JPH1177873A - Reflection preventing laminate - Google Patents

Reflection preventing laminate

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Publication number
JPH1177873A
JPH1177873A JP9251057A JP25105797A JPH1177873A JP H1177873 A JPH1177873 A JP H1177873A JP 9251057 A JP9251057 A JP 9251057A JP 25105797 A JP25105797 A JP 25105797A JP H1177873 A JPH1177873 A JP H1177873A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
layer
thin film
ceramic thin
refractive index
ceramic membrane
Prior art date
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Pending
Application number
JP9251057A
Other languages
Japanese (ja)
Inventor
Yutaka Kobayashi
裕 小林
Kazutoshi Kiyokawa
和利 清川
Haruo Uyama
晴夫 宇山
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Toppan Inc
Original Assignee
Toppan Printing Co Ltd
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Filing date
Publication date
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Publication of JPH1177873A publication Critical patent/JPH1177873A/en
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  • Laminated Bodies (AREA)
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  • Chemical Vapour Deposition (AREA)
  • Transforming Electric Information Into Light Information (AREA)

Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To obtain electromagnetic shielding effect simultaneously with sufficient reflection preventing effect by setting the sheet resistance value of a ceramic membrane layer having conductivity to a specific value or less. SOLUTION: In a reflection preventing laminate, a ceramic membrane layer 2 consisting of at least three layers or more is provided on a base material 1 and at least one layer constituting the ceramic membrane layer 2 has conductivity. The ceramic membrane layers 3-6 used in the ceramic membrane layer 2 are composed of inorg. compds. and different in refractive index by the materials thereof and the reflection preventing laminate can be obtained by laminating a plurality of ceramic membrane layers different in refractive index in specific film thicknesses. The conductive ceramic membrane 3 having at least one ceramic layer having conductivity is based on either one of indium oxide, zinc oxide and tin oxide or a mixture two or three kinds of them and the sheet resistance value thereof is set to 200 Ω/sq. or less.

Description

【発明の詳細な説明】DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION

【0001】[0001]

【発明の属する技術分野】本発明はコンピュータ・ディ
スプレイ、テレビのブラウン管、種々の表示画面の全面
に装着され、光の反射を低減させることを目的とした反
射防止機能を有する積層体に関する。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a computer display, a cathode ray tube of a television, and a laminate having an antireflection function mounted on the whole surface of various display screens for the purpose of reducing light reflection.

【0002】[0002]

【従来の技術】従来より、テレビのブラウン管などで
は、表面の反射を防止する手段および電磁波を遮断する
ための手段として、多層膜を真空蒸着法などによりコー
ティングしている。さらに液晶画面においてはそれらの
表面に凹凸を設けることで乱反射をさせている。
2. Description of the Related Art Conventionally, in a cathode ray tube of a television or the like, a multilayer film is coated by a vacuum deposition method or the like as a means for preventing reflection on the surface and a means for blocking electromagnetic waves. Further, in the liquid crystal screen, irregular reflection is made by providing irregularities on those surfaces.

【0003】透明であり、かつ導電性を有する層を反射
防止積層体に施した例は特開平5−323101号公報
にあるような酸化インジウムや酸化錫をベースとしたも
のが知られている。また、特開昭64−80904号公
報にあるように非常に薄い金属膜を利用しているものが
知られている。
An example in which a transparent and conductive layer is applied to an antireflection laminate is disclosed in JP-A-5-323101, which is based on indium oxide or tin oxide. In addition, as disclosed in Japanese Patent Application Laid-Open No. 64-80904, a device using a very thin metal film is known.

【0004】これらにおいては導電性を有するセラミッ
ク薄膜層として用いられる酸化インジウムや酸化錫の屈
折率が2.0程度であり、積層数が少ないと十分な反射
防止効果が得られないという問題があった。
[0004] In these, indium oxide or tin oxide used as a conductive ceramic thin film layer has a refractive index of about 2.0, and if the number of layers is small, a sufficient antireflection effect cannot be obtained. Was.

【0005】また、電磁波シールドとして用いるには必
要とされる周波数帯によって様々であるが、シート抵抗
値が1kΩ/□以下、望ましくは200Ω/□以下の材
料であることが必要で、従来の帯電防止材料や透明電極
材料以上に低抵抗化が要求される。
[0005] Further, although it varies depending on the frequency band required for use as an electromagnetic wave shield, the material must have a sheet resistance of 1 kΩ / □ or less, preferably 200 Ω / □ or less. Low resistance is required more than prevention materials and transparent electrode materials.

【0006】[0006]

【発明が解決しようとする課題】本発明はこのような問
題点を解決するためになされたものであり、その課題と
するところは、十分な反射防止効果を有し、さらに電磁
波シールド効果を有する反射防止積層体を提供すること
にある。
SUMMARY OF THE INVENTION The present invention has been made to solve such problems, and it is an object of the present invention to provide a sufficient anti-reflection effect and an electromagnetic wave shielding effect. An object of the present invention is to provide an antireflection laminate.

【0007】[0007]

【課題を解決するための手段】本発明はこの課題を解決
するため、基材上に少なくとも3層以上のセラミック薄
膜層を有し、前記セラミック薄膜層の少なくとも1層は
導電性を有するセラミック薄膜層である反射防止積層体
であって、前記導電性を有するセラミック薄膜層のシー
ト抵抗値が200Ω/□以下であることを特徴とする反
射防止積層体を提供する。
In order to solve this problem, the present invention has at least three ceramic thin film layers on a substrate, and at least one of the ceramic thin film layers has a ceramic thin film having conductivity. An anti-reflection laminate, which is a layer, wherein the conductive ceramic thin film layer has a sheet resistance of 200 Ω / □ or less.

【0008】また、前記導電性を有するセラミック薄膜
層が、酸化インジウム、酸化亜鉛、酸化錫のいずれかま
たはそれらの2種類もしくは3種類の混合酸化物を主成
分としていること、基材がプラスチックフィルムである
こと、基材とセラミック薄膜層との間にハードコート層
が形成されていること、セラミック薄膜層の表面に防汚
層が形成されていること、セラミック薄膜層の基材に近
い側の高屈折率の層の屈折率が表面に近い側の高屈折率
の層の屈折率よりも高いことを特徴とする反射防止積層
体を提供する。
Further, the ceramic thin film layer having conductivity mainly contains any one of indium oxide, zinc oxide and tin oxide or a mixed oxide of two or three of them, and the base material is a plastic film. That a hard coat layer is formed between the substrate and the ceramic thin film layer, that an antifouling layer is formed on the surface of the ceramic thin film layer, Provided is an antireflection laminate, wherein the refractive index of the high refractive index layer is higher than the refractive index of the high refractive index layer near the surface.

【0009】[0009]

【発明の実施の形態】以下、本発明の実施の形態につき
詳細に説明する。図1に本発明の反射防止積層体の断面
の構造の一例を示す。基材1としては透明性を有し、か
つ表面が平滑なものであればよく、例えば、ポリエステ
ルフィルム、ポリオレフィンフィルム、ポリカーボネー
ト、トリアセチルセルロース、ポリエーテルサルホン等
の高分子フィルムやガラスなどが挙げられるが、全体の
層構成からしてプラスチックが好適である。
DETAILED DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS Hereinafter, embodiments of the present invention will be described in detail. FIG. 1 shows an example of a cross-sectional structure of the antireflection laminate of the present invention. As the substrate 1, any material having transparency and a smooth surface may be used, and examples thereof include a polymer film such as a polyester film, a polyolefin film, polycarbonate, triacetyl cellulose, and polyether sulfone, and glass. However, plastic is preferred in view of the overall layer configuration.

【0010】本発明のセラミック薄膜層2に用いるセラ
ミック薄膜3〜6とは無機化合物からなるものであり、
酸化物、硫化物、フッ化物、窒化物などからなる薄膜が
使用可能である。この無機化合物からなる薄膜はその材
料により屈折率が異なり、その屈折率の異なるセラミッ
ク薄膜を特定の膜厚で複数層積層することにより、反射
防止積層体とすることが可能となる。
The ceramic thin films 3 to 6 used for the ceramic thin film layer 2 of the present invention are made of an inorganic compound.
Thin films made of oxides, sulfides, fluorides, nitrides and the like can be used. The thin film made of the inorganic compound has a different refractive index depending on its material. By stacking a plurality of ceramic thin films having different refractive indices with a specific thickness, it is possible to form an antireflection laminate.

【0011】屈折率の低い材料としては、酸化マグネシ
ウム(屈折率=1.6)、二酸化珪素(1.5)、フッ
化マグネシウム(1.4)、フッ化カルシウム(1.3
〜1.4)、フッ化セリウム(1.6)、フッ化アルミ
ニウム(1.3)などが挙げられる。屈折率の高い材料
としては二酸化チタン(2.4)、二酸化ジルコニウム
(2.0)、硫化亜鉛(2.3)、酸化タンタル(2.
1)、酸化亜鉛(2.1)、酸化インジウム(2.0)
が挙げられる。
Materials having a low refractive index include magnesium oxide (refractive index = 1.6), silicon dioxide (1.5), magnesium fluoride (1.4), and calcium fluoride (1.3).
To 1.4), cerium fluoride (1.6), aluminum fluoride (1.3) and the like. Materials having a high refractive index include titanium dioxide (2.4), zirconium dioxide (2.0), zinc sulfide (2.3), and tantalum oxide (2.
1), zinc oxide (2.1), indium oxide (2.0)
Is mentioned.

【0012】本発明における少なくとも1層が導電性を
有するセラミック薄膜となる導電性を有するセラミック
薄膜としては、酸化インジウム、酸化亜鉛、酸化錫のい
ずれか、またはそれらの2種類もしくは3種類の混合酸
化物が挙げられる。
In the present invention, the conductive ceramic thin film in which at least one layer is a conductive ceramic thin film is selected from indium oxide, zinc oxide and tin oxide, or a mixed oxide of two or three of them. Things.

【0013】本発明のセラミック薄膜層の製造方法とし
ては、膜厚の制御が可能であればいかなる成膜方法でも
よく、特には乾式法が適している。これには通常の真空
蒸着法等の物理的気相析出法やCVD法のような化学的
気相析出法を用いることができる。
As a method for producing the ceramic thin film layer of the present invention, any film forming method may be used as long as the film thickness can be controlled, and a dry method is particularly suitable. For this, a physical vapor deposition method such as an ordinary vacuum vapor deposition method or a chemical vapor deposition method such as a CVD method can be used.

【0014】本発明の反射防止積層体には、場合により
図2のようにハードコート層7、防汚層8の何れか、も
しくは両方を設けてもよい。
The antireflection laminate of the present invention may be provided with one or both of a hard coat layer 7 and an antifouling layer 8 as shown in FIG.

【0015】ハードコート層7としては全体の透明度を
阻害しない程度に透明であり、屈折率が基材と同じであ
るかそれに近いものであるものが使用可能である。例え
ば紫外線硬化型のアクリル等が挙げられる。また、膜厚
は3〜6μmが望ましい。
As the hard coat layer 7, a material which is transparent so as not to impair the overall transparency and has a refractive index equal to or close to that of the substrate can be used. For example, an ultraviolet curable acrylic or the like can be used. The thickness is desirably 3 to 6 μm.

【0016】防汚層8としては、種々の組成物からその
用途に応じて選択可能であるが、例えばフロシラン系の
ものが使用可能である。この防汚層を設ける方法として
は特にCVDによる乾式処理が目的に特に適合した好ま
しい方法である。また膜厚としては5〜15nmが好ま
しい。
The antifouling layer 8 can be selected from various compositions according to its use. For example, a furosilane-based one can be used. As a method for providing the antifouling layer, dry processing by CVD is a preferable method particularly suited to the purpose. The thickness is preferably 5 to 15 nm.

【0017】[0017]

【実施例】【Example】

<実施例1>厚さ100μmのポリエチレンテレフタレ
ートを基材として用い、基材側より酸化インジウム錫3
0nm(波長450〜650nmにおける屈折率分散が
2.0〜2.2)、二酸化珪素20nm、酸化インジウ
ム錫70nm(波長450〜650nmにおける屈折率
分散が1.9〜2.1)、二酸化硅素10nm、をそれ
ぞれ真空蒸着により積層させた。
Example 1 100 μm-thick polyethylene terephthalate was used as a substrate, and indium tin oxide 3 was used from the substrate side.
0 nm (refractive index dispersion at a wavelength of 450 to 650 nm is 2.0 to 2.2), silicon dioxide 20 nm, indium tin oxide 70 nm (refractive index dispersion at a wavelength of 450 to 650 nm is 1.9 to 2.1), silicon dioxide 10 nm , Were laminated by vacuum evaporation.

【0018】得られた膜の光線反射率は450〜650
nmで、平均0.7%以下で、屈折率分散が同じ酸化イ
ンジウム錫を用いたときに比べ、光線反射率が1%以下
となる波長範囲が10%広がった。また、シート抵抗値
は、100Ω/□以下であった。さらに良好な電磁波シ
ールド効果(周波数100MHzにおいて30dB)が
得られた。
The light reflectance of the obtained film is 450 to 650.
In nm, the wavelength range where the light reflectance is 1% or less is widened by 10% as compared with the case where indium tin oxide having the same refractive index dispersion is used and the average is 0.7% or less. Further, the sheet resistance value was 100Ω / □ or less. A better electromagnetic wave shielding effect (30 dB at a frequency of 100 MHz) was obtained.

【0019】<実施例2>厚さ80μmのトリアセチル
セルロースを基材として用い、厚さ4μmの紫外線硬化
性アクリル系樹脂からなるハードコート層を設け、基材
側より酸化亜鉛25nm(波長450〜650nmにお
ける屈折率分散が1.9〜2.1)、二酸化硅素25n
n、酸化亜鉛70nm(波長450〜650nmにおけ
る屈折率が1.8〜2.0)、二酸化硅素100nmを
それぞれ真空蒸着により積層し、さらに防汚層としてC
VDによりフルオロアルキルシラン10nmを成膜し
た。
Example 2 A hard coat layer made of an ultraviolet-curable acrylic resin having a thickness of 4 μm was provided using triacetyl cellulose having a thickness of 80 μm as a base material, and zinc oxide 25 nm (wavelength 450 to 450 nm) was applied from the base material side. The refractive index dispersion at 650 nm is 1.9 to 2.1), and silicon dioxide 25n
n, zinc oxide 70 nm (refractive index at a wavelength of 450 to 650 nm is 1.8 to 2.0), and silicon dioxide 100 nm are respectively laminated by vacuum evaporation, and C is further used as an antifouling layer.
A 10 nm fluoroalkylsilane was deposited by VD.

【0020】得られた膜の光線反射率は450〜650
nmで、平均0.4%以下となった。また、シート抵抗
値は、100Ω/□以下であった。さらに実施例1と同
様にして良好な電磁波シールド効果(周波数100MH
zにおいて30dB)が得られた。また、層間の密着性
も良好なものとなり、表面純粋接触角が107度と、撥
水性も得られた。
The light reflectance of the obtained film is 450 to 650.
The average in nm was 0.4% or less. Further, the sheet resistance value was 100Ω / □ or less. Furthermore, a good electromagnetic wave shielding effect (frequency 100 MH
30 dB) was obtained at z. In addition, the adhesion between the layers was good, and the pure contact angle on the surface was 107 degrees, and water repellency was also obtained.

【0021】[0021]

【発明の効果】以上に示したように、本発明により、十
分な反射防止効果が得られると同時に、十分は電磁波シ
ールド効果を持った積層体を得ることが可能となった。
またハードコート層や防汚層を設けることで層間の密着
性や表面の撥水性も向上させることができた。
As described above, according to the present invention, it is possible to obtain a laminate having a sufficient anti-reflection effect and a sufficient electromagnetic wave shielding effect.
Further, by providing a hard coat layer and an antifouling layer, the adhesion between layers and the water repellency of the surface could be improved.

【0022】[0022]

【図面の簡単な説明】[Brief description of the drawings]

【図1】本発明における反射防止積層体の断面構造の一
例を示す説明図である。
FIG. 1 is an explanatory diagram showing an example of a cross-sectional structure of an antireflection laminate according to the present invention.

【図2】本発明における反射防止積層体の断面構造の他
の一例を示す説明図である。
FIG. 2 is an explanatory view showing another example of the cross-sectional structure of the antireflection laminate according to the present invention.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

1…基材 2…セラミック薄膜 3〜6…セラミック薄膜層 7…ハードコート層 8…防汚層 DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 ... Base material 2 ... Ceramic thin film 3-6 ... Ceramic thin film layer 7 ... Hard coat layer 8 ... Antifouling layer

フロントページの続き (51)Int.Cl.6 識別記号 FI G02B 1/11 H04N 5/72 A H04N 5/72 G02B 1/10 A Continued on the front page (51) Int.Cl. 6 Identification code FI G02B 1/11 H04N 5/72 A H04N 5/72 G02B 1/10 A

Claims (6)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】基材上に少なくとも3層以上のセラミック
薄膜層を有し、前記セラミック薄膜層の少なくとも1層
は導電性を有するセラミック薄膜層である反射防止積層
体であって、前記導電性を有するセラミック薄膜層のシ
ート抵抗値が200Ω/□以下であることを特徴とする
反射防止積層体。
An anti-reflection laminate comprising at least three ceramic thin film layers on a substrate, wherein at least one of the ceramic thin film layers is a ceramic thin film layer having conductivity. The sheet resistance value of the ceramic thin film layer having the following is 200Ω / □ or less.
【請求項2】前記導電性を有するセラミック薄膜層が、
酸化インジウム、酸化亜鉛、酸化錫のいずれかまたはそ
れらの2種類もしくは3種類の混合酸化物を主成分とし
ていることを特徴とする請求項1記載の反射防止積層
体。
2. The method according to claim 1, wherein the conductive ceramic thin film layer comprises:
2. The anti-reflection laminate according to claim 1, wherein any one of indium oxide, zinc oxide, and tin oxide or a mixed oxide of two or three of them is a main component.
【請求項3】前記基材がプラスチックフィルムであるこ
とを特徴とする請求項1〜2のいずれか記載の反射防止
積層体。
3. The antireflection laminate according to claim 1, wherein the substrate is a plastic film.
【請求項4】前記基材とセラミック薄膜層との間にハー
ドコート層が形成されていることを特徴とする請求項1
〜3のいずれか記載の反射防止積層体。
4. A hard coat layer is formed between the substrate and the ceramic thin film layer.
4. The antireflection laminate according to any one of items 1 to 3.
【請求項5】前記セラミック薄膜層の表面に防汚層が形
成されていることを特徴とする請求項1〜4のいずれか
記載の反射防止積層体。
5. The antireflection laminate according to claim 1, wherein an antifouling layer is formed on a surface of said ceramic thin film layer.
【請求項6】前記セラミック薄膜層の基材に近い側の高
屈折率の層の屈折率が表面に近い側の高屈折率の層の屈
折率よりも高いことを特徴とする請求項1〜5のいずれ
か記載の反射防止積層体。
6. The ceramic thin film layer according to claim 1, wherein the refractive index of the high refractive index layer closer to the substrate is higher than the refractive index of the high refractive index layer closer to the surface. 6. The antireflection laminate according to any one of 5.
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Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2002327764A (en) * 2001-05-01 2002-11-15 Hitachi Electronics Eng Co Ltd Bearing waterproof structure and disc cleaning device
JP2004302086A (en) * 2003-03-31 2004-10-28 Dainippon Printing Co Ltd Manufacturing method for pattern forming body
US9369060B2 (en) 2012-01-06 2016-06-14 General Electric Company Power generation system and package

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