JP2000091807A - Dielectric band pass filter - Google Patents

Dielectric band pass filter

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JP2000091807A
JP2000091807A JP10263242A JP26324298A JP2000091807A JP 2000091807 A JP2000091807 A JP 2000091807A JP 10263242 A JP10263242 A JP 10263242A JP 26324298 A JP26324298 A JP 26324298A JP 2000091807 A JP2000091807 A JP 2000091807A
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JP
Japan
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electrode
pattern
electrodes
dielectric
pattern electrodes
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Japanese (ja)
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Masato Ishizaki
正人 石▲崎▼
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Nippon Steel Corp
Original Assignee
Sumitomo Metal Industries Ltd
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Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To improve attenuating characteristics at the low pass side of a pass band. SOLUTION: A band pass filter is constituted of the laminated body of substrates D1-D6 of a dielectric. Inside ground electrodes G1 and G2 to be connected with outside ground electrodes G4 and G5 are formed on substrates D1 and D5, and first and second pattern electrodes P1 and P2 constituting first and second resonators with the inside ground electrodes G1 and G2 are formed on a substrate D3, and a third pattern electrode P3 constituting a third resonator with the inside ground electrodes G1 and G2 is formed on a substrate D4. The fetch electrodes of the pattern electrodes P1 and P2 are connected with input and output electrodes S1 and S2, and the short-circuit edges are connected with the outside ground electrode G4, and the short-circuit edge of the pattern electrode P3 is connected with the ground electrode G4. Thus, the first, third, and second three element resonators can be constituted between the input and output electrodes, and the attenuating amounts at the low pass side can be increased with wide frequencies.

Description

【発明の詳細な説明】DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION

【0001】[0001]

【発明の技術分野】本発明は、誘電体フィルタに関し、
特に、携帯電話等の携帯無線通信機器に組み込まれる積
層型の誘電体バンドパス・フィルタに関する。
TECHNICAL FIELD The present invention relates to a dielectric filter,
In particular, the present invention relates to a laminated dielectric bandpass filter incorporated in a portable wireless communication device such as a mobile phone.

【0002】[0002]

【従来の技術】近年、PHS、携帯電話等の無線通信シ
ステムの普及により、該システムにおいて使用されるモ
バイル通信機器の小型化及び高信頼性化が、よりいっそ
う求められている。このような要求に基づき、モバイル
通信機器内のRF段に組み入れられるバンドパス・フィ
ルタとして、図6の分解斜視図で示すようなチップ型の
LCバンドパス・フィルタが提案されている。図6に示
した従来例の誘電体バンドパス・フィルタは、矩形状の
保護層30、誘電体基板12、接着剤層22、誘電体基
板24、及び保護層32の積層体として構成されてい
る。そして、誘電体基板12の一方の表面のほぼ全体に
グランド電極14が形成され、他方の表面に2つのパタ
ーン電極16a、16b及びガード電極20が形成さ
れ、誘電体層24の保護層32側の表面全体にシールド
電極28が形成されている。パターン電極16a、16
bは、取り出し電極18a、18bを備えている。
2. Description of the Related Art In recent years, with the spread of wireless communication systems such as PHS and mobile phones, there is a growing demand for smaller and more reliable mobile communication devices used in such systems. Based on such a demand, a chip-type LC bandpass filter as shown in an exploded perspective view of FIG. 6 has been proposed as a bandpass filter incorporated in an RF stage in a mobile communication device. The conventional dielectric bandpass filter shown in FIG. 6 is configured as a laminate of a rectangular protective layer 30, a dielectric substrate 12, an adhesive layer 22, a dielectric substrate 24, and a protective layer 32. . The ground electrode 14 is formed on substantially the entire surface of one of the dielectric substrates 12, and the two pattern electrodes 16a and 16b and the guard electrode 20 are formed on the other surface. A shield electrode 28 is formed on the entire surface. Pattern electrodes 16a, 16
b has extraction electrodes 18a and 18b.

【0003】また、図6の従来例の誘電体バンドパス・
フィルタは、積層体の対向する側面に6つの端子電極3
4a〜34fが形成されており、他の対向する側面に端
子電極36a、36bが形成されている。これら端子電
極と積層体内部の電極とは、以下のように接続されてい
る。端子電極34aは、パターン電極16a、グランド
電極14、及びシールド電極28に接続されている。端
子電極34bは、ガード電極20、グランド電極14、
及びシールド電極28に接続されている。端子電極34
cは、パターン電極16b、グランド電極14、及びシ
ールド電極28に接続されている。端子電極34d〜3
4fは、グランド電極14、及びシールド電極28に接
続されている。端子電極36aは、取出電極18aに接
続されている。端子電極36bは、取出電極18bに接
続されている。
FIG. 6 shows a conventional dielectric band-pass filter.
The filter has six terminal electrodes 3 on opposite sides of the laminate.
4a to 34f are formed, and terminal electrodes 36a and 36b are formed on other opposing side surfaces. These terminal electrodes and the electrodes inside the laminate are connected as follows. The terminal electrode 34a is connected to the pattern electrode 16a, the ground electrode 14, and the shield electrode 28. The terminal electrode 34b includes the guard electrode 20, the ground electrode 14,
And the shield electrode 28. Terminal electrode 34
c is connected to the pattern electrode 16b, the ground electrode 14, and the shield electrode 28. Terminal electrodes 34d-3
4f is connected to the ground electrode 14 and the shield electrode 28. The terminal electrode 36a is connected to the extraction electrode 18a. The terminal electrode 36b is connected to the extraction electrode 18b.

【0004】このような構造の従来例の誘電体バンドパ
ス・フィルタにおいては、その等価回路が図7(A)の
ように表される。なお、CX及びMは、第1及び第2の
パターン電極16a、16bの間の電磁的な容量結合及
び誘導結合を示している。また、その減衰特性(周波数
-減衰特性)は図7(B)に示すようになり、通過帯域
の両側に減衰極を有するバンドパス・フィルタを構成し
ている。該フィルタの通過帯域幅は、パターン電極16
a、16bの間隔dを変化させることによって調整する
ことができ、間隔dを小さくすると通過帯域幅は広が
り、逆に大きくすると通過帯域幅は狭くなる。
In a conventional dielectric bandpass filter having such a structure, an equivalent circuit thereof is represented as shown in FIG. Note that CX and M indicate electromagnetic capacitive coupling and inductive coupling between the first and second pattern electrodes 16a and 16b. In addition, its attenuation characteristics (frequency
FIG. 7 (B) shows the band-pass filter having attenuation poles on both sides of the pass band. The pass bandwidth of the filter is
It can be adjusted by changing the distance d between a and 16b. When the distance d is reduced, the pass bandwidth is widened, and when it is increased, the pass bandwidth is narrowed.

【0005】[0005]

【発明が解決しようとする課題】ところで、モバイル通
信機のRF回路に用いられるフィルタ特性は、理想的に
は、通信に使用される帯域のみを損失なく通過させ、そ
れ以外の帯域では無限の減衰量を有することである。し
かし、このようなフィルタは実現できないため、システ
ム、回路構成に合わせてフィルタ特性を最適化すること
が必要である。送信と受信に異なる周波数を利用するF
DD方式を用いた通信システムにおいては、デュプレク
サを構成する送受信用の各フィルタは、それぞれ他方の
周波数帯域において特に大きな減衰量を必要としてい
る。また、送信と受信を高速で切り替えるTDD方式を
用いた通信システムにおいても、通信帯域の上側又は下
側に所望の周波数離れた発振周波数に設定された局部発
振器を利用することが一般的であり、このようなRF回
路に用いられるフィルタでは、局部発振器の発振周波数
側の減衰量を特に必要としている。実際の例として、T
DD方式のPHSの場合、通信周波数が1.9GHz、
局部発振器の周波数が1.65GHz近傍に設定されて
いるので、そのイメージが1.4GHz近傍に発生す
る。したがって、受信周波数1.9GHzの低域側の
1.4〜1.7GHz程度の広範囲で十分な減衰量を得
ることができるフィルタが必要となる。
By the way, the filter characteristic used in the RF circuit of the mobile communication device ideally passes only the band used for communication without loss and infinite attenuation in other bands. Is to have quantity. However, since such a filter cannot be realized, it is necessary to optimize the filter characteristics according to the system and the circuit configuration. F that uses different frequencies for transmission and reception
In a communication system using the DD system, each of the transmission and reception filters constituting the duplexer requires a particularly large attenuation in the other frequency band. Also, in a communication system using the TDD system that switches between transmission and reception at high speed, it is general to use a local oscillator set to an oscillation frequency separated by a desired frequency above or below a communication band, The filter used in such an RF circuit particularly requires an attenuation on the oscillation frequency side of the local oscillator. As a practical example, T
In the case of the PHS of the DD system, the communication frequency is 1.9 GHz,
Since the frequency of the local oscillator is set near 1.65 GHz, the image is generated near 1.4 GHz. Therefore, a filter that can obtain a sufficient amount of attenuation in a wide range of about 1.4 to 1.7 GHz on the low frequency side of the reception frequency of 1.9 GHz is required.

【0006】上記した図7の従来例の誘電体バンドパス
・フィルタにおいては、その通過帯域幅を広めにするた
めにパターン電極16a、16bの間隔dを狭くする
と、これらパターン電極間の結合の容量成分が増加し、
CXが増加することになる。これにより、通過帯域幅は
広がるが、これと同時に減衰極も通過帯域から遠ざかる
ことになる。逆に、パターン電極16a、16bの間隔
dを広げて通過帯域幅を狭くすると減衰極が通過帯域に
接近する。したがって、通過帯域幅を広くしかつ減衰極
を通過帯域に近接させるためには、間隔dを調整しても
不可能である。このような要求を満足させるためには、
接地付近の電極を近接させてM結合を大きくする必要が
あるが、図6の従来例の構造からも明らかなように、こ
れは極めて困難である。さらに、通過帯域を広げるため
には、上記したようにCXを大きくする必要があるが、
図6の構造のように同一平面上でCXを形成しても電極
間の対向面積が小さいため、さほど大きなCXを得るこ
とができない。したがって、従来例の誘電体バンドパス
・フィルタを、局部発振器の周波数が通信帯域よりも低
い周波数を用いている機器に適用した場合、通過帯域の
外側低域で十分な減衰特性が得られず、機器の信頼性が
十分とは言えなかった。本発明は、このような従来例の
問題点に鑑みなされたものであり、その目的は、通過帯
域の外側低域の幅広い周波数にわたって減衰特性が良好
な小型の積層バンドパス・フィルタを提供することであ
る。
In the conventional dielectric band-pass filter shown in FIG. 7, when the distance d between the pattern electrodes 16a and 16b is reduced in order to increase the pass band width, the coupling capacitance between these pattern electrodes is reduced. Ingredients increase,
CX will increase. This widens the passband, but at the same time the attenuation pole moves away from the passband. Conversely, when the interval d between the pattern electrodes 16a and 16b is increased to reduce the pass band width, the attenuation pole approaches the pass band. Therefore, it is impossible to widen the pass band width and bring the attenuation pole close to the pass band even if the distance d is adjusted. In order to satisfy such requirements,
Although it is necessary to increase the M-coupling by bringing the electrodes near the ground close to each other, this is extremely difficult, as is clear from the structure of the conventional example shown in FIG. Further, in order to widen the pass band, it is necessary to increase CX as described above.
Even if CX is formed on the same plane as in the structure of FIG. 6, a very large CX cannot be obtained because the facing area between the electrodes is small. Therefore, when the conventional dielectric band-pass filter is applied to a device in which the frequency of the local oscillator is lower than the communication band, sufficient attenuation characteristics cannot be obtained in the low band outside the pass band, The reliability of the equipment was not sufficient. The present invention has been made in view of such problems of the conventional example, and an object of the present invention is to provide a small-sized multilayer band-pass filter having good attenuation characteristics over a wide frequency range in a low band outside a pass band. It is.

【0007】[0007]

【課題を解決するための手段】上記した本発明の目的を
達成するために、本発明に係る、入力電極、出力電極、
及び外部グランド電極を外部に有する積層型の誘電体バ
ンドパス・フィルタにおいては、その内部に、外部グラ
ンド電極と接続される第1及び第2の内部グランド電極
と、第1及び第2の内部グランド電極の間の同一平面上
に設けられ、第1及び第2の内部グランド電極とともに
第1及び第2の共振器を構成する第1及び第2のパター
ン電極であって、第1のパターン電極の取出電極が入力
電極に接続され、第2のパターン電極の取出電極が出力
電極に接続され、第1及び第2のパターン電極の短絡端
が外部グランド電極に接続されている、第1及び第2の
パターン電極と、第2の内部グランド電極と第1及び第
2のパターン電極との間に設けられ、第1及び第2の第
2の内部グランド電極とともに第3の共振器を構成する
第3のパターン電極であって、その短絡端が外部グラン
ド電極に接続され、かつ、第1及び第2のパターン電極
と電磁的に結合している第3のパターン電極とからな
り、入力電極と出力電極との間に順に電磁的に結合され
た第1、第3、第2の3素子の共振器を構成しており、
かつ第1の共振器と第2の共振器が電磁的に飛び越し結
合していることを特徴としている。
In order to achieve the above object of the present invention, an input electrode, an output electrode,
And a laminated dielectric band-pass filter having an external ground electrode on the outside, the first and second internal ground electrodes connected to the external ground electrode, and the first and second internal grounds inside. First and second pattern electrodes provided on the same plane between the electrodes and forming first and second resonators together with the first and second internal ground electrodes; A first electrode and a second electrode, wherein the extraction electrode is connected to the input electrode, the extraction electrode of the second pattern electrode is connected to the output electrode, and the short-circuit ends of the first and second pattern electrodes are connected to the external ground electrode. And the third internal electrode provided between the first and second internal ground electrodes and the third internal electrode provided between the first and second internal ground electrodes. Pattern of electricity And a third pattern electrode whose short-circuited end is connected to the external ground electrode and is electromagnetically coupled to the first and second pattern electrodes, between the input electrode and the output electrode. To form a first, third, and second three-element resonator that is electromagnetically coupled to
In addition, the first resonator and the second resonator are electromagnetically jump-coupled.

【0008】本発明の誘電体バンドパス・フィルタにお
いては、第1及び第2のパターン電極の開放端が、これ
らパターン電極の短絡端に向かって折り返されており、
第3のパターン電極の開放端が、2つに分割されて左右
対称に短絡端に向かって折り返されており、第1のパタ
ーン電極と第2のパターン電極の電磁的結合並びに第1
及び第2のパターン電極と第3のパターン電極との電磁
的結合において、容量性結合が誘導性結合よりも優勢と
なるように構成されているため、通過帯域の外側低域の
幅広い周波数にわたって良好な減衰特性が得られる。ま
た、本発明の誘電体バンドパス・フィルタはさらに、第
1及び第2のパターン電極の対称軸上に、少なくとも1
つの外部電極に電気的に接続された電極を備えることに
より、これらパターン電極間の飛び越し電磁結合を抑制
させることが可能である。さらにまた、本発明の誘電体
バンドパス・フィルタはさらに、第1及び第2のパター
ン電極と第1の内部グランド電極との間に、これらパタ
ーン電極と部分的に重なるよう設けられ、かつ第1及び
第2のパターン電極の短絡端と反対側の外部グランド電
極と接続された内部グランド電極を設け、第1及び第2
の共振器の特性インピーダンスを調整できるようにする
ことが好ましい。
In the dielectric band-pass filter of the present invention, the open ends of the first and second pattern electrodes are folded toward the short-circuit ends of these pattern electrodes.
The open end of the third pattern electrode is divided into two parts and folded symmetrically toward the short-circuit end, and the electromagnetic coupling between the first pattern electrode and the second pattern electrode and the first pattern electrode are formed.
Also, in the electromagnetic coupling between the second pattern electrode and the third pattern electrode, the capacitive coupling is configured to be dominant over the inductive coupling, so that it is good over a wide range of frequencies in the lower low band outside the pass band. A high attenuation characteristic can be obtained. Further, the dielectric band-pass filter of the present invention further comprises at least one line on the symmetry axis of the first and second pattern electrodes.
By providing an electrode electrically connected to the two external electrodes, it is possible to suppress jumping electromagnetic coupling between these pattern electrodes. Still further, the dielectric bandpass filter of the present invention is further provided between the first and second pattern electrodes and the first internal ground electrode so as to partially overlap with the pattern electrodes, and And an internal ground electrode connected to an external ground electrode on the side opposite to the short-circuited end of the second pattern electrode.
It is preferable that the characteristic impedance of the resonator can be adjusted.

【0009】[0009]

【発明の実施の態様】図1を参照して、本発明の積層誘
電体バンドパス・フィルタの一実施例を説明する。図1
において、(A)は本発明の誘電体バンドパス・フィル
タの斜視図であり、(B)はその分解斜視図である。図
中、D1〜D6は第1〜第6の誘電体基板(以下、基板
D1〜D6)であり、これらは順に積層される。基板D
1、D5それぞれの上面(表面)には内部グランド電極
G1、G2が形成されており、これら内部グランド電極
は、基板D1、D5それぞれの対向する一対の短縁の中
央部以外の基板面全体に渡って、形成されている。基板
D2には、その上面の一部にインピーダンス調整用の内
部グランド電極G3が形成されている。基板D3の上面
には、第1及び第2のパターン電極P1、P2が形成さ
れ、基板D4の上面には、第3のパターン電極P3が形
成されている。基板D2〜D6の下面(裏面)には、電
極が形成されておらず、基板D6は、保護用のものであ
る。
DETAILED DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS Referring to FIG. 1, an embodiment of a laminated dielectric band-pass filter according to the present invention will be described. FIG.
1A is a perspective view of a dielectric bandpass filter of the present invention, and FIG. 1B is an exploded perspective view thereof. In the figure, D1 to D6 are first to sixth dielectric substrates (hereinafter, substrates D1 to D6), which are sequentially stacked. Substrate D
Internal ground electrodes G1 and G2 are formed on the upper surface (front surface) of each of the substrates D1 and D5. These internal ground electrodes are provided on the entire substrate surface except for the central portion of a pair of short edges of the substrates D1 and D5. Across, is formed. An internal ground electrode G3 for impedance adjustment is formed on a part of the upper surface of the substrate D2. First and second pattern electrodes P1 and P2 are formed on the upper surface of the substrate D3, and third pattern electrodes P3 are formed on the upper surface of the substrate D4. No electrodes are formed on the lower surfaces (back surfaces) of the substrates D2 to D6, and the substrate D6 is for protection.

【0010】基板D3上の第1及び第2のパターン電極
P1、P2は、全体として左右対称に形成されており、
各パターン電極において、そのほぼ中央部から基板D3
の短縁に達する取出電極ps1、ps2が形成され、ま
た、一方の端部が基板D3の一方の長縁に達して短絡端
(グランド端)を形成している。また、第3のパターン
P3は、ほぼT字型の左右対称に形成され、その中央部
の端部が基板D4の一方の長縁に達して短絡端を形成し
ている。第3のパターン電極P3には、取出電極は形成
されていない。これら第1〜第3のパターン電極は、第
1及び第2の内部グランド電極と共に第1〜第3の1/
4波長共振器を形成する。第1〜第3のパターン電極及
びそれにより形成される共振器の詳細については、図2
及び図3に関連して、以降でさらに詳細に説明する。
The first and second pattern electrodes P1 and P2 on the substrate D3 are formed symmetrically as a whole,
In each of the pattern electrodes, the substrate D3 is located approximately from the center.
The extraction electrodes ps1 and ps2 reaching the short edge of the substrate D3 are formed, and one end reaches the one long edge of the substrate D3 to form a short-circuit end (ground end). In addition, the third pattern P3 is formed in a substantially T-shaped symmetrical left and right shape, and the center end thereof reaches one long edge of the substrate D4 to form a short-circuit end. No extraction electrode is formed on the third pattern electrode P3. These first to third pattern electrodes, together with the first and second internal ground electrodes, are the first to third 1/1/3.
A four-wavelength resonator is formed. The details of the first to third pattern electrodes and the resonators formed thereby are shown in FIG.
This will be described in further detail below with reference to FIG.

【0011】そして、これら基板D1〜D6を積層後、
図1の(A)に示すように、基板D1の下面の両長縁そ
れぞれから基板D6の上面の両長縁に渡って、外部グラ
ンド電極G4、G5が形成され、さらに、基板D1の下
面の両短縁それぞれから基板D6の上面の両短縁に渡っ
て、その中央部に、入力電極S1、出力電極S2が形成
される。外部グランド電極G5は、基板D1、D2、D
5上の内部グランド電極G1、G2、G3に接続され、
一方、外部グランド電極G4は、基板D1、D5上の内
部グランド電極G1、G2に接続され、さらに、基板D
3、D4上の第1〜第3のパターン電極P1〜P3の短
絡端にも接続される。また、入力電極S1、出力電極S
2は、基板D3上の取出電極ps1、ps2にそれぞれ
接続される。
After laminating these substrates D1 to D6,
As shown in FIG. 1A, external ground electrodes G4 and G5 are formed from both long edges on the lower surface of the substrate D1 to both long edges on the upper surface of the substrate D6. An input electrode S1 and an output electrode S2 are formed at the center of each of the two short edges from both short edges on the upper surface of the substrate D6. The external ground electrode G5 is connected to the substrates D1, D2, D
5, are connected to the internal ground electrodes G1, G2, G3 on
On the other hand, the external ground electrode G4 is connected to the internal ground electrodes G1 and G2 on the substrates D1 and D5.
3, also connected to the short-circuited ends of the first to third pattern electrodes P1 to P3 on D4. The input electrode S1 and the output electrode S
2 is connected to the extraction electrodes ps1 and ps2 on the substrate D3, respectively.

【0012】図2の(A)、(B)は、基板D3及びD
4上の第1〜第3のパターン電極P1〜P3を拡大表示
したものである。第1及び第2のパターン電極P1、P
2は、上記したように左右対称に形成され、内部グラン
ド電極G1、G2(図1)とともに第1及び第2の1/
4波長共振器を構成している。第3のパターン電極P3
は、内部グランド電極G1、G2とともに第3の1/4
波長共振器を構成している。図3は、図1の誘電体バン
ドパス・フィルタの等価回路図を示しており、第1〜第
3のパターン電極P1〜P3及び内部グランド電極G
1、G2でそれぞれ構成される第1〜第3の共振器の部
分には、P1〜P3を付けた矩形鎖線で囲って表してい
る。したがって、これ以降、第1〜第3の共振器もP1
〜P3で表すことにする。
FIGS. 2A and 2B show substrates D3 and D3.
4 is an enlarged view of the first to third pattern electrodes P1 to P3 on FIG. First and second pattern electrodes P1, P
2 are formed symmetrically as described above, and together with the internal ground electrodes G1 and G2 (FIG. 1), the first and second 1 /
A four-wavelength resonator is configured. Third pattern electrode P3
Is a third quarter with internal ground electrodes G1 and G2.
It constitutes a wavelength resonator. FIG. 3 shows an equivalent circuit diagram of the dielectric band-pass filter of FIG. 1, and includes first to third pattern electrodes P1 to P3 and an internal ground electrode G.
The portions of the first to third resonators respectively constituted by 1 and G2 are surrounded by rectangular chain lines with P1 to P3. Therefore, after this, the first to third resonators also become P1
PP3.

【0013】第1及び第2のパターン電極P1、P2
は、図2の(A)に示すように、開放端(部分A1、A
2)の間隔aが中央部C1、C2の間隔cよりも狭く、
また、短絡端(部分B1、B2)の間隔bが間隔cより
も狭く設定されている。第3のパターン電極P3は、図
2の(B)に示すように、開放端が2つに分けられかつ
約180°に短絡端方向に折り返されて、開放端部分
D、Fが形成されている。Eは短絡端である。第1及び
第3のパターン電極P1、P3は、部分A1及びB1と
部分D及び部分Eとがそれぞれ、容量性、誘導性に電磁
気的に結合され、図3の等価回路に示すように、容量結
合CX13及び誘導結合M13が形成される。第2及び
第3のパターン電極P2、P3の間においても、同様
に、電磁的な容量結合CX23及び誘導結合M23が形
成される。また、第1及び第2パターン電極P1、P2
の間においても、容量結合CX12及び誘導結合M12
が形成される。なお、C1、C2は、第1及び第2のパ
ターン電極P1、P2と第1及び第2の内部グランド電
極G1、G2との間に形成されるキャパシタンス成分で
あり、C31、C32は、第3のパターン電極P3と第
1及び第2の内部グランド電極G1、G2との間に形成
されるキャパシタンス成分である。
First and second pattern electrodes P1, P2
Are open ends (portions A1 and A1) as shown in FIG.
The interval a in 2) is smaller than the interval c between the central portions C1 and C2,
Further, the interval b between the short-circuit ends (portions B1 and B2) is set to be smaller than the interval c. As shown in FIG. 2 (B), the third pattern electrode P3 has an open end divided into two parts and is bent at about 180 ° toward the short-circuit end to form open end portions D and F. I have. E is a short-circuit end. The first and third pattern electrodes P1 and P3 are configured such that the portions A1 and B1 and the portions D and E are capacitively and inductively coupled, respectively, as shown in the equivalent circuit of FIG. A bond CX13 and an inductive bond M13 are formed. Similarly, an electromagnetic capacitive coupling CX23 and an inductive coupling M23 are formed between the second and third pattern electrodes P2 and P3. Also, the first and second pattern electrodes P1, P2
Between the capacitive coupling CX12 and the inductive coupling M12.
Is formed. C1 and C2 are capacitance components formed between the first and second pattern electrodes P1 and P2 and the first and second internal ground electrodes G1 and G2, and C31 and C32 are the third components. Is formed between the pattern electrode P3 and the first and second internal ground electrodes G1 and G2.

【0014】図3からも明らかなように、本発明の誘電
体バンドパス・フィルタにおいては、3つのパターン電
極により形成される3つの共振器P1〜P3が入出力端
S1、S2の間に設けられた3段のフィルタを構成して
いる。したがって、従来例の2つの共振器からなる2段
誘電体バンドパス・フィルタと比べて、減衰量を増大さ
せることができる。このとき、本発明の誘電体バンドパ
ス・フィルタにおいては、従来例と対比して層の数が増
えたもののチップの実装面積は増大されてなく、よっ
て、小型化の要求を満足しつつ減衰特性を向上させるこ
とができる。また、本発明の誘電体バンドパス・フィル
タにおいては、第1及び第2の共振器P1、P2の間に
飛び越し結合CX12、M12が形成されており、これ
により、減衰極を2つに分裂させることができ、より大
きな減衰を得ることができる。
As is apparent from FIG. 3, in the dielectric band-pass filter of the present invention, three resonators P1 to P3 formed by three pattern electrodes are provided between input / output terminals S1 and S2. Thus, a three-stage filter is constructed. Therefore, the attenuation can be increased as compared with the conventional two-stage dielectric band-pass filter including two resonators. At this time, in the dielectric band-pass filter of the present invention, although the number of layers is increased as compared with the conventional example, the mounting area of the chip is not increased. Can be improved. Further, in the dielectric band-pass filter of the present invention, jumping couplings CX12 and M12 are formed between the first and second resonators P1 and P2, thereby splitting the attenuation pole into two. And a greater attenuation can be obtained.

【0015】2つの減衰極の周波数離間程度は、飛び越
し結合CX12、M12の大きさを変えることによって
制御できる。すなわち、減衰極同士を離したい場合は、
第1及び第2のパターン電極を近接させて飛び越し結合
を大きくすればよい。減衰極同士を近づけたい場合はそ
の逆であり、部分A1、A2の間隔a(図2)を大きく
することにより、これらの結合量を低減させればよい。
飛び越し結合量を低減させる別の手法として、図4に示
すように、基板D3上の第1及び第2のパターン電極P
1、P2の中間の対称軸上に、少なくとも一端が外部グ
ランド電極G5に接続され電極P4を配置してもよい。
このような電極P4を設けると、これらパターンによっ
て形成される第1及び第2の共振器P1、P2の間の飛
び越し結合が低減される。この手法によれば、素子の平
面面積を増大させることがないので、小型化の要求も満
足する。したがって、第1及び第2の共振器の間の飛び
越し結合を変更する必要がある場合には、図2の(A)
における間隔aを調節するか、又は図4に示すように電
極P4を設けてその長さ及び幅を調節すればよい。両方
の調節手法を採用してもよいことは勿論である。
The degree of frequency separation between the two attenuation poles can be controlled by changing the size of the jump couplings CX12 and M12. That is, if you want to separate the attenuation poles,
The jump coupling may be increased by bringing the first and second pattern electrodes close to each other. The opposite is true when the attenuation poles are required to be close to each other. By increasing the distance a (FIG. 2) between the portions A1 and A2, the amount of coupling between them can be reduced.
As another method for reducing the amount of jump coupling, as shown in FIG. 4, first and second pattern electrodes P on a substrate D3 are used.
At least one end may be connected to the external ground electrode G5 and the electrode P4 may be arranged on the axis of symmetry between P1 and P2.
When such an electrode P4 is provided, jumping coupling between the first and second resonators P1 and P2 formed by these patterns is reduced. According to this method, since the planar area of the element is not increased, the demand for miniaturization is satisfied. Therefore, when it is necessary to change the jump coupling between the first and second resonators, FIG.
May be adjusted, or the length and width of the electrode P4 may be adjusted by providing an electrode P4 as shown in FIG. Of course, both adjustment methods may be employed.

【0016】図1の誘電体バンドパス・フィルタの内部
グランド電極G3は、第1〜第3の共振器P1〜P3の
特性インピーダンスをマッチングさせるためのものであ
る。すなわち、図2の(B)に示すように、第3のパタ
ーン電極P3は、その開放端が左右に分けられて部分D
及びFを形成しているため、第3の共振器の特性インピ
ーダンスが低くなる傾向がある。このため、内部グラン
ド電極G3を、第3の共振器P3側でなく、第1及び第
2の共振器P1、P2用の基板D3の下面側の基板D2
上に設けることにより、第1及び第2の共振器P1、P
2の特性インピーダンスを低下させることができる。こ
れにより、3つの共振器の特性インピーダンスをマッチ
ングさせることができる。内部グランド電極G3は、図
1(B)に示すように、その一端が外部グランド電極G
5に接続される短絡端とし、他端が外部グランド電極G
4に接続されずに開放端とし、そして、第1及び第2の
パターン電極と部分的に重なるようにすることが好まし
い。また、3つの共振器の特性インピーダンスがほぼ同
一の場合は、内部グランド電極G3を具備させる必要が
ないことは、言うまでもない。
The internal ground electrode G3 of the dielectric band-pass filter shown in FIG. 1 is for matching the characteristic impedance of the first to third resonators P1 to P3. In other words, as shown in FIG. 2B, the third pattern electrode P3 has an open end which is divided into right and left parts D
And F, the characteristic impedance of the third resonator tends to be low. For this reason, the internal ground electrode G3 is not provided on the substrate D2 on the lower surface side of the substrate D3 for the first and second resonators P1 and P2, but on the third resonator P3 side.
Provided on the first and second resonators P1, P2
2 can be reduced. Thereby, the characteristic impedances of the three resonators can be matched. One end of the internal ground electrode G3 is connected to the external ground electrode G as shown in FIG.
5 and the other end is an external ground electrode G
It is preferable that the first and second pattern electrodes 4 and 4 are not connected to each other and have an open end and partially overlap the first and second pattern electrodes. When the characteristic impedances of the three resonators are substantially the same, it is needless to say that the internal ground electrode G3 does not need to be provided.

【0017】なお、第3のパターン電極P3と内部グラ
ンド電極G2との距離を大きくしても、第3の共振器の
インピーダンスを大きくすることができる。また、第1
及び第2のパターン電極P1、P2の開放端付近の幅を
広げると、第1及び第2の共振器のインピーダンスを低
下させることができる。したがって、これによっても第
1〜第3の共振器のインピーダンス・マッチングを行う
ことが可能であるが、小型化の観点から、インピーダン
ス調整用の内部グランド電極G3を設けることが好まし
い。基板D3上の信号取出電極ps1、ps2の位置を変
更しても、第1及び第2の共振器P1、P2の特性イン
ピーダンスを調整することができる。
The impedance of the third resonator can be increased even if the distance between the third pattern electrode P3 and the internal ground electrode G2 is increased. Also, the first
When the width near the open ends of the second pattern electrodes P1 and P2 is increased, the impedance of the first and second resonators can be reduced. Therefore, the impedance matching of the first to third resonators can be performed by this, but from the viewpoint of miniaturization, it is preferable to provide the internal ground electrode G3 for impedance adjustment. Even if the positions of the signal extraction electrodes ps1 and ps2 on the substrate D3 are changed, the characteristic impedance of the first and second resonators P1 and P2 can be adjusted.

【0018】図5は、本発明の誘電体バンドパス・フィ
ルタを実験的に作製して、その減衰特性をテストした場
合の結果をグラフ表示している。該グラフに示したよう
に、本発明の実験例においては、1.9GHzを中心に
10%程度の帯域幅を有し、かつ1.4〜1.7GHz
程度の範囲で大きな減衰量が得られている。これに対し
て、図6に示した従来例においては、図7(B)に示し
たように、帯域幅は3.0GHzを中心に5%の程度
で、減衰量が大きい範囲は2.7〜2.8GHz程度で
ある。したがって、本発明によれば、従来例に比べて、
帯域幅が2倍となりかつ減衰量の大きい範囲も大幅に広
がっていることが分かる。そして、上記したように、P
HSにおいては、通信周波数が1.9GHz付近であ
り、局部発振周波数が1.65GHz付近でそのイメー
ジが1.4GHz付近に発生するが、本発明のバンドパ
ス・フィルタを用いれば、局部発振周波数及びそのイメ
ージ周波数を十分に減衰させることができる。
FIG. 5 is a graph showing the results of experimentally fabricating a dielectric bandpass filter of the present invention and testing its attenuation characteristics. As shown in the graph, the experimental example of the present invention has a bandwidth of about 10% centering on 1.9 GHz and a bandwidth of 1.4 to 1.7 GHz.
A large amount of attenuation is obtained within the range. On the other hand, in the conventional example shown in FIG. 6, as shown in FIG. 7B, the bandwidth is about 5% centering on 3.0 GHz, and the range of large attenuation is 2.7. It is about 2.8 GHz. Therefore, according to the present invention, compared to the conventional example,
It can be seen that the bandwidth is doubled and the range where the amount of attenuation is large is greatly widened. And, as described above, P
In the HS, the communication frequency is around 1.9 GHz, and the image occurs around 1.4 GHz when the local oscillation frequency is around 1.65 GHz. However, if the band pass filter of the present invention is used, the local oscillation frequency and The image frequency can be sufficiently attenuated.

【0019】上記の説明は、本発明の好適な実施例を上
げて説明したものにすぎず、種々の変形及び変更が可能
であることは言うまでもない。例えば、第1〜第3のパ
ターン電極の形状は図2のものに限定されずに、適宜変
更することができる。また、誘電体基板の材質及びサイ
ズ、並びに、電極の材質は、フィルタの電気的特性、実
装スペース等に応じて適宜選択すればよい。さらには、
製造時に、複数の素子分の電極を基板上に形成し、得ら
れた基板を積層した後に1素子分に切り離し、各素子に
外部電極を形成することにより、複数の素子を同時に形
成しても良い。
The above description has been given with reference only to the preferred embodiment of the present invention, and it goes without saying that various modifications and changes are possible. For example, the shapes of the first to third pattern electrodes are not limited to those of FIG. 2 and can be changed as appropriate. The material and size of the dielectric substrate and the material of the electrodes may be appropriately selected according to the electrical characteristics of the filter, the mounting space, and the like. Moreover,
At the time of manufacturing, electrodes for a plurality of elements are formed on a substrate, the obtained substrate is laminated, cut into one element, and an external electrode is formed on each element to form a plurality of elements at the same time. good.

【図面の簡単な説明】[Brief description of the drawings]

【図1】本発明の誘電体バンドパス・フィルタの構成を
示すためのものであり、(A)はその斜視図、(B)は
分解斜視図である。
FIGS. 1A and 1B show the configuration of a dielectric bandpass filter of the present invention, in which FIG. 1A is a perspective view and FIG. 1B is an exploded perspective view.

【図2】図1に示した本発明の誘電体バンドパス・フィ
ルタに具備される第1〜第3のパターン電極を拡大表示
した説明図である。
FIG. 2 is an explanatory diagram showing an enlarged display of first to third pattern electrodes provided in the dielectric bandpass filter of the present invention shown in FIG.

【図3】図1に示した本発明の誘電体バンドパス・フィ
ルタの等価回路を示す回路図である。
FIG. 3 is a circuit diagram showing an equivalent circuit of the dielectric bandpass filter of the present invention shown in FIG.

【図4】図1に示した本発明の誘電体バンドパス・フィ
ルタに具備される第1及び第2のパターン電極の間に、
飛び越し結合量を低減するための電極を設けた例を示す
説明図である。
FIG. 4 is a diagram illustrating a state in which the dielectric band-pass filter of the present invention shown in FIG. 1 includes first and second pattern electrodes.
It is explanatory drawing which shows the example in which the electrode for reducing the amount of jump coupling was provided.

【図5】本発明の誘電体バンドパス・フィルタの減衰特
性及び反射損失特性を示すグラフである。
FIG. 5 is a graph showing an attenuation characteristic and a return loss characteristic of the dielectric bandpass filter of the present invention.

【図6】従来例の誘電体バンドパス・フィルタの構成を
示す分解斜視図である。
FIG. 6 is an exploded perspective view showing a configuration of a conventional dielectric bandpass filter.

【図7】図6に示した従来例の誘電体バンドパス・フィ
ルタの等価回路並びに減衰特性及び反射損失特性を示す
グラフである。
FIG. 7 is a graph showing an equivalent circuit, attenuation characteristics, and return loss characteristics of the conventional dielectric bandpass filter shown in FIG.

Claims (4)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】 入力電極、出力電極、及び外部グランド
電極を外部に有する積層型の誘電体バンドパス・フィル
タにおいて、その内部に、 外部グランド電極と接続される第1及び第2の内部グラ
ンド電極と、 第1及び第2の内部グランド電極の間の同一平面上に設
けられ、第1及び第2の内部グランド電極とともに第1
及び第2の共振器を構成する第1及び第2のパターン電
極であって、第1のパターン電極の取出電極が入力電極
に接続され、第2のパターン電極の取出電極が出力電極
に接続され、第1及び第2のパターン電極の短絡端が外
部グランド電極に接続されている、第1及び第2のパタ
ーン電極と、 第2の内部グランド電極と第1及び第2のパターン電極
との間に設けられ、第1及び第2の内部グランド電極と
ともに第3の共振器を構成する第3のパターン電極であ
って、その短絡端が外部グランド電極に接続され、か
つ、第1及び第2のパターン電極と電磁的に結合してい
る第3のパターン電極とからなり、入力電極と出力電極
との間に順に電磁的に結合された第1、第3、第2の3
素子の共振器を構成しており、かつ第1の共振器と第2
の共振器が電磁的に飛び越し結合していることを特徴と
する誘電体バンドパス・フィルタ。
1. A laminated dielectric band-pass filter having an input electrode, an output electrode, and an external ground electrode on the outside, wherein a first and a second internal ground electrode connected to the external ground electrode are provided therein. And provided on the same plane between the first and second internal ground electrodes, together with the first and second internal ground electrodes.
And first and second pattern electrodes forming a second resonator, wherein the extraction electrode of the first pattern electrode is connected to the input electrode, and the extraction electrode of the second pattern electrode is connected to the output electrode. Between the first and second pattern electrodes, wherein the short-circuited ends of the first and second pattern electrodes are connected to an external ground electrode; and between the second internal ground electrode and the first and second pattern electrodes. And a third pattern electrode constituting a third resonator together with the first and second internal ground electrodes, the short-circuited end of which is connected to the external ground electrode, and A first, a third, and a second third electrode, which are electromagnetically coupled between an input electrode and an output electrode in order from a third pattern electrode electromagnetically coupled to the pattern electrode;
A first resonator and a second resonator.
Wherein the resonators are electromagnetically jump-coupled.
【請求項2】 請求項1記載の誘電体バンドパス・フィ
ルタにおいて、 第1及び第2のパターン電極の開放端が、これらパター
ン電極の短絡端に向かって折り返されており、 第3のパターン電極の開放端が、2つに分割されて左右
対称に短絡端に向かって折り返されており、第1のパタ
ーン電極と第2のパターン電極との電磁的結合、並びに
第1及び第2のパターン電極と第3のパターン電極との
電磁的結合において、容量性結合が誘導性結合よりも優
勢となるように構成されていることを特徴とする誘電体
バンドパス・フィルタ。
2. The dielectric band-pass filter according to claim 1, wherein the open ends of the first and second pattern electrodes are folded back toward the short-circuited ends of the pattern electrodes, and the third pattern electrode is provided. Open end is divided into two parts and folded symmetrically toward the short-circuited end, electromagnetic coupling between the first pattern electrode and the second pattern electrode, and the first and second pattern electrodes A dielectric bandpass filter characterized in that capacitive coupling prevails over inductive coupling in the electromagnetic coupling between the dielectric bandpass filter and the third pattern electrode.
【請求項3】 請求項2記載の誘電体バンドパス・フィ
ルタにおいて、該フィルタはさらに、 第1及び第2のパターン電極の対称軸上に、少なくとも
一方の外部グランド電極に電気的に接続されたこれらパ
ターン電極間の飛び越し電磁結合を抑制する電極を備え
ていることを特徴とする誘電体バンドパス・フィルタ。
3. The dielectric bandpass filter according to claim 2, wherein said filter is further electrically connected to at least one external ground electrode on the axis of symmetry of said first and second pattern electrodes. A dielectric bandpass filter comprising an electrode for suppressing jumping electromagnetic coupling between these pattern electrodes.
【請求項4】 請求項1〜3いずれかに記載の誘電体バ
ンドパス・フィルタにおいて、該フィルタはさらに、 第1及び第2のパターン電極と第1の内部グランド電極
との間に、これらパターン電極と部分的に重なるよう設
けられ、かつ第1及び第2のパターン電極の短絡端と反
対側の外部グランド電極と接続されたインピーダンス調
整用の内部グランド電極を備えていることを特徴とする
誘電体バンドパス・フィルタ。
4. The dielectric band-pass filter according to claim 1, wherein said filter further comprises a first electrode and a second electrode disposed between said first and second pattern electrodes and said first internal ground electrode. A dielectric, provided with an internal ground electrode for impedance adjustment, provided so as to partially overlap the electrode, and connected to an external ground electrode opposite to the short-circuited end of the first and second pattern electrodes. Body bandpass filter.
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Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2010041268A (en) * 2008-08-04 2010-02-18 Taiyo Yuden Co Ltd Resonator, filter circuit element, and circuit board and circuit module respectively including filter circuit element
JP2011101105A (en) * 2009-11-04 2011-05-19 Tdk Corp Laminated band-pass filter
JP2012209767A (en) * 2011-03-30 2012-10-25 Tdk Corp Laminated band-pass filter

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2010041268A (en) * 2008-08-04 2010-02-18 Taiyo Yuden Co Ltd Resonator, filter circuit element, and circuit board and circuit module respectively including filter circuit element
JP2011101105A (en) * 2009-11-04 2011-05-19 Tdk Corp Laminated band-pass filter
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