JPH11513978A

JPH11513978A - パクリタクセルの、その前駆物質化合物からの合成及びその製造方法

Info

Publication number: JPH11513978A
Application number: JP9502252A
Authority: JP
Inventors: ジェイ．システィ，ニコラス; エス．スウィンデル，チャールズ; シー．チャンダー，マドハビ
Original assignee: ナプロバイオセラピューティクス，インコーポレイテッド; ブリンモーアーカレッジ
Priority date: 1995-06-07
Filing date: 1996-06-07
Publication date: 1999-11-30
Also published as: EP0832080A4; CA2222989A1; US5675025A; DE69617425D1; EA000436B1; ATE209640T1; AU6113196A; AU706406B2; EA199800031A1; DE69617425T2; EP0832080B1; GEP19991748B; EP0832080A1; EP0832080B9; WO1996040667A1

Abstract

(57)【要約】適当に保護された側鎖酸でエステル化される保護バケイティンIII 主構造体を用いたタクソールの半合成。

Description

【発明の詳細な説明】パクリタクセルの、その前駆物質化合物からの合成及びその製造方法〔技術分野〕本発明は、保護されたバケイティン(baccatin)III 主構造体(backbone)を用いたタクソール(taxol)の半合成であって、その主構造体を適当に保護された側鎖酸でエステル化し、中間体を形成し、然る後、その中間体をアシル化し、脱保護してパクリタクセル(paclitaxel)を製造する、タクソールの半合成に関する。〔背景技術〕タクソール、最近では「パクリタクセル」として文献の中で言及されている化合物は、幾つかの異なった種類の腫瘍の化学療法用として認可されており、臨床実験では、パクリタクセルは広い範囲の抗白血病の効力及び腫瘍抑制活性を期待できるものであることが示されている。パクリタクセルは、天然に産出するタクサンジテルペノイド(taxane diterpenoid)で、次の式を有する：パクリタクセル分子は、イチイ(yew)(Taxaceae科、Taxus 属)の幾つかの種類の中に見出されているが、この化合物の濃度は非常に低い。勿論パクリタクセル化合物は、バケイティンIII 主構造体を基にして構成されており、バケイティン III 、セファロマニン(cephalomanine)、１０−デアセチルバケイティンIII 等のような種々の他のタクサン(taxane)化合物が存在し、その幾つかはイチイの木から高い収率で一層容易に抽出される。有機科学者は、パクリタクセル分子を合成しようとしてかなりの時間及び資源を費やしている。パクリタクセルの部分的合成には、キラル、非ラセミ側鎖及び誘導体を得る便利な方法、バケイティンIII 又はそれに密接に関連したジテルペノイド物質の豊富な天然原料、及びそれら二つを結合する有効な手段を必要とする。これら二つの単位のエステル化は困難である。なぜなら、バケイティンIII の立体障害を持つＣ−１３ヒドロキシルが、半球状のタクサン骨格の凹型領域内に位置しているからである。例えば、グリーネ(Greene)及びゲリッテ・ベーゲレイン(Gueritte-Voegelein)は、パクリタクセルの１回の部分的合成で１００時間後に僅か５０％の転化率しか報告していない。J．Am．Chem．Soc.,110，5917(19 88)。イチイ中に存在する種々のタクサンから誘導された天然産バケイティンIII 主構造体のＣ−１３位置に、Ａ−環側鎖を結合することによるパクリタクセルの半合成により、パクリタクセル化合物のかなりの量を作り出す有望な経路が提案されている。デニス(Denis)その他による、「天然タクソールに対する極めて効果的な実際的方法」(Highly Efficient，Practical Approach to Natural Taxol) 、Journal of the American Chemical Society，p．5917(1988)参照。この論文には１０−デアセチルバケイティンIII からのパクリタクセルの部分的合成が記載されている。「タクソールの製造方法」と題する、デニスその他による１９９８年５月８日公告された米国特許第４，９２９，０１１号明細書には、（２Ｒ、３Ｓ）側鎖酸（Ｃ２′の所のヒドロキシ保護基で保護されている）を、タクサンバケイティン III （Ｃ７の所でヒドロキシ保護基により保護されている）と縮合することによりパクリタクセルを半合成することが記載されている。縮合生成物は、後で処理してヒドロキシ保護基を除去する。バケイティンIII 主構造体のヒドロキシ保護基は、例えばトリメチルシリルラジカル又はトリアルキルシリルラジカルである。パクリタクセルの別の半合成が、スウィンデル(Swindell)その他による係属中の米国特許出願ＳｅｒｉａｌＮｏ．０８／３５７，５０７明細書に記載されている。この出願には、Ｃ３′窒素がカルバメートとして保護されている異なった側鎖との縮合によりバケイティンIII 主構造体からパクリタクセルを半合成することが記載されている。スウィンデルのＡ−環側鎖はベンジルオキシカルボニル（ＣＢＺ）で保護されているのが好ましい。エステル化後、ＣＢＺ保護基を除去し、ＰｈＣＯで置換することによりパクリタクセルを生ずる。この方法は、デニスその他により記載されている方法よりも高い収率を与える。スウィンデルその他によるＳｅｒｉａｌＮｏ．０８／３５７，５０７では、好ましい遮蔽用基は、トリクロロエトキシメチル又はトリクロロエトキシカルボニルであるように選択されている。しかし、ベンジルオキシメチル（ＢＯＭ）が、３−フェニルイソセリン側鎖のための可能な側鎖ヒドロキシル保護基として記載されているが、そこに記載されている方法によれば、ＢＯＭ保護基は、結合した３−フェニルイソセリン側鎖中の一層障害を受けたＣ−２′ヒドロキシルから除去することは出来なかった。そのため、ＢＯＭ保護側鎖を使用することについては、広範に研究されることはなかった。コリン(Colin)その他による１９９０年５月８日に公告された米国特許第４，９２４，０１２号明細書には、バケイティンIII 又は１０−デアセチルバケイティンIII の誘導体と酸との縮合、及び保護基を後で水素により除去することにより、バケイティンIII 及び１０−デアセチルバケイティンIII の誘導体を製造する方法が記載されている。タクソテアー(TAXOTERE)〔ローン・プーラン・サンテ (Rhone-Poulenc Sante)により登録された商標名〕及び関連した化合物の幾つかの合成が次の文献に報告されている。Journal of Organic Chemistry:51，46(19 86); 55，1957(1990);56，1681(1991);56，6939(1991);57，4320(1992);57，638 7(1992);及び58,255（1993）。また、ホルトン(Holton)による１９９１年５月１４日に公告された米国特許第５，０１５，７４４号明細書には、そのような合成が記載されている。〔発明の開示〕本発明の目的は、後でパクリタクセルへ転化することができる、保護バケイティンIII 骨格構造体へ、保護Ａ−環側鎖パクリタクセル前駆物質を結合するための有効で効率的な新規な方法を与えることにある。本発明の別な目的は、アシル化及び脱保護を組合せた後、パクリタクセルを生ずる保護バケイティンIII 主構造体と縮合することができるパクリタクセル−類似Ａ−環側鎖を含む種々の前駆物質化合物を製造する方法を与えることにある。本発明の更に別な目的は、パクリタクセルの半合成のための効率的でコスト的に有効な方法を与えることにある。本発明によれば、Ｎ−ＣＢＺ保護、Ｃ−２′ベンジル保護（２Ｒ、３Ｓ）−３ −フェニルイソセリンＡ−環側鎖、その後で結合縮合生成物は種々の脱保護及びアシル化を受け、パクリタクセルを形成する。本発明によれば、一般式：（式中、Ｐ₁は水素化可能なベンジル保護基である。）を有する中間体からパクリタクセルを製造する方法は、Ａ−環側鎖の窒素位置で中間体化合物を脱保護及びアシル化し、ＣＢＺ保護基をＰｈＣＯで置き換える工程を有する。次にその方法は、Ｃ−７ＴＥＳバケイティンIII 主構造体をＣ−７の所で脱保護し、ＴＥＳ保護基を水素で置換し、Ｃ−２′位置の所で側鎖を脱保護し、Ｐ₁を水素で置き換えることを含んでいる。この方法は、Ｎ−ＣＢＺ保護、Ｃ−２′ベンジル保護（２Ｒ、３Ｓ）−３−フェニルイソセリン側鎖をＣ−７ＴＥＳ保護バケイティンIII タクサンと縮合し、中間体を形成し、然る後、脱保護及びアシル化する工程を含んでいる。Ｃ−７の部位の所で脱保護してＴＥＳ保護基を除去するのは、水素化可能なＣ −２′ベンジル保護基を除去する前に行うのが好ましい。ここで、側鎖窒素を脱保護及びアシル化する工程は、ＴＥＳ保護基を除去するためにＣ−７の所で脱保護する工程の前に行う。別法として、Ｃ−７部位の所の脱保護は、側鎖窒素の脱保護及びアシル化をする工程の前に行う。Ｃ−７の所でＴＥＳ保護基を除去するための脱保護工程は、フッ化水素酸の存在下でアセトニトリル中で行われるのが好ましい。ここに記載した一つの方法によれば、窒素部位の所の側鎖を脱保護し、アシル化する工程を、イソプロパノール中に中間体化合物を溶解し、然る後、パールマン触媒と水素化雰囲気中で混合し、第一混合物を形成し、然る後、その第一混合物を減量して残渣にし、その残渣を溶媒及び第三級アミン塩基中に残渣を取り込み、それに塩化ベンジルを次に添加することにより達成する。ここで、溶媒は、酢酸エチル及びトルエンからなる群から選択し、第三級アミン塩基はトリエチルアミンであるのが好ましい。本発明のこれら及び他の目的は、典型的な態様についての次の詳細な記載を考慮することにより容易に認められ、理解されるであろう。〔典型的態様についての詳細な説明〕本発明の開示は、広く、パクリタクセル、その中間体及び前駆物質の効率的な製造を行うための化学的方法に関する。詳しくは、本発明は、Ｃ−２′の所に水素化可能なベンジル保護基を有する（適当に保護された）３−フェニルイソセリン酸をエステル化して７−Ｏ−保護したバケイティンIII のＣ−１３ヒドロキシルにすることにより、パクリタクセルを半合成することに関する。特に、本発明は、Ｃ−７部位でトリエチルシリル（ＴＥＳ）保護を用いている。ここに記載する一般的方法には、Ｃ−７ＴＥＳバケイティンIII の製造、Ｃ−２′の所に水素化可能なベンジル保護基を有する適当に保護された３−フェニルイソセリン酸の製造、二つの化合物の縮合、及び縮合生成物を次に脱保護基及びアシル化してパクリタクセルを形成することが含まれる。Ａ．Ｃ−７ＴＥＳ保護バケイティンIII の製造本発明の典型的な態様によれば、パクリタクセルの半合成の出発点としてバケイティンIII 主構造体を与えることが必要であり、その主構造体にはパクリタクセル類似側鎖が結合していてもよい。本発明によれば、この主構造体は、ＴＥＳ保護基で、Ｃ−７部位の所で保護されている基本的バケイティンIII 主構造体の形をしているのが好ましい。特に、式：の反応中間体を与えるのが望ましい。上記式の化合物は、今後ＴＥＳ保護バケイティンIII として言及し、その製造は、文献に記載されている種々の経路により達成することができる。そのような経路の一つはデニスその他による、「天然タクソールに対する極めて効果的な実際的方法」、Journal of the American Chemical Society，p．591 7(1988)に記載されている。ここでは、１０−デアセチルバケイティンIII を先ずＣ−７ＴＥＳ保護１０−デアセチルバケイティンIII に転化し、次にそのＣ− ７ＴＥＳ保護１０−デアセチルバケイティンIII を、Ｃ−１０の位置でその化合物をアセチル化することによりＣ−７ＴＥＳ保護バケイティンIII へ転化する。Ｃ−７ＴＥＳ保護１０−デアセチルバケイティンIII は、次の反応により達成される：反応Ｉここで、１０−デアセチルバケイティンIII を大過剰のＴＥＳ−Ｃｌ及びピリジンと反応させ、Ｃ−７ＴＥＳ保護１０−デアセチルバケイティンIII を形成する。その生成物を次に過剰の塩化アセチル及びピリジンを用いてアシル化し、Ｃ− ７ＴＥＳバケイティンIII を生成させる。別法として、Ｃ−７ＴＥＳ保護バケイティンIII は、カント(Kant)その他による「１０−デアセチルバケイティンIII 合成のＣ−１０位置を官能性化する化学的選択的方法及び新規なＣ−１０タクソール類似物の生物学的性質」(A Chemo S elective Approach To Functionalize the C-10 Position of 10-deacetylbacca tin III Synthesis and Biological Properties of Novel C-10 Taxol Analogs) 、Tetrahedron Letters，Vol．35，No．31，TP5543-5546（1994）に記載された手順に従って効率的に製造することができる。この論文に記載されているように、Ｃ−７ＴＥＳ保護Ｃ−１０ヒドロキシバケイティンIII は、次の反応に従って得ることができる：反応II ここで、窒素雰囲気中、１０−デアセチルバケイティンIII をジメチルホルムアミド（ＤＭＦ）に入れた溶液へ、撹拌しながらイミダゾールを添加する。次に塩化トリエチルシリル（ＴＥＳ−Ｃｌ）を、約５分間に亙り滴下する。得られた溶液を３時間撹拌するか、又はさもなければ穏やかにかき混ぜ、その後で混合物を水でクエンチ(guench)し、ジエチルエーテル又はメチルｔ−ブチルエーテルで２回抽出し、一緒にした有機物を混合し、水で４回洗浄し、塩水で１回洗浄した。有機相と水性相を次に分離し、有機相を真空中で乾燥、減量して粗製固体を形成する。この粗製固体を次に酢酸エチル／ヘキサンにより再結晶化し、Ｃ−１０ヒドロキシＣ−７ＴＥＳバケイティンIII を生成させる。次にそのＣ−１０ヒドロキシＣ−７ＴＥＳバケイティンIII をアシル化して、次の反応に従いＣ−７ＴＥＳバケイティンIII を生成させる：反応III Ｃ−１０ヒドロキシＣ−７ＴＥＳバケイティンIII を無水テトラヒドロフラン（ＴＨＦ）中に溶解し、その溶液を窒素雰囲気中−２０℃より低い温度へ冷却する。ｎ−ブチルリチウム（ヘキサン中１．６Ｍ）を滴下し、混合物をその低くした温度で約５分間撹拌する。次に塩化アセチルを滴下し、混合物を５分間に亙り０ ℃へ暖め、次にその温度で約１時間撹拌する。次に混合物を水でクエンチし、真空中で減量し、然る後、残渣を酢酸エチル中に取り込み、水で１回洗浄し、次に塩水で洗浄した。次に有機相を真空中で乾燥、減量し、残渣を酢酸エチル／ヘキサンで再結晶化し、白色の固体としてＣ−７ＴＥＳバケイティンIII を生成させることができる。選択した求電子剤はＡｃＣｌである。この論文では９０％の収率が報告されている。勿論、別法として、Ｃ−７ＴＥＳ保護バケイティンIII は、１０−デアセチルバケイティンIII からの転化について上に記載した経路の代わりに、バケイティンIII から直接製造することができる。Ｂ．Ｎ−カルバメート保護Ｃ−２′ヒドロキシル−ベンジル保護（２Ｒ、３Ｓ）３−フェニルイソセリンＡ−環側鎖の製造本発明によるパクリタクセルの半合成に必要な第二の前駆物質は、一般式：（式中、Ｒ₁は、アルキル、オレフィン、又は芳香族ＰｈＣＨ₂であり、Ｐ₁は水素化可能なベンジル保護基である）を有するＮ−カルバメート保護Ｃ−２′ヒドロキシル−ベンジル保護（２Ｒ、３Ｓ）フェニルイソセリン側鎖である。好ましい水素化可能なベンジル保護基は、ベンジルオキシメチル（ＢＯＭ）保護基であるが、ベンジルを含めた他の水素化可能なベンジル保護基も同様に適していると考えられる。好ましいＮ−カルバメート保護基はベンジルオキシカルボニル（ＣＢＺ）である。希望の側鎖を形成するための出発化合物は、（２Ｒ、３Ｓ）−３−フェニルイソセリンエチルエステルであり、反応：反応IV によりＮ−ＣＢＺ保護（２Ｒ、３Ｓ）−３−フェニルイソセリンエチルエステルを生ずる。ここで、（２Ｒ、３Ｓ）−３−フェニルイソセリンエチルエステルを、別法として、等部のジエチルエーテル：水か、又は等部のメチルｔ−ブチルエーテル：水中に溶解し、その溶液を０℃へ冷却する。次に炭酸ナトリウムをその溶液へ添加し、ベンジルクロロフォルメートを約５分間に亙り滴下し、得られた混合物を０℃で約１時間撹拌する。１時間撹拌した後、次に溶液を水中に注入し、希望に応じ、塩化メチレン又は酢酸エチルで抽出する。有機相を分離し、真空中で乾燥、減量して残渣にした。次にその残渣を酢酸エチル：ヘキサンにより再結晶化し、次の式を有するＮ−ＣＢＺ保護（２Ｒ、３Ｓ）−３−フェニルイソセリンエチルエステルを生ずる：Ｎ−ＣＢＺ保護（２Ｒ、３Ｓ）−３−フェニルイソセリンエチルエステルを、次に幾つかのやり方で水素化可能なベンジル保護基で保護する。例えば、希望の水素化可能なベンジル保護側鎖への一つの経路は次の通りである：反応Ｖここで、ＣＢＺ保護（２Ｒ、３Ｓ）−３−フェニルイソセリンエチルエステルを、窒素雰囲気中で無水ＴＨＦ中に溶解し、−４０℃又は−７８℃のような低温へ、例えば、ドライアイス／アセトン浴中で冷却し、次にｎ−ブチルリチウムのようなアルキルリチウム剤を滴下するが、アルキルリチウム剤は直鎖アルキルであるのが望ましい。いずれにせよ反応は０℃以下の温度で行うのが最もよい。得られた混合物を約１０分間撹拌する。次に塩化ベンジルオキシメチル（ＢＯＭ− Ｃｌ）を約５分間に亙り滴下し、その低下した温度で混合物を約２〜５時間撹拌する。然る後、溶液を−０℃へ暖め、水でクエンチする。得られた混合物を真空中で減量して残渣にし、この残渣を次に酢酸エチル中に取り込み、水及び塩水で洗浄する。次に有機相を真空中で乾燥、減量し、残渣を酢酸エチル：ヘキサンにより再結晶化し、或は酢酸エチル：ヘキサンでクロマトグラにかけ、次の化合物を与える：式５による化合物を製造する別の経路は、次のようにして達成される。化合物Ｎ−ＣＢＺ（２Ｒ、３Ｓ）−３−フェニルイソセリンエチルエステルを無水塩化メチレン中に溶解する。然る後、ジイソプロピルエチルアミンのような第三級アミン塩基をＢＯＭ−Ｃｌと一緒に添加し、混合物を２４時間還流する。この反応経路はＮ−ＣＢＺ保護Ｃ−２′［ヒドロキシル］保護（２Ｒ、３Ｓ）−３−フェニルイソセリンエチルエステルを生ずるが、反応の進行は、上で述べた好ましい経路よりも遥かに遅い。どちらの場合でも、得られた式５の保護（２Ｒ、３Ｓ）−３−フェニルイソセリンエチルエステル化合物は、次の反応によりＮ−ＣＢＺ保護Ｃ−２′Ｏ−ＢＯＭ−保護（２Ｒ、３Ｓ）フェニルイソセリン中間体ヒドロキシルへ簡単に転化することができる。反応VI ここで、保護（２Ｒ、３Ｓ）−３−フェニルイソセリンエチルエステルを、エタノール／水（比率８：１）中に溶解する。その溶液に水酸化リチウム（又は他の適当なアルカリ水酸化物）を添加し、得られた混合物を約３時間撹拌して化合物を鹸化する。次にその混合物を酸性化し（１ＮのＨＣｌ）、酢酸エチルで抽出する。得られた有機相を分離し、真空中で乾燥、減量する。次に残留酸を分離し、更に精製することなくそのまま使用する。これにより一般式：を有する希望の側鎖を生ずる。ベンジル自身は、ＢＯＭの代わりに用いることができる水素化可能なベンジル保護基の別の例である。式：の化合物は、従って、上述のように、反応：反応VII により反応Ｖ中のＢＯＭ−Ｃｌの代わりに臭化ベンジルに置き換えて製造する。ここでＣＢＺ保護（２Ｒ、３Ｓ）−３−フェニルイソセリンエチルエステルを窒素雰囲気中で無水ＴＨＦ中に溶解し、−４０℃又は−７８℃のような低温へ、例えば、ドライアイス／アセトン浴中で冷却し、次にｎ−ブチルリチウムのようなアルキルリチウム剤を滴下するが、アルキルリチウム剤は直鎖アルキルであるのが望ましい。得られた混合物を約１０分間撹拌する。次に臭化ベンジル（ＢｎＢｒ）を約５分間に亙り滴下し、その低下した温度で混合物を約２〜５時間撹拌する。然る後、溶液を−０℃へ暖め、水でクエンチする。得られた混合物を真空中で減量して残渣にし、この残渣を次に酢酸エチル中に取り込み、水及び塩水で洗浄する。次に有機相を真空中で乾燥、減量し、残渣を酢酸エチル：ヘキサンにより再結晶化し、或は酢酸エチル：ヘキサンでクロマトグラにかけ、式１０の化合物を与えることができる。別法として、式７の化合物は、反応：反応VIII により得ることもできる。ここで、Ｎ₂中で、無水ＤＭＦ中へＮａＨを入れた撹拌溶液へ、ＤＭＦ中に溶解した式４の化合物を、５分間に亙り添加した。次に混合物を０℃で半時間撹拌した。その後で、臭化ベンジル（１．１当量）を５分間に亙り滴下し、反応を２時間撹拌した。次に混合物をＨ₂Ｏでクエンチした。然る後、ジエチルエーテル及びメチルｔ−ブチルの選択した一方を添加した。次に有機相をＨ₂Ｏで４回洗浄し、塩水で洗浄し、次に真空中で乾燥、減量し、式１０の化合物を生成した。次に式７の化合物を、上記反応VIの方法により次の化合物：へ容易に転化することができる。Ｃ．Ｃ−７ＴＥＳ保護バケイティンIII 及び側鎖との縮合式６（又は式８）として上で指定した側鎖の外、Ｃ−７ＴＥＳ保護バケイティンIII を、今度は、同様に種々の経路により縮合することができる。一つの例として、この縮合は次の反応により８０℃でトルエン中でジイソプロピルカルボジイミド及びジメチルアミノピリジン（ＤＭＡＰ）の存在下で進行させることができる：反応IX ここで、Ｃ−７ＴＥＳ保護バケイティンIII （１当量）及び式９の酸側鎖（６当量）をトルエン中に溶解する。この混合物に、ＤＭＡＰ（２当量）及びジイソプロピルカルボジイミド（６当量）を添加し、得られた混合物を８０℃に３〜５時間加熱する。しかし、ジイソプロピルカルボジイミドの代わりに他のジアルキルカルボジイミドに置き換えてもよいことに注意すべきであり、一つの例はジシクロヘキシルカルボジイミド（ＤＣＣ）である。次に、その溶液を０℃へ冷却し、この温度で２４時間保持する。この時間が終わった後、それを濾過し、残留物をエチルエーテル又はメチルｔ−ブチルエーテルで濯ぐ。次に一緒にした有機物を塩酸（５％）、水、及び最後に塩水で洗浄する。有機相を分離し、真空中で乾燥、減量する。得られた残渣を、次に酢酸エチル：ヘキサン中に溶解し、シリカゲルプラグ上で溶離する。次に溶離物を真空中で減量し、次の化合物を与える：Ｄ．パクリタクセルを形成するための脱保護基及びアシル化式９による化合物を、今度は、ＣＢＺ保護基を除去し、側鎖をアシル化し、ＴＥＳ保護基を除去し、水素化可能なベンジル保護基を除去することによりパクリタクセルへ転化することができる。ここで、幾つかの便利な経路が判明しているが、一般に水素化可能なベンジル保護基を有するＣ−２′部位を脱保護する前に、ＴＥＳ保護基を除去することによりＣ−７部位を脱保護することが必要である。もしＴＥＳ保護基を最初に除去しないと、後の処理工程で水素化可能な保護基を除去するのは、よくても困難になると考えられている。いずれにせよ、パクリタクセルを製造する好ましい経路は、次の反応によりＣＢＺ保護基を先ず除去することである：１．パールマン触媒、１気圧、Ｈ₂、ｉＰｒＯＨ２．塩化ベンゾイル、ＥｉＯＡｃ、ＴＥＡ反応Ｘここで、式９の結合生成物をイソプロパノール中に溶解し、それにパールマン触媒(Pearlman's catalyst)を添加する。得られた混合物を水素１気圧中で２４時間撹拌する。然る後、混合物を珪藻土により濾過し、真空中で減量し、残渣にする。残渣を次に酢酸エチル又はトルエン中に取り込み、トリエチルアミンのような第三級アミン塩基を添加する。塩化ベンゾイルを滴下し、混合物を２時間撹拌する。次に得られた混合物を希釈ＮａＨＣＯ₃、水、及び最後に塩水で洗浄する。得られた有機相を次に分離し、真空中で乾燥、減量し、ＣＢＺ脱保護／アシル化した化合物を生成する：次に、式１０の化合物を次の反応によりＣ−７の所で脱保護する：反応XI ここで、式１０の化合物を０℃でアセトニトリル（ＣＨ₃ＣＮ）中に溶解する。次にフッ化水素酸（４０％水溶液）を添加し、混合物を０℃に維持しながら１０時間撹拌器する。然る後、混合物を酢酸エチルで希釈し、飽和ＮａＨＣＯ₃、水、及び最後に塩水で洗浄する。有機相を分離し、真空中で乾燥、減量し、次の式によるＣ−７位置で脱保護された生成物を生成する：最後に、式１１の化合物をＣ−２′のところで脱保護し、水素化可能なベンジル（ＢＯＭ）保護基を除去し、Ｃ−２′ヒドロキシ基を遊離し、それによって希望のパクリタクセルを生ずる。これは次の反応に従って達成される：反応XII 別法として、式９の化合物を、先ず０℃でＣＨ₃ＣＮ中に溶解し、フッ化水素酸（４０％水溶液）を添加して、ＴＥＳ保護基を除去することによりＣ−７部位でその化合物を脱保護する。これにより次の式による化合物をもたらす：次に、ＣＢＺ保護基を、上で述べたやり方と同様なやり方で除去することができる。ここで、式１５の化合物をイソプロパノール中に溶解し、パールマン触媒をトリフルオロ酢酸（ＴＦＡ）（１当量）と一緒に添加する。混合物を室温で４０ｐｓｉの水素中に約４日間維持する。これによりＣＢＺ保護基を除去し、ＴＦＡ塩としてＣ−２′ＢＯＭ保護パクリタクセル化合物を形成する。混合物を珪藻土により濾過し、真空中で減量する。次に、その残留物に塩基＋アシル化剤を添加する。特にＣ−２′ＢＯＭ保護化合物のＴＦＡ塩をピリジン中に溶解し、塩化ベンジル又は無水安息香酸を添加する。得られた生成物は次の通りである：式１３の化合物をイソプロピルアルコール中に溶解し、パール(Parr)瓶中に入れ、パールマン触媒を添加する。混合物を４０ｐｓｉの水素で２４時間水素化する。然る後、混合物を珪藻土で濾過し、溶離物を真空中で減量する。次に残渣を希望の方法によりカラムクロマトグラフにかけ、或は酢酸エチル：ヘキサンにかけ再結晶化し、パクリタクセル最終生成物を得る。上述のように、本発明の典型的な態様に関連した或る程度特定のものについて本発明を記述してきた。しかし、本発明は、従来法に照らして解釈される次の請求の範囲により定義されるものであり、従って、そこに含まれる発明の概念から離れることなく、本発明の典型的な態様に修正又は変更を行えるものであることは認められるべきである。

【手続補正書】特許法第１８４条の８第１項【提出日】１９９７年１月７日【補正内容】差し替え文（原明細書第４頁第３行〜下から第１６行の翻訳文；原翻訳文第４頁第３行の「本発明によれば」から同頁下から第１３行の「含んでいる」までの記載と差し替える。）本発明によれば、一般式：（式中、Ｐ₁は水素化可能なベンジル保護基である。）を有する中間体からパクリタクセルを製造する方法は、Ａ−環側鎖の窒素位置で中間体化合物を脱保護及びアシル化し、ＣＢＺ保護基をＰｈＣＯで置き換える工程を有する。次にその方法は、Ｃ−７ＴＥＳバケイティンIII 主構造体をＣ−７の所で脱保護し、ＴＥＳ保護基を水素で置換し、Ｃ−２′位置の所で側鎖を脱保護し、Ｐ₁を水素で置き換えることを含んでいる。この方法は、Ｎ−ＣＢＺ保護、Ｃ−２′ベンジル保護（２Ｒ、３Ｓ）−３−フェニルイソセリン側鎖をＣ−７ＴＥＳ保護バケイティンIII タクサンと縮合し、中間体を形成し、然る後、脱保護及びアシル化する工程を含んでいる。請求の範囲１．一般式：（式中、Ｐ₁は水素化可能なベンジル保護基である。）を有する中間体化合物からパクリタクセルを製造する方法であって、Ａ−環側鎖の窒素位置の所で中間体化合物を脱保護及びアシル化してＣＢＺ保護基をＰｈＣＯで置き換え、Ｃ−２′位置の所で側鎖を脱保護してＰ₁をＨで置換し、Ｃ−７の所で脱保護してＴＥＳ保護基をＨで置き換える諸工程からなる、パクリタクセル製造方法。２．Ｃ−７での脱保護工程を、水素化可能なＣ−２′ベンジル保護基を除去する前に行う、請求項１に記載の方法。３．側鎖窒素を脱保護し、アシル化する工程を、Ｃ−７の所で脱保護する工程の前に行う、請求項２に記載の方法。４．Ｃ−７の所で脱保護する工程を、側鎖窒素を脱保護し、アシル化する工程の前に行う、請求項２に記載の方法。５．側鎖窒素を脱保護し、アシル化する工程を、式（ａ）の化合物をイソプロパノール中に溶解し、然る後、第一時間の間、水素雰囲気中でパールマン触媒を添加して第一混合物を形成し、次に前記第一混合物を減量して残渣とし、前記残渣を溶媒中に取り込み、第三級アミン塩基を添加し、然る後、塩化ベンゾイルを添加することにより達成する、請求項１に記載の方法。６．溶媒を酢酸エチル及びトルエンからなる群から選択する、請求項５に記載の方法。７．第三級アミン塩基がトリエチルアミンである、請求項５に記載の方法。

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (81)指定国ＥＰ(ＡＴ，ＢＥ，ＣＨ，ＤＥ，ＤＫ，ＥＳ，ＦＩ，ＦＲ，ＧＢ，ＧＲ，ＩＥ，ＩＴ，ＬＵ，ＭＣ，ＮＬ，ＰＴ，ＳＥ)，ＯＡ(ＢＦ，ＢＪ，ＣＦ，ＣＧ，ＣＩ，ＣＭ，ＧＡ，ＧＮ，ＭＬ，ＭＲ，ＮＥ，ＳＮ，ＴＤ，ＴＧ)，ＡＰ(ＫＥ，ＬＳ，ＭＷ，ＳＤ，ＳＺ，ＵＧ)，ＵＡ(ＡＭ，ＡＺ，ＢＹ，ＫＧ，ＫＺ，ＭＤ，ＲＵ，ＴＪ，ＴＭ)，ＡＬ，ＡＭ，ＡＴ，ＡＵ，ＢＢ，ＢＧ，ＢＲ，ＣＡ，ＣＮ，ＣＺ，ＥＥ，ＦＩ，ＧＥ，ＨＵ，ＩＬ，ＩＳ，ＪＰ，ＫＧ，ＫＰ，ＫＲ，ＬＫ，ＬＲ，ＬＴ，ＬＵ，ＬＶ，ＭＤ，ＭＧ，ＭＫ，ＭＮ，ＭＸ，ＮＯ，ＮＺ，ＰＬ，ＲＯ，ＲＵ，ＳＧ，ＳＩ，ＳＫ，ＴＲ，ＴＴ，ＵＡ，ＵＺ，ＶＮ (72)発明者システィ，ニコラスジェイ. アメリカ合衆国 19401 ペンシルバニア州ジェファーソンビル，フォレストアベニュー 450，アパートメント 204 (72)発明者スウィンデル，チャールズエス. アメリカ合衆国 19066 ペンシルバニア州メリオン，シラーアベニュー 613 (72)発明者チャンダー，マドハビシー. アメリカ合衆国 19010 ペンシルバニア州ローズモント，ランカスターアベニュー 1602，ナンバー 606

Claims

【特許請求の範囲】１．一般式：（式中、Ｐ₁は水素化可能なベンジル保護基である。）を有する中間体化合物からパクリタクセルを製造する方法であって、Ａ−環側鎖の窒素位置の所で中間体化合物を脱保護及びアシル化してＣＢＺ保護基をＰｈＣＯで置き換え、Ｃ−２′位置の所で側鎖を脱保護してＰ₁をＨで置換し、Ｃ−７の所で脱保護してＴＥＳ保護基をＨで置き換える諸工程からなる、パクリタクセル製造方法。２．Ｃ−７での脱保護工程を、水素化可能なＣ−２′ベンジル保護基を除去する前に行う、請求項１に記載の方法。３．側鎖窒素を脱保護し、アシル化する工程を、Ｃ−７の所で脱保護する工程の前に行う、請求項２に記載の方法。４．Ｃ−７の所で脱保護する工程を、側鎖窒素を脱保護し、アシル化する工程の前に行う、請求項２に記載の方法。５．側鎖窒素を脱保護し、アシル化する工程を、式（ａ）の化合物をイソプロパノール中に溶解し、然る後、第一時間の間、水素雰囲気中でパールマン触媒を添加して第一混合物を形成し、次に前記第一混合物を減量して残渣とし、前記残渣を溶媒中に取り込み、第三級アミン塩基を添加し、然る後、塩化ベンゾイルを添加することにより達成する、請求項１に記載の方法。６．溶媒を酢酸エチル及びトルエンからなる群から選択する、請求項５に記載の方法。７．第三級アミン塩基がトリエチルアミンである、請求項５に記載の方法。８．Ｃ−７の所で脱保護する工程を、フッ化水素酸の存在下でアセトニトリル中で達成する、請求項１に記載の方法。