JPH1140928A - 回路板 - Google Patents
回路板Info
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- JPH1140928A JPH1140928A JP19297597A JP19297597A JPH1140928A JP H1140928 A JPH1140928 A JP H1140928A JP 19297597 A JP19297597 A JP 19297597A JP 19297597 A JP19297597 A JP 19297597A JP H1140928 A JPH1140928 A JP H1140928A
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- Japan
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- semiconductor chip
- circuit board
- mounting
- adhesive
- insulating layer
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- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K1/00—Printed circuits
- H05K1/02—Details
- H05K1/0271—Arrangements for reducing stress or warp in rigid printed circuit boards, e.g. caused by loads, vibrations or differences in thermal expansion
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K3/00—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
- H05K3/30—Assembling printed circuits with electric components, e.g. with resistor
- H05K3/32—Assembling printed circuits with electric components, e.g. with resistor electrically connecting electric components or wires to printed circuits
- H05K3/34—Assembling printed circuits with electric components, e.g. with resistor electrically connecting electric components or wires to printed circuits by soldering
- H05K3/341—Surface mounted components
- H05K3/3431—Leadless components
- H05K3/3436—Leadless components having an array of bottom contacts, e.g. pad grid array or ball grid array components
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K3/00—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
- H05K3/46—Manufacturing multilayer circuits
- H05K3/4644—Manufacturing multilayer circuits by building the multilayer layer by layer, i.e. build-up multilayer circuits
- H05K3/4673—Application methods or materials of intermediate insulating layers not specially adapted to any one of the previous methods of adding a circuit layer
- H05K3/4676—Single layer compositions
Landscapes
- Electric Connection Of Electric Components To Printed Circuits (AREA)
- Manufacturing Of Printed Wiring (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】接続信頼性に優れた回路板を提供する。
【解決手段】実装用基板とそれに搭載された電子部品と
両者を固定する接着剤とからなる回路板であって、実装
用基板の表面に電子部品の接続電極に対応して形成され
た接続用ランドと該電子部品の接続電極とが直接電気的
に接続され、前記実装用基板が、内層絶縁層と、接続用
ランドを支える外層絶縁層とを有し、該外層絶縁層の熱
変形温度（ＡＳＴＭ Ｄ６４８）が、実装用基板とそれ
に搭載された電子部品とを固定する温度が１７０℃のと
きに、８０℃以上である回路板。
両者を固定する接着剤とからなる回路板であって、実装
用基板の表面に電子部品の接続電極に対応して形成され
た接続用ランドと該電子部品の接続電極とが直接電気的
に接続され、前記実装用基板が、内層絶縁層と、接続用
ランドを支える外層絶縁層とを有し、該外層絶縁層の熱
変形温度（ＡＳＴＭ Ｄ６４８）が、実装用基板とそれ
に搭載された電子部品とを固定する温度が１７０℃のと
きに、８０℃以上である回路板。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、実装用基板とそれ
に搭載された電子部品と両者を固定する接着剤とからな
る回路板に関する。
に搭載された電子部品と両者を固定する接着剤とからな
る回路板に関する。
【０００２】
【従来の技術】一般に、半導体チップをフェイスダウン
ボンディング方式により直接実装用基板に実装する方法
として、半導体チップの電極部分にはんだバンプを形成
し実装用基板にはんだ接続するフリップチップ方式や、
半導体チップに設けた突起電極に導電性接着剤を塗布し
実装用基板電極に接着する接続方法が用いられている。
ボンディング方式により直接実装用基板に実装する方法
として、半導体チップの電極部分にはんだバンプを形成
し実装用基板にはんだ接続するフリップチップ方式や、
半導体チップに設けた突起電極に導電性接着剤を塗布し
実装用基板電極に接着する接続方法が用いられている。
【０００３】また、半導体チップや電子部品と実装用基
板とを機械的な電極接続により電気的に接続する方法と
して、導電粒子を分散させた異方導電性接着剤がある。
この異方導電性接着剤は、接着フィルムを電子部品と電
極や回路の間に設け、加圧または加熱加圧手段を構じる
ことによって、両者の電極同士が電気的に接続されると
共に、隣接電極間の絶縁性を付与して、電子部品と回路
とが接着固定されるものである。この機械的な電極接続
による実装方法は、現在ガラス基板で適用されているほ
か、汎用性の高いガラスクロス補強樹脂製の配線板に適
用する検討が進められている。
板とを機械的な電極接続により電気的に接続する方法と
して、導電粒子を分散させた異方導電性接着剤がある。
この異方導電性接着剤は、接着フィルムを電子部品と電
極や回路の間に設け、加圧または加熱加圧手段を構じる
ことによって、両者の電極同士が電気的に接続されると
共に、隣接電極間の絶縁性を付与して、電子部品と回路
とが接着固定されるものである。この機械的な電極接続
による実装方法は、現在ガラス基板で適用されているほ
か、汎用性の高いガラスクロス補強樹脂製の配線板に適
用する検討が進められている。
【０００４】さらに，半導体チップ等の電子部品と実装
用基板とを機械的な電極接続により電気的に接続する方
法として、半導体チップの電極に金バンプを形成し，実
装用基板側の金電極と機械的に接触させると共に熱硬化
性もしくは光硬化性接着剤により保持固定化する方法も
提案されている。実装用基板として用いられるガラスク
ロス補強樹脂製の配線板は、配線密度に優れ、かつ経済
的に多層配線化でき、配線板材料としてもっとも一般的
に利用されている。
用基板とを機械的な電極接続により電気的に接続する方
法として、半導体チップの電極に金バンプを形成し，実
装用基板側の金電極と機械的に接触させると共に熱硬化
性もしくは光硬化性接着剤により保持固定化する方法も
提案されている。実装用基板として用いられるガラスク
ロス補強樹脂製の配線板は、配線密度に優れ、かつ経済
的に多層配線化でき、配線板材料としてもっとも一般的
に利用されている。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】従来のＦＲ−４グレー
ドのガラスクロス補強樹脂製配線板には、ガラスクロス
が補強材として入っていることから、表面に形成された
電極の表面は、ガラスクロスの織りに沿って周期的な凹
凸を有していた。また、電子部品の接続電極（バンプ
等）には、製造時の高さのばらつきがあった。したがっ
て、これらを接続する場合、接続電極及び配線板表面の
高さにばらつきが生じて接続信頼性が低下するという課
題があった。特に、熱衝撃等が加わった場合、材料の熱
膨張率の差から、電子部品と配線板の回路部との接続部
に空隙を生じ、接続不良を発生することがあった。
ドのガラスクロス補強樹脂製配線板には、ガラスクロス
が補強材として入っていることから、表面に形成された
電極の表面は、ガラスクロスの織りに沿って周期的な凹
凸を有していた。また、電子部品の接続電極（バンプ
等）には、製造時の高さのばらつきがあった。したがっ
て、これらを接続する場合、接続電極及び配線板表面の
高さにばらつきが生じて接続信頼性が低下するという課
題があった。特に、熱衝撃等が加わった場合、材料の熱
膨張率の差から、電子部品と配線板の回路部との接続部
に空隙を生じ、接続不良を発生することがあった。
【０００６】これを回避するためには電子部品と配線板
回路との間に常に圧縮応力が働いていることが好まし
く、電子部品と配線板回路を常に押しつけるような装置
を設置することが考えられるが、コストの上昇、実装面
積の増大をもたらすという課題がある。
回路との間に常に圧縮応力が働いていることが好まし
く、電子部品と配線板回路を常に押しつけるような装置
を設置することが考えられるが、コストの上昇、実装面
積の増大をもたらすという課題がある。
【０００７】本発明は、接続信頼性に優れた回路板を提
供することを目的とする。
供することを目的とする。
【０００８】
【課題を解決するための手段】本発明の回路板は、実装
用基板とそれに搭載された電子部品と両者を固定する接
着剤とからなる回路板であって、実装用基板の表面に電
子部品の接続電極に対応して形成された接続用ランドと
該電子部品の接続電極とが直接電気的に接続され、前記
実装用基板が、内層絶縁層と、接続用ランドを支える外
層絶縁層とを有し、該外層絶縁層の熱変形温度（ＡＳＴ
Ｍ Ｄ６４８）が、実装用基板と電子部品を固定すると
きの温度が１７０℃のときに、８０℃以上の範囲である
ことを特徴とする。
用基板とそれに搭載された電子部品と両者を固定する接
着剤とからなる回路板であって、実装用基板の表面に電
子部品の接続電極に対応して形成された接続用ランドと
該電子部品の接続電極とが直接電気的に接続され、前記
実装用基板が、内層絶縁層と、接続用ランドを支える外
層絶縁層とを有し、該外層絶縁層の熱変形温度（ＡＳＴ
Ｍ Ｄ６４８）が、実装用基板と電子部品を固定すると
きの温度が１７０℃のときに、８０℃以上の範囲である
ことを特徴とする。
【０００９】本発明の熱変形温度（ＡＳＴＭ Ｄ６４
８）は、その測定を下記のように行うことができる。外
層絶縁層となる絶縁接着材料を１７０℃１時間積層、硬
化したものを長さ１００ｍｍ、幅１２．７ｍｍ、厚さ
６．３５ｍｍに切断し試験片を作製する。試験片をシリ
コーンオイルで満たされた容器の中に設置されている幅
１０１．６ｍｍ間隔におかれた支点上に置き、中央に規
定の曲げ応力になるように荷重を加える。ここで規定の
荷重は下式で表される。 Ｐ＝２σｂｄ2／（３ｌ） Ｐ：荷重（ｋｇｆ） σ：試験片に加わる曲げ応力（ｋｇｆ／ｃｍ2） ｂ：試験片の幅（ｃｍ） ｄ：試験片の厚さ（ｃｍ） ｌ：試験片支持台の支点間距離（ｃｍ） ５分後に生じた中央のたわみが０．２５４ｍｍに達する
温度を熱変形温度とした。また、本発明において、実装
用基板とそれに搭載された電子部品とを固定する温度
と、この熱変形温度との関係は、固定するときの熱放散
性が装置により異なることから、あまり明確でない。そ
こで、本発明では、固定するときの接合温度が１７０℃
のときに、熱変形温度が８０℃以上のときに接続信頼性
に優れるという知見を得たので、この知見に基づいて本
発明を成すことができた。
８）は、その測定を下記のように行うことができる。外
層絶縁層となる絶縁接着材料を１７０℃１時間積層、硬
化したものを長さ１００ｍｍ、幅１２．７ｍｍ、厚さ
６．３５ｍｍに切断し試験片を作製する。試験片をシリ
コーンオイルで満たされた容器の中に設置されている幅
１０１．６ｍｍ間隔におかれた支点上に置き、中央に規
定の曲げ応力になるように荷重を加える。ここで規定の
荷重は下式で表される。 Ｐ＝２σｂｄ2／（３ｌ） Ｐ：荷重（ｋｇｆ） σ：試験片に加わる曲げ応力（ｋｇｆ／ｃｍ2） ｂ：試験片の幅（ｃｍ） ｄ：試験片の厚さ（ｃｍ） ｌ：試験片支持台の支点間距離（ｃｍ） ５分後に生じた中央のたわみが０．２５４ｍｍに達する
温度を熱変形温度とした。また、本発明において、実装
用基板とそれに搭載された電子部品とを固定する温度
と、この熱変形温度との関係は、固定するときの熱放散
性が装置により異なることから、あまり明確でない。そ
こで、本発明では、固定するときの接合温度が１７０℃
のときに、熱変形温度が８０℃以上のときに接続信頼性
に優れるという知見を得たので、この知見に基づいて本
発明を成すことができた。
【００１０】
（外層絶縁層）本発明の実装用基板の外層絶縁層の弾性
率は、実装用基板とそれに搭載された電子部品とを固定
する温度で、０．１ＭＰａ〜１００００ＭＰａの範囲で
あることが好ましく、０．１ＭＰａ未満であると、電子
部品の接着固定時の圧力により、絶縁層が変形し厚さが
薄くなるため、絶縁性が悪化するため好ましくなく、１
００００ＭＰａを超えると、電子部品の接着固定時の圧
力による絶縁層の変形量が少なく、バンプの高さのばら
つきに絶縁層が追従しないため、バンプと配線板回路と
の良好な接触が得られないため、バンプと基板との接続
信頼性が十分でない。本発明でいう弾性率は、ＤＶＥ引
っ張り法による貯蔵弾性率をいい、例えば、レオロジ株
式会社製のレオスペクトラＤＶＥ−４（商品名）を、引
っぱりモード、周波数１０Ｈｚ、５℃／分で昇温して測
定できる。
率は、実装用基板とそれに搭載された電子部品とを固定
する温度で、０．１ＭＰａ〜１００００ＭＰａの範囲で
あることが好ましく、０．１ＭＰａ未満であると、電子
部品の接着固定時の圧力により、絶縁層が変形し厚さが
薄くなるため、絶縁性が悪化するため好ましくなく、１
００００ＭＰａを超えると、電子部品の接着固定時の圧
力による絶縁層の変形量が少なく、バンプの高さのばら
つきに絶縁層が追従しないため、バンプと配線板回路と
の良好な接触が得られないため、バンプと基板との接続
信頼性が十分でない。本発明でいう弾性率は、ＤＶＥ引
っ張り法による貯蔵弾性率をいい、例えば、レオロジ株
式会社製のレオスペクトラＤＶＥ−４（商品名）を、引
っぱりモード、周波数１０Ｈｚ、５℃／分で昇温して測
定できる。
【００１１】このような絶縁材料としては、エポキシ樹
脂、高分子量エポキシ樹脂、アクリルゴム、官能基含有
アクリルゴム、ポリイミド樹脂、ポリアミドイミド樹
脂，変成ポリフェニレンエーテル樹脂，フェノキシ樹
脂，アミドエポキシ樹脂，フェノール樹脂やこれらの混
合物、共重合物等が使用でき、また，ポリサルフォン，
ポリエーテルサルフォン，ポリエーテルエーテルケト
ン，全芳香族液晶ポリエステル、フッ素系樹脂などの耐
熱性熱可塑性エンジニヤリングプラスチックのフィルム
も使用できる。
脂、高分子量エポキシ樹脂、アクリルゴム、官能基含有
アクリルゴム、ポリイミド樹脂、ポリアミドイミド樹
脂，変成ポリフェニレンエーテル樹脂，フェノキシ樹
脂，アミドエポキシ樹脂，フェノール樹脂やこれらの混
合物、共重合物等が使用でき、また，ポリサルフォン，
ポリエーテルサルフォン，ポリエーテルエーテルケト
ン，全芳香族液晶ポリエステル、フッ素系樹脂などの耐
熱性熱可塑性エンジニヤリングプラスチックのフィルム
も使用できる。
【００１２】このうちエポキシ樹脂とアクリルゴム系接
着剤としては、絶縁性、耐湿性に優れる点から、ａ．エ
ポキシ樹脂及びその硬化剤を合わせて１００重量部、
ｂ．エポキシ樹脂と相溶性でありかつ平均分子量３万以
上の高分子量成分を１０〜４０重量部、ｃ．アクリロニ
トリル１８〜４０重量％、官能基モノマーとしてグリシ
ジルメタクリレート２〜６重量％及び残部がエチルアク
リレート及びブチルアクリレートまたは両者の混合物か
らなるものであり、Ｔｇが−１０℃以上でかつ重量平均
分子量が８０万以上であるエポキシ基含有アクリルエラ
ストマーを２０〜１００重量部、ｄ．硬化促進剤を０．
１〜５重量部からなる接着剤を用いることが好ましく、
特に、ａの硬化剤としてフェノール樹脂を用い、ｂのエ
ポキシ樹脂と相溶性でありかつ平均分子量３万以上の高
分子量成分にフェノキシ樹脂を用いるのが良い。
着剤としては、絶縁性、耐湿性に優れる点から、ａ．エ
ポキシ樹脂及びその硬化剤を合わせて１００重量部、
ｂ．エポキシ樹脂と相溶性でありかつ平均分子量３万以
上の高分子量成分を１０〜４０重量部、ｃ．アクリロニ
トリル１８〜４０重量％、官能基モノマーとしてグリシ
ジルメタクリレート２〜６重量％及び残部がエチルアク
リレート及びブチルアクリレートまたは両者の混合物か
らなるものであり、Ｔｇが−１０℃以上でかつ重量平均
分子量が８０万以上であるエポキシ基含有アクリルエラ
ストマーを２０〜１００重量部、ｄ．硬化促進剤を０．
１〜５重量部からなる接着剤を用いることが好ましく、
特に、ａの硬化剤としてフェノール樹脂を用い、ｂのエ
ポキシ樹脂と相溶性でありかつ平均分子量３万以上の高
分子量成分にフェノキシ樹脂を用いるのが良い。
【００１３】（外層絶縁層の添加フィラー）本発明の外
層絶縁層には、フィラーを含有することができる。これ
らのフィラーは、通常の、熱伝導性をよくすること、難
燃性を与えること、溶融粘度調整すること、チクソトロ
ピック性を付与すること、表面硬度の向上などを目的と
して、混合される。
層絶縁層には、フィラーを含有することができる。これ
らのフィラーは、通常の、熱伝導性をよくすること、難
燃性を与えること、溶融粘度調整すること、チクソトロ
ピック性を付与すること、表面硬度の向上などを目的と
して、混合される。
【００１４】絶縁性フィラーとしては、アルミナ、窒化
アルミニウム、窒化ホウ素、結晶性シリカ、非晶性シリ
カ、水酸化アルミニウム、水酸化マグネシウム、炭酸カ
ルシウム、炭酸マグネシウム、ケイ酸カルシウム、ケイ
酸マグネシウム、酸化カルシウム、酸化マグネシウム、
アルミナ、結晶性シリカ、非晶性シリカ等がある。
アルミニウム、窒化ホウ素、結晶性シリカ、非晶性シリ
カ、水酸化アルミニウム、水酸化マグネシウム、炭酸カ
ルシウム、炭酸マグネシウム、ケイ酸カルシウム、ケイ
酸マグネシウム、酸化カルシウム、酸化マグネシウム、
アルミナ、結晶性シリカ、非晶性シリカ等がある。
【００１５】熱伝導性をよくするためには、アルミナ粉
末、窒化アルミニウム粉末、窒化ホウ素粉末、結晶性シ
リカ、非晶性シリカが好ましい。この内、アルミナ粉末
は、放熱性が良く、耐熱性、絶縁性が良好な点で好適で
ある。また、結晶性シリカまたは非晶性シリカは、放熱
性の点ではアルミナより劣るが、イオン性不純物が少な
いため、ＰＣＴ処理（温度１２１℃、相対湿度１００
％、気圧２０２６ｈＰａのプレッシャークッカーにて９
６時間処理時の絶縁性が高く、銅箔、アルミ線、アルミ
板等の腐食が少ない点で好適である。難燃性を与えるた
めには、水酸化アルミニウム、水酸化マグネシウムが好
ましい。溶融粘度調整やチクソトロピック性の付与の目
的には、水酸化アルミニウム、水酸化マグネシウム、炭
酸カルシウム、炭酸マグネシウム、ケイ酸カルシウム、
ケイ酸マグネシウム、酸化カルシウム、酸化マグネシウ
ム、アルミナ、結晶性シリカ、非晶性シリカが好まし
い。
末、窒化アルミニウム粉末、窒化ホウ素粉末、結晶性シ
リカ、非晶性シリカが好ましい。この内、アルミナ粉末
は、放熱性が良く、耐熱性、絶縁性が良好な点で好適で
ある。また、結晶性シリカまたは非晶性シリカは、放熱
性の点ではアルミナより劣るが、イオン性不純物が少な
いため、ＰＣＴ処理（温度１２１℃、相対湿度１００
％、気圧２０２６ｈＰａのプレッシャークッカーにて９
６時間処理時の絶縁性が高く、銅箔、アルミ線、アルミ
板等の腐食が少ない点で好適である。難燃性を与えるた
めには、水酸化アルミニウム、水酸化マグネシウムが好
ましい。溶融粘度調整やチクソトロピック性の付与の目
的には、水酸化アルミニウム、水酸化マグネシウム、炭
酸カルシウム、炭酸マグネシウム、ケイ酸カルシウム、
ケイ酸マグネシウム、酸化カルシウム、酸化マグネシウ
ム、アルミナ、結晶性シリカ、非晶性シリカが好まし
い。
【００１６】さらに、硼酸アルミニウム、ウォラストナ
イト、チタン酸カリウム、塩基性硫酸マグネシウム、窒
化けい素、α−アルミナの中から選ばれた１以上のもの
を用いることができる。その中でも、硼酸アルミニウム
ウィスカーは、弾性率が約４００ＧＰａとガラスよりも
遥かに高く、熱膨張係数も小さく、しかも比較的安価で
ある。この硼酸アルミニウムウィスカーを用いた本発明
のプリプレグを使用して作製したプリント配線板は、従
来のガラスクロスを用いたプリント配線板よりも、常温
及び高温下における剛性が高く、ワイヤーボンディング
性に優れ、熱膨張係数が小さく、寸法安定性にすぐれ
る。したがって、本発明に用いるウィスカーの材質とし
ては、硼酸アルミニウムが最適である。ウィスカーの平
均直径は、０．３μｍ未満であると樹脂ワニスへの混合
が難しくなるとともに塗工作業性が低下し、３μｍを超
えると表面の平坦性に悪影響がでるとともにウィスカー
の微視的な均一分散性が損なわれる。したがって、ウィ
スカーの平均直径は、０．３μｍ〜３μｍの範囲が好ま
しい。このような直径のウィスカーを選択することによ
り、従来のガラスクロスを基材としたプリプレグを使用
するよりも表面平坦性に優れたプリント配線板を得るこ
とができる。またウィスカーの平均長さは、３〜５０μ
ｍの範囲であることが好ましい。３μｍ未満であると、
繊維としての補強効果が僅かになると同時に、後述する
ウィスカーの樹脂層中での２次元配向が困難になるた
め、配線板にしたときに十分な剛性が得られない。５０
μｍを超えると、ワニス中への均一分散が難しくなり、
塗工性が低下する。また、ある一つの導体回路間と接触
したウィスカーが他の導体回路と接触する確率が高くな
り、繊維に沿って移動する傾向にある銅イオンのマイグ
レーションによる回路間短絡事故を起こす可能性がある
という問題がある。従ってウィスカーの平均長さは５０
μm以下が好ましい。このような長さのウィスカーを使
用した本発明の絶縁材料を用いて作製したプリント配線
板は、従来のガラスクロスを基材にしたプリプレグを使
用したプリント配線板よりも耐マイグレーション性に優
れる。表面硬度の向上に関しては、短繊維アルミナ、ほ
う酸アルミウイスカが好ましい。
イト、チタン酸カリウム、塩基性硫酸マグネシウム、窒
化けい素、α−アルミナの中から選ばれた１以上のもの
を用いることができる。その中でも、硼酸アルミニウム
ウィスカーは、弾性率が約４００ＧＰａとガラスよりも
遥かに高く、熱膨張係数も小さく、しかも比較的安価で
ある。この硼酸アルミニウムウィスカーを用いた本発明
のプリプレグを使用して作製したプリント配線板は、従
来のガラスクロスを用いたプリント配線板よりも、常温
及び高温下における剛性が高く、ワイヤーボンディング
性に優れ、熱膨張係数が小さく、寸法安定性にすぐれ
る。したがって、本発明に用いるウィスカーの材質とし
ては、硼酸アルミニウムが最適である。ウィスカーの平
均直径は、０．３μｍ未満であると樹脂ワニスへの混合
が難しくなるとともに塗工作業性が低下し、３μｍを超
えると表面の平坦性に悪影響がでるとともにウィスカー
の微視的な均一分散性が損なわれる。したがって、ウィ
スカーの平均直径は、０．３μｍ〜３μｍの範囲が好ま
しい。このような直径のウィスカーを選択することによ
り、従来のガラスクロスを基材としたプリプレグを使用
するよりも表面平坦性に優れたプリント配線板を得るこ
とができる。またウィスカーの平均長さは、３〜５０μ
ｍの範囲であることが好ましい。３μｍ未満であると、
繊維としての補強効果が僅かになると同時に、後述する
ウィスカーの樹脂層中での２次元配向が困難になるた
め、配線板にしたときに十分な剛性が得られない。５０
μｍを超えると、ワニス中への均一分散が難しくなり、
塗工性が低下する。また、ある一つの導体回路間と接触
したウィスカーが他の導体回路と接触する確率が高くな
り、繊維に沿って移動する傾向にある銅イオンのマイグ
レーションによる回路間短絡事故を起こす可能性がある
という問題がある。従ってウィスカーの平均長さは５０
μm以下が好ましい。このような長さのウィスカーを使
用した本発明の絶縁材料を用いて作製したプリント配線
板は、従来のガラスクロスを基材にしたプリプレグを使
用したプリント配線板よりも耐マイグレーション性に優
れる。表面硬度の向上に関しては、短繊維アルミナ、ほ
う酸アルミウイスカが好ましい。
【００１７】これらのフィラーの形状としては、粒状、
円盤状、短繊維状などのフィラーが使用できる、これら
のフィラーの配合量は、それぞれ目的とする特性が現
れ、それ以上の添加によって特性が改善されず経済的で
なくなるかもしくは別の課題が発生するようにならない
量を最大限とし、予備的に行った上で確かめることが必
要であるが、一般的には、上記樹脂１００体積部に対
し、５０体積部以下であることが好ましい。
円盤状、短繊維状などのフィラーが使用できる、これら
のフィラーの配合量は、それぞれ目的とする特性が現
れ、それ以上の添加によって特性が改善されず経済的で
なくなるかもしくは別の課題が発生するようにならない
量を最大限とし、予備的に行った上で確かめることが必
要であるが、一般的には、上記樹脂１００体積部に対
し、５０体積部以下であることが好ましい。
【００１８】（外層絶縁層の添加剤）さらに、上記添加
フィラーの他に、異種材料間の界面結合をよくするため
のカップリング剤、電食抑制剤、イオン性不純物を吸着
して、吸湿時の絶縁信頼性をよくするためのイオン性不
純物吸着剤、または銅害防止剤等の添加剤を含有しても
よい。
フィラーの他に、異種材料間の界面結合をよくするため
のカップリング剤、電食抑制剤、イオン性不純物を吸着
して、吸湿時の絶縁信頼性をよくするためのイオン性不
純物吸着剤、または銅害防止剤等の添加剤を含有しても
よい。
【００１９】このようなカップリング剤としては、シラ
ンカップリング剤が好ましく、γ−グリシドキシプロピ
ルトリメトキシシラン、γ−メルカプトプロピルトリメ
トキシシラン、γ−アミノプロピルトリエトキシシラ
ン、γ−ウレイドプロピルトリエトキシシラン、Ｎ−β
−アミノエチル−γ−アミノプロピルトリメトキシシラ
ン等が挙げられ、市販のものとして、γ−グリシドキシ
プロピルトリメトキシシランがＮＣＵ Ａ−１８７、γ
−メルカプトプロピルトリメトキシシランがＮＵＣ Ａ
−１８９、γ−アミノプロピルトリエトキシシランがＮ
ＵＣ Ａ−１１００、γ−ウレイドプロピルトリエトキ
シシランがＮＵＣ Ａ−１１６０、Ｎ−β−アミノエチ
ル−γ−アミノプロピルトリメトキシシランがＮＵＣ
Ａ−１１２０という商品名で、いずれも日本ユニカ−株
式会社から市販されている。
ンカップリング剤が好ましく、γ−グリシドキシプロピ
ルトリメトキシシラン、γ−メルカプトプロピルトリメ
トキシシラン、γ−アミノプロピルトリエトキシシラ
ン、γ−ウレイドプロピルトリエトキシシラン、Ｎ−β
−アミノエチル−γ−アミノプロピルトリメトキシシラ
ン等が挙げられ、市販のものとして、γ−グリシドキシ
プロピルトリメトキシシランがＮＣＵ Ａ−１８７、γ
−メルカプトプロピルトリメトキシシランがＮＵＣ Ａ
−１８９、γ−アミノプロピルトリエトキシシランがＮ
ＵＣ Ａ−１１００、γ−ウレイドプロピルトリエトキ
シシランがＮＵＣ Ａ−１１６０、Ｎ−β−アミノエチ
ル−γ−アミノプロピルトリメトキシシランがＮＵＣ
Ａ−１１２０という商品名で、いずれも日本ユニカ−株
式会社から市販されている。
【００２０】無機イオン吸着剤としては、東亜合成化学
株式会社から、ジルコニウム系化合物を成分とするもの
がＩＸＥ−１００という商品名で、アンチモンビスマス
系化合物を成分とするものがＩＸＥ−６００という商品
名で、マグネシウムアルミニウム系化合物を成分とする
ものがＩＸＥ−７００という商品名で、市販されてい
る。また、ハイドロタルサイトは、協和化学工業株式会
社から、ＤＨＴ−４Ａという商品名で市販されているも
のがある。この無機イオン吸着剤の配合量は、通常１０
重量％以下であることが好ましく、多過ぎると、耐熱性
が低下したり、コストが上昇する。
株式会社から、ジルコニウム系化合物を成分とするもの
がＩＸＥ−１００という商品名で、アンチモンビスマス
系化合物を成分とするものがＩＸＥ−６００という商品
名で、マグネシウムアルミニウム系化合物を成分とする
ものがＩＸＥ−７００という商品名で、市販されてい
る。また、ハイドロタルサイトは、協和化学工業株式会
社から、ＤＨＴ−４Ａという商品名で市販されているも
のがある。この無機イオン吸着剤の配合量は、通常１０
重量％以下であることが好ましく、多過ぎると、耐熱性
が低下したり、コストが上昇する。
【００２１】この他、必要により、銅がイオン化して溶
け出すのを防止するため、銅害防止剤として知られる化
合物例えば、トリアジンチオール化合物、ビスフェノー
ル系還元剤を配合してもよい。ビスフェノール系還元剤
としては、２，２’−メチレン−ビス−（４−メチル−
６−第３−ブチルフェノール）、４，４’−チオ−ビス
−（３−メチル−６−第３−ブチルフェノール）が挙げ
られる。このようなもので市販されているものは、トリ
アジンチオール化合物を成分とする銅害防止剤が、吉富
製薬株式会社から、ヨシノックスＢＢという商品名で市
販され、また、ビスフェノール系還元剤を成分とする銅
害防止剤が、三協製薬株式会社から、ジスネットＤＢと
いう商品名で市販されている。
け出すのを防止するため、銅害防止剤として知られる化
合物例えば、トリアジンチオール化合物、ビスフェノー
ル系還元剤を配合してもよい。ビスフェノール系還元剤
としては、２，２’−メチレン−ビス−（４−メチル−
６−第３−ブチルフェノール）、４，４’−チオ−ビス
−（３−メチル−６−第３−ブチルフェノール）が挙げ
られる。このようなもので市販されているものは、トリ
アジンチオール化合物を成分とする銅害防止剤が、吉富
製薬株式会社から、ヨシノックスＢＢという商品名で市
販され、また、ビスフェノール系還元剤を成分とする銅
害防止剤が、三協製薬株式会社から、ジスネットＤＢと
いう商品名で市販されている。
【００２２】（外層絶縁層の調整）本発明の外層絶縁層
は、これらの各成分を溶剤に溶解・分散してワニスと
し、ベースフィルムまたは銅箔上に塗布し、加熱して溶
剤を除去して使用する。このようなベースフィルムとし
ては、テフロンフィルム、離型処理したポリエチレンテ
レフタレートフィルム、ポリエチレンテレフタレートフ
ィルムなどが使用され、ベースフィルムは使用時に剥離
される。また銅はくやアルミニウムはくをベースフィル
ムとして、本発明の接着剤を塗布することにより、接着
剤付き金属をえることが出来る。金属箔は、マット面処
理等の粗化処理を行っていることが好ましい。また、こ
のようなワニス状態の絶縁接着材料を、配線板上にスク
リーン印刷または塗布して使用することも可能である。
は、これらの各成分を溶剤に溶解・分散してワニスと
し、ベースフィルムまたは銅箔上に塗布し、加熱して溶
剤を除去して使用する。このようなベースフィルムとし
ては、テフロンフィルム、離型処理したポリエチレンテ
レフタレートフィルム、ポリエチレンテレフタレートフ
ィルムなどが使用され、ベースフィルムは使用時に剥離
される。また銅はくやアルミニウムはくをベースフィル
ムとして、本発明の接着剤を塗布することにより、接着
剤付き金属をえることが出来る。金属箔は、マット面処
理等の粗化処理を行っていることが好ましい。また、こ
のようなワニス状態の絶縁接着材料を、配線板上にスク
リーン印刷または塗布して使用することも可能である。
【００２３】この外層絶縁層の厚さは、２５μｍ〜２０
０μｍの範囲であることが好ましく、２５μｍ未満で
は、層間の絶縁性が十分ではなく、２００μｍを超える
と、層間の絶縁性は十分であるが、ドリルやレーザでの
加工性が低下し、層間の接続を取るためのスルーホール
あるいはインタースティシャルバイアホール（以下、Ｉ
ＶＨという。）が形成しにくくなる点で好ましくない。
０μｍの範囲であることが好ましく、２５μｍ未満で
は、層間の絶縁性が十分ではなく、２００μｍを超える
と、層間の絶縁性は十分であるが、ドリルやレーザでの
加工性が低下し、層間の接続を取るためのスルーホール
あるいはインタースティシャルバイアホール（以下、Ｉ
ＶＨという。）が形成しにくくなる点で好ましくない。
【００２４】（内層絶縁層）内層絶縁層のうちの少なく
とも１層の平面方向での線膨張率が、１３ｐｐｍ／℃以
下であることが好ましく、これを超えると、熱衝撃等が
加わった場合、半導体チップ等の電子部品と内層絶縁層
の熱膨張率の差から、電子部品と実装用基板の回路部と
の接続部にクラックや空隙を生じ、接続不良を発生する
ことがある。
とも１層の平面方向での線膨張率が、１３ｐｐｍ／℃以
下であることが好ましく、これを超えると、熱衝撃等が
加わった場合、半導体チップ等の電子部品と内層絶縁層
の熱膨張率の差から、電子部品と実装用基板の回路部と
の接続部にクラックや空隙を生じ、接続不良を発生する
ことがある。
【００２５】この内層絶縁層には、ガラス基材で補強さ
れた樹脂よりなるものが使用でき、例えば、ガラスクロ
ス−エポキシ樹脂積層板、ガラスクロス−ポリイミド樹
脂積層板、ガラスクロス−フェノール樹脂積層板等が使
用できる。
れた樹脂よりなるものが使用でき、例えば、ガラスクロ
ス−エポキシ樹脂積層板、ガラスクロス−ポリイミド樹
脂積層板、ガラスクロス−フェノール樹脂積層板等が使
用できる。
【００２６】（接着剤）本発明において電子部品の接着
固定に用いられる接着剤としては、特に限定するもので
はないが、接続時の良好な流動性や高接続信頼性を得ら
れる接着剤として、エポキシ樹脂とイミダゾール系、ヒ
ドラジド系、三フッ化ホウ素-アミン錯体、スルホニウ
ム塩、アミンイミド、ポリアミンの塩、ジシアンジアミ
ド等の潜在性硬化剤の混合物に、アクリルゴムを配合し
た接着剤が使用できる。また、接着剤にはフィルム形成
性をより容易にするためにフェノキシ樹脂などの熱可塑
性樹脂を配合することもでき、特に、フェノキシ樹脂
は、エポキシ樹脂と構造が類似しているため、エポキシ
樹脂との相溶性、接着性に優れるなどの特徴を有するの
で好ましい。
固定に用いられる接着剤としては、特に限定するもので
はないが、接続時の良好な流動性や高接続信頼性を得ら
れる接着剤として、エポキシ樹脂とイミダゾール系、ヒ
ドラジド系、三フッ化ホウ素-アミン錯体、スルホニウ
ム塩、アミンイミド、ポリアミンの塩、ジシアンジアミ
ド等の潜在性硬化剤の混合物に、アクリルゴムを配合し
た接着剤が使用できる。また、接着剤にはフィルム形成
性をより容易にするためにフェノキシ樹脂などの熱可塑
性樹脂を配合することもでき、特に、フェノキシ樹脂
は、エポキシ樹脂と構造が類似しているため、エポキシ
樹脂との相溶性、接着性に優れるなどの特徴を有するの
で好ましい。
【００２７】電子部品を接着固定するために使用する接
着剤には、チップのバンプや回路電極の高さばらつきを
吸収するために、異方導電性を積極的に付与する目的で
導電粒子を分散することもでき、このような導電粒子と
しては、例えば、Ａｕ、Ni、Ａｇ、Ｃｕ、Wやはんだな
どの金属粒子またはこれらの金属粒子表面に金やパラジ
ウムなどの薄膜をめっきや蒸着によって形成した金属粒
子や、ポリスチレン等の高分子の球状の核材にＮｉ、Ｃ
ｕ、Ａｕ、はんだ等の導電層を設けた導電粒子を用いる
ことができる。このような導電粒子の粒径は、基板の電
極の最小の間隔よりも小さいことが必要で、電極の高さ
ばらつきがある場合、高さばらつきよりも大きいことが
好ましく、１μｍ〜１０μｍの範囲であることが好まし
い。また、接着剤に分散される導電粒子量は、０.１〜
３０体積％の範囲であることが好ましく、より好ましく
は０.２〜１５体積％の範囲である。０．１体積％未満
であると、粒子の分布が少なくなり、導電性を発揮でき
ず、３０体積％を超えると、隣接する粒子同士が接触し
て回路の短絡を起こすこともある。
着剤には、チップのバンプや回路電極の高さばらつきを
吸収するために、異方導電性を積極的に付与する目的で
導電粒子を分散することもでき、このような導電粒子と
しては、例えば、Ａｕ、Ni、Ａｇ、Ｃｕ、Wやはんだな
どの金属粒子またはこれらの金属粒子表面に金やパラジ
ウムなどの薄膜をめっきや蒸着によって形成した金属粒
子や、ポリスチレン等の高分子の球状の核材にＮｉ、Ｃ
ｕ、Ａｕ、はんだ等の導電層を設けた導電粒子を用いる
ことができる。このような導電粒子の粒径は、基板の電
極の最小の間隔よりも小さいことが必要で、電極の高さ
ばらつきがある場合、高さばらつきよりも大きいことが
好ましく、１μｍ〜１０μｍの範囲であることが好まし
い。また、接着剤に分散される導電粒子量は、０.１〜
３０体積％の範囲であることが好ましく、より好ましく
は０.２〜１５体積％の範囲である。０．１体積％未満
であると、粒子の分布が少なくなり、導電性を発揮でき
ず、３０体積％を超えると、隣接する粒子同士が接触し
て回路の短絡を起こすこともある。
【００２８】（接着剤の調整）本発明に用いる接着剤
は、塗布することもできるが、フィルム状にして用いる
ことが加工時の取り扱い性がよく、また、選択的に塗布
するにはシルクスクリーン版などの治具を必要とする
が、フィルム状にすれば、必要な分量だけ裁断して使用
できるので好ましい。接着剤をフィルム状に形成するに
は、上記のエポキシ樹脂、アクリルゴム、フェノキシ樹
脂、潜在性硬化剤からなる接着組成物、あるいはさらに
導電粒子を、有機溶剤に溶解あるいは分散し、液状化し
て、剥離性の基材上に塗布し、硬化剤の活性温度以下で
溶剤を除去することにより行われれる。この時用いる溶
剤は、芳香族炭化水素系と含酸素系の混合溶剤が材料の
溶解性を向上させるため好ましい。
は、塗布することもできるが、フィルム状にして用いる
ことが加工時の取り扱い性がよく、また、選択的に塗布
するにはシルクスクリーン版などの治具を必要とする
が、フィルム状にすれば、必要な分量だけ裁断して使用
できるので好ましい。接着剤をフィルム状に形成するに
は、上記のエポキシ樹脂、アクリルゴム、フェノキシ樹
脂、潜在性硬化剤からなる接着組成物、あるいはさらに
導電粒子を、有機溶剤に溶解あるいは分散し、液状化し
て、剥離性の基材上に塗布し、硬化剤の活性温度以下で
溶剤を除去することにより行われれる。この時用いる溶
剤は、芳香族炭化水素系と含酸素系の混合溶剤が材料の
溶解性を向上させるため好ましい。
【００２９】（電子部品）本発明の電子部品には、表面
実装のためのチップ抵抗、チップコンデンサ、チップイ
ンダクタ、または半導体チップを用いることができる。
また、このような半導体チップの接続電極には、金、ニ
ッケル、ハンダ等をめっきし突起電極としためっきバン
プや、金、アルミニウム等の金属ワイヤの先端を熱エネ
ルギによりボール状としこのボールを接続端子が構成さ
れる半導体チップの電極パッド上に圧着した後前記金属
ワイヤを切断したボールバンプもしくはスタッドバンプ
のほか，はんだボール，溶融はんだ成形バンプ，カラム
の半田付け等による突起電極が使用できる。
実装のためのチップ抵抗、チップコンデンサ、チップイ
ンダクタ、または半導体チップを用いることができる。
また、このような半導体チップの接続電極には、金、ニ
ッケル、ハンダ等をめっきし突起電極としためっきバン
プや、金、アルミニウム等の金属ワイヤの先端を熱エネ
ルギによりボール状としこのボールを接続端子が構成さ
れる半導体チップの電極パッド上に圧着した後前記金属
ワイヤを切断したボールバンプもしくはスタッドバンプ
のほか，はんだボール，溶融はんだ成形バンプ，カラム
の半田付け等による突起電極が使用できる。
【００３０】
（外層絶縁層の作製）表１に組成を示すワニスＡ，Ｂ
を、銅箔上に、乾燥した後の膜厚が５０μｍになるよう
にコンマコータによって塗布し、１１０℃で１０分間乾
燥し、半硬化状の銅箔付き絶縁接着材料を得る。
を、銅箔上に、乾燥した後の膜厚が５０μｍになるよう
にコンマコータによって塗布し、１１０℃で１０分間乾
燥し、半硬化状の銅箔付き絶縁接着材料を得る。
【００３１】
【表１】 ・エピコート８２８：ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂
（油化シェルエポキシ株式会社製、商品名） ・ＥＳＣＮ−００１：クレゾールノボラック型エポキシ
樹脂（住友化学工業株式会社製、商品名） ・プライオーフェンＬＦ２８８２：ビスフェノールＡノ
ボラック樹脂（大日本インキ化学工業株式会社製、商品
名） ・ＹＰ−５０：フェノキシ樹脂、分子量５万（東都化成
株式会社製、商品名） ・ＨＴＲ−８６０Ｐ−３：エポキシ含有アクリルゴム、
分子量１００万（帝国化学産業株式会社製、商品名） ・２ＰＺ−ＣＮ：硬化促進剤（四国化成工業株式会社
製、商品名） ・ＮＵＣ Ａー１８７：γ−グリシドキシプロピルトリ
メトキシシラン、シラン カップリング剤（日本ユニカー株式会社製、商品名）Ａ
Ｌ−１６０ＳＧ−１：昭和電工株式会社製、商品名 ＡＳ−５０：昭和電工株式会社製、商品名
（油化シェルエポキシ株式会社製、商品名） ・ＥＳＣＮ−００１：クレゾールノボラック型エポキシ
樹脂（住友化学工業株式会社製、商品名） ・プライオーフェンＬＦ２８８２：ビスフェノールＡノ
ボラック樹脂（大日本インキ化学工業株式会社製、商品
名） ・ＹＰ−５０：フェノキシ樹脂、分子量５万（東都化成
株式会社製、商品名） ・ＨＴＲ−８６０Ｐ−３：エポキシ含有アクリルゴム、
分子量１００万（帝国化学産業株式会社製、商品名） ・２ＰＺ−ＣＮ：硬化促進剤（四国化成工業株式会社
製、商品名） ・ＮＵＣ Ａー１８７：γ−グリシドキシプロピルトリ
メトキシシラン、シラン カップリング剤（日本ユニカー株式会社製、商品名）Ａ
Ｌ−１６０ＳＧ−１：昭和電工株式会社製、商品名 ＡＳ−５０：昭和電工株式会社製、商品名
【００３２】実施例１ Ｘ及びＹ方向の線膨張率が１６ｐｐｍ／℃，Ｔｇが約１
７０℃，Ｔｇ以下の弾性率が１．８×１０4ＭＰａのガ
ラスクロス・エポキシ樹脂両面銅張り積層板であるＭＣ
Ｌ−Ｅ−６７９（日立化成工業株式会社製、商品名）の
表面銅箔の不要な箇所をエッチング除去し、内層回路を
形成した。表１のワニスＡを用いた銅箔付き絶縁接着材
料に、ドリル穴加工を行い、上述の内層回路の表面に重
ね、１７０℃、４０ｋｇｆ／ｃｍ2、６０分の条件でプ
レス積層接着し，スルーホール穴あけ，無電解銅めっき
を行って，不要な箇所の銅をエッチング除去して外層回
路を加工し、はんだコートを行い、実装用基板を得た。
このときに外層絶縁層として使用した銅箔付き絶縁接着
材料の弾性率は、１７０℃で１００ＭＰa、熱変形温度
は、９０℃であった。この後、接着フィルムである異方
導電性フィルムのＡＮＩＳＯＬＭ（日立化成工業株式会
社製、商品名）を、実装用基板に転写した後、接続電極
としてはんだボールにより突起電極を形成した半導体チ
ップの突起電極と実装用基板の半導体チップ搭載用回路
との位置合せを行い、半導体チップを１７０℃で、１０
ｋｇｆ／チップの圧力により２０秒間加熱圧着して異方
導電フィルムを硬化させた。これによって、異方導電フ
ィルムを介して半導体チップの突起電極と実装用基板の
半導体チップ搭載用回路とが電気的に接続されると同時
に半導体チップと実装用基板間は異方導電フィルムの硬
化によって、この接続状態が保持される。
７０℃，Ｔｇ以下の弾性率が１．８×１０4ＭＰａのガ
ラスクロス・エポキシ樹脂両面銅張り積層板であるＭＣ
Ｌ−Ｅ−６７９（日立化成工業株式会社製、商品名）の
表面銅箔の不要な箇所をエッチング除去し、内層回路を
形成した。表１のワニスＡを用いた銅箔付き絶縁接着材
料に、ドリル穴加工を行い、上述の内層回路の表面に重
ね、１７０℃、４０ｋｇｆ／ｃｍ2、６０分の条件でプ
レス積層接着し，スルーホール穴あけ，無電解銅めっき
を行って，不要な箇所の銅をエッチング除去して外層回
路を加工し、はんだコートを行い、実装用基板を得た。
このときに外層絶縁層として使用した銅箔付き絶縁接着
材料の弾性率は、１７０℃で１００ＭＰa、熱変形温度
は、９０℃であった。この後、接着フィルムである異方
導電性フィルムのＡＮＩＳＯＬＭ（日立化成工業株式会
社製、商品名）を、実装用基板に転写した後、接続電極
としてはんだボールにより突起電極を形成した半導体チ
ップの突起電極と実装用基板の半導体チップ搭載用回路
との位置合せを行い、半導体チップを１７０℃で、１０
ｋｇｆ／チップの圧力により２０秒間加熱圧着して異方
導電フィルムを硬化させた。これによって、異方導電フ
ィルムを介して半導体チップの突起電極と実装用基板の
半導体チップ搭載用回路とが電気的に接続されると同時
に半導体チップと実装用基板間は異方導電フィルムの硬
化によって、この接続状態が保持される。
【００３３】実施例２ 半導体チップの接続電極として、金ワイヤを電極にボン
ディング後切断して構成された突起電極であるスタッド
バンプにより突起電極を形成したものを用いた他は、実
施例１と同様にした。
ディング後切断して構成された突起電極であるスタッド
バンプにより突起電極を形成したものを用いた他は、実
施例１と同様にした。
【００３４】実施例３ Ｘ及びＹ方向の線膨張率が１６ｐｐｍ／℃，Ｔｇが約１
７０℃，Ｔｇ以下の弾性率が１．８×１０4ＭＰａのガ
ラスクロス・エポキシ樹脂両面銅張り積層板であるＭＣ
Ｌ−Ｅ−６７９（日立化成工業株式会社製、商品名）
の、表面銅箔の不要な箇所をエッチング除去して、内層
回路を形成した。外層絶縁層として、表１のワニスＢを
用いた銅箔付き絶縁接着材料に、ドリル穴加工を行い、
この内層回路板に重ね、１７０℃、４０ｋｇｆ／ｃ
ｍ2、６０分の条件でプレス積層接着し，スルーホール
穴あけ，無電解銅めっきを行い，不要な銅をエッチング
除去して外層回路を形成し、無電解ニッケル／金めっき
を行って実装用基板を得た。このとき、最外層の絶縁接
着フィルムの弾性率は、１７０℃で１０ＭＰａ、熱変形
温度は、８５℃であった。この後、接着フィルムである
異方導電性フィルムのＡＮＩＳＯＬＭ（日立化成工業株
式会社製、商品名）を、実装用基板に転写した後、接続
電極としてはんだボールにより突起電極を形成した半導
体チップの突起電極と実装用基板の半導体チップ搭載用
回路との位置合せを行い、半導体チップを１７０℃で、
１０ｋｇｆ／チップの圧力により２０秒間加熱圧着して
異方導電フィルムを硬化させた。これによって、異方導
電フィルムを介して半導体チップの突起電極と実装用基
板の半導体チップ搭載用回路とが電気的に接続されると
同時に半導体チップと実装用基板間は異方導電フィルム
の硬化によって、この接続状態が保持される。
７０℃，Ｔｇ以下の弾性率が１．８×１０4ＭＰａのガ
ラスクロス・エポキシ樹脂両面銅張り積層板であるＭＣ
Ｌ−Ｅ−６７９（日立化成工業株式会社製、商品名）
の、表面銅箔の不要な箇所をエッチング除去して、内層
回路を形成した。外層絶縁層として、表１のワニスＢを
用いた銅箔付き絶縁接着材料に、ドリル穴加工を行い、
この内層回路板に重ね、１７０℃、４０ｋｇｆ／ｃ
ｍ2、６０分の条件でプレス積層接着し，スルーホール
穴あけ，無電解銅めっきを行い，不要な銅をエッチング
除去して外層回路を形成し、無電解ニッケル／金めっき
を行って実装用基板を得た。このとき、最外層の絶縁接
着フィルムの弾性率は、１７０℃で１０ＭＰａ、熱変形
温度は、８５℃であった。この後、接着フィルムである
異方導電性フィルムのＡＮＩＳＯＬＭ（日立化成工業株
式会社製、商品名）を、実装用基板に転写した後、接続
電極としてはんだボールにより突起電極を形成した半導
体チップの突起電極と実装用基板の半導体チップ搭載用
回路との位置合せを行い、半導体チップを１７０℃で、
１０ｋｇｆ／チップの圧力により２０秒間加熱圧着して
異方導電フィルムを硬化させた。これによって、異方導
電フィルムを介して半導体チップの突起電極と実装用基
板の半導体チップ搭載用回路とが電気的に接続されると
同時に半導体チップと実装用基板間は異方導電フィルム
の硬化によって、この接続状態が保持される。
【００３５】実施例４〜６ 実施例１〜３において、ガラスクロス・エポキシ樹脂両
面銅箔張り積層板に、Ｘ及びＹ方向の線膨張率が、９〜
１１ｐｐｍ／℃のガラスクロス・エポキシ樹脂両面銅張
り積層板であるＭＣＬ−Ｅ−６７９ＬＤ（日立化成工業
株式会社製、商品名）を用いた以外は、実施例１〜３と
同様の半導体チップ、異方導電フィルム及び実装条件で
半導体チップと実装用基板を接続した。
面銅箔張り積層板に、Ｘ及びＹ方向の線膨張率が、９〜
１１ｐｐｍ／℃のガラスクロス・エポキシ樹脂両面銅張
り積層板であるＭＣＬ−Ｅ−６７９ＬＤ（日立化成工業
株式会社製、商品名）を用いた以外は、実施例１〜３と
同様の半導体チップ、異方導電フィルム及び実装条件で
半導体チップと実装用基板を接続した。
【００３６】実施例７ Ｘ及びＹ方向の線膨張率が１６ｐｐｍ／℃，Ｔｇが約１
７０℃，Ｔｇ以下の弾性率が１．８×１０4ＭＰａのガ
ラスクロス・エポキシ樹脂両面銅張り積層板であるＭＣ
Ｌ−Ｅ−６７９（日立化成工業株式会社製、商品名）の
表面銅箔を既存のサブトラクト法で内層回路加工、内層
接着処理を施す。次に，該内層回路表面に，硬化後の１
８０℃でのＤＶＥ引っ張り法による貯蔵弾性率が約１Ｇ
Ｐａを示し，絶縁樹脂中にフィラーを含有し，ガラスク
ロスは有さない銅箔付きエポキシ接着フィルムＭＣＦ−
６０００Ｅ（日立化成工業株式会社製、商品名）を１７
０℃、２５ｋｇｆ／ｃｍ2、６０分プレス積層接着し，
レーザー穴あけのための銅箔窓あけをサブトラクト法で
行い，レーザー穴あけ，スルーホール穴あけ，無電解銅
めっき，サブトラクト法による外層回路加工及びはんだ
コートを施し実装基板を得た。半導体チップは接続電極
としてはんだボールにより突起電極を形成したものを用
いた。この後、半導体チップの突起電極と実装基板とを
接着後の４０℃における弾性率が２，５００ＭＰａの接
着剤フィルムにより接続した。まず、接着剤フィルムを
転写した後、半導体チップの突起電極と実装基板の半導
体チップ搭載用回路との位置合せを行い、半導体チップ
を１８０℃、１０ｋｇｆ／チップの温度及び圧力により
２０秒間加熱圧着して異方導電フィルムを硬化させた。
これによって、接着剤フィルムを介して半導体チップの
突起電極と実装基板の半導体チップ搭載用回路とが電気
的に接続されると同時に半導体チップと実装基板間は接
着剤フィルムの硬化によって、この接続状態が保持され
る。このようにして得た半導体チップと実装基板を接続
した部材を（−５５℃，３０分）／（１２５℃，３０
分）の条件で繰り返す冷熱サイクル試験に曝した。この
冷熱サイクル試験１，０００回後の半導体チップの突起
電極と実装基板の半導体搭載用回路の接続抵抗を測定し
たところ，１００ｍΩ以下であり問題なかった。また，
冷熱試験には用いなかった接続部材の測定では，５０Ｖ
１分の電圧印加条件により，回路相互間の絶縁抵抗は５
×１０10Ω以上を示し問題無かった。
７０℃，Ｔｇ以下の弾性率が１．８×１０4ＭＰａのガ
ラスクロス・エポキシ樹脂両面銅張り積層板であるＭＣ
Ｌ−Ｅ−６７９（日立化成工業株式会社製、商品名）の
表面銅箔を既存のサブトラクト法で内層回路加工、内層
接着処理を施す。次に，該内層回路表面に，硬化後の１
８０℃でのＤＶＥ引っ張り法による貯蔵弾性率が約１Ｇ
Ｐａを示し，絶縁樹脂中にフィラーを含有し，ガラスク
ロスは有さない銅箔付きエポキシ接着フィルムＭＣＦ−
６０００Ｅ（日立化成工業株式会社製、商品名）を１７
０℃、２５ｋｇｆ／ｃｍ2、６０分プレス積層接着し，
レーザー穴あけのための銅箔窓あけをサブトラクト法で
行い，レーザー穴あけ，スルーホール穴あけ，無電解銅
めっき，サブトラクト法による外層回路加工及びはんだ
コートを施し実装基板を得た。半導体チップは接続電極
としてはんだボールにより突起電極を形成したものを用
いた。この後、半導体チップの突起電極と実装基板とを
接着後の４０℃における弾性率が２，５００ＭＰａの接
着剤フィルムにより接続した。まず、接着剤フィルムを
転写した後、半導体チップの突起電極と実装基板の半導
体チップ搭載用回路との位置合せを行い、半導体チップ
を１８０℃、１０ｋｇｆ／チップの温度及び圧力により
２０秒間加熱圧着して異方導電フィルムを硬化させた。
これによって、接着剤フィルムを介して半導体チップの
突起電極と実装基板の半導体チップ搭載用回路とが電気
的に接続されると同時に半導体チップと実装基板間は接
着剤フィルムの硬化によって、この接続状態が保持され
る。このようにして得た半導体チップと実装基板を接続
した部材を（−５５℃，３０分）／（１２５℃，３０
分）の条件で繰り返す冷熱サイクル試験に曝した。この
冷熱サイクル試験１，０００回後の半導体チップの突起
電極と実装基板の半導体搭載用回路の接続抵抗を測定し
たところ，１００ｍΩ以下であり問題なかった。また，
冷熱試験には用いなかった接続部材の測定では，５０Ｖ
１分の電圧印加条件により，回路相互間の絶縁抵抗は５
×１０10Ω以上を示し問題無かった。
【００３７】実施例８ Ｘ及びＹ方向の線膨張率が１６ｐｐｍ／℃，Ｔｇが約１
７０℃，Ｔｇ以下の弾性率が１．８×１０4ＭＰａのガ
ラスクロス・エポキシ樹脂両面銅張り積層板であるＭＣ
Ｌ−Ｅ−６７９（日立化成工業株式会社製、商品名）の
表面銅箔を既存のサブトラクト法で内層回路加工、内層
接着処理を施す。次に，該内層回路表面にガラスクロス
を有さない銅箔付きエポキシ接着フィルムＭＣＦ−６０
００Ｅ（日立化成工業株式会社製、商品名）を１７０
℃、２５ｋｇｆ／ｃｍ2、６０分プレス積層接着し，レ
ーザー穴あけのための銅箔窓あけをサブトラクト法で行
い，レーザー穴あけ，スルーホール穴あけ，無電解銅め
っき，サブトラクト法による外層回路加工及びはんだコ
ートを施し実装基板を得た。半導体チップの接続電極と
して、金ワイヤを電極にボンディング後切断して構成さ
れた突起電極であるスタッドバンプにより突起電極を形
成したものを用いた他は、実施例７と同様にした。この
ようにして得た半導体チップと実装基板を接続した部材
を（−５５℃，３０分）／（１２５℃，３０分）の条件
で繰り返す冷熱サイクル試験に曝した。この冷熱サイク
ル試験１，０００回後の半導体チップの突起電極と実装
基板の半導体搭載用回路の接続抵抗を測定したところ，
１００ｍΩ以下であり問題なかった。また，冷熱試験に
は用いなかった接続部材の測定では，５０Ｖ１分の電圧
印加条件により，回路相互間の絶縁抵抗は５×１０10Ω
以上を示し問題無かった。
７０℃，Ｔｇ以下の弾性率が１．８×１０4ＭＰａのガ
ラスクロス・エポキシ樹脂両面銅張り積層板であるＭＣ
Ｌ−Ｅ−６７９（日立化成工業株式会社製、商品名）の
表面銅箔を既存のサブトラクト法で内層回路加工、内層
接着処理を施す。次に，該内層回路表面にガラスクロス
を有さない銅箔付きエポキシ接着フィルムＭＣＦ−６０
００Ｅ（日立化成工業株式会社製、商品名）を１７０
℃、２５ｋｇｆ／ｃｍ2、６０分プレス積層接着し，レ
ーザー穴あけのための銅箔窓あけをサブトラクト法で行
い，レーザー穴あけ，スルーホール穴あけ，無電解銅め
っき，サブトラクト法による外層回路加工及びはんだコ
ートを施し実装基板を得た。半導体チップの接続電極と
して、金ワイヤを電極にボンディング後切断して構成さ
れた突起電極であるスタッドバンプにより突起電極を形
成したものを用いた他は、実施例７と同様にした。この
ようにして得た半導体チップと実装基板を接続した部材
を（−５５℃，３０分）／（１２５℃，３０分）の条件
で繰り返す冷熱サイクル試験に曝した。この冷熱サイク
ル試験１，０００回後の半導体チップの突起電極と実装
基板の半導体搭載用回路の接続抵抗を測定したところ，
１００ｍΩ以下であり問題なかった。また，冷熱試験に
は用いなかった接続部材の測定では，５０Ｖ１分の電圧
印加条件により，回路相互間の絶縁抵抗は５×１０10Ω
以上を示し問題無かった。
【００３８】実施例９ Ｘ及びＹ方向の線膨張率が１６ｐｐｍ／℃，Ｔｇが約１
７０℃，Ｔｇ以下の弾性率が１．８×１０4ＭＰａのガ
ラスクロス・エポキシ樹脂両面銅張り積層板であるＭＣ
Ｌ−Ｅ−６７９（日立化成工業株式会社製、商品名）の
表面銅箔を既存のサブトラクト法で内層回路加工、内層
接着処理を施す。次に，該内層回路表面にガラスクロス
を有さない銅箔付きエポキシ接着フィルムＭＣＦ−６０
００Ｅ（日立化成工業株式会社製、商品名）を１７０
℃、２５ｋｇｆ／ｃｍ2、６０分プレス積層接着し，レ
ーザー穴あけのための銅箔窓あけをサブトラクト法で行
い，レーザー穴あけ，スルーホール穴あけ，無電解銅め
っき，サブトラクト法による外層回路加工及びはんだコ
ートを施し実装基板を得た。半導体チップの接続電極と
して金めっきにより突起電極を形成したものを用いた。
この後、半導体チップの突起電極と実装基板とを接着後
の４０℃における弾性率が２，５００ＭＰａの異方導電
フィルムにより接続する。まず、実装基板に異方導電フ
ィルムを転写した後、半導体チップの突起電極と実装基
板の半導体チップ搭載用回路との位置合せを行い、半導
体チップを１８０℃、１０ｋｇｆ／チップの温度及び圧
力により２０秒間加熱圧着して異方導電フィルムを硬化
させる。これによって、異方導電フィルムを介して半導
体チップの突起電極と実装基板の半導体チップ搭載用回
路とを電気的に接続されると同時に半導体チップと実装
基板間は異方導電フィルムの接着剤の硬化によって、こ
の接続状態を保持する。このようにして得た半導体チッ
プと実装基板を接続した部材を（−５５℃，３０分）／
（１２５℃，３０分）の条件で繰り返す冷熱サイクル試
験に曝した。この冷熱サイクル試験１，０００回後の半
導体チップの突起電極と実装基板の半導体搭載用回路の
接続抵抗を測定したところ，１００ｍΩ以下であり問題
なかった。また，冷熱試験には用いなかった接続部材の
測定では，５０Ｖ１分の電圧印加条件により，回路相互
間の絶縁抵抗は５×１０10Ω以上を示し問題無かった。
７０℃，Ｔｇ以下の弾性率が１．８×１０4ＭＰａのガ
ラスクロス・エポキシ樹脂両面銅張り積層板であるＭＣ
Ｌ−Ｅ−６７９（日立化成工業株式会社製、商品名）の
表面銅箔を既存のサブトラクト法で内層回路加工、内層
接着処理を施す。次に，該内層回路表面にガラスクロス
を有さない銅箔付きエポキシ接着フィルムＭＣＦ−６０
００Ｅ（日立化成工業株式会社製、商品名）を１７０
℃、２５ｋｇｆ／ｃｍ2、６０分プレス積層接着し，レ
ーザー穴あけのための銅箔窓あけをサブトラクト法で行
い，レーザー穴あけ，スルーホール穴あけ，無電解銅め
っき，サブトラクト法による外層回路加工及びはんだコ
ートを施し実装基板を得た。半導体チップの接続電極と
して金めっきにより突起電極を形成したものを用いた。
この後、半導体チップの突起電極と実装基板とを接着後
の４０℃における弾性率が２，５００ＭＰａの異方導電
フィルムにより接続する。まず、実装基板に異方導電フ
ィルムを転写した後、半導体チップの突起電極と実装基
板の半導体チップ搭載用回路との位置合せを行い、半導
体チップを１８０℃、１０ｋｇｆ／チップの温度及び圧
力により２０秒間加熱圧着して異方導電フィルムを硬化
させる。これによって、異方導電フィルムを介して半導
体チップの突起電極と実装基板の半導体チップ搭載用回
路とを電気的に接続されると同時に半導体チップと実装
基板間は異方導電フィルムの接着剤の硬化によって、こ
の接続状態を保持する。このようにして得た半導体チッ
プと実装基板を接続した部材を（−５５℃，３０分）／
（１２５℃，３０分）の条件で繰り返す冷熱サイクル試
験に曝した。この冷熱サイクル試験１，０００回後の半
導体チップの突起電極と実装基板の半導体搭載用回路の
接続抵抗を測定したところ，１００ｍΩ以下であり問題
なかった。また，冷熱試験には用いなかった接続部材の
測定では，５０Ｖ１分の電圧印加条件により，回路相互
間の絶縁抵抗は５×１０10Ω以上を示し問題無かった。
【００３９】実施例１０〜１２ 実施例７〜９において、ガラスクロス・エポキシ樹脂両
面銅箔張り積層板を，Ｘ及びＹ方向の線膨張率が９〜１
１ｐｐｍ／℃のガラスクロス・エポキシ樹脂両面銅張り
積層板であるＭＣＬ−Ｅ−６７９ＬＤ（日立化成工業株
式会社製、商品名）に変更したこと以外は実装基板を同
様に加工し，実施例１，２ないし３と同様の半導体チッ
プ、接着剤フィルムないし異方導電接着剤フィルム及び
実装条件で半導体チップと実装基板を接続した。このよ
うにして得た半導体チップと実装基板を接続した部材を
（−５５℃，３０分）／（１２５℃，３０分）の条件で
繰り返す冷熱サイクル試験に曝した。この冷熱サイクル
試験１，０００回後の半導体チップの突起電極と実装基
板の半導体搭載用回路の接続抵抗を測定したところ，５
０ｍΩ以下であり問題なかった。また，冷熱試験には用
いなかった接続部材の測定では，５０Ｖ１分の電圧印加
条件により，回路相互間の絶縁抵抗は５×１０10Ω以上
を示し問題無かった。
面銅箔張り積層板を，Ｘ及びＹ方向の線膨張率が９〜１
１ｐｐｍ／℃のガラスクロス・エポキシ樹脂両面銅張り
積層板であるＭＣＬ−Ｅ−６７９ＬＤ（日立化成工業株
式会社製、商品名）に変更したこと以外は実装基板を同
様に加工し，実施例１，２ないし３と同様の半導体チッ
プ、接着剤フィルムないし異方導電接着剤フィルム及び
実装条件で半導体チップと実装基板を接続した。このよ
うにして得た半導体チップと実装基板を接続した部材を
（−５５℃，３０分）／（１２５℃，３０分）の条件で
繰り返す冷熱サイクル試験に曝した。この冷熱サイクル
試験１，０００回後の半導体チップの突起電極と実装基
板の半導体搭載用回路の接続抵抗を測定したところ，５
０ｍΩ以下であり問題なかった。また，冷熱試験には用
いなかった接続部材の測定では，５０Ｖ１分の電圧印加
条件により，回路相互間の絶縁抵抗は５×１０10Ω以上
を示し問題無かった。
【００４０】実施例１３〜１５ 実施例１０〜１２において，接着剤フィルムないし異方
導電接着剤フィルムを接着後の４０℃における弾性率が
１，２００ＭＰａを示す異方導電フィルムを用いた以外
は実施例４と同様にして，半導体チップと実装基板を接
続した。このようにして得た半導体チップと実装基板を
接続した部材を（−５５℃，３０分）／（１２５℃，３
０分）の条件で繰り返す冷熱サイクル試験に曝した。こ
の冷熱サイクル試験１，０００回後の半導体チップの突
起電極と実装基板の半導体搭載用回路の接続抵抗を測定
したところ，５０ｍΩ以下であり問題なかった。また，
冷熱試験には用いなかった接続部材の測定では，５０Ｖ
１分の電圧印加条件により，回路相互間の絶縁抵抗は５
×１０10Ω以上を示し問題無かった。
導電接着剤フィルムを接着後の４０℃における弾性率が
１，２００ＭＰａを示す異方導電フィルムを用いた以外
は実施例４と同様にして，半導体チップと実装基板を接
続した。このようにして得た半導体チップと実装基板を
接続した部材を（−５５℃，３０分）／（１２５℃，３
０分）の条件で繰り返す冷熱サイクル試験に曝した。こ
の冷熱サイクル試験１，０００回後の半導体チップの突
起電極と実装基板の半導体搭載用回路の接続抵抗を測定
したところ，５０ｍΩ以下であり問題なかった。また，
冷熱試験には用いなかった接続部材の測定では，５０Ｖ
１分の電圧印加条件により，回路相互間の絶縁抵抗は５
×１０10Ω以上を示し問題無かった。
【００４１】実施例１６〜１８ 実施例１３〜１５において，内層回路基板の加工後にガ
ラスクロスを有さないエポキシ接着フィルムＡＳ−３０
００（日立化成工業株式会社製、商品名）とガラスクロ
スを有さない銅箔付きエポキシ接着フィルムＭＣＦ−６
０００Ｅ（日立化成工業株式会社製、商品名）とをこの
順に載置し，積層接着，レーザー穴あけ用窓形成，レー
ザービア穴あけ，スルーホール穴あけ，外層回路加工し
た他は実施例４と同様にして，半導体チップと実装基板
を接続した。このようにして得た半導体チップと実装基
板を接続した部材を（−５５℃，３０分）／（１２５
℃，３０分）の条件で繰り返す冷熱サイクル試験に曝し
た。この冷熱サイクル試験１，０００回後の半導体チッ
プの突起電極と実装基板の半導体搭載用回路の接続抵抗
を測定したところ，１００ｍΩ以下であり問題なかっ
た。また，冷熱試験には用いなかった接続部材の測定で
は，５０Ｖ１分の電圧印加条件により，回路相互間の絶
縁抵抗は５×１０10Ω以上を示し問題無かった。
ラスクロスを有さないエポキシ接着フィルムＡＳ−３０
００（日立化成工業株式会社製、商品名）とガラスクロ
スを有さない銅箔付きエポキシ接着フィルムＭＣＦ−６
０００Ｅ（日立化成工業株式会社製、商品名）とをこの
順に載置し，積層接着，レーザー穴あけ用窓形成，レー
ザービア穴あけ，スルーホール穴あけ，外層回路加工し
た他は実施例４と同様にして，半導体チップと実装基板
を接続した。このようにして得た半導体チップと実装基
板を接続した部材を（−５５℃，３０分）／（１２５
℃，３０分）の条件で繰り返す冷熱サイクル試験に曝し
た。この冷熱サイクル試験１，０００回後の半導体チッ
プの突起電極と実装基板の半導体搭載用回路の接続抵抗
を測定したところ，１００ｍΩ以下であり問題なかっ
た。また，冷熱試験には用いなかった接続部材の測定で
は，５０Ｖ１分の電圧印加条件により，回路相互間の絶
縁抵抗は５×１０10Ω以上を示し問題無かった。
【００４２】（測定方法）この実施例に用いた測定方法
を以下に示す。 （縁接着材料の熱変形温度）熱変形温度（ＡＳＴＭ Ｄ
６４８）は、その測定を下記のように行った。絶縁接着
材料を１７０℃１時間積層、硬化したものを長さ１００
ｍｍ、幅１２．７ｍｍ、厚さ６．３５ｍｍに切断し試験
片を作製する。試験片をシリコーンオイルで満たされた
容器の中に設置されている幅１０１．６ｍｍ間隔におか
れた支点上に置き、中央に規定の曲げ応力になるように
荷重を加える。ここで規定の荷重は下式で表される。 Ｐ＝２σｂｄ2／（３ｌ） Ｐ：荷重（ｋｇｆ） σ：試験片に加わる曲げ応力（ｋｇｆ／ｃｍ2） ｂ：試験片の幅（ｃｍ） ｄ：試験片の厚さ（ｃｍ） ｌ：試験片支持台の支点間距離（ｃｍ） ５分後に生じた中央のたわみが０．２５４ｍｍに達する
温度を熱変形温度とした。
を以下に示す。 （縁接着材料の熱変形温度）熱変形温度（ＡＳＴＭ Ｄ
６４８）は、その測定を下記のように行った。絶縁接着
材料を１７０℃１時間積層、硬化したものを長さ１００
ｍｍ、幅１２．７ｍｍ、厚さ６．３５ｍｍに切断し試験
片を作製する。試験片をシリコーンオイルで満たされた
容器の中に設置されている幅１０１．６ｍｍ間隔におか
れた支点上に置き、中央に規定の曲げ応力になるように
荷重を加える。ここで規定の荷重は下式で表される。 Ｐ＝２σｂｄ2／（３ｌ） Ｐ：荷重（ｋｇｆ） σ：試験片に加わる曲げ応力（ｋｇｆ／ｃｍ2） ｂ：試験片の幅（ｃｍ） ｄ：試験片の厚さ（ｃｍ） ｌ：試験片支持台の支点間距離（ｃｍ） ５分後に生じた中央のたわみが０．２５４ｍｍに達する
温度を熱変形温度とした。
【００４３】（絶縁接着材料の弾性率）絶縁接着材料を
厚さ０．１ｍｍ厚に積層、１７０℃１時間硬化したもの
を刃を用いて長さ３０ｍｍ、幅５ｍｍの短冊状に切り抜
き、これを試験片とした。レオロジ（株）製レオスペク
トラDVE-4（引っぱりモード、周波数10Hz、５℃／minで
昇温）を使用して測定した。
厚さ０．１ｍｍ厚に積層、１７０℃１時間硬化したもの
を刃を用いて長さ３０ｍｍ、幅５ｍｍの短冊状に切り抜
き、これを試験片とした。レオロジ（株）製レオスペク
トラDVE-4（引っぱりモード、周波数10Hz、５℃／minで
昇温）を使用して測定した。
【００４４】（試験方法）このようにして作製した半導
体チップ実装基板に、以下のような試験を行った。結果
を表２に示す。 （接続信頼性）半導体チップと実装用基板を接続した半
導体チップ実装基板を（−５５℃、３０分）／（１２５
℃、３０分）の条件で繰り返す冷熱サイクル試験に曝し
た。この冷熱サイクル試験１，０００回後の半導体チッ
プの突起電極と実装用基板の半導体チップ搭載用回路の
接続抵抗で、５０ｍΩ以下を◎、１００ｍΩ以下を○、
1Ω以下を△、1Ω以上を×として評価した。
体チップ実装基板に、以下のような試験を行った。結果
を表２に示す。 （接続信頼性）半導体チップと実装用基板を接続した半
導体チップ実装基板を（−５５℃、３０分）／（１２５
℃、３０分）の条件で繰り返す冷熱サイクル試験に曝し
た。この冷熱サイクル試験１，０００回後の半導体チッ
プの突起電極と実装用基板の半導体チップ搭載用回路の
接続抵抗で、５０ｍΩ以下を◎、１００ｍΩ以下を○、
1Ω以下を△、1Ω以上を×として評価した。
【００４５】（耐電圧）銅箔付き絶縁接着材料（膜厚が
５０μｍになるようにコンマコータによって塗布し、１
１０℃で１０分間乾燥し、半硬化状の銅箔付き絶縁接着
材料）を、絶縁接着材料が重なるように２枚重ね合わせ
積層、１７０℃１時間硬化したもの３０ｍｍ×３０ｍｍ
の四角形に切り抜いた。さらに銅箔を直径２０ｍｍの円
形になるように不要部をエッチング除去したものを試験
片とした。試験片について温度１２１℃、相対湿度１０
０％、気圧２０２６ｈＰａのプレッシャークッカーにて
９６時間処理前及び処理後の試験片を絶縁油中に浸漬
し、室温で交流電圧を銅はくとアルミニウム板間に印加
し、絶縁破壊する電圧を測定。なお、耐電圧の単位はｋ
Ｖである。
５０μｍになるようにコンマコータによって塗布し、１
１０℃で１０分間乾燥し、半硬化状の銅箔付き絶縁接着
材料）を、絶縁接着材料が重なるように２枚重ね合わせ
積層、１７０℃１時間硬化したもの３０ｍｍ×３０ｍｍ
の四角形に切り抜いた。さらに銅箔を直径２０ｍｍの円
形になるように不要部をエッチング除去したものを試験
片とした。試験片について温度１２１℃、相対湿度１０
０％、気圧２０２６ｈＰａのプレッシャークッカーにて
９６時間処理前及び処理後の試験片を絶縁油中に浸漬
し、室温で交流電圧を銅はくとアルミニウム板間に印加
し、絶縁破壊する電圧を測定。なお、耐電圧の単位はｋ
Ｖである。
【００４６】（密着性）半導体チップ実装基板について
温度１２１℃、相対湿度１００％、気圧２０２６ｈＰａ
のプレッシャークッカーにて９６時間処理前及び処理
後、層間に剥離が生じているものを不良、層間に剥離が
生じていないものを良好とした。
温度１２１℃、相対湿度１００％、気圧２０２６ｈＰａ
のプレッシャークッカーにて９６時間処理前及び処理
後、層間に剥離が生じているものを不良、層間に剥離が
生じていないものを良好とした。
【００４７】
【表２】
【００４８】
【発明の効果】本発明により、半導体チップと実装用基
板との接続信頼性に優れる回路板を得ることができる。
板との接続信頼性に優れる回路板を得ることができる。
【手続補正書】
【提出日】平成１０年１０月２７日
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１２
【補正方法】変更
【補正内容】
【００１２】このうちエポキシ樹脂と官能基含有アクリ
ルゴムを併用したものは、絶縁性、耐湿性に優れる点か
ら好ましく、ａ．エポキシ樹脂及びその硬化剤を合わせ
て１００重量部、ｂ．エポキシ樹脂と相溶性でありかつ
平均分子量３万以上の高分子量成分を１０〜４０重量
部、ｃ．アクリロニトリル１８〜４０重量％、官能基モ
ノマーとしてグリシジルメタクリレート２〜６重量％及
び残部がエチルアクリレート及びブチルアクリレートま
たは両者の混合物からなるものであり、Ｔｇが−１０℃
以上でかつ重量平均分子量が８０万以上であるエポキシ
基含有アクリルエラストマーを２０〜１００重量部、
ｄ．硬化促進剤を０．１〜５重量部からなる組成物を用
い、特に、ａの硬化剤としてフェノール樹脂を用い、ｂ
のエポキシ樹脂と相溶性でありかつ平均分子量３万以上
の高分子量成分にフェノキシ樹脂を用いるのが良い。
ルゴムを併用したものは、絶縁性、耐湿性に優れる点か
ら好ましく、ａ．エポキシ樹脂及びその硬化剤を合わせ
て１００重量部、ｂ．エポキシ樹脂と相溶性でありかつ
平均分子量３万以上の高分子量成分を１０〜４０重量
部、ｃ．アクリロニトリル１８〜４０重量％、官能基モ
ノマーとしてグリシジルメタクリレート２〜６重量％及
び残部がエチルアクリレート及びブチルアクリレートま
たは両者の混合物からなるものであり、Ｔｇが−１０℃
以上でかつ重量平均分子量が８０万以上であるエポキシ
基含有アクリルエラストマーを２０〜１００重量部、
ｄ．硬化促進剤を０．１〜５重量部からなる組成物を用
い、特に、ａの硬化剤としてフェノール樹脂を用い、ｂ
のエポキシ樹脂と相溶性でありかつ平均分子量３万以上
の高分子量成分にフェノキシ樹脂を用いるのが良い。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１３
【補正方法】変更
【補正内容】
【００１３】（外層絶縁層の添加フィラー）本発明の外
層絶縁層には、フィラーを含有することが好ましい。こ
れらのフィラーは、熱伝導性をよくすること、難燃性を
与えること、溶融粘度調整すること、チクソトロピック
性を付与すること、表面硬度を向上することなどを目的
として、混合される。
層絶縁層には、フィラーを含有することが好ましい。こ
れらのフィラーは、熱伝導性をよくすること、難燃性を
与えること、溶融粘度調整すること、チクソトロピック
性を付与すること、表面硬度を向上することなどを目的
として、混合される。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１５
【補正方法】変更
【補正内容】
【００１５】熱伝導性をよくするためには、アルミナ、
窒化アルミニウム、窒化ホウ素、結晶性シリカ、非晶性
シリカが好ましい。この内、アルミナは、放熱性が良
く、耐熱性、絶縁性が良好な点で好適である。また、結
晶性シリカまたは非晶性シリカは、放熱性の点ではアル
ミナより劣るが、イオン性不純物が少ないため、ＰＣＴ
処理（温度１２１℃、相対湿度１００％、気圧２０２６
ｈＰａのプレッシャークッカーにて９６時間処理時の絶
縁性が高く、銅箔、アルミ線、アルミ板等の腐食が少な
い点で好適である。難燃性を与えるためには、水酸化ア
ルミニウム、水酸化マグネシウムが好ましい。溶融粘度
調整やチクソトロピック性の付与の目的には、水酸化ア
ルミニウム、水酸化マグネシウム、炭酸カルシウム、炭
酸マグネシウム、ケイ酸カルシウム、ケイ酸マグネシウ
ム、酸化カルシウム、酸化マグネシウム、アルミナ、結
晶性シリカ、非晶性シリカが好ましい。
窒化アルミニウム、窒化ホウ素、結晶性シリカ、非晶性
シリカが好ましい。この内、アルミナは、放熱性が良
く、耐熱性、絶縁性が良好な点で好適である。また、結
晶性シリカまたは非晶性シリカは、放熱性の点ではアル
ミナより劣るが、イオン性不純物が少ないため、ＰＣＴ
処理（温度１２１℃、相対湿度１００％、気圧２０２６
ｈＰａのプレッシャークッカーにて９６時間処理時の絶
縁性が高く、銅箔、アルミ線、アルミ板等の腐食が少な
い点で好適である。難燃性を与えるためには、水酸化ア
ルミニウム、水酸化マグネシウムが好ましい。溶融粘度
調整やチクソトロピック性の付与の目的には、水酸化ア
ルミニウム、水酸化マグネシウム、炭酸カルシウム、炭
酸マグネシウム、ケイ酸カルシウム、ケイ酸マグネシウ
ム、酸化カルシウム、酸化マグネシウム、アルミナ、結
晶性シリカ、非晶性シリカが好ましい。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１６
【補正方法】変更
【補正内容】
【００１６】さらに、硼酸アルミニウム、ウォラストナ
イト、チタン酸カリウム、塩基性硫酸マグネシウム、窒
化けい素、α−アルミナの中から選ばれた１以上のもの
を用いることができる。その中でも、硼酸アルミニウム
ウィスカーは、弾性率が約４００ＧＰａとガラスよりも
遥かに高く、熱膨張係数も小さく、しかも比較的安価で
ある。この硼酸アルミニウムウィスカーを用いたもの
は、従来のガラスクロスを用いたものよりも、常温及び
高温下における剛性が高く、ワイヤーボンディング性に
優れ、熱膨張係数が小さく、寸法安定性にすぐれる。し
たがって、ウィスカーの材質としては、硼酸アルミニウ
ムが最適である。ウィスカーの平均直径は、０．３μｍ
未満であると樹脂ワニスへの混合が難しくなるとともに
塗工作業性が低下し、３μｍを超えると表面の平坦性に
悪影響がでるとともにウィスカーの微視的な均一分散性
が損なわれる。したがって、ウィスカーの平均直径は、
０．３μｍ〜３μｍの範囲が好ましい。このような直径
のウィスカーを選択することにより、従来のガラスクロ
スを基材としたプリプレグを使用するよりも表面平坦性
に優れた外層絶縁層とすることができる。またウィスカ
ーの平均長さは、３〜５０μｍの範囲であることが好ま
しい。３μｍ未満であると、繊維としての補強効果が僅
かになると同時に、ウィスカーの樹脂層中での２次元配
向が困難になるため、回路板にしたときに十分な剛性が
得られない。５０μｍを超えると、ワニス中への均一分
散が難しくなり、塗工性が低下する。また、ある一つの
導体回路間と接触したウィスカーが他の導体回路と接触
する確率が高くなり、繊維に沿って移動する傾向にある
銅イオンのマイグレーションによる回路間短絡事故を起
こす可能性があるという問題がある。従ってウィスカー
の平均長さは５０μm以下が好ましい。このような長さ
のウィスカーを使用した外層絶縁層は、従来のガラスク
ロスを基材にした外層絶縁層よりも耐マイグレーション
性に優れる。表面硬度の向上に関しては、短繊維アルミ
ナ、ほう酸アルミウイスカが好ましい。
イト、チタン酸カリウム、塩基性硫酸マグネシウム、窒
化けい素、α−アルミナの中から選ばれた１以上のもの
を用いることができる。その中でも、硼酸アルミニウム
ウィスカーは、弾性率が約４００ＧＰａとガラスよりも
遥かに高く、熱膨張係数も小さく、しかも比較的安価で
ある。この硼酸アルミニウムウィスカーを用いたもの
は、従来のガラスクロスを用いたものよりも、常温及び
高温下における剛性が高く、ワイヤーボンディング性に
優れ、熱膨張係数が小さく、寸法安定性にすぐれる。し
たがって、ウィスカーの材質としては、硼酸アルミニウ
ムが最適である。ウィスカーの平均直径は、０．３μｍ
未満であると樹脂ワニスへの混合が難しくなるとともに
塗工作業性が低下し、３μｍを超えると表面の平坦性に
悪影響がでるとともにウィスカーの微視的な均一分散性
が損なわれる。したがって、ウィスカーの平均直径は、
０．３μｍ〜３μｍの範囲が好ましい。このような直径
のウィスカーを選択することにより、従来のガラスクロ
スを基材としたプリプレグを使用するよりも表面平坦性
に優れた外層絶縁層とすることができる。またウィスカ
ーの平均長さは、３〜５０μｍの範囲であることが好ま
しい。３μｍ未満であると、繊維としての補強効果が僅
かになると同時に、ウィスカーの樹脂層中での２次元配
向が困難になるため、回路板にしたときに十分な剛性が
得られない。５０μｍを超えると、ワニス中への均一分
散が難しくなり、塗工性が低下する。また、ある一つの
導体回路間と接触したウィスカーが他の導体回路と接触
する確率が高くなり、繊維に沿って移動する傾向にある
銅イオンのマイグレーションによる回路間短絡事故を起
こす可能性があるという問題がある。従ってウィスカー
の平均長さは５０μm以下が好ましい。このような長さ
のウィスカーを使用した外層絶縁層は、従来のガラスク
ロスを基材にした外層絶縁層よりも耐マイグレーション
性に優れる。表面硬度の向上に関しては、短繊維アルミ
ナ、ほう酸アルミウイスカが好ましい。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１８
【補正方法】変更
【補正内容】
【００１８】（外層絶縁層の添加剤）さらに、上記フィ
ラーの他に、異種材料間の界面結合をよくするためのカ
ップリング剤、電食抑制剤、イオン性不純物を吸着し
て、吸湿時の絶縁信頼性をよくするためのイオン性不純
物吸着剤、または銅害防止剤等の添加剤を含有してもよ
い。
ラーの他に、異種材料間の界面結合をよくするためのカ
ップリング剤、電食抑制剤、イオン性不純物を吸着し
て、吸湿時の絶縁信頼性をよくするためのイオン性不純
物吸着剤、または銅害防止剤等の添加剤を含有してもよ
い。
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２０
【補正方法】変更
【補正内容】
【００２０】無機イオン吸着剤としては、東亜合成化学
株式会社から、ジルコニウム系化合物を成分とするもの
がＩＸＥ−１００という商品名で、アンチモンビスマス
系化合物を成分とするものがＩＸＥ−６００という商品
名で、マグネシウムアルミニウム系化合物を成分とする
ものがＩＸＥ−７００という商品名で、市販されてい
る。また、ハイドロタルサイトは、協和化学工業株式会
社から、ＤＨＴ−４Ａという商品名で市販されている。
この無機イオン吸着剤の配合量は、通常１０重量％以下
であることが好ましく、多過ぎると、耐熱性が低下した
り、コストが上昇する。
株式会社から、ジルコニウム系化合物を成分とするもの
がＩＸＥ−１００という商品名で、アンチモンビスマス
系化合物を成分とするものがＩＸＥ−６００という商品
名で、マグネシウムアルミニウム系化合物を成分とする
ものがＩＸＥ−７００という商品名で、市販されてい
る。また、ハイドロタルサイトは、協和化学工業株式会
社から、ＤＨＴ−４Ａという商品名で市販されている。
この無機イオン吸着剤の配合量は、通常１０重量％以下
であることが好ましく、多過ぎると、耐熱性が低下した
り、コストが上昇する。
【手続補正７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２２
【補正方法】変更
【補正内容】
【００２２】（外層絶縁層の調整）本発明の外層絶縁層
は、これらの各成分を溶剤に溶解・分散してワニスと
し、ベースフィルムまたは銅箔上に塗布し、加熱して溶
剤を除去して使用する。このようなベースフィルムとし
ては、ポリテトラフルオロエチレンフィルム、離型処理
したポリエチレンテレフタレートフィルム、ポリエチレ
ンテレフタレートフィルムなどが使用され、ベースフィ
ルムは使用時に剥離される。また銅はくやアルミニウム
はくをベースフィルムとして、外層絶縁層となる接着剤
を塗布することにより、接着剤付き金属をえることが出
来る。金属箔は、マット面処理等の粗化処理を行ってい
ることが好ましい。また、このようなワニス状態の絶縁
接着材料を、配線板上にスクリーン印刷または塗布して
使用することも可能である。
は、これらの各成分を溶剤に溶解・分散してワニスと
し、ベースフィルムまたは銅箔上に塗布し、加熱して溶
剤を除去して使用する。このようなベースフィルムとし
ては、ポリテトラフルオロエチレンフィルム、離型処理
したポリエチレンテレフタレートフィルム、ポリエチレ
ンテレフタレートフィルムなどが使用され、ベースフィ
ルムは使用時に剥離される。また銅はくやアルミニウム
はくをベースフィルムとして、外層絶縁層となる接着剤
を塗布することにより、接着剤付き金属をえることが出
来る。金属箔は、マット面処理等の粗化処理を行ってい
ることが好ましい。また、このようなワニス状態の絶縁
接着材料を、配線板上にスクリーン印刷または塗布して
使用することも可能である。
【手続補正８】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２６
【補正方法】変更
【補正内容】
【００２６】（接着剤）本発明において電子部品の接着
固定に用いられる接着剤としては、特に限定するもので
はないが、接続時の良好な流動性や高接続信頼性を得ら
れる接着剤として、エポキシ樹脂とイミダゾール系、ヒ
ドラジド系、三フッ化ホウ素-アミン錯体、スルホニウ
ム塩、アミンイミド、ポリアミンの塩、ジシアンジアミ
ド等の１以上を用いた潜在性硬化剤に、アクリルゴムを
配合した接着剤を使用することが好ましい。また、接着
剤にはフィルム形成性をより容易にするためにフェノキ
シ樹脂などの熱可塑性樹脂を配合することもでき、特
に、フェノキシ樹脂は、エポキシ樹脂と構造が類似して
いるため、エポキシ樹脂との相溶性、接着性に優れるな
どの特徴を有するので好ましい。
固定に用いられる接着剤としては、特に限定するもので
はないが、接続時の良好な流動性や高接続信頼性を得ら
れる接着剤として、エポキシ樹脂とイミダゾール系、ヒ
ドラジド系、三フッ化ホウ素-アミン錯体、スルホニウ
ム塩、アミンイミド、ポリアミンの塩、ジシアンジアミ
ド等の１以上を用いた潜在性硬化剤に、アクリルゴムを
配合した接着剤を使用することが好ましい。また、接着
剤にはフィルム形成性をより容易にするためにフェノキ
シ樹脂などの熱可塑性樹脂を配合することもでき、特
に、フェノキシ樹脂は、エポキシ樹脂と構造が類似して
いるため、エポキシ樹脂との相溶性、接着性に優れるな
どの特徴を有するので好ましい。
【手続補正９】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２７
【補正方法】変更
【補正内容】
【００２７】電子部品を接着固定するために使用する接
着剤には、チップのバンプや回路電極の高さばらつきを
吸収するために、異方導電性を積極的に付与する目的で
導電粒子を分散することもでき、このような導電粒子と
しては、例えば、Ａｕ、Ｎｉ、Ａｇ、Ｃｕ、Ｗやはんだ
などの金属粒子またはこれらの金属粒子表面に金やパラ
ジウムなどの薄膜をめっきや蒸着によって形成した金属
粒子や、ポリスチレン等の高分子の球状の核材にＮｉ、
Ｃｕ、Ａｕ、はんだ等の導電層を設けた導電粒子を用い
ることができる。このような導電粒子の粒径は、基板の
電極の最小の間隔よりも小さいことが必要で、電極の高
さばらつきがある場合、高さばらつきよりも大きいこと
が好ましく、１μｍ〜１０μｍの範囲であることが好ま
しい。また、接着剤に分散される導電粒子量は、０.１
〜３０体積％の範囲であることが好ましく、より好まし
くは０.２〜１５体積％の範囲である。０．１体積％未
満であると、粒子の分布が少なくなり、導電性を発揮で
きず、３０体積％を超えると、隣接する粒子同士が接触
して回路の短絡を起こすこともある。
着剤には、チップのバンプや回路電極の高さばらつきを
吸収するために、異方導電性を積極的に付与する目的で
導電粒子を分散することもでき、このような導電粒子と
しては、例えば、Ａｕ、Ｎｉ、Ａｇ、Ｃｕ、Ｗやはんだ
などの金属粒子またはこれらの金属粒子表面に金やパラ
ジウムなどの薄膜をめっきや蒸着によって形成した金属
粒子や、ポリスチレン等の高分子の球状の核材にＮｉ、
Ｃｕ、Ａｕ、はんだ等の導電層を設けた導電粒子を用い
ることができる。このような導電粒子の粒径は、基板の
電極の最小の間隔よりも小さいことが必要で、電極の高
さばらつきがある場合、高さばらつきよりも大きいこと
が好ましく、１μｍ〜１０μｍの範囲であることが好ま
しい。また、接着剤に分散される導電粒子量は、０.１
〜３０体積％の範囲であることが好ましく、より好まし
くは０.２〜１５体積％の範囲である。０．１体積％未
満であると、粒子の分布が少なくなり、導電性を発揮で
きず、３０体積％を超えると、隣接する粒子同士が接触
して回路の短絡を起こすこともある。
【手続補正１０】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３２
【補正方法】変更
【補正内容】
【００３２】実施例１ Ｘ及びＹ方向の線膨張率が１６ｐｐｍ／℃，Ｔｇが約１
７０℃，Ｔｇ以下の弾性率が１．８×１０4ＭＰａのガ
ラスクロス・エポキシ樹脂両面銅張り積層板であるＭＣ
Ｌ−Ｅ−６７９（日立化成工業株式会社製、商品名）の
表面銅箔の不要な箇所をエッチング除去し、内層回路を
形成した。表１のワニスＡを用いた銅箔付き絶縁接着材
料に、ドリル穴加工を行い、上述の内層回路の表面に重
ね、１７０℃、４０ｋｇｆ／ｃｍ2、６０分の条件でプ
レス積層接着し，スルーホール穴あけ，無電解銅めっき
を行って，不要な箇所の銅をエッチング除去して外層回
路を加工し、はんだコートを行い、実装用基板を得た。
このときに外層絶縁層として使用した銅箔付き絶縁接着
材料の弾性率は、１７０℃で１００ＭＰa、熱変形温度
は、９０℃であった。この後、接着フィルムである異方
導電性フィルムのＡＮＩＳＯＬＭ（日立化成工業株式会
社製、商品名）を、実装用基板に転写した後、接続電極
としてはんだボールにより突起電極を形成した半導体チ
ップの突起電極と実装用基板の半導体チップ搭載用回路
との位置合せを行い、半導体チップを１７０℃で、１０
ｋｇｆ／チップの圧力により２０秒間加熱圧着して異方
導電性フィルムを硬化させた。これによって、異方導電
性フィルムを介して半導体チップの突起電極と実装用基
板の半導体チップ搭載用回路とが電気的に接続されると
同時に半導体チップと実装用基板間は異方導電性フィル
ムの硬化によって、この接続状態が保持される。
７０℃，Ｔｇ以下の弾性率が１．８×１０4ＭＰａのガ
ラスクロス・エポキシ樹脂両面銅張り積層板であるＭＣ
Ｌ−Ｅ−６７９（日立化成工業株式会社製、商品名）の
表面銅箔の不要な箇所をエッチング除去し、内層回路を
形成した。表１のワニスＡを用いた銅箔付き絶縁接着材
料に、ドリル穴加工を行い、上述の内層回路の表面に重
ね、１７０℃、４０ｋｇｆ／ｃｍ2、６０分の条件でプ
レス積層接着し，スルーホール穴あけ，無電解銅めっき
を行って，不要な箇所の銅をエッチング除去して外層回
路を加工し、はんだコートを行い、実装用基板を得た。
このときに外層絶縁層として使用した銅箔付き絶縁接着
材料の弾性率は、１７０℃で１００ＭＰa、熱変形温度
は、９０℃であった。この後、接着フィルムである異方
導電性フィルムのＡＮＩＳＯＬＭ（日立化成工業株式会
社製、商品名）を、実装用基板に転写した後、接続電極
としてはんだボールにより突起電極を形成した半導体チ
ップの突起電極と実装用基板の半導体チップ搭載用回路
との位置合せを行い、半導体チップを１７０℃で、１０
ｋｇｆ／チップの圧力により２０秒間加熱圧着して異方
導電性フィルムを硬化させた。これによって、異方導電
性フィルムを介して半導体チップの突起電極と実装用基
板の半導体チップ搭載用回路とが電気的に接続されると
同時に半導体チップと実装用基板間は異方導電性フィル
ムの硬化によって、この接続状態が保持される。
【手続補正１１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３４
【補正方法】変更
【補正内容】
【００３４】実施例３ Ｘ及びＹ方向の線膨張率が１６ｐｐｍ／℃，Ｔｇが約１
７０℃，Ｔｇ以下の弾性率が１．８×１０4ＭＰａのガ
ラスクロス・エポキシ樹脂両面銅張り積層板であるＭＣ
Ｌ−Ｅ−６７９（日立化成工業株式会社製、商品名）
の、表面銅箔の不要な箇所をエッチング除去して、内層
回路を形成した。外層絶縁層として、表１のワニスＢを
用いた銅箔付き絶縁接着材料に、ドリル穴加工を行い、
この内層回路板に重ね、１７０℃、４０ｋｇｆ／ｃ
ｍ2、６０分の条件でプレス積層接着し，スルーホール
穴あけ，無電解銅めっきを行い，不要な銅をエッチング
除去して外層回路を形成し、無電解ニッケル／金めっき
を行って実装用基板を得た。このとき、最外層の絶縁接
着フィルムの弾性率は、１７０℃で１０ＭＰａ、熱変形
温度は、８５℃であった。この後、接着フィルムである
異方導電性フィルムのＡＮＩＳＯＬＭ（日立化成工業株
式会社製、商品名）を、実装用基板に転写した後、接続
電極としてはんだボールにより突起電極を形成した半導
体チップの突起電極と実装用基板の半導体チップ搭載用
回路との位置合せを行い、半導体チップを１７０℃で、
１０ｋｇｆ／チップの圧力により２０秒間加熱圧着して
異方導電性フィルムを硬化させた。これによって、異方
導電性フィルムを介して半導体チップの突起電極と実装
用基板の半導体チップ搭載用回路とが電気的に接続され
ると同時に半導体チップと実装用基板間は異方導電性フ
ィルムの硬化によって、この接続状態が保持される。
７０℃，Ｔｇ以下の弾性率が１．８×１０4ＭＰａのガ
ラスクロス・エポキシ樹脂両面銅張り積層板であるＭＣ
Ｌ−Ｅ−６７９（日立化成工業株式会社製、商品名）
の、表面銅箔の不要な箇所をエッチング除去して、内層
回路を形成した。外層絶縁層として、表１のワニスＢを
用いた銅箔付き絶縁接着材料に、ドリル穴加工を行い、
この内層回路板に重ね、１７０℃、４０ｋｇｆ／ｃ
ｍ2、６０分の条件でプレス積層接着し，スルーホール
穴あけ，無電解銅めっきを行い，不要な銅をエッチング
除去して外層回路を形成し、無電解ニッケル／金めっき
を行って実装用基板を得た。このとき、最外層の絶縁接
着フィルムの弾性率は、１７０℃で１０ＭＰａ、熱変形
温度は、８５℃であった。この後、接着フィルムである
異方導電性フィルムのＡＮＩＳＯＬＭ（日立化成工業株
式会社製、商品名）を、実装用基板に転写した後、接続
電極としてはんだボールにより突起電極を形成した半導
体チップの突起電極と実装用基板の半導体チップ搭載用
回路との位置合せを行い、半導体チップを１７０℃で、
１０ｋｇｆ／チップの圧力により２０秒間加熱圧着して
異方導電性フィルムを硬化させた。これによって、異方
導電性フィルムを介して半導体チップの突起電極と実装
用基板の半導体チップ搭載用回路とが電気的に接続され
ると同時に半導体チップと実装用基板間は異方導電性フ
ィルムの硬化によって、この接続状態が保持される。
【手続補正１２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３６
【補正方法】変更
【補正内容】
【００３６】実施例７ Ｘ及びＹ方向の線膨張率が１６ｐｐｍ／℃，Ｔｇが約１
７０℃，Ｔｇ以下の弾性率が１．８×１０4ＭＰａのガ
ラスクロス・エポキシ樹脂両面銅張り積層板であるＭＣ
Ｌ−Ｅ−６７９（日立化成工業株式会社製、商品名）の
表面銅箔を既存のサブトラクト法で内層回路加工、内層
接着処理を施す。次に，該内層回路表面に，硬化後の１
８０℃でのＤＶＥ引っ張り法による貯蔵弾性率が約１Ｇ
Ｐａを示し，絶縁樹脂中にフィラーを含有し，ガラスク
ロスは有さない銅箔付きエポキシ接着フィルムＭＣＦ−
６０００Ｅ（日立化成工業株式会社製、商品名）を１７
０℃、２５ｋｇｆ／ｃｍ2、６０分プレス積層接着し，
レーザー穴あけのための銅箔窓あけをサブトラクト法で
行い，レーザー穴あけ，スルーホール穴あけ，無電解銅
めっき，サブトラクト法による外層回路加工及びはんだ
コートを施し実装基板を得た。半導体チップは接続電極
としてはんだボールにより突起電極を形成したものを用
いた。この後、半導体チップの突起電極と実装基板とを
接着後の４０℃における弾性率が２，５００ＭＰａの接
着剤フィルムにより接続した。まず、接着剤フィルムを
転写した後、半導体チップの突起電極と実装基板の半導
体チップ搭載用回路との位置合せを行い、半導体チップ
を１８０℃、１０ｋｇｆ／チップの温度及び圧力により
２０秒間加熱圧着して接着剤フィルムを硬化させた。こ
れによって、接着剤フィルムを介して半導体チップの突
起電極と実装基板の半導体チップ搭載用回路とが電気的
に接続されると同時に半導体チップと実装基板間は接着
剤フィルムの硬化によって、この接続状態が保持され
る。このようにして得た半導体チップと実装基板を接続
した部材を（−５５℃，３０分）／（１２５℃，３０
分）の条件で繰り返す冷熱サイクル試験に曝した。この
冷熱サイクル試験１，０００回後の半導体チップの突起
電極と実装基板の半導体搭載用回路の接続抵抗を測定し
たところ，５０ｍΩ以下であり問題なかった。また，冷
熱試験には用いなかった接続部材の測定では，５０Ｖ１
分の電圧印加条件により，回路相互間の絶縁抵抗は５×
１０10Ω以上を示し問題無かった。
７０℃，Ｔｇ以下の弾性率が１．８×１０4ＭＰａのガ
ラスクロス・エポキシ樹脂両面銅張り積層板であるＭＣ
Ｌ−Ｅ−６７９（日立化成工業株式会社製、商品名）の
表面銅箔を既存のサブトラクト法で内層回路加工、内層
接着処理を施す。次に，該内層回路表面に，硬化後の１
８０℃でのＤＶＥ引っ張り法による貯蔵弾性率が約１Ｇ
Ｐａを示し，絶縁樹脂中にフィラーを含有し，ガラスク
ロスは有さない銅箔付きエポキシ接着フィルムＭＣＦ−
６０００Ｅ（日立化成工業株式会社製、商品名）を１７
０℃、２５ｋｇｆ／ｃｍ2、６０分プレス積層接着し，
レーザー穴あけのための銅箔窓あけをサブトラクト法で
行い，レーザー穴あけ，スルーホール穴あけ，無電解銅
めっき，サブトラクト法による外層回路加工及びはんだ
コートを施し実装基板を得た。半導体チップは接続電極
としてはんだボールにより突起電極を形成したものを用
いた。この後、半導体チップの突起電極と実装基板とを
接着後の４０℃における弾性率が２，５００ＭＰａの接
着剤フィルムにより接続した。まず、接着剤フィルムを
転写した後、半導体チップの突起電極と実装基板の半導
体チップ搭載用回路との位置合せを行い、半導体チップ
を１８０℃、１０ｋｇｆ／チップの温度及び圧力により
２０秒間加熱圧着して接着剤フィルムを硬化させた。こ
れによって、接着剤フィルムを介して半導体チップの突
起電極と実装基板の半導体チップ搭載用回路とが電気的
に接続されると同時に半導体チップと実装基板間は接着
剤フィルムの硬化によって、この接続状態が保持され
る。このようにして得た半導体チップと実装基板を接続
した部材を（−５５℃，３０分）／（１２５℃，３０
分）の条件で繰り返す冷熱サイクル試験に曝した。この
冷熱サイクル試験１，０００回後の半導体チップの突起
電極と実装基板の半導体搭載用回路の接続抵抗を測定し
たところ，５０ｍΩ以下であり問題なかった。また，冷
熱試験には用いなかった接続部材の測定では，５０Ｖ１
分の電圧印加条件により，回路相互間の絶縁抵抗は５×
１０10Ω以上を示し問題無かった。
【手続補正１３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３８
【補正方法】変更
【補正内容】
【００３８】実施例９ Ｘ及びＹ方向の線膨張率が１６ｐｐｍ／℃，Ｔｇが約１
７０℃，Ｔｇ以下の弾性率が１．８×１０4ＭＰａのガ
ラスクロス・エポキシ樹脂両面銅張り積層板であるＭＣ
Ｌ−Ｅ−６７９（日立化成工業株式会社製、商品名）の
表面銅箔を既存のサブトラクト法で内層回路加工、内層
接着処理を施す。次に，該内層回路表面にガラスクロス
を有さない銅箔付きエポキシ接着フィルムＭＣＦ−６０
００Ｅ（日立化成工業株式会社製、商品名）を１７０
℃、２５ｋｇｆ／ｃｍ2、６０分プレス積層接着し，レ
ーザー穴あけのための銅箔窓あけをサブトラクト法で行
い，レーザー穴あけ，スルーホール穴あけ，無電解銅め
っき，サブトラクト法による外層回路加工及びはんだコ
ートを施し実装基板を得た。半導体チップの接続電極と
して金めっきにより突起電極を形成したものを用いた。
この後、半導体チップの突起電極と実装基板とを接着後
の４０℃における弾性率が２，５００ＭＰａの異方導電
性フィルムにより接続する。まず、実装基板に異方導電
性フィルムを転写した後、半導体チップの突起電極と実
装基板の半導体チップ搭載用回路との位置合せを行い、
半導体チップを１８０℃、１０ｋｇｆ／チップの温度及
び圧力により２０秒間加熱圧着して異方導電性フィルム
を硬化させる。これによって、異方導電性フィルムを介
して半導体チップの突起電極と実装基板の半導体チップ
搭載用回路とを電気的に接続されると同時に半導体チッ
プと実装基板間は異方導電性フィルムの接着剤の硬化に
よって、この接続状態を保持する。このようにして得た
半導体チップと実装基板を接続した部材を（−５５℃，
３０分）／（１２５℃，３０分）の条件で繰り返す冷熱
サイクル試験に曝した。この冷熱サイクル試験１，００
０回後の半導体チップの突起電極と実装基板の半導体搭
載用回路の接続抵抗を測定したところ，５０ｍΩ以下で
あり問題なかった。また，冷熱試験には用いなかった接
続部材の測定では，５０Ｖ１分の電圧印加条件により，
回路相互間の絶縁抵抗は５×１０10Ω以上を示し問題無
かった。
７０℃，Ｔｇ以下の弾性率が１．８×１０4ＭＰａのガ
ラスクロス・エポキシ樹脂両面銅張り積層板であるＭＣ
Ｌ−Ｅ−６７９（日立化成工業株式会社製、商品名）の
表面銅箔を既存のサブトラクト法で内層回路加工、内層
接着処理を施す。次に，該内層回路表面にガラスクロス
を有さない銅箔付きエポキシ接着フィルムＭＣＦ−６０
００Ｅ（日立化成工業株式会社製、商品名）を１７０
℃、２５ｋｇｆ／ｃｍ2、６０分プレス積層接着し，レ
ーザー穴あけのための銅箔窓あけをサブトラクト法で行
い，レーザー穴あけ，スルーホール穴あけ，無電解銅め
っき，サブトラクト法による外層回路加工及びはんだコ
ートを施し実装基板を得た。半導体チップの接続電極と
して金めっきにより突起電極を形成したものを用いた。
この後、半導体チップの突起電極と実装基板とを接着後
の４０℃における弾性率が２，５００ＭＰａの異方導電
性フィルムにより接続する。まず、実装基板に異方導電
性フィルムを転写した後、半導体チップの突起電極と実
装基板の半導体チップ搭載用回路との位置合せを行い、
半導体チップを１８０℃、１０ｋｇｆ／チップの温度及
び圧力により２０秒間加熱圧着して異方導電性フィルム
を硬化させる。これによって、異方導電性フィルムを介
して半導体チップの突起電極と実装基板の半導体チップ
搭載用回路とを電気的に接続されると同時に半導体チッ
プと実装基板間は異方導電性フィルムの接着剤の硬化に
よって、この接続状態を保持する。このようにして得た
半導体チップと実装基板を接続した部材を（−５５℃，
３０分）／（１２５℃，３０分）の条件で繰り返す冷熱
サイクル試験に曝した。この冷熱サイクル試験１，００
０回後の半導体チップの突起電極と実装基板の半導体搭
載用回路の接続抵抗を測定したところ，５０ｍΩ以下で
あり問題なかった。また，冷熱試験には用いなかった接
続部材の測定では，５０Ｖ１分の電圧印加条件により，
回路相互間の絶縁抵抗は５×１０10Ω以上を示し問題無
かった。
【手続補正１４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３９
【補正方法】変更
【補正内容】
【００３９】実施例１０〜１２ 実施例７〜９において、ガラスクロス・エポキシ樹脂両
面銅箔張り積層板を，Ｘ及びＹ方向の線膨張率が９〜１
１ｐｐｍ／℃のガラスクロス・エポキシ樹脂両面銅張り
積層板であるＭＣＬ−Ｅ−６７９ＬＤ（日立化成工業株
式会社製、商品名）に変更したこと以外は実装基板を同
様に加工し，実施例１，２ないし３と同様の半導体チッ
プ、接着剤フィルムないし異方導電性フィルム及び実装
条件で半導体チップと実装基板を接続した。このように
して得た半導体チップと実装基板を接続した部材を（−
５５℃，３０分）／（１２５℃，３０分）の条件で繰り
返す冷熱サイクル試験に曝した。この冷熱サイクル試験
１，０００回後の半導体チップの突起電極と実装基板の
半導体搭載用回路の接続抵抗を測定したところ，１００
ｍΩ以下であり問題なかった。また，冷熱試験には用い
なかった接続部材の測定では，５０Ｖ１分の電圧印加条
件により，回路相互間の絶縁抵抗は５×１０10Ω以上を
示し問題無かった。
面銅箔張り積層板を，Ｘ及びＹ方向の線膨張率が９〜１
１ｐｐｍ／℃のガラスクロス・エポキシ樹脂両面銅張り
積層板であるＭＣＬ−Ｅ−６７９ＬＤ（日立化成工業株
式会社製、商品名）に変更したこと以外は実装基板を同
様に加工し，実施例１，２ないし３と同様の半導体チッ
プ、接着剤フィルムないし異方導電性フィルム及び実装
条件で半導体チップと実装基板を接続した。このように
して得た半導体チップと実装基板を接続した部材を（−
５５℃，３０分）／（１２５℃，３０分）の条件で繰り
返す冷熱サイクル試験に曝した。この冷熱サイクル試験
１，０００回後の半導体チップの突起電極と実装基板の
半導体搭載用回路の接続抵抗を測定したところ，１００
ｍΩ以下であり問題なかった。また，冷熱試験には用い
なかった接続部材の測定では，５０Ｖ１分の電圧印加条
件により，回路相互間の絶縁抵抗は５×１０10Ω以上を
示し問題無かった。
【手続補正１５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４０
【補正方法】変更
【補正内容】
【００４０】実施例１３〜１５ 実施例１０〜１２において，接着剤フィルムないし異方
導電性フィルムを接着後の４０℃における弾性率が１，
２００ＭＰａを示す異方導電性フィルムを用いた以外は
実施例４と同様にして，半導体チップと実装基板を接続
した。このようにして得た半導体チップと実装基板を接
続した部材を（−５５℃，３０分）／（１２５℃，３０
分）の条件で繰り返す冷熱サイクル試験に曝した。この
冷熱サイクル試験１，０００回後の半導体チップの突起
電極と実装基板の半導体搭載用回路の接続抵抗を測定し
たところ，１００ｍΩ以下であり問題なかった。また，
冷熱試験には用いなかった接続部材の測定では，５０Ｖ
１分の電圧印加条件により，回路相互間の絶縁抵抗は５
×１０10Ω以上を示し問題無かった。
導電性フィルムを接着後の４０℃における弾性率が１，
２００ＭＰａを示す異方導電性フィルムを用いた以外は
実施例４と同様にして，半導体チップと実装基板を接続
した。このようにして得た半導体チップと実装基板を接
続した部材を（−５５℃，３０分）／（１２５℃，３０
分）の条件で繰り返す冷熱サイクル試験に曝した。この
冷熱サイクル試験１，０００回後の半導体チップの突起
電極と実装基板の半導体搭載用回路の接続抵抗を測定し
たところ，１００ｍΩ以下であり問題なかった。また，
冷熱試験には用いなかった接続部材の測定では，５０Ｖ
１分の電圧印加条件により，回路相互間の絶縁抵抗は５
×１０10Ω以上を示し問題無かった。
【手続補正１６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４２
【補正方法】変更
【補正内容】
【００４２】（測定方法）この実施例に用いた測定方法
を以下に示す。 （縁接着材料の熱変形温度）熱変形温度（ＡＳＴＭ Ｄ
６４８）は、その測定を下記のように行った。絶縁接着
材料を１７０℃１時間積層、硬化したものを長さ１００
ｍｍ、幅１２．７ｍｍ、厚さ６．３５ｍｍに切断し試験
片を作製する。試験片をシリコーンオイルで満たされた
容器の中に設置されている幅１０１．６ｍｍ間隔におか
れた支点上に置き、中央に規定の曲げ応力６６ｐｓｉ
（４．６ｋｇ／ｃｍ 2 ）になるように荷重を加える。こ
こで規定の荷重は下式で表される。 Ｐ＝２σｂｄ2／（３ｌ） Ｐ：荷重（ｋｇｆ） σ：試験片に加わる曲げ応力（ｋｇｆ／ｃｍ2） ｂ：試験片の幅（ｃｍ） ｄ：試験片の厚さ（ｃｍ） ｌ：試験片支持台の支点間距離（ｃｍ） ５分後に生じた中央のたわみが０．２５４ｍｍに達する
温度を熱変形温度とした。
を以下に示す。 （縁接着材料の熱変形温度）熱変形温度（ＡＳＴＭ Ｄ
６４８）は、その測定を下記のように行った。絶縁接着
材料を１７０℃１時間積層、硬化したものを長さ１００
ｍｍ、幅１２．７ｍｍ、厚さ６．３５ｍｍに切断し試験
片を作製する。試験片をシリコーンオイルで満たされた
容器の中に設置されている幅１０１．６ｍｍ間隔におか
れた支点上に置き、中央に規定の曲げ応力６６ｐｓｉ
（４．６ｋｇ／ｃｍ 2 ）になるように荷重を加える。こ
こで規定の荷重は下式で表される。 Ｐ＝２σｂｄ2／（３ｌ） Ｐ：荷重（ｋｇｆ） σ：試験片に加わる曲げ応力（ｋｇｆ／ｃｍ2） ｂ：試験片の幅（ｃｍ） ｄ：試験片の厚さ（ｃｍ） ｌ：試験片支持台の支点間距離（ｃｍ） ５分後に生じた中央のたわみが０．２５４ｍｍに達する
温度を熱変形温度とした。
【手続補正１７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４５
【補正方法】変更
【補正内容】
【００４５】（耐電圧）銅箔付き絶縁接着材料（膜厚が
５０μｍになるようにコンマコータによって塗布し、１
１０℃で１０分間乾燥し、半硬化状の銅箔付き絶縁接着
材料）を、絶縁接着材料が重なるように２枚重ね合わせ
積層、１７０℃１時間硬化したもの３０ｍｍ×３０ｍｍ
の四角形に切り抜いた。さらに銅箔を直径２０ｍｍの円
形になるように不要部をエッチング除去したものを試験
片とした。試験片について温度１２１℃、相対湿度１０
０％、気圧２０２６ｈＰａのプレッシャークッカーにて
９６時間処理前及び処理後の試験片を絶縁油中に浸漬
し、室温で交流電圧を銅はくと銅はくの間に印加し、絶
縁破壊する電圧を測定。なお、耐電圧の単位はｋＶであ
る。
５０μｍになるようにコンマコータによって塗布し、１
１０℃で１０分間乾燥し、半硬化状の銅箔付き絶縁接着
材料）を、絶縁接着材料が重なるように２枚重ね合わせ
積層、１７０℃１時間硬化したもの３０ｍｍ×３０ｍｍ
の四角形に切り抜いた。さらに銅箔を直径２０ｍｍの円
形になるように不要部をエッチング除去したものを試験
片とした。試験片について温度１２１℃、相対湿度１０
０％、気圧２０２６ｈＰａのプレッシャークッカーにて
９６時間処理前及び処理後の試験片を絶縁油中に浸漬
し、室温で交流電圧を銅はくと銅はくの間に印加し、絶
縁破壊する電圧を測定。なお、耐電圧の単位はｋＶであ
る。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 浦崎 直之 茨城県下館市大字小川1500番地 日立化成 工業株式会社下館研究所内 (72)発明者 中祖 昭士 茨城県下館市大字小川1500番地 日立化成 工業株式会社下館研究所内 (72)発明者 ▲つる▼ 義之 茨城県下館市大字小川1500番地 日立化成 工業株式会社下館研究所内 (72)発明者 渡辺 伊津夫 茨城県つくば市和台48 日立化成工業株式 会社筑波開発研究所内
Claims (9)
- 【請求項１】実装用基板とそれに搭載された電子部品と
両者を固定する接着剤とからなる回路板であって、実装
用基板の表面に電子部品の接続電極に対応して形成され
た接続用ランドと該電子部品の接続電極とが電気的に接
続され、前記実装用基板が、内層絶縁層と、接続用ラン
ドを支える外層絶縁層とを有し、該外層絶縁層の熱変形
温度（ＡＳＴＭ Ｄ６４８）が、実装用基板と電子部品
を固定するときの温度が１７０℃のときに、８０℃以上
の範囲であることを特徴とする回路板。 - 【請求項２】前記外層絶縁層の弾性率が、実装用基板と
それに搭載された電子部品とを固定する温度で、０．１
ＭＰａ〜１００００ＭＰａの範囲であることを特徴とす
る請求項１に記載の回路板。 - 【請求項３】前記外層絶縁層に、フィラーを含有するこ
とを特徴とする請求項１または２に記載の回路板。 - 【請求項４】外層絶縁層の厚さが、２５μｍ〜２００μ
ｍの範囲であることを特徴とする請求項１〜３のうちい
ずれかに記載の回路板。 - 【請求項５】内層絶縁層のうちの少なくとも１層の平面
方向での線膨張率が、１３ｐｐｍ／℃以下であることを
特徴とする請求項１〜４のうちいずれかに記載の回路
板。 - 【請求項６】内層絶縁層が、ガラス基材で補強された樹
脂よりなることを特徴とする請求項１〜５のうちいずれ
かに記載の回路板。 - 【請求項７】接着剤が，少なくともエポキシ樹脂、アク
リルゴム及び潜在性硬化剤を含有するものであることを
特徴とする請求項１〜６のうちいずれかに記載の回路
板。 - 【請求項８】接着剤に、０.１〜３０体積％の導電粒子
が分散されていることを特徴とする請求項７に記載の回
路板。 - 【請求項９】電子部品が、半導体チップであることを特
徴とする請求項１〜８のうちいずれかに記載の回路板。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP19297597A JPH1140928A (ja) | 1997-07-18 | 1997-07-18 | 回路板 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP19297597A JPH1140928A (ja) | 1997-07-18 | 1997-07-18 | 回路板 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH1140928A true JPH1140928A (ja) | 1999-02-12 |
Family
ID=16300158
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP19297597A Pending JPH1140928A (ja) | 1997-07-18 | 1997-07-18 | 回路板 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH1140928A (ja) |
-
1997
- 1997-07-18 JP JP19297597A patent/JPH1140928A/ja active Pending
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20040713 |
|
| A977 | Report on retrieval |
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|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20070614 |
|
| A521 | Written amendment |
Effective date: 20070807 Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 |
|
| RD02 | Notification of acceptance of power of attorney |
Effective date: 20070807 Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7422 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20070911 |
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| A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20080304 |