KR20030057910A - Lamination Band Pass Filter - Google Patents

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KR20030057910A
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이영신
강남기
유찬세
이우성
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전자부품연구원
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Abstract

PURPOSE: A stack band pass filter is provided to be capable of designing a resonator structure without limitation by realizing distributed elements with a planar circuit using a stack ceramic technique. CONSTITUTION: A stack band pass filter has an input terminal(1) and an output terminal(2) and a pair of resonators(10) which are curved to have a predetermined shape and are installed to be opposite to each other. Each capacitor(C) is formed between each resonator and a ground(G). The resonators has such a structure that one side is opened, and the input terminal and the output terminal are formed at the opened portion.

Description

적층 대역통과 여파기 { Lamination Band Pass Filter}Lamination Band Pass Filter

본 발명은 마이크로 스트립 선로 대역통과 여파기에 관한 것으로, 보다 상세하게는 적층 세라믹 공정을 이용한 결합스트립선로 대역통과 여파기에 관한 것이다.The present invention relates to a microstrip line bandpass filter, and more particularly, to a combined strip line bandpass filter using a multilayer ceramic process.

일반적으로 대역통과여파기(Band Pass Filter: BPF)는 특정의 주파수대역을 통과시키고 그 외의 주파수대역을 저지하는 여파기로, 저역통과여파기(Low Pass Filter:LPF)와 고역통과여파기(High Pass Filter:HPF)를 조합시켜 놓은 것이며 다중 반송 통신 등에서 주파수를 유효하게 사용하기 위해 필요하다.In general, a band pass filter (BPF) is a filter that passes a specific frequency band and blocks other frequency bands, and a low pass filter (LPF) and a high pass filter (HPF). ) Is necessary to effectively use frequency in multi-carrier communication.

종래에는 도1에 도시된 바와 같이 평행스트립라인을 계단 형태로 연속적으로 연결시킨 계단 임피던스 공진형 평행선로 대역통과여파기였다. 특히 세라믹 유전체 필터의 경우 공진기의 형태가 바(BAR)형이어서 부피가 많이 차지할 뿐만 아니라 소형화 및 경박화하는데 한계가 있으며 공진기의 품질계수(Q)의 향상에도 어려움이 따른다. 그뿐만 아니라 공진기 형태의 변형이 어려워 전적으로 재료의 유전률에 의존하였었다.In the related art, as shown in FIG. 1, a stepped impedance resonant parallel line bandpass filter in which parallel strip lines are continuously connected in a step shape is shown. In particular, in the case of the ceramic dielectric filter, the shape of the resonator is a bar (BAR), not only to occupy a large volume, but also to limit the miniaturization and thinning, and also to improve the quality factor (Q) of the resonator. In addition, it was difficult to deform the resonator shape, which was entirely dependent on the dielectric constant of the material.

이에, 본 발명은 적층세라믹 기술을 이용하여 분포소자를 평행판 회로(Planar Circuit)로 구현함으로써 공진기 구조의 설계가 자유로워지며 기존 유전체 여파기가 가지는 재료의 유전특성상 장점을 가지면서도 부품의 경박화와 소형화의 장점을 갖는 대역통과 여파기를 발명하는데 그 목적이 있다.Accordingly, the present invention frees the design of the resonator structure by implementing the distribution element as a parallel circuit using a laminated ceramic technology, and has advantages in the dielectric properties of the material of the existing dielectric filter, An object of the present invention is to invent a bandpass filter having advantages of miniaturization.

도 1 은 종래의 마이크로 스트립 선로 대역통과 여파기1 is a conventional microstrip line bandpass filter

도 2 는 본 발명에 따른 마이크로 스트립 선로 대역통과 여파기 Ⅰ2 is a microstrip line bandpass filter I according to the present invention.

도 3 은 본 발명에 따른 마이크로 스트립 선로 대역통과 여파기 ⅡFigure 3 is a microstrip line bandpass filter in accordance with the present invention.

도 4 는 본 발명에 따른 마이크로 스트립 선로 대역통과 여파기 Ⅲ4 is a microstrip line bandpass filter III according to the present invention.

도 5 는 본 발명에 따른 일실시예로서, 기본 공진기 구조5 is a basic resonator structure according to an embodiment of the present invention.

도 6 은 도 5 의 HFSS 소프트웨어의 시뮬레이션 결과6 is a simulation result of the HFSS software of FIG.

도 7 은 도 5 를 확장한 시뮬레이션을 위한 3차원 모델FIG. 7 is a three-dimensional model for the simulation of FIG. 5.

도 8 은 도 7 의 패턴 및 설계 변수들8 shows the pattern and design parameters of FIG.

도 9 는 도 7 의 등가회로9 is an equivalent circuit of FIG.

도 10 은 도 7 의 시뮬레이션 결과(기준: g3a2w2)로서 대역통과 필터의 특성FIG. 10 is a characteristic of a bandpass filter as a simulation result (reference: g3a2w2) of FIG.

도 11 은 도 7 의 시뮬레이션 결과(기준: g3a2w2)로서 저지대역 특성FIG. 11 is a stopband characteristic as a simulation result (reference: g3a2w2) of FIG.

도 12 는 도 7 의 스미스챠트12 is the Smith chart of FIG.

도 13 은 입출력단의 선폭(a)값의 변화에 따른 필터의 특성13 is a characteristic of the filter according to the change of the line width a value of the input / output terminal

도 14 는 공진기의 임피던스(w)의 변화에 따른 필터의 특성14 is a characteristic of the filter according to the change of the impedance (w) of the resonator

도 15 는 공진기간의 거리(g)에 따른 필터의 특성의 변화15 is a change of characteristics of the filter according to the distance g of the resonance period.

도 16 은 공진기간의 거리(g)에 따른 대역폭의 변화16 is a change in bandwidth according to the distance g of the resonance period.

도 17 은 공진기간의 거리(g)에 따른 저극주파수의 변화Fig. 17 shows the change of the low pole frequency with the distance g of the resonance period.

도 18 은 공진기간의 거리(g)에 따른 상극주파수의 변화Fig. 18 shows the change of the phase polarity according to the distance g of the resonance period.

****도면의 주요부분에 대한 부호의 설명******** Description of the symbols for the main parts of the drawings ****

1 : 입력단 2 : 출력단1: input 2: output

3 : 비아 4 : 캐패시터 패턴3: via 4: capacitor pattern

10 : 공진기10: resonator

상기와 같은 목적을 달성하기 위한 본 발명은 적층 대역 통과 여파기에 있어서, 입력단 및 출력단이 구비되며, 소정의 형태로 절곡 시킨 한쌍의 공진기가 대향 설치되며, 상기 공진기와 접지 사이를 커패시터가 매개해 준 회로를 기본공진구조로 한다.According to the present invention for achieving the above object, in the stacked band pass filter, an input terminal and an output terminal are provided, and a pair of resonators bent in a predetermined form are opposed to each other, and a capacitor mediates between the resonator and ground. The circuit has a basic resonance structure.

도 2 는 본 발명의 제일측면에서의 바람직한 실시예로서, 정면에서 바라보았을 때 입력단(1) 및 출력단(2)를 구비하고 그 하부에는 절곡된 형태의 공진기(10)가 좌우 대향 설계되어진다. 도3는 본 발명의 제이측면에서의 바람직한 실시예로서, 공진기의 품질계수의 향상을 위해 디귿자 형태의 공진기(10)와 접지(Ground : 그라운드) 사이에 캐패시터(Capacitor)가 형성되며 보다 바람직하기로는, 도4에 도시된 바와 같이 입·출력단(1)(2) 각각을 절곡된 공진기 사이, 즉 오목 들어간 홈내에 위치시켜 보다 소형화를 이룬다.FIG. 2 is a preferred embodiment of the first aspect of the present invention, which has an input stage 1 and an output stage 2 when viewed from the front, and a resonator 10 having a bent shape is designed to face left and right. Figure 3 is a preferred embodiment in the second aspect of the present invention, a capacitor is formed between the resonator 10 and ground (ground) in the form of a resonator in order to improve the quality factor of the resonator, more preferably As shown in Fig. 4, each of the input and output terminals 1 and 2 is placed between the bent resonators, that is, in the recessed groove, to achieve a smaller size.

본 발명의 공진기의 형태로는 링형태를 제외한 구부린 형태 모두를 포함한다.The form of the resonator of the present invention includes all of the bent forms except the ring form.

또한, 입·출력단의 위치는 어디에 놓이든지 무관하다. 예를 들면 입,출력단이 서로 엇갈려 있는 경우뿐만 아니라 상기 공진기의 하부에 놓일수도 있다. 바람직하기로는 도2에 도시된 바와 같이 공진기의 위치가 일측이 개방된 부분에 구비되도록한다. 그 이유는 다른 위치보다 그곳에 위치하였을 때 공진기의 품질계수(Q)가 가장 우수하며 또한 공진기의 사이즈가 최소가 되기 때문이다.In addition, the positions of the input and output terminals are irrelevant wherever they are placed. For example, the input and output terminals may be placed in the lower part of the resonator as well as when the input and output terminals are crossed. Preferably, as shown in FIG. 2, the resonator is positioned at one side of the open portion. The reason is that the quality factor Q of the resonator is the best and the size of the resonator is minimum when it is located there than other positions.

이하, 본 발명을 구체적인 실시예로 설명하기로 한다.Hereinafter, the present invention will be described in specific examples.

본 발명은 도 5 에 도시된 바와 같이 일측이 개방된 2단 공진기 타입을 기본적인 공진기 형태이며, 그 구조는 구부러진 공진기가 있으며 미도시되어 있지만 제일 하단에는 그라운드(Ground)가 있으며, 캐패시터(Capacitor)를 유도하기 위해 상기 공진기와 그라운드 사이에 캐패시터 패턴이 형성된다. 물론 공진기와 캐패시터 패턴사이는 비아로 연결된다. 여기에서는 입,출력단이 미도시되어 있다.5 is a basic resonator type having a two-stage resonator type of which one side is open as shown in FIG. 5, and the structure thereof is a curved resonator, and is not shown, but at the bottom thereof, there is a ground and a capacitor. To induce a capacitor pattern is formed between the resonator and ground. Of course, there is a via between the resonator and the capacitor pattern. The input and output stages are not shown here.

도 6 은 도 5 의 적층세라믹 대역통과여파기를 HFSS 소프트웨어를 이용하여 시뮬레이션 한 결과인데, 상기 단위 공진기가 3차 고조파 성분만이 미비하게 발생하므로 저지대역특성, 즉 하모닉(harmonic) 특성이 우수함을 알 수 있다. 사용하는 공진주파수가 다를 경우, 특히 공진기 길이가 매우 클 경우에는 비아를 이용하여 다층으로 공진기를 연결하고 사이에 그라운드를 삽입시키는 방식으로 공진기의 길이를 증가시킬수 있다.FIG. 6 is a simulation result of the multilayer ceramic bandpass filter of FIG. 5 using HFSS software. Since the unit resonator generates only third-order harmonics, the stopband characteristic, that is, the harmonic characteristic is excellent. Can be. When the resonant frequency used is different, especially when the resonator length is very large, the length of the resonator can be increased by connecting the resonators in multiple layers using vias and inserting ground therebetween.

도 7 은 마이크로 스트립선로 대역통과여파기의 HFSS 시뮬레이션을 위한 3차원 모델이며 도 9 는 도 7 에서 설계된 여파기의 등가회로이며 도 8 은 도 7 의 평면도로서 특성평가를 위한 설계변수를 나타낸다. 도 7, 8, 9에 도시된 바와 같이 대역통과 여파기는 일측이 개방된 구부러진 형태(여기서는 G형)의 공진기(10)가 서로 대향되게 제일 위쪽에 형성되며 미도시되어 있지만 제일 하단에는 그라운드가 있으며, 캐패시터를 유도하기 위한 캐패시터 패턴이 상기 공진기와 그라운드 사이에 형성이 되며, 입,출력단 각각이 상기 공진기의 일측이 개방된 부분에 형성된다. 또한 상기 공진기와 캐패시터 패턴 사이에는 비아로써 연결이 이루어진다.FIG. 7 is a three-dimensional model for the HFSS simulation of the microstrip line bandpass filter, FIG. 9 is an equivalent circuit of the filter designed in FIG. 7, and FIG. 8 is a plan view of FIG. 7, 8, and 9, the band pass filter is formed at the top of the bent resonator 10 (here, G-type) with one side open to face each other and is not shown, but at the bottom, there is ground. A capacitor pattern for inducing a capacitor is formed between the resonator and the ground, and each of the input and output terminals is formed at an open portion of one side of the resonator. In addition, a connection is made between the resonator and the capacitor pattern as a via.

도시된 도8을 보면, g는 공진기간 커플링을 조절하기 위한 변수로서 공진기간 거리를 나타내며 w는 공진기의 임피던스, a는 입출력 임피던스를 조절하기 위한 변수로서 공진기의 선폭을 나타내며 이러한 변수들을 다음 표에 시뮬레이션을 위해정리하였다.Referring to FIG. 8, g represents a resonance period distance as a parameter for adjusting the resonance period coupling, w represents an impedance of the resonator, a represents a line width of the resonator as a variable for adjusting the input / output impedance, and these variables are shown in the following table. In order to simulate it.

표1. 시뮬레이션을 위한 변수 정리 (단위 :mm)Table 1. Variable Theorem for Simulation (Unit: mm)

gg 0.380.38 0.400.40 0.420.42 0.440.44 0.460.46 awaw 0.310.31 0.330.33 0.350.35 0.310.31 0.330.33 0.350.35 0.310.31 0.330.33 0.350.35 0.310.31 0.330.33 0.350.35 0.310.31 0.330.33 0.350.35 0.230.23 g1a1w1g1a1w1 g1a2w1g1a2w1 g1a3w1g1a3w1 g2a1w1g2a1w1 g2a2w1g2a2w1 g2a3w1g2a3w1 g3a1w1g3a1w1 g3a2w1g3a2w1 g3a3w1g3a3w1 g4a1w1g4a1w1 g4a2w1g4a2w1 g4a3w1g4a3w1 g5a1w1g5a1w1 g5a2w1g5a2w1 g5a3w1g5a3w1 0.250.25 g1a1w2g1a1w2 g1a2w2g1a2w2 g1a3w2g1a3w2 g2a1w2g2a1w2 g2a2w2g2a2w2 g2a3w2g2a3w2 g3a1w2g3a1w2 g3a2w2g3a2w2 g3a3w2g3a3w2 g4a1w2g4a1w2 g4a2w2g4a2w2 g4a3w2g4a3w2 g5a1w2g5a1w2 g5a2w2g5a2w2 g5a3w2g5a3w2 0.270.27 g1a1w3g1a1w3 g1a2w3g1a2w3 g1a3w3g1a3w3 g2a1w3g2a1w3 g2a2w3g2a2w3 g2a3w3g2a3w3 g3a1w3g3a1w3 g3a2w3g3a2w3 g3a3w3g3a3w3 g4a1w3g4a1w3 g4a2w3g4a2w3 g4a3w3g4a3w3 g5a1w3g5a1w3 g5a2w3g5a2w3 g5a3w3g5a3w3

다음 도 10 부터 12까지는 상기 설계 변수들 중 g3a2w2(g=0.42mm, a=0.33mm, w=0.25mm)를 기준으로 하여 여러 가지 실험을 했는데, 그 중 도 10 은 대역통과 여파기의 특성을 나타내며 또한 도 11 은 저지대역 특성을 나타내고 있다. 여기서는 여파기의 저지대역 감쇄특성이 우수함을 알 수 있는데, 이는 공진기에 그라운드로 캐패시터를 달아줌으로써 공진기의 품질계수(Q)가 높아졌음을 의미한다고 볼 수 있다. 도 12 는 상기 도 11 의 대역통과 여파기의 입출력 임피던스 매칭 특성을 스미스챠트를 이용하여 나타낸 것인데, 전압정재파비(Voltage Standing Wave Ratio : VSWR)는 통과대역에서 1.2 이다. 이것은 임피던스 매칭이 잘 이루어진 것을 의미한다.10 to 12, various experiments were performed based on g3a2w2 (g = 0.42mm, a = 0.33mm, w = 0.25mm) among the design variables, and FIG. 10 shows characteristics of the bandpass filter. 11 also shows stopband characteristics. Here, it can be seen that the stopband attenuation characteristics of the filter are excellent, which means that the quality factor Q of the resonator is increased by attaching a capacitor to the resonator. FIG. 12 illustrates input / output impedance matching characteristics of the bandpass filter of FIG. 11 using a Smith chart, and a voltage standing wave ratio (VSWR) is 1.2 in a passband. This means that impedance matching is good.

도 13 부터 도 18 까지는 g(공진기간 거리), w(공진기의 임피던스), a(공진기 선폭)를 변경하여, 그에 따른 필터의 특성을 나타낸 것이다.13 to 18 show the characteristics of the filter by changing g (resonance period distance), w (impedance of the resonator), and a (resonator line width).

도 13 에서는 g 및 w의 값은 고정시키면서 a (공진기 선폭)만을 달리하여 시뮬레이션 한 것으로, 입출력 임피던스의 변화는 저지대역이나 밴드폭에 큰 영향을 주지 않으며 반사손실의 변화만이 있으므로 입출력 매칭을 위한 최적의 선폭이 구현되어야 한다. 도 14 에는 공진기의 임피던스 변화에 따른 여파기의 특성을 나타내고 있는데, 임피던스의 증가에 따라 통과대역이 내려가고 있으며 감쇄극도 같은 경향을 보이고 있음을 알 수 있다.In FIG. 13, the values of g and w are simulated by varying only a (resonator line width) while the values of g and w are fixed. Optimum line width should be implemented. Figure 14 shows the characteristics of the filter according to the change of the impedance of the resonator, it can be seen that the pass band is lowered with the increase of the impedance and the attenuation poles also show the same trend.

도 15 는 공진기간의 거리 g값에 따른 여파기 특성의 변화를 나타내고 있는데 g값에 따라서 중심주파수의 변화는 미비하고 대역폭 및 저지대역 특성이 변화하고 있음을 알 수 있다.FIG. 15 shows the change of the filter characteristics according to the distance g value of the resonance period, but it can be seen that the change of the center frequency is insignificant and the bandwidth and stopband characteristics change according to the g value.

도 16 은 대역폭의 변화를 나타내고 있는데, 공진기간 커플링 양의 감소에 따라 대역폭도 감소하고 있음을 알 수 있다.16 shows a change in bandwidth, and it can be seen that the bandwidth decreases as the amount of resonance coupling decreases.

도 17 과 18은 공진기간 거리인 g값의 변화에 따른 감쇄극(Attenuation Pole) 주파수의 변화를 나타내고 있는데 공진기간 커플링 양이 줄어듦에 따라 대역폭뿐만 아니라 감쇄극도 중심주파수 쪽으로 모이는 현상을 확인할 수 있다. 따라서 적정한 대역폭과 감쇄극 주파수를 공진기간 커플링을 조절하여 구현할 수 있다고 할 수 있다.17 and 18 show the change of the attenuation pole frequency according to the change of the g value, which is the resonance period distance. As the coupling amount of the resonance period decreases, the phenomenon that the attenuation poles as well as the bandwidth converge toward the center frequency can be seen. . Therefore, it can be said that an appropriate bandwidth and attenuation pole frequency can be realized by adjusting the resonance period coupling.

이와 같은 구조로 공진기를 형성함으로써 입출력 임피던스 매칭과 커플링이 증가되었으며 여파기의 감쇄특성을 향상시키면서 여파기의 소형화도 꾀할 수 있다.By forming the resonator in such a structure, input / output impedance matching and coupling are increased, and the filter can be miniaturized while improving the attenuation characteristics of the filter.

상기와 같은 본 발명은, 적층세라믹 기술을 이용하여 분포소자를 평행판 회로(Planar Circuit)로 구현함으로써 공진기 구조의 설계가 자유로워지며 공진기의 품질계수가 향상되었을 뿐만 아니라 부품의 경박화와 소형화되는 효과도 발생되었다The present invention as described above, by using a laminated ceramic technology to implement the distribution element in a parallel circuit (Planar Circuit) to free the design of the resonator structure and improve the quality factor of the resonator, as well as the thinning and miniaturization of parts Effect also occurred

Claims (2)

적층 대역 통과 여파기에 있어서, 입력단 및 출력단이 구비되며, 소정의 형태로 절곡 시킨 한쌍의 공진기가 대향 설치되며, 상기 공진기와 접지 사이를 커패시터가 매개해 준 회로를 기본공진구조로 함을 특징으로 하는 적층 대역통과 여파기In the stacked band pass filter, an input terminal and an output terminal are provided, and a pair of resonators bent in a predetermined form are provided to face each other, and a circuit mediated by a capacitor between the resonator and the ground is used as a basic resonance structure. Stacked Bandpass Filters 제 1 항에 있어서, 공진기는 일측이 개방된 형태이며, 개방된 부분에 입,출력단이 구비됨을 특징으로 하는 적층 대역통과 여파기The multilayer band pass filter of claim 1, wherein one side of the resonator is open, and an input and an output terminal are provided at the open portion.
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