JPH1166969A - Transparent conductive film - Google Patents

Transparent conductive film

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JPH1166969A
JPH1166969A JP9216242A JP21624297A JPH1166969A JP H1166969 A JPH1166969 A JP H1166969A JP 9216242 A JP9216242 A JP 9216242A JP 21624297 A JP21624297 A JP 21624297A JP H1166969 A JPH1166969 A JP H1166969A
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JP
Japan
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film
transparent conductive
layer
gas barrier
weight
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Application number
JP9216242A
Other languages
Japanese (ja)
Inventor
Satoshi Igarashi
聡 五十嵐
Toru Hanada
亨 花田
Toshiaki Yatabe
俊明 谷田部
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Teijin Ltd
Original Assignee
Teijin Ltd
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Publication date
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Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To improve interlayer adhesion of a plastic liquid crystal display panel base board using a metallic oxide as a gas barrier layer by laminating the gas barrier layer composed of the metallic oxide and a protective layer A in this order on one surface of a plastic film, and laminating a protective layer B and a transparent conductive layer in this order on the other surface of the plastic film. SOLUTION: Insulating oxide such as silicon, Al, Mg and Zn is cited as metallic oxide to be used. These are also known as a material excellent in gas barrier performance. Among these, metallic oxide mainly composed of a silicon oxide on which a rate of the oxygen atom number to the silicon atom number is 1.5 to 2.0, is desirably used from the viewpoint of gas barrier performance, transparency, surface flatness, bending performance, film stress and a cost. When this rate becomes smaller than 1.5, bending performance and transparency get worse. The thickness is desirably within a range of 5 nm to 200 nm, and when it becomes thinner than 5 nm, it is difficult to uniformly form a film.

Description

【発明の詳細な説明】DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION

【0001】[0001]

【発明の属する技術分野】本発明は、透明導電フィルム
に関し、さらに詳しくは透明性、光学等方性、平滑性、
耐溶剤性、積層フィルムのカールが少ない、ガスバリア
性、環境によるガスバリア性の変化が少ない等の諸特性
に優れるという特長に加え、特に透明導電層側の透明導
電フィルム面に応力を加えたときの密着性が良好である
という特長を有する透明導電フィルムに関するものであ
り、例えば液晶パネルの透明電極基板やエレクトロルミ
ネッセンスパネル、エレクトロクロミックパネル、面発
熱体等の透明導電基板などのベースフィルムとして諸特
性に優れた透明導電フィルムに関するものでる。
The present invention relates to a transparent conductive film, and more particularly, to transparency, optical isotropy, smoothness, and the like.
In addition to the features of excellent properties such as solvent resistance, less curl of the laminated film, less gas barrier property, less change in gas barrier property due to the environment, especially when stress is applied to the transparent conductive film side on the transparent conductive layer side It relates to a transparent conductive film that has the characteristic of good adhesion, and has various properties as a base film for transparent electrode substrates for liquid crystal panels, transparent conductive substrates such as electroluminescent panels, electrochromic panels, and surface heating elements. It relates to an excellent transparent conductive film.

【0002】[0002]

【従来の技術】近年、液晶表示素子は、より軽薄化、よ
り大型化という要求に加え、長期信頼性、形状の自由
度、曲面表示等の高度な要求がなされている。特に、ペ
イジャー(ポケットベル)、携帯電話、電子手帳、ペン
入力機器など、携帯して移動する事のできる機器の利用
が普及するにつれ、従来の厚く、重く、割れやすいガラ
ス基板に変わって、プラスチックを基板とする液晶パネ
ルが検討され、一部で実用化し始めている。こうしたプ
ラスチック液晶基板は軽薄化の要望を満たし、特開昭5
6-130010号公報等に記載されている。
2. Description of the Related Art In recent years, in addition to the demand for lighter and thinner liquid crystal display devices and the larger size of liquid crystal display devices, there have been demands for long-term reliability, flexibility in shape, and display of curved surfaces. In particular, as the use of portable devices such as pagers, mobile phones, electronic organizers, and pen input devices becomes more widespread, the use of plastic instead of the conventional thick, heavy, and fragile glass substrates A liquid crystal panel using a substrate as a substrate has been studied, and some of the panels have begun to be put to practical use. Such a plastic liquid crystal substrate meets the demand for lightness,
No. 6,13,0010, and the like.

【0003】そしてさらには、耐透気性、耐水蒸気透過
性(以後ガスバリア性と称す)を改善したプラスチック
基板も特開昭61−41122号公報や、特開昭61ー
73924号公報、特開平3−9323号公報等に記載
されている。
[0003] Furthermore, plastic substrates having improved air-permeation resistance and water vapor-permeation resistance (hereinafter referred to as gas barrier properties) are also disclosed in JP-A-61-41122, JP-A-61-73924, and JP-A-6-73924. No. 9323, for example.

【0004】しかしながら、これらのプラスチック基板
の内、ガスバリア性を付与するためのガスバリア層とし
てポリビニルアルコール系樹脂層のみを積層したもので
は50%RH以下の低湿度での耐透気性には優れてはい
るものの、それよりも高い湿度例えば90%RHでのガ
スバリア性に劣るという欠点がある。また、ポリビニル
アルコール系樹脂層が透明導電層直下、あるいは最外層
に設けられた場合、水系溶液に容易に侵されるという問
題もある。このほか、有機系のガスバリア層材料とし
て、ポリアクリロニトリルやポリ塩化ビニリデン等があ
るが、取り扱い性、環境問題の観点から好まれない。
However, among these plastic substrates, those in which only a polyvinyl alcohol-based resin layer is laminated as a gas barrier layer for imparting gas barrier properties are not excellent in air permeability at a low humidity of 50% RH or less. However, there is a disadvantage that the gas barrier property at a higher humidity, for example, 90% RH is inferior. Further, when the polyvinyl alcohol-based resin layer is provided directly under the transparent conductive layer or as the outermost layer, there is a problem that the polyvinyl alcohol-based resin layer is easily affected by an aqueous solution. In addition, polyacrylonitrile, polyvinylidene chloride, and the like are used as organic gas barrier layer materials, but they are not preferred from the viewpoint of handleability and environmental problems.

【0005】一方、特開昭61−183810号公報等
に記載されているようにガスバリア層として金属酸化物
を設けたプラスチック基板が記載されている。この場
合、湿度に殆ど依存しないガスバリア性が得られるが、
層を厚くすると機械的特性すなわち、僅かな屈曲でガス
バリア層が割れてしまう等の問題があるため、良好な機
械特性を維持したまま良好なガスバリア性を付与するこ
とが困難であった。また、この様な金属酸化物、特に、
生産性が良好で好適に使用される酸化珪素が最外層にあ
る場合、アルカリ水溶液で容易に浸食されてしまうとい
う欠点がある。
On the other hand, a plastic substrate provided with a metal oxide as a gas barrier layer as described in JP-A-61-183810 and the like is described. In this case, gas barrier properties almost independent of humidity can be obtained,
When the layer is thickened, there are problems such as mechanical characteristics, that is, the gas barrier layer is broken by slight bending, and it has been difficult to provide good gas barrier properties while maintaining good mechanical characteristics. Also, such metal oxides, especially,
When silicon oxide, which has good productivity and is preferably used, is in the outermost layer, there is a disadvantage that it is easily eroded by an alkaline aqueous solution.

【0006】この様な問題に対しては特開平6−175
143号公報では耐スクラッチ性を向上させるという観
点で、金属酸化物層の上あるいは下に硬化性樹脂を積層
することが開示されている。しかしながら、高度なガス
バリア性と、各層の密着性、アルカリ水溶液を含めた耐
溶剤性について十分に検討がなされていない。
To solve such a problem, Japanese Patent Laid-Open Publication No.
No. 143 discloses that a curable resin is laminated above or below a metal oxide layer from the viewpoint of improving scratch resistance. However, high gas barrier properties, adhesiveness of each layer, and resistance to solvents including alkaline aqueous solutions have not been sufficiently studied.

【0007】[0007]

【発明が解決しようとする課題】透明導電層面は導電層
のエッチング処理、配向処理、シール剤によるセル作製
等の各種の工程が施される。このうち、部分的にパター
ンニングされたシール剤の熱硬化による応力が大きく、
通常のクロスカット密着試験において十分な密着性を示
す層でも、セル作製後に2枚の基板を引き離すと容易に
金属酸化物層が剥離してしまう場合がある。この様な例
はガスバリア層として金属酸化物層を導電層側に配置し
た場合に多く観られる。これは、金属酸化物層を真空プ
ロセスで積層する場合には、熱による下地のプラスチッ
クフィルム表面の熱劣化や、金属酸化物とプラスチック
フィルムの熱膨張率の差に由来した層間への応力集中が
原因となっている。本発明に於いては金属酸化物をガス
バリア層としたプラスチック液晶表示パネル基板の層間
の密着性、特に透明導電層側の透明導電フィルム面に応
力を加えたときの密着性を改善することを目的とする。
The transparent conductive layer surface is subjected to various processes such as etching of the conductive layer, orientation treatment, and cell fabrication using a sealant. Among them, the stress due to the thermosetting of the partially patterned sealant is large,
Even if a layer shows sufficient adhesion in a normal cross-cut adhesion test, the metal oxide layer may be easily peeled off when the two substrates are separated after cell production. Such an example is often observed when a metal oxide layer is disposed as a gas barrier layer on the conductive layer side. This is because when a metal oxide layer is laminated by a vacuum process, thermal degradation of the underlying plastic film surface due to heat and stress concentration between layers due to the difference in the coefficient of thermal expansion between the metal oxide and the plastic film occur. Cause. An object of the present invention is to improve the adhesion between layers of a plastic liquid crystal display panel substrate using a metal oxide as a gas barrier layer, particularly when a stress is applied to the transparent conductive film surface on the transparent conductive layer side. And

【0008】[0008]

【課題を解決するための手段】本発明にかかる透明導電
フィルムはプラスチックフィルムの一方の面に、金属酸
化物からなるガスバリア層及び保護層(A)をこの順に
積層し、該プラスチックフィルムの他方の面に、保護層
(B)及び透明導電層をこの順に積層して成ることを特
徴とする。
The transparent conductive film according to the present invention has a gas barrier layer composed of a metal oxide and a protective layer (A) laminated in this order on one surface of a plastic film, and the other side of the plastic film. The protective layer (B) and the transparent conductive layer are laminated on the surface in this order.

【0009】すなわち、各工程での応力負荷によって剥
離しやすい金属酸化物層を、プラスチックフィルム面に
対して透明導電層と反対の面に配置することによりセル
作製後に容易に剥離することが無くなる。
That is, by disposing the metal oxide layer, which is easily peeled off by the stress load in each step, on the surface opposite to the transparent conductive layer with respect to the plastic film surface, it is possible to prevent the metal oxide layer from being easily peeled off after cell production.

【0010】ここでセル作製後の密着性について、T型
剥離強度との対応をとったところ、ベースとなるプラス
チックフィルムから見て透明導電層側に積層した各層の
剥離強度が全て200g/cm以上であることが必要で
あった。
[0010] Here, when the adhesion after the cell fabrication was correlated with the T-type peel strength, the peel strength of each layer laminated on the transparent conductive layer side as viewed from the base plastic film was 200 g / cm or more. It was necessary to be.

【0011】ここで用いることの出来る金属酸化物とし
ては、珪素、アルミニウム、マグネシウム、亜鉛等の絶
縁酸化物が挙げられ、ガスバリア性が優れている材料と
して知られている。これら酸化物の層はスパッタ法、真
空蒸着法、イオンプレーティング法、プラズマCVD法
等の気相中より材料を堆積させて膜形成する気相堆積膜
形成法により作製される。
Examples of the metal oxide that can be used here include insulating oxides such as silicon, aluminum, magnesium, and zinc, and are known as materials having excellent gas barrier properties. These oxide layers are formed by a vapor deposition method in which a material is deposited from a gas phase to form a film, such as a sputtering method, a vacuum deposition method, an ion plating method, and a plasma CVD method.

【0012】この中でも、ガスバリア性、透明性、表面
平坦性、屈曲性、膜応力、コスト等の点から珪素原子数
に対する酸素原子数の割合が1.5〜2.0の珪素酸化
物を主成分とする金属酸化物が良好である。
Among these, silicon oxide having a ratio of oxygen atoms to silicon atoms of 1.5 to 2.0 is mainly used in terms of gas barrier properties, transparency, surface flatness, flexibility, film stress, cost, and the like. The metal oxide as a component is good.

【0013】珪素酸化物の珪素原子数に対する酸素原子
数の割合は、X線光電子分光法、X線マイクロ分光法、
オージェ電子分光法、ラザフォード後方散乱法などによ
り分析、決定される。この割合が1.5よりも小さくな
ると屈曲性、透明性が悪くなることから、1.5〜2.
0が好ましい。
The ratio of the number of oxygen atoms to the number of silicon atoms in the silicon oxide is determined by X-ray photoelectron spectroscopy, X-ray microspectroscopy,
It is analyzed and determined by Auger electron spectroscopy, Rutherford backscattering method and the like. If this ratio is smaller than 1.5, the flexibility and the transparency deteriorate, so that 1.5 to 2.
0 is preferred.

【0014】厚さとしては5nm〜200nmの範囲が
好ましい。5nmよりも薄くなると均一に膜を形成する
ことは困難であり、膜が形成されない部分が発生する。
そして、この部分からガスが浸透し、ガスバリア性が悪
くなってしまう。また、200nmよりも厚くなると透
明性を欠くだけでなく、屈曲性が悪く、クラックが発生
し易くなり、ガスバリア性や外観を損なう。
The thickness is preferably in the range of 5 nm to 200 nm. If the thickness is less than 5 nm, it is difficult to form a uniform film, and a portion where the film is not formed occurs.
And gas permeates from this part, and gas barrier property deteriorates. On the other hand, when the thickness is more than 200 nm, not only lacks in transparency but also deteriorates flexibility, easily causes cracks, and impairs gas barrier properties and appearance.

【0015】更により高い透明性に対してはフッ化マグ
ネシウムを全体の重量に対して5〜20重量%含有され
ている、上記の珪素酸化物が好ましい。この場合、透明
性が飛躍的に向上するために50nm以上の膜厚を好ま
しく作製する事が出来、その厚み効果で良好なガスバリ
ア性が確保できる。しかしながら、厚くすればするほ
ど、気相膜堆積形成法ではプラスチックフィルムの単位
面積にかかる熱量が増大するためにプラスチックフィル
ム表面の熱劣化が顕著となる。また、熱膨張率差に由来
した応力も顕著となる。そのため、作製した金属酸化物
層が更に剥離しやすくなる。この様な場合には、本発明
がより効果的である。
For even higher transparency, the above-mentioned silicon oxide containing 5 to 20% by weight of magnesium fluoride with respect to the total weight is preferred. In this case, a film thickness of 50 nm or more can be preferably produced in order to dramatically improve transparency, and good gas barrier properties can be secured by the thickness effect. However, as the thickness increases, the amount of heat applied to a unit area of the plastic film increases in the vapor phase film deposition method, so that the thermal deterioration of the plastic film surface becomes more remarkable. In addition, the stress derived from the difference in the coefficient of thermal expansion becomes remarkable. Therefore, the formed metal oxide layer is more easily peeled. In such a case, the present invention is more effective.

【0016】プラスチックフィルムについては、ポリエ
ステル、ポリカーボネート、ポリアリレート、ポリスル
ホン、ポリエーテルスルホンなど各樹脂が使用できる。
この中でも、透明性、光学等方性が特に望まれている液
晶表示用途には、ポリカーボネート、ポリアリレートが
より好ましい。
As the plastic film, various resins such as polyester, polycarbonate, polyarylate, polysulfone and polyethersulfone can be used.
Among them, polycarbonate and polyarylate are more preferable for liquid crystal display applications where transparency and optical isotropy are particularly desired.

【0017】ここで、透明性とは波長400nm及び5
50nmでの光線透過率が80%以上、かつ、ヘイズ値
が1%以下であることを言う。これらの光線透過率が8
0%よりも低い場合、これを用いて液晶表示素子を構成
したときに、光利用効率は低下し、表示が暗くなる上、
コントラストも低下してしまう。また、ヘイズ値が1%
よりも高い場合には、これを用いて液晶表示素子を構成
したときに、透過光は散乱されるようになり、偏光板を
透過した偏光の偏光度を低下させてしまう。これによ
り、コントラストが低下してしまう。
Here, transparency refers to wavelengths of 400 nm and 5 nm.
It means that the light transmittance at 50 nm is 80% or more and the haze value is 1% or less. Their light transmittance is 8
When it is lower than 0%, when a liquid crystal display element is formed using the same, the light use efficiency is reduced, and the display becomes darker.
The contrast is also reduced. The haze value is 1%
If it is higher than this, when a liquid crystal display element is constructed using this, transmitted light will be scattered and the degree of polarization of polarized light transmitted through the polarizing plate will be reduced. As a result, the contrast is reduced.

【0018】次に金属酸化物層上の保護層(A)および
プラスチックフィルムと透明導電層の間の保護層(B)
については、金属酸化物層及び、プラスチックフィルム
に密着する物で、耐薬品性、屈曲性を有する物がよい。
その際、工程上及び経済的な観点から、金属酸化物層上
の保護層(A)およびプラスチックフィルムと透明導電
層の間の保護層(B)は同じ物が好ましいが、非対称性
に由来した問題、例えば強いカール変形等が無ければ異
なる材料でもかなわない。液晶表示素子を構成する際に
導電層のあるフィルム面には配向膜を形成する。配向膜
としてはポリイミド樹脂が汎用的に使用されているがそ
の様な樹脂あるいはその前駆体はN−メチルピロリドン
等の強い極性溶媒が使用される。そのため、特にプラス
チックフィルムと透明導電層の間の保護層(B)のフィ
ルム面には高度な耐溶剤性が要求されており、その様な
理由から、金属酸化物層上の保護層(A)およびプラス
チックフィルムと透明導電層の間の保護層(B)を異な
る材料とする方が好ましい場合がある。
Next, a protective layer (A) on the metal oxide layer and a protective layer (B) between the plastic film and the transparent conductive layer.
As for (2), a substance which adheres to the metal oxide layer and the plastic film and has chemical resistance and flexibility is preferable.
At this time, the same protective layer (A) on the metal oxide layer and the same protective layer (B) between the plastic film and the transparent conductive layer are preferred from the viewpoints of the process and the economy, but they are derived from asymmetry. Different materials will not work without problems, such as strong curl deformation. When forming a liquid crystal display element, an alignment film is formed on a film surface having a conductive layer. A polyimide resin is generally used for the alignment film, but a strong polar solvent such as N-methylpyrrolidone is used for such a resin or a precursor thereof. Therefore, a high solvent resistance is required particularly on the film surface of the protective layer (B) between the plastic film and the transparent conductive layer. For such a reason, the protective layer (A) on the metal oxide layer is required. In some cases, it is preferable to use a different material for the protective layer (B) between the plastic film and the transparent conductive layer.

【0019】この様な保護層(A)および保護層(B)
の具体的な例としてはプラスチックフィルム上にはエポ
キシ樹脂熱硬化物、放射線硬化型樹脂硬化物、あるい
は、ポリビニルアルコール系ポリマーに、エポキシ珪素
化合物とアミノ珪素化合物を混合し熱架橋反応させてな
る硬化ポリマー等が挙げられる。
Such a protective layer (A) and a protective layer (B)
As a specific example, a cured resin obtained by mixing an epoxy silicon compound and an amino silicon compound with a thermosetting epoxy resin, a radiation-curable resin, or a polyvinyl alcohol-based polymer on a plastic film and performing a thermal crosslinking reaction. Polymers and the like.

【0020】エポキシ樹脂は耐溶剤性の観点からノボラ
ック型のエポキシ樹脂が好ましい。エポキシ樹脂を硬化
させる硬化剤としては、公知の物が適用できる。例え
ば、アミン系、ポリアミノアミド系、酸及び酸無水物、
イミダゾール、メルカプタン、フェノール樹脂等の硬化
剤が用いられる。
The epoxy resin is preferably a novolak type epoxy resin from the viewpoint of solvent resistance. As the curing agent for curing the epoxy resin, a known material can be used. For example, amines, polyaminoamides, acids and acid anhydrides,
A curing agent such as imidazole, mercaptan, and phenol resin is used.

【0021】中でも、耐溶剤性、光学特性、熱特性等よ
り、酸無水物及び酸無水物構造を含むポリマーまたは脂
肪族アミン類が好ましく用いられ、更に好ましくは酸無
水物及び酸無水物構造を含むポリマーである。
Among these, acid anhydrides and polymers containing an acid anhydride structure or aliphatic amines are preferably used in view of solvent resistance, optical characteristics, heat characteristics and the like, and more preferably acid anhydrides and acid anhydride structures are used. Containing polymer.

【0022】さらに、反応速度を上げるために公知の第
三アミン類やイミダゾール類等の硬化触媒を適量加える
ことが好ましい。
Further, it is preferable to add an appropriate amount of a known curing catalyst such as a tertiary amine or imidazole in order to increase the reaction rate.

【0023】放射線硬化型樹脂は、紫外線や電子線等の
放射線を照射することによって硬化が進行する樹脂を指
し、具体的には分子あるいは単位構造内にアクリロイル
基、メタクリロイル基、ビニル基等の不飽和二重結合を
含む樹脂のことである。これらの中でも特に反応性の面
から、アクリロイル基を含む樹脂が好ましい。そしてそ
の組成は単一組成でも、数種の混合組成でもかまわない
が、耐溶剤性の観点から分子あるいは単位構造内に2個
以上のアクリロイル基を有する多官能アクリレート成分
が樹脂組成中に含まれることが好ましい。こうした多官
能アクリレート成分としては、例えばジペンタエリスリ
トールペンタアクリレート、ジペンタエリスリトールヘ
キサアクリレート、ペンタエリスリトールテトラアクリ
レート、ペンタエリスリトールトリアクリレート、トリ
メチロールプロパントリアクリレート等の各種アクリレ
ートモノマーや、ポリエステル変性もしくはウレタン変
性の多官能アクリレートオリゴマー等が挙げられるが、
これらに限定されるものではない。
The radiation-curable resin refers to a resin that cures when irradiated with radiation such as ultraviolet rays or electron beams. Specifically, a molecule or a unit structure contains an acryloyl group, a methacryloyl group, a vinyl group, or the like. A resin containing a saturated double bond. Among these, a resin containing an acryloyl group is particularly preferable from the viewpoint of reactivity. The composition may be a single composition or a mixed composition of several kinds, but from the viewpoint of solvent resistance, a polyfunctional acrylate component having two or more acryloyl groups in a molecule or a unit structure is contained in the resin composition. Is preferred. Examples of such polyfunctional acrylate components include various acrylate monomers such as dipentaerythritol pentaacrylate, dipentaerythritol hexaacrylate, pentaerythritol tetraacrylate, pentaerythritol triacrylate, and trimethylolpropane triacrylate, and polyester-modified or urethane-modified polyacrylates. Functional acrylate oligomers and the like,
It is not limited to these.

【0024】更にこの様な放射線硬化型樹脂組成には更
なる密着性、耐溶剤性を付与する目的で下記の一般式
(1)又は(2)で表されるアルコキシシランの加水分
解物を固形分の重量比率で75重量%以下となる範囲内
になるように混合してもかまわない。
Further, a hydrolyzate of an alkoxysilane represented by the following general formula (1) or (2) is added to such a radiation-curable resin composition for the purpose of imparting further adhesion and solvent resistance. It may be mixed so that the weight ratio is within 75% by weight or less.

【0025】[0025]

【化1】R1−Si(OR23 ・・・(1) Si(OR24 ・・・(2) (上式で、R1はメチル基、エチル基もしくはビニル
基、アクリロイル基、メタクリロイル基、アミノ基、エ
ポキシ基を含む有機基、R2はメチル基、エチル基を示
す。)混合比率が75重量%を越えると逆に耐溶剤性、
硬化性が低下する傾向が観られ好ましくない。
Embedded image R 1 —Si (OR 2 ) 3 ... (1) Si (OR 2 ) 4 ... (2) (In the above formula, R 1 is an organic group containing a methyl group, an ethyl group or a vinyl group, an acryloyl group, a methacryloyl group, an amino group, and an epoxy group. , R 2 represents a methyl group or an ethyl group.) When the mixing ratio exceeds 75% by weight, on the contrary, solvent resistance,
The tendency of the curability to decrease is observed, which is not preferable.

【0026】紫外線硬化法を用いる場合には、前述の樹
脂組成物に公知の光反応開始剤を適量添加する。例え
ば、ジエトキシアセトフェノン、2−メチル−1−{4
−(メチルチオ)フェニル}−2−モルフォリノプロパ
ン、2−ヒドロキシ−2−メチル−1−フェニルプロパ
ン−1−オン、1−ヒドロキシシクロヘキシルフェニル
ケトン等のアセトフェノン系化合物、ベンゾイン、ベン
ジルジメチルケタール等のベンゾイン系化合物、ベンゾ
フェノン、ベンゾイル安息香酸等のベンゾフェノン系化
合物、チオキサンソン、2,4−ジクロロチオキサンソ
ン等のチオキサンソン系化合物が挙げられる。また、よ
り硬化性を向上するためには、トリエタノールアミン、
メチルジエタノールアミン、4−ジメチルアミノ安息香
酸エチル等の公知の反応開始助剤を適量添加することも
効果的である。
When the ultraviolet curing method is used, an appropriate amount of a known photoreaction initiator is added to the above-mentioned resin composition. For example, diethoxyacetophenone, 2-methyl-1- {4
Acetophenone-based compounds such as-(methylthio) phenyl} -2-morpholinopropane, 2-hydroxy-2-methyl-1-phenylpropan-1-one and 1-hydroxycyclohexylphenyl ketone; benzoin such as benzoin and benzyldimethylketal Benzophenone compounds such as benzophenone and benzoylbenzoic acid; and thioxanthone compounds such as thioxanthone and 2,4-dichlorothioxanthone. Further, in order to further improve curability, triethanolamine,
It is also effective to add an appropriate amount of a known reaction initiation aid such as methyldiethanolamine and ethyl 4-dimethylaminobenzoate.

【0027】ポリビニルアルコール系ポリマーにエポキ
シ珪素化合物とアミノ珪素化合物を混合し架橋反応させ
てなる硬化ポリマーにおいて、ポリビニルアルコール系
ポリマーは、公知の市販の物が適用でき、具体的にはビ
ニルアルコール成分、ビニルアルコール共重合成分より
なる群から選ばれた少なくとも1種を50モル%以上含
有する高分子樹脂が適用される。なお、このビニルアル
コール共重合体としては、ビニルアルコールー酢酸ビニ
ル共重合体、ビニルアルコールービニルブチラール共重
合体、エチレンービニルアコール共重合体、あるいは分
子内にシリル基を有するポリビニルアルコール系高分子
等が挙げられる。この中で好ましくは、ケン化度80%
以上のポリビニルアルコール、エチレンービニルアルコ
ール共重合体、分子内にシリル基を有するポリビニルア
ルコール系高分子であり、更に好ましくはエチレンービ
ニルアルコール共重合体である。
In the cured polymer obtained by mixing an epoxy silicon compound and an amino silicon compound with a polyvinyl alcohol-based polymer and subjecting it to a cross-linking reaction, a known commercially available polyvinyl alcohol-based polymer can be used. A polymer resin containing 50 mol% or more of at least one selected from the group consisting of vinyl alcohol copolymer components is applied. The vinyl alcohol copolymer may be a vinyl alcohol-vinyl acetate copolymer, a vinyl alcohol-vinyl butyral copolymer, an ethylene-vinyl alcohol copolymer, or a polyvinyl alcohol polymer having a silyl group in the molecule. And the like. Of these, a saponification degree of 80% is preferred.
The above polyvinyl alcohols, ethylene-vinyl alcohol copolymers, and polyvinyl alcohol-based polymers having a silyl group in the molecule are preferred, and ethylene-vinyl alcohol copolymers are more preferred.

【0028】エポキシ珪素化合物はエポキシ基及びアル
コキシシリル基を有する珪素化合物、その(部分)加水
分解物、その(部分)縮合物、及びこれらの混合物から
なる群から選ばれ、例えば下記一般式(3)で表される
物である。
The epoxy silicon compound is selected from the group consisting of a silicon compound having an epoxy group and an alkoxysilyl group, a (partly) hydrolyzate thereof, a (partly) condensate thereof, and a mixture thereof. ).

【0029】[0029]

【化2】 X−R3−Si(R4n(OR53-n ・・・(3) (ここで、R3は炭素数1〜4のアルキレン基、R4及び
5は炭素数1〜4のアルキル基、Xはグリシドキシ基
またはエポキシシクロヘキシル基であり、nは0または
1である。)
X—R 3 —Si (R 4 ) n (OR 5 ) 3-n (3) (where R 3 is an alkylene group having 1 to 4 carbon atoms, and R 4 and R 5 are An alkyl group having 1 to 4 carbon atoms, X is a glycidoxy group or an epoxycyclohexyl group, and n is 0 or 1.)

【0030】この中で特に好ましいエポキシ珪素化合物
は、3−グリシドキシプロピルトリメトキシシラン、
(3,4−エポキシシクロヘキシル)エチルトリメトキ
シシランである。これらの化合物は単独又は2種以上を
併用することが出来る。
Among these, particularly preferred epoxy silicon compounds are 3-glycidoxypropyltrimethoxysilane,
(3,4-epoxycyclohexyl) ethyltrimethoxysilane. These compounds can be used alone or in combination of two or more.

【0031】アミノ珪素化合物はアミノ基及びアルコキ
シシリル基を有する珪素化合物、その(部分)加水分解
物、その(部分)縮合物、及びこれらの混合物からなる
群から選ばれ、例えば下記一般式(4)で表される物で
ある。
The aminosilicon compound is selected from the group consisting of a silicon compound having an amino group and an alkoxysilyl group, a (partial) hydrolyzate thereof, a (partial) condensate thereof, and a mixture thereof. ).

【0032】[0032]

【化3】 Y−HN−R6−Si(R7m(OR83-m ・・・(4) (ここで、R6は炭素数1〜4のアルキレン基、R7及び
8は炭素数1〜4のアルキル基、Yは水素原子または
アミノアルキル基であり、mは0または1である。)
Embedded image Y—HN—R 6 —Si (R 7 ) m (OR 8 ) 3-m (4) (where R 6 is an alkylene group having 1 to 4 carbon atoms, R 7 and R 8 is an alkyl group having 1 to 4 carbon atoms, Y is a hydrogen atom or an aminoalkyl group, and m is 0 or 1.)

【0033】この中で特に好ましいアミノ珪素化合物は
3ーアミノプロピルトリメトキシシラン、3ーアミノプ
ロピルトリエトキシシラン、N−メチルー3ーアミノプ
ロピルトリメトキシシラン、3ーアミノプロピルメチル
ジエトキシシラン、N−(2ーアミノエチル)ー3ーア
ミノプロピルトリメトキシシラン、N−(2ーアミノエ
チル)ー3ーアミノプロピルメチルジメトキシシランで
ある。これらの化合物は単独又は2種以上を併用するこ
とが出来る。
Among these, particularly preferred aminosilicon compounds are 3-aminopropyltrimethoxysilane, 3-aminopropyltriethoxysilane, N-methyl-3-aminopropyltrimethoxysilane, 3-aminopropylmethyldiethoxysilane, (2-aminoethyl) -3-aminopropyltrimethoxysilane and N- (2-aminoethyl) -3-aminopropylmethyldimethoxysilane. These compounds can be used alone or in combination of two or more.

【0034】そしてこれらの混合比率は、まずエポキシ
珪素化合物とアミノ珪素化合物の混合について、それぞ
れエポキシ基モル当量換算量A、アミノ基モル当量換算
量Bの比率で1/6<A/B<6/1の範囲内が好まし
く、更に好ましくは1/4<A/B<4/1である。混
合比がこの範囲から外れる場合密着性、耐熱性、耐溶剤
性、耐水性、耐久性が低下する。この様なエポキシ珪素
化合物とアミノ珪素化合物の混合物をポリビニルアルコ
ール系ポリマーに混合するに際し、硬化後の固形分の重
量比率で20〜90重量%となるように混合する。20
重量%よりも少ない場合、耐水性、耐薬品性に劣る上
に、その上に積層される透明導電層との密着性に欠け
る。90重量%よりも多い場合、脆くなり、屈曲時に割
れてしまうことがある。
The mixing ratio of the epoxy silicon compound and the amino silicon compound is 1/6 <A / B <6 for the mixture of the epoxy group molar equivalent A and the amino group molar equivalent B, respectively. / 1 is more preferable, and 1/4 <A / B <4/1 is more preferable. When the mixing ratio is out of this range, adhesion, heat resistance, solvent resistance, water resistance, and durability are reduced. When such a mixture of the epoxy silicon compound and the amino silicon compound is mixed with the polyvinyl alcohol-based polymer, they are mixed so that the solid content after curing becomes 20 to 90% by weight. 20
If the amount is less than 10% by weight, water resistance and chemical resistance are poor, and adhesion to the transparent conductive layer laminated thereon is lacking. If it is more than 90% by weight, it becomes brittle and may break when bent.

【0035】この様なポリビニルアルコール系ポリマー
と珪素化合物はポリビニルアルコール系ポリマー可溶な
溶剤に溶解することで溶液化することが出来る。例えば
ポリビニルアルコールには水、ジメチルイミダゾリン等
が挙げられる。また、エチレンービニルアルコール共重
合体を用いる場合には、水/プロパノールの混合溶媒が
挙げられる。水へのプロパノールの混合比率は重量比率
で30〜70重量%が好ましい。
Such a polyvinyl alcohol-based polymer and a silicon compound can be made into a solution by dissolving in a solvent in which the polyvinyl alcohol-based polymer is soluble. For example, polyvinyl alcohol includes water, dimethylimidazoline and the like. When an ethylene-vinyl alcohol copolymer is used, a mixed solvent of water / propanol may be used. The mixing ratio of propanol to water is preferably 30 to 70% by weight by weight.

【0036】これらの保護層(A)および保護層(B)
を積層する際に、プラスチックフィルムとの密着性を更
に向上させるためにプラスチックフィルム表面の活性化
処理や、下地層の積層を行っても良い。表面活性化処理
としてはコロナ放電処理、プラズマ放電処理等がある。
また、下地層としては親水基を有するポリエステル樹
脂、アクリル樹脂、ポリウレタン樹脂硬化物、フェノキ
シ樹脂硬化物、及びイオン性高分子錯体等がある。
The protective layer (A) and the protective layer (B)
When laminating the layers, the surface of the plastic film may be activated or the base layer may be laminated in order to further improve the adhesion to the plastic film. Examples of the surface activation treatment include a corona discharge treatment and a plasma discharge treatment.
Examples of the underlayer include a polyester resin having a hydrophilic group, an acrylic resin, a cured polyurethane resin, a cured phenoxy resin, and an ionic polymer complex.

【0037】また、金属酸化物層上には、前記の、放射
線硬化型樹脂にアルコキシシランの加水分解物を5〜7
5重量%混合した樹脂組成物の放射線硬化膜、あるいは
前記の、ポリビニルアルコール系ポリマーにエポキシ珪
素化合物とアミノ珪素化合物を混合し熱架橋反応させて
なる硬化ポリマー等が好ましい。
On the metal oxide layer, the above-mentioned radiation-curable resin is coated with a hydrolyzate of alkoxysilane in an amount of 5 to 7 μm.
A radiation-cured film of a resin composition in which 5% by weight is mixed, or a cured polymer obtained by mixing an epoxy silicon compound and an amino silicon compound with a polyvinyl alcohol-based polymer and subjecting them to a thermal crosslinking reaction are preferable.

【0038】放射線硬化型樹脂とアルコキシシランの加
水分解物の混合物に於いて、ここでは金属酸化物層との
密着を要するために、アルコキシシランの加水分解物は
5重量%以上の添加が必要となる。
In the mixture of the radiation-curable resin and the hydrolyzate of the alkoxysilane, the adhesion of the hydrolyzate of the alkoxysilane to the metal oxide layer needs to be 5% by weight or more. Become.

【0039】これらの樹脂組成物は、プラスチックフィ
ルム上及びプラスチックフィルムに積層した金属酸化物
層の上に湿式塗工される。塗工方法としては、例えばリ
バースロールコート法、マイクログラビアコート法、ダ
イレクトグラビアコート法、キスコート法、ダイコート
法等の公知の方法が用いられる。また、適当な有機溶媒
で樹脂組成物の希釈を行うことにより、塗液粘度の調整
や層の膜厚調整が可能である。
These resin compositions are wet-coated on a plastic film and on a metal oxide layer laminated on the plastic film. As a coating method, for example, a known method such as a reverse roll coating method, a microgravure coating method, a direct gravure coating method, a kiss coating method, and a die coating method is used. Further, by diluting the resin composition with an appropriate organic solvent, it is possible to adjust the viscosity of the coating solution and the thickness of the layer.

【0040】さらに、金属酸化物層上への塗工につい
て、塗液の塗れ性を高める目的で、金属酸化物層の表面
処理が好適に行われる。この様な表面処理としては、コ
ロナ放電処理、プラズマ放電処理、アルカリ処理等の公
知技術を用いることが出来る。
Further, regarding the coating on the metal oxide layer, the surface treatment of the metal oxide layer is suitably performed for the purpose of enhancing the wettability of the coating liquid. As such a surface treatment, a known technique such as a corona discharge treatment, a plasma discharge treatment, or an alkali treatment can be used.

【0041】また、透明導電層は広く透明導電フィルム
に用いられている、主として非結晶性のインジウム酸化
物からなり、その組成分として錫を5〜15重量%含有
し、かつ、透明導電層の膜厚が20〜200nmの範囲
にあることがふさわしい。
The transparent conductive layer is mainly composed of amorphous indium oxide, which is widely used for a transparent conductive film, contains 5 to 15% by weight of tin as a component thereof, and is used for the transparent conductive layer. Suitably, the film thickness is in the range from 20 to 200 nm.

【0042】結晶性の高いインジウム酸化物膜は、非結
晶体と比較すると、透明性、導電性が高く、透明電極材
料として好ましいが、屈曲性の高いフィルム上に結晶性
の膜を製膜し、このフィルムを屈曲したときには割れや
すく、取扱性が悪くなってしまう。また、熱圧着出来る
温度も非常に低下してしまう。
An indium oxide film having high crystallinity has higher transparency and conductivity than an amorphous material, and is preferable as a transparent electrode material. However, a crystalline film is formed on a film having high flexibility. However, when the film is bent, it is easily broken and the handling property is deteriorated. In addition, the temperature at which thermocompression bonding can be performed is significantly reduced.

【0043】ここでは製膜したインジウム酸化物の結晶
性、非結晶性を次のように定義する。何らかの方法でイ
ンジウム酸化物を製膜し、その表面を透過型電子顕微鏡
で観察したときに、結晶がある場合には粒の集合体すな
わち多結晶体として明瞭に観察される。この様な観察方
法で、単位面積あたりの結晶粒面積割合が20%以下の
場合を非結晶とする。
Here, the crystallinity and non-crystallinity of the formed indium oxide are defined as follows. When indium oxide is formed into a film by any method and its surface is observed with a transmission electron microscope, if there is a crystal, it is clearly observed as an aggregate of grains, that is, a polycrystal. With such an observation method, the case where the crystal grain area ratio per unit area is 20% or less is regarded as non-crystalline.

【0044】インジウム酸化物は本来透明な電気絶縁体
であるが、微量の不純物を含有する場合や、わずかに酸
素不足の場合には半導体になる。好ましい半導体金属酸
化物としては、不純物として、錫、またはフッ素を含む
インジウム酸化物を挙げることができ、特に好ましく
は、錫を5〜15重量%含有するインジウム酸化物が、
高い透明性を保ちつつ、良好な導電性を示す。
Indium oxide is a transparent electrical insulator by nature, but becomes a semiconductor when it contains a small amount of impurities or when oxygen is slightly insufficient. Preferred semiconductor metal oxides include, as impurities, indium oxide containing tin or fluorine. Particularly preferred is indium oxide containing 5 to 15% by weight of tin.
Shows good conductivity while maintaining high transparency.

【0045】そして、その厚さとしては、20〜200
nmの範囲がふさわしい。20nmよりも薄いと、電気
的に面積抵抗が高くなり、良好な透明導電フィルムとし
て活用しにくくなる。また、200nmよりも厚くなる
と、透明導電性フィルムの550nm光線透過率とし
て、80%以上の値を得難くなる上、屈曲したときに容
易に割れてしまい、取扱が困難となる。この様な透明導
電層は蒸着法、スパッタリング法などの公知の手段で設
けることができる。
The thickness is 20 to 200
The range of nm is appropriate. If the thickness is less than 20 nm, the sheet resistance becomes electrically high, and it is difficult to utilize the sheet as a good transparent conductive film. On the other hand, if the thickness is more than 200 nm, it is difficult to obtain a value of 80% or more as the light transmittance of the transparent conductive film at 550 nm, and it is easily broken when bent, which makes handling difficult. Such a transparent conductive layer can be provided by a known method such as an evaporation method and a sputtering method.

【0046】この様に、本発明は金属酸化物をガスバリ
ア層としたプラスチック液晶表示パネル基板の層間の密
着性、特に透明導電層側の透明導電フィルム面に応力を
加えたときの密着性を改善するという特長を有する透明
導電フィルムに関し、例えば液晶パネルの透明電極基板
やエレクトロルミネッセンスパネル、エレクトロクロミ
ックパネル、面発熱体等の透明導電基板などのベースフ
ィルムを容易に提供することができる。
As described above, the present invention improves the adhesion between layers of a plastic liquid crystal display panel substrate using a metal oxide as a gas barrier layer, particularly when a stress is applied to the transparent conductive film surface on the transparent conductive layer side. With respect to the transparent conductive film having such a feature, for example, a base film such as a transparent electrode substrate of a liquid crystal panel, a transparent conductive substrate such as an electroluminescence panel, an electrochromic panel, and a surface heating element can be easily provided.

【0047】[0047]

【実施例】以下の各実施例、比較例記載の各種の評価は
以下の要領にて行った。密着性の評価について、作製し
た透明導電フィルムの透明導電層をエッチング処理で除
去した後に、その透明導電層除去面についてクロスカッ
ト密着試験、T型剥離試験を行った。
EXAMPLES Various evaluations described in the following examples and comparative examples were performed in the following manner. Regarding the evaluation of adhesion, after the transparent conductive layer of the produced transparent conductive film was removed by etching treatment, a cross-cut adhesion test and a T-peel test were performed on the surface from which the transparent conductive layer was removed.

【0048】エッチング処理は、塩化第三鉄3重量%含
有する3重量%塩酸水溶液をエッチング液として用い、
30℃で透明導電フィルムを10分浸漬し、十分に水洗
浄し、エッチング液を十分に除去した上で水分を完全に
ふき取る事で行った。
In the etching treatment, a 3% by weight aqueous hydrochloric acid solution containing 3% by weight of ferric chloride is used as an etching solution.
This was carried out by immersing the transparent conductive film at 30 ° C. for 10 minutes, thoroughly washing with water, removing the etching solution sufficiently, and completely wiping off the moisture.

【0049】クロスカット密着試験はJIS規格K54
00に従って、碁盤目テスト(碁盤目テープ法)によっ
て行った。そして升目の残存率を%で表示した。
The cross-cut adhesion test is JIS K54.
According to No. 00, a cross-cut test (cross-cut tape method) was performed. Then, the remaining rate of the cells was displayed in%.

【0050】T型剥離試験はJIS規格K7113に準
拠した。試験片作製は透明導電層除去フィルム2枚を透
明導電層側を互いに対向させて接着することで行った。
このとき接着剤としてはコニシ(株)製ボンドクイック
30を用い、接着層の厚みが30μmとなるように接着
した。剥離強度は公知の引張試験機であるインストロン
4302型を用い、剥離速度200mm/分で測定し
た。
The T-type peel test conformed to JIS standard K7113. The test piece was prepared by bonding two transparent conductive layer-removed films with their transparent conductive layer sides facing each other.
At this time, Bond Quick 30 manufactured by Konishi Co., Ltd. was used as the adhesive, and the bonding was performed so that the thickness of the bonding layer was 30 μm. The peel strength was measured at a peel speed of 200 mm / min using an Instron Model 4302, which is a known tensile tester.

【0051】[実施例1]ビスフェノール成分がビスフ
ェノールAのみからなる平均分子量37000のポリカ
ーボネート樹脂を、メチレンクロライドに20重量%溶
解した。そしてこの溶液をダイコーティング法により厚
さ175μmのポリエステルフィルム上に流延した。次
いで、乾燥炉で残留溶媒濃度を13重量%とし、ポリエ
ステルフィルムから剥離した。そして、このポリカーボ
ネートフィルムを温度120℃の乾燥炉中で、縦横の張
力をバランスさせながら、残留溶媒濃度が0.08重量
%になるまで乾燥した。
[Example 1] A polycarbonate resin having an average molecular weight of 37000 comprising bisphenol A as a bisphenol component alone was dissolved in methylene chloride at 20% by weight. Then, this solution was cast on a polyester film having a thickness of 175 μm by a die coating method. Next, the residual solvent concentration was adjusted to 13% by weight in a drying oven, and the film was peeled off from the polyester film. Then, this polycarbonate film was dried in a drying furnace at a temperature of 120 ° C. while balancing the tension in the vertical and horizontal directions until the residual solvent concentration became 0.08% by weight.

【0052】こうして得られたフィルムは、厚みが10
2μmであった。ついで、このポリカーボネートフィル
ムの一方の面上に、10重量%のフッ化マグネシウムを
添加した珪素酸化物を蒸着源とし、真空度67mPa下
で真空蒸着する事によって、厚さ100nmのフッ化マ
グネシウム含有酸化珪素層を積層した。この珪素酸化物
はSiOXの平均組成でxはおよそ1.7であった。
The film thus obtained has a thickness of 10
It was 2 μm. Then, on one surface of the polycarbonate film, a 100-nm-thick magnesium-fluoride-containing oxide was deposited by vacuum deposition at a degree of vacuum of 67 mPa using a silicon oxide to which 10% by weight of magnesium fluoride was added as a deposition source. A silicon layer was laminated. This silicon oxide had an average composition of SiO X and x was about 1.7.

【0053】引き続いてこのフッ化マグネシウム含有酸
化珪素層の表面に、100W・min/m2の積算エネ
ルギーでコロナ放電処理を行った後に、以下のような保
護層を積層した。
Subsequently, after a corona discharge treatment was performed on the surface of the magnesium fluoride-containing silicon oxide layer at an integrated energy of 100 W · min / m 2, the following protective layer was laminated.

【0054】容器外部が水冷された撹拌容器内にビニル
トリメトキシシラン(信越化学社製商品名KBM100
3)148重量部を入れ、激しく撹拌を行いながら0.
01規定の塩酸水54部を徐々に添加し、更に3時間ゆ
っくりと撹拌を行うことにより、ビニルトリメトキシシ
ランの加水分解液を得た。
Vinyl trimethoxysilane (trade name: KBM100 manufactured by Shin-Etsu Chemical Co., Ltd.) is placed in a stirring vessel whose outside is cooled with water.
3) Add 148 parts by weight, and add 0.1 g with vigorous stirring.
54 parts of 01N hydrochloric acid was gradually added, and the mixture was slowly stirred for 3 hours to obtain a hydrolyzed liquid of vinyltrimethoxysilane.

【0055】次いで下記化学式(5)で示されるアクリ
ル系樹脂を50重量部、
Next, 50 parts by weight of an acrylic resin represented by the following chemical formula (5):

【0056】[0056]

【化4】 Embedded image

【0057】前述のビニルトリメトキシシランの加水分
解液を50重量部、未加水分解のビニルトリメトキシシ
ラン10重量部および光開始剤2−ヒドロキシ−2−メ
チル−1−フェニルプロパン−1−オン(メルク社製商
品名ダロキュアー1173)5重量部及びレベリング剤
としてシリコンオイル(東レ・ダウコーニングシリコン
社製SH28PA)0.02重量部を混合して塗液とし
た。
50 parts by weight of the above-mentioned hydrolyzate of vinyltrimethoxysilane, 10 parts by weight of unhydrolyzed vinyltrimethoxysilane, and a photoinitiator 2-hydroxy-2-methyl-1-phenylpropan-1-one ( A coating liquid was prepared by mixing 5 parts by weight of Darocure 1173 (trade name, manufactured by Merck) and 0.02 parts by weight of silicone oil (SH28PA, manufactured by Dow Corning Toray Silicone Co., Ltd.) as a leveling agent.

【0058】この塗液をコロナ放電処理をしたフッ化マ
グネシウム含有酸化珪素上にマイクログラビアロールコ
ーティング法を用いてコーティングし、60℃で1分間
加熱して塗膜中の残留溶剤を揮発除去した後、120W
/cmの高圧水銀灯を用いて、積算光量800mJ/m
2の条件で紫外線を照射して塗膜の硬化を行い、厚さ4
μmの耐溶剤層を形成した。
This coating solution was coated on a magnesium fluoride-containing silicon oxide subjected to a corona discharge treatment by a microgravure roll coating method, and heated at 60 ° C. for 1 minute to volatilize and remove the residual solvent in the coating film. , 120W
/ Cm high pressure mercury lamp, 800mJ / m
The coating film is cured by irradiating it with ultraviolet light under the conditions of 2.
A μm solvent-resistant layer was formed.

【0059】次に反対側のフィルム面にも50W・mi
n/m2の積算エネルギーでコロナ放電処理を行った後
に、フッ化マグネシウム含有酸化珪素層に積層した保護
層と同一の保護層を設けた。
Next, 50 W · mi is applied to the opposite film surface.
After performing a corona discharge treatment at an integrated energy of n / m2, the same protective layer as the protective layer laminated on the magnesium fluoride-containing silicon oxide layer was provided.

【0060】次いでこの積層フィルムのフッ化マグネシ
ウム含有酸化珪素層とは反対の面に設けた保護層側に透
明導電層として、インジウム−錫酸化物層をスパッタリ
ング法により形成して透明導電フィルムを作成した。ス
パッタリングターゲットにはインジウムと錫が9:1重
量比の組成で充填密度が90%のインジウム−錫酸化物
ターゲットを用いた。連続スパッタ装置内に積層フィル
ムをセットした後、1.3mPaの圧力まで排気を行っ
た後、ArとO2の体積比98.5:1.5の混合ガス
を導入し、雰囲気圧力を0.27Paにした。フィルム
温度は50℃とし、投入電力密度1W/cm2でDCス
パッタリングを行った。その結果得られた透明導電層
は、結晶粒の存在割合が面積比で0%であり、非結晶性
であった。また、膜厚は130nmであり、表面抵抗値
は40Ω/□であった。
Next, an indium-tin oxide layer was formed as a transparent conductive layer on the protective layer side of the laminated film opposite to the magnesium fluoride-containing silicon oxide layer by a sputtering method to form a transparent conductive film. did. An indium-tin oxide target having a composition of indium and tin in a weight ratio of 9: 1 and a packing density of 90% was used as a sputtering target. After the laminated film was set in the continuous sputtering apparatus, the gas was evacuated to a pressure of 1.3 mPa, a mixed gas of Ar and O2 in a volume ratio of 98.5: 1.5 was introduced, and the atmospheric pressure was set to 0.27 Pa. I made it. DC sputtering was performed at a film temperature of 50 ° C. and an input power density of 1 W / cm 2. The transparent conductive layer obtained as a result had a crystal grain existence ratio of 0% in area ratio and was non-crystalline. Further, the film thickness was 130 nm, and the surface resistance value was 40Ω / □.

【0061】この透明導電フィルムについてクロスカッ
ト密着試験、T型剥離試験を行った結果を表1に示す。
これより密着性が良好でセル作製後の機械的特性が良好
な物であることが判った。
Table 1 shows the results of the cross-cut adhesion test and the T-peel test performed on the transparent conductive film.
From this, it was found that the adhesiveness was good and the mechanical properties after cell production were good.

【0062】[実施例2]実施例1と同一の製造条件で
作製したフッ化マグネシウム含有酸化珪素層を積層した
ポリカーボネートフィルムを用いた。このフッ化マグネ
シウム含有酸化珪素層の表面に、100W・min/m
2の積算エネルギーでコロナ放電処理を行った後に、以
下のような保護層を積層した。
Example 2 A polycarbonate film having a magnesium fluoride-containing silicon oxide layer laminated under the same manufacturing conditions as in Example 1 was used. 100 W · min / m on the surface of the magnesium fluoride-containing silicon oxide layer.
After performing the corona discharge treatment with the integrated energy of 2, the following protective layers were laminated.

【0063】エチレンビニルアルコール共重合体として
クラレ(株)製EVALーF(エチレン共重合比32モ
ル%)100重量部を、水720重量部、nープロパノ
ール1080重量部、nーブタノール100重量部の混
合溶媒に加熱溶解させ、均一溶液を得た。この溶液にレ
ベリング剤として東レダウコーニング社製SH30PA
を0.1重量部、酢酸62.4重量部加えた後、2−
(3,4−エポキシシクロヘキシル)エチルトリメトキ
シシラン85.8重量部加え10分間撹拌した。更にこ
の溶液に3ーアミノプロピルトリメトキシシラン62.
4重量部を加えて3時間撹拌し、塗液を得た。
Mixing of 100 parts by weight of EVAL-F (ethylene copolymerization ratio 32 mol%) manufactured by Kuraray Co., Ltd. as an ethylene vinyl alcohol copolymer, 720 parts by weight of water, 1080 parts by weight of n-propanol, and 100 parts by weight of n-butanol It was dissolved by heating in a solvent to obtain a homogeneous solution. SH30PA manufactured by Toray Dow Corning Co., Ltd. was added to this solution as a leveling agent.
0.1 part by weight and 62.4 parts by weight of acetic acid.
85.8 parts by weight of (3,4-epoxycyclohexyl) ethyltrimethoxysilane was added and stirred for 10 minutes. Further, 3-aminopropyltrimethoxysilane was added to the solution.
4 parts by weight were added and stirred for 3 hours to obtain a coating liquid.

【0064】この塗液をコロナ放電処理をしたフッ化マ
グネシウム含有酸化珪素上にマイクログラビアロールコ
ーティング法を用いてコーティングし、130℃3分熱
処理を行い、厚さ2μmの耐溶剤層を形成した。
This coating solution was coated on a magnesium fluoride-containing silicon oxide that had been subjected to corona discharge treatment by a microgravure roll coating method, and heat-treated at 130 ° C. for 3 minutes to form a solvent-resistant layer having a thickness of 2 μm.

【0065】次に反対側のフィルム面にも50W・mi
n/m2の積算エネルギーでコロナ放電処理を行った後
に、以下のような下地層、保護層を順次設けた。下地層
は、フェノキシ系の硬化樹脂層とした。具体的にはフェ
ノキシ樹脂として東都化成(株)社製フェノトートYP
−50を20重量部と、溶媒としてメチルエチルケトン
50重量と2−エトキシエチルアセテート30重量部を
混合した後、これに硬化剤のイソシアネートとして武田
薬品工業(株)社製A3を10重量部混合した溶液をマ
イヤーバーを用いてコーティングした後、130℃で2
分熱処理を行って膜厚1.5μmの層を形成し、下地層
とした。保護層は実施例1と同一の保護層を積層した。
Next, 50 W · mi is applied to the opposite film surface.
After performing a corona discharge treatment with an integrated energy of n / m 2, the following underlayer and protective layer were sequentially provided. The underlayer was a phenoxy-based cured resin layer. Specifically, as a phenoxy resin, phenototo YP manufactured by Toto Kasei Co., Ltd.
A solution obtained by mixing 20 parts by weight of -50, 50 parts by weight of methyl ethyl ketone and 30 parts by weight of 2-ethoxyethyl acetate as a solvent, and then mixing 10 parts by weight of A3 manufactured by Takeda Pharmaceutical Co., Ltd. as a curing agent isocyanate. Was coated using a Meyer bar and then at 130 ° C. for 2 hours.
A layer having a thickness of 1.5 μm was formed by performing a partial heat treatment and used as an underlayer. As the protective layer, the same protective layer as in Example 1 was laminated.

【0066】次いでこの積層フィルムのフッ化マグネシ
ウム含有酸化珪素層とは反対の面に設けた保護層側に実
施例1と同一の透明導電層を積層した。
Next, the same transparent conductive layer as in Example 1 was laminated on the protective layer side provided on the surface of the laminated film opposite to the magnesium fluoride-containing silicon oxide layer.

【0067】この透明導電フィルムについてクロスカッ
ト密着試験、T型剥離試験を行った結果を表1に示す。
これより密着性が良好でセル作製後の機械的特性が良好
な物であることが判った。
Table 1 shows the results of the cross-cut adhesion test and the T-peel test for this transparent conductive film.
From this, it was found that the adhesiveness was good and the mechanical properties after cell production were good.

【0068】[実施例3]実施例1と同一の製造条件で
作製したフッ化マグネシウム含有酸化珪素層を積層した
ポリカーボネートフィルムを用いた。このフッ化マグネ
シウム含有酸化珪素層の表面に、100W・min/m
2の積算エネルギーでコロナ放電処理を行った後に、実
施例2で用いたフッ化マグネシウム含有酸化珪素層側に
積層した保護層と同一の保護層を積層した。次に反対側
のフィルム面にもこれと同一の保護層を積層した。次い
でこの積層フィルムのフッ化マグネシウム含有酸化珪素
層とは反対の面に設けた保護層側に実施例1と同一の透
明導電層を積層した。この透明導電フィルムについてク
ロスカット密着試験、T型剥離試験を行った結果を表1
に示す。これより密着性が良好でセル作製後の機械的特
性が良好な物であることが判った。
Example 3 A polycarbonate film having a magnesium fluoride-containing silicon oxide layer laminated under the same manufacturing conditions as in Example 1 was used. 100 W · min / m on the surface of the magnesium fluoride-containing silicon oxide layer.
After performing the corona discharge treatment with the integrated energy of 2, the same protective layer as the protective layer laminated on the magnesium fluoride-containing silicon oxide layer used in Example 2 was laminated. Next, the same protective layer was laminated on the opposite film surface. Next, the same transparent conductive layer as in Example 1 was laminated on the protective layer side provided on the surface of the laminated film opposite to the magnesium fluoride-containing silicon oxide layer. Table 1 shows the results of the cross-cut adhesion test and the T-peel test performed on this transparent conductive film.
Shown in From this, it was found that the adhesiveness was good and the mechanical properties after cell production were good.

【0069】[比較例1]実施例3の積層構成におい
て、フッ化マグネシウム含有酸化珪素層の面に設けた保
護層側の上に実施例1と同一の透明導電層を積層した。
それ以外は実施例3と同一とした。この透明導電フィル
ムについてクロスカット密着試験、T型剥離試験を行っ
た結果を表1に示す。このときの剥離界面はポリカーボ
ネート/金属酸化物であった。これよりクロスカット密
着試験で密着性があると判断出来る物でも、T型剥離試
験では密着性が不十分であると判断でき、実際、セル作
製後の機械的特性に欠ける物であることが判った。
Comparative Example 1 In the laminated structure of Example 3, the same transparent conductive layer as that of Example 1 was laminated on the protective layer side provided on the surface of the magnesium fluoride-containing silicon oxide layer.
The other conditions were the same as in Example 3. Table 1 shows the results of the cross-cut adhesion test and the T-peel test performed on the transparent conductive film. The peel interface at this time was polycarbonate / metal oxide. From this, it can be judged that even a material which can be determined to have adhesion in the cross-cut adhesion test has insufficient adhesion in the T-type peel test, and in fact, it is a material lacking in mechanical properties after cell production. Was.

【0070】[0070]

【発明の効果】本発明は金属酸化物をガスバリア層とし
たプラスチック液晶表示パネル基板の層間の密着性、特
に透明導電層側の透明導電フィルム面に応力を加えたと
きの密着性を改善するという特長を有する透明導電フィ
ルムに関し、例えば液晶パネルの透明電極基板やエレク
トロルミネッセンスパネル、エレクトロクロミックパネ
ル、面発熱体等の透明導電基板などのベースフィルムと
して諸特性に優れた透明導電フィルムを提供することが
できる。
The present invention is intended to improve the adhesion between layers of a plastic liquid crystal display panel substrate using a metal oxide as a gas barrier layer, especially when a stress is applied to the transparent conductive film surface on the transparent conductive layer side. Regarding the transparent conductive film having features, for example, it is necessary to provide a transparent conductive film excellent in various properties as a base film of a transparent electrode substrate of a liquid crystal panel, a transparent conductive substrate of an electroluminescence panel, an electrochromic panel, a surface heating element, and the like. it can.

【0071】[0071]

【表1】 [Table 1]

Claims (2)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】 プラスチックフィルムの一方の面に、金
属酸化物からなるガスバリア層及び保護層(A)をこの
順に積層し、該プラスチックフィルムの他方の面に、保
護層(B)及び透明導電層をこの順に積層して成る透明
導電フィルム。
A gas barrier layer made of a metal oxide and a protective layer (A) are laminated in this order on one surface of a plastic film, and a protective layer (B) and a transparent conductive layer are formed on the other surface of the plastic film. Are laminated in this order.
【請求項2】 金属酸化物からなるガスバリア層が膜厚
5〜200nmで、珪素原子数に対する酸素原子数の割
合が1.5〜2.0の珪素酸化物を主成分とすることを
特徴とする、請求項1に記載の透明導電フィルム。
2. A gas barrier layer made of a metal oxide having a thickness of 5 to 200 nm and containing silicon oxide having a ratio of the number of oxygen atoms to the number of silicon atoms of 1.5 to 2.0 as a main component. The transparent conductive film according to claim 1, wherein
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