JPH1168402A - Strip line half wavelength side combining filter - Google Patents

Strip line half wavelength side combining filter

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JPH1168402A
JPH1168402A JP21477497A JP21477497A JPH1168402A JP H1168402 A JPH1168402 A JP H1168402A JP 21477497 A JP21477497 A JP 21477497A JP 21477497 A JP21477497 A JP 21477497A JP H1168402 A JPH1168402 A JP H1168402A
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JP
Japan
Prior art keywords
line
filter
wavelength side
length
pattern
Prior art date
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Pending
Application number
JP21477497A
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Japanese (ja)
Inventor
Katsumi Tanaka
勝己 田中
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Kokusai Electric Corp
Original Assignee
Kokusai Electric Corp
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Filing date
Publication date
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Publication of JPH1168402A publication Critical patent/JPH1168402A/en
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Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To simplify the structure of a pattern and to reduce an insertion loss by making the part of a specific wavelength, which is not overlapped with an adjacent line pattern of a line pattern positioned at both edges in a direction vertical to the longitudinal direction of the line pattern, an input/output line. SOLUTION: Three line patterns 11 to 13 of a length λ/2 are formed on a dielectric substrate 10 and two side combining parts consisting of the mutually opposed parts of a length λ/4 of the adjacent line patterns 11 to 13 to constitute a filter of two filter stages. At the line patterns 11 and 13 on an outermost side, an input/output line is respectively formed at the part of a length λ/4 of a left half part and a right half part. Then, an n-stage filter is constituted by (n+1)-number of line patterns in general. Parameters W3 and S3 are fixed so as to obtain desired attenuation characteristic by simulation with the line width W3 and the interval S3 of each line pattern 11 to 13 as parameters.

Description

【発明の詳細な説明】DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION

【0001】[0001]

【発明の属する技術分野】本発明は、ストリップライン
半波長側結合フィルタとその設計法に関するものであ
る。
[0001] 1. Field of the Invention [0002] The present invention relates to a stripline half-wavelength side coupling filter and a design method thereof.

【0002】[0002]

【従来の技術】従来のバンドパス型のストリップライン
半波長側結合フィルタは、その段数をn段とするとn+
1組の側結合部と入出力ラインから構成されている。図
3は、3段のストリップライン半波長側結合フィルタの
構成例を示す斜視図で、図4は上からみた上面図であ
る。誘電体基板30上に、λ/2(λ:波長)長の3個
のパターン32、33、34とλ/4長の2個のライン
パターン31、35が形成され、またラインパターン3
1、35の端部に入出力ライン36、37が形成されて
いる。このストリップライン半波長側結合フィルタは、
各ラインパターンのライン幅とそれらの間隔を適宜定め
て、所要の特性が得られるように設計される。また、入
出力ラインは、その特性インピーダンスが50Ωになる
ようにその幅が定められ、その長さは実装に必要な外部
端子程度に定められる。
2. Description of the Related Art A conventional bandpass type stripline half-wavelength side coupling filter has an n +
It consists of a set of side couplings and input / output lines. FIG. 3 is a perspective view showing a configuration example of a three-stage stripline half-wavelength side coupling filter, and FIG. 4 is a top view seen from above. On the dielectric substrate 30, three patterns 32, 33, and 34 having a length of λ / 2 (λ: wavelength) and two line patterns 31 and 35 having a length of λ / 4 are formed.
Input / output lines 36 and 37 are formed at the ends of the first and the 35th. This stripline half wavelength side coupling filter
The line width of each line pattern and the interval between them are appropriately determined, and the design is performed so that required characteristics can be obtained. The width of the input / output line is determined so that its characteristic impedance is 50Ω, and its length is determined to be about the external terminals required for mounting.

【0003】[0003]

【発明が解決しようとする課題】従来の技術では、n段
のバンドパス型のストリップライン半波長側結合フィル
タを構成するのにn+1組の側結合部を設けており、こ
のためにはn+2個のラインパターンを誘電体基板上に
形成していた。しかしこのような従来技術では、同じ段
数のストリップライン半波長側結合フィルタをより少な
いラインパターンで構成するとともに、その特性をより
改良することは考慮されていない。
In the prior art, n + 1 sets of side coupling sections are provided to constitute an n-stage bandpass type stripline half-wavelength side coupling filter. Was formed on the dielectric substrate. However, in such a conventional technique, it is not considered to configure the stripline half-wavelength side coupling filter having the same number of stages with a smaller number of line patterns and to further improve the characteristics thereof.

【0004】本発明の目的は、その挿入損失がより少な
く、ラインパターンの個数を減少させたストリップライ
ン半波長側結合フィルタを提供するにある。
It is an object of the present invention to provide a strip line half-wavelength side coupling filter having a smaller insertion loss and a reduced number of line patterns.

【0005】[0005]

【課題を解決するための手段】上記の目的を達成するた
めに、本発明は、nを3またはそれ以上の正の整数とし
たとき、ライン幅が同じでかつその長さが1/2波長で
あるn個のラインパターンを、所定の間隔でもって平行
に、かつラインパターンの長さ方向で1/4波長づつ重
なるように誘電体基板上に配置して形成したことを特徴
とするストリップライン半波長側結合フィルタを提供す
る。
In order to achieve the above-mentioned object, the present invention relates to a method for producing a semiconductor device, comprising the steps of: A strip line formed by arranging n line patterns on a dielectric substrate in parallel at predetermined intervals and overlapping by 1 / wavelength in the length direction of the line patterns. A half-wavelength side coupling filter is provided.

【0006】また、本発明は、前記ラインパターンの長
さ方向に対して垂直な方向の両端に位置する2個のライ
ンパターンの、隣接するラインパターンと重なりをもた
ない1/4波長の部分を入出力ラインとしたことを特徴
とする請求項1記載のストリップライン半波長側結合フ
ィルタを提供する。
The present invention also relates to a quarter wavelength portion of two line patterns located at both ends in a direction perpendicular to the length direction of the line pattern, which does not overlap with an adjacent line pattern. 2. The strip line half-wavelength side coupling filter according to claim 1, wherein

【0007】[0007]

【発明の実施の形態】以下、本発明の実施の形態を説明
する。図1及び図2は、本発明になるストリップライン
半波長側結合フィルタの構成例を示すもので、図1は、
斜視図、図2は上面図である。フィルタ段数は2段であ
り、誘電体基板10上にはλ/2長の3個のラインパタ
ーン11、12、13が形成され、2つの側結合部を有
した構造となっている。即ち、ラインパターン11のλ
/4長の右半分とラインパターン12のλ/4長の左半
分が第1の側結合部を、ラインパターン12のλ/4長
の右半分とラインパターン13のλ/4長の左半分が第
2の側結合部を形成している。さらにラインパターン1
1のλ/4長の左半分及びラインパターン13のλ/4
長の右半分は入出力ラインを形成している。
Embodiments of the present invention will be described below. 1 and 2 show a configuration example of a stripline half-wavelength side coupling filter according to the present invention.
FIG. 2 is a perspective view, and FIG. 2 is a top view. The number of filter stages is two. Three line patterns 11, 12, and 13 having a length of λ / 2 are formed on the dielectric substrate 10, and have a structure having two side coupling portions. That is, λ of the line pattern 11
The right half of the / 4 length and the left half of the λ / 4 length of the line pattern 12 form the first side connection portion, and the right half of the λ / 4 length of the line pattern 12 and the left half of the λ / 4 length of the line pattern 13 Form a second side joint. Further line pattern 1
1 and λ / 4 of line pattern 13
The right half of the length forms an input / output line.

【0008】上記に説明した本発明のストリップライン
半波長側結合フィルタは2段バンドパスフィルタの例で
あったが、一般にn段とするにはλ/2長のn+1個の
ラインパターンを誘電体基板上に構成する。そしてこの
設計にあたっては、本発明のストリップライン半波長側
結合フィルタのn−1段型のものと、図3、4を用いて
説明した従来のn段型のものとが近似した特性となるよ
うにする。この手順は次の(1)〜(4)である。 (1)従来型でn段のストリップライン半波長側結合フ
ィルタを、所望のフィルタ特性が得られるように設計す
る。この設計方法は従来からの公知の方法で行う。 (2)従来型でn−1段のストリップライン半波長側結
合フィルタを、所望のフィルタ特性が得られるように設
計する。 (3)上記(2)で設計したストリップライン半波長側
結合フィルタの2つの外側のラインパターンの長さをλ
/4からλ/2に延ばしたラインパターン(幅は同じ)
とする。 (4)上記(3)で求めた形状に対して、図2で示した
パターン幅W3及びパターン間隔S3を可変パラメータ
として特性シミレーションを行い、上記(1)で設計し
たストリップライン半波長側結合フィルタの特性のシミ
ュレーションにより求めた減衰特性と一致する減衰特性
が得られるように上記パラメータW3,S3を求める。
Although the stripline half-wavelength side coupling filter of the present invention described above is an example of a two-stage bandpass filter, in general, in order to have n stages, n + 1 line patterns having a length of λ / 2 are formed by a dielectric material. Construct on a substrate. In this design, the stripline half-wavelength side coupling filter of the present invention has characteristics similar to those of the (n-1) -stage type filter and the conventional n-stage type of filter described with reference to FIGS. To This procedure is the following (1) to (4). (1) A conventional n-stage stripline half-wavelength-side coupling filter is designed to obtain desired filter characteristics. This design method is performed by a conventionally known method. (2) A conventional n-1 stage stripline half-wavelength side coupling filter is designed so as to obtain desired filter characteristics. (3) The length of the two outer line patterns of the stripline half-wavelength side coupling filter designed in (2) above is λ
Line pattern extending from / 4 to λ / 2 (same width)
And (4) Characteristic simulation is performed on the shape obtained in (3) using the pattern width W3 and the pattern interval S3 shown in FIG. 2 as variable parameters, and the stripline half-wavelength side coupling designed in (1) is performed. The parameters W3 and S3 are determined so that an attenuation characteristic that matches the attenuation characteristic determined by the simulation of the filter characteristic is obtained.

【0009】図5は、以上に説明した方法で設計したス
トリップライン半波長側結合フィルタの、シミュレーシ
ョンで求めた減衰特性例を従来のストリップライン半波
長側結合フィルタの例と比較して示したもので、図1と
図3の減衰特性の比較である。即ち、中心周波数は1G
Hzで、従来型の方は図3、図4のような3段型、本発
明の方は図1、図2のような2段型である。誘電体基板
は比誘電率が67のセラミック基板(厚さ1.86m
m)であり、この基板上でのλ/4長は約9.15mm
となる。各フィルタ寸法は以下の通りであった。 従来型の寸法(図4): W1=0.13mm S1=0.075mm S2=0.89mm 本発明の寸法(図2): W3=1.88mm S3=0.34mm なお、位相特性やより広い周波数範囲での減衰特性は図
5では省略したが、これらはほぼ一致する。
FIG. 5 shows an example of an attenuation characteristic obtained by simulation of a stripline half-wavelength side coupling filter designed by the method described above in comparison with an example of a conventional stripline half-wavelength side coupling filter. 4 is a comparison of the damping characteristics of FIG. 1 and FIG. That is, the center frequency is 1G
In Hz, the conventional type is a three-stage type as shown in FIGS. 3 and 4, and the present invention is a two-stage type as shown in FIGS. The dielectric substrate is a ceramic substrate having a relative dielectric constant of 67 (having a thickness of 1.86 m).
m), and the λ / 4 length on this substrate is about 9.15 mm
Becomes The dimensions of each filter were as follows. Dimensions of conventional type (FIG. 4): W1 = 0.13 mm S1 = 0.075 mm S2 = 0.89 mm Dimensions of the present invention (FIG. 2): W3 = 1.88 mm S3 = 0.34 mm Note that phase characteristics and a wider range Although the attenuation characteristics in the frequency range are omitted in FIG. 5, they substantially match.

【0010】図5の結果からみられるように、本発明の
ストリップライン半波長側結合フィルタは従来型と同様
の減衰特性をもち、かつ挿入損失がより小さい特性を実
現できる。さらに図1と図3を比較してみれば明らかな
ように、本発明の方がフィルタの構造が簡単になり、パ
ターン形成のためのプロセスを簡単化できるという利点
がある。
As can be seen from the results shown in FIG. 5, the stripline half-wavelength side coupling filter of the present invention has the same attenuation characteristics as the conventional type, and can realize characteristics with small insertion loss. Further, as is apparent from a comparison between FIG. 1 and FIG. 3, the present invention has the advantage that the structure of the filter is simplified and the process for pattern formation can be simplified.

【0011】[0011]

【発明の効果】本発明によれば、パターンの構造が簡単
で作製が容易な、かつ挿入損失の少ないバンドパス型の
ストリップライン半波長側結合フィルタを実現できると
いう効果がある。
According to the present invention, there is an effect that a bandpass type strip line half-wavelength side coupling filter which has a simple pattern structure, is easy to manufacture, and has a small insertion loss can be realized.

【図面の簡単な説明】[Brief description of the drawings]

【図1】本発明になるストリップライン半波長側結合フ
ィルタの構成例を示す斜視図である。
FIG. 1 is a perspective view showing a configuration example of a stripline half-wavelength side coupling filter according to the present invention.

【図2】図1のフィルタの上面図である。FIG. 2 is a top view of the filter of FIG.

【図3】従来のストリップライン半波長側結合フィルタ
の構成例を示す斜視図である。
FIG. 3 is a perspective view showing a configuration example of a conventional stripline half-wavelength side coupling filter.

【図4】図3のフィルタの上面図である。FIG. 4 is a top view of the filter of FIG. 3;

【図5】図1と図3のフィルタの減衰特性の比較図であ
る。
FIG. 5 is a comparison diagram of the attenuation characteristics of the filters of FIGS. 1 and 3;

【符号の説明】[Explanation of symbols]

10 誘電体基板 11〜13 ラインパターン 10 Dielectric substrate 11-13 Line pattern

Claims (2)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】 nを3またはそれ以上の正の整数とした
とき、ライン幅が同じでかつその長さが1/2波長であ
るn個のラインパターンを、所定の間隔でもって平行
に、かつラインパターンの長さ方向で1/4波長づつ重
なるように誘電体基板上に配置して形成したことを特徴
とするストリップライン半波長側結合フィルタ。
When n is a positive integer of 3 or more, n line patterns having the same line width and a length of 1 / wavelength are arranged in parallel at a predetermined interval. A strip line half-wavelength side coupling filter, which is formed on a dielectric substrate so as to overlap by 1 / wavelength in the length direction of the line pattern.
【請求項2】 前記ラインパターンの長さ方向に対して
垂直な方向の両端に位置する2個のラインパターンの、
隣接するラインパターンと重なりをもたない1/4波長
の部分を入出力ラインとしたことを特徴とする請求項1
記載のストリップライン半波長側結合フィルタ。
2. The two line patterns located at both ends in a direction perpendicular to the length direction of the line pattern,
2. The input / output line according to claim 1, wherein a quarter wavelength portion having no overlap with an adjacent line pattern is used as an input / output line.
The stripline half-wavelength side coupling filter as described.
JP21477497A 1997-08-08 1997-08-08 Strip line half wavelength side combining filter Pending JPH1168402A (en)

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