JPH1154080A - 永久磁石により磁界にオフセットを付けた分析磁石を有するイオン注入装置 - Google Patents
永久磁石により磁界にオフセットを付けた分析磁石を有するイオン注入装置Info
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- JPH1154080A JPH1154080A JP9220623A JP22062397A JPH1154080A JP H1154080 A JPH1154080 A JP H1154080A JP 9220623 A JP9220623 A JP 9220623A JP 22062397 A JP22062397 A JP 22062397A JP H1154080 A JPH1154080 A JP H1154080A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】分析磁石のアンペアターン数を少なくすること
によって、装置の小型化及び低消費電力化を実現するイ
オン注入装置の提供。 【解決手段】ビームライン２は、曲がったパイプ状をし
ており、磁束４が曲がりの方向と直角に横切るように電
磁石５ａ、ステー５ｂ、永久磁石５ｃで構成される磁気
回路５の中に設置され、電磁石５ａは、電流の方向・大
きさを制御可能な電源により電流を供給され、永久磁石
５ｃが磁束４ａを発生する。この磁束４ａと所望する磁
束４の差の磁束４ｂを発生するように電磁石５ａに電流
を供給する。
によって、装置の小型化及び低消費電力化を実現するイ
オン注入装置の提供。 【解決手段】ビームライン２は、曲がったパイプ状をし
ており、磁束４が曲がりの方向と直角に横切るように電
磁石５ａ、ステー５ｂ、永久磁石５ｃで構成される磁気
回路５の中に設置され、電磁石５ａは、電流の方向・大
きさを制御可能な電源により電流を供給され、永久磁石
５ｃが磁束４ａを発生する。この磁束４ａと所望する磁
束４の差の磁束４ｂを発生するように電磁石５ａに電流
を供給する。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は半導体製造に用いら
れるイオン注入装置に属し、特にイオンビームに分離技
術に関する。
れるイオン注入装置に属し、特にイオンビームに分離技
術に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来のイオン注入装置の分析磁石は、ビ
ームラインに対してある一つの向きに磁束を通し、ビー
ムラインを通過するイオンの軌道の曲率半径Ｒが、イオ
ンの質量ｍ、価数ｑ、引出電圧Ｖと磁束密度Ｂの関数 Ｒ＝ｋ／Ｂ（２（ｍ／ｑ）Ｖ）-2 により与えられること利用して、磁気回路中の電磁石に
より任意の磁束を発生させ、ある特定の重さ、価数、エ
ネルギーのイオンを選択する。
ームラインに対してある一つの向きに磁束を通し、ビー
ムラインを通過するイオンの軌道の曲率半径Ｒが、イオ
ンの質量ｍ、価数ｑ、引出電圧Ｖと磁束密度Ｂの関数 Ｒ＝ｋ／Ｂ（２（ｍ／ｑ）Ｖ）-2 により与えられること利用して、磁気回路中の電磁石に
より任意の磁束を発生させ、ある特定の重さ、価数、エ
ネルギーのイオンを選択する。
【０００３】図８は、従来のイオン注入装置の分析磁石
の構造を示す斜視図である。図８を参照すると、イオン
ビーム７の通り道であり、内部が高真空に保たれている
ビームライン２と、イオンビーム７を偏向させるための
磁束４を発生させる電磁石５ａと、電磁石５ａで発生し
た磁束４をビームライン２に正しく導くための磁気回路
を構成するステー５ｂと、偏向したイオンビーム７のう
ち特定のものだけを取り出すためのアパチャー３と、を
有している。
の構造を示す斜視図である。図８を参照すると、イオン
ビーム７の通り道であり、内部が高真空に保たれている
ビームライン２と、イオンビーム７を偏向させるための
磁束４を発生させる電磁石５ａと、電磁石５ａで発生し
た磁束４をビームライン２に正しく導くための磁気回路
を構成するステー５ｂと、偏向したイオンビーム７のう
ち特定のものだけを取り出すためのアパチャー３と、を
有している。
【０００４】まず、電源より電磁石５ａに所定の電流を
供給し、電磁石５ａに所望するイオンビーム７がアパチ
ャー３の開口部に到達する分の磁束４を発生させる。発
生した磁束４は、ステー５ｂによってビームライン２を
通過するように導かれる。
供給し、電磁石５ａに所望するイオンビーム７がアパチ
ャー３の開口部に到達する分の磁束４を発生させる。発
生した磁束４は、ステー５ｂによってビームライン２を
通過するように導かれる。
【０００５】次に、イオンビーム７が分析磁石１に入射
すると、イオンビーム７は磁束４によって曲げられ所望
するイオンビーム７ａのみがアパチャー３の開口部から
取り出される。
すると、イオンビーム７は磁束４によって曲げられ所望
するイオンビーム７ａのみがアパチャー３の開口部から
取り出される。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上記し
た従来技術は下記記載の問題点を有している。
た従来技術は下記記載の問題点を有している。
【０００７】第１の問題点は、従来技術の分析磁石は７
５°〜１３５°の偏向角度を有しているが、必要なイオ
ンビームを得るために要するアンペアターン数が多くな
り、電力の消費が大きいという、ことである。
５°〜１３５°の偏向角度を有しているが、必要なイオ
ンビームを得るために要するアンペアターン数が多くな
り、電力の消費が大きいという、ことである。
【０００８】その理由は、７５°〜１３５°の偏向角度
を発生するために必要な磁束を全て電磁石で発生させて
おり、可変範囲の下限の分の磁束を発生させるためにも
電磁石の使用しているためである。
を発生するために必要な磁束を全て電磁石で発生させて
おり、可変範囲の下限の分の磁束を発生させるためにも
電磁石の使用しているためである。
【０００９】第２の問題点は、アンペアターン数を減少
するために偏向角度を小さくすると、分析磁石が長くな
ってしまう、ということである。
するために偏向角度を小さくすると、分析磁石が長くな
ってしまう、ということである。
【００１０】その理由は、偏向の回転半径の差が小さい
ので、例えば隣り合った原子量のイオン（例えば10Ｂ，
11Ｂ）のイオンビームの分離のための距離を確保するた
めに、ビームの飛行距離を長くなしければならない、た
めである。
ので、例えば隣り合った原子量のイオン（例えば10Ｂ，
11Ｂ）のイオンビームの分離のための距離を確保するた
めに、ビームの飛行距離を長くなしければならない、た
めである。
【００１１】したがって本発明は、上記問題点に鑑みて
なされたものであって、その目的は、分析磁石のアンペ
アターン数を少なくすることによって、装置の小型化及
び低消費電力化を実現するイオン注入装置を提供するこ
とにある。
なされたものであって、その目的は、分析磁石のアンペ
アターン数を少なくすることによって、装置の小型化及
び低消費電力化を実現するイオン注入装置を提供するこ
とにある。
【００１２】
【課題を解決するための手段】前記目的を達成するため
本発明のイオン注入装置は、ビームラインに対してある
一つの向きに磁束を通し、該ビームラインを通過するイ
オンの軌道の曲率半径が、イオンの重さ、価数、及びエ
ネルギーと磁束の密度の関数により与えられることを利
用して、磁気回路中の電磁石により任意の磁束を発生さ
せ、ある特定の重さ、価数、及びエネルギーのイオンを
選択する分析磁石を有することを特徴とする。
本発明のイオン注入装置は、ビームラインに対してある
一つの向きに磁束を通し、該ビームラインを通過するイ
オンの軌道の曲率半径が、イオンの重さ、価数、及びエ
ネルギーと磁束の密度の関数により与えられることを利
用して、磁気回路中の電磁石により任意の磁束を発生さ
せ、ある特定の重さ、価数、及びエネルギーのイオンを
選択する分析磁石を有することを特徴とする。
【００１３】本発明は、好ましくは、分析磁石の磁束を
オフセット部分と任意に制御可能な可変部分に分割し、
分析磁石の磁気回路中に、永久磁石と、磁束の方向及び
大きさを制御できる電磁石を有する。
オフセット部分と任意に制御可能な可変部分に分割し、
分析磁石の磁気回路中に、永久磁石と、磁束の方向及び
大きさを制御できる電磁石を有する。
【００１４】［発明の原理］本発明のイオン注入装置に
おいては、従来装置と同じイオンビームを得るために必
要な磁束が、永久磁石の磁束と電磁石の磁束の合計とな
るので、所望の磁束を得るための電磁石のアンペアター
ンが少なくなり、小型化・小電力化を可能としている。
おいては、従来装置と同じイオンビームを得るために必
要な磁束が、永久磁石の磁束と電磁石の磁束の合計とな
るので、所望の磁束を得るための電磁石のアンペアター
ンが少なくなり、小型化・小電力化を可能としている。
【００１５】
【発明の実施の形態】次に、本発明の実施の形態につい
て図面を参照して詳細に説明する。
て図面を参照して詳細に説明する。
【００１６】図１は、本発明の実施の形態の構成を示す
斜視図である。図１を参照すると、本発明の実施の形態
において、ビームライン２は、曲がったパイプ（ダク
ト）状の形状とされ、出射側の端にアパチャー３が取り
付けられている。そして、磁束４が曲がりの方向と直角
にビームライン２を横切るように電磁石５ａ、ステー５
ｂ、永久磁石５ｃによって構成される磁気回路の中に設
置される。電磁石５ａは、磁束の方向、大きさが制御可
能な電磁石である。
斜視図である。図１を参照すると、本発明の実施の形態
において、ビームライン２は、曲がったパイプ（ダク
ト）状の形状とされ、出射側の端にアパチャー３が取り
付けられている。そして、磁束４が曲がりの方向と直角
にビームライン２を横切るように電磁石５ａ、ステー５
ｂ、永久磁石５ｃによって構成される磁気回路の中に設
置される。電磁石５ａは、磁束の方向、大きさが制御可
能な電磁石である。
【００１７】本発明の実施の形態の動作について説明す
る。まず、永久磁石５ｃがある大きさの磁束４ａを発生
させる。次に、永久磁石５ｃの磁束４ａと電磁石５ａの
磁束４ｂの合計が所望するイオンビーム７をアパチャー
３の開口部に導くのに合致する磁束４ｂを電磁石５ａで
発生する。この磁束４は、磁気回路を構成するステー５
ｂによってビームライン２を通過するように導かれる。
る。まず、永久磁石５ｃがある大きさの磁束４ａを発生
させる。次に、永久磁石５ｃの磁束４ａと電磁石５ａの
磁束４ｂの合計が所望するイオンビーム７をアパチャー
３の開口部に導くのに合致する磁束４ｂを電磁石５ａで
発生する。この磁束４は、磁気回路を構成するステー５
ｂによってビームライン２を通過するように導かれる。
【００１８】
【実施例１】本発明の実施例について図面を参照して以
下に詳細に説明する。
下に詳細に説明する。
【００１９】図２は、本発明の一実施例の構成を示す図
である。図２を参照すると、ビームライン２は、水平に
曲がったパイプ（ダクト）状をしており、出射側の端に
アパチャー３が取り付けられている。そして、磁束４が
垂直にビームライン２を横切るように−３５００〜３５
００ガウスの電磁石５ａ、ステー５ｂ、３５００ガウス
のフェライト磁石５ｄによって構成される磁気回路の中
に設置される。
である。図２を参照すると、ビームライン２は、水平に
曲がったパイプ（ダクト）状をしており、出射側の端に
アパチャー３が取り付けられている。そして、磁束４が
垂直にビームライン２を横切るように−３５００〜３５
００ガウスの電磁石５ａ、ステー５ｂ、３５００ガウス
のフェライト磁石５ｄによって構成される磁気回路の中
に設置される。
【００２０】電磁石５ａはビームライン２の上下に分割
して設置される。フェライト磁石５ｄはビームライン２
に隣接して設置され、ステー５ｂによって電磁石５ａと
接続し磁気回路を構成する。
して設置される。フェライト磁石５ｄはビームライン２
に隣接して設置され、ステー５ｂによって電磁石５ａと
接続し磁気回路を構成する。
【００２１】本発明の一実施例の動作について説明す
る。まず、４０ＫｅＶ引出しのＡｓ+を得るときの動作
について、図３に示した水平断面図を参照して説明す
る。まず、フェライト磁石５ｄから発生した３５００ガ
ウスの磁束４ａは、ビームライン２を紙面の上から下に
向かって貫いている。４０ＫｅＶ引出しのＡｓ+を得る
には、６５００ガウスの磁束が必要であるため、電磁石
５ａで３０００ガウスの磁束４ｂを発生させ磁束４ａに
追加する。イオンビーム７が入射するとＡｓ+のイオン
ビーム７ａが、アパチャー３の開口部を通過し取り出さ
れる。
る。まず、４０ＫｅＶ引出しのＡｓ+を得るときの動作
について、図３に示した水平断面図を参照して説明す
る。まず、フェライト磁石５ｄから発生した３５００ガ
ウスの磁束４ａは、ビームライン２を紙面の上から下に
向かって貫いている。４０ＫｅＶ引出しのＡｓ+を得る
には、６５００ガウスの磁束が必要であるため、電磁石
５ａで３０００ガウスの磁束４ｂを発生させ磁束４ａに
追加する。イオンビーム７が入射するとＡｓ+のイオン
ビーム７ａが、アパチャー３の開口部を通過し取り出さ
れる。
【００２２】次に、４０ＫｅＶ引出しのＢ+を得るとき
の動作について、図４の水平断面図を参照して説明す
る。まず、フェライト磁石５ｃから発生した３５００ガ
ウスの磁束４ａは、ビームライン２を紙面の上から下に
向かって貫いている。４０ＫｅＶ引出しのＢ+を得るに
は、２５００ガウスの磁束が必要であるため、電磁石５
ａで逆方向の１０００ガウスの磁束４ｂを発生させ磁束
４ａに追加する。イオンビーム７が入射するとＢ+のイ
オンビーム７ａが、アパチャー３の開口部を通過し取り
出される。従来６５００ガウスの磁束を発生する電磁石
が必要だったところが、３５００ガウスですむので電磁
石を小さくすることができる。
の動作について、図４の水平断面図を参照して説明す
る。まず、フェライト磁石５ｃから発生した３５００ガ
ウスの磁束４ａは、ビームライン２を紙面の上から下に
向かって貫いている。４０ＫｅＶ引出しのＢ+を得るに
は、２５００ガウスの磁束が必要であるため、電磁石５
ａで逆方向の１０００ガウスの磁束４ｂを発生させ磁束
４ａに追加する。イオンビーム７が入射するとＢ+のイ
オンビーム７ａが、アパチャー３の開口部を通過し取り
出される。従来６５００ガウスの磁束を発生する電磁石
が必要だったところが、３５００ガウスですむので電磁
石を小さくすることができる。
【００２３】次に本発明の第２の実施例について図面を
参照して詳細に説明する。
参照して詳細に説明する。
【００２４】図５は、本発明の第２の実施例の構成を示
す斜視図である。図５を参照すると、ビームライン２
は、水平に曲がったパイプ状をしており、出射側の端に
アパチャー３が取り付けられている。そして、磁束４が
垂直にビームライン２を横切るように−３５００〜３５
００ガウスの電磁石５ａ、ステー５ｂ、３５００ガウス
の希土類磁石集合体５ｅによって構成される磁気回路の
中に設置される。電磁石５ａはビームライン２の上下に
分割して設置される。
す斜視図である。図５を参照すると、ビームライン２
は、水平に曲がったパイプ状をしており、出射側の端に
アパチャー３が取り付けられている。そして、磁束４が
垂直にビームライン２を横切るように−３５００〜３５
００ガウスの電磁石５ａ、ステー５ｂ、３５００ガウス
の希土類磁石集合体５ｅによって構成される磁気回路の
中に設置される。電磁石５ａはビームライン２の上下に
分割して設置される。
【００２５】希土類磁石集合体５ｅは，電磁石５ａの上
方及び下方に分割して設置され、電磁石５ａ、ステー５
ｂ、希土類磁石集合体５ｅによって磁気回路を構成す
る。
方及び下方に分割して設置され、電磁石５ａ、ステー５
ｂ、希土類磁石集合体５ｅによって磁気回路を構成す
る。
【００２６】本発明の第２の実施例の動作について説明
する。まず、４０ＫｅＶ引出しのＡｓ+を得るときの動
作について、図６の水平断面図を参照して説明する。
する。まず、４０ＫｅＶ引出しのＡｓ+を得るときの動
作について、図６の水平断面図を参照して説明する。
【００２７】希土類磁石集合体５ｅから発生した３５０
０ガウスの磁束４ａは、ビームライン２を紙面の上から
下に向かって貫いている。４０ＫｅＶ引出しのＡｓ+を
得るには、６５００ガウスの磁束が必要であるため、電
磁石５ａで３０００ガウスの磁束４ｂを発生させ磁束４
ａに追加する。イオンビーム７が入射するとＡｓ+のイ
オンビーム７ａが、アパチャー３の開口部を通過し取り
出される。
０ガウスの磁束４ａは、ビームライン２を紙面の上から
下に向かって貫いている。４０ＫｅＶ引出しのＡｓ+を
得るには、６５００ガウスの磁束が必要であるため、電
磁石５ａで３０００ガウスの磁束４ｂを発生させ磁束４
ａに追加する。イオンビーム７が入射するとＡｓ+のイ
オンビーム７ａが、アパチャー３の開口部を通過し取り
出される。
【００２８】次に、４０ＫｅＶ引出しのＢ+を得るとき
の動作について、図７の水平断面図３ｂを参照して説明
する。
の動作について、図７の水平断面図３ｂを参照して説明
する。
【００２９】希土類磁石集合体５ｅから発生した３５０
０ガウスの磁束４ａは、ビームライン２を紙面の上から
下に向かって貫いている。４０ＫｅＶ引出しのＢ+を得
るには、２５００ガウスの磁束が必要なので電磁石５ａ
で逆方向の１０００ガウスの磁束４ｂを発生させ磁束４
ａに追加する。イオンビーム７が入射するとＢ+のイオ
ンビーム７ａが、アパチャー３の開口部を通過し取り出
される。従来６５００ガウスの磁束を発生する電磁石が
必要だったところが、３５００ガウスですむので電磁石
を小さくすることができる。
０ガウスの磁束４ａは、ビームライン２を紙面の上から
下に向かって貫いている。４０ＫｅＶ引出しのＢ+を得
るには、２５００ガウスの磁束が必要なので電磁石５ａ
で逆方向の１０００ガウスの磁束４ｂを発生させ磁束４
ａに追加する。イオンビーム７が入射するとＢ+のイオ
ンビーム７ａが、アパチャー３の開口部を通過し取り出
される。従来６５００ガウスの磁束を発生する電磁石が
必要だったところが、３５００ガウスですむので電磁石
を小さくすることができる。
【００３０】さらに本発明の別の実施例として、磁束の
方向を変更できない電磁石を使用する場合でも、オフセ
ット分を制御範囲の上限または下限に設定するようにす
れば、電流の方向を変更できる電源と同じ結果が得られ
る。また、オフセット分の磁束を作るために永久磁石の
代わりに、超電導磁石を使用しても同様の結果が得られ
る。
方向を変更できない電磁石を使用する場合でも、オフセ
ット分を制御範囲の上限または下限に設定するようにす
れば、電流の方向を変更できる電源と同じ結果が得られ
る。また、オフセット分の磁束を作るために永久磁石の
代わりに、超電導磁石を使用しても同様の結果が得られ
る。
【００３１】
【発明の効果】以上説明したように、本発明によれば下
記記載の効果を奏する。
記記載の効果を奏する。
【００３２】本発明の第１の効果は、従来装置と同じイ
オンビームを得るために必要な電磁石のアンペアターン
が少なくなり、装置の小型化及び小電力化を可能とする
ということである。
オンビームを得るために必要な電磁石のアンペアターン
が少なくなり、装置の小型化及び小電力化を可能とする
ということである。
【００３３】その理由は、本発明においては、イオンビ
ームを得るために必要な磁束をオフセット分と可変分に
分け、オフセット分を電力を消費しない永久磁石により
発生するためである。
ームを得るために必要な磁束をオフセット分と可変分に
分け、オフセット分を電力を消費しない永久磁石により
発生するためである。
【００３４】本発明の第２の効果は、磁束制御範囲での
磁束と電流の間の線形性が良くなる、ということであ
る。
磁束と電流の間の線形性が良くなる、ということであ
る。
【００３５】その理由は、本発明においては、磁束制御
範囲内において、より線形性の高い電流値０に近い部分
を使用することができるためである。
範囲内において、より線形性の高い電流値０に近い部分
を使用することができるためである。
【図１】本発明の実施の形態を説明する斜視図である。
【図２】本発明の第１の実施例の構成を示す斜視図であ
る。
る。
【図３】本発明の第１の実施例において４０ＫｅＶ引出
しＡｓ+を得るときの動作を説明するための図である。
しＡｓ+を得るときの動作を説明するための図である。
【図４】本発明の第１の実施例において４０ＫｅＶ引出
しＢ+を得るときの動作を説明するための図である。
しＢ+を得るときの動作を説明するための図である。
【図５】本発明の第２の実施例２の構成を示す斜視図で
ある。
ある。
【図６】本発明の第２の実施例において４０ＫｅＶ引出
しＡｓ+を得るときの動作を説明するための図である。
しＡｓ+を得るときの動作を説明するための図である。
【図７】本発明の第２の実施例において４０ＫｅＶ引出
しＢ+を得るときの動作を説明するための図である。
しＢ+を得るときの動作を説明するための図である。
【図８】従来技術の構成を示す斜視図である。
１ 分析磁石 ２ ビームライン ３ アパチャー ４ 磁束 ４ａ 永久磁石の磁束 ４ｂ 電磁石の磁束 ５ 磁気回路 ５ａ 電磁石 ５ｂ ステー ５ｃ 永久磁石 ５ｄ フェライト磁石 ５ｅ 希土類磁石集合体 ７ イオンビーム ７ａ 所望するイオンビーム
Claims (8)
- 【請求項１】ビームラインに対してある一つの向きに磁
束を通し、該ビームラインを通過するイオンの軌道の曲
率半径が、イオンの重さ、価数、及びエネルギーと磁束
の密度の関数により与えられることを利用して、磁気回
路中の電磁石により任意の磁束を発生させ、ある特定の
重さ、価数、エネルギーのイオンを選択する分析磁石を
有することを特徴とするイオン注入装置。 - 【請求項２】前記磁気回路中に発磁束を、オフセット分
と可変分によって構成する、ことを特徴とする請求項１
記載のイオン注入装置。 - 【請求項３】前記磁束のオフセット分を永久磁石により
発生し、前記可変分を電磁石により発生する、ことを特
徴とする請求項２記載のイオン注入装置。 - 【請求項４】必要とされる磁束を発生させるのに要する
前記電磁石のアンペアターン量を少なくする方向に、前
記永久磁石のオフセット磁束を設定する、ことを特徴と
する請求項３記載のイオン注入装置。 - 【請求項５】前記磁束の方向を正及び逆方向に切り替え
可能な電磁石を有することを特徴とする請求項４記載の
イオン注入装置。 - 【請求項６】前記電磁石のアンペアターン量の削減によ
ってコイルの巻数または電流量を減少させ、これにより
分析磁石の小型化又は小電力化を実現する、ようにした
ことを特徴とする請求項５記載のイオン注入装置。 - 【請求項７】分析磁石の磁気回路が、永久磁石と電磁石
とを含み、イオンビームを得るための磁束をオフセット
部分と可変部分とに分割し、前記永久磁石によって前記
磁束のオフセット部分を発生し、前記電磁石によって前
記磁束の前記可変部分を発生する、ことを特徴とするイ
オン注入装置。 - 【請求項８】分析磁石の磁気回路が、永久磁石と、磁束
の正逆方向と大きさ、もしくは磁束の大きさのみが可変
に制御できる電磁石と、を含み、出射端開口部から選択
されたイオンビームが出力されるビームラインの上下に
前記電磁石を備え、前記電磁石及びステーと共に磁気回
路を構成するように前記永久磁石を配設し、 前記イオンビームを選択するための磁束をオフセット部
分と可変部分とに分割し、前記永久磁石によって前記磁
束のオフセット部分を発生し、前記電磁石によて前記磁
束の前記可変部分を発生してなる、ことを特徴とするイ
オン注入装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP22062397A JP3206506B2 (ja) | 1997-07-31 | 1997-07-31 | 永久磁石により磁界にオフセットを付けた分析磁石を有するイオン注入装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP22062397A JP3206506B2 (ja) | 1997-07-31 | 1997-07-31 | 永久磁石により磁界にオフセットを付けた分析磁石を有するイオン注入装置 |
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|---|---|---|---|---|
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-
1997
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Cited By (9)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2003031399A (ja) * | 2001-07-16 | 2003-01-31 | Japan Science & Technology Corp | 永久磁石組込型高磁場発生装置 |
| JP2006344566A (ja) * | 2005-06-10 | 2006-12-21 | Sharp Corp | イオンビーム発生装置、イオンビーム発生方法および機能素子の製造方法 |
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| NL2010433A (en) * | 2008-12-23 | 2013-05-16 | Zeiss Carl Nts Gmbh | Particle optical device with magnet assembly. |
| DE102008064696B4 (de) | 2008-12-23 | 2022-01-27 | Carl Zeiss Microscopy Gmbh | Teilchenoptische Vorrichtung mit Magnetanordnung und ihre Verwendung zum Abbilden oder Beleuchten |
| CN103367084A (zh) * | 2012-04-03 | 2013-10-23 | 日新离子机器株式会社 | 用于带形离子束的离子束弯曲磁体 |
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