JPH1173621A - Laminated thin film disk for longitudinal recording - Google Patents
Laminated thin film disk for longitudinal recordingInfo
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Abstract
Description
【0001】[0001]
【発明の属する技術分野】本発明は、薄膜磁気ディスク
を有するディスク・ドライブなどのデータ記憶装置の分
野に関する。具体的には、本発明は、複数の磁性層を有
する薄膜磁気ディスクに関する。The present invention relates to the field of data storage devices such as disk drives having thin film magnetic disks. Specifically, the present invention relates to a thin-film magnetic disk having a plurality of magnetic layers.
【0002】[0002]
【従来の技術】従来のドライブ・アセンブリにおける磁
気記録ディスクは、一般に、基板と、クロム(Cr)ま
たはCr合金の薄膜から成る基層と、基層上に付着させ
たコバルト・ベースの磁気合金層と、磁性層の上の保護
被覆層とから成る。NiP被覆AlMg、ガラス、ガラ
ス・セラミック、ガラス・カーボンなどの様々なディス
ク基板が使用されてきた。磁性層の微小構造パラメー
タ、すなわち結晶定向性(PO)、結晶粒度、および粒
子間の磁気交換デカップリングが、ディスクの記録特性
の制御において重要な役割を果たす。Cr基層は、主と
してコバルト・ベースの磁気合金のPOや結晶粒度など
の微小構造パラメータを制御するために使用される。デ
ィスク上に層を形成する様々な材料のPOは、必ずしも
その材料に見られる排他的な配向とは限らず、単に主要
な配向にすぎない。NiP被覆されたAlMg基板上に
Cr基層を高温で付着させると、通常は[100]定向
性(PO)が形成される。このPOは、[1120]P
Oのhcpコバルト(Co)合金のエピタキシャル成長
を促進し、それによってディスク平面内の磁気性能が向
上する。[1120]POは、その(1120)平面が
膜の表面に対してほとんど平行な六方構造の膜を指す。
同様に、[1010]POは、その(1010)平面が
膜の表面に対してほとんど平行な六方構造の膜を指す。
ガラスおよびほとんどの非金属基板上のCrまたはCr
合金基層の核生成および成長は、NiP被覆AlMg基
板上のそれらの核生成および成長とは大幅に異なるた
め、ガラス基板上に製作された媒体は同じ付着条件下で
NiP被覆AlMg基板上に形成された媒体と比較して
雑音が大きくなることが多い。基板上で初期層(シード
層と呼ぶ)を使用する必要があるのはこのためである。
基層の核生成と成長を制御するために代替基板と基層と
の間にシード層を形成し、さらに基層は磁性層に影響を
与える。ガラスおよび非貴金属基板上のAl、Cr、C
rNi、Ti、Ni3P、MgO、Ta、C、W、Z
r、AIN、NiAlなどいくつかの材料が、シード層
として提案されている。(たとえばリー(Lee)等の「S
eed Layer induced (002) crystallographic texture i
n NiAl underlayers」、J. Appl, Phys. 79(8), 1996年4
月15日, p.4902ffを参照。)単一磁性層ディスクでは、
ラフリン(Laughlin)等がNiAlシード層を使用した
後で2.5nmの厚さのCr基層とCoCrPt磁性層
を使用する方法について書いている。Cr基層を有する
NiAlシード層は、磁性層内に[1010]集合組織
を組み込むものと言われていた。(「The Control and
Characterization of the Crystallographic Textureof
Longitudinal Thin Film Recording Media」、IEEE Tr
ans. Magnetic. 32(5), 1996年9月, 3632)。2. Description of the Related Art A magnetic recording disk in a conventional drive assembly generally includes a substrate, a base layer made of a thin film of chromium (Cr) or a Cr alloy, and a cobalt-based magnetic alloy layer deposited on the base layer. A protective coating layer on the magnetic layer. Various disk substrates, such as NiP coated AlMg, glass, glass-ceramic, glass-carbon, have been used. The microstructure parameters of the magnetic layer, namely crystal orientation (PO), grain size, and magnetic exchange decoupling between grains play an important role in controlling the recording characteristics of the disk. The Cr base layer is used primarily to control microstructural parameters such as PO and grain size of the cobalt-based magnetic alloy. The PO of the various materials that form the layers on the disk is not necessarily the exclusive orientation found in that material, but is merely the primary orientation. When a Cr-based layer is deposited at high temperature on a NiP-coated AlMg substrate, a [100] oriented (PO) is usually formed. This PO is [1120] P
Promotes the epitaxial growth of the hcp cobalt (Co) alloy of O, thereby improving the magnetic performance in the plane of the disk. [1120] PO refers to a film with a hexagonal structure whose (1120) plane is almost parallel to the surface of the film.
Similarly, [1010] PO refers to a film having a hexagonal structure whose (1010) plane is almost parallel to the surface of the film.
Cr or Cr on glass and most nonmetallic substrates
Because the nucleation and growth of the alloy base layer is significantly different from their nucleation and growth on NiP-coated AlMg substrates, media fabricated on glass substrates are formed on NiP-coated AlMg substrates under the same deposition conditions. Noise is often greater than that of a medium that has been lost. This is why it is necessary to use an initial layer (called a seed layer) on the substrate.
A seed layer is formed between the replacement substrate and the substrate to control nucleation and growth of the substrate, and the substrate affects the magnetic layer. Al, Cr, C on glass and non-precious metal substrates
rNi, Ti, Ni 3 P, MgO, Ta, C, W, Z
Several materials, such as r, AIN, NiAl, have been proposed as seed layers. (For example, "S
eed Layer induced (002) crystallographic texture i
n NiAl underlayers ", J. Appl, Phys. 79 (8), 1996.4
See March 15, p.4902ff. ) For a single magnetic layer disc,
Laughlin et al. Describe a method of using a 2.5 nm thick Cr base layer and a CoCrPt magnetic layer after using a NiAl seed layer. A NiAl seed layer with a Cr base layer was said to incorporate a [1010] texture in the magnetic layer. ("The Control and
Characterization of the Crystallographic Textureof
Longitudinal Thin Film Recording Media '', IEEE Tr
ans. Magnetic. 32 (5), September 1996, 3632.)
【0003】薄膜ディスク媒体の信号対雑音比(SN
R)の向上は、依然として高密度記録技術における大き
な課題の1つである。媒体雑音を低減するために、低雑
音合金の選定、適切な基層の設計、付着パラメータの調
整、磁性層の積層化など、様々な手法が提案されてき
た。積層ディスクは、スペーサ層で分離された2層以上
の磁性層を有する。たとえば、アーラート(Ahlert)等
は、共通譲渡された米国特許第5051288号でAl
Mg/NiP基板と、Cr、CrV、およびMo層によ
って分離された6層のCoPtX合金またはCoNiX
合金の層とを有する積層ディスクについて記載してい
る。The signal-to-noise ratio (SN) of a thin-film disk medium
Improvement in R) is still one of the major issues in high-density recording technology. Various techniques have been proposed for reducing the medium noise, such as selecting a low-noise alloy, designing an appropriate base layer, adjusting the adhesion parameter, and laminating the magnetic layer. The laminated disk has two or more magnetic layers separated by a spacer layer. For example, Ahlert et al. In commonly assigned U.S. Pat.
Mg / NiP substrate and 6 layers of CoPtX alloy or CoNiX separated by Cr, CrV and Mo layers
A laminated disk having a layer of an alloy is described.
【0004】薄膜ディスクの磁性層の積層化は、媒体雑
音を低減させることが知られているが、積層媒体は一般
に、スタック状の各磁性層の保磁度(Hc)が大きく異
なることがあるために、2モード・スイッチング作用を
示す。最適パフォーマンスを備えた積層媒体は、1タイ
プのスイッチング作用のみを示す必要がある。これは、
スタック状の磁性層がきわめて似通ったHcを持ってい
なければならないことを意味する。薄膜ディスク技法で
使用されている大部分の磁気合金の場合、Hcは付着温
度の関数である。すなわち、Hcは基板温度と共に高く
なる。磁気ディスクの大量生産に使用されるスパッタリ
ング・システムは、基板を予熱する機能を備えている
が、スパッタリング・プロセスの進行時間が経過するに
伴い、基板の温度が低下する。したがって、予熱された
基板上で積層磁性層をスパッタリングすると、2番目の
層はそれより低い温度で付着され、一般にHcがより低
くなる。2番目の層のHcが低下すると、少なくともゼ
ロ残留磁気状態付近でヒステリシス・ループのなめらか
な傾斜に偏差(キンク)が生じる一因になる。図3
(a)および図3(b)に、それぞれ単一磁性層(Cr
/CoPtCrTa)と2層積層磁気膜(Cr/CoP
tCrTa/Cr/CoPtCrTa)の典型的なヒス
テリシス・ループを示す。積層膜のヒステリシスのキン
クが明らかにわかる。このキンクの存在は、この膜が2
つのスイッチング特性を備えていることを示しており、
それによって高密度記録におけるディスクの記録パフォ
ーマンスが低下する。したがって、このキンクをなくす
ため、または可能な限り少なくするために、2モード・
スイッチング作用のない積層媒体を設計することが望ま
しい。It is known that lamination of magnetic layers of a thin-film disk reduces medium noise. However, in a laminated medium, generally, the coercivity (Hc) of each stacked magnetic layer may be largely different. Therefore, a two-mode switching action is shown. Laminated media with optimal performance need only exhibit one type of switching action. this is,
This means that the stacked magnetic layers must have very similar Hc. For most magnetic alloys used in thin film disk technology, Hc is a function of deposition temperature. That is, Hc increases with the substrate temperature. A sputtering system used for mass production of magnetic disks has a function of preheating a substrate, but the temperature of the substrate decreases as the progress of the sputtering process elapses. Thus, when sputtering a laminated magnetic layer on a preheated substrate, the second layer is deposited at a lower temperature and generally has a lower Hc. A decrease in Hc of the second layer contributes to a deviation (kink) in the smooth slope of the hysteresis loop, at least near the zero remanence state. FIG.
(A) and FIG. 3 (b) show a single magnetic layer (Cr
/ CoPtCrTa) and a two-layer laminated magnetic film (Cr / CoP)
4 shows a typical hysteresis loop of (tCrTa / Cr / CoPtCrTa). The kink of hysteresis of the laminated film is clearly seen. The existence of this kink indicates that this membrane is 2
It has two switching characteristics,
As a result, the recording performance of the disc in high-density recording decreases. Therefore, in order to eliminate or minimize this kink,
It is desirable to design a laminated medium without switching action.
【0005】[0005]
【発明が解決しようとする課題】本発明は、なめらかな
ヒステリシス・ループになる単一スイッチング動作を示
す積層磁性層を有する薄膜ディスクを提供することを目
的とする。SUMMARY OF THE INVENTION It is an object of the present invention to provide a thin-film disk having a laminated magnetic layer that exhibits a single switching operation resulting in a smooth hysteresis loop.
【0006】[0006]
【課題を解決するための手段】ディスク・ドライブで使
用する、積層磁性層を備えた薄膜ディスクの設計につい
て説明する。このディスクは、雑音を低減し、単一のス
イッチング作用を示し、その結果、ディスクを使用する
ディスク・ドライブにおける記録パフォーマンスが向上
する。この改良型ディスクは、Hcの変化が最小限のP
O[1010]を持つ2層以上の積層磁性層を付着させ
ることによって形成される。一実施形態では、[101
0]PO磁性層は、NiAlやFeAlなどのB2構造
シード層と、[112]POを持つ適切な基層とを付着
させることによって形成される。本発明を使用したディ
スクは、2モード・スイッチングの徴候が最小限のなめ
らかなヒステリシス・ループを有する。シード層はNi
Alであることが好ましく、基層はCrまたはCr合金
であることが好ましい。磁性層は、CoPtCr、Co
PtCrTa、またはCoPtCrBであることが好ま
しい。磁性層間のスペーサ層は、基層と同じ材料で作る
ことが好ましいが、たとえば、Ruなどの六方結晶材料
などの異なる材料でもよい。本発明のディスクは、[1
010]POを備えた磁性層のHcの基板温度への依存
度が少ないと思われるため、標準的な大量スパッタリン
グ・システムにおける製造容易性が高い。SUMMARY OF THE INVENTION The design of a thin film disk with a laminated magnetic layer for use in a disk drive will be described. The disc reduces noise and exhibits a single switching effect, resulting in improved recording performance in disc drives using the disc. This improved disc has a Pc with minimal change in Hc.
It is formed by attaching two or more laminated magnetic layers having O [1010]. In one embodiment, [101
[0] The PO magnetic layer is formed by adhering a B2 structure seed layer such as NiAl or FeAl and an appropriate base layer having [112] PO. Disks using the present invention have a smooth hysteresis loop with minimal signs of two-mode switching. The seed layer is Ni
Preferably, the base layer is Cr or a Cr alloy. The magnetic layer is made of CoPtCr, Co
PtCrTa or CoPtCrB is preferred. The spacer layer between the magnetic layers is preferably made of the same material as the base layer, but may be a different material such as a hexagonal crystal material such as Ru. The disc according to the present invention has [1]
[010] The ease of manufacturing in a standard high volume sputtering system is high because it appears that the Hc of the magnetic layer with PO is less dependent on the substrate temperature.
【0007】[0007]
【発明の実施の形態】図1は、本発明を実施するのに有
用な回転型アクチュエータを備えた従来技術のディスク
・ドライブを示す上面図である。このシステムは、イン
ハブ電気モータ(図示せず)によって回転するスピンド
ル112に取り付けられた1つまたは複数の磁気記録デ
ィスク111を含む。アクチュエータ・アセンブリ11
5によって、1つまたは複数の読取り/書込みヘッドを
含むスライダ120が支持されている。このアセンブリ
は、垂直スタック状に配置された複数のアクチュエータ
およびスライダから成り、アクチュエータは、ディスク
の表面と接触するスライダを支持して、ディスクが回転
していないときと待避しているときに接触させないよう
にする。ボイス・コイル・モータ(VCM)116がア
クチュエータ・アセンブリ115をシャフト117を中
心に揺動させることによって、アセンブリ115をディ
スクを基準にして移動させる。ヘッドは、典型的には、
十分な速度で回転しているときにディスクの表面の上方
に浮上するように調整された空気軸受けスライダ内に収
容されている。動作中、スライダがディスクの上方に浮
上しているとき、VCMはスライダをディスクを横切る
弓形の経路に移動させ、後で詳述する薄膜が被覆された
データ領域114に形成された環状トラックから磁気情
報の読取りおよび書込みを行うようにヘッドを配置させ
ることができる。ヘッドとVCMとの間でやり取りされ
る電気信号は、可撓性ケーブル118によってドライブ
の電子装置119に伝達される。動作していないときや
ディスクの回転が始動または停止する期間中には、スラ
イダをランディング・ゾーンまたは接触始動/停止(C
SS)領域113でディスクの表面に物理的に接触する
ように配置することができる。CSS領域113は、磁
気被覆がその領域上に延在していてもデータ記憶には使
用されない。待避ランプを使用して非動作中にディスク
からスライダを外すことも知られている。空気軸受けス
ライダを備えたディスク・ドライブについて説明した
が、本発明のディスクは近接または接触記録スライダを
有する他の記憶装置でも容易に使用することができる。FIG. 1 is a top view of a prior art disk drive with a rotary actuator useful in practicing the present invention. The system includes one or more magnetic recording disks 111 mounted on a spindle 112 that is rotated by an in-hub electric motor (not shown). Actuator assembly 11
5 supports a slider 120 that includes one or more read / write heads. The assembly comprises a plurality of actuators and sliders arranged in a vertical stack, the actuators supporting a slider in contact with the surface of the disk and not contacting when the disk is not spinning and when retracting. To do. A voice coil motor (VCM) 116 swings the actuator assembly 115 about the shaft 117, thereby moving the assembly 115 with respect to the disk. The head is typically
It is contained within an air bearing slider that is adapted to fly above the surface of the disk when spinning at sufficient speed. In operation, as the slider flies above the disk, the VCM moves the slider into an arcuate path across the disk, causing the slider to move magnetically from an annular track formed in a thin-film coated data area 114, which will be described in more detail below. The head can be arranged to read and write information. The electrical signals exchanged between the head and the VCM are transmitted by flexible cable 118 to drive electronics 119. When not operating or during periods when the disk starts or stops, the slider is moved to the landing zone or contact start / stop (C
SS) region 113 so as to physically contact the disk surface. The CSS area 113 is not used for data storage even though the magnetic coating extends over that area. It is also known to use a retract ramp to remove the slider from the disk during non-operation. Although a disk drive with an air bearing slider has been described, the disk of the present invention can be readily used with other storage devices having a proximity or contact recording slider.
【0008】図2に、本発明による薄膜磁気ディスクの
実施形態の断面層構造を示す。ディスクの少なくとも片
面、好ましくは両面に、薄膜層を付着させて、データ記
憶領域を形成する。陰影は各層を区別するために使用し
ているに過ぎず、色や特定の組成を示すものではない。
基板11は、AlMg/NiP、ガラス、または他の任
意の適合する材料とすることができる。一実施形態で
は、シード層12は、基板に直接付着させたB2構造材
料であり、NiAlであることが好ましい。基層13
は、シード層上に付着させてあり、クロムまたはCrV
やCrTiなどのクロム合金のような非強磁性材料であ
る。本発明によるディスクのシード層および基層の必要
条件は、磁性層における[1010]POを増進するこ
とである。第1の強磁性層14(Mag1)は、典型的
にはプラチナとクロムを含むコバルトの合金であり、タ
ンタルや硼素などの追加の元素を含むことができ、たと
えばCoPtCrTaやCoPtCrBである。典型的
な磁性層は、4〜14原子%のプラチナと、18〜23
原子%のクロムと、1〜5原子%のタンタルとを含み、
残りはCoである。スペーサ層15は非強磁性材料で作
られ、任意選択で基層と同じ材料とすることもできる。
第2の強磁性層16(Mag2)は、Mag1と同じ材
料であることが好ましい。非磁性スペーサで分離された
少なくとも2層の磁性層が必要であるが、追加のスペー
サ/磁性層の対を追加することができる。任意選択の上
部層は保護被覆17であり、炭素、水素添加炭素、また
はその他の任意の保護材料とすることができる。また、
当技術分野では被覆層の接着を強化したり硬度を増した
りするために、磁性層と被覆層との間に追加の層を使用
することも知られている。これら種々の層は、当業者に
は周知の標準の技術、ターゲット、温度、圧力を用いて
スパッタ付着することが好ましい。本発明は、積層磁性
層に関するが、付着技法とパラメータは、同等の材料を
使用した単一磁性層ディスクで使用されているものと同
じである。FIG. 2 shows a sectional layer structure of an embodiment of the thin-film magnetic disk according to the present invention. A thin film layer is deposited on at least one side, preferably both sides, of the disc to form a data storage area. Shading is only used to distinguish each layer and does not indicate color or a particular composition.
Substrate 11 can be AlMg / NiP, glass, or any other suitable material. In one embodiment, the seed layer 12 is a B2 structural material directly attached to the substrate, and is preferably NiAl. Base layer 13
Is deposited on the seed layer and is chromium or CrV
And a non-ferromagnetic material such as a chromium alloy such as CrTi. A requirement of the seed layer and the base layer of the disk according to the present invention is to enhance [1010] PO in the magnetic layer. The first ferromagnetic layer 14 (Mag1) is typically an alloy of cobalt with platinum and chromium, and may include additional elements such as tantalum and boron, for example CoPtCrTa or CoPtCrB. A typical magnetic layer comprises 4-14 atomic percent platinum and 18-23 atomic percent.
Atomic% chromium and 1-5 atomic% tantalum,
The rest is Co. The spacer layer 15 is made of a non-ferromagnetic material and can optionally be of the same material as the base layer.
The second ferromagnetic layer 16 (Mag2) is preferably made of the same material as Mag1. At least two magnetic layers separated by non-magnetic spacers are required, but additional spacer / magnetic layer pairs can be added. The optional top layer is a protective coating 17, which may be carbon, hydrogenated carbon, or any other protective material. Also,
It is also known in the art to use additional layers between the magnetic layer and the cover layer to enhance the adhesion of the cover layer and increase the hardness. These various layers are preferably sputter deposited using standard techniques, targets, temperatures, and pressures well known to those skilled in the art. Although the present invention relates to laminated magnetic layers, the deposition techniques and parameters are the same as those used in single magnetic layer discs using comparable materials.
【0009】図5は、本発明によるディスクを製作する
一方法のステップを示すフローチャートである。シード
層から被覆層までのすべての層は、インライン・スパッ
タリング・システムまたは単一ディスク・システムにお
ける連続プロセスでスパッタリングすることができる。
現行の商業インライン・スパッタリング・システムは、
積層ディスク構造体を製作する追加のターゲットや多重
パス経路を備えることができる。追加のターゲットを備
えるインライン・システムの設計は簡単な作業である。
積層ディスク構造を製作することができる6個以上のタ
ーゲット容量を備える単一ディスク・システムも市販さ
れている。図5に示すように、AlMg/NiP、ガラ
ス、またはその他の適切な材料とすることができる基板
から始めて、各層を順次にスパッタリング付着させる。
まずシード層51を付着させた後、基層52を付着さ
せ、次に第1の磁性層53、次にスペーサ層54、次に
第2の磁性層55を付着させ、その後で任意選択で追加
のスペーサ/磁性層の対56を加え、任意選択の最後の
ステップで保護被覆57を付着させる。FIG. 5 is a flow chart showing the steps of one method of making a disk according to the present invention. All layers from the seed layer to the cover layer can be sputtered in an in-line sputtering system or in a continuous process in a single disk system.
Current commercial in-line sputtering systems are:
Additional targets and multiple pass paths can be provided to make the laminated disk structure. Designing an inline system with additional targets is a straightforward task.
Single disk systems with six or more target capacities to produce a stacked disk structure are also commercially available. As shown in FIG. 5, each layer is sequentially sputter deposited, starting with a substrate that can be AlMg / NiP, glass, or other suitable material.
First, after seed layer 51 is deposited, base layer 52 is deposited, then first magnetic layer 53, then spacer layer 54, then second magnetic layer 55, and then optionally additional magnetic layers. A spacer / magnetic layer pair 56 is added and a protective coating 57 is applied in an optional last step.
【0010】層の相対的な厚さは本発明を実施するのに
重要ではないと考えられるが、指針として以下の範囲を
示す。シード層は、10〜50nmの厚さであることが
好ましい。シード層の役割は、基層における[112]
POを促進し、その後で磁性層における[1010]P
Oを促進することである。基層は、典型的にはシード層
より厚いが、基層を多様な厚さ(たとえば10〜80n
m)にしても、ディスクの磁気特性はわずかしか変化し
ない。基層の厚さの典型的な値は50nmである。強磁
性層Mag1、Mag2などは、5〜50nmの厚さと
することができ、典型的には15nmである。磁性層の
厚さは等しくなくてもよい。スペーサ層は通常、基層と
比較して薄く、典型的には1〜20nmになる。被覆の
使用、組合せ、および厚さは本発明を実施するのに重要
ではないが、典型的な薄膜ディスクは15nm未満の厚
さの被覆を使用する。Although the relative thickness of the layers is not believed to be critical to the practice of the present invention, the following ranges are provided as a guide. Preferably, the seed layer has a thickness of 10 to 50 nm. The role of the seed layer is [112] in the base layer.
PO and then [1010] P in the magnetic layer
Is to promote O. The base layer is typically thicker than the seed layer, but the base layer can vary in thickness (e.g.
Even with m), the magnetic properties of the disk change only slightly. A typical value for the thickness of the base layer is 50 nm. The ferromagnetic layers Mag1, Mag2, etc. can be 5 to 50 nm thick, typically 15 nm. The thicknesses of the magnetic layers need not be equal. The spacer layer is usually thinner than the base layer, typically 1-20 nm. Although the use, combination, and thickness of the coating are not critical to practicing the invention, typical thin film disks use coatings with a thickness of less than 15 nm.
【0011】図4(a)に、単一磁性層(NiAl/C
r/CoPtCrTa)のヒステリシス・ループを示
し、図4(b)に本発明による2層積層磁性膜(NiA
l/Cr/CoPtCrTa/Cr/CoPtCrT
a)のループを示す。2モード・スイッチングによって
ヒステリシス・ループに変則性が生じる図3(b)に示
す従来技術の積層ディスクの場合とは異なり、本発明を
実施する積層ディスク(図4(b)を参照)は、2モー
ド・スイッチング効果を示さず、ヒステリシス・ループ
に変則性が生じない。この結果は、Crの前にNiAl
シード層を付着させることによって、付着温度の低下に
よる2番目の層の保磁度損失が最小限になるためである
と考えられる。これを証明するために、単一磁性層(N
iAl/Cr/CoPtCrTa)を備えたディスク
を、積層構造の第1および第2の磁性層の付着温度デル
タに対応する(またはそれを超える)ように約100℃
だけ異なる2通りの温度で付着させた。広範囲なCr基
層厚さ範囲で、試験ディスクのHcは約100Oe内に
保たれ、Hcは付着温度の強い関数ではないことが示さ
れた。従来技術の積層ディスクは、積層化によって向上
するSNRと、低下する保磁矩形(S*)および分解能
との間の兼ね合いが必要であった。本発明の積層ディス
クは、各磁性層のHcをより近く維持し、S*をより高
く維持することによってこれらの兼ね合いを最小限にす
る。他の利点は、温度による影響の受けやすさを少なく
したことによってディスクの製造がより容易になること
である。すなわち、スパッタリング・システムのばらつ
きによって規格外れになる可能性が低くなる。FIG. 4A shows a single magnetic layer (NiAl / C
FIG. 4B shows a hysteresis loop of (r / CoPtCrTa), and FIG.
1 / Cr / CoPtCrTa / Cr / CoPtCrT
The loop of a) is shown. Unlike the prior art laminated disk shown in FIG. 3 (b), in which the hysteresis loop becomes irregular due to the two-mode switching, the laminated disk embodying the present invention (see FIG. 4 (b)) No mode switching effect is exhibited, and no anomalies occur in the hysteresis loop. This result indicates that NiAl
This is presumably because the deposition of the seed layer minimizes the loss of coercivity of the second layer due to the lower deposition temperature. To prove this, a single magnetic layer (N
The disk with iAl / Cr / CoPtCrTa) is heated to about 100 ° C. to correspond to (or exceed) the deposition temperature delta of the first and second magnetic layers of the laminated structure.
Only at two different temperatures. Over a wide range of Cr underlayer thicknesses, the Hc of the test disc was kept within about 100 Oe, indicating that Hc was not a strong function of the deposition temperature. Prior art laminated disks required a trade-off between increased SNR due to lamination and reduced coercive rectangle (S * ) and resolution. The laminated disk of the present invention minimizes these trade-offs by keeping the Hc of each magnetic layer closer and keeping S * higher. Another advantage is that the manufacture of the disk is easier due to its reduced susceptibility to temperature. That is, the possibility of being out of specification due to variations in the sputtering system is reduced.
【0012】シード層の好ましい材料であるNiAl
は、B2(塩化セシウム)構造を形成するのに対し、C
rはbcc構造を有する。B2構造は、Al原子が一方
の格子を占有し、Ni原子が他方の格子を占有する2つ
の相互浸透単純立方格子として説明することができる整
列された立方構造である。NiAlはCrとほぼ同じ格
子定数を有するが、NiAlは、Ni原子とAl原子と
の結合のためにより小さな結晶粒度を形成する傾向があ
り、それによって付着中の原子移動度が低下する。磁気
記録で使用されるコバルト合金は一般に、六方最密(h
cp)優勢結晶構造を有する。立方Cr基層は、十分な
高温などの標準のスパッタリング条件において通常の厚
さの範囲内でPO[100]で付着させることができ
る。このCr[100]POは、Co合金磁性層におい
てPO[1120]を促進する。これは長手記録にとっ
て望ましいPOであると言われる場合が多い。PO[1
120]の結果、所与のCr粒子上に、2つの直行c軸
配向を有する複数の[1120]粒子が形成されるよう
に二結晶構造ができる。(たとえば、ノラン(Nolan)
およびシンクレア(Sinclair)の「Effects of Microst
ructural Features on Media Noise in Longitudinal R
ecording Media」(J. Appl. Phys., V73, p.5566, 199
3年を参照)。この配向で高いHcを維持するために
は、二結晶間の十分な分離(セグリゲーション)を生じ
させるように高温の基板温度が必要である。したがっ
て、[1120]POを有する膜のHcはきわめて温度
の影響を受けやすい。さらに、層間エピタキシを維持す
ると同時に、積層[1120]PO膜における一定した
結晶粒度と一定した磁気特性を維持するのはさらに困難
である。スペーサ層Crは磁性層のより小さな結晶(二
結晶クラスタ)上に成長しなければならないため、元の
Cr基層粒子構造を再現することができない。したがっ
て、積層磁気媒体では[1120]POは望ましくな
い。NiAlなどのシード層を付着させることによっ
て、Cr(またはCr合金)基層内に[112]POを
誘発することができる。[112]POを有する基層に
よって、隣接する磁性層に[1010]POがエピタキ
シャルに生じる。次に、適切に選定されたスペーサ層に
よってその後の各磁性層で[1010]のPOを維持す
ると同時に、構造内全体を通して一定した結晶粒度を維
持することができる。NiAl, a preferred material for the seed layer
Forms a B2 (cesium chloride) structure while C forms
r has a bcc structure. The B2 structure is an ordered cubic structure that can be described as two interpenetrating simple cubic lattices with Al atoms occupying one lattice and Ni atoms occupying the other lattice. NiAl has about the same lattice constant as Cr, but NiAl tends to form smaller grain sizes due to the bonding of Ni and Al atoms, thereby reducing atomic mobility during deposition. Cobalt alloys used in magnetic recording are generally hexagonal closest packed (h
cp) having a predominant crystal structure. The cubic Cr underlayer can be deposited with PO [100] within normal thicknesses under standard sputtering conditions such as sufficiently high temperatures. This Cr [100] PO promotes PO [1120] in the Co alloy magnetic layer. This is often referred to as the desired PO for longitudinal recording. PO [1
120] results in a bicrystalline structure such that a plurality of [1120] particles having two orthogonal c-axis orientations are formed on a given Cr particle. (For example, Nolan
And Sinclair “Effects of Microst
ructural Features on Media Noise in Longitudinal R
ecording Media "(J. Appl. Phys., V73, p.5566, 199
3 years). Maintaining a high Hc in this orientation requires a high substrate temperature to cause sufficient separation (segregation) between the two crystals. Therefore, the Hc of the film having [1120] PO is extremely sensitive to temperature. Moreover, it is more difficult to maintain constant grain size and constant magnetic properties in the laminated [1120] PO film while maintaining interlayer epitaxy. Since the spacer layer Cr must grow on smaller crystals (two-crystal clusters) of the magnetic layer, the original Cr base layer particle structure cannot be reproduced. Therefore, [1120] PO is not desirable in a laminated magnetic medium. [112] PO can be induced in a Cr (or Cr alloy) base layer by depositing a seed layer such as NiAl. [1010] PO is epitaxially generated in the adjacent magnetic layer by the base layer having [112] PO. Next, a properly selected spacer layer can maintain a [1010] PO in each subsequent magnetic layer while maintaining a constant grain size throughout the structure.
【0013】本明細書に記載の材料構造によって生じる
磁性層における[1010]POは、本発明の積層ディ
スク構造について観察された好都合な結果、特に基板温
度へのHcの依存度の低減の一助となっていると考えら
れる。[1010]POは、スペーサ層の適切な選定と
付着によって第2の磁性層で維持することができる。ス
ペーサ層材料は、PO[112]とCrに類似した格子
定数を有する立方とすることができる。CrおよびCr
合金は、基層の場合と同じ理由からスペーサ層として好
都合な選定である。また、[1010]POがスペーサ
層を通して続くようにhcp構造を有するスペーサを使
用することも可能である。たとえば、ルテニウム(R
u)および拡大してオスミウム(Os)およびレニウム
(Re)のエピタキシャル整合が報告されており、これ
らはすべて積層ディスクのスペーサ層として選定された
六方構造を有する。また、たとえば、Cr>35原子%
の非強磁性CoCr合金など、六方構造を維持する六方
材料の合金を使用することもできると予測される。The [1010] PO in the magnetic layer caused by the material structures described herein helps the favorable results observed for the laminated disk structures of the present invention, particularly to reduce the dependence of Hc on substrate temperature. It is thought that it has become. [1010] PO can be maintained in the second magnetic layer by appropriate selection and deposition of the spacer layer. The spacer layer material can be cubic with a lattice constant similar to PO [112] and Cr. Cr and Cr
Alloys are a convenient choice for the spacer layer for the same reasons as for the base layer. It is also possible to use a spacer having an hcp structure such that [1010] PO continues through the spacer layer. For example, ruthenium (R
u) and, by extension, the epitaxial matching of osmium (Os) and rhenium (Re), all of which have a hexagonal structure chosen as the spacer layer of the laminated disk. Further, for example, Cr> 35 atomic%
It is anticipated that alloys of hexagonal materials that maintain a hexagonal structure, such as the non-ferromagnetic CoCr alloy of U.S. Pat.
【0014】ラフリン(Laughlin)等は、FeAl基層
がその上に付着させた磁性層の磁気特性に及ぼす作用は
NiAlと類似していると示唆している(IEEE Trans.
Magnetic. 32(5), 1996年9月, 3632)。したがって、や
はりB2構造を有するFeAlもNiAlと同様にして
シード層に使用可能であると示唆することは妥当であ
る。CrまたはCr合金基層において[112]POを
誘発することができるNiCrなどその他の非B2材料
も使用することができる。Laughlin et al. Suggest that the effect of a FeAl base layer on the magnetic properties of a magnetic layer deposited thereon is similar to that of NiAl (IEEE Trans.
Magnetic. 32 (5), September 1996, 3632.). Therefore, it is reasonable to suggest that FeAl also having the B2 structure can be used for the seed layer in the same manner as NiAl. Other non-B2 materials, such as NiCr, capable of inducing [112] PO in a Cr or Cr alloy base layer can also be used.
【0015】前掲の組成は、異物の割合を考慮せずに示
したものであるが、薄膜フィルムには常に異物が含まれ
ているというわけではなくてもいくらかの異物が含まれ
ることが当業者には知られている。スパッタリング・タ
ーゲットは典型的には99.9%以上の純度と指定され
るが、形成された膜の純度はスパッタリング・チャンバ
内の異物またはその他の要因のためにそれよりはるかに
低くなることがある。たとえば、チャンバ内の空気によ
る異物によって、無視できない量の酸素や水素が膜内に
混入する可能性がある。ある種の炭素膜の場合、典型的
なスパッタ層内で5原子%の水素混入が測定された。ま
た、Crターゲットおよびその結果形成されたCr層内
には通常わずかな量の水素が見い出されることも知られ
ている。また、スパッタリング・システム内の少量の作
用ガス、たとえばアルゴンがスパッタリング膜内に混入
する可能性もある。本明細書に記載のディスク・サンプ
ルでは異物量は特に測定せず、したがって、当業者が予
測するスパッタリングされた薄膜ディスクの通常の範囲
内であるものと仮定した。Although the above composition is shown without considering the percentage of foreign matter, it is understood by those skilled in the art that a thin film does not always contain foreign matter but contains some foreign matter. Is known to. Sputtering targets are typically specified at a purity of 99.9% or higher, but the purity of the film formed can be much lower due to foreign objects or other factors in the sputtering chamber. . For example, non-negligible amounts of oxygen and hydrogen can enter the film due to foreign matter due to air in the chamber. For certain carbon films, 5 atomic% hydrogen incorporation was measured in a typical sputtered layer. It is also known that small amounts of hydrogen are usually found in the Cr target and the resulting Cr layer. Also, small amounts of working gas, such as argon, in the sputtering system can be incorporated into the sputtered film. Contaminant amounts were not specifically measured in the disk samples described herein and were therefore assumed to be within the normal range for sputtered thin film disks as would be expected by one skilled in the art.
【0016】本発明により作成された薄膜ディスクは、
磁気抵抗型ヘッドまたは誘導型ヘッドを使用する典型的
なディスク・ドライブにおけるデータの記憶に使用する
ことができ、接触記録ヘッドでも浮上ヘッドでも使用可
能である。この読取り/書込みヘッドは、標準方式で回
転するディスクの上に配置されて磁気情報の記録または
読取りを行う。The thin-film disk made according to the present invention comprises:
It can be used to store data in a typical disk drive using a magnetoresistive or inductive head, and can be used with either a contact recording head or a flying head. The read / write head is arranged on a rotating disk in a standard manner to record or read magnetic information.
【0017】まとめとして、本発明の構成に関して以下
の事項を開示する。In summary, the following matters are disclosed regarding the configuration of the present invention.
【0018】(1)基板と、基板上に付着させた非強磁
性シード層と、シード層上に付着させた非強磁性基層
と、[1010]定向性を有する第1の強磁性層と、非
強磁性スペーサ層と、[1010]定向性を有する第2
の強磁性層とを含む、薄膜磁気ディスク。 (2)基層が[112]定向性を有する、上記(1)に
記載のディスク。 (3)スペーサ層が[112]または[1010]定向
性を有する、上記(1)に記載のディスク。 (4)基層が[112]定向性を有し、スペーサ層が
[112]または[1010]定向性を有する、上記
(1)に記載のディスク。 (5)シード層がB2構造を有する材料を含む、上記
(1)に記載のディスク。 (6)シード層がNiAlを含む、上記(1)に記載の
ディスク。 (7)シード層がFeAlを含む、上記(1)に記載の
ディスク。 (8)スペーサ層がコバルト、クロム、ルテニウム、オ
スミウム、またはレニウムを含み、六方構造を有する、
上記(1)に記載のディスク。 (9)第1の強磁性層と第2の強磁性層の保磁度が10
0Oe未満だけ異なる、上記(1)に記載のディスク。 (10)シード層がNiAlを含み、基層がクロムまた
はクロムの合金を含み、第1の強磁性層がコバルト合金
を含み、スペーサ層がクロム、ルテニウム、オスミウ
ム、レニウム、またはこれらの合金を含み、第2の強磁
性層がコバルト合金を含み、ディスクが被覆層をさらに
含む、上記(1)に記載のディスク。 (11)シード層の厚さが2nmと50nmの間であ
り、基層の厚さが10nmと80nmの間であり、第1
の強磁性層の厚さが5nmと50nmの間であり、スペ
ーサ層の厚さが1ないし20nmである、上記(10)
に記載のディスク。 (12)第1および第2の強磁性層のコバルト合金がC
oPtCrTa、CoPtCrB、またはCoPtCr
である、上記(10)に記載のディスク。 (13)スピンドルを回転させるモータと、スピンドル
に結合され、基板上に付着させた非強磁性シード層と、
シード層上に付着させた非強磁性基層と[1010]定
向性を有する第1の強磁性層と非強磁性スペーサ層と
[1010]定向性を有する第2の強磁性層とを含む薄
膜磁気ディスクと、回転するときにディスク上に磁気情
報を書き込むヘッドを含むアクチュエータ・アセンブリ
とを含むディスク・ドライブ。 (14)基層が[112]定向性を有し、第1の強磁性
層が[1010]定向性を有し、スペーサ層が[11
2]または[1010]定向性を有する、上記(13)
に記載のディスク・ドライブ。 (15)シード層がB2構造を有する材料を含む、上記
(13)に記載のディスク・ドライブ。 (16)シード層がNiAlを含む、上記(13)に記
載のディスク・ドライブ。 (17)シード層がFeAlを含む、上記(13)に記
載のディスク・ドライブ。 (18)スペーサ層がコバルト、クロム、ルテニウム、
オスミウム、またはレニウムを含み、六方構造を有す
る、上記(13)に記載のディスク・ドライブ。 (19)第1の強磁性層と第2の強磁性層の保磁度が1
00Oeだけ異なる、上記(13)に記載のディスク・
ドライブ。 (20)シード層がNiAlを含み、基層がクロムまた
はクロムの合金を含み、第1の強磁性層がコバルト合金
を含み、スペーサ層がクロム、ルテニウム、オスミウ
ム、レニウム、またはこれらの合金を含み、第2の強磁
性層がコバルト合金を含み、磁気ディスクが被覆層をさ
らに含む、上記(13)に記載のディスク・ドライブ。 (21)シード層の厚さが2nmと50nmの間であ
り、基層の厚さが10nmと80nmの間であり、第1
の強磁性層の厚さが5nmと50nmの間であり、スペ
ーサ層の厚さが1ないし20nmである、上記(13)
に記載のディスク・ドライブ。 (22)第1および第2の強磁性層のコバルト合金が、
CoPtCrTa、CoPtCrB、またはCoPtC
rである、上記(21)に記載のディスク・ドライブ。 (23)基板上にシード層をスパッタリングするステッ
プと、シード層上に基層をスパッタリングするステップ
と、[1010]定向性を有する第1の強磁性層を基層
上にスパッタリングするステップと、第1の強磁性層上
にスペーサ層をスパッタリングするステップと、[10
10]定向性を有する第2の強磁性層をスパッタリング
するステップとを含む、薄膜ディスクの製造方法。 (24)シード層がB2構造を有する材料である、上記
(23)に記載の方法。 (25)シード層がNiAl、FeAl、またはNiC
rである材料である、上記(23)に記載の方法。 (26)シード層がNiAlである材料であり、基層が
CrまたはCr合金であり、第1および第2の強磁性層
がコバルト合金である、上記(23)に記載の方法。 (27)基層が[112]の定向性を有する、上記(2
3)に記載の方法。 (28)スペーサ層が[112]または[1010]の
定向性を有する、上記(23)に記載の方法。(1) a substrate, a non-ferromagnetic seed layer deposited on the substrate, a non-ferromagnetic base layer deposited on the seed layer, [1010] a first ferromagnetic layer having directivity, A non-ferromagnetic spacer layer and a [1010] oriented second
Thin-film magnetic disk, comprising: a ferromagnetic layer; (2) The disk according to the above (1), wherein the base layer has [112] directivity. (3) The disk according to (1), wherein the spacer layer has [112] or [1010] directivity. (4) The disc according to (1), wherein the base layer has [112] directivity and the spacer layer has [112] or [1010] directivity. (5) The disk according to (1), wherein the seed layer contains a material having a B2 structure. (6) The disk according to (1), wherein the seed layer contains NiAl. (7) The disk according to the above (1), wherein the seed layer contains FeAl. (8) the spacer layer contains cobalt, chromium, ruthenium, osmium, or rhenium, and has a hexagonal structure;
The disc according to the above (1). (9) The coercivity of the first ferromagnetic layer and the second ferromagnetic layer is 10
The disc according to (1), wherein the disc differs by less than 0 Oe. (10) the seed layer includes NiAl, the base layer includes chromium or an alloy of chromium, the first ferromagnetic layer includes a cobalt alloy, the spacer layer includes chromium, ruthenium, osmium, rhenium, or an alloy thereof; The disk according to (1), wherein the second ferromagnetic layer comprises a cobalt alloy, and the disk further comprises a coating layer. (11) the thickness of the seed layer is between 2 nm and 50 nm, the thickness of the base layer is between 10 nm and 80 nm,
(10), wherein the thickness of the ferromagnetic layer is between 5 nm and 50 nm, and the thickness of the spacer layer is 1 to 20 nm.
Disc described in. (12) The cobalt alloy of the first and second ferromagnetic layers is C
oPtCrTa, CoPtCrB, or CoPtCr
The disk according to (10) above, (13) a motor for rotating the spindle, a non-ferromagnetic seed layer coupled to the spindle and deposited on the substrate,
Thin-film magnetic comprising a non-ferromagnetic underlayer deposited on a seed layer, a [1010] oriented first ferromagnetic layer, a non-ferromagnetic spacer layer, and a [1010] oriented second ferromagnetic layer. A disk drive that includes a disk and an actuator assembly that includes a head that writes magnetic information on the disk as it rotates. (14) The base layer has [112] directivity, the first ferromagnetic layer has [1010] directivity, and the spacer layer has [11] directivity.
(13) having the [2] or [1010] directivity
Disk drive as described in. (15) The disk drive according to (13), wherein the seed layer includes a material having a B2 structure. (16) The disk drive according to (13), wherein the seed layer contains NiAl. (17) The disk drive according to (13), wherein the seed layer contains FeAl. (18) The spacer layer is made of cobalt, chromium, ruthenium,
The disk drive according to the above (13), comprising osmium or rhenium and having a hexagonal structure. (19) The coercivity of the first ferromagnetic layer and the second ferromagnetic layer is 1
The disk according to (13), which differs by only 00 Oe.
drive. (20) the seed layer includes NiAl, the base layer includes chromium or an alloy of chromium, the first ferromagnetic layer includes a cobalt alloy, the spacer layer includes chromium, ruthenium, osmium, rhenium, or an alloy thereof; The disk drive according to (13), wherein the second ferromagnetic layer includes a cobalt alloy, and the magnetic disk further includes a cover layer. (21) The thickness of the seed layer is between 2 nm and 50 nm, the thickness of the base layer is between 10 nm and 80 nm,
(13), wherein the thickness of the ferromagnetic layer is between 5 nm and 50 nm, and the thickness of the spacer layer is 1 to 20 nm.
Disk drive as described in. (22) The cobalt alloy of the first and second ferromagnetic layers comprises:
CoPtCrTa, CoPtCrB, or CoPtC
r. The disk drive according to (21), wherein r is r. (23) a step of sputtering a seed layer on the substrate, a step of sputtering a base layer on the seed layer, a step of [1010] sputtering a first ferromagnetic layer having directivity on the base layer, Sputtering a spacer layer on the ferromagnetic layer; [10]
10] Sputtering a second ferromagnetic layer having directivity. (24) The method according to (23), wherein the seed layer is a material having a B2 structure. (25) The seed layer is NiAl, FeAl, or NiC
The method according to (23), wherein the material is r. (26) The method according to the above (23), wherein the seed layer is a material of NiAl, the base layer is Cr or a Cr alloy, and the first and second ferromagnetic layers are a cobalt alloy. (27) The above (2), wherein the base layer has a directivity of [112].
The method according to 3). (28) The method according to (23), wherein the spacer layer has a directivity of [112] or [1010].
【図1】本発明を実施するのに役立つ回転アクチュエー
タを備えた従来の技術のディスク・ドライブを示す上面
図である。FIG. 1 is a top view of a prior art disk drive with a rotary actuator useful in practicing the present invention.
【図2】本発明による薄膜磁気ディスクの層構造を示す
図である。FIG. 2 is a diagram showing a layer structure of a thin-film magnetic disk according to the present invention.
【図3】(a)は単一の磁性層を有する従来技術の薄膜
磁気ディスクのヒステリシス・ループを示す図であり、
(b)は2つの積層磁性層を有する従来技術の薄膜磁気
ディスクのヒステリシス・ループを示す図である。FIG. 3 (a) is a diagram showing a hysteresis loop of a thin-film magnetic disk of the prior art having a single magnetic layer,
FIG. 2B is a diagram showing a hysteresis loop of a conventional thin film magnetic disk having two laminated magnetic layers.
【図4】(a)はNiAlシード層と単一磁性層とを有
する薄膜磁気ディスクのヒステリシス・ループを示す図
であり、(b)はNiAlシード層と2つの積層磁性層
を有する薄膜磁気ディスクのヒステリシス・ループを示
す図である。4A is a diagram showing a hysteresis loop of a thin-film magnetic disk having a NiAl seed layer and a single magnetic layer, and FIG. 4B is a diagram showing a thin-film magnetic disk having a NiAl seed layer and two laminated magnetic layers. FIG. 4 is a diagram showing a hysteresis loop of FIG.
【図5】本発明によるディスクを製作する一方法を示す
流れ図である。FIG. 5 is a flowchart illustrating one method of making a disc according to the present invention.
11 基板 12 シード層 13 基層 14 強磁性層 15 スペーサ層 16 強磁性層 17 保護被覆 Reference Signs List 11 substrate 12 seed layer 13 base layer 14 ferromagnetic layer 15 spacer layer 16 ferromagnetic layer 17 protective coating
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 メアリー・フランシス・デーナー アメリカ合衆国95062 カリフォルニア州 サンタクルーズ フォレスト・アベニュー 148 (72)発明者 モハンマド・タギー・ミールザマーニー アメリカ合衆国95120 カリフォルニア州 サンノゼ ロッジウッド・コート 782 ────────────────────────────────────────────────── ─── Continuing on the front page (72) Inventor Mary Frances Dner United States 95062 Santa Cruz Forest Avenue 148, California 148 (72) Inventor Mohammad Taggie Mirza Marney United States 95120 San Jose, California Lodgewood Court 782
Claims (28)
薄膜磁気ディスク。1. A substrate, a non-ferromagnetic seed layer deposited on a substrate, a non-ferromagnetic base layer deposited on a seed layer, [1010] a first ferromagnetic layer having directivity, A ferromagnetic spacer layer, and [1010] a second ferromagnetic layer having directivity.
Thin-film magnetic disk.
1に記載のディスク。2. The disk of claim 1 wherein the substrate has [112] orientation.
0]定向性を有する、請求項1に記載のディスク。3. The method according to claim 1, wherein the spacer layer is [112] or [101].
0] The disk according to claim 1, which has directivity.
層が[112]または[1010]定向性を有する、請
求項1に記載のディスク。4. The disk of claim 1, wherein the base layer has [112] orientation and the spacer layer has [112] or [1010] orientation.
請求項1に記載のディスク。5. The seed layer includes a material having a B2 structure.
The disk according to claim 1.
載のディスク。6. The disk of claim 1, wherein the seed layer comprises NiAl.
載のディスク。7. The disk of claim 1, wherein the seed layer comprises FeAl.
ム、オスミウム、またはレニウムを含み、六方構造を有
する、請求項1に記載のディスク。8. The disk of claim 1, wherein the spacer layer comprises cobalt, chromium, ruthenium, osmium, or rhenium, and has a hexagonal structure.
が100Oe未満だけ異なる、請求項1に記載のディス
ク。9. The disk of claim 1, wherein the coercivity of the first ferromagnetic layer and the second ferromagnetic layer differ by less than 100 Oe.
ムまたはクロムの合金を含み、第1の強磁性層がコバル
ト合金を含み、スペーサ層がクロム、ルテニウム、オス
ミウム、レニウム、またはこれらの合金を含み、第2の
強磁性層がコバルト合金を含み、ディスクが被覆層をさ
らに含む、請求項1に記載のディスク。10. The seed layer includes NiAl, the base layer includes chromium or an alloy of chromium, the first ferromagnetic layer includes a cobalt alloy, and the spacer layer includes chromium, ruthenium, osmium, rhenium, or an alloy thereof. The disk of claim 1, wherein the second ferromagnetic layer comprises a cobalt alloy and the disk further comprises a coating layer.
であり、基層の厚さが10nmと80nmの間であり、
第1の強磁性層の厚さが5nmと50nmの間であり、
スペーサ層の厚さが1ないし20nmである、請求項1
0に記載のディスク。11. The method according to claim 11, wherein the thickness of the seed layer is between 2 nm and 50 nm, the thickness of the base layer is between 10 nm and 80 nm,
The thickness of the first ferromagnetic layer is between 5 nm and 50 nm,
The thickness of the spacer layer is 1 to 20 nm.
The disk according to item 0.
金がCoPtCrTa、CoPtCrB、またはCoP
tCrである、請求項10に記載のディスク。12. The method according to claim 1, wherein the cobalt alloy of the first and second ferromagnetic layers is CoPtCrTa, CoPtCrB, or CoPtCrB.
The disk of claim 10, which is tCr.
ード層と、シード層上に付着させた非強磁性基層と[1
010]定向性を有する第1の強磁性層と非強磁性スペ
ーサ層と[1010]定向性を有する第2の強磁性層と
を含む薄膜磁気ディスクと、 回転するときにディスク上に磁気情報を書き込むヘッド
を含むアクチュエータ・アセンブリとを含むディスク・
ドライブ。13. A motor for rotating a spindle, a non-ferromagnetic seed layer coupled to the spindle and deposited on a substrate, and a non-ferromagnetic base layer deposited on the seed layer.
[010] a thin-film magnetic disk including a first ferromagnetic layer having directivity, a non-ferromagnetic spacer layer, and a [1010] second ferromagnetic layer having directivity; An actuator assembly including a writing head;
drive.
強磁性層が[1010]定向性を有し、スペーサ層が
[112]または[1010]定向性を有する、請求項
13に記載のディスク・ドライブ。14. The substrate according to claim 13, wherein the base layer has [112] orientation, the first ferromagnetic layer has [1010] orientation, and the spacer layer has [112] or [1010] orientation. Disk drive as described in.
む、請求項13に記載のディスク・ドライブ。15. The disk drive according to claim 13, wherein the seed layer comprises a material having a B2 structure.
に記載のディスク・ドライブ。16. The method of claim 13, wherein the seed layer comprises NiAl.
Disk drive as described in.
に記載のディスク・ドライブ。17. The method of claim 13, wherein the seed layer comprises FeAl.
Disk drive as described in.
ウム、オスミウム、またはレニウムを含み、六方構造を
有する、請求項13に記載のディスク・ドライブ。18. The disk drive of claim 13, wherein the spacer layer comprises cobalt, chromium, ruthenium, osmium, or rhenium and has a hexagonal structure.
度が100Oeだけ異なる、請求項13に記載のディス
ク・ドライブ。19. The disk drive according to claim 13, wherein the coercivity of the first ferromagnetic layer and the second ferromagnetic layer differ by 100 Oe.
ムまたはクロムの合金を含み、第1の強磁性層がコバル
ト合金を含み、スペーサ層がクロム、ルテニウム、オス
ミウム、レニウム、またはこれらの合金を含み、第2の
強磁性層がコバルト合金を含み、磁気ディスクが被覆層
をさらに含む、請求項13に記載のディスク・ドライ
ブ。20. A seed layer comprising NiAl, a base layer comprising chromium or an alloy of chromium, a first ferromagnetic layer comprising a cobalt alloy, and a spacer layer comprising chromium, ruthenium, osmium, rhenium or an alloy thereof. 14. The disk drive of claim 13, wherein the second ferromagnetic layer comprises a cobalt alloy and the magnetic disk further comprises a cover layer.
であり、基層の厚さが10nmと80nmの間であり、
第1の強磁性層の厚さが5nmと50nmの間であり、
スペーサ層の厚さが1ないし20nmである、請求項1
3に記載のディスク・ドライブ。21. The seed layer thickness is between 2 nm and 50 nm, the base layer thickness is between 10 nm and 80 nm,
The thickness of the first ferromagnetic layer is between 5 nm and 50 nm,
The thickness of the spacer layer is 1 to 20 nm.
3. The disk drive according to 3.
金が、CoPtCrTa、CoPtCrB、またはCo
PtCrである、請求項21に記載のディスク・ドライ
ブ。22. The first and second ferromagnetic layers, wherein the cobalt alloy is CoPtCrTa, CoPtCrB, or CoPtCrB.
22. The disk drive according to claim 21, which is PtCr.
ステップと、 シード層上に基層をスパッタリングするステップと、 [1010]定向性を有する第1の強磁性層を基層上に
スパッタリングするステップと、 第1の強磁性層上にスペーサ層をスパッタリングするス
テップと、 [1010]定向性を有する第2の強磁性層をスパッタ
リングするステップとを含む、薄膜ディスクの製造方
法。23. Sputtering a seed layer on a substrate, sputtering a base layer on the seed layer, [1010] sputtering a first ferromagnetic layer having directivity on the base layer, [1010] A method of manufacturing a thin-film disk, comprising: sputtering a spacer layer on one ferromagnetic layer; and [1010] sputtering a second ferromagnetic layer having directivity.
る、請求項23に記載の方法。24. The method according to claim 23, wherein the seed layer is a material having a B2 structure.
NiCrである材料である、請求項23に記載の方法。25. The method of claim 23, wherein the seed layer is a material that is NiAl, FeAl, or NiCr.
基層がCrまたはCr合金であり、第1および第2の強
磁性層がコバルト合金である、請求項23に記載の方
法。26. A material wherein the seed layer is NiAl,
24. The method of claim 23, wherein the base layer is Cr or a Cr alloy and the first and second ferromagnetic layers are a cobalt alloy.
求項23に記載の方法。27. The method of claim 23, wherein the substrate has a [112] orientation.
0]の定向性を有する、請求項23に記載の方法。The spacer layer may be [112] or [101].
0].
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