴ
ン気流下、通電後200時間を経ても、電極表面の剥離
や白濁はなく、依然、輝度50cd/m2 の緑色発光が
持続した。
Example 20 A device was prepared and evaluated in the same manner as in Example 19, except that Compound 63 was used as the material for the light emitting layer, and the temperature of the heating boat during vapor deposition was changed to 314 ° C. Anode for ITO electrode,
When a DC voltage of 11 V was applied using a counter electrode made of a mixture of magnesium and silver as a cathode, the current density was 7.
Current flowed at 1 mA / cm 2 , and green light emission was obtained.
The maximum wavelength of this light emission is 507 nm, and the luminance is 100 cd /
m 2 , and the luminous efficiency was 0.4 lumen / W. Even after 200 hours from the energization under an argon gas flow, there was no peeling or clouding of the electrode surface, and green light emission with a luminance of 50 cd / m 2 was still maintained.

【0294】例21 本発明のヒドラゾン化合物を正孔注入輸送材料として用
いた素子を製造した。
Example 21 A device was produced using the hydrazone compound of the present invention as a hole injecting and transporting material.

【0295】例12で調製した透明支持基板を用いた。
本発明の化合物46とBDVBをそれぞれ異なるモリブ
デン製抵抗加熱ボートに入れ、それらを真空蒸着装置に
取付けた。例12と同様に、ITO透明電極上に化合物
46からなる正孔注入輸送層を形成し、さらにその上に
BDVB層を形成した。次いで、マグネシウムと銀の混
合物からなる対向電極を積層して、2層型EL素子を得
た。正孔注入輸送層およびBDVB発光層の厚みは、そ
れぞれ40nm、35nmであった。得られたEL素子
の発光輝度は60cd/m2 であった。この値は例12
の値よりも25%低いが、他の特性については大きな減
少は認められなかった。
The transparent support substrate prepared in Example 12 was used.
Compound 46 of the present invention and BDVB were placed in different molybdenum resistance heating boats, and they were attached to a vacuum evaporation apparatus. In the same manner as in Example 12, a hole injection / transport layer made of Compound 46 was formed on the ITO transparent electrode, and a BDVB layer was further formed thereon. Next, a counter electrode made of a mixture of magnesium and silver was laminated to obtain a two-layer EL element. The thicknesses of the hole injection transport layer and the BDVB light emitting layer were 40 nm and 35 nm, respectively. The emission luminance of the obtained EL device was 60 cd / m 2 . This value is
, But no significant decrease was observed for the other properties.

【0296】例22 本発明のヒドラゾン化合物を正孔注入輸送材料として用
い、かつ電子障壁層を設けた素子を作製した。
Example 22 A device was prepared using the hydrazone compound of the present invention as a hole injection / transport material and provided with an electron barrier layer.

【0297】例12のEL素子に電子障壁層を付加した
素子を調製した。電子障壁層として、正孔注入輸送層と
発光層との間に、10nmの厚みのp−a−SiC層を
形成した。この層は、RFプラズマCVDにより調製し
た。SiH4 およびCH4 をそれぞれ水素ガスで10%
に希釈し、さらにB2 4 を水素で5000ppmに希
釈した。希釈した原料ガスおよびドーピングガスをそれ
ぞれマスフロコントローラを介してチャンバ内に導入
し、RFプラズマ出力40Wでp−a−SiCを堆積さ
せた。他の部分は、例12と同様に形成した。得られた
EL素子の構造を図6に示す。有機EL素子60は、ガ
ラス基板51、ITO電極52、正孔注入輸送層53、
電子障壁層68、発光層54、電子注入輸送層57およ
び陰極55を含む。
A device was prepared by adding an electron barrier layer to the EL device of Example 12. As an electron barrier layer, a 10 nm-thick pa-SiC layer was formed between the hole injection / transport layer and the light emitting layer. This layer was prepared by RF plasma CVD. SiH 4 and CH 4 are each 10% with hydrogen gas
And B 2 H 4 was further diluted to 5000 ppm with hydrogen. The diluted source gas and doping gas were respectively introduced into the chamber via a mass flow controller, and p-a-SiC was deposited with an RF plasma output of 40 W. The other parts were formed in the same manner as in Example 12. FIG. 6 shows the structure of the obtained EL element. The organic EL element 60 includes a glass substrate 51, an ITO electrode 52, a hole injection / transport layer 53,
It includes an electron barrier layer 68, a light emitting layer 54, an electron injection / transport layer 57, and a cathode 55.

【0298】得られたEL素子の特性を、例12と同様
にして測定した。11Vの直流電圧を印加したとき、電
流密度は5.3mA/cm2 であり、青色の発色が得ら
れた。この発光の最大波長は516nm、輝度は890
cd/m2 、発光効率は1.6ルーメン/Wであった。
この結果、電子障壁層は、輝度および効率を向上させ
た。
The characteristics of the obtained EL device were measured in the same manner as in Example 12. When a DC voltage of 11 V was applied, the current density was 5.3 mA / cm 2 , and blue color was obtained. The maximum wavelength of this light emission is 516 nm, and the luminance is 890.
cd / m 2 and the luminous efficiency were 1.6 lumen / W.
As a result, the electron barrier layer has improved brightness and efficiency.

【0299】[0299]

【発明の効果】本発明による新規なヒドラゾン誘導体
は、EL素子のための正孔注入輸送材料または発光材料
として優れた特性を示す。本発明の化合物を用いること
により、電極と膜との密着性が優れ、高い輝度および高
い発光効率を示し、かつ寿命の長い有機EL素子を提供
することができる。また、本発明の化合物は、電子材料
としての上記特性を生かして、光導電材料、導波路材料
等にも好適に用いることができる。
The novel hydrazone derivative according to the present invention exhibits excellent properties as a hole injecting / transporting material or a light emitting material for an EL device. By using the compound of the present invention, it is possible to provide an organic EL device having excellent adhesion between an electrode and a film, exhibiting high luminance and high luminous efficiency, and having a long lifetime. In addition, the compound of the present invention can be suitably used as a photoconductive material, a waveguide material, and the like by utilizing the above-mentioned properties as an electronic material.

【図面の簡単な説明】[Brief description of the drawings]

【図1】EL素子の製造例1〜3において調製された素
子の構造を示す概略断面図である。
FIG. 1 is a schematic cross-sectional view showing a structure of an element prepared in Production Examples 1 to 3 of an EL element.

【図2】EL素子の製造例4〜6において製造された素
子の構造を示す概略断面図である。
FIG. 2 is a schematic cross-sectional view showing a structure of an element manufactured in Production Examples 4 to 6 of an EL element.

【図3】EL素子の製造例8〜10において調製された
素子の構造を示す概略断面図である。
FIG. 3 is a schematic cross-sectional view showing a structure of an element prepared in Production Examples 8 to 10 of an EL element.

【図4】EL素子の製造例11において調製された素子
の構造を示す概略断面図である。
FIG. 4 is a schematic sectional view showing the structure of an element prepared in Production Example 11 of an EL element.

【図5】EL素子の製造例12において調製された素子
の構造を示す概略断面図である。
FIG. 5 is a schematic sectional view showing the structure of an element prepared in Production Example 12 of an EL element.

【図6】EL素子の製造例22において調製された素子
の構造を示す概略断面図である。
FIG. 6 is a schematic sectional view showing the structure of an element prepared in Production Example 22 of an EL element.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

1、51 基板 2、52 陽極 3、13、53 正孔注入輸送層 4、14、54 発光層 5、15、55 陰極 6 電荷障壁層 7、57 電子注入輸送層 10、20、30、40、50、60 有機EL素子 66 電子障壁層 1, 51 Substrate 2, 52 Anode 3, 13, 53 Hole Injection / Transport Layer 4, 14, 54 Emitting Layer 5, 15, 55 Cathode 6 Charge Barrier Layer 7, 57 Electron Injection / Transport Layer 10, 20, 30, 40, 50, 60 Organic EL device 66 Electron barrier layer

Claims (14)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】 式 【化1】 (式中、Qは−(CH2 m −または置換もしくは非置
換のアリーレン基を表わし、mは0〜4の整数を表わ
し、 R1 およびR2 はそれぞれ水素原子、アルキル基または
置換もしくは非置換のアリール基を表わし、 R3 およびR4 はそれぞれアルキル基または置換もしく
は非置換のアリール基を表わし、 R5 は置換または非置換のアリール基を表わし、かつR
6 は置換もしくは非置換のアリール基、アルキル基また
は水素原子を表わす)で表わされる、2個のエナミン基
を含有するヒドラゾン誘導体。
(1) Formula (1) (Wherein Q represents — (CH 2 ) m — or a substituted or unsubstituted arylene group, m represents an integer of 0 to 4, and R 1 and R 2 each represent a hydrogen atom, an alkyl group or a substituted or unsubstituted R 3 and R 4 each represent an alkyl group or a substituted or unsubstituted aryl group; R 5 represents a substituted or unsubstituted aryl group;
6 represents a substituted or unsubstituted aryl group, an alkyl group or a hydrogen atom), and is a hydrazone derivative containing two enamine groups.
【請求項2】 式 【化2】 (式中、R3 、R4 およびR6 は前記と同義であり、 R3 とR4 とは同じものであり、 R7 はハロゲン原子、低級アルコキシ基、低級アルキル
基または水素原子を表わし、かつnは1〜3の整数を表
わす)で表わされる、請求項1記載のヒドラゾン誘導
体。
2. The formula: (Wherein, R 3 , R 4 and R 6 are as defined above, R 3 and R 4 are the same, and R 7 represents a halogen atom, a lower alkoxy group, a lower alkyl group or a hydrogen atom, And n is an integer of 1 to 3).
【請求項3】 式 【化3】 (式中、Q、R1 、R2 、R3 およびR4 は前記と同義
であり、 R8 およびR9 はそれぞれ水素原子、低級アルキル基ま
たは置換もしくは非置換のアリール基を表わすか、また
はR8 およびR9 はシクロアルカンの2つの炭素原子と
ともに置換もしくは非置換の芳香族炭化水素の部分を形
成し、かつrは3〜6の整数を表わす)で表わされる、
2個のエナミン基を含有するヒドラゾン誘導体。
3. The formula: (Wherein, Q, R 1 , R 2 , R 3 and R 4 are as defined above, and R 8 and R 9 each represent a hydrogen atom, a lower alkyl group or a substituted or unsubstituted aryl group, or R 8 and R 9 together with the two carbon atoms of the cycloalkane form part of a substituted or unsubstituted aromatic hydrocarbon, and r represents an integer from 3 to 6)
A hydrazone derivative containing two enamine groups.
【請求項4】 式 【化4】 (式中、R1 、R2 、R3 およびR4 は前記と同義であ
り、 R1 とR2 とは同じものであり、 R3 とR4 とは同じものであり、 R10は水素原子、低級アルキル基、低級アルコキシ基ま
たはハロゲン原子を表わし、かつsは1〜3の整数を表
わす)で表わされる、請求項3記載のヒドラゾン誘導
体。
4. The formula: Wherein R 1 , R 2 , R 3 and R 4 are as defined above, R 1 and R 2 are the same, R 3 and R 4 are the same, and R 10 is hydrogen The hydrazone derivative according to claim 3, which represents an atom, a lower alkyl group, a lower alkoxy group or a halogen atom, and s represents an integer of 1 to 3).
【請求項5】 式 【化5】 (式中、R1 、R2 、R3 、R4 およびsは前記と同義
であり、 R1 とR2 とは同じものであり、 R3 とR4 とは同じものであり、 Xは酸素原子、硫黄原子または 【化6】 を表わし、R13は水素原子または低級アルキル基を表わ
しかつtは0または1を表わし、かつR11およびR12
それぞれ水素原子、ハロゲン原子、低級アルキル基また
は低級アルコキシ基を表わす)で表わされる、2個のエ
ナミン基を含有するヒドラゾン誘導体。
5. A compound of the formula (Wherein, R 1 , R 2 , R 3 , R 4 and s are as defined above, R 1 and R 2 are the same, R 3 and R 4 are the same, and X is Oxygen atom, sulfur atom or Wherein R 13 represents a hydrogen atom or a lower alkyl group and t represents 0 or 1, and R 11 and R 12 each represent a hydrogen atom, a halogen atom, a lower alkyl group or a lower alkoxy group. 2. A hydrazone derivative containing two enamine groups.
【請求項6】 式 【化7】 (式中、R1 、R2 、R3 、R4 およびsは前記と同義
であり、 R1 とR2 とは同じものであり、かつR3 とR4 とは同
じものである)で表わされる、請求項5記載のヒドラゾ
ン誘導体。
6. The formula: Wherein R 1 , R 2 , R 3 , R 4 and s are as defined above, R 1 and R 2 are the same, and R 3 and R 4 are the same. The hydrazone derivative according to claim 5, which is represented.
【請求項7】 請求項1〜6のいずれか1項記載のヒド
ラゾン誘導体からなる電界発光素子用正孔注入輸送材
料。
7. A hole injection / transport material for an electroluminescent element, comprising the hydrazone derivative according to claim 1. Description:
【請求項8】 請求項1〜6のいずれか1項記載のヒド
ラゾン誘導体からなる電界発光素子用発光材料。
8. A luminescent material for an electroluminescent device, comprising the hydrazone derivative according to claim 1. Description:
【請求項9】 陽極、正孔注入輸送層、発光層および陰
極が順に積層された電界発光素子において、 前記正孔注入輸送層が、請求項1〜6のいずれか1項記
載のヒドラゾン誘導体を含有することを特徴とする、電
界発光素子。
9. An electroluminescent device in which an anode, a hole injecting and transporting layer, a light emitting layer, and a cathode are sequentially stacked, wherein the hole injecting and transporting layer comprises the hydrazone derivative according to any one of claims 1 to 6. An electroluminescent device, comprising:
【請求項10】 陽極、正孔注入輸送層、発光層、電子
輸送層および陰極が順に積層された電界発光素子におい
て、 前記正孔注入輸送層が、請求項1〜6のいずれか1項記
載のヒドラゾン誘導体を含有することを特徴とする、電
界発光素子。
10. An electroluminescent device in which an anode, a hole injecting and transporting layer, a light emitting layer, an electron transporting layer, and a cathode are sequentially laminated, wherein the hole injecting and transporting layer is any one of claims 1 to 6. An electroluminescent device comprising a hydrazone derivative of the formula (1).
【請求項11】 陽極、正孔注入輸送層、発光層および
陰極が順に積層された電界発光素子において、 前記発光層が、請求項1〜6のいずれか1項記載のヒド
ラゾン誘導体を含有することを特徴とする、電界発光素
子。
11. An electroluminescent device in which an anode, a hole injecting and transporting layer, a light emitting layer and a cathode are sequentially stacked, wherein the light emitting layer contains the hydrazone derivative according to any one of claims 1 to 6. An electroluminescent element characterized by the above-mentioned.
【請求項12】 陽極、正孔注入輸送層、発光層、電子
輸送層および陰極が順に積層された電界発光素子におい
て、 前記発光層が、請求項1〜6のいずれか1項記載のヒド
ラゾン誘導体を含有することを特徴とする、電界発光素
子。
12. An electroluminescent device in which an anode, a hole injecting and transporting layer, a light emitting layer, an electron transporting layer, and a cathode are sequentially laminated, wherein the light emitting layer is a hydrazone derivative according to any one of claims 1 to 6. An electroluminescent device comprising:
【請求項13】 前記陽極と前記陰極との間に、電荷障
壁層をさらに備える、請求項9〜12のいずれか1項記
載の電界発光素子。
13. The electroluminescent device according to claim 9, further comprising a charge barrier layer between said anode and said cathode.
【請求項14】 前記電荷障壁層が、電子障壁層である
ことを特徴とする、請求項13記載の電界発光素子。
14. The electroluminescent device according to claim 13, wherein the charge barrier layer is an electron barrier layer.
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