JP2000028804A - Antireflection laminated body and its production - Google Patents

Antireflection laminated body and its production

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JP2000028804A
JP2000028804A JP10200464A JP20046498A JP2000028804A JP 2000028804 A JP2000028804 A JP 2000028804A JP 10200464 A JP10200464 A JP 10200464A JP 20046498 A JP20046498 A JP 20046498A JP 2000028804 A JP2000028804 A JP 2000028804A
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Japan
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refractive index
layer
layers
antireflection
film
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JP10200464A
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Japanese (ja)
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Yutaka Kobayashi
裕 小林
Kazutoshi Kiyokawa
和利 清川
Takahiro Harada
隆宏 原田
Haruo Uyama
晴夫 宇山
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Toppan Inc
Original Assignee
Toppan Printing Co Ltd
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Publication date
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Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To obtain an enough antireflection effect and a shielding effect against electromagnetic waves by constituting the first high refractive index material layer from the base body side of an antireflection laminated body of two layers different in refractive index. SOLUTION: This antireflection laminated body 1 is produced by successively forming layers of an antireflection film 3 on a base body 2. The antireflection film 3 consists essentially of ceramic thin film layers of a high refractive index layer 4 and a medium refractive index layer 5 of a same material, a medium refractive index layer 7 of another high refractive index material, and low refractive index layers 6, 8. The layers 4, 5 may be a medium refractive index layer and a high refractive index layer, respectively. At least one layer of these layers is a ceramic thin film layer having electric conductivity. Thereby, electric conductivity can be added which is not added to a conventional antireflection laminated body consisting of only dielectric materials. Further, since the number of optical film layers is larger by one than the number of layers as materials, the degree of freedom in designing the optical film thickness is increased.

Description

【発明の詳細な説明】DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION

【0001】[0001]

【発明の属する技術分野】本発明は、電磁波シールド効
果を有する反射防止積層体に関するものである。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to an antireflection laminate having an electromagnetic wave shielding effect.

【0002】[0002]

【従来の技術】従来、テレビのブラウン管などでは、表
面の反射を防止する手段および電磁波を遮蔽するための
手段として、多層膜を真空蒸着法などによりコーティン
グしている。さらに液晶画面においてはそれらの表面に
凹凸を設けることで、乱反射させている。
2. Description of the Related Art Conventionally, in a cathode ray tube of a television or the like, a multilayer film is coated by a vacuum deposition method or the like as a means for preventing surface reflection and a means for shielding electromagnetic waves. Further, in the liquid crystal screen, irregular reflection is provided by providing irregularities on the surface.

【0003】透明であり、かつ導電性を有する層を反射
防止積層体に施した例は特開平5−323101号公報
に開示されているような酸化インジウムや酸化スズをベ
ースとしたものが知られており、また特開昭64−80
904号公報に開示されているような非常に薄い金属膜
を利用しているものが知られている。
An example in which a transparent and conductive layer is applied to an antireflection laminate is based on indium oxide or tin oxide as disclosed in JP-A-5-323101. And JP-A-64-80.
One using an extremely thin metal film as disclosed in Japanese Unexamined Patent Publication No. 904 is known.

【0004】[0004]

【発明が解決しようとする課題】上記従来技術において
は、導電性を有するセラミック薄膜層として用いられる
酸化インジウムや酸化スズの屈折率が2.0程度であ
り、積層数が少ないと十分な反射防止効果が得られない
という問題があった。
In the above prior art, the refractive index of indium oxide or tin oxide used as a conductive ceramic thin film layer is about 2.0, and if the number of layers is small, sufficient anti-reflection can be obtained. There was a problem that the effect could not be obtained.

【0005】また、電磁波シールドとして用いるには導
電性を有するセラミック薄膜層のシート抵抗を低くおさ
える必要があり、従来の帯電防止材料以上に低抵抗化が
要求される。さらに、導電性を有するセラミック薄膜層
を低抵抗にすればするほど電磁波シールド効果は高くな
る。
Further, in order to use as an electromagnetic wave shield, it is necessary to keep the sheet resistance of the ceramic thin film layer having conductivity low, and it is required to have a lower resistance than conventional antistatic materials. Further, the lower the resistance of the conductive ceramic thin film layer, the higher the electromagnetic wave shielding effect.

【0006】反射防止効果を向上させるために、各高屈
折率層あるいは各低屈折率層で異なる材料を用いたり、
同一の材料であっても膜の吸収を変えることにより、膜
の屈折率を変更したりしている。
In order to improve the antireflection effect, different materials are used for each high refractive index layer or each low refractive index layer,
Even with the same material, the refractive index of the film is changed by changing the absorption of the film.

【0007】しかし、多くの材料を用いると工程が複雑
になる。また、導電性を有するセラミック薄膜層の場
合、膜の屈折率を変更することにより、膜の抵抗値が変
化してしまうため、要求される抵抗値によっては仕様を
満たせない場合もある。
However, when many materials are used, the process becomes complicated. Further, in the case of a ceramic thin film layer having conductivity, the resistance value of the film is changed by changing the refractive index of the film, so that the specification may not be satisfied depending on the required resistance value.

【0008】本発明の課題は、上記問題点を解決し、十
分な反射防止効果を有し、さらに電磁波シールド効果を
有する反射防止積層体を提供することにある。
An object of the present invention is to solve the above problems and to provide an antireflection laminate having a sufficient antireflection effect and further having an electromagnetic wave shielding effect.

【0009】[0009]

【課題を解決するための手段】係る課題を解決するた
め、請求項1記載の発明は、導電性を有するセラミック
薄膜層を少なくとも1層含み、高屈折率材料の層と低屈
折率材料の層を交互に4層以上積層した反射防止膜を具
備する反射防止積層体であって、前記反射防止積層体の
基材側から数えて第1の高屈折率材料の層は屈折率の異
なる2層からなることを特徴とする反射防止積層体、と
したものである。
In order to solve the above-mentioned problems, the invention according to claim 1 includes at least one conductive ceramic thin film layer, and comprises a high refractive index material layer and a low refractive index material layer. An anti-reflection laminate comprising an anti-reflection film in which four or more layers are alternately laminated, wherein the first high-refractive-index material layer counted from the substrate side of the anti-reflection laminate has two layers having different refractive indices. An anti-reflection laminate characterized by comprising:

【0010】本発明の反射防止積層体によれば、従来の
誘電体のみで構成された反射防止積層体には付与されて
いなかった、導電性を付与することができる。さらに、
材料上の膜の層数と比べ、光学的な膜の層数が1層多く
なるため、光学的な膜厚の設計の自由度が上がる。
According to the antireflection laminate of the present invention, it is possible to impart conductivity, which has not been imparted to the conventional antireflection laminate composed of only a dielectric. further,
Since the number of optical films is one more than the number of films on the material, the degree of freedom in designing the optical film thickness is increased.

【0011】請求項2記載の発明は、反射防止積層体の
基材側から数えて第1の高屈折率材料の層中の2層の屈
折率を基材側からn11,n12、その他の高屈折率材料の
層の屈折率をn2 、低屈折率材料の層の屈折率をn3
したとき、n3 <n12≒n2<n11あるいはn3 <n11
≒n2 <n12であることを特徴とする請求項1記載の反
射防止積層体、としたものである。
According to a second aspect of the present invention, the refractive indices of the two layers in the first high refractive index material layer counted from the substrate side of the anti-reflection laminate are n 11 , n 12 , etc. When the refractive index of the high refractive index material layer is n 2 and the refractive index of the low refractive index material layer is n 3 , n 3 <n 12 ≒ n 2 <n 11 or n 3 <n 11
≒ n 2 <n 12 , wherein the antireflection laminate according to claim 1 is provided.

【0012】最も基材側の高屈折率層の屈折率n11をそ
の他の高屈折率層n2 よりも高くすると各層との干渉に
より、反射防止効果の及ぶ波長範囲を広げることができ
る。
[0012] Most of the substrate side refractive index n 11 of the high refractive index layer when higher than other high refractive index layer n 2 by interference between the respective layers, it is possible to widen the wavelength range over which the antireflection effect.

【0013】請求項3記載の発明は、反射防止積層体の
基材側から数えて第1の高屈折率材料の層が導電性を有
するセラミック薄膜層であることを特徴とする請求項1
または2記載の反射防止積層体、としたものである。
According to a third aspect of the present invention, the first high refractive index material layer counted from the substrate side of the antireflection laminate is a conductive ceramic thin film layer.
Or the antireflection laminate according to 2.

【0014】一般に、酸化インジウムや酸化スズなどの
導電性を有するセラミック薄膜は、高屈折率材料として
用いられるが、高い屈折率を追求すると導電性が低くな
り、導電性を追求すると屈折率が低くなる。ここで、反
射防止積層体の基材から数えて第1の高屈折率材料の層
に、導電性を有する高屈折率層/中間屈折率層として用
いることにより、同一の材料で高屈折率と導電性という
相反する特性が生かせる。
In general, a conductive ceramic thin film such as indium oxide or tin oxide is used as a material having a high refractive index. Become. Here, by using the first high-refractive-index material layer counted from the base material of the anti-reflection laminate as a conductive high-refractive-index layer / intermediate-refractive-index layer, the same material has a high refractive index. The opposite property of conductivity can be used.

【0015】請求項4記載の発明は、導電性を有するセ
ラミック薄膜層が、酸化インジウム、酸化亜鉛、酸化ス
ズのいずれか、または、それらの2種類もしくは3種類
の複合酸化物を主成分としていることを特徴とする請求
項1、2または3記載の反射防止積層体、としたもので
ある。
According to a fourth aspect of the present invention, the ceramic thin film layer having conductivity mainly contains any one of indium oxide, zinc oxide and tin oxide, or two or three kinds of composite oxides thereof. An antireflection laminate according to claim 1, 2 or 3.

【0016】請求項5記載の発明は、基材がプラスチッ
クフィルムであることを特徴とする請求項1から4のい
ずれかに記載の反射防止積層体、としたものである。
According to a fifth aspect of the present invention, there is provided the antireflection laminate according to any one of the first to fourth aspects, wherein the substrate is a plastic film.

【0017】プラスチック上に作製されていることで、
柔軟性を上げることができ、二次曲面への貼り付けが可
能となった。
Being made on plastic,
Flexibility can be increased, and it can be pasted on a quadric surface.

【0018】請求項6記載の発明は、基材と反射防止膜
の間にハードコート層が形成されていることを特徴とす
る請求項1から5のいずれかに記載の反射防止積層体、
としたものである。
According to a sixth aspect of the present invention, there is provided the antireflection laminate according to any one of the first to fifth aspects, wherein a hard coat layer is formed between the substrate and the antireflection film.
It is what it was.

【0019】このことにより、硬い反射防止膜と柔軟性
をもつ基材との緩衝作用をこのハードコート層が果たす
ことができ、同時に密着性の向上も果たすことができ
る。
As a result, the hard coat layer can perform a buffering action between the hard antireflection film and the flexible substrate, and can also improve the adhesion at the same time.

【0020】請求項7記載の発明は、基材とは反対側の
面に防汚層が形成されていることを特徴とする請求項1
から6のいずれかに記載の反射防止積層体、としたもの
である。
The invention according to claim 7 is characterized in that an antifouling layer is formed on the surface opposite to the base material.
7. The antireflection laminate according to any one of 1. to 6.

【0021】これにより防汚効果も具備される。Thus, an antifouling effect is also provided.

【0022】請求項8記載の発明は、反射防止積層体の
基材側から数えて第1の高屈折率材料の層中の屈折率の
異なる2層を真空成膜法で成膜・積層する際、成膜室中
の酸素分圧を変化させることで屈折率を制御・変化させ
ることを特徴とする請求項1から7のいずれかに記載の
反射防止積層体の製造方法、としたものである。
According to an eighth aspect of the present invention, two layers having different refractive indexes in the first high refractive index material layer counted from the substrate side of the antireflection laminate are formed and laminated by a vacuum film forming method. 8. The method according to claim 1, wherein the refractive index is controlled and changed by changing the oxygen partial pressure in the film forming chamber. is there.

【0023】酸化インジウムや酸化スズなどの導電性を
有するセラミック薄膜は、成膜の際の条件を変化させる
ことにより、屈折率や吸収を変化させることができる。
このことを利用して、成膜時の酸素分圧を制御すること
により、容易に膜の屈折率を変化させることができる。
A ceramic thin film having conductivity, such as indium oxide or tin oxide, can change its refractive index and absorption by changing the conditions at the time of film formation.
By utilizing this fact, the refractive index of the film can be easily changed by controlling the oxygen partial pressure during film formation.

【0024】請求項9記載の発明は、反射防止積層体の
基材側から数えて第1の高屈折率材料の層の屈折率の異
なる2層を、複数の成膜装置を用い、インラインの1回
の工程で同時に成膜することを特徴とする請求項1から
8のいずれかに記載の反射防止積層体の製造方法、とし
たものである。
According to a ninth aspect of the present invention, two layers having different refractive indices of the first high refractive index material layer counted from the substrate side of the anti-reflection laminate are used in a plurality of film forming apparatuses to form an in-line. The method for producing an antireflection laminate according to any one of claims 1 to 8, wherein the film is formed simultaneously in one step.

【0025】低反射積層体の基材側から数えて第1の高
屈折率材料の層の屈折率の異なる2層について、インラ
インの複数の連続した成膜装置を膜厚構成に応じた成膜
レートに合わせた2グループに分けることにより、1回
ラインを通すことにより、同時に成膜することができ
る。これは、同じ材料を用いているため、真空成膜の場
合でも排気能力がある程度以上あれば、成膜室がはっき
りと分かれている必要が無い。
For two layers of the first high-refractive-index material having different refractive indices counted from the substrate side of the low-reflection laminate, a plurality of in-line continuous film-forming apparatuses are formed in accordance with the film thickness structure. By dividing into two groups according to the rate, the film can be formed simultaneously by passing the line once. Since the same material is used, even in the case of vacuum deposition, there is no need to clearly separate the deposition chambers as long as the evacuation capacity is at least a certain level.

【0026】[0026]

【発明の実施の形態】以下、本発明の実施形態を図面を
用いて詳細に説明する。
Embodiments of the present invention will be described below in detail with reference to the drawings.

【0027】図1は本発明の反射防止積層体の構成の一
例を示す断面図である。
FIG. 1 is a sectional view showing an example of the configuration of the antireflection laminate of the present invention.

【0028】図中の1は反射防止積層体であり、基材2
上に反射防止膜3が順次積層される。反射防止膜3は、
材料の同じ高屈折率層4、中間屈折率層5、他の高屈折
率材料よりなる中間屈折率層7、および低屈折率層6、
8からなる主にセラミック薄膜層である。ここで、4が
中間屈折率層、5が高屈折率層であっても良い。そし
て、その中の少なくとも1層は導電性を有するセラミッ
ク薄膜層である。
In the figure, reference numeral 1 denotes an antireflection laminate,
An anti-reflection film 3 is sequentially laminated thereon. The anti-reflection film 3
The same high-refractive-index layer 4, intermediate-refractive-index layer 5, intermediate-refractive-index layer 7 made of another high-refractive-index material, and low-refractive-index layer 6,
8 mainly consisting of a ceramic thin film layer. Here, 4 may be an intermediate refractive index layer and 5 may be a high refractive index layer. At least one of the layers is a ceramic thin film layer having conductivity.

【0029】基材2は、十分な透明性を有することが必
要であり、さらにある程度の表面の平滑性を有していれ
ばよく、特に限定される物ではなく、例えば、ポリメチ
ルメタクリレート、ポリカーボネート、ポリスチレン、
ポリエチレンサルファイド、ポリエーテルスルホン、ポ
リオレフィン、ポリエチレンテレフタレート、ポリエチ
レンナフタレート、トリアセチルセルロース等の高分子
フィルムが挙げられる。ガラスであっても特に問題とな
るものではない。
The substrate 2 needs to have sufficient transparency, and it is sufficient that the substrate 2 has a certain degree of surface smoothness. The material is not particularly limited, and examples thereof include polymethyl methacrylate and polycarbonate. ,polystyrene,
Polymer films such as polyethylene sulfide, polyether sulfone, polyolefin, polyethylene terephthalate, polyethylene naphthalate, and triacetyl cellulose are exemplified. Even glass is not a particular problem.

【0030】本発明において、セラミック薄膜とは無機
化合物薄膜であって、酸化物、硫化物、フッ化物、窒化
物などからなる薄膜をいう。本発明の反射防止積層体は
屈折率の異なるセラミックを交互に特定の膜厚で複数層
積層することにより反射防止積層体を作製でき、それら
の材料として、低屈折率層6、8としては、酸化マグネ
シウム(屈折率n=1.6)、二酸化珪素(n=1.
5)、フッ化マグネシウム(n=1.4)、フッ化カル
シウム(n=1.3〜1.4)、フッ化セリウム(n=
1.6)、フッ化アルミニウム(n=1.3)、酸化ア
ルミニウム(n=1.6)などが挙げられる。また、高
屈折率層あるいは中間屈折率層4、5、7の材料として
は、二酸化チタン(n=2.4)、二酸化ジルコニウム
(n=2.0)、硫化亜鉛(n=2.3)、酸化タンタ
ル(n=2.1)、酸化亜鉛(n=2.1)、酸化イン
ジウム(n=2.0)などが挙げられる。
In the present invention, the ceramic thin film is an inorganic compound thin film, which is a thin film made of an oxide, a sulfide, a fluoride, a nitride or the like. The anti-reflection laminate of the present invention can produce an anti-reflection laminate by alternately laminating a plurality of ceramics having different refractive indices with a specific film thickness. As the low-refractive-index layers 6 and 8 as their materials, Magnesium oxide (refractive index n = 1.6), silicon dioxide (n = 1.
5), magnesium fluoride (n = 1.4), calcium fluoride (n = 1.3 to 1.4), cerium fluoride (n =
1.6), aluminum fluoride (n = 1.3), aluminum oxide (n = 1.6), and the like. Materials for the high refractive index layer or the intermediate refractive index layers 4, 5, and 7 include titanium dioxide (n = 2.4), zirconium dioxide (n = 2.0), and zinc sulfide (n = 2.3). , Tantalum oxide (n = 2.1), zinc oxide (n = 2.1), indium oxide (n = 2.0), and the like.

【0031】具体的に導電性を有するセラミック薄膜層
の例としては、酸化インジウム、酸化亜鉛、酸化スズの
いずれか、または、それらの2種類もしくは3種類の混
合酸化物が挙げられるが、目的、用途によって、いかな
る導電性材料を用いても良い。
Specific examples of the ceramic thin film layer having conductivity include any of indium oxide, zinc oxide, and tin oxide, or a mixed oxide of two or three of them. Depending on the application, any conductive material may be used.

【0032】本発明の反射防止積層体は、膜厚の制御が
可能であれば、いかなる成膜方法も用いることが可能で
ある。なかでも薄膜の生成には乾式法が優れており、こ
れには通常の真空蒸着法等の物理的気相析出法やCVD
法のような化学的気相析出法を用いることができる。
As for the antireflection laminate of the present invention, any film formation method can be used as long as the film thickness can be controlled. Above all, the dry method is superior for the formation of thin films, including the physical vapor deposition method such as the ordinary vacuum evaporation method and the CVD method.
A chemical vapor deposition method such as the method can be used.

【0033】また、場合により図2のように防汚層1
0、ハードコート層9の何れか、もしくは両方を設けて
も良いが、これらの層は必ずしも必要ではなく、要求特
性により選択的に設ければ良い層である。この図2の実
施例は、図1の反射防止積層体にハードコート層9、防
汚層10を加えたものである。
In some cases, as shown in FIG.
Either or both of the hard coat layer 9 and the hard coat layer 9 may be provided, but these layers are not necessarily required, and may be selectively provided depending on required characteristics. The embodiment of FIG. 2 is obtained by adding a hard coat layer 9 and an antifouling layer 10 to the antireflection laminate of FIG.

【0034】ハードコート層9は、いかなる材料でも良
いが、全体の透明度を阻害しない程度以上に透明である
ことが条件である。また、その屈折率は基材と同じであ
るかそれに近いことが望ましい。例えば紫外線硬化性の
アクリル等があげられる。また、膜厚は特に限定しない
が、3〜6μmの厚さが望ましい。
The hard coat layer 9 may be made of any material, provided that the hard coat layer 9 is transparent so as not to impair the overall transparency. It is desirable that the refractive index is the same as or close to that of the base material. For example, ultraviolet curable acrylic and the like can be mentioned. The thickness is not particularly limited, but is preferably 3 to 6 μm.

【0035】防汚層10は、特に低反射機能に影響を与
えないものであれば、その成膜方法はいかなるものでも
よく、用途目的に応じて、種種の組成物から選択でき、
有機物、無機物のいずれでも良く、例えば、フロシラン
系のものが用いられるが、防汚性があればこれに限定さ
れるものではない。また、この防汚層を設ける処理とし
ては湿式法、乾式法のいずれも採用可能であるが、特に
CVD等による乾式処理が目的に特に適合した処理であ
る。また、膜厚は特に限定しないが、光学的特性に影響
を与えないような5〜15nmの厚さが好ましい。
The antifouling layer 10 can be formed by any method as long as it does not affect the low reflection function, and can be selected from various compositions according to the purpose of use.
Either an organic substance or an inorganic substance may be used. For example, a furosilane-based substance may be used, but is not limited thereto as long as it has an antifouling property. As the treatment for providing the antifouling layer, any of a wet method and a dry method can be adopted, but a dry treatment by CVD or the like is a treatment particularly suited to the purpose. The thickness is not particularly limited, but is preferably 5 to 15 nm so as not to affect the optical characteristics.

【0036】[0036]

【実施例】【Example】

【0037】<実施例1、比較例1>基材2として、厚
さ100μmのポリエチレンテレフタレート(以下PE
T)を使用し、反射防止膜3には基材側より、波長45
0nm〜650nmにおける屈折率分散が2.2〜2.
0の酸化インジウムスズの高屈折率層4(光学膜厚約λ
/16)(光学膜厚:屈折率n×膜厚d、設定波長:λ
=520nm、以下同じ)、波長450nm〜650n
mにおける屈折率分散が2.1〜1.9の酸化インジウ
ムスズの中間屈折率層5(光学膜厚約λ/16)、二酸
化珪素の低屈折率層6(光学膜厚約λ/16)、波長4
50nm〜650nmにおける屈折率分散が2.1〜
1.9の酸化インジウムスズの中間屈折率層7(光学膜
厚約λ/4)、二酸化珪素の低屈折率層8(光学膜厚約
λ/4)を真空成膜した。このとき、ライン中に2台の
スパッタ装置を備えた成膜機により、最も基材側の酸化
インジウムスズの高屈折率層4は酸素分圧1.6×10
-2Pa、より表面側の酸化インジウムスズ中間屈折率層
5、7は酸素分圧8.0×10-3Paに設定し、アルゴ
ンを導入しそれぞれ5.6×10-1Paとして、1回の
パスにより成膜した。
<Example 1, Comparative Example 1> As a substrate 2, polyethylene terephthalate (hereinafter referred to as PE) having a thickness of 100 μm was used.
T), and the antireflection film 3 has a wavelength of 45
The refractive index dispersion at 0 nm to 650 nm is 2.2 to 2.
0 indium tin oxide high refractive index layer 4 (optical thickness about λ
/ 16) (optical film thickness: refractive index n × film thickness d, set wavelength: λ)
= 520 nm, the same applies hereinafter), wavelength 450 nm to 650 n
The intermediate refractive index layer 5 of indium tin oxide (optical film thickness of about λ / 16) and the low refractive index layer 6 of silicon dioxide (optical film thickness of about λ / 16) having a refractive index dispersion of 2.1 to 1.9 at m. , Wavelength 4
Refractive index dispersion at 50 nm to 650 nm is 2.1 to
The intermediate refractive index layer 7 of 1.9 indium tin oxide (optical thickness of about λ / 4) and the low refractive index layer 8 of silicon dioxide (optical thickness of about λ / 4) were formed in vacuum. At this time, the high refractive index layer 4 of indium tin oxide closest to the substrate side was formed with an oxygen partial pressure of 1.6 × 10 4 by a film forming machine having two sputtering devices in the line.
-2 Pa, the indium tin oxide intermediate refractive index layers 5 and 7 on the more surface side are set to an oxygen partial pressure of 8.0 × 10 −3 Pa, and argon is introduced to make each a 5.6 × 10 −1 Pa. The film was formed by multiple passes.

【0038】得られた膜の分光反射率は波長450nm
〜650nmで平均0.75%(PET基材6.0
%)、波長550nmで0.75%(PET基材6.0
%)で屈折率分散が同じ酸化インジウムスズを用いたと
きに比べ、光線反射率が1%以下となる波長範囲が5%
広がった。これらの反射防止膜の分光反射率スペクトル
を図3に示す。
The spectral reflectance of the obtained film is 450 nm in wavelength.
0.75% on average at ~ 650 nm (PET substrate 6.0
%), 0.75% at a wavelength of 550 nm (PET substrate 6.0)
%), Compared with the case where indium tin oxide having the same refractive index dispersion is used, the wavelength range where the light reflectance is 1% or less is 5%.
Spread. FIG. 3 shows the spectral reflectance spectra of these antireflection films.

【0039】また、酸化インジウムスズの層のシート抵
抗値は80Ω/□以下で、反射防止効果が及ぶ波長範囲
を広げるための構成である、波長450nm〜650n
mにおける屈折率分散が2.2〜2.0の酸化インジウ
ムスズ(光学膜厚約λ/8)、二酸化珪素(光学膜厚約
λ/16)、波長450nm〜650nmにおける屈折
率分散が2.1〜1.9の酸化インジウムスズ(光学膜
厚約λ/4)、二酸化珪素(光学膜厚約λ/4)を真空
成膜した反射防止膜に比べ、約20%シート抵抗値が低
下した。さらに、良好な電磁波シールド効果(周波数1
00MHzにおいて30dB)が得られた。
The sheet resistance of the indium tin oxide layer is 80 Ω / □ or less, and the wavelength is 450 nm to 650 n, which is a configuration for expanding the wavelength range over which the antireflection effect is exerted.
Indium tin oxide (optical film thickness of about λ / 8) and silicon dioxide (optical film thickness of about λ / 16) having a refractive index dispersion of 2.2 to 2.0 at m, and a refractive index dispersion of 2.50 at a wavelength of 450 nm to 650 nm. The sheet resistance was reduced by about 20% as compared with an antireflection film formed by vacuum deposition of indium tin oxide of 1 to 1.9 (optical film thickness of about λ / 4) and silicon dioxide (optical film thickness of about λ / 4). . Furthermore, a good electromagnetic wave shielding effect (frequency 1
30 dB) was obtained at 00 MHz.

【0040】<実施例2、比較例2>基材2として紫外
線硬化性のアクリル系ハードコート層9を4μmの膜厚
で塗布した厚さ188μmのPETを使用し、反射防止
膜3には基材側より、波長450nm〜650nmにお
ける屈折率分散が2.0〜1.8の酸化亜鉛の中間屈折
率層4(光学膜厚約λ/16)、波長450nm〜65
0nmにおける屈折率分散が2.1〜1.9の酸化亜鉛
の高屈折率層5(光学膜厚約λ/16)、二酸化珪素の
低屈折率層6(光学膜厚約λ/16)、波長450nm
〜650nmにおける屈折率分散が2.0〜1.8の酸
化亜鉛の中間屈折率層7(光学膜厚約λ/4)、二酸化
珪素の低屈折率層8(光学膜厚約λ/4)を真空成膜し
た。このとき、ライン中に2台のスパッタ装置を備えた
成膜機により、最も基材側の酸化亜鉛の中間屈折率層4
は酸素分圧9.3×10-3Pa、より表面側の酸化亜鉛
の高屈折率層5は酸素分圧2.0×10-2Paに設定
し、アルゴンを導入しそれぞれ5.7×10-1Paとし
て、1回のパスにより成膜した。そしてさらに防汚層1
0としてCVDによりフルオロアルキルシラン10nm
を成膜した。
<Example 2 and Comparative Example 2> A 188 μm-thick PET coated with a 4 μm-thick ultraviolet-curable acrylic hard coat layer 9 was used as the base material 2. From the material side, the zinc oxide intermediate refractive index layer 4 (optical thickness: about λ / 16) having a refractive index dispersion of 2.0 to 1.8 at a wavelength of 450 nm to 650 nm, and a wavelength of 450 nm to 65
A high refractive index layer 5 of zinc oxide (optical thickness of about λ / 16), a low refractive index layer 6 of silicon dioxide (optical thickness of about λ / 16) having a refractive index dispersion of 2.1 to 1.9 at 0 nm, 450nm wavelength
An intermediate refractive index layer 7 of zinc oxide (optical thickness of about λ / 4) and a low refractive index layer 8 of silicon dioxide (optical thickness of about λ / 4) having a refractive index dispersion of 2.0 to 1.8 at 50650 nm. Was formed into a vacuum film. At this time, a zinc oxide intermediate refractive index layer 4 closest to the substrate side is formed by a film forming machine having two sputtering devices in the line.
Is set to an oxygen partial pressure of 9.3 × 10 −3 Pa, and the higher refractive index layer 5 of zinc oxide on the surface side is set to an oxygen partial pressure of 2.0 × 10 −2 Pa, and argon is introduced to each of 5.7 × 10 −3 Pa. The film was formed by one pass at 10 -1 Pa. And antifouling layer 1
0 as fluoroalkylsilane 10 nm by CVD
Was formed.

【0041】得られた膜の分光反射率は波長450nm
〜650nmで平均0.50%(PET基材6.0
%)、波長550nmで0.49%(PET基材6.0
%)で屈折率分散が同じ酸化亜鉛を用いたときに比べ、
光線反射率が1%以下となる波長範囲が5%広がった。
The resulting film has a spectral reflectance of 450 nm.
0.50% on average at ~ 650 nm (PET substrate 6.0
%), 0.49% at a wavelength of 550 nm (PET substrate 6.0)
%), Compared with the case where zinc oxide having the same refractive index dispersion is used.
The wavelength range in which the light reflectivity is 1% or less is widened by 5%.

【0042】また、酸化亜鉛の層のシート抵抗値は10
0Ω/□以下で、反射防止効果が及ぶ波長範囲を広げる
ための構成である、波長450nm〜650nmにおけ
る屈折率分散が2.1〜1.9の酸化亜鉛(光学膜厚約
λ/8)、二酸化珪素(光学膜厚約λ/16)、波長4
50nm〜650nmにおける屈折率分散が2.0〜
1.8の酸化亜鉛(光学膜厚約λ/4)、二酸化珪素
(光学膜厚約λ/4)を真空成膜した反射防止膜に比
べ、約20%シート抵抗値が低下した。さらに、良好な
電磁波シールド効果(周波数100MHzにおいて30
dB)が得られた。表面純水接触角は107度であっ
た。
The sheet resistance of the zinc oxide layer is 10
Zinc oxide (optical thickness of about λ / 8) having a refractive index dispersion of 2.1 to 1.9 at a wavelength of 450 nm to 650 nm, which is a configuration for expanding the wavelength range where the antireflection effect is exerted at 0 Ω / □ or less. Silicon dioxide (optical thickness about λ / 16), wavelength 4
The refractive index dispersion at 50 nm to 650 nm is 2.0 to
The sheet resistance was reduced by about 20% as compared with an antireflection film formed by vacuum deposition of 1.8 zinc oxide (optical thickness of about λ / 4) and silicon dioxide (optical thickness of about λ / 4). Furthermore, a good electromagnetic wave shielding effect (30
dB) was obtained. The surface pure water contact angle was 107 degrees.

【0043】[0043]

【発明の効果】本発明により、反射防止効果の波長範囲
を広げたまま、膜のシート抵抗値を低下させることがで
きる。また、積層構成、膜厚を工夫することにより、さ
らに基材と反射防止膜の密着性や防汚性および分光特性
を向上させることができる。
According to the present invention, the sheet resistance of the film can be reduced while the wavelength range of the antireflection effect is widened. Further, by devising the lamination structure and the film thickness, the adhesion between the substrate and the antireflection film, the antifouling property and the spectral characteristics can be further improved.

【図面の簡単な説明】[Brief description of the drawings]

【図1】本発明の反射防止積層体の一例を示す断面図で
ある。
FIG. 1 is a cross-sectional view illustrating an example of an antireflection laminate according to the present invention.

【図2】本発明の他の反射防止積層体の一例を示す断面
図である。
FIG. 2 is a sectional view showing an example of another antireflection laminate according to the present invention.

【図3】本発明の実施例1、比較例1により得られた反
射防止積層体の分光反射率スペクトルである。
FIG. 3 is a spectral reflectance spectrum of the antireflection laminate obtained in Example 1 and Comparative Example 1 of the present invention.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

1…反射防止積層体 2…基材 3…反射防止膜 4、5、7…中間あるいは高屈折率層 6、8…低屈折率層 9…ハードコート層 10…防汚層 DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 ... Anti-reflective laminated body 2 ... Substrate 3 ... Anti-reflective film 4,5,7 ... Intermediate or high refractive index layer 6,8 ... Low refractive index layer 9 ... Hard coat layer 10 ... Anti-fouling layer

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 宇山 晴夫 東京都台東区台東1丁目5番1号 凸版印 刷株式会社内 Fターム(参考) 2K009 AA07 AA10 AA15 BB12 BB13 BB14 BB24 BB28 CC01 CC03 DD04 EE03 EE05 4F100 AA17A AA20 AA25A AA28A AD00A AD00B AD00C AD00D AK01E AK42 AT00E BA05 BA08 BA10D BA10E EH66 GB41 JD08 JG01A JG01B JG01C JG01D JL06D JM02A JM02B JM02C JM02D JN06 JN18B JN18C JN18D JN18E 5G435 AA01 BB02 BB12 DD12 FF01 GG33 HH02 HH12 KK07  ────────────────────────────────────────────────── ─── Continued on the front page (72) Inventor Haruo Uyama 1-5-1, Taito, Taito-ku, Tokyo Toppan Printing Co., Ltd. F-term (reference) 2K009 AA07 AA10 AA15 BB12 BB13 BB14 BB24 BB28 CC01 CC03 DD04 EE03 EE05 4F100 AA17A AA20 AA25A AA28A AD00A AD00B AD00C AD00D AK01E AK42 AT00E BA05 BA08 BA10D BA10E EH66 GB41 JD08 JG01A JG01B JG01C JG01D JL06D JM02A JM02B JM02C JM02D JN12 JN12 JN02 JN02 JN02 JN02

Claims (9)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】導電性を有するセラミック薄膜層を少なく
とも1層含み、高屈折率材料の層と低屈折率材料の層を
交互に4層以上積層した反射防止膜を具備する反射防止
積層体であって、前記反射防止積層体の基材側から数え
て第1の高屈折率材料の層は屈折率の異なる2層からな
ることを特徴とする反射防止積層体。
1. An anti-reflection laminate comprising at least one conductive ceramic thin film layer and an anti-reflection film in which four or more high-refractive-index material layers and low-refractive-index material layers are alternately laminated. The anti-reflection laminate, wherein the first high-refractive-index material layer counted from the substrate side of the anti-reflection laminate includes two layers having different refractive indices.
【請求項2】反射防止積層体の基材側から数えて第1の
高屈折率材料の層中の2層の屈折率を基材側からn11
12、その他の高屈折率材料の層の屈折率をn2 、低屈
折率材料の層の屈折率をn3 としたとき、n3 <n12
2 <n11あるいはn3 <n 11≒n2 <n12であること
を特徴とする請求項1記載の反射防止積層体。
2. The first anti-reflection laminate counted from the substrate side.
The refractive indices of the two layers in the high refractive index material layer are set to n from the substrate side.11,
n12, The refractive index of the layer of other high refractive index material is nTwo, Low bow
The refractive index of the layer of the refractive index material is nThreeAnd nThree<N12
nTwo<N11Or nThree<N 11≒ nTwo<N12Being
The anti-reflection laminate according to claim 1, wherein:
【請求項3】反射防止積層体の基材側から数えて第1の
高屈折率材料の層が導電性を有するセラミック薄膜層で
あることを特徴とする請求項1または2記載の反射防止
積層体。
3. The anti-reflection laminate according to claim 1, wherein the first high-refractive-index material layer counted from the substrate side of the anti-reflection laminate is a conductive ceramic thin film layer. body.
【請求項4】導電性を有するセラミック薄膜層が、酸化
インジウム、酸化亜鉛、酸化スズのいずれか、または、
それらの2種類もしくは3種類の複合酸化物を主成分と
していることを特徴とする請求項1、2または3記載の
反射防止積層体。
4. The method according to claim 1, wherein the conductive ceramic thin film layer is formed of any one of indium oxide, zinc oxide and tin oxide, or
4. The antireflection laminate according to claim 1, wherein said two or three kinds of composite oxides are used as main components.
【請求項5】基材がプラスチックフィルムであることを
特徴とする請求項1から4のいずれかに記載の反射防止
積層体。
5. The antireflection laminate according to claim 1, wherein the substrate is a plastic film.
【請求項6】基材と反射防止膜の間にハードコート層が
形成されていることを特徴とする請求項1から5のいず
れかに記載の反射防止積層体。
6. The anti-reflection laminate according to claim 1, wherein a hard coat layer is formed between the substrate and the anti-reflection film.
【請求項7】基材とは反対側の面に防汚層が形成されて
いることを特徴とする請求項1から6のいずれかに記載
の反射防止積層体。
7. The antireflection laminate according to claim 1, wherein an antifouling layer is formed on a surface opposite to the substrate.
【請求項8】反射防止積層体の基材側から数えて第1の
高屈折率材料の層中の屈折率の異なる2層を真空成膜法
で成膜・積層する際、成膜室中の酸素分圧を変化させる
ことで屈折率を制御・変化させることを特徴とする請求
項1から7のいずれかに記載の反射防止積層体の製造方
法。
8. When forming and laminating two layers having different refractive indexes in the first high refractive index material layer counted from the substrate side of the antireflection laminate by a vacuum film forming method, The method for producing an antireflection laminate according to any one of claims 1 to 7, wherein the refractive index is controlled / changed by changing the oxygen partial pressure of (1).
【請求項9】反射防止積層体の基材側から数えて第1の
高屈折率材料の層の屈折率の異なる2層を、複数の成膜
装置を用い、インラインの1回の工程で同時に成膜する
ことを特徴とする請求項1から8のいずれかに記載の反
射防止積層体の製造方法。
9. A plurality of first high-refractive-index material layers having different refractive indices counted from the substrate side of the anti-reflection laminate are simultaneously formed in a single in-line process using a plurality of film forming apparatuses. The method for producing an antireflection laminate according to any one of claims 1 to 8, wherein a film is formed.
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