JPH1152019A - Semiconductor integrated circuit - Google Patents

Semiconductor integrated circuit

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JPH1152019A
JPH1152019A JP9208808A JP20880897A JPH1152019A JP H1152019 A JPH1152019 A JP H1152019A JP 9208808 A JP9208808 A JP 9208808A JP 20880897 A JP20880897 A JP 20880897A JP H1152019 A JPH1152019 A JP H1152019A
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JP
Japan
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bus
test
scan
signal
tri
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Withdrawn
Application number
JP9208808A
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Japanese (ja)
Inventor
Hisato Yoshida
久人 吉田
Sadami Takeoka
貞巳 竹岡
Tomohisa Sezaki
朋久 瀬崎
Akihiro Yamada
晃弘 山田
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Panasonic Holdings Corp
Original Assignee
Matsushita Electric Industrial Co Ltd
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Publication date
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Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To avoid false detection, improve a failure detection rate and prevent the increase of consumption power on the occasion of a normal operation when the failure of a semiconductor integrated circuit including a tristate element is inspected by a scan test. SOLUTION: A bus signal auxiliary circuit 160 is set which generates a scan mode signal indicating that a scan mode is being executed and has a bus connection terminal 161 determining an electric state by the scan mode signal. The bus connection terminal 161 of the bus signal auxiliary circuit 160 is connected to a bus signal line 130 connecting outputs of one or more tristate elements 142. The bus signal auxiliary circuit 160 is constituted to pull up or pull down the bus connection terminal 161 at a scan test. At other times than the scan test, the bus connection terminal 161 is not pulled up or down, and therefore the bus connection terminal 161 is turned to a high impedance, preventing an unnecessary lead-through current from running.

Description

【発明の詳細な説明】DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION

【0001】[0001]

【発明の属する技術分野】本発明は、トライステート素
子を有する半導体集積回路の故障検査を効率的に行ない
得る半導体集積回路の改良に関する。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to an improvement in a semiconductor integrated circuit capable of efficiently performing a failure test on a semiconductor integrated circuit having a tri-state element.

【0002】[0002]

【従来の技術】トライステート素子を含む半導体集積回
路の故障検査では、故障がある場合、特にその故障がト
ライステート素子の制御信号に関連する故障の場合、バ
ス信号における故障状態がハイインピーダンスとなり、
又は複数のトライステート素子から出力される信号の衝
突による論理不定状態となり、故障を検出する観測点に
おいて確実に正常値と異なる論理値となって現れる保証
がない。
2. Description of the Related Art In a failure test of a semiconductor integrated circuit including a tri-state element, when a failure occurs, particularly when the failure is a failure related to a control signal of the tri-state element, a failure state in a bus signal becomes high impedance,
Alternatively, there is no assurance that a logical value becomes an undefined state due to collision of signals output from a plurality of tri-state elements and a logical value different from a normal value surely appears at an observation point for detecting a failure.

【0003】例えば図22の回路において、トライステ
ート素子3005の制御端子Cに“0”縮退故障がある
場合、この故障を検査するためにはトライステート素子
3005の端子Cに“1”を印加するテストパターンが
必要である。この時、トライステート素子3006の制
御端子Cには“0”を印加する。
For example, in the circuit of FIG. 22, if there is a "0" stuck-at fault at the control terminal C of the tri-state element 3005, "1" is applied to the terminal C of the tri-state element 3005 to check for this fault. A test pattern is required. At this time, “0” is applied to the control terminal C of the tri-state element 3006.

【0004】この時、正常な回路では、バス信号線30
07はトライステート素子3005の端子Aの論理値と
同じ論理値となる。
At this time, in a normal circuit, the bus signal line 30
07 has the same logical value as the logical value of the terminal A of the tri-state element 3005.

【0005】一方、故障がある場合には、バス信号線3
007はハイインピーダンスとなり、論理値として不安
定となる。
On the other hand, if there is a failure, the bus signal line 3
007 becomes high impedance and becomes unstable as a logical value.

【0006】このようなテストパターンを用いた場合、
論理的に不安定であるため、テスタによる故障検査で
は、期待値に対してエラーとして認識されるか否か不明
である。このため、一定回数以上同様な状態になるテス
トパターンを用意し、全ての状態で期待値に対しエラー
が認められない場合に、擬似的にその部分には故障が無
いと判断されてきた。
When such a test pattern is used,
Since it is logically unstable, it is unclear whether or not an expected value is recognized as an error in a failure test by a tester. For this reason, a test pattern having a similar state for a certain number of times or more is prepared, and if no error is found with respect to the expected value in all states, it has been determined that there is no failure in that part in a pseudo manner.

【0007】また、シーケンシャルなテストパターンに
よるテストの場合には、バス信号線が前値を保持してい
るものとして故障状態のシミュレーションを行えば、バ
ス信号線が論理値的に確定していて、観測点で明らかに
正常値と不一致である故障状態の検出が可能であるが、
スキャンテストを用いた場合には1クロックサイクルの
みでのテストであるため、バス信号線の前の状態を決定
することができず、結果として、確実な故障状態の検出
が不可能であった。
In the case of a test using a sequential test pattern, if a failure state is simulated assuming that the bus signal line holds the previous value, the bus signal line is logically determined. It is possible to detect a fault condition that clearly does not match the normal value at the observation point,
When the scan test is used, since the test is performed only in one clock cycle, the state before the bus signal line cannot be determined, and as a result, a failure state cannot be reliably detected.

【0008】そのため、バス信号線をプルアップし又は
プルダウンすることにより、故障状態で全てのトライス
テート素子がハイインピーダンス状態になった時、論理
値を確定させる回路を付加することが行なわれてきた。
[0008] Therefore, a circuit has been added for pulling up or pulling down a bus signal line to determine a logical value when all the tri-state elements are brought into a high impedance state in a fault state. .

【0009】[0009]

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、バス信
号線をプルアップ又はプルダウンするため、バス信号線
には定常時にも貫通電流が流れることとなり、消費電力
の増大を引き起こしている。
However, since the bus signal lines are pulled up or pulled down, a through current flows through the bus signal lines even in a steady state, which causes an increase in power consumption.

【0010】また、常に電流が流れることで、定常状態
での電流量により故障の有無を判断するIddqテスト
を行なうことができないという問題もある。
[0010] Further, since the current always flows, there is another problem that the Iddq test for judging the presence or absence of a failure cannot be performed based on the current amount in a steady state.

【0011】更に、低消費電力化のためにプルアップ回
路やプルダウン回路を削除すると、故障を疑似的にしか
検出できない。
Furthermore, if the pull-up circuit and the pull-down circuit are deleted to reduce power consumption, a fault can be detected only in a pseudo manner.

【0012】加えて、定常的にプルアップ又はプルダウ
ンさせることで故障状態による論理値が“0”又は
“1”の何れか一方の論理値となる故障しか検出ができ
ないという問題点もある。
In addition, there is also a problem that only the failure in which the logic value according to the failure state becomes one of the logic values “0” and “1” can be detected by constantly pulling up or pulling down.

【0013】本発明はかかる点に鑑みてなされたもので
あり、その目的は、消費電力の増大を少なく抑制しつ
つ、トライステート素子の故障検出率が高い半導体集積
回路を提供することにある。
SUMMARY OF THE INVENTION The present invention has been made in view of the foregoing, and an object of the present invention is to provide a semiconductor integrated circuit having a high tri-state element failure detection rate while suppressing an increase in power consumption.

【0014】[0014]

【課題を解決するための手段】前記課題を解決するた
め、本発明では、スキャンテスト時に限りバス信号線を
プルアップ又はプルダウンする構成を採用する。
In order to solve the above-mentioned problems, the present invention employs a configuration in which a bus signal line is pulled up or down only during a scan test.

【0015】具体的に、請求項1記載の発明の半導体集
積回路は、トライステート素子を有する半導体集積回路
であって、前記トライステート素子のうち1個以上のト
ライステート素子の出力が接続されるバス信号線と、テ
スト中であることを示すテストモード信号と、前記テス
トモード信号により電気的状態が決定されるバス接続端
子を有するバス信号補助回路とを有し、前記バス信号補
助回路のバス接続端子は前記バス信号線に接続されるこ
とを特徴とする。
Specifically, the semiconductor integrated circuit according to the first aspect of the present invention is a semiconductor integrated circuit having a tri-state element, wherein outputs of one or more of the tri-state elements are connected. A bus signal line, a test mode signal indicating that a test is being performed, and a bus signal auxiliary circuit having a bus connection terminal whose electrical state is determined by the test mode signal; A connection terminal is connected to the bus signal line.

【0016】請求項2記載の発明は、前記請求項1記載
の半導体集積回路において、テストモード信号は、スキ
ャンテスト中であることを示すスキャンモード信号であ
ることを特徴とする。
According to a second aspect of the present invention, in the semiconductor integrated circuit according to the first aspect, the test mode signal is a scan mode signal indicating that a scan test is being performed.

【0017】請求項3記載の発明は、前記請求項2記載
の半導体集積回路において、前記バス信号補助回路は、
スキャンモード信号が出力されたスキャンテスト中であ
る時、バス接続端子をプルアップし、前記スキャンモー
ド信号が出力されないスキャンテスト中でない時、前記
バス接続端子をハイインピーダンスとすることを特徴と
する。
According to a third aspect of the present invention, in the semiconductor integrated circuit according to the second aspect, the bus signal auxiliary circuit comprises:
The bus connection terminal is pulled up during a scan test in which a scan mode signal is output, and the bus connection terminal is set to a high impedance when not in a scan test in which the scan mode signal is not output.

【0018】請求項4記載の発明は、前記請求項2記載
の半導体集積回路において、前記バス信号補助回路は、
スキャンモード信号が出力されたスキャンテスト中であ
る時、バス接続端子をプルダウンし、前記スキャンモー
ド信号が出力されないスキャンテスト中でない時、前記
バス接続端子をハイインピーダンスとすることを特徴と
する。
According to a fourth aspect of the present invention, in the semiconductor integrated circuit of the second aspect, the bus signal auxiliary circuit comprises:
The bus connection terminal is pulled down during a scan test in which a scan mode signal is output, and the bus connection terminal is set to high impedance in a scan test in which the scan mode signal is not output.

【0019】請求項5記載の発明は、前記請求項2記載
の半導体集積回路において、前記バス信号補助回路は、
スキャンモード信号が出力されたスキャンテスト中であ
る時、バス接続端子をプルアップすると共に、保持回路
を有し、この保持回路は、前記スキャンモード信号が出
力されないスキャンテスト中でない時、トライステート
素子により決定されたバス信号線の論理値と同じ論理値
を、前記バス接続端子から、前記トライステート素子の
出力部の駆動能力よりも弱い駆動能力で出力することを
特徴とする。
According to a fifth aspect of the present invention, in the semiconductor integrated circuit of the second aspect, the bus signal auxiliary circuit comprises:
When a scan test in which a scan mode signal is output is being performed, a bus connection terminal is pulled up, and a holding circuit is provided. And outputting the same logical value as the logical value of the bus signal line determined from the bus connection terminal with a driving capability weaker than the driving capability of the output unit of the tri-state element.

【0020】請求項6記載の発明は、前記請求項2記載
の半導体集積回路において、前記バス信号補助回路は、
スキャンモード信号が出力されたスキャンテスト中であ
る時、バス接続端子をプルダウンすると共に、保持回路
を有し、この保持回路は、前記スキャンモード信号が出
力されないスキャンテスト中でない時、トライステート
素子により決定されたバス信号線の論理値と同じ論理値
を、前記バス接続端子から、前記トライステート素子の
出力部の駆動能力よりも弱い駆動能力で出力することを
特徴とする。
According to a sixth aspect of the present invention, in the semiconductor integrated circuit of the second aspect, the bus signal auxiliary circuit comprises:
When the scan mode signal is being output, the bus connection terminal is pulled down when the scan test is being performed, and a holding circuit is provided.When the scan mode signal is not output and the scan test is not being performed, the holding circuit is provided with a tri-state element. A logical value equal to the determined logical value of the bus signal line is output from the bus connection terminal with a driving capability weaker than the driving capability of the output unit of the tri-state element.

【0021】請求項7記載の発明は、前記請求項2記載
の半導体集積回路において、スキャンテストのシフト動
作中であることを示すシフトモード信号と、前記シフト
モード信号が出力されたスキャンテストのシフト動作中
に、前記シフトモード信号に基いて、トライステート素
子の出力がハイインピーダンスとなるように前記トライ
ステート素子を制御するトライステート制御回路とを備
えたことを特徴としている。
According to a seventh aspect of the present invention, in the semiconductor integrated circuit of the second aspect, a shift mode signal indicating that a shift operation of the scan test is being performed, and a shift of the scan test in which the shift mode signal is output. A tri-state control circuit that controls the tri-state element so that the output of the tri-state element becomes high impedance based on the shift mode signal during operation.

【0022】請求項8記載の発明は、前記請求項2記載
の半導体集積回路において、バス信号補助回路は、前記
バス接続端子が、前記スキャンモード信号に加えて、バ
ス信号補助回路制御信号によっても、電気的状態を決定
され、前記スキャンモード信号が出力されたスキャンテ
スト中である時、前記バス信号補助回路制御信号によ
り、前記バス接続端子の電気的状態をプルアップ又はプ
ルダウンに切換えることを特徴とする。
According to an eighth aspect of the present invention, in the semiconductor integrated circuit according to the second aspect, the bus signal auxiliary circuit is configured such that the bus connection terminal is controlled by a bus signal auxiliary circuit control signal in addition to the scan mode signal. The electrical state of the bus connection terminal is switched to pull-up or pull-down by the bus signal auxiliary circuit control signal during the scan test in which the electrical state is determined and the scan mode signal is output. And

【0023】請求項9記載の発明は、前記請求項8記載
の半導体集積回路において、前記バス信号補助回路は、
保持回路を有し、この保持回路は、前記スキャンモード
信号が出力されないスキャンテスト中でない時、トライ
ステート素子により決定されたバス信号線の論理値と同
じ論理値を、前記バス接続端子から、前記トライステー
ト素子の出力部の駆動能力よりも弱い駆動能力で出力す
ることを特徴としている。
According to a ninth aspect of the present invention, in the semiconductor integrated circuit of the eighth aspect, the bus signal auxiliary circuit comprises:
A holding circuit that, when not in a scan test in which the scan mode signal is not output, outputs the same logical value as the logical value of the bus signal line determined by the tri-state element from the bus connection terminal to the It is characterized in that the output is performed with a driving capability weaker than the driving capability of the output section of the tristate element.

【0024】請求項10記載の発明は、前記請求項8記
載の半導体集積回路において、前記バス信号補助回路制
御信号を出力するフリップフロップを備え、前記フリッ
プフロップはスキャンチェイン上に配置されることを特
徴とする。
According to a tenth aspect of the present invention, in the semiconductor integrated circuit according to the eighth aspect, a flip-flop for outputting the bus signal auxiliary circuit control signal is provided, and the flip-flop is arranged on a scan chain. Features.

【0025】請求項11記載の発明の半導体集積回路
は、トライステート素子を有する半導体集積回路であっ
て、前記トライステート素子のうち1個以上のトライス
テート素子の出力が接続されるバス信号線と、テスト中
であることを示すテストモード信号と、Iddqテスト
中であることを示すIddqテストモード信号と、前記
テストモード信号及び前記Iddqテストモード信号に
より電気的状態が決定されるバス接続端子を有するバス
信号補助回路とを有し、前記バス信号補助回路のバス接
続端子は前記バス信号線に接続されることを特徴とす
る。
A semiconductor integrated circuit according to an eleventh aspect of the present invention is a semiconductor integrated circuit having a tri-state element, wherein a bus signal line to which an output of one or more of the tri-state elements is connected. , A test mode signal indicating that a test is being performed, an Iddq test mode signal indicating that an Iddq test is being performed, and a bus connection terminal whose electrical state is determined by the test mode signal and the Iddq test mode signal. A bus signal auxiliary circuit, wherein a bus connection terminal of the bus signal auxiliary circuit is connected to the bus signal line.

【0026】請求項12記載の発明は、前記請求項11
記載の半導体集積回路において、テストモード信号は、
スキャンテスト中であることを示すスキャンモード信号
であることを特徴とする。
According to a twelfth aspect of the present invention, there is provided the twelfth aspect.
In the described semiconductor integrated circuit, the test mode signal is
A scan mode signal indicating that a scan test is being performed.

【0027】請求項13記載の発明は、前記請求項12
記載の半導体集積回路において、前記バス信号補助回路
は、前記スキャンモード信号が出力されたスキャンテス
ト中で、且つ前記Iddqテストモード信号が出力され
ないIddqテスト中でない時、前記バス接続端子をプ
ルアップし、前記スキャンモード信号が出力されないス
キャンテスト中でない時、又は前記Iddqテストモー
ド信号が出力されたIddqテスト中である時、前記バ
ス接続端子をハイインピーダンスとすることを特徴とす
る。
The invention according to claim 13 is the invention according to claim 12.
3. The semiconductor integrated circuit according to claim 2, wherein the bus signal auxiliary circuit pulls up the bus connection terminal during a scan test in which the scan mode signal is output and in an Iddq test in which the Iddq test mode signal is not output. The bus connection terminal may be set to a high impedance when the scan mode signal is not output and the scan test is not being performed, or when the Iddq test mode signal is output and the Iddq test is being performed.

【0028】請求項14記載の発明は、前記請求項12
記載の半導体集積回路において、前記バス信号補助回路
は、前記スキャンモード信号が出力されたスキャンテス
ト中で、且つ前記Iddqテストモード信号が出力され
ないIddqテスト中でない時、前記バス接続端子をプ
ルダウンし、前記スキャンモード信号が出力されないス
キャンテスト中でない時、又は前記Iddqテストモー
ド信号が出力されたIddqテスト中である時、前記バ
ス接続端子をハイインピーダンスとすることを特徴とす
る。
The invention according to claim 14 is the invention according to claim 12.
In the semiconductor integrated circuit according to the aspect, the bus signal auxiliary circuit pulls down the bus connection terminal during a scan test in which the scan mode signal is output and when not in an Iddq test in which the Iddq test mode signal is not output, The bus connection terminal is set to a high impedance when the scan mode signal is not output and the scan test is not being performed, or when the Iddq test mode signal is output and the Iddq test is being performed.

【0029】請求項15記載の発明は、前記請求項12
記載の半導体集積回路において、前記バス信号補助回路
は、保持回路を有し、この保持回路は、前記スキャンモ
ード信号が出力されないスキャンテスト中でない時で、
且つ前記Iddqテストモード信号が出力されないId
dqテスト中でない時、トライステート素子により決定
されたバス信号線の論理値と同じ論理値を、前記バス接
続端子から、前記トライステート素子の出力部の駆動能
力よりも弱い駆動能力で出力することを特徴とする。
The invention according to claim 15 is the invention according to claim 12.
In the semiconductor integrated circuit described in the above, the bus signal auxiliary circuit has a holding circuit, and this holding circuit is not in a scan test in which the scan mode signal is not output,
Id not outputting the Iddq test mode signal
When the dq test is not being performed, the same logical value as the logical value of the bus signal line determined by the tri-state element is output from the bus connection terminal with a driving capability weaker than the driving capability of the output unit of the tri-state element. It is characterized by.

【0030】以上の構成により、請求項1ないし請求項
10記載の発明では、トライステート素子の制御信号が
故障により論理値“0”となって、バス信号線がハイイ
ンピーダンスとなる時にも、スキャンテスト時には、バ
ス信号線がバス信号補助回路によりプルアップ又はプル
ダウンされて、このバス信号線の論理値が“1”又は
“0”に確定されるので、疑似的ではない故障検査を行
なうことが可能となる。また、スキャンテスト時以外で
は、バス信号補助回路のバス接続端子はハイインピーダ
ンスとなるので、貫通電流が流れることを回避すること
ができる。
With the above arrangement, according to the first to tenth aspects of the present invention, even when the control signal of the tri-state element becomes a logical value "0" due to a failure and the bus signal line becomes high impedance, the scan signal can be changed. At the time of the test, the bus signal line is pulled up or down by the bus signal auxiliary circuit, and the logical value of this bus signal line is determined to be "1" or "0". It becomes possible. At times other than the scan test, the bus connection terminal of the bus signal auxiliary circuit has a high impedance, so that it is possible to prevent a through current from flowing.

【0031】特に、請求項7記載の発明では、トライス
テート制御回路により、スキャンテストのシフト動作時
には、複数のトライステート素子が論理的に異なる出力
を出すことが防止されるので、不用意に貫通電流が流れ
ることを防ぐことが可能であり、消費電力の増大を防止
できる。
In particular, in the present invention, a plurality of tri-state elements are prevented from outputting logically different outputs during the shift operation of the scan test by the tri-state control circuit. It is possible to prevent a current from flowing and to prevent an increase in power consumption.

【0032】また、請求項8から請求項10記載の発明
では、故障によりトライステート素子の制御信号が論理
値“0”となって、バス信号線がハイインピーダンスと
なる時にも、バス信号補助回路により、バス信号線の論
理値を“0”又は“1”に確定できる。このとき、バス
信号補助回路制御信号により、正常状態でのバス信号線
の論理値と逆の論理値に設定することが可能であるの
で、正常状態のバス信号線の論理値に関わらず、故障状
態でのバス信号線の論理値を正常値と異なるものに設定
することが可能である。その結果、故障検出率の向上を
図ることができる。また、スキャンテスト時以外では、
バス信号補助回路のバス接続端子はハイインピーダンス
となるので、貫通電流が流れることを回避することがで
き、消費電力の増大を抑えることができる。
In the invention according to claims 8 to 10, the bus signal auxiliary circuit is provided even when the control signal of the tristate element becomes a logical value "0" due to a fault and the bus signal line becomes high impedance. Thereby, the logical value of the bus signal line can be determined to be “0” or “1”. At this time, the logical value of the bus signal line in the normal state can be set to the opposite logical value by the bus signal auxiliary circuit control signal. It is possible to set the logical value of the bus signal line in the state different from the normal value. As a result, the failure detection rate can be improved. Also, except during the scan test,
Since the bus connection terminal of the bus signal auxiliary circuit has a high impedance, a through current can be prevented from flowing, and an increase in power consumption can be suppressed.

【0033】特に、請求項10記載の発明では、バス信
号補助回路制御信号を出力するフリップフロップがスキ
ャンチェイン上に配置されるので、バス信号補助回路制
御信号を他のスキャンテストパターンと同様にスキャン
テストのシフト動作により設定することが可能である。
従って、各々のテストパターンに応じたバス信号補助回
路制御信号の設定が容易であると共に、バス信号補助回
路制御信号の生成回路の削減が可能である。
In particular, according to the tenth aspect of the present invention, since the flip-flop for outputting the bus signal auxiliary circuit control signal is arranged on the scan chain, the bus signal auxiliary circuit control signal is scanned in the same manner as other scan test patterns. It can be set by the shift operation of the test.
Therefore, it is easy to set the bus signal auxiliary circuit control signal according to each test pattern, and it is possible to reduce the number of bus signal auxiliary circuit control signal generation circuits.

【0034】また、請求項11ないし請求項15記載の
発明では、スキャンテストを用いてIddqテスト用の
回路状態に設定する場合に、Iddqテストモード信号
を用いて、バス信号補助回路のバス接続端子の電気的状
態をハイインピーダンスに変更することができるので、
スキャンテスト時に生じている貫通電流を強制的に停止
させて、Iddqテストが可能である。
According to the present invention, when a circuit state for an Iddq test is set by using a scan test, an Iddq test mode signal is used to set a bus connection terminal of a bus signal auxiliary circuit. Because the electrical state of can be changed to high impedance,
The Iddq test can be performed by forcibly stopping the through current generated during the scan test.

【0035】[0035]

【発明の実施の形態】以下、本発明の実施の形態につい
て図面を用いて説明する。
Embodiments of the present invention will be described below with reference to the drawings.

【0036】(第1の実施の形態)先ず、第1の実施の
形態について図1から図5に基いて説明する。
(First Embodiment) First, a first embodiment will be described with reference to FIGS.

【0037】図1は第1の実施の形態に係る半導体集積
回路の回路構成を示す図である。図1において、14
1、142はトライステート素子であり、111、11
2は各々トライステート素子141、142の制御信号
であり、101、102は各々トライステート素子のデ
ータ入力信号である。
FIG. 1 is a diagram showing a circuit configuration of a semiconductor integrated circuit according to the first embodiment. In FIG. 1, 14
Reference numerals 1 and 142 denote tri-state elements, and 111 and 11
2 is a control signal for the tri-state elements 141 and 142, respectively, and 101 and 102 are data input signals for the tri-state elements, respectively.

【0038】121はスキャンテスト中であることを示
すスキャンモード信号であり、130は、トライステー
ト素子141、142の出力が接続されたバス信号線で
あり、160は、バス信号補助回路であり、バス信号補
助回路160は、スキャンモード信号により電気的状態
を決定されるバス接続端子161を持っている。
Reference numeral 121 denotes a scan mode signal indicating that a scan test is being performed. Reference numeral 130 denotes a bus signal line to which the outputs of the tri-state elements 141 and 142 are connected. Reference numeral 160 denotes a bus signal auxiliary circuit. The bus signal auxiliary circuit 160 has a bus connection terminal 161 whose electrical state is determined by the scan mode signal.

【0039】図2は第1の実施の形態に係るバス信号補
助回路160の回路構成を示す図である。同図におい
て、201はスキャンモード信号であり、202はバス
接続端子であり、203は論理反転素子、204はゲー
トの論理が“0”の時に導通状態になる図1のトライス
テート素子141、142の出力部のトランジスタに比
べサイズの小さいトランジスタである。205は電源で
ある。203、204及び205によりプルアップ素子
を構成している。
FIG. 2 is a diagram showing a circuit configuration of the bus signal auxiliary circuit 160 according to the first embodiment. 1, reference numeral 201 denotes a scan mode signal; 202, a bus connection terminal; 203, a logic inversion element; and 204, a tri-state element 141 or 142 in FIG. 1 which is turned on when the logic of the gate is "0". Are smaller in size than the transistors in the output section. 205 is a power supply. 203, 204 and 205 constitute a pull-up element.

【0040】次に、本実施の形態の半導体集積回路の動
作について説明する。
Next, the operation of the semiconductor integrated circuit of this embodiment will be described.

【0041】スキャンテスト時には、スキャンテストモ
ード信号は論理値“1”となり、スキャンテスト時以外
ではスキャンモード信号は論理値“0”となる。バス信
号補助回路160のバス接続端子202は、スキャンテ
スト時にはプルアップされ、スキャンテスト時以外では
ハイインピーダンスとなる。
At the time of a scan test, the scan test mode signal has a logical value "1", and other than at the time of the scan test, the scan mode signal has a logical value "0". The bus connection terminal 202 of the bus signal auxiliary circuit 160 is pulled up at the time of the scan test, and becomes high impedance except at the time of the scan test.

【0042】スキャンテスト時以外では、バス信号線1
30はトライステート素子141、142の出力によっ
てのみその論理値を決定する。
Except during the scan test, the bus signal line 1
Numeral 30 determines its logical value only by the outputs of the tri-state elements 141 and 142.

【0043】スキャンテスト時には、トライステート素
子141、142よりハイインピーダンスではない出力
がある場合、トライステート素子のトランジスタサイズ
がバス信号補助回路のプルアップ素子のトランジスタサ
イズより大きいので、バス信号線130の論理値はトラ
イステート素子の出力に依存する。
At the time of the scan test, if there is an output whose impedance is lower than that of the tri-state elements 141 and 142, the transistor size of the tri-state element is larger than the transistor size of the pull-up element of the bus signal auxiliary circuit. The logic value depends on the output of the tri-state element.

【0044】トライステート素子141、142が共に
ハイインピーダンス出力となったとき、バス信号線13
0の論理値は、バス信号補助回路160のバス接続端子
202のプルアップにより、論理値“1”となる。
When both the tri-state elements 141 and 142 output high impedance, the bus signal line 13
The logical value of 0 becomes the logical value “1” by the pull-up of the bus connection terminal 202 of the bus signal auxiliary circuit 160.

【0045】次に、故障が起こっている場合について説
明する。トライステート素子141の制御端子が“0”
縮退故障となっている時、トライステート素子141の
制御端子の論理値を“1”、トライステート素子142
の制御端子の論理値を“0”、トライステート素子14
1のデータ入力端子の論理値を“0”とするようにテス
トパターンを入力すると、バス信号線130では、故障
のない時、論理値“0”になるのに対し、故障がある場
合、論理値“1”となる。このバス信号線130での正
常状態と故障状態の違いは、バス信号線130の論理を
用いるフリップフロップに対し、途中の回路を介してフ
リップフロップまでバス信号線130での差異が伝えら
れるようなテストパターンを用いることにより故障は検
査時に検出される。
Next, a case where a failure has occurred will be described. Control terminal of tri-state element 141 is "0"
When the stuck-at fault occurs, the logical value of the control terminal of the tri-state element 141 is set to “1”,
The logical value of the control terminal of the tristate element 14 is “0”.
When a test pattern is input such that the logical value of the data input terminal of the data input terminal 1 is "0", the logical value of the bus signal line 130 becomes "0" when there is no failure. The value becomes “1”. The difference between the normal state and the failure state in the bus signal line 130 is such that the difference in the bus signal line 130 is transmitted to the flip-flop via the intermediate circuit to the flip-flop using the logic of the bus signal line 130. The failure is detected at the time of inspection by using the test pattern.

【0046】前記テストパターンを用いた場合、スキャ
ンテスト時に正常回路では、プルアップ素子とトライス
テート素子よる貫通電流パスが生じるが、同じ回路状態
においても、スキャンテスト時以外ではプルアップ素子
が動作しないので、貫通電流パスが発生せず、消費電力
を抑制することが可能である。
When the test pattern is used, a through current path is generated by a pull-up element and a tri-state element in a normal circuit during a scan test. However, even in the same circuit state, the pull-up element does not operate except during the scan test. Therefore, a through current path does not occur and power consumption can be suppressed.

【0047】図3は第1の実施の形態に係るバス信号補
助回路160´の異なる回路構成を示す図である。同図
において、301はスキャンモード信号であり、302
はバス接続端子であり、304はゲートの論理値が
“1”の時に導通状態になるトライステート素子14
1、142に比べサイズの小さいトランジスタである。
305は接地である。304および305によりプルダ
ウン素子を構成している。
FIG. 3 is a diagram showing a different circuit configuration of the bus signal auxiliary circuit 160 'according to the first embodiment. In the figure, reference numeral 301 denotes a scan mode signal;
Is a bus connection terminal, and 304 is a tri-state element 14 which is turned on when the logic value of the gate is "1".
The transistor is smaller in size than the transistors 1 and 142.
305 is a ground. 304 and 305 constitute a pull-down element.

【0048】本回路構成を用いた場合、スキャンテスト
時にトライステート素子141、142が共にハイイン
ピーダンス出力となった時、バス信号線130は論理値
“0”となる。
When this circuit configuration is used, when both the tri-state elements 141 and 142 output high impedance during the scan test, the bus signal line 130 has a logical value "0".

【0049】前記と同じく、トライステート素子141
の制御端子が“0”縮退故障となっている時、トライス
テート素子141の制御端子の論理値を“1”、トライ
ステート素子142の制御端子の論理値を“0”、トラ
イステート素子141のデータ入力端子の論理値を
“1”とするようにテストパターンを入力すると、バス
信号線130では、故障のない時、論理値“1”になる
のに対し、故障がある場合、論理値“0”となり、前記
と同様の方法で故障を確実に検査することができる。
As described above, the tri-state element 141
, The logic value of the control terminal of the tri-state element 141 is “1”, the logic value of the control terminal of the tri-state element 142 is “0”, When a test pattern is input so that the logical value of the data input terminal is “1”, the bus signal line 130 has a logical value “1” when there is no failure, whereas the logical value “ 0 ", and the failure can be reliably inspected in the same manner as described above.

【0050】図4は、図23に示すように、バス信号線
がハイインピーダンス時にハイインピーダンスになる直
前の値を保持する機能を持つ保持回路3010を有して
いる場合の第1の実施の形態に係るバス信号補助回路1
60''の異なる回路構成を示す図である。
FIG. 4 shows a first embodiment in which, as shown in FIG. 23, a holding circuit 3010 having a function of holding a value immediately before the bus signal line becomes high impedance when the bus signal line is high impedance is provided. Bus signal auxiliary circuit 1 according to
FIG. 50 is a diagram showing a different circuit configuration of the embodiment shown in FIG.

【0051】401はスキャンモード信号であり、40
2はバス接続端子であり、403は論理反転素子であ
り、404はゲートの論理値が“0”の時に導通状態に
なるトライステート素子に比べサイズの小さいトランジ
スタであり、405は電源である。また、406はトラ
イステート素子141、142に比べトランジスタサイ
ズの小さいトライステート素子、407は論理反転素子
である。トランジスタ404及び電源405により、プ
ルアップ素子を構成している。また、トライステート素
子406及び論理反転素子407により、バス信号線の
値を再出力する保持回路を構成している。トライステー
ト素子406をスキャンモード信号401で制御するこ
とにより、スキャンテスト時以外でのみ、バス接続端子
402からバス信号線130の論理値を再出力し、トラ
イステート素子141、142がハイインピーダンスに
なった時にも、バス信号線130の論理値を保持する機
能を有する。
Reference numeral 401 denotes a scan mode signal.
2 is a bus connection terminal, 403 is a logic inversion element, 404 is a transistor smaller in size than a tri-state element which becomes conductive when the logic value of the gate is "0", and 405 is a power supply. Reference numeral 406 denotes a tri-state element having a smaller transistor size than the tri-state elements 141 and 142, and reference numeral 407 denotes a logic inversion element. The transistor 404 and the power supply 405 form a pull-up element. Further, the holding circuit that re-outputs the value of the bus signal line is configured by the tri-state element 406 and the logical inversion element 407. By controlling the tri-state element 406 with the scan mode signal 401, the logical value of the bus signal line 130 is re-output from the bus connection terminal 402 only during a scan test, and the tri-state elements 141 and 142 become high impedance. The function has a function of retaining the logical value of the bus signal line 130 even when the signal is transmitted.

【0052】本回路構成を用いることにより、スキャン
テスト時に図2の回路構成と同等の効果を有し、スキャ
ンテスト時以外でも、トライステート素子141、14
2が共にハイインピーダンスとなった時に、バス信号線
130がハイインピーダンスとなり、貫通電流パスを引
き起こすことを防ぐことが可能である。
By using this circuit configuration, the same effects as those of the circuit configuration of FIG. 2 can be obtained at the time of a scan test, and the tri-state elements 141 and 14 can be used at times other than the scan test.
When both become high-impedance, the bus signal line 130 becomes high-impedance, which can prevent a through current path from occurring.

【0053】図5は、図23に示すようにバス信号線に
ハイインピーダンス時にはハイインピーダンスになる直
前の値を保持する機能を持つ保持回路3010を有して
いる場合の第1の実施の形態に係るバス信号補助回路1
60''' の異なる回路構成を示す図である。
FIG. 5 shows a first embodiment in which the bus signal line has a holding circuit 3010 having a function of holding a value immediately before the bus signal line becomes high impedance as shown in FIG. Such a bus signal auxiliary circuit 1
FIG. 50 is a diagram showing a different circuit configuration of the circuit diagram of FIG.

【0054】501はスキャンモード信号であり、50
2はバス接続端子であり、503は反転論理素子であ
り、504はゲートの論理値が“1”の時に導通状態に
なり且つ前記トライステート素子141、142に比べ
サイズの小さいトランジスタであり、505は接地であ
る。また、506はトライステート素子141、142
に比べトランジスタサイズの小さいトライステート素
子、507は論理反転素子である。504及び505に
よりプルダウン素子を構成している。また、トライステ
ート素子506及び論理反転素子507により、バス信
号線の値を再出力する保持回路を構成している。トライ
ステート素子506をスキャンモード信号501で制御
することにより、スキャンテスト時以外でのみバス接続
端子502からバス信号線130の論理値を再出力し、
トライステート素子141、142がハイインピーダン
スになった時にも、バス信号線130の論理値を保持す
る機能を有する。
Reference numeral 501 denotes a scan mode signal.
Numeral 2 is a bus connection terminal, 503 is an inverted logic element, 504 is a transistor which becomes conductive when the logic value of the gate is "1" and is smaller in size than the tri-state elements 141 and 142. Is ground. Reference numeral 506 denotes the tri-state elements 141 and 142
A tri-state element 507 having a smaller transistor size than that of the transistor 507 is a logic inversion element. A pull-down element is constituted by 504 and 505. The tristate element 506 and the logic inversion element 507 constitute a holding circuit for re-outputting the value of the bus signal line. By controlling the tri-state element 506 with the scan mode signal 501, the logical value of the bus signal line 130 is re-output from the bus connection terminal 502 only at the time other than the scan test,
It has a function of retaining the logical value of the bus signal line 130 even when the tri-state elements 141 and 142 become high impedance.

【0055】本回路構成を用いることにより、スキャン
テスト時に図3の回路構成と同等の効果を有し、スキャ
ンテスト時以外でもトライステート素子141、142
が共にハイインピーダンスとなった時に、バス信号線1
30がハイインピーダンスとなり、貫通電流パスを引き
起こすことを防ぐことが可能である。
By using this circuit configuration, the same effects as those of the circuit configuration of FIG. 3 can be obtained at the time of a scan test, and the tri-state elements 141 and 142 can be used at times other than the scan test.
When both become high impedance, the bus signal line 1
30 becomes high impedance, and it is possible to prevent a through current path from being caused.

【0056】(第2の実施の形態)次に、第2の実施の
形態について図6を用いて説明する。
(Second Embodiment) Next, a second embodiment will be described with reference to FIG.

【0057】図6は第2の実施の形態に係る半導体集積
回路の回路構成を示す図である。図6において、64
1、642はトライステート素子であり、611、61
2は各々スキャンテストに関わらないトライステート素
子641、642の通常動作時の制御信号であり、60
1、602は各々トライステート素子のデータ入力信号
である。
FIG. 6 is a diagram showing a circuit configuration of a semiconductor integrated circuit according to the second embodiment. In FIG. 6, 64
1, 642 are tri-state elements;
Reference numeral 2 denotes a control signal during normal operation of the tri-state elements 641 and 642, which are not involved in the scan test.
Reference numerals 1 and 602 denote data input signals of the tri-state element, respectively.

【0058】また、621はスキャンテスト中であるこ
とを示すスキャンモード信号であり、622はスキャン
テストにおけるシフト動作中であることを示すシフトモ
ード信号である。630は、トライステート素子64
1、642の出力が接続されたバス信号線であり、66
0はバス信号補助回路であり、このバス信号補助回路6
60は、スキャンモード信号により電気的状態を決定さ
れるバス接続端子661を持っている。更に、651、
652はトライステート素子641、642の制御信号
をシフトモード信号により操作するトライステート制御
回路である。
Reference numeral 621 denotes a scan mode signal indicating that a scan test is being performed, and 622 is a shift mode signal indicating that a shift operation is being performed in the scan test. 630 is a tri-state element 64
1 and 642 are bus signal lines to which outputs are connected.
0 is a bus signal auxiliary circuit.
60 has a bus connection terminal 661 whose electrical state is determined by the scan mode signal. In addition, 651,
Reference numeral 652 denotes a tri-state control circuit that controls a control signal of the tri-state elements 641 and 642 by a shift mode signal.

【0059】図7は、第2の実施の形態に係るトライス
テート制御回路651、652の回路構成である。図7
において、703はシフトモード信号、704はスキャ
ンテストに関わらないトライステート素子の通常動作時
の制御信号、705は生成されたトライステート素子の
制御信号である。また、701は論理反転素子、702
は論理積素子である。
FIG. 7 shows a circuit configuration of the tri-state control circuits 651 and 652 according to the second embodiment. FIG.
In the figure, 703 is a shift mode signal, 704 is a control signal during normal operation of the tristate element not involved in the scan test, and 705 is a generated control signal of the tristate element. 701 is a logic inversion element, 702
Is an AND element.

【0060】本回路構成を用いると、スキャンテストの
シフト動作時には、トライステート制御信号705は、
制御信号704の値に関わらず論理値“0”となり、ト
ライステート制御信号705により制御されるトライス
テート素子の出力は、ハイインピーダンスとなる。
When this circuit configuration is used, the tristate control signal 705 becomes
The logical value is "0" regardless of the value of the control signal 704, and the output of the tri-state element controlled by the tri-state control signal 705 becomes high impedance.

【0061】図6及び図7の回路構成により、第1の実
施の形態の効果に加え、バス信号線630に接続される
全てのトライステート素子は、スキャンテストにおける
シフト動作時にハイインピーダンス出力となるので、シ
フト動作中にバス信号線630における複数のトライス
テート素子の出力の信号衝突によって貫通電流が流れる
ことを防止することが可能となる。
With the circuit configurations shown in FIGS. 6 and 7, in addition to the effects of the first embodiment, all the tri-state elements connected to the bus signal line 630 have a high impedance output during the shift operation in the scan test. Therefore, it is possible to prevent a through current from flowing due to a signal collision between the outputs of the plurality of tri-state elements on the bus signal line 630 during the shift operation.

【0062】また、バス信号補助回路660のバス接続
端子はスキャンテスト中はプルアップ又はプルダウンと
なっているので、バス信号線630がハイインピーダン
スになることもなく、バス信号線630がハイインピー
ダンスになることによる貫通電流の発生も防ぐことが可
能となる。
Since the bus connection terminal of the bus signal auxiliary circuit 660 is pulled up or pulled down during the scan test, the bus signal line 630 does not become high impedance and the bus signal line 630 becomes high impedance. Therefore, it is possible to prevent a through current from being generated.

【0063】(第3の実施の形態)次に、第3の実施の
形態について図8から図10に基づき説明する。
(Third Embodiment) Next, a third embodiment will be described with reference to FIGS.

【0064】図8は第3の実施の形態に係る半導体集積
回路の回路構成を示す。図8において、841、842
はトライステート素子であり、811、812は各々ト
ライステート素子841、842の制御信号であり、8
01、802は各々トライステート素子のデータ入力信
号である。
FIG. 8 shows a circuit configuration of a semiconductor integrated circuit according to the third embodiment. In FIG. 8, 841, 842
Is a tri-state element, and 811 and 812 are control signals for the tri-state elements 841 and 842, respectively.
01 and 802 are data input signals of the tri-state element, respectively.

【0065】821はスキャンテスト中であることを示
すスキャンモード信号であり、830はトライステート
素子841、842の出力が接続されたバス信号線であ
り、860はバス信号補助回路であり、870は、前記
バス信号補助回路860のバス接続端子(後述)の動作
に関わるバス信号補助回路制御信号である。前記バス信
号補助回路860は、前記スキャンモード信号821と
バス信号補助回路制御信号870とにより電気的状態を
決定されるバス接続端子861を有している。
Reference numeral 821 is a scan mode signal indicating that a scan test is being performed, 830 is a bus signal line to which the outputs of the tri-state elements 841 and 842 are connected, 860 is a bus signal auxiliary circuit, and 870 is a bus signal auxiliary circuit. , A bus signal auxiliary circuit control signal relating to the operation of a bus connection terminal (described later) of the bus signal auxiliary circuit 860. The bus signal auxiliary circuit 860 has a bus connection terminal 861 whose electrical state is determined by the scan mode signal 821 and the bus signal auxiliary circuit control signal 870.

【0066】図9は、第3の実施の形態に係るバス信号
補助回路860の内部構成を示す。図9において、90
1はスキャンモード信号であり、902はバス接続端子
であり、903はバス信号補助回路制御信号である。9
04、906は論理反転素子であり、905、907は
論理積素子である。908は、ゲート端子の論理値が
“0”の時に導通状態となり、且つ図8のトライステー
ト素子841、842よりもサイズの小さいトランジス
タからなるプルアップ素子である。909は、ゲート端
子の論理値が“1”の時に導通状態となり、且つ図8の
トライステート素子841、842よりもサイズの小さ
いトランジスタからなるプルダウン素子である。
FIG. 9 shows an internal configuration of a bus signal auxiliary circuit 860 according to the third embodiment. In FIG. 9, 90
1 is a scan mode signal, 902 is a bus connection terminal, and 903 is a bus signal auxiliary circuit control signal. 9
04 and 906 are logical inversion elements, and 905 and 907 are logical AND elements. Reference numeral 908 denotes a pull-up element which is turned on when the logic value of the gate terminal is “0” and is formed of a transistor smaller in size than the tri-state elements 841 and 842 in FIG. Reference numeral 909 denotes a pull-down element which is turned on when the logic value of the gate terminal is "1" and is composed of a transistor smaller in size than the tri-state elements 841 and 842 in FIG.

【0067】次に、本実施の形態の半導体集積回路の動
作について説明する。
Next, the operation of the semiconductor integrated circuit of this embodiment will be described.

【0068】スキャンテスト時には、スキャンモード信
号901は論理値“1”となり、スキャンテスト時以外
ではスキャンモード信号は論理値“0”となる。バス信
号補助回路860のバス接続端子902は、スキャンテ
スト時以外ではハイインピーダンスとなり、スキャンテ
スト時ではバス信号補助回路制御信号903が論理値
“1”であるときプルダウンされ、バス信号補助回路制
御信号903が論理値“0”であるときプルアップされ
る。スキャンテスト時以外では、バス信号線830は、
トライステート素子841、842の出力によってのみ
その論理値を決定する。
At the time of the scan test, the scan mode signal 901 has a logical value "1", and other than at the time of the scan test, the scan mode signal has a logical value "0". The bus connection terminal 902 of the bus signal auxiliary circuit 860 has a high impedance except during the scan test. In the scan test, when the bus signal auxiliary circuit control signal 903 has a logical value “1”, the bus connection terminal 902 is pulled down. When the logical value 903 is “0”, the pull-up is performed. Except during the scan test, the bus signal line 830 is
The logic value is determined only by the outputs of the tri-state elements 841 and 842.

【0069】スキャンテスト時には、トライステート素
子841、842よりハイインピーダンスではない出力
がある場合、トライステート素子のトランジスタサイズ
がバス信号補助回路860のプルアップ素子及びプルダ
ウン素子のトランジスタサイズよりも大きいので、バス
信号線830の論理値はトライステート素子の出力に依
存する。
At the time of the scan test, if there is an output having a higher impedance than the tri-state elements 841 and 842, the transistor size of the tri-state element is larger than the transistor size of the pull-up element and the pull-down element of the bus signal auxiliary circuit 860. The logical value of the bus signal line 830 depends on the output of the tri-state element.

【0070】トライステート素子841、842の出力
が共にハイインピーダンスとなったとき、バス信号線8
30の論理値はバス信号補助回路860のバス接続端子
903の動作に従い、バス信号補助回路制御信号903
が論理値“0”であるとき、プルアップ素子により論理
値“1”となり、バス信号補助回路制御信号903が論
理値“0”であるときプルダウン素子により論理値
“0”となる。
When the outputs of the tri-state elements 841 and 842 both become high impedance, the bus signal line 8
The logical value of 30 depends on the operation of the bus connection terminal 903 of the bus signal auxiliary circuit 860, and the bus signal auxiliary circuit control signal 903
Is a logical value "1" by the pull-up element when the logical value is "0", and becomes a logical value "0" by the pull-down element when the bus signal auxiliary circuit control signal 903 is the logical value "0".

【0071】次に、故障が起こっている場合について説
明する。トライステート素子841の制御端子が“0”
縮退故障となっている時、トライステート素子841の
制御端子の論理値“1”、トライステート素子842の
制御端子の論理値を“0”、トライステート素子841
のデータ入力端子801の論理値を“0”、バス信号補
助回路制御信号903の論理値を“0”とするように、
テストパターンを入力すると、バス信号線830では、
故障のない時、論理値“0”になるのに対し、故障があ
る場合、論理値“1”となる。このバス信号線830で
の正常状態と故障状態の違いは、バス信号線830の論
理を用いるフリップフロップに対し、途中の回路を介し
てフリップフロップまでバス信号線830での差異が伝
えられるようなテストパターンを用いることにより、故
障は検査時に検出される。
Next, a case where a failure has occurred will be described. Control terminal of tri-state element 841 is “0”
When the stuck-at fault occurs, the logical value of the control terminal of the tri-state element 841 is “1”, the logical value of the control terminal of the tri-state element 842 is “0”, and the tri-state element 841
To make the logical value of the data input terminal 801 “0” and the logical value of the bus signal auxiliary circuit control signal 903 “0”.
When the test pattern is input, the bus signal line 830
When there is no failure, the logic value is "0", whereas when there is a failure, the logic value is "1". The difference between the normal state and the fault state in the bus signal line 830 is such that the difference in the bus signal line 830 is transmitted to the flip-flop using the logic of the bus signal line 830 to the flip-flop via an intermediate circuit. By using a test pattern, a failure is detected during a test.

【0072】前記テストパターンを用いた場合、スキャ
ンテスト時に正常回路では、プルアップ素子とトライス
テート素子とによる貫通電流パスが生じるが、同じ回路
状態に対し、スキャンテスト時以外では、プルアップ素
子が動作しないので、貫通電流パスは発生せず、消費電
力を抑制することが可能である。
When the test pattern is used, a through current path is generated by the pull-up element and the tri-state element in the normal circuit at the time of the scan test. Since it does not operate, a through current path does not occur, and power consumption can be suppressed.

【0073】また、トライステート素子841のデータ
入力端子801の論理値が“1”となるときでも、バス
信号補助回路制御信号903の論理値を“1”とするよ
うにテストパターンを入力すると、バス信号線830で
は、故障のない時、論理値“1”になるのに対し、故障
がある時には論理値“0”となる。
Further, even when the logical value of the data input terminal 801 of the tri-state element 841 is "1", when a test pattern is input so that the logical value of the bus signal auxiliary circuit control signal 903 is "1", The bus signal line 830 has a logical value "1" when there is no failure, and has a logical value "0" when there is a failure.

【0074】即ち、第3の実施の形態では、第1の実施
の形態の効果に加え、トライステート素子のデータ入力
端子の論理値を論理値“0”又は論理値“1”の何れか
に限定しなくとも、バス信号補助回路制御信号903を
操作することにより、故障の検出が可能となるので、テ
ストパターンの作成が容易となる効果が得られると共
に、故障検出率の向上が可能となる。
That is, in the third embodiment, in addition to the effects of the first embodiment, the logical value of the data input terminal of the tristate element is changed to either logical value “0” or logical value “1”. Without limitation, by operating the bus signal auxiliary circuit control signal 903, a fault can be detected, so that an effect of facilitating the creation of a test pattern can be obtained, and the fault detection rate can be improved. .

【0075】尚、本実施の形態では、バス信号補助回路
制御信号903の論理値が“1”の時、プルダウンとな
り、論理値が“0”の時、プルアップとなる回路構成を
示したが、バス信号補助回路制御信号903の論理値と
プルアップ及びプルダウンの関係が異なっても、一意に
選択ができれば、同等の効果を得ることができる。
In the present embodiment, the circuit configuration is such that when the logical value of the bus signal auxiliary circuit control signal 903 is "1", it is pulled down, and when the logical value is "0", it is pulled up. Even if the relationship between the logical value of the bus signal auxiliary circuit control signal 903 and the pull-up and pull-down is different, the same effect can be obtained if the selection can be made uniquely.

【0076】図10は、図23に示すように、バス信号
線がハイインピーダンスの時にはハイインピーダンスに
なる直前の値を保持する機能を持つ保持回路3010を
有している場合の第3の実施の形態に係るバス信号補助
回路860´の異なる回路構成を示す図である。
FIG. 10 shows a third embodiment in which, as shown in FIG. 23, when the bus signal line has a holding circuit 3010 having a function of holding the value immediately before the bus signal line becomes high impedance when the bus signal line becomes high impedance. FIG. 16 is a diagram showing a different circuit configuration of a bus signal auxiliary circuit 860 ′ according to the embodiment.

【0077】同図において、1001はスキャンモード
信号であり、1002はバス接続端子であり、1003
はバス信号補助回路制御信号である。1004、100
6、1008、1010は論理反転素子であり、100
5、1007は論理積素子であり、1009は、図8の
トライステート素子841、842の出力部を構成する
トランジスタサイズよりも小さいサイズのトランジスタ
で構成されたトライステート素子である。
In the figure, reference numeral 1001 denotes a scan mode signal; 1002, a bus connection terminal;
Is a bus signal auxiliary circuit control signal. 1004, 100
6, 1008 and 1010 are logic inversion elements, and 100
Reference numerals 5 and 1007 denote AND elements, and reference numeral 1009 denotes a tri-state element formed of a transistor having a size smaller than that of the transistors forming the output units of the tri-state elements 841 and 842 in FIG.

【0078】1012は、ゲートの論理値が“1”の時
に導通状態になり、且つ図8のトライステート素子84
1、842の出力部を構成するトランジスタに比べサイ
ズの小さいトランジスタであり、1014は接地であ
る。トランジスタ1012及び接地1014により、プ
ルダウン素子を構成する。
Reference numeral 1012 denotes a conductive state when the logic value of the gate is "1", and the tri-state element 84 shown in FIG.
1, 842 are transistors smaller in size than the transistors forming the output section, and 1014 is ground. The transistor 1012 and the ground 1014 form a pull-down element.

【0079】また、1011は、ゲートの論理値が
“0”の時に導通状態になり、且つ図8のトライステー
ト素子841、842の出力部を構成するトランジスタ
に比べ小さいサイズのトランジスタである。1013は
電源である。前記トランジスタ1011及び電源101
3により、プルアップ素子を構成する。
Reference numeral 1011 denotes a transistor which becomes conductive when the logic value of the gate is "0", and is smaller in size than the transistors constituting the output portions of the tri-state elements 841 and 842 in FIG. 1013 is a power supply. The transistor 1011 and the power supply 101
3 constitutes a pull-up element.

【0080】トライステート素子1009及び論理反転
素子1010により、バス信号線830の値を再出力す
る保持回路を構成している。トライステート素子100
9をスキャンモード信号1001で制御することによ
り、スキャンテスト時以外でのみバス接続端子1002
からバス信号線830の論理値を再出力し、トライステ
ート素子841、842がハイインピーダンスになった
時にも、バス信号線830の論理値を保持する機能を有
する。
The holding circuit for re-outputting the value of the bus signal line 830 is constituted by the tri-state element 1009 and the logical inversion element 1010. Tri-state element 100
9 by the scan mode signal 1001 so that the bus connection terminals 1002
Has the function of re-outputting the logical value of the bus signal line 830 from the device and retaining the logical value of the bus signal line 830 even when the tri-state elements 841 and 842 become high impedance.

【0081】本回路構成を用いることにより、スキャン
テスト時は、図9の回路構成と同等の効果を有し、スキ
ャンテスト時以外でも、トライステート素子841、8
42が共にハイインピーダンスとなった時に、バス信号
線830がハイインピーダンスとなり、貫通電流パスを
引き起こすことを防ぐことが可能である。
By using this circuit configuration, at the time of the scan test, the same effect as that of the circuit configuration of FIG. 9 can be obtained.
When both become high impedance, the bus signal line 830 becomes high impedance, which can prevent a through current path from being caused.

【0082】本実施の形態は、前記第1の実施の形態に
対して、次の利点を有する。即ち、一般に、トライステ
ート素子のデータ入力信号及び出力信号に関する故障
は、通常回路と同等に検出可能であり、従来、故障を検
出できないのはトライステート素子の制御信号に関する
故障である。従って、故障の対象となるトライステート
素子のデータ信号を自由に設定できる場合は、前記第1
の実施例で説明したプルアップ又はプルダウンの回路構
成により、課題を解決することが可能である。一方、図
25に示すように、トライステート素子の入力が電源や
グラウンドに固定されて、トライステート素子のデータ
信号を自由に設定できない回路の場合には、トライステ
ート素子の制御部の故障を検出するためには、本実施の
形態のように、プルダウンとプルアップとを制御するこ
とが可能な回路構成を用いることにより、課題を解決す
ることが可能である。
This embodiment has the following advantages over the first embodiment. That is, in general, a fault relating to a data input signal and an output signal of a tri-state element can be detected in the same manner as in a normal circuit. Conventionally, a failure relating to a control signal of a tri-state element cannot be detected. Therefore, if the data signal of the tri-state element targeted for failure can be set freely, the first
The problem can be solved by the pull-up or pull-down circuit configuration described in the embodiment. On the other hand, as shown in FIG. 25, when the input of the tri-state element is fixed to the power supply or the ground and the data signal of the tri-state element cannot be freely set, the failure of the control unit of the tri-state element is detected. In order to achieve this, the problem can be solved by using a circuit configuration capable of controlling pull-down and pull-up as in this embodiment.

【0083】(第4の実施の形態)次に、第4の実施の
形態について図11に基づき説明する。
(Fourth Embodiment) Next, a fourth embodiment will be described with reference to FIG.

【0084】図11は、第4の実施の形態に係る半導体
集積回路の回路構成である。図11において、114
1、1142はトライステート素子であり、1111、
1112は各々トライステート素子1141、1142
の制御信号であり、1101、1102は各々トライス
テート素子のデータ入力信号である。1121はスキャ
ンテスト中であることを示すスキャンモード信号であ
り、1122はスキャンテストのシフト動作中であるこ
とを示すシフトモード信号であり、1130は、トライ
ステート素子1141、1142の出力が接続されたバ
ス信号線であり、1160はバス信号補助回路であり、
1170は、前記バス信号補助回路1160のバス接続
端子(後述)の動作に関わるバス信号補助回路制御信号
である。前記バス信号補助回路1160は、スキャンモ
ード信号1121とバス信号補助回路制御信号1170
とにより電気的状態を決定されるバス接続端子1161
を有している。
FIG. 11 shows a circuit configuration of a semiconductor integrated circuit according to the fourth embodiment. In FIG. 11, 114
1, 1142 are tri-state elements;
Reference numerals 1112 denote tri-state elements 1141 and 1142, respectively.
, And 1101 and 1102 are data input signals of the tri-state elements, respectively. Reference numeral 1121 denotes a scan mode signal indicating that a scan test is being performed. Reference numeral 1122 denotes a shift mode signal indicating that a shift operation is being performed in the scan test. Reference numeral 1130 denotes an output of the tri-state elements 1141 and 1142. A bus signal line; 1160, a bus signal auxiliary circuit;
Reference numeral 1170 denotes a bus signal auxiliary circuit control signal related to the operation of a bus connection terminal (described later) of the bus signal auxiliary circuit 1160. The bus signal auxiliary circuit 1160 includes a scan mode signal 1121 and a bus signal auxiliary circuit control signal 1170.
Bus connection terminal 1161 whose electrical state is determined by
have.

【0085】また、1171は、バス信号補助回路制御
信号1170を出力するフリップフロップであり、通常
データ入力端子D、スキャンデータ入力端子DT、入力
データ切替え端子NT、クロック端子CK、出力端子Q
を有し、入力データ切替え端子NTが論理値“0”のと
き通常データ入力を、論理値が“1”のときスキャンデ
ータを選択する。通常入力端子は出力端子と接続され、
入力データ切替え端子NTはシフトモード信号と接続さ
れる。
Reference numeral 1171 denotes a flip-flop for outputting a bus signal auxiliary circuit control signal 1170. The flip-flop 1171 includes a normal data input terminal D, a scan data input terminal DT, an input data switching terminal NT, a clock terminal CK, and an output terminal Q.
When the input data switching terminal NT has the logical value “0”, the normal data input is selected, and when the logical value is “1”, the scan data is selected. Normally, the input terminal is connected to the output terminal,
Input data switching terminal NT is connected to a shift mode signal.

【0086】更に、1181、1182はスキャンチェ
インの一部を構成する信号線であり、信号線1181
は、スキャンチェイン上の前段のフリップフロップの出
力端子と接続され、信号線1182は、スキャンチェイ
ン上の後段のフリップフロップのスキャンイン端子と接
続される。バス信号補助回路1160は、第3の実施の
形態で説明した図9又は図10に示す内部構成の回路を
使用する。
Further, reference numerals 1181 and 1182 denote signal lines constituting a part of the scan chain.
Is connected to the output terminal of the preceding flip-flop on the scan chain, and the signal line 1182 is connected to the scan-in terminal of the subsequent flip-flop on the scan chain. As the bus signal auxiliary circuit 1160, the circuit having the internal configuration shown in FIG. 9 or FIG. 10 described in the third embodiment is used.

【0087】次に、本実施の形態の半導体集積回路の動
作を説明する。
Next, the operation of the semiconductor integrated circuit of this embodiment will be described.

【0088】トライステート制御信号1111に係る
“0”縮退故障を検出するためのテストパターンを作成
する場合、先ず、トライステート制御信号1111には
論理値“1”が印加され、トライステート制御信号11
12には論理値“0”が印加されるように、テストパタ
ーンを作成する。
To create a test pattern for detecting a stuck-at-0 fault related to the tristate control signal 1111, first, a logical value “1” is applied to the tristate control signal 1111 and the tristate control signal 1111 is applied.
A test pattern is created so that a logical value “0” is applied to the reference numeral 12.

【0089】次に、データ信号1101がそのテストパ
ターンにより論理値“0”となる場合、トライステート
制御信号1111の故障を検出するためには、バス信号
補助回路制御信号1170を、端子1161がプルアッ
プとなる論理とする必要がある。図9に示すバス信号補
助回路を用いた場合、バス信号補助回路制御信号117
0は、論理値“0”とする。
Next, when the data signal 1101 has a logical value “0” according to the test pattern, the bus signal auxiliary circuit control signal 1170 and the terminal 1161 are pulled to detect the failure of the tristate control signal 1111. The logic must be up. When the bus signal auxiliary circuit shown in FIG. 9 is used, the bus signal auxiliary circuit control signal 117
0 is a logical value “0”.

【0090】前記制御を実現するために、バス信号補助
回路制御信号用フリップフロップ1171には、シフト
動作により論理値“0”を設定する。本フリップフロッ
プ1171の値は、スキャンテスト時以外では使用しな
いので、スキャンテスト時以外では論理値は“0”又は
“1”の何れの値でも構わない。
In order to realize the above control, the logical value “0” is set to the bus signal auxiliary circuit control signal flip-flop 1171 by a shift operation. Since the value of the flip-flop 1171 is not used except during the scan test, the logical value may be either “0” or “1” except during the scan test.

【0091】(第5の実施の形態)次に、第5の実施の
形態について図12、図13に基づき説明する。
(Fifth Embodiment) Next, a fifth embodiment will be described with reference to FIGS.

【0092】図12は第5の実施の形態に係る半導体集
積回路の回路構成である。図12において、1241、
1242はトライステート素子であり、1211、12
12は各々トライステート素子1241、1242の通
常動作時の制御信号であり、1201、1202は各々
トライステート素子のデータ入力信号である。125
1、1252は、トライステート素子の制御信号をシフ
トモード信号により操作するためのトライステート制御
回路であり、図7の内部構成を持つ。
FIG. 12 shows a circuit configuration of a semiconductor integrated circuit according to the fifth embodiment. In FIG. 12, 1241,
Reference numeral 1242 denotes a tri-state element.
Reference numeral 12 denotes a control signal during normal operation of the tri-state elements 1241 and 1242, and reference numerals 1201 and 1202 denote data input signals of the tri-state elements. 125
Reference numerals 1 and 1252 denote tristate control circuits for operating a control signal of the tristate element by a shift mode signal, and have an internal configuration shown in FIG.

【0093】1221はスキャンテスト中であることを
示すスキャンモード信号であり、1222はスキャンテ
ストのシフト動作中であることを示すシフトモード信号
であり、1230は、トライステート素子1241、1
242の出力が接続されたバス信号線であり、1260
はバス信号補助回路であり、1270は、前記バス信号
補助回路1260のバス接続端子(後述)の動作に関わ
るバス信号補助回路制御信号である。前記バス信号補助
回路1260は、前記スキャンモード信号1221とバ
ス信号補助回路制御信号1270とにより電気的状態を
決定されるバス接続端子1261を有している。
Reference numeral 1221 denotes a scan mode signal indicating that a scan test is being performed. Reference numeral 1222 denotes a shift mode signal indicating that a scan test shift operation is being performed.
242 is a bus signal line to which the output is connected, and 1260
Is a bus signal auxiliary circuit, and 1270 is a bus signal auxiliary circuit control signal related to the operation of a bus connection terminal (described later) of the bus signal auxiliary circuit 1260. The bus signal auxiliary circuit 1260 has a bus connection terminal 1261 whose electrical state is determined by the scan mode signal 1221 and the bus signal auxiliary circuit control signal 1270.

【0094】1271は、バス信号補助回路制御信号1
270を出力するフリップフロップであり、通常データ
入力端子D、スキャンデータ入力端子DT、入力データ
切替え端子NT、クロック端子CK、出力端子Qを有
し、入力データ切替え端子NTが論理値“0”のとき通
常データ入力を、論理値が“1”のときスキャンデータ
を選択する。通常入力端子は出力端子と接続され、入力
データ切替え端子NTはシフトモード信号と接続され
る。
1271 is a bus signal auxiliary circuit control signal 1
270, which has a normal data input terminal D, a scan data input terminal DT, an input data switching terminal NT, a clock terminal CK, and an output terminal Q. The input data switching terminal NT has a logical value "0". At this time, the normal data input is selected, and when the logical value is "1", the scan data is selected. Usually, the input terminal is connected to the output terminal, and the input data switching terminal NT is connected to the shift mode signal.

【0095】1281、1282はスキャンチェインの
一部を構成する信号線であり、信号線1281はスキャ
ンチェイン上の前段のフリップフロップの出力端子と接
続され、信号線1282はスキャンチェイン上の後段の
フリップフロップのスキャンイン端子と接続される。
Reference numerals 1281 and 1282 denote signal lines constituting a part of the scan chain. The signal line 1281 is connected to the output terminal of the preceding flip-flop on the scan chain, and the signal line 1282 is connected to the subsequent flip-flop on the scan chain. Connected to the scan-in terminal of the

【0096】図13は、第5の実施の形態に係るバス信
号補助回路1260の内部構成である。図13におい
て、1301はスキャンモード信号であり、1302は
バス接続端子であり、1303はバス信号補助回路制御
信号であり、1304は、シフトモード信号である。1
305、1308、1309は論理反転素子、130
6、1310は論理積素子であり、1307は論理和素
子である。
FIG. 13 shows the internal configuration of a bus signal auxiliary circuit 1260 according to the fifth embodiment. In FIG. 13, reference numeral 1301 denotes a scan mode signal, 1302 denotes a bus connection terminal, 1303 denotes a bus signal auxiliary circuit control signal, and 1304 denotes a shift mode signal. 1
305, 1308, 1309 are logical inversion elements, 130
6 and 1310 are AND elements, and 1307 is an OR element.

【0097】1311は、ゲート端子の論理値が“0”
の時に導通状態となり、且つ図12のトライステート素
子1241、1242の出力部を構成するトランジスタ
よりサイズの小さいトランジスタからなるプルアップ素
子である。1312は、ゲート端子の論理値が“1”の
時に導通状態となり、且つ図12のトライステート素子
の出力部を構成するトランジスタよりサイズの小さいト
ランジスタからなるプルダウン素子である。
Reference numeral 1311 indicates that the logical value of the gate terminal is "0"
And a pull-up element formed of a transistor smaller in size than the transistors constituting the output portions of the tri-state elements 1241 and 1242 in FIG. Reference numeral 1312 denotes a pull-down element which is turned on when the logic value of the gate terminal is "1" and is made of a transistor smaller in size than the transistor constituting the output part of the tri-state element in FIG.

【0098】第5の実施の形態により、前記第4の実施
の形態の動作に加え、スキャンテストのシフト動作時
に、トライステート素子の出力がハイインピーダンスに
固定されると共に、バス信号補助回路1260のバス接
続端子1302の動作も、バス信号補助回路制御信号1
303の値に関わらず固定される。
According to the fifth embodiment, in addition to the operation of the fourth embodiment, the output of the tri-state element is fixed at a high impedance during the shift operation of the scan test, and the bus signal auxiliary circuit 1260 The operation of the bus connection terminal 1302 is also controlled by the bus signal auxiliary circuit control signal 1
It is fixed regardless of the value of 303.

【0099】その結果、本実施の形態では、シフト動作
時には、バス信号補助回路制御信号を出力するフリップ
フロップ1271の値がしばしば変化しても、バス信号
補助回路1260のバス接続端子1302の状態が変わ
らないので、不要な電流が流れることを防止できるとい
う効果を得る。
As a result, in the present embodiment, the state of the bus connection terminal 1302 of the bus signal auxiliary circuit 1260 changes during the shift operation even if the value of the flip-flop 1271 for outputting the bus signal auxiliary circuit control signal frequently changes. Since there is no change, an effect is obtained that unnecessary current can be prevented from flowing.

【0100】(第6の実施の形態)次に、第6の実施の
形態について図14から図18に基づき説明する。
(Sixth Embodiment) Next, a sixth embodiment will be described with reference to FIGS.

【0101】図14は、第6の実施の形態に係る半導体
集積回路の回路構成を示す。図14において、144
1、1442はトライステート素子であり、1411、
1412は各々トライステート素子1441、1442
の制御信号であり、1401、1402は各々トライス
テート素子のデータ入力信号である。1421はスキャ
ンテスト中であることを示すスキャンモード信号であ
り、1430はトライステート素子1441、1442
の出力が接続されたバス信号線であり、1460はバス
信号補助回路であり、1423はIddqテスト中であ
ることを示すIddqテストモード信号である。前記バ
ス信号補助回路1460は、前記スキャンモード信号1
241とIddqテストモード信号1423とにより電
気的状態を決定されるバス接続端子1461を有してい
る。
FIG. 14 shows a circuit configuration of a semiconductor integrated circuit according to the sixth embodiment. In FIG. 14, 144
1, 1442 are tri-state elements;
1412 are tri-state elements 1441 and 1442, respectively.
, And 1401 and 1402 are data input signals of the tri-state element. Reference numeral 1421 denotes a scan mode signal indicating that a scan test is being performed. Reference numeral 1430 denotes tri-state elements 1441 and 1442.
Is a bus signal line to which the output is connected, 1460 is a bus signal auxiliary circuit, and 1423 is an Iddq test mode signal indicating that an Iddq test is being performed. The bus signal auxiliary circuit 1460 controls the scan mode signal 1
241 and an Iddq test mode signal 1423 to determine an electrical state.

【0102】図15は、第6の実施の形態に係るバス信
号補助回路1460の内部構成を示す。図15におい
て、1501は、スキャンモード信号であり、1502
はバス接続端子であり、1503はIddqテストモー
ド信号である。また、1504は、ゲート端子の論理値
が“0”の時に導通状態となり、且つ図14のトライス
テート素子1441、1442の出力部を構成するトラ
ンジスタよりもサイズの小さいトランジスタからなるプ
ルアップ素子である。1505は電源である。1506
は論理反転素子、1507は論理和素子である。
FIG. 15 shows an internal configuration of a bus signal auxiliary circuit 1460 according to the sixth embodiment. In FIG. 15, reference numeral 1501 denotes a scan mode signal;
Is a bus connection terminal, and 1503 is an Iddq test mode signal. Reference numeral 1504 denotes a pull-up element which is turned on when the logic value of the gate terminal is "0" and is smaller in size than the transistors forming the output units of the tri-state elements 1441 and 1442 in FIG. . 1505 is a power supply. 1506
Is a logical inversion element, and 1507 is a logical sum element.

【0103】次に、本実施の形態の回路の動作について
説明する。
Next, the operation of the circuit of this embodiment will be described.

【0104】スキャンテスト時には、スキャンモード信
号は論理値“1”となり、スキャンテスト時以外ではス
キャンモード信号は論理値“0”となる。バス信号補助
回路1460のバス接続端子1502は、スキャンテス
ト時以外ではハイインピーダンスとなり、スキャンテス
ト時でも、Iddqテストモード時には、ハイインピー
ダンスとなり、Iddqテストモードではない時はプル
アップされる。
At the time of the scan test, the scan mode signal has a logical value “1”, and other than at the time of the scan test, the scan mode signal has a logical value “0”. The bus connection terminal 1502 of the bus signal auxiliary circuit 1460 has a high impedance except during the scan test, has a high impedance during the Iddq test mode even during the scan test, and is pulled up when not in the Iddq test mode.

【0105】次に、故障が起こっている場合について説
明する。
Next, a case where a failure has occurred will be described.

【0106】トライステート素子1541の制御端子が
“0”縮退故障となっている時、Iddqテスト時に
は、トライステート素子1541の制御端子を論理値
“1”、トライステート素子1542の制御端子を論理
値“0”、トライステート素子1541のデータ入力端
子を論理値“0”となるようにテストパターンを入力す
ると、バス信号線1530では、故障のない時、論理値
“0”に確定するのに対し、故障がある場合、ハイイン
ピーダンスとなる。その結果、バス信号線1530に入
力端子が接続するセルで貫通電流が流れ、故障が検出さ
れる。
When the control terminal of tri-state element 1541 has a stuck-at fault of “0”, the control terminal of tri-state element 1541 has a logical value of “1” and the control terminal of tri-state element 1542 has a logical value of “1” during the Iddq test. When a test pattern is input so that the logic value is “0” and the data input terminal of the tri-state element 1541 has a logic value “0”, the bus signal line 1530 determines the logic value “0” when there is no failure. If there is a failure, the impedance becomes high. As a result, a through current flows in the cell connected to the input terminal to the bus signal line 1530, and a failure is detected.

【0107】本実施の形態では、通常のスキャンテスト
では、Iddqテストモードが論理値として“0”とな
り、第1の実施の形態と同等の効果を得ることができ
る。更に、Iddqテストでは、故障によるハイインピ
ーダンスも検出することが可能となる。
In the present embodiment, in a normal scan test, the Iddq test mode becomes “0” as a logical value, and the same effect as in the first embodiment can be obtained. Further, in the Iddq test, high impedance due to a failure can be detected.

【0108】尚、本発明はバス信号補助回路の動作は、
スキャンテストモードでIddqテストモード時以外の
動作には依存しない。従って、第1の実施の形態で示し
た図3から図5の動作をする回路構成に、本実施の形態
と同等の変更を加えることにより、同等の効果を加える
ことができる。この場合のバス信号補助回路1460´
〜1460''' の内部構成を図16から図18に示す。
The operation of the bus signal auxiliary circuit according to the present invention is as follows.
The scan test mode does not depend on operations other than those in the Iddq test mode. Therefore, the same effect can be obtained by making a change equivalent to that of the present embodiment to the circuit configuration for performing the operations of FIGS. 3 to 5 shown in the first embodiment. The bus signal auxiliary circuit 1460 'in this case
To 1460 '''are shown in FIGS.

【0109】図16において、1601は、スキャンモ
ード信号であり、1602はバス接続端子であり、16
03はIddqテストモード信号である。1604はゲ
ート端子の論理値が“1”の時に導通状態となり、且つ
図14のトライステート素子の出力部を構成するトラン
ジスタよりサイズの小さいトランジスタからなるプルダ
ウン素子である。1605は接地である。1606は論
理反転素子、1607は論理積素子である。
In FIG. 16, reference numeral 1601 denotes a scan mode signal; 1602, a bus connection terminal;
03 is an Iddq test mode signal. Reference numeral 1604 denotes a pull-down element which is turned on when the logic value of the gate terminal is "1" and is made of a transistor smaller in size than the transistor constituting the output part of the tri-state element in FIG. Reference numeral 1605 denotes a ground. 1606 is a logical inversion element and 1607 is a logical product element.

【0110】また、図17において、1701は、スキ
ャンモード信号であり、1702はバス接続端子であ
り、1703はIddqテストモード信号である。17
04は、ゲート端子の論理値が“0”の時に導通状態と
なり、且つ図14のトライステート素子の出力部を構成
するトランジスタよりサイズの小さいトランジスタから
なるプルアップ素子である。1705は電源、170
6、1709は論理反転素子、1707は論理和素子で
ある。1708は、図14のトライステート素子の出力
部を構成するトランジスタよりサイズの小さいトランジ
スタからなるトライステート素子である。
In FIG. 17, reference numeral 1701 denotes a scan mode signal, 1702 denotes a bus connection terminal, and 1703 denotes an Iddq test mode signal. 17
Reference numeral 04 denotes a pull-up element which is made conductive when the logic value of the gate terminal is "0" and is smaller in size than the transistor constituting the output part of the tri-state element in FIG. 1705 is a power supply, 170
Reference numerals 6 and 1709 denote logical inversion elements, and reference numeral 1707 denotes a logical sum element. Reference numeral 1708 denotes a tri-state element composed of a transistor smaller in size than the transistor constituting the output section of the tri-state element in FIG.

【0111】加えて、図18において、1801はスキ
ャンモード信号であり、1802はバス接続端子であ
り、1803はIddqテストモード信号である。18
04は、ゲート端子の論理値が“1”の時に導通状態と
なり、且つ図14のトライステート素子の出力部を構成
するトランジスタよりサイズの小さいトランジスタから
なるプルダウン素子である。1805は接地、180
6、1808、1810は論理反転素子、1807は論
理積素子である。1709は、図14のトライステート
素子の出力部を構成するトランジスタよりサイズの小さ
いトランジスタからなるトライステート素子である。
In addition, in FIG. 18, 1801 is a scan mode signal, 1802 is a bus connection terminal, and 1803 is an Iddq test mode signal. 18
Reference numeral 04 denotes a pull-down element which is turned on when the logic value of the gate terminal is "1" and is made of a transistor smaller in size than the transistor constituting the output part of the tri-state element in FIG. 1805 is ground, 180
6, 1808 and 1810 are logical inversion elements, and 1807 is a logical AND element. Reference numeral 1709 denotes a tri-state element made of a transistor smaller in size than the transistor forming the output section of the tri-state element in FIG.

【0112】(第7の実施の形態)次に、第7の実施の
形態について図19から図21に基づき説明する。
(Seventh Embodiment) Next, a seventh embodiment will be described with reference to FIGS.

【0113】図19は第7の実施の形態に係る半導体集
積回路の回路構成を示す。図19において、1941、
1942はトライステート素子であり、1911、19
12は各々トライステート素子1941、1942の制
御信号であり、1901、1902は各々トライステー
ト素子のデータ入力信号である。また、1921はスキ
ャンテスト中であることを示すスキャンモード信号であ
り、1923はIddqテスト中であることを示すId
dqテストモード信号であり、1930はトライステー
ト素子1941、1942の出力が接続されたバス信号
線である。
FIG. 19 shows a circuit configuration of a semiconductor integrated circuit according to the seventh embodiment. In FIG. 19, 1941,
Reference numeral 1942 denotes a tri-state element.
Reference numeral 12 denotes a control signal for the tri-state elements 1941 and 1942, and reference numerals 1901 and 1902 denote data input signals of the tri-state elements. Reference numeral 1921 denotes a scan mode signal indicating that a scan test is being performed; and 1923, Id indicating that an Iddq test is being performed.
A dq test mode signal. Reference numeral 1930 denotes a bus signal line to which outputs of the tri-state elements 1941 and 1942 are connected.

【0114】1960はバス信号補助回路であり、19
70は前記バス信号補助回路1960のバス接続端子
(後述)の動作に関わるバス信号補助回路制御信号であ
る。前記バス信号補助回路1960は、スキャンモード
信号1921とバス信号補助回路制御信号1970によ
り電気的状態を決定されるバス接続端子1961を有し
ている。
Reference numeral 1960 denotes a bus signal auxiliary circuit.
Reference numeral 70 denotes a bus signal auxiliary circuit control signal related to the operation of a bus connection terminal (described later) of the bus signal auxiliary circuit 1960. The bus signal auxiliary circuit 1960 has a bus connection terminal 1961 whose electrical state is determined by the scan mode signal 1921 and the bus signal auxiliary circuit control signal 1970.

【0115】図20は、第7の実施の形態に係るバス信
号補助回路1960の内部構成を示す。図20におい
て、2001はスキャンモード信号であり、2002は
バス接続端子であり、2003はバス信号補助回路制御
信号である。2012は、Iddqテストモード信号、
2004、2006、2013は論理反転素子、200
5、2007、2014は論理積素子である。2008
は、ゲート端子の論理値が“0”の時に導通状態とな
り、且つ図19のトライステート素子1941、194
2よりもサイズの小さいトランジスタからなるプルアッ
プ素子である。2009は、ゲート端子の論理値が
“1”の時に導通状態となり、且つ図19のトライステ
ート素子1941、1942よりサイズの小さいトラン
ジスタからなるプルダウン素子である。
FIG. 20 shows an internal configuration of a bus signal auxiliary circuit 1960 according to the seventh embodiment. In FIG. 20, 2001 is a scan mode signal, 2002 is a bus connection terminal, and 2003 is a bus signal auxiliary circuit control signal. 2012 is an Iddq test mode signal,
2004, 2006, 2013 are logical inversion elements,
5, 2007, 2014 are AND elements. 2008
Are conductive when the logic value of the gate terminal is “0”, and the tri-state elements 1941 and 194 shown in FIG.
This is a pull-up element composed of a transistor having a size smaller than 2. Reference numeral 2009 denotes a pull-down element which is turned on when the logic value of the gate terminal is "1" and is composed of a transistor smaller in size than the tri-state elements 1941 and 1942 in FIG.

【0116】次に、本実施の形態の半導体集積回路の動
作について説明する。
Next, the operation of the semiconductor integrated circuit of the present embodiment will be described.

【0117】スキャンテスト時には、スキャンモード信
号は論理値“1”となり、スキャンテスト時以外ではス
キャンモード信号は論理値“0”となる。また、Idd
qテストモード信号は、Iddqテスト中は論理値
“1”となり、Iddqテスト時以外は論理値“0”と
なる。
At the time of the scan test, the scan mode signal has a logical value “1”, and other than at the time of the scan test, the scan mode signal has a logical value “0”. Also, Idd
The q test mode signal has a logical value “1” during the Iddq test, and has a logical value “0” except during the Iddq test.

【0118】バス信号補助回路1960のバス接続端子
2002は、スキャンテスト時以外及びIddqテスト
時はハイインピーダンスになり、スキャンテスト時で且
つIddqテスト時以外では、バス信号補助回路制御信
号1970に従い、バス信号補助回路制御信号1970
が論理値“1”であるときプルダウンされ、バス信号補
助回路制御信号が論理値“0”であるときプルアップさ
れる。
The bus connection terminal 2002 of the bus signal auxiliary circuit 1960 has a high impedance except during the scan test and during the Iddq test, and operates in accordance with the bus signal auxiliary circuit control signal 1970 during the scan test and other than during the Iddq test. Signal auxiliary circuit control signal 1970
Is pulled down when the logical value is “1”, and pulled up when the bus signal auxiliary circuit control signal is the logical value “0”.

【0119】第7の実施の形態では、Iddqテスト時
以外は第3の実施の形態と同じ動作をし、同じ効果が得
られる。加えて、スキャンテストのシフト動作を用いて
Iddqテストのための回路状態を作成した場合、スキ
ャンテスト中であっても、バス信号補助回路制御信号1
970によるバス接続端子2002の動作を無効とし、
このバス接続端子2002をハイインピーダンスとする
ことにより、スキャンテスト時に発生している貫通電流
を除き、Iddqテストを可能とする。
In the seventh embodiment, the same operation as in the third embodiment is performed except for the Iddq test, and the same effect is obtained. In addition, when the circuit state for the Iddq test is created by using the shift operation of the scan test, the bus signal auxiliary circuit control signal 1
970, the operation of the bus connection terminal 2002 is invalidated,
By setting the bus connection terminal 2002 to high impedance, the Iddq test can be performed except for the through current generated during the scan test.

【0120】図21は、図23に示すように、バス信号
線に、ハイインピーダンス時にはハイインピーダンスに
なる直前の値を保持する機能を持つ保持回路3010を
有している場合の第7の実施の形態に係るバス信号補助
回路1960´の異なる回路構成を示す図である。
FIG. 21 shows a seventh embodiment in which, as shown in FIG. 23, the bus signal line has a holding circuit 3010 having a function of holding a value immediately before high impedance at the time of high impedance. FIG. 21 is a diagram showing a different circuit configuration of a bus signal auxiliary circuit 1960 ′ according to the embodiment.

【0121】同図において、2101はスキャンモード
信号であり、2102はバス接続端子であり、2103
はバス信号補助回路制御信号であり、2115はIdd
qテストモード信号である。2104、2106、21
08、2110、2116は論理反転素子であり、21
05、2107、2117は論理積素子であり、211
8は論理和素子である。2109は図19のトライステ
ート素子1941、1942の出力部を構成するトラン
ジスタよりも小さいサイズのトランジスタで構成された
トライステート素子である。2112は、ゲートの論理
値が“1”の時に導通状態になり、且つ図19のトライ
ステート素子の出力部を構成するトランジスタに比べサ
イズの小さいトランジスタである。2114は接地であ
る。トランジスタ2112及び接地2114により、プ
ルダウン素子を構成する。
In the figure, reference numeral 2101 denotes a scan mode signal; 2102, a bus connection terminal;
Is a bus signal auxiliary circuit control signal, and 2115 is Idd
q Test mode signal. 2104, 2106, 21
08, 2110 and 2116 are logic inversion elements,
05, 2107, and 2117 are AND elements;
8 is an OR element. Reference numeral 2109 denotes a tri-state element formed of a transistor having a size smaller than that of the transistors forming the output units of the tri-state elements 1941 and 1942 in FIG. Reference numeral 2112 denotes a transistor which is turned on when the logic value of the gate is "1" and is smaller in size than the transistor constituting the output portion of the tri-state element in FIG. 2114 is a ground. The transistor 2112 and the ground 2114 form a pull-down element.

【0122】また、2111は、ゲートの論理値が
“0”の時に導通状態になり、且つ図19のトライステ
ート素子1941、1942の出力部を構成するトラン
ジスタに比べ小さいサイズのトランジスタである。21
13は電源である。トランジスタ2111及び電源21
13により、プルアップ素子を構成する。
Reference numeral 2111 denotes a transistor which becomes conductive when the logic value of the gate is "0", and is smaller in size than the transistors constituting the output portions of the tri-state elements 1941 and 1942 in FIG. 21
13 is a power supply. Transistor 2111 and power supply 21
13 constitutes a pull-up element.

【0123】更に、トライステート素子2109及び論
理反転素子2110により、バス信号線1930の値を
再出力する保持回路を構成している。トライステート素
子2109をスキャンモード信号2101で制御するこ
とにより、スキャンテスト時以外でのみバス接続端子2
102からバス信号線の論理値を再出力して、トライス
テート素子1941、1942がハイインピーダンスに
なった時にも、バス信号線1930の論理値を保持する
機能を有する。
Further, the holding circuit for re-outputting the value of the bus signal line 1930 is constituted by the tri-state element 2109 and the logical inversion element 2110. By controlling the tri-state element 2109 with the scan mode signal 2101, the bus connection terminal 2 can be controlled only during the scan test.
The logic value of the bus signal line is re-outputted from 102, and the logic value of the bus signal line 1930 is held even when the tri-state elements 1941 and 1942 become high impedance.

【0124】本回路構成を用いることにより、スキャン
テスト時に図20の回路構成と同等の効果を有し、且つ
Iddqテスト時においては、バス信号線の値を保持す
る回路が動作しないように設定するので、トライステー
ト素子の制御に関わる故障が存在する時、Iddqテス
トにより故障の検出が可能となる。
By using this circuit configuration, the same effect as that of the circuit configuration of FIG. 20 can be obtained at the time of the scan test, and the circuit holding the value of the bus signal line is set not to operate at the time of the Iddq test. Therefore, when there is a fault related to the control of the tri-state element, the fault can be detected by the Iddq test.

【0125】尚、本発明では、トライステート素子と
は、制御信号により出力がハイインピーダンスになるも
のであれば、その回路構成は問わない。従って、図24
に示すようなパストランジスタを用いたセレクタ回路に
対しても、本発明は同等の効果を得ることができる。
In the present invention, the circuit configuration of the tri-state element is not limited as long as its output becomes high impedance by a control signal. Therefore, FIG.
The present invention can also obtain the same effect for a selector circuit using a pass transistor as shown in FIG.

【0126】[0126]

【発明の効果】以上説明したように、請求項1から請求
項10記載の半導体集積回路によれば、1個以上のトラ
イステート素子が接続するバス信号線を、バス信号補助
回路を用いて、スキャンテスト時に限りプルアップ又は
プルダウンさせるので、故障によりバス信号線がハイイ
ンピーダンスにある場合であっても、このバス信号線の
値を“1”又は“0”に確定させることができる。従っ
て、従来では疑似的にしか検査できなかったトライステ
ート素子の制御端子の故障、及び制御端子に接続される
回路の故障を確実に検証することができる。しかも、ス
キャンテスト時以外では、前記バス信号線をハイインピ
ーダンスにしたので、貫通電流が流れることを抑えるこ
とができ、スキャンテスト時以外での消費電力の増大を
抑制することができる。
As described above, according to the semiconductor integrated circuit of the present invention, a bus signal line to which one or more tri-state elements are connected is formed by using a bus signal auxiliary circuit. Since the pull-up or pull-down is performed only during the scan test, the value of the bus signal line can be determined to be “1” or “0” even when the bus signal line has a high impedance due to a failure. Therefore, it is possible to reliably verify the failure of the control terminal of the tri-state element and the failure of the circuit connected to the control terminal, which have been conventionally only simulated. Moreover, since the bus signal lines are set to the high impedance state except during the scan test, it is possible to suppress the flow of the through current and to suppress an increase in power consumption other than during the scan test.

【0127】特に、請求項5及び請求項6記載の発明の
半導体集積回路によれば、スキャンテスト時以外の時に
おいて、トライステート素子が全てハイインピーダンス
になった時には、バス信号線の電気的状態を保持回路に
よりその直前の論理値に保持したので、貫通電流が流れ
ることを防止できる。
In particular, according to the semiconductor integrated circuit according to the fifth and sixth aspects of the present invention, when all the tri-state elements become high impedance except during the scan test, the electrical state of the bus signal line is changed. Is held at the logic value immediately before by the holding circuit, so that a through current can be prevented from flowing.

【0128】更に、請求項7記載の発明の半導体集積回
路によれば、スキャンテストにおけるシフト動作に、ト
ライステート素子の制御信号を常にハイインピーダンス
にしたので、そのシフト動作時には、同一バス信号上の
複数個のトライステート素子が相互に異なる論理値を出
力することを防止できる。
Furthermore, according to the semiconductor integrated circuit of the present invention, the control signal of the tri-state element is always set to high impedance in the shift operation in the scan test. It is possible to prevent a plurality of tri-state elements from outputting mutually different logic values.

【0129】加えて、請求項8から請求項10記載の発
明の半導体集積回路によれば、スキャンテスト時にバス
信号線をプルアップするか又はプルダウンするかを、バ
ス信号補助回路制御信号により切換可能としたので、故
障がある場合のバス信号線の論理値を正常状態とは異な
る論理値にすることが可能であり、故障の検出率の向上
を計ることができる。
In addition, according to the semiconductor integrated circuit of the present invention, whether to pull up or pull down the bus signal line at the time of the scan test can be switched by the bus signal auxiliary circuit control signal. Therefore, it is possible to set the logical value of the bus signal line to a logical value different from the normal state when there is a failure, and it is possible to improve the failure detection rate.

【0130】特に、請求項10記載の発明の半導体集積
回路によれば、バス信号補助回路制御信号をスキャンテ
スト時のシフト動作で設定可能としたので、バス信号補
助回路制御信号の生成回路をフリップフロップ一個で構
成でき、回路構成を簡易にできると共に、スキャンテス
ト用のパターンの作成が容易になる。
In particular, according to the semiconductor integrated circuit of the present invention, the bus signal auxiliary circuit control signal can be set by the shift operation at the time of the scan test. This makes it possible to simplify the circuit configuration and facilitate the creation of scan test patterns.

【0131】また、請求項11ないし請求項15記載の
発明の半導体集積回路によれば、スキャンテスト時にバ
ス信号線をプルアップ又はプルダウンさせる動作を、I
ddqテスト時には停止させたので、スキャンテストを
使用してIddqテストを行う場合には、貫通電流が流
れることを確実に抑えて、そのIddqテストを行うこ
とを可能にできる効果を奏する。
According to the semiconductor integrated circuit of the present invention, the operation of pulling up or pulling down the bus signal line at the time of the scan test is performed by the I
Since the test is stopped at the time of the ddq test, when the Iddq test is performed by using the scan test, it is possible to suppress the flow of the through current and to perform the Iddq test.

【図面の簡単な説明】[Brief description of the drawings]

【図1】本発明の第1の実施の形態の半導体集積回路の
構成を示す図である。
FIG. 1 is a diagram showing a configuration of a semiconductor integrated circuit according to a first embodiment of the present invention.

【図2】同実施の形態のバス信号補助回路の内部構成の
第1の例を示す図である。
FIG. 2 is a diagram illustrating a first example of an internal configuration of the bus signal auxiliary circuit according to the embodiment;

【図3】同実施の形態のバス信号補助回路の内部構成の
第2の例を示す図である。
FIG. 3 is a diagram illustrating a second example of the internal configuration of the bus signal auxiliary circuit according to the embodiment;

【図4】同実施の形態のバス信号補助回路の内部構成の
第3の例を示す図である。
FIG. 4 is a diagram illustrating a third example of the internal configuration of the bus signal auxiliary circuit according to the embodiment;

【図5】同実施の形態のバス信号補助回路の内部構成の
第4の例を示す図である。
FIG. 5 is a diagram illustrating a fourth example of the internal configuration of the bus signal auxiliary circuit according to the embodiment;

【図6】本発明の第2の実施の形態の半導体集積回路の
構成を示す図である。
FIG. 6 is a diagram showing a configuration of a semiconductor integrated circuit according to a second embodiment of the present invention.

【図7】同実施の形態のトライステート制御回路の内部
構成を示す図である。
FIG. 7 is a diagram showing an internal configuration of the tri-state control circuit of the embodiment.

【図8】本発明の第3の実施の形態の半導体集積回路の
構成を示す図である。
FIG. 8 is a diagram illustrating a configuration of a semiconductor integrated circuit according to a third embodiment of the present invention.

【図9】同実施の形態のバス信号補助回路の内部構成の
第1の例を示す図である。
FIG. 9 is a diagram showing a first example of the internal configuration of the bus signal auxiliary circuit of the embodiment.

【図10】同実施の形態のバス信号補助回路の内部構成
の第2の例を示す図である。
FIG. 10 is a diagram showing a second example of the internal configuration of the bus signal auxiliary circuit of the embodiment.

【図11】本発明の第4の実施の形態の半導体集積回路
の構成を示す図である。
FIG. 11 is a diagram illustrating a configuration of a semiconductor integrated circuit according to a fourth embodiment of the present invention.

【図12】本発明の第5の実施の形態の半導体集積回路
の構成を示す図である。
FIG. 12 is a diagram illustrating a configuration of a semiconductor integrated circuit according to a fifth embodiment of the present invention.

【図13】同実施の形態のバス信号補助回路の内部構成
を示す図である。
FIG. 13 is a diagram showing an internal configuration of a bus signal auxiliary circuit of the embodiment.

【図14】本発明の第6の実施の形態の半導体集積回路
の構成を示す図である。
FIG. 14 is a diagram illustrating a configuration of a semiconductor integrated circuit according to a sixth embodiment of the present invention.

【図15】同実施の形態のバス信号補助回路の内部構成
の第1の例を示す図である。
FIG. 15 is a diagram showing a first example of the internal configuration of the bus signal auxiliary circuit of the embodiment.

【図16】同実施の形態のバス信号補助回路の内部構成
の第2の例を示す図である。
FIG. 16 is a diagram showing a second example of the internal configuration of the bus signal auxiliary circuit of the embodiment.

【図17】同実施の形態のバス信号補助回路の内部構成
の第3の例を示す図である。
FIG. 17 is a diagram illustrating a third example of the internal configuration of the bus signal auxiliary circuit according to the embodiment;

【図18】同実施の形態のバス信号補助回路の内部構成
の第4の例を示す図である。
FIG. 18 is a diagram illustrating a fourth example of the internal configuration of the bus signal auxiliary circuit according to the embodiment;

【図19】本発明の第7の実施の形態の半導体集積回路
の構成を示す図である。
FIG. 19 is a diagram showing a configuration of a semiconductor integrated circuit according to a seventh embodiment of the present invention.

【図20】同実施の形態のバス信号補助回路の内部構成
の第1の例を示す図である。
FIG. 20 is a diagram showing a first example of the internal configuration of the bus signal auxiliary circuit of the embodiment.

【図21】同実施の形態のバス信号補助回路の内部構成
の第2の例を示す図である。
FIG. 21 is a diagram showing a second example of the internal configuration of the bus signal auxiliary circuit of the embodiment.

【図22】従来の半導体集積回路の構成を示す図であ
る。
FIG. 22 is a diagram showing a configuration of a conventional semiconductor integrated circuit.

【図23】保持回路を有する従来の半導体集積回路の構
成を示す図である。
FIG. 23 is a diagram showing a configuration of a conventional semiconductor integrated circuit having a holding circuit.

【図24】パストランジスタ回路を用いたセレクタ回路
の構成を示す図である。
FIG. 24 is a diagram illustrating a configuration of a selector circuit using a pass transistor circuit.

【図25】トライステート素子の入力が所定の論理値に
固定された半導体集積回路の構成を示す図である。
FIG. 25 is a diagram showing a configuration of a semiconductor integrated circuit in which an input of a tristate element is fixed to a predetermined logical value

【符号の説明】[Explanation of symbols]

130 バス信号線 141、142 トライステート素子 121 スキャンモード信号 160 バス信号補助回路 161 バス接続端子 621 スキャンモード信号 622 シフトモード信号 651、652 トライステート制御回路 660 バス信号補助回路 821 スキャンモード信号 860 バス信号補助回路 870 バス信号補助回路制御信号 1121 スキャンモード信号 1122 シフトモード信号 1160 バス信号補助回路 1170 バス信号補助回路制御信号 1171 バス信号補助回路制御信号用フ
リップフロップ 1181、1182 スキャンチェーン 1221 スキャンモード信号 1222 シフトモード信号 1251、1252 トライステート制御回路 1260 バス信号補助回路 1270 バス信号補助回路制御信号 1171 バス信号補助回路制御信号用フ
リップフロップ 1281、1282 スキャンチェーン 1421 スキャンモード信号 1423 Iddqテストモード信号 1460 バス信号補助回路 1921 スキャンモード信号 1923 Iddqテストモード信号 1960 バス信号補助回路 1970 バス信号補助回路制御信号
130 bus signal line 141, 142 tri-state element 121 scan mode signal 160 bus signal auxiliary circuit 161 bus connection terminal 621 scan mode signal 622 shift mode signal 651, 652 tri-state control circuit 660 bus signal auxiliary circuit 821 scan mode signal 860 bus signal Auxiliary circuit 870 Bus signal auxiliary circuit control signal 1121 Scan mode signal 1122 Shift mode signal 1160 Bus signal auxiliary circuit 1170 Bus signal auxiliary circuit control signal 1171 Flip-flop for bus signal auxiliary circuit control signal 1181, 1182 Scan chain 1221 Scan mode signal 1222 Shift Mode signal 1251, 1252 Tri-state control circuit 1260 Bus signal auxiliary circuit 1270 Bus signal auxiliary circuit control signal 1171 Bus signal auxiliary circuit control signal flip-flops 1281 and 1282 Scan chain 1421 Scan mode signal 1423 Iddq test mode signal 1460 Bus signal auxiliary circuit 1921 Scan mode signal 1923 Iddq test mode signal 1960 Bus signal auxiliary circuit 1970 Bus signal auxiliary circuit control signal

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.6 識別記号 FI H01L 21/82 T (72)発明者 山田 晃弘 大阪府門真市大字門真1006番地 松下電器 産業株式会社内──────────────────────────────────────────────────続 き Continued on the front page (51) Int.Cl. 6 Identification code FI H01L 21/82 T (72) Inventor Akihiro Yamada 1006 Kazuma, Kadoma City, Osaka Prefecture Matsushita Electric Industrial Co., Ltd.

Claims (15)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】 トライステート素子を有する半導体集積
回路であって、 前記トライステート素子のうち1個以上のトライステー
ト素子の出力が接続されるバス信号線と、 テスト中であることを示すテストモード信号と、 前記テストモード信号により電気的状態が決定されるバ
ス接続端子を有するバス信号補助回路とを有し、 前記バス信号補助回路のバス接続端子は前記バス信号線
に接続されることを特徴とする半導体集積回路。
1. A semiconductor integrated circuit having a tri-state element, comprising: a bus signal line to which an output of one or more of the tri-state elements is connected; and a test mode indicating that a test is being performed. A signal, and a bus signal auxiliary circuit having a bus connection terminal whose electrical state is determined by the test mode signal, wherein a bus connection terminal of the bus signal auxiliary circuit is connected to the bus signal line. Semiconductor integrated circuit.
【請求項2】 テストモード信号は、スキャンテスト中
であることを示すスキャンモード信号であることを特徴
とする請求項1記載の半導体集積回路。
2. The semiconductor integrated circuit according to claim 1, wherein the test mode signal is a scan mode signal indicating that a scan test is being performed.
【請求項3】 前記バス信号補助回路は、 スキャンモード信号が出力されたスキャンテスト中であ
る時、バス接続端子をプルアップし、 前記スキャンモード信号が出力されないスキャンテスト
中でない時、前記バス接続端子をハイインピーダンスと
することを特徴とする請求項2記載の半導体集積回路。
3. The bus signal auxiliary circuit pulls up a bus connection terminal during a scan test in which a scan mode signal is output, and connects the bus connection when the scan test in which the scan mode signal is not output is not performed. 3. The semiconductor integrated circuit according to claim 2, wherein the terminal has a high impedance.
【請求項4】 前記バス信号補助回路は、 スキャンモード信号が出力されたスキャンテスト中であ
る時、バス接続端子をプルダウンし、 前記スキャンモード信号が出力されないスキャンテスト
中でない時、前記バス接続端子をハイインピーダンスと
することを特徴とする請求項2記載の半導体集積回路。
4. The bus signal auxiliary circuit pulls down a bus connection terminal during a scan test in which a scan mode signal is output, and the bus connection terminal in a scan test in which the scan mode signal is not output. 3. The semiconductor integrated circuit according to claim 2, wherein is a high impedance.
【請求項5】 前記バス信号補助回路は、 スキャンモード信号が出力されたスキャンテスト中であ
る時、バス接続端子をプルアップすると共に、 保持回路を有し、この保持回路は、前記スキャンモード
信号が出力されないスキャンテスト中でない時、トライ
ステート素子により決定されたバス信号線の論理値と同
じ論理値を、前記バス接続端子から、前記トライステー
ト素子の出力部の駆動能力よりも弱い駆動能力で出力す
ることを特徴とする請求項2記載の半導体集積回路。
5. The bus signal auxiliary circuit pulls up a bus connection terminal during a scan test in which a scan mode signal is output, and has a holding circuit. When a scan test is not being performed, the same logical value as the logical value of the bus signal line determined by the tri-state element is output from the bus connection terminal with a driving capability weaker than the driving capability of the output unit of the tri-state element. 3. The semiconductor integrated circuit according to claim 2, wherein the signal is output.
【請求項6】 前記バス信号補助回路は、 スキャンモード信号が出力されたスキャンテスト中であ
る時、バス接続端子をプルダウンすると共に、 保持回路を有し、この保持回路は、前記スキャンモード
信号が出力されないスキャンテスト中でない時、トライ
ステート素子により決定されたバス信号線の論理値と同
じ論理値を、前記バス接続端子から、前記トライステー
ト素子の出力部の駆動能力よりも弱い駆動能力で出力す
ることを特徴とする請求項2記載の半導体集積回路。
6. The bus signal auxiliary circuit pulls down a bus connection terminal during a scan test in which a scan mode signal is output, and has a holding circuit. When the scan test is not performed, the same logical value as the logical value of the bus signal line determined by the tri-state element is output from the bus connection terminal with a drive capability weaker than the drive capability of the output unit of the tri-state element when the scan test is not being performed. 3. The semiconductor integrated circuit according to claim 2, wherein:
【請求項7】 スキャンテストのシフト動作中であるこ
とを示すシフトモード信号と、 前記シフトモード信号が出力されたスキャンテストのシ
フト動作中に、前記シフトモード信号に基いて、トライ
ステート素子の出力がハイインピーダンスとなるように
前記トライステート素子を制御するトライステート制御
回路とを備えたことを特徴とする請求項2記載の半導体
集積回路。
7. A shift mode signal indicating that a shift operation of a scan test is being performed, and an output of a tri-state element based on the shift mode signal during a shift operation of the scan test to which the shift mode signal is output. 3. The semiconductor integrated circuit according to claim 2, further comprising a tri-state control circuit that controls the tri-state element so that the tri-state element has a high impedance.
【請求項8】 バス信号補助回路は、 前記バス接続端子が、前記スキャンモード信号に加え
て、バス信号補助回路制御信号によっても、電気的状態
を決定され、 前記スキャンモード信号が出力されたスキャンテスト中
である時、前記バス信号補助回路制御信号により、前記
バス接続端子の電気的状態をプルアップ又はプルダウン
に切換えることを特徴とする請求項2記載の半導体集積
回路。
8. The scan in which the bus connection terminal has an electrical state determined by a bus signal auxiliary circuit control signal in addition to the scan mode signal, and wherein the scan mode signal is output. 3. The semiconductor integrated circuit according to claim 2, wherein an electrical state of the bus connection terminal is switched between pull-up and pull-down according to the bus signal auxiliary circuit control signal during a test.
【請求項9】 前記バス信号補助回路は、 保持回路を有し、この保持回路は、前記スキャンモード
信号が出力されないスキャンテスト中でない時、トライ
ステート素子により決定されたバス信号線の論理値と同
じ論理値を、前記バス接続端子から、前記トライステー
ト素子の出力部の駆動能力よりも弱い駆動能力で出力す
ることを特徴とする請求項8記載の半導体集積回路。
9. The bus signal auxiliary circuit includes a holding circuit. The holding circuit is configured to store a logical value of a bus signal line determined by a tri-state element when a scan test in which the scan mode signal is not output is not performed. 9. The semiconductor integrated circuit according to claim 8, wherein the same logical value is output from the bus connection terminal with a driving capability weaker than a driving capability of an output unit of the tri-state element.
【請求項10】 前記バス信号補助回路制御信号を出力
するフリップフロップを備え、 前記フリップフロップはスキャンチェイン上に配置され
ることを特徴とする請求項8記載の半導体集積回路。
10. The semiconductor integrated circuit according to claim 8, further comprising a flip-flop that outputs the bus signal auxiliary circuit control signal, wherein the flip-flop is arranged on a scan chain.
【請求項11】 トライステート素子を有する半導体集
積回路であって、 前記トライステート素子のうち1個以上のトライステー
ト素子の出力が接続されるバス信号線と、 テスト中であることを示すテストモード信号と、 Iddqテスト中であることを示すIddqテストモー
ド信号と、 前記テストモード信号及び前記Iddqテストモード信
号により電気的状態が決定されるバス接続端子を有する
バス信号補助回路とを有し、 前記バス信号補助回路のバス接続端子は前記バス信号線
に接続されることを特徴とする半導体集積回路。
11. A semiconductor integrated circuit having a tri-state element, comprising: a bus signal line to which an output of one or more of the tri-state elements is connected; and a test mode indicating that a test is being performed. A signal, an Iddq test mode signal indicating that an Iddq test is being performed, and a bus signal auxiliary circuit having a bus connection terminal whose electrical state is determined by the test mode signal and the Iddq test mode signal. A semiconductor integrated circuit, wherein a bus connection terminal of a bus signal auxiliary circuit is connected to the bus signal line.
【請求項12】 テストモード信号は、スキャンテスト
中であることを示すスキャンモード信号であることを特
徴とする請求項11記載の半導体集積回路。
12. The semiconductor integrated circuit according to claim 11, wherein the test mode signal is a scan mode signal indicating that a scan test is being performed.
【請求項13】 前記バス信号補助回路は、 前記スキャンモード信号が出力されたスキャンテスト中
で、且つ前記Iddqテストモード信号が出力されない
Iddqテスト中でない時、前記バス接続端子をプルア
ップし、 前記スキャンモード信号が出力されないスキャンテスト
中でない時、又は前記Iddqテストモード信号が出力
されたIddqテスト中である時、前記バス接続端子を
ハイインピーダンスとすることを特徴とする請求項12
記載の半導体集積回路。
13. The bus signal auxiliary circuit pulls up the bus connection terminal during a scan test in which the scan mode signal is output and when not in an Iddq test in which the Iddq test mode signal is not output. 13. The bus connection terminal is set to high impedance during a scan test in which a scan mode signal is not output or during an Iddq test in which the Iddq test mode signal is output.
A semiconductor integrated circuit as described in the above.
【請求項14】 前記バス信号補助回路は、 前記スキャンモード信号が出力されたスキャンテスト中
で、且つ前記Iddqテストモード信号が出力されない
Iddqテスト中でない時、前記バス接続端子をプルダ
ウンし、 前記スキャンモード信号が出力されないスキャンテスト
中でない時、又は前記Iddqテストモード信号が出力
されたIddqテスト中である時、前記バス接続端子を
ハイインピーダンスとすることを特徴とする請求項12
記載の半導体集積回路。
14. The bus signal auxiliary circuit pulls down the bus connection terminal during a scan test in which the scan mode signal is output and not in an Iddq test in which the Iddq test mode signal is not output. 13. The bus connection terminal is set to high impedance during a scan test in which a mode signal is not output or during an Iddq test in which the Iddq test mode signal is output.
A semiconductor integrated circuit as described in the above.
【請求項15】 前記バス信号補助回路は、 保持回路を有し、この保持回路は、前記スキャンモード
信号が出力されないスキャンテスト中でない時で、且つ
前記Iddqテストモード信号が出力されないIddq
テスト中でない時、トライステート素子により決定され
たバス信号線の論理値と同じ論理値を、前記バス接続端
子から、前記トライステート素子の出力部の駆動能力よ
りも弱い駆動能力で出力することを特徴とする請求項1
2記載の半導体集積回路。
15. The bus signal auxiliary circuit has a holding circuit, which is not in the scan test in which the scan mode signal is not output and in which the Iddq test mode signal is not output.
When the test is not being performed, outputting the same logical value as the logical value of the bus signal line determined by the tri-state element from the bus connection terminal with a driving capability weaker than the driving capability of the output unit of the tri-state element. Claim 1.
3. The semiconductor integrated circuit according to item 2.
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KR20110016035A (en) * 2009-08-10 2011-02-17 삼성전자주식회사 Semiconductor device for comprising level shifter, display device and method for operating the same

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