JPH1168201A

JPH1168201A - 光処理装置

Info

Publication number: JPH1168201A
Application number: JP22131797A
Authority: JP
Inventors: Mikiya Suzuki; 幹哉鈴木; Shigeru Shikii; 滋式井; Koji Kikushima; 浩二菊島
Original assignee: Nippon Telegraph and Telephone Corp; Oki Electric Industry Co Ltd
Current assignee: Nippon Telegraph and Telephone Corp; Oki Electric Industry Co Ltd
Priority date: 1997-08-18
Filing date: 1997-08-18
Publication date: 1999-03-09

Abstract

(57)【要約】【課題】光直接増幅器を有する光処理装置の部品点数
を削減する。【解決手段】光学部品に増幅出力を供給する光直接増
幅器の利得を、光学部品の通過損失の２倍より小さく定
め、光直接増幅器における増幅処理本体をアイソレータ
を介在させることなく、光学部品に直接接続させる。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、光直接増幅器とこ
の光直接増幅器から出力された光信号が与えられる光学
部品とでなる光処理装置に関し、例えば、光直接増幅器
が、Ｅｒ3+（エルビウムイオン）がコアに添加された光
ファイバ（ＥＤＦ）を利用した光ファイバ増幅器（ＥＤ
ＦＡ）である光処理装置に適用し得るものである。

【０００２】

【従来の技術】従来、光中継器として、入力信号光を電
気信号に変換して増幅し、その後光信号に変換して送出
するものが多く適用されている。しかしながら、このよ
うな光中継器の構成は大きい上、利得が小さく、雑音指
数も大きい。そのため、ＥＤＦＡを備えて光直接増幅を
行なう光中継器の開発、研究が盛んに行なわれており、
実用段階に入りつつある。

【０００３】図２は、ＥＤＦＡを中継器として含む光伝
送システムの構成例を示すものである。図２の光伝送シ
ステムにおいては、送信元からの光信号は、ＥＤＦＡに
よって増幅された後は１×ｎ光カプラによってｎ分岐さ
れ、その分岐光信号もそれぞれ、ＥＤＦＡによって増幅
された後にさらに１×ｎ光カプラによってｎ分岐され、
このようなＥＤＦＡによる増幅と１×ｎ光カプラによる
ｎ分岐とを繰り返すことにより、送信元からの光信号を
多数の光端末装置に供給するようにしている。

【０００４】図２に例示したような光伝送システムに用
いられる従来のＥＤＦＡにおいては、図示は省略する
が、ＥＤＦ（増幅用光ファイバ）の両端にはそれぞれ、
アイソレータを介して入射側光ファイバ及び出射側光フ
ァイバの一端が接続され、また、ＥＤＦには、励起光光
源（例えばレーザダイオード）が射出した励起光が光カ
プラを介して入射されるようになされている。励起光光
源から射出されてＥＤＦに入射された励起光は、ＥＤＦ
で吸収されて十分な反転分布を起こし得るものである。
励起光がＥＤＦに入射されている状態で、入力信号光が
入射側光ファイバからＥＤＦに入射されると、入力信号
光はＥＤＦの誘導放出作用によって次第に増幅され、そ
の増幅された信号光が出射側光ファイバを介して出力信
号光として伝送される。

【０００５】図３は、従来、ＥＤＦの両端にアイソレー
タを設けていた理由の説明図である。図３において、例
えば、ＥＤＦＡ１の前後の光学系（光学部品だけでなく
光ファイバなども含む）２、３のそれぞれの反射減衰量
が２９ｄＢ、ＥＤＦＡ１の利得が３０ｄＢの場合を考え
る。ＥＤＦＡ１から射出された信号光の一部（１ｄＢ
分）は、後段光学系３からの反射戻り光（光ファイバの
反射を含む）となってＥＤＦＡ１に入射され、ＥＤＦＡ
１によって増幅されて前段光学系２に射出される。この
増幅された射出戻り光（３１ｄＢ）の一部（２ｄＢ分）
は、前段光学系２からの反射戻り光（光ファイバの反射
を含む）となってＥＤＦＡ１に入射される。以下、同様
にして、一旦生じた反射戻り光はＥＤＦＡ１を往復し、
その際、ＥＤＦの誘導放出作用により徐々に大きくなっ
ていく発振を起こす。このような発振によっては、本来
の増幅された信号光のパワーを低下させたりパワーを不
安定にさせたり、また、多波長を増幅させるＥＤＦＡで
あれば、各波長の所望するパワーのバランスを達成でき
ないようにしたりする。

【０００６】そのため、従来においては、ＥＤＦの両端
に、ＥＤＦＡ１の利得より反射減衰量が大きいアイソレ
ータを設け、発振を防止してＥＤＦＡ１における所望の
増幅特性を達成できるようにしていた。

【０００７】

【発明が解決しようとする課題】ところで、ＥＤＦＡの
部品点数は、少なければ少ないほど望ましいことは勿論
である。

【０００８】部品点数が少なければ、コストが低くなる
ことは当然である。因みに、一般的には、ＥＤＦＡの構
成要素の内、励起光光源（例えばレーザダイオード）が
最もコストが高い部品であり、アイソレータがコストが
高い部品であった。

【０００９】また、部品点数が少なければ、製造工数が
少なくなって製造が容易になることは勿論である。

【００１０】さらに、部品点数が少なければ、特に、主
信号の伝送路上の部品点数が少なければ、ＥＤＦＡ内部
での伝送損失を小さくできる。図２に示したように、Ｅ
ＤＦＡの後段に、１×ｎ光カプラを配するような場合に
は、ＥＤＦＡからの出力信号光のパワーが大きいほど分
岐数を多くとれるが、ＥＤＦＡ内部での伝送損失が大き
ければ、分岐数を多くとれない恐れがある。

【００１１】従来においては、現状のＥＤＦＡは、必要
最小限の部品から構成されており、現状以上の部品点数
の削減は困難と考えられていた。

【００１２】他の光直接増幅器についても同様な課題が
生じている。

【００１３】

【課題を解決するための手段】かかる課題を解決するた
め、第１の本発明は、光直接増幅器と、この光直接増幅
器から出力された光信号が与えられる光学部品とでなる
光処理装置において、上記光直接増幅器の利得を、上記
光学部品の通過損失の２倍より小さく定め、上記光直接
増幅器における増幅処理本体を上記光学部品に直接接続
したことを特徴とする。

【００１４】また、第２の本発明は、縦続接続された複
数の光直接増幅器と、最終段の光直接増幅器から出力さ
れた光信号が与えられる光学部品とでなる光処理装置に
おいて、上記最終段の光直接増幅器の利得を、上記光学
部品の通過損失の２倍より小さく定め、上記最終段の光
直接増幅器における増幅処理本体を上記光学部品に直接
接続したことを特徴とする。

【００１５】第１及び第２の本発明は、光直接増幅器を
単独で見た場合には、部品点数を削減できなくとも、後
段の光学部品に直接接続される光直接増幅器の利得が、
光学部品の通過損失の２倍より小さい場合には、後段の
光学部品に直接接続される光直接増幅器の出力段側のア
イソレータを省略しても増幅動作が適切に実行されるこ
とを、本願発明者が見いだしたことによりなされたもの
である。

【００１６】

【発明の実施の形態】

（Ａ）第１の実施形態以下、本発明を、ＥＤＦＡを有する光処理装置に適用し
た第１の実施形態を図面を参照しながら説明する。ここ
で、図１がこの第１の実施形態の全体構成を示すもので
ある。

【００１７】図１において、この第１の実施形態の光処
理装置１０は、ＥＤＦＡ１１と、このＥＤＦＡ１１から
の出力信号光が入射される光学部品１２とを有する。

【００１８】この第１の実施形態の場合、ＥＤＦＡ１１
には前方励起方法を採用したものを適用している。ＥＤ
ＦＡ１１において、信号光の経路上には、入射側から、
波長選択性を有する光カプラ１３、信号光の進行方向の
逆方向の光の進行を阻止するアイソレータ１４及びＥＤ
Ｆ１５が順に配置されている。上記光カプラ１３には例
えばレーザダイオードでなる励起光光源１６が接続され
ており、この励起光光源１６からの励起光が光カプラ１
３及びアイソレータ１４を介してＥＤＦ１５に供給され
る。なお、光カプラ１３及びアイソレータ１４の配置位
置は逆であっても良い。

【００１９】すなわち、この第１の実施形態のＥＤＦＡ
１１は、従来の一般的な前方励起方法を採用しているＥ
ＤＦＡとは異なって、出射側にはアイソレータが設けら
れていない。

【００２０】出射側にはアイソレータが設けられていな
いが、ＥＤＦＡ１１での増幅作用は、周知の通りであ
る。すなわち、励起光光源１６から射出され、光カプラ
１３及びアイソレータ１４を順次介してＥＤＦ１５に入
射された励起光は、ＥＤＦ１５で吸収されて十分な反転
分布を起こし、励起光がＥＤＦ１５に入射されている状
態で、信号光がＥＤＦ１５に入射されると、その信号光
はＥＤＦ１５の誘導放出作用によって次第に増幅され、
その増幅された信号光が出力信号光として送出される。
ＥＤＦ１５からの出力信号光は、直接、光学部品１２に
入射される。

【００２１】光学部品１２は、例えば、１×ｎやｎ×ｎ
やｎ×１の光カプラや、光スイッチや、光減衰器などの
入力光に対する通過損失がかなり大きい光学部品であ
る。光学部品１２は、例えば、１０ｄＢ以上の通過損失
を有するものである。このような光学部品１２におい
て、反射戻り光はその射出部から戻ることが多く、反射
戻り光は光学部品１２内を一往復しているため、反射減
衰量は通過損失のほぼ２倍（例えば２０ｄＢ以上）とな
っている。因みに、市販されているシングルステージ構
成のアイソレータは、反射減衰量が２５〜３５ｄＢ程度
である。

【００２２】ＥＤＦＡ１１を１段だけ備えた光処理装置
１０の場合、ＥＤＦＡ１１の利得は、１段だけで安定動
作するように、さほど大きくはない。

【００２３】この第１の実施形態の場合、ＥＤＦＡ１１
の利得と、光学部品１２の通過損失との間には、ＥＤＦ
Ａ１１の利得が、光学部品１２の通過損失の２倍（≒反
射減衰量）より小さいという関係がある。なお、ＥＤＦ
Ａ１１と光学部品１２とを結ぶ光導波路（例えば光ファ
イバ）の損失は、０．２ｄＢ／Ｋｍ程度であるので、光
学部品１２の通過損失（例えば１０ｄＢ）よりはるかに
小さく、上記関係を考える上で無視できるものである。
また、上述の２倍は、ｄＢ表記された後の２倍であっ
て、３ｄＢを意味しているものではない。

【００２４】上記関係を満足する光学部品１２として
は、上述したように、１×ｎやｎ×ｎやｎ×１の光カプ
ラや、光スイッチや、光減衰器などである。

【００２５】上述した関係を満足した場合には、ＥＤＦ
Ａ１１が、出射側にアイソレータを備えていなくても、
出射側にアイソレータを備えている従来の前方励起方法
に従っているＥＤＦＡと同様なＥＤＦ１５に対する戻り
光の状態となり、反射戻り光の発振による悪影響を、出
射側にアイソレータを備えている従来のＥＤＦＡと同様
に防止することができる。

【００２６】但し、この実施形態において、光学部品１
２の後に接続される接続状態によって、この実施形態が
適用できる場合もあれば、適用できない場合もあり得
る。以下、このことを、光学部品１２が１×ｎ光カプラ
である場合の例を挙げて簡単に説明する。

【００２７】反射レベルとしては、実際上、光学部品の
出射側が開放されている場合に生じるような−１４ｄＢ
程度のレベル１（例えば、いわゆるフレネル反射）や、
光学部品とその次に光学部品とのコネクタが融着接続さ
れていたりその間にアイソーレータが介在されていたり
する場合に生じるような−５０〜−６０ｄＢ程度のレベ
ル３や、それらの中間的な−３０ｄＢ程度のレベル２に
分けることが可能である。

【００２８】光学部品１２が、例えば、１×ｎ光カプラ
の場合において、ｎ個の出力ポート中１個が開放され
（反射レベル１）、他がレベル３の反射程度で次段の光
学部品に接続されているような状況では、ＥＤＦＡ１１
に対する全体の反射戻り光が少なく、この第１の実施形
態が有効に機能する。また、ｎ個の出力ポート中１個が
開放されているが開放端面が汚れており（反射レベル
２）、他がレベル３の反射程度で次段の光学部品に接続
されているような状況では、ＥＤＦＡ１１に対する全体
の反射戻り光が少なく、この第１の実施形態が有効に機
能する。これに対して、ｎ個の出力ポートの全てがレベ
ル２の反射程度で次段の光学部品に接続されているよう
な状況では、ＥＤＦＡ１１に対する全体の反射戻り光が
多く、この第１の実施形態は有効に機能しない。

【００２９】第１の実施形態の光処理装置によれば、Ｅ
ＤＦＡ１１を、出射側にアイソレータを備えていないよ
うに構成でき、部品点数を従来より削減することができ
る。その結果、コストを低減でき、製造を容易なものと
でき、さらに、アイソレータがあることでの通過損失を
防止することができる。

【００３０】さらには、第１の実施形態の光処理装置を
用いて、上述した図２に示すようなシステムを構築した
場合におけるコスト面での効果は多大である。

【００３１】（Ｂ）第２の実施形態次に、本発明を、ＥＤＦＡを有する光処理装置に適用し
た第２の実施形態を図面を参照しながら説明する。ここ
で、図４がこの第２の実施形態の全体構成を示すもので
ある。

【００３２】図４において、この第２の実施形態の光処
理装置２０も、ＥＤＦＡ２１と、このＥＤＦＡ２１から
の出力信号光が入射される光学部品２２とを有する。

【００３３】この第２の実施形態の場合、ＥＤＦＡ２１
には後方励起方法を採用したものを適用している。ＥＤ
ＦＡ２１において、信号光の経路上には、入射側から、
アイソレータ２３、ＥＤＦ２４及び波長選択性を有する
光カプラ２５が順に配置されている。上記光カプラ２５
には例えばレーザダイオードでなる励起光光源２６が接
続されており、この励起光光源２６からの励起光がこの
光カプラ２５を介して信号光とは逆方向に進行してＥＤ
Ｆ２４に供給される。

【００３４】すなわち、この第２の実施形態のＥＤＦＡ
２１は、従来の一般的な後方励起方法を採用しているＥ
ＤＦＡとは異なって、出射側にはアイソレータが設けら
れていない。

【００３５】出射側にはアイソレータが設けられていな
いが、ＥＤＦＡ２１での増幅作用は、周知の通りであ
り、その説明は省略する。

【００３６】光学部品２２は、第１の実施形態と同様な
ものであり、第１の実施形態の場合と同様に、ＥＤＦＡ
２１の利得と、光学部品２２の通過損失との間には、Ｅ
ＤＦＡ２１の利得が、光学部品２２の通過損失の２倍
（≒反射減衰量）より小さいという関係があるものであ
る。

【００３７】上述した関係を満足した場合には、ＥＤＦ
Ａ２１が、出射側にアイソレータを備えていなくても、
出射側にアイソレータを備えている従来の後方励起方法
に従っているＥＤＦＡと同様なＥＤＦ２４に対する戻り
光の状態となり、反射戻り光の発振による悪影響を、出
射側にアイソレータを備えている従来のＥＤＦＡと同様
に防止することができる。

【００３８】この第２の実施形態の光処理装置によって
も、ＥＤＦＡ２１を、出射側にアイソレータを備えてい
ないように構成でき、部品点数を従来より削減すること
ができる。その結果、コストを低減でき、製造を容易な
ものとでき、さらに、アイソレータがあることでの通過
損失を防止することができる。

【００３９】（Ｃ）第３の実施形態次に、本発明を、ＥＤＦＡを有する光処理装置に適用し
た第３の実施形態を図面を参照しながら説明する。ここ
で、図５がこの第３の実施形態の全体構成を示すもので
ある。

【００４０】図５において、この第３の実施形態の光処
理装置３０も、ＥＤＦＡ３１と、このＥＤＦＡ３１から
の出力信号光が入射される光学部品３２とを有する。

【００４１】この第３の実施形態の場合、ＥＤＦＡ３１
には双方向励起方法を採用したものを適用している。Ｅ
ＤＦＡ３１において、信号光の経路上には、入射側か
ら、波長選択性を有する光カプラ３３、アイソレータ３
４、ＥＤＦ３５及び波長選択性を有する光カプラ３６が
順に配置されている。上記光カプラ３３には例えばレー
ザダイオードでなる励起光光源３７が接続されており、
また、上記光カプラ３６には例えばレーザダイオード
（励起光光源３７からの励起光による悪影響を防止する
ため光アイソレータ付きのものであることが好ましい）
でなる励起光光源３８が接続されており、これら励起光
光源３７、３８からの励起光がそれぞれ、対応する光カ
プラ３３、３６を介して、信号光と同一方向又は逆方向
に進行してＥＤＦ３５に供給される。なお、光カプラ３
３及びアイソレータ３４の配置位置は逆であっても良
い。その際、励起光光源３７も、光アイソレータ付きの
ものであることが好ましい。

【００４２】すなわち、この第３の実施形態のＥＤＦＡ
３１は、従来の一般的な双方向励起方法を採用している
ＥＤＦＡとは異なって、出射側にはアイソレータが設け
られていない。

【００４３】出射側にはアイソレータが設けられていな
いが、ＥＤＦＡ３１での増幅作用は、周知の通りであ
り、その説明は省略する。

【００４４】光学部品３２は、第１、第２の実施形態と
同様なものであり、第１、第２の実施形態の場合と同様
に、ＥＤＦＡ３１の利得と、光学部品３２の通過損失と
の間には、ＥＤＦＡ３１の利得が、光学部品３２の通過
損失の２倍（≒反射減衰量）より小さいという関係があ
るものである。

【００４５】上述した関係を満足した場合には、ＥＤＦ
Ａ３１が、出射側にアイソレータを備えていなくても、
出射側にアイソレータを備えている従来の双方向励起方
法に従っているＥＤＦＡと同様なＥＤＦ３５に対する戻
り光の状態となり、反射戻り光の発振による悪影響を、
出射側にアイソレータを備えている従来のＥＤＦＡと同
様に防止することができる。

【００４６】この第３の実施形態の光処理装置によって
も、ＥＤＦＡ３１を、出射側にアイソレータを備えてい
ないように構成でき、部品点数を従来より削減すること
ができる。その結果、コストを低減でき、製造を容易な
ものとでき、さらに、アイソレータがあることでの通過
損失を防止することができる。

【００４７】（Ｄ）第４の実施形態次に、本発明を、ＥＤＦＡを有する光処理装置に適用し
た第４の実施形態を図面を参照しながら説明する。ここ
で、図６がこの第４の実施形態の全体構成を示すもので
ある。

【００４８】図６において、この第４の実施形態の光処
理装置４０は、プリアンプとしてのＥＤＦＡ４１と、ポ
ストアンプとしてＥＤＦＡ４２と、このＥＤＦＡ４２か
らの出力信号光が入射される光学部品４３とを有する。

【００４９】この第４の実施形態の場合、ＥＤＦＡ４１
及び４２には双方向励起方法を採用したものを適用して
いる。

【００５０】プリアンプとしてのＥＤＦＡ４１は、双方
向励起方法を採用している一般的なＥＤＦＡと同様な構
成を有する。ＥＤＦＡ４１において、信号光の経路上に
は、入射側から、波長選択性を有する光カプラ４４、ア
イソレータ４５、ＥＤＦ４６、波長選択性を有する光カ
プラ４７及びアイソレータ４８が順に配置されている。
上記光カプラ４４には例えばレーザダイオードでなる励
起光光源４９が接続されており、また、上記光カプラ４
７には例えばレーザダイオード（光アイソレータ付きの
ものであることが好ましい）でなる励起光光源５０が接
続されており、これら励起光光源４９、５０からの励起
光がそれぞれ、対応する光カプラ４４、４７を介して、
信号光と同一方向又は逆方向に進行してＥＤＦ４６に供
給されるようになされている。なお、光カプラ４４及び
アイソレータ４５の配置位置は逆であっても良い。その
際、励起光光源４９も、光アイソレータ付きのものであ
ることが好ましい。

【００５１】プリアンプとしてのＥＤＦＡ４１は、上述
のように、双方向励起方法を採用している一般的なＥＤ
ＦＡと同様な構成を有するので、反射戻り光による発振
が問題となることはない。

【００５２】これに対して、ポストアンプとしてのＥＤ
ＦＡ４２は、従来の一般的な双方向励起方法を採用して
いるＥＤＦＡとは異なって、出射側にはアイソレータが
設けられていない。ＥＤＦＡ４２において、信号光の経
路上には、入射側から、波長選択性を有する光カプラ５
１、アイソレータ５２、ＥＤＦ５３及び波長選択性を有
する光カプラ５４が順に配置されている。上記光カプラ
５１には例えばレーザダイオードでなる励起光光源５５
が接続されており、また、上記光カプラ５４には例えば
レーザダイオード（光アイソレータ付きのものであるこ
とが好ましい）でなる励起光光源５６が接続されてお
り、これら励起光光源５５、５６からの励起光がそれぞ
れ、対応する光カプラ５１、５４を介して、信号光と同
一方向又は逆方向に進行してＥＤＦ５３に供給されるよ
うになされている。なお、光カプラ５１及びアイソレー
タ５２の配置位置は逆であっても良い。その際、励起光
光源５５は、光アイソレータ付きのものであることが好
ましい。

【００５３】出射側にはアイソレータが設けられていよ
うがいまいが、ＥＤＦＡ４１、４２での増幅作用は、周
知の通りであり、その説明は省略する。

【００５４】光学部品４３は、第１〜第３の実施形態と
同様なものであり、第１〜第３の実施形態の場合と同様
に、前段のＥＤＦＡ４２の利得と、光学部品４３の通過
損失との間には、ＥＤＦＡ４２の利得が、光学部品４３
の通過損失の２倍（≒反射減衰量）より小さいという関
係があるものである。

【００５５】上述した関係を満足した場合には、ＥＤＦ
Ａ４２が、出射側にアイソレータを備えていなくても、
出射側にアイソレータを備えている従来の双方向励起方
法に従っているＥＤＦＡと同様なＥＤＦ５３に対する戻
り光の状態となり、反射戻り光の発振による悪影響を、
出射側にアイソレータを備えている従来のＥＤＦＡと同
様に防止することができる。

【００５６】なお、ＥＤＦＡを２段構成にした場合、Ｅ
ＤＦＡの特性（利得飽和の特性）から、全体としての
利得が例えば２５ｄＢならば、プリアンプ側のＥＤＦＡ
４１で例えば２１ｄＢ、ポストアンプ側のＥＤＦＡ４２
では例えば４ｄＢに配分される。すなわち、ＥＤＦＡ４
２での利得は小さく配分され、ＥＤＦＡ４２の利得との
上記関係を満足する光学部品４３の種類は、第１〜第３
の実施形態以上に多くなると思われる。

【００５７】この第４の実施形態の光処理装置によって
も、最終段のＥＤＦＡ４２を、出射側にアイソレータを
備えていないように構成でき、部品点数を従来より削減
することができる。その結果、コストを低減でき、製造
を容易なものとでき、さらに、アイソレータがあること
での通過損失を防止することができる。

【００５８】さらには、上述のような２段構成の増幅器
の場合、出力が高くなるため、高出力におけるロスが少
なくなり、より効率的に出力を得ることが可能となる。

【００５９】（Ｅ）他の実施形態上記各実施形態においてはＥＤＦＡを光直接増幅器とし
て適用しているものを示したが、他の希土類元素を添加
した光ファイバ増幅器（例えば、プラセオジウム添加光
ファイバ増幅器やネオジム添加光ファイバ増幅器）を有
する光処理装置に対しても本発明を適用可能である。ま
た、増幅作用を起こす媒体が光ファイバではなく、半導
体上に形成されている光半導体増幅器を有する光処理装
置に対しても本発明を適用できる。

【００６０】また、励起方法として、複数の励起光光源
からの励起光を光カプラで偏波合成して増幅作用部（例
えばＥＤＦ）に供給する偏波合成方法や、複数の励起光
光源から異なる波長の励起光を出力させ、これを多重し
て増幅作用部（例えばＥＤＦ）に供給する波長多重方法
を採用している光直接増幅器を有する光処理装置に対し
ても本発明を適用可能である。

【００６１】さらに、上記第４の実施形態では、双方向
励起方法を採用しているＥＤＦＡの２段の組み合わせを
示したが、各段のＥＤＦＡの励起方法は、前方、後方、
双方向のいずれであっても良い。要は、最終段のＥＤＦ
Ａ（光直接増幅器）が出射側にアイソレータを備えてい
なければ良い。また、３段以上のＥＤＦＡを有する光処
理装置に対しても、本発明を適用できる。この場合も、
最終段のＥＤＦＡ（光直接増幅器）として、出射側にア
イソレータを備えていないものを適用する。

【００６２】

【発明の効果】以上のように、本発明の光処理装置によ
れば、光学部品に増幅出力を供給する光直接増幅器の利
得を、上記光学部品の通過損失の２倍より小さく定め、
上記光直接増幅器における増幅処理本体を上記光学部品
に直接接続するようにしたので、部品点数を従来より削
減することができ、その結果、コストを低減でき、製造
を容易なものとでき、さらに、アイソレータがあること
での通過損失を防止できる。

【図面の簡単な説明】

【図１】第１の実施形態の構成を示すブロック図であ
る。

【図２】ＥＤＦＡの利用システム例を示すブロック図で
ある。

【図３】ＥＤＦＡにおいてアイソレータの必要性の説明
図である。

【図４】第２の実施形態の構成を示すブロック図であ
る。

【図５】第３の実施形態の構成を示すブロック図であ
る。

【図６】第４の実施形態の構成を示すブロック図であ
る。

【符号の説明】

１０、２０、３０、４０…光処理装置、１１、２１、３１、４１、４２…ＥＤＦＡ（光直接増幅
器）、１２、２２、３２、４３…光学部品。

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者菊島浩二東京都新宿区西新宿三丁目19番２号日本電信電話株式会社内

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】光直接増幅器と、この光直接増幅器から
出力された光信号が与えられる光学部品とでなる光処理
装置において、上記光直接増幅器の利得を、上記光学部品の通過損失の
２倍より小さく定め、上記光直接増幅器における増幅処
理本体を上記光学部品に直接接続したことを特徴とする
光処理装置。
【請求項２】縦続接続された複数の光直接増幅器と、
最終段の光直接増幅器から出力された光信号が与えられ
る光学部品とでなる光処理装置において、上記最終段の光直接増幅器の利得を、上記光学部品の通
過損失の２倍より小さく定め、上記最終段の光直接増幅
器における増幅処理本体を上記光学部品に直接接続した
ことを特徴とする光処理装置。